JPH0574921A - Case - Google Patents
CaseInfo
- Publication number
- JPH0574921A JPH0574921A JP23443791A JP23443791A JPH0574921A JP H0574921 A JPH0574921 A JP H0574921A JP 23443791 A JP23443791 A JP 23443791A JP 23443791 A JP23443791 A JP 23443791A JP H0574921 A JPH0574921 A JP H0574921A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- case
- wafer
- cassette
- moisture
- coupler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体デバイス製造工
程の前工程におけるウエハ表面の被膜腐蝕防止に適用し
て有効な技術であり、たとえばプラズマエッチング処理
工程後にウエハを収容するケースに関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a technique effectively applied to prevent film corrosion on a wafer surface in a pre-process of a semiconductor device manufacturing process, for example, a case for accommodating a wafer after a plasma etching process.
【0002】[0002]
【従来の技術】半導体デバイスの製造工程において、ウ
エハと呼称される半導体基板の表面に設けた被膜を選択
的にエッチングする処理工程がある。エッチング技術に
は、ウエットエッチング方式やドライエッチング方式が
知られている。ドライエッチング方式の一つとしてプラ
ズマによるエッチング方法がある。プラズマエッチング
はプラズマエッチング装置によって行われるが、この際
のウエハの搬送方法として、カセットからウエハを自動
的に取り出して処理室でプラズマエッチングを行い、そ
の後再びカセットにウエハを自動的に納めるいわゆるカ
セット・トゥ・カセットによるロードロック方式が知ら
れている。このカセット・トゥ・カセットによるロード
ロック方式にあっては、ウエハは、ロード室のカセット
から真空槽内を搬送され処理室に入る。処理後ウエハは
再び真空槽内を搬送されてアンロード室に入りる。アン
ロード室ではウエハはパージされ、処理後は大気側に取
り出される。カセット・トゥ・カセット方式のドライエ
ッチング装置については、たとえば、株式会社プレスジ
ャーナル発行「月刊Semiconductor Wo
rld(セミコンダクター ワールド)」1982年6
月号、昭和57年5月15日発行、P87〜P92に記
載されている。2. Description of the Related Art In the process of manufacturing a semiconductor device, there is a process step of selectively etching a film provided on the surface of a semiconductor substrate called a wafer. Wet etching methods and dry etching methods are known as etching techniques. There is a plasma etching method as one of the dry etching methods. Plasma etching is performed by a plasma etching apparatus, and as a method of transferring wafers at this time, a so-called cassette-type that automatically removes a wafer from the cassette, performs plasma etching in the processing chamber, and then automatically stores the wafer in the cassette again. A load lock system using a toe cassette is known. In the cassette-to-cassette load lock system, the wafer is transferred from the cassette in the load chamber into the vacuum chamber and enters the processing chamber. After the processing, the wafer is transported again in the vacuum chamber and enters the unload chamber. The wafer is purged in the unload chamber and taken out to the atmosphere side after processing. For the cassette-to-cassette type dry etching apparatus, for example, “Monthly Semiconductor Wo published by Press Journal Co., Ltd.
rld (Semiconductor World) ”June 1982
Monthly issue, published on May 15, 1982, P87-P92.
【0003】前記文献には、アルミニウムのアフターコ
ロージョンについて、以下のことが記載されている。
「Al膜をエッチングした後そのまま大気に放置してお
くと,Al膜が腐蝕されることはアフターコロジョンと
して知られている。AlにCuが入るとアフターコロジ
ョンはさらに激しくなる。このアフターコロジョンはウ
エハ表面に残っているClと大気中の水分が反応してで
きるHClにより主に起こされると考えられている。ア
フターコロジョンを防ぐ方法として,エッチング後直
ちに脱イオン水で洗浄する,エッチング後フレオンガ
スによりポストエッチングする。エッチング後連続し
てレジストを除去する。エッチング後NH3 中で放電
して中和処理し,その後水洗する、などがある。エッチ
ング後大気に出さず真空中で加熱処理をすると、アフタ
ーコロジョン抑制に効果がある。いずれにしてもAl合
金(特に2〜4%Cu)のエッチングプロセスはまだ十
分に確立されているとは言えない。残渣、アフターコロ
ジョンの面での問題解決の継続的なエッチングプロセス
開発が必要である。The above-mentioned document describes the following regarding after-corrosion of aluminum.
"It is known as after-corrosion that the Al film is corroded if it is left in the air as it is after being etched. When Cu enters Al, the after-corrosion becomes more severe. It is considered that John is mainly caused by HCl formed by the reaction of Cl remaining on the wafer surface with moisture in the atmosphere.As a method of preventing after-corrosion, cleaning with deionized water immediately after etching, etching After that, post-etching is performed with Freon gas. After etching, the resist is continuously removed. After etching, discharge is performed in NH 3 to neutralize, and then washed with water. After etching, heat treatment is performed in a vacuum without being exposed to the atmosphere. Is effective in suppressing after-corrosion.In any case, if the Al alloy (especially 2 to 4% Cu) is used, Tsu quenching process can not be said yet well established. The residue is required continuous etch process development problem solving in terms of after-roller John.
【0004】一方、工業調査会発行「電子材料」198
4年3月号、昭和59年3月1日発行、P63〜P65
には、アルミニウムのアフターコロージョンを防止する
ために、エッチング後、ウエハはあらかじめ設けられた
第3チャンバに入れられ、このチャンバでCF4 および
O2 のプラズマによってコロージョンの防止処理が行わ
れる旨の技術が開示されている。On the other hand, "Electronic Materials" 198 published by the Industrial Research Society
March 4 issue, issued March 1, 1984, P63-P65
In order to prevent after-corrosion of aluminum, after etching, the wafer is placed in a third chamber provided in advance, and a corrosion prevention treatment is performed in this chamber by plasma of CF 4 and O 2. Is disclosed.
【0005】他方、ウエハは一般にウエハキャリヤある
いはウエハカセットと呼称される収容治具に収容されて
取り扱われる。また、前記ウエハカセットは、カセット
ケース,ウエハキャリヤボックス等と呼称されるケース
に収容されて取り扱われる。ウエハキャリヤについて
は、たとえば、工業調査会発行「電子材料」1988年
8月号、昭和63年8月1日発行、P90に記載されて
いる。また、ウエハキャリヤボックスについては、工業
調査会発行「電子材料」1988年11月号、昭和63
年11月1日発行、資料頁181に記載されている。On the other hand, the wafer is generally handled by being accommodated in an accommodation jig called a wafer carrier or a wafer cassette. Further, the wafer cassette is accommodated and handled in a case called a cassette case, a wafer carrier box or the like. The wafer carrier is described, for example, in “Electronic Materials”, August 1988 issue, published by Industrial Research Society, August 90, 1988, P90. Regarding the wafer carrier box, "Electronic Materials" published by the Industrial Research Group, November 1988 issue, Showa 63
Issued November 1, 2012, see page 181.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】プラズマエッチング処
理後、ウエハを大気に開放した際、大気中の水分がウエ
ハ表面に付着し、処理条件によってはウエハ表面上の被
膜と反応してアフターコロージョンを起こしてしまい不
良の原因となる。特に、エッチング処理に腐蝕性ガスを
使用する場合、処理後のウエハ表面に腐蝕性物質が残留
した場合、大気中の水分の付着は確実にウエハを不良に
する。また、処理前のウエハにおいても、大気中の水分
の付着は処理室の汚染に繋がり、プロセス性能低下の原
因となる。従来のウエハカセットを収容するウエハキャ
リヤボックス等のケースにあっては、ウエハに大気中の
水分が付着するのを防止する機構は具備されていない。After the plasma etching process, when the wafer is exposed to the atmosphere, moisture in the atmosphere adheres to the surface of the wafer and reacts with the film on the surface of the wafer to cause aftercorrosion depending on the processing conditions. It becomes a cause of failure. In particular, when a corrosive gas is used in the etching process, and when a corrosive substance remains on the surface of the wafer after the process, the adhesion of moisture in the atmosphere surely causes the wafer to be defective. In addition, even in a wafer before processing, the attachment of water in the atmosphere leads to contamination of the processing chamber, which causes deterioration of process performance. In a conventional case such as a wafer carrier box for accommodating a wafer cassette, a mechanism for preventing moisture in the atmosphere from adhering to the wafer is not provided.
【0007】本発明の目的は、ケース内に収容されてい
るウエハに、大気中の水分が付着するのを防止し、また
ウエハに付着している水分を除去できるケースを提供す
ることにある。It is an object of the present invention to provide a case capable of preventing moisture in the atmosphere from adhering to the wafer contained in the case and removing the moisture adhering to the wafer.
【0008】本発明の他の目的は、エッチング処理後の
ウエハのアフターコロージョンを抑止できるケースを提
供することにある。本発明の前記ならびにそのほかの目
的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から
あきらかになるであろう。Another object of the present invention is to provide a case in which after-corrosion of a wafer after etching processing can be suppressed. The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明のウエハを収容するケース
(カセットケース)は、ウエハを大気中の水分から保護
するために、シールを使用した密閉容器構造となってい
るとともに、ケース内に入った大気中の水分を取り除く
ために排気系(ガス条件設定装置)に接続される気密維
持型カプラが設けられている。前記ガス条件設定装置に
よって、前記ケース内は加圧または減圧に設定された
り、もしくは不活性ガス等が充填される。The outline of a typical one of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. The case (cassette case) for accommodating the wafer of the present invention has a closed container structure using a seal in order to protect the wafer from moisture in the atmosphere, and removes moisture in the atmosphere contained in the case. Therefore, an airtightness maintaining coupler connected to the exhaust system (gas condition setting device) is provided. The case is pressurized or depressurized by the gas condition setting device, or is filled with an inert gas or the like.
【0010】他の実施例では、前記実施例の場合と同様
にケースは密閉容器構造となるとともに、ケース内にヒ
ータが配設され、電源の投入によって何時でもケース内
を加熱でき、ケース内に混入した大気中の水分をケース
蓋体のわずかの開放によってケース外に排気できる。In another embodiment, as in the case of the previous embodiment, the case has a closed container structure, and a heater is provided in the case so that the inside of the case can be heated at any time by turning on the power source. Moisture in the mixed air can be discharged to the outside of the case by opening the case lid slightly.
【0011】他の実施例では、ケースは前記実施例の場
合と同様に密閉容器構造となるとともに、気密維持型カ
プラを有しているが、これに加えてケース自体が直接ウ
エハを収容することが可能なウエハカセット構造となっ
ている。In another embodiment, the case has a hermetically sealed container structure as in the case of the previous embodiment and has a hermetically-sealing type coupler. In addition to this, the case itself directly accommodates the wafer. The wafer cassette structure is capable of
【0012】[0012]
【作用】密閉容器構造であるとともに、気密維持型カプ
ラを有する本発明のケースは、少なくともウエハカセッ
トを収容した時点で、前記気密維持型カプラをガス条件
設定装置に接続して、ケース内を加・減圧することによ
って大気中の水分を排気し、あるいは不活性ガス等の充
満によって大気中の水分をケース外に出すことができ
る。この結果、ウエハの表面に大気中の水分が付着残留
することがなく、水分に起因するウエハの損傷が抑止で
きる。特に、プラズマエッチング後のウエハ表面に設け
られたアルミニウム被膜等のアフターコロージョンの防
止に効果がある。In the case of the present invention having the closed container structure and the airtightness maintaining type coupler, the airtightness maintaining type coupler is connected to the gas condition setting device at least at the time when the wafer cassette is accommodated, and the inside of the case is added. -By depressurizing, moisture in the atmosphere can be exhausted, or moisture in the atmosphere can be discharged out of the case by filling with an inert gas or the like. As a result, moisture in the atmosphere does not adhere and remain on the surface of the wafer, and damage to the wafer due to moisture can be suppressed. In particular, it is effective in preventing after-corrosion of an aluminum film or the like provided on the wafer surface after plasma etching.
【0013】密閉容器構造でかつヒータを内蔵したケー
スの例でも、ヒータによってケース内を温めておくこと
ができるため、ウエハを収容したカセットをケース内に
収容した後、数分程度のウエハの加熱によってウエハに
付着している大気中の水分をケース外に排気できるた
め、前記実施例と同様に水分に起因するウエハの損傷は
防止できる。Even in the case of a case having a closed container structure and a built-in heater, the inside of the case can be warmed by the heater. Therefore, after the cassette containing the wafer is housed in the case, the wafer is heated for about several minutes. As a result, water in the atmosphere adhering to the wafer can be discharged to the outside of the case, so that damage to the wafer due to water can be prevented as in the above-described embodiment.
【0014】気密維持型カプラを有するとともに密閉容
器構造となりかつそれ自体がウエハカセット構造となる
ケースの場合、このケースを直接各種処理装置、たとえ
ばプラズマエッチング装置のローディング・テーブルや
アンローディング・テーブルに載置することができるた
め、ウエハを大気に触れさせることなくケースに収容で
き、大気中の水分によるウエハの損傷を防止できる。In the case of a case having a hermetically-sealing type coupler and having a hermetically sealed container structure and a wafer cassette structure itself, this case is directly mounted on a loading table or an unloading table of various processing apparatuses such as a plasma etching apparatus. Since the wafer can be placed, the wafer can be housed in the case without being exposed to the atmosphere, and the wafer can be prevented from being damaged by moisture in the atmosphere.
【0015】[0015]
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図1は本発明の一実施例によるウエハカセ
ットを収容するケースの要部を示す断面図、図2は同じ
くケースに取り付けられた気密維持型カプラをガス条件
設定装置に接続した状態を示す模式図、図3はガス条件
設定装置の他の配管例を示す模式図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view showing a main part of a case accommodating a wafer cassette according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic view showing a state in which an airtightness maintaining type coupler also attached to the case is connected to a gas condition setting device. FIG. 3 is a schematic view showing another example of piping of the gas condition setting device.
【0016】この実施例のケース1は、上方が開口した
ケース本体2と、このケース本体2の上面を塞ぐ蓋体3
とからなり、全体は直方体構造となっている。前記ケー
ス本体2と蓋体3との合わせ面には、気密維持用のシー
ル(O−リング)4が設けられている。このシール4
は、前記ケース本体2の合わせ面に設けられた溝に嵌め
込まれていて、蓋体3の合わせ面がこのシール4を押し
潰すことによって、ケース1内の収容空間5の気密性が
維持されるようになっている。前記蓋体3はケース本体
2に単に重ねる構造であってもよく、あるいはロック機
構がついている構造でもよい。ケース構造は特に限定さ
れない。また、ケース1は、プラスチック製でもよい
が、耐圧性,耐熱性を考慮した場合、金属製やセラミッ
ク製が望ましい。The case 1 of this embodiment includes a case body 2 having an upper opening and a lid 3 for closing the upper surface of the case body 2.
It has a rectangular parallelepiped structure. A seal (O-ring) 4 for maintaining airtightness is provided on the mating surface between the case body 2 and the lid 3. This seal 4
Is fitted in a groove provided on the mating surface of the case body 2, and the mating surface of the lid 3 crushes the seal 4 to maintain the airtightness of the accommodation space 5 in the case 1. It is like this. The lid body 3 may have a structure in which it is simply stacked on the case body 2, or may have a structure with a lock mechanism. The case structure is not particularly limited. The case 1 may be made of plastic, but metal or ceramic is preferable in consideration of pressure resistance and heat resistance.
【0017】前記ケース1内にはウエハ6を収容したカ
セット7が収容される。このカセット7は一般に、25
枚のウエハ6を平行に立てて収容するようになってい
る。また、これが本発明の特徴の一つであるが、前記ケ
ース本体2の一側下部には気密維持型カプラ(いわゆる
ワンタッチカプラ)10が取り付けられている。正確に
は気密維持型カプラ10の雄型(気密維持型カプラ雄
型)11がケース本体2の外壁に取り付けられる。この
気密維持型カプラ雄型11は嵌合雄型部12とバルブ1
3を有している。前記嵌合雄型部12の先端には、前記
バルブ13の開閉如何に係わらず気密維持型カプラ雄型
11を自動的に塞ぐ菱形のコマ14が設けられている。
このコマ14は、気密維持型カプラ10の雌型(気密維
持型カプラ雌型)16の嵌合雌型部17を、前記嵌合雄
型部12に嵌合した際引っ込み、気密維持型カプラ雌型
16に接続された管18と気密維持型カプラ雄型11の
管19とを連通させることになる。A cassette 7 containing a wafer 6 is housed in the case 1. This cassette 7 is generally 25
A plurality of wafers 6 are set up in parallel and accommodated. Further, this is one of the features of the present invention, and an airtightness maintaining type coupler (so-called one-touch coupler) 10 is attached to the lower part of one side of the case body 2. To be precise, the male type (airtightness maintaining type male type) 11 of the airtightness maintaining type coupler 10 is attached to the outer wall of the case body 2. This airtightness maintaining type male coupler 11 has a male fitting 12 and a valve 1.
Have three. A diamond-shaped top 14 is provided at the tip of the fitting male die portion 12 to automatically close the male hermetically sealed coupler die 11 regardless of whether the valve 13 is opened or closed.
This top 14 is retracted when the fitting female mold portion 17 of the female mold (airtight maintenance coupler female mold) 16 of the airtightness maintaining coupler 10 is fitted into the fitting male mold part 12 and is kept in the airtightness maintaining coupler female. The tube 18 connected to the mold 16 and the tube 19 of the hermetically sealed coupler male mold 11 are communicated with each other.
【0018】このケース1は、前記のように気密維持型
カプラ雄型11が取り付けられていることから、図2に
示されるように、ガス条件設定装置20に接続された気
密維持型カプラ雌型16に前記気密維持型カプラ雄型1
1を接続した場合、ケース1の収容空間5のガス条件、
すなわち圧力,ガスの種類を設定できる。ガス条件設定
装置25は、前記管18に接続された排気ポンプ26
と、前記管18から分岐する枝管27に接続されたバル
ブ28と、前記バルブ28に接続されるパージガスが充
填されているパージガスボンベ29とからなっている。
したがって、前記気密維持型カプラ雄型11と気密維持
型カプラ雌型16を接続した後、バルブ13を開状態に
し、前記排気ポンプ26を駆動させることによってケー
ス1の収容空間5を減圧状態にすることができる。この
結果、収容空間5内に混入されている大気中の水分はケ
ース1外に排出される。したがって、前記収容空間5内
は水分が無くなり、ウエハ6の表面の被膜の水分に起因
する腐食(コロージョン)が防止できる。また、前記収
容空間5内を加圧状態にする場合は、前記バルブ28を
開きパージガスボンベ29内のパージガスを収容空間5
内に圧送する。パージガスとして清浄な空気を用いれ
ば、前記収容空間5内は水分の無い空気で充満され、ウ
エハ6の表面の被膜の水分に起因するコロージョンが防
止できることになる。Since the case 1 is fitted with the airtightness maintaining type coupler male mold 11 as described above, as shown in FIG. 2, the airtightness maintaining type coupler female mold connected to the gas condition setting device 20. 16 to the airtightness maintaining type male coupler 1
When 1 is connected, gas conditions of the accommodation space 5 of the case 1,
That is, the pressure and gas type can be set. The gas condition setting device 25 includes an exhaust pump 26 connected to the pipe 18.
And a valve 28 connected to a branch pipe 27 branched from the pipe 18, and a purge gas cylinder 29 connected to the valve 28 and filled with purge gas.
Therefore, after the airtightness maintaining coupler male mold 11 and the airtightness maintaining coupler female mold 16 are connected, the valve 13 is opened and the exhaust pump 26 is driven to bring the housing space 5 of the case 1 into a decompressed state. be able to. As a result, moisture in the atmosphere mixed in the accommodation space 5 is discharged to the outside of the case 1. Therefore, the inside of the accommodation space 5 is free of water, and the corrosion of the film on the surface of the wafer 6 due to the water can be prevented. Further, when the inside of the accommodation space 5 is pressurized, the valve 28 is opened and the purge gas in the purge gas cylinder 29 is accommodated in the accommodation space 5.
Pump it in. If clean air is used as the purge gas, the storage space 5 is filled with air without moisture, and corrosion due to moisture in the film on the surface of the wafer 6 can be prevented.
【0019】一方、図3は前記ガス条件設定装置25に
さらに多くのガス供給系を設けた例を示す。すなわち、
前記管18には枝管32が接続される。この枝管32は
分岐して第1分岐管33と第2分岐管34となる。前記
第1分岐管33はバルブ35に接続され、バルブ35に
は第1ガスボンベ36が接続されている。また、前記第
2分岐管34はバルブ37に接続され、バルブ37には
第2ガスボンベ38が接続されている。前記第1ガスボ
ンベ36には、たとえば窒素ガスが充填され、第2ガス
ボンベ38には不活性ガスが充填されている。したがっ
て、ケース1の気密維持型カプラ10、すなわち気密維
持型カプラ雄型11に気密維持型カプラ雌型16を接続
した後、バルブ13を開きバルブ28を開いて乾燥した
清浄な空気をケース1の収容空間5に送り込み、あるい
はバルブ35を開いて窒素ガスを収容空間5内に送り込
み、さらにはバルブ37を開いて不活性ガスを収容空間
5内に送り込むことができる。なお、この場合、収容空
間5内に所望のガスを送り込む前に排気ポンプ26を駆
動させて、前記収容空間5内の大気中の水分を排気する
ことが、前記収容空間5内に水分を残留させない点で望
ましい。On the other hand, FIG. 3 shows an example in which the gas condition setting device 25 is provided with more gas supply systems. That is,
A branch pipe 32 is connected to the pipe 18. The branch pipe 32 branches into a first branch pipe 33 and a second branch pipe 34. The first branch pipe 33 is connected to a valve 35, and a first gas cylinder 36 is connected to the valve 35. The second branch pipe 34 is connected to a valve 37, and the valve 37 is connected to a second gas cylinder 38. The first gas cylinder 36 is filled with, for example, nitrogen gas, and the second gas cylinder 38 is filled with an inert gas. Therefore, after connecting the airtightness maintaining coupler 10 of the case 1, that is, the airtightness maintaining male coupler 11 to the airtightness maintaining coupler female mold 16, the valve 13 is opened and the valve 28 is opened to dry and clean air of the case 1. The nitrogen gas can be fed into the accommodation space 5, or the valve 35 can be opened to feed the nitrogen gas into the accommodation space 5, and the valve 37 can be opened to feed the inert gas into the accommodation space 5. In this case, before the desired gas is sent into the accommodation space 5, the exhaust pump 26 is driven to exhaust the moisture in the atmosphere in the accommodation space 5, so that the moisture remains in the accommodation space 5. It is desirable in that it is not allowed.
【0020】[0020]
【発明の効果】(1)本発明のケースは、ウエハを収容
したカセットをケース内に収容する前あるいは収容した
後、ケースに接続された気密維持型カプラを利用してケ
ース内の収容空間の水分を除去できるため、ウエハの水
分に起因する不良発生を防止できるという効果が得られ
る。(1) The case of the present invention uses the airtightness maintaining type coupler connected to the case before or after accommodating the cassette accommodating the wafer in the case, and Since the water content can be removed, it is possible to prevent the occurrence of defects due to the water content of the wafer.
【0021】(2)本発明のケースは、ウエハを収容し
たカセットをケース内に収容する前あるいは収容した
後、ケースに接続された気密維持型カプラを利用してケ
ース内の収容空間の水分を除去できるとともに、乾燥し
た清浄な空気,窒素ガスや不活性ガスの充填によって積
極的にウエハの腐食発生を防止できるという効果が得ら
れる。(2) In the case of the present invention, before or after accommodating the cassette accommodating the wafer in the case, the moisture in the accommodating space in the case is removed by using the airtightness maintaining type coupler connected to the case. In addition to being removed, it is possible to positively prevent the occurrence of wafer corrosion by filling dry and clean air, nitrogen gas or an inert gas.
【0022】(3)上記(2)により、本発明のケース
は、収容空間内の水分を抜き、その後収容空間内を減圧
あるいは加圧状態にすることができるため、水分に起因
するウエハの腐食が防止できる。特に、収容空間を加圧
(陽圧)状態にしておいた場合、ケース内に外気が入り
込まなくなり、長期のウエハの保存に適するという効果
が得られる。(3) According to the above (2), the case of the present invention can remove water in the housing space and then depressurize or pressurize the housing space, so that the wafer is corroded by the water. Can be prevented. In particular, when the accommodation space is pressurized (positive pressure), the outside air is prevented from entering the case, which is suitable for long-term wafer storage.
【0023】(4)上記(1)および(2)により、本
発明のケースは、特に腐食性ガスや腐食性薬品を使用し
て処理加工が行われたウエハの収容に適している。すな
わち、ケースの収容空間内に大気中の水分が混入する
と、その水分はウエハの表面に付着し、腐食性残留物質
と化学反応を起こし、ウエハ表面に設けられた被膜を腐
食させてしまうことになるが、ケース内の収容空間から
水分を除去すること、さらには収容空間を窒素ガスや不
活性ガスで埋めることによって、積極的に被膜の腐食防
止が達成できるという効果が得られる。(4) Due to the above (1) and (2), the case of the present invention is particularly suitable for accommodating a wafer processed by using a corrosive gas or a corrosive chemical. That is, when moisture in the atmosphere is mixed into the accommodation space of the case, the moisture adheres to the surface of the wafer and causes a chemical reaction with a corrosive residual substance, which corrodes the coating film provided on the wafer surface. However, by removing water from the housing space in the case and further filling the housing space with nitrogen gas or an inert gas, the effect of positively preventing the corrosion of the coating film can be obtained.
【0024】(5)上記(1)〜(4)により、本発明
のケースを使用することによれば、プラズマエッチング
後のウエハの保存に適し、アルミニウム等の被膜のアフ
ターコロージョンの抑止に適するという相乗効果が得ら
れる。(5) According to the above (1) to (4), by using the case of the present invention, it is suitable for storing the wafer after plasma etching and for suppressing the after-corrosion of the coating film such as aluminum. A synergistic effect is obtained.
【0025】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない、たとえば、
図4は本発明の他の実施例によるケースの要部を示す断
面図である。この実施例では、前記実施例と同様にケー
ス1は、ケース本体2と収容空間5の合わせ面にシール
4を有する密閉容器構造となっている。また、このケー
ス1はカートリッジヒータ40を内蔵している。たとえ
ば、前記カートリッジヒータ40は、ケース本体2の両
側内壁面に配設されている。このカートリッジヒータ4
0に電気的に接続されるコンセント41は、ケース本体
2の一端外面側に設けられている。したがって、このコ
ンセント41に電気プラグを接続すれば、前記カートリ
ッジヒータ40が加熱して、ケース1の収容空間5内を
加熱することになる。そこで、前記ケース1にウエハ6
を収容したカセット7を入れ、その後、前記カートリッ
ジヒータ40に電源を印加すれば、収容空間5内は温度
が上がり、収容空間5内に入り込んだ大気中の水分は加
熱され、蒸気となってケース1外が排出される。そこ
で、一定の時間後、蓋体3を閉めカートリッジヒータ4
0の電源を切る。なお、ケース1内にカセット7を収容
する前に、あらかじめケース1の収容空間5内部を与熱
しておけば、作業時間が短縮されるとともに、大気中の
水分の排気もより効果的となる。さらに、この実施例に
おいても気密維持型カプラを設けておけば、当然にして
水分の強制的排気、収容空間内への所望のガスの供給、
収容空間を加・減圧状態にすることも可能となる。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say, for example,
FIG. 4 is a sectional view showing a main part of a case according to another embodiment of the present invention. In this embodiment, the case 1 has a hermetically sealed container structure having a seal 4 on the mating surface of the case body 2 and the accommodation space 5 as in the case of the above embodiment. Further, the case 1 has a cartridge heater 40 built therein. For example, the cartridge heater 40 is arranged on both inner wall surfaces of the case body 2. This cartridge heater 4
An outlet 41 electrically connected to 0 is provided on one outer surface side of the case body 2. Therefore, if an electric plug is connected to the outlet 41, the cartridge heater 40 heats up and heats the accommodation space 5 of the case 1. Therefore, the wafer 6 is mounted on the case 1.
When the cassette 7 containing therein is put into the cartridge heater 40, and then the power is applied to the cartridge heater 40, the temperature in the housing space 5 rises, and the moisture in the atmosphere that has entered the housing space 5 is heated to form steam. 1 is discharged. Therefore, after a certain time, the lid 3 is closed and the cartridge heater 4 is
Turn off 0. If the inside of the accommodation space 5 of the case 1 is preheated before the cassette 7 is accommodated in the case 1, the working time is shortened and the moisture in the atmosphere is more effectively exhausted. Further, if the airtightness maintaining type coupler is provided also in this embodiment, it is natural that the moisture is forcibly exhausted and the desired gas is supplied into the accommodation space.
It is also possible to pressurize and depressurize the accommodation space.
【0026】図5は本発明の他の実施例によるケースの
要部を示す斜視図である。この実施例では、ケース1内
にカセット7が一体に形成された構造となっている。し
たがって、このケース1は、プラズマエッチング装置等
の処理装置のローディング・アンローディング用テーブ
ル(テーブル45)に直接取り付けることができ、図示
しない搬送機構によって、ウエハ6を前記ケース1内か
ら搬出し、あるいはケース1内に搬入できるようになっ
ている。また、前記蓋体3は図示しない蝶番によって開
閉できるとともに、その合わせ面、すなわち、ケース本
体2側にシール(O−リング)4が設けられている。ま
た、前記ケース本体2と蓋体3は、特に図示はしない
が、ロック機構が設けられていて、外部からの操作で簡
単にロックおよびロックの解除ができるようになってい
る。このロック機構は一般に使用されているワンタッチ
構造のもの、すなわち単純な構造が望ましい。この実施
例のケース1は、処理装置のテーブル45に直接載置さ
れ、そのテーブル45上で蓋体3を開閉できるため、処
理装置においては大気中の水分がウエハ6に触れること
がなく、処理後のウエハ6の被膜のアフターコロージョ
ンを防止できる。また、処理前にケース1にカセット7
を収容した際、前記気密維持型カプラ10を使用して収
容空間5内の水分の除去をしておけば、処理効率も一層
高くなるという効果が得られる。なお、この実施例にお
いて、ケース自体をロードロック室としても使えるよう
にすれば、より完全に大気中の水分からウエハを保護で
きる。FIG. 5 is a perspective view showing a main part of a case according to another embodiment of the present invention. In this embodiment, the cassette 7 is integrally formed in the case 1. Therefore, the case 1 can be directly attached to a loading / unloading table (table 45) of a processing apparatus such as a plasma etching apparatus, and the wafer 6 is unloaded from the inside of the case 1 by a transfer mechanism (not shown). It can be carried into the case 1. The lid 3 can be opened and closed by a hinge (not shown), and a seal (O-ring) 4 is provided on its mating surface, that is, on the case body 2 side. Although not shown, the case body 2 and the lid 3 are provided with a lock mechanism so that they can be easily locked and unlocked by an external operation. It is desirable that the lock mechanism has a commonly used one-touch structure, that is, a simple structure. The case 1 of this embodiment is placed directly on the table 45 of the processing apparatus, and the lid 3 can be opened / closed on the table 45. Therefore, in the processing apparatus, the moisture in the atmosphere does not come into contact with the wafer 6 and the processing is performed. It is possible to prevent the after-corrosion of the coating film of the wafer 6 later. In addition, the cassette 7 is placed in case 1 before processing.
If the airtightness-maintaining coupler 10 is used to remove the water in the accommodation space 5 when the above is accommodated, the processing efficiency can be further enhanced. In this embodiment, if the case itself can also be used as a load lock chamber, the wafer can be more completely protected from moisture in the atmosphere.
【0027】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるウエハ
カセットを収容するケース(カセットケース)の技術に
適用した場合について説明したが、それに限定されるも
のではない。本発明は少なくとも大気中の水分を嫌う製
品や部品用のケースにも同様に適用できる。In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the technique of a case (cassette case) for accommodating a wafer cassette, which is the field of application of the background, has been described, but the invention is not limited thereto. Not a thing. The present invention can be similarly applied to at least cases for products and parts that do not like atmospheric moisture.
【図1】本発明の一実施例によるウエハカセットを収容
するケースの要部を示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a main part of a case accommodating a wafer cassette according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明のケースにおいて、ケース内の収容空間
のガス条件設定装置を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic view showing a gas condition setting device for a housing space in the case of the present invention.
【図3】ガス条件設定装置の他の配管例を示す模式図で
ある。FIG. 3 is a schematic view showing another example of piping of the gas condition setting device.
【図4】本発明の他の実施例によるケースの要部を示す
断面図である。FIG. 4 is a sectional view showing a main part of a case according to another embodiment of the present invention.
【図5】本発明の他の実施例によるケースの要部を示す
斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a main part of a case according to another embodiment of the present invention.
1…ケース、2…ケース本体、3…蓋体、4…シール、
5…収容空間、6…ウエハ、7…カセット、10…気密
維持型カプラ、11…気密維持型カプラ雄、12…嵌合
雄型部、13…バルブ、14…コマ、16…気密維持型
カプラ雌型、17…嵌合雌型部、18…管、19…管、
25…ガス条件設定装置、26…排気ポンプ、27…枝
管、28…バルブ、29…パージガスボンベ、32…枝
管、33…第1分岐管、34…第2分岐管、35…バル
ブ、36…第1ガスボンベ、37…バルブ、38…第2
ガスボンベ、40…カートリッジヒータ、41…コンセ
ント、45…テーブル。1 ... Case, 2 ... Case body, 3 ... Lid, 4 ... Seal,
5 ... Accommodation space, 6 ... Wafer, 7 ... Cassette, 10 ... Airtight maintenance type coupler, 11 ... Airtight maintenance type coupler male, 12 ... Fitting male mold part, 13 ... Valve, 14 ... Coma, 16 ... Airtight maintenance type coupler Female mold, 17 ... Fitting female mold part, 18 ... Pipe, 19 ... Pipe,
25 ... Gas condition setting device, 26 ... Exhaust pump, 27 ... Branch pipe, 28 ... Valve, 29 ... Purge gas cylinder, 32 ... Branch pipe, 33 ... First branch pipe, 34 ... Second branch pipe, 35 ... Valve, 36 … First gas cylinder, 37… Valve, 38… Second
Gas cylinder, 40 ... Cartridge heater, 41 ... Outlet, 45 ... Table.
Claims (6)
収容するケースであって、前記ケース本体と蓋体との合
わせ面には気密維持用のシールが設けられているととも
に、前記ケース本体または蓋体の少なくとも一方の外壁
には前記収容空間に連通する気密維持型カプラが取り付
けられていることを特徴とするケース。1. A case for accommodating an object to be housed, comprising a case body and a lid, wherein a seal for maintaining airtightness is provided on a mating surface between the case body and the lid, and the case is provided. An airtightness-maintaining coupler communicating with the housing space is attached to at least one outer wall of the main body or the lid.
介して一時的に接続したガス条件設定装置によって収容
空間の充満気体種類や圧力の設定がなされることを特徴
とする特許請求の範囲第1項記載のケース。2. The gas condition setting device, which is temporarily connected to the case via the airtightness-maintaining coupler, sets the kind and pressure of the gas filling the storage space. The case described in item 1.
定されて使用されることを特徴とする特許請求の範囲第
1項記載のケース。3. The case according to claim 1, wherein the housing space is set in a pressurized or depressurized state for use.
されて使用されることを特徴とする特許請求の範囲第1
項記載のケース。4. The storage space according to claim 1, wherein the storage space is set in an inert gas atmosphere for use.
Case described in section.
収容するケースであって、前記ケース本体と蓋体との合
わせ面には気密維持用のシールが設けられているととも
に、内部に加熱装置が設けられていることを特徴とする
ケース。5. A case for accommodating an object to be housed, which comprises a case body and a lid body, wherein a mating surface between the case body and the lid body is provided with a seal for maintaining airtightness, and A case characterized by being provided with a heating device.
て複数のウエハ収容溝が設けられてカセット構造となっ
ていることを特徴とする特許請求の範囲第1項乃至第5
項いずれか記載のケース。6. The case according to claim 1, wherein the case has a cassette structure in which a plurality of wafer accommodating grooves are provided so as to face the inner walls of both side walls of the case.
The case described in any of the items.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23443791A JPH0574921A (en) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | Case |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP23443791A JPH0574921A (en) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | Case |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0574921A true JPH0574921A (en) | 1993-03-26 |
Family
ID=16970997
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP23443791A Pending JPH0574921A (en) | 1991-09-13 | 1991-09-13 | Case |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0574921A (en) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001230297A (en) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Sharp Corp | Transportation method and transportation system for liquid-crystal display device |
JP2003007813A (en) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Nec Corp | Storing box for semiconductor wafer, carrying device, carrying method and storage house |
US7314068B2 (en) | 2004-05-12 | 2008-01-01 | Miraial Co., Ltd. | Apparatus for replacing gas in storage container and method for replacing gas therewith |
WO2008102443A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Fujitsu Microelectronics Limited | Semiconductor device and process for producing the same |
KR20120084404A (en) * | 2011-01-20 | 2012-07-30 | 한라공조주식회사 | Air conditioning system for automotive vehicles |
CN106092711A (en) * | 2016-06-02 | 2016-11-09 | 中国工程物理研究院材料研究所 | The save set of a kind of high active substance and store method |
CN112509941A (en) * | 2020-11-09 | 2021-03-16 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | Method and device for improving corrosion defect of aluminum etching process |
-
1991
- 1991-09-13 JP JP23443791A patent/JPH0574921A/en active Pending
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001230297A (en) * | 2000-02-16 | 2001-08-24 | Sharp Corp | Transportation method and transportation system for liquid-crystal display device |
JP2003007813A (en) * | 2001-06-20 | 2003-01-10 | Nec Corp | Storing box for semiconductor wafer, carrying device, carrying method and storage house |
US7314068B2 (en) | 2004-05-12 | 2008-01-01 | Miraial Co., Ltd. | Apparatus for replacing gas in storage container and method for replacing gas therewith |
WO2008102443A1 (en) * | 2007-02-21 | 2008-08-28 | Fujitsu Microelectronics Limited | Semiconductor device and process for producing the same |
US8004030B2 (en) | 2007-02-21 | 2011-08-23 | Fujitsu Semiconductor Limited | Semiconductor device and method for manufacturing the same |
KR20120084404A (en) * | 2011-01-20 | 2012-07-30 | 한라공조주식회사 | Air conditioning system for automotive vehicles |
CN106092711A (en) * | 2016-06-02 | 2016-11-09 | 中国工程物理研究院材料研究所 | The save set of a kind of high active substance and store method |
CN106092711B (en) * | 2016-06-02 | 2019-08-06 | 中国工程物理研究院材料研究所 | A kind of save set and store method of high active substance |
CN112509941A (en) * | 2020-11-09 | 2021-03-16 | 广州粤芯半导体技术有限公司 | Method and device for improving corrosion defect of aluminum etching process |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4621400B2 (en) | Semiconductor substrate processing equipment | |
JP2001015583A (en) | Wafer housing chamber | |
JP2644912B2 (en) | Vacuum processing apparatus and operating method thereof | |
JP3677211B2 (en) | Buffer chamber and integration method for integrating both physical vapor deposition chamber and chemical vapor deposition chamber into a processing system | |
US7226512B2 (en) | Load lock system for supercritical fluid cleaning | |
US6770567B2 (en) | Method of reducing particulates in a plasma etch chamber during a metal etch process | |
US20030121796A1 (en) | Generation and distribution of molecular fluorine within a fabrication facility | |
US20150228518A1 (en) | Fume removal device and substrate treatment device | |
US9177843B2 (en) | Preventing contamination in integrated circuit manufacturing lines | |
KR102584837B1 (en) | Etching method and substrate processing system | |
JPH0574921A (en) | Case | |
JP3047248B2 (en) | Cleaning method | |
US20100089321A1 (en) | Generation and distribution of a fluorine gas | |
US20040002299A1 (en) | Ventilation system and method of using | |
JP2003115519A (en) | Manufacturing method of semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, load lock chamber, substrate storage case and stocker | |
JPH0786169A (en) | Multichamber processing system and cleaning method therefor | |
JPH0344058A (en) | Manufacture and manufacturing equipment of semiconductor device | |
JPH0864666A (en) | Substrate container and processing method for substrate | |
JP2963973B2 (en) | Batch type cold wall processing apparatus and cleaning method thereof | |
JPH05217918A (en) | Film forming apparatus | |
JPH0786172A (en) | Processing gas supplying method | |
TWI816098B (en) | Remote plasma cleaning of chambers for electronics manufacturing systems | |
US7140512B2 (en) | Interlocking lid for wet bench | |
KR200285964Y1 (en) | Semiconductor wafer etcher | |
JP2923218B2 (en) | Sample processing method |