JPH0574832B2 - - Google Patents
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Landscapes
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Description
（産業上の利用分野）
本発明は高輝度高コントラストの表示が可能で
ある液晶表示素子に関する。
（従来技術）
グラフイツクやキヤラクターの表示を行なうデ
イスプレイ装置は特にオフイスオートメーシヨン
や各種コンピユータシステムにおける表示装置と
して大きな需要がある。そして、これらの表示装
置に対しては、特に表示の大容量化が望まれてい
る。これまでのところ、このような要望に答え得
るデイスプレイ装置として、カソードレイチユー
ブ（CRT）が一般に用いられている。しかしな
がらCRTは装置体積が大きく、重い、また画面
のちちつきのために眼精疲労が激しい等の欠点も
多く、これらの欠点のない新規な方式の薄型デイ
スプレイパネルの出現が熱望されている。このよ
うな目的で開発が進められているのがプラズマデ
イスプレイパネル（PDP）、エレクトロルミネセ
ンス（EL）パネル、液晶デイスプレイ（LCD）
パネル等であるが、いずれも性能的に未だ不充分
であり、CRTに置き替わるに至つていない。
これらの新規な方式の薄型デイスプレイパネル
の中で特に注目を集めているのがLCDである。
従来方式のLCD技術については例えば工業調査
会刊「液晶の最新技術」松本正一、角田市良共
著）に詳しい。しかしながら、LCDにおいては
未だ表示の高輝度、高コントラストの両立という
点で不充分であるのが現状である。すなわち、現
在主流となつているLCDにはツイストネマチツ
ク（TN）モードとゲストホスト（GH）モード
とがあるが、TNモードを用いる場合にはコント
ラストは比較的良好であるが輝度の点で不充分で
ある。これはTNモードの場合には２枚の直線偏
光板を挿入する必要があり、このために周囲光あ
るいは照明用光源の光の利用率が通常約35％に低
下することによるものである。一方、GHモード
を用いる場合には輝度の点ではTNモードを用い
る場合よりも勝るが一般にコントラストが著しく
低下する。これはGHモードで用いられる２色性
色素の２色比が充分に大きくないことが主因であ
る。GHモードにも幾つかの方式があり、特開昭
53−55047の明細書中に示された２層型GHモー
ドと呼ばれる方式においては輝度をあまり低下さ
せずにコントラストを向上させることができる。
２層型GHモードとは平行配向したネマチツク液
晶GHセル２枚をその配向方向が互いに直交する
ように重ねあわせた構造のものである。従つて、
２層型GHモードを用いれば高精度・高コントラ
ストの表示が可能となる。しかしながら、GHモ
ードは時分割特性が悪く、表示の大容量化の点で
は極めて劣つている。
一方で、TNモードにもGHモードにも共通し
て表示の大容量化を実現する方法としてアクテイ
ブマトリクス方式と呼ばれる方法が開発されてい
る。これは各表示画素にスイツチング素子を積層
してスイツチング素子によつて液晶を駆動する方
法である。スイツチング素子としては多結晶シリ
コン、アモルフアスシリコン、テルル等の薄膜ト
ランジスタ（TFT）等が用いられている。従つ
て、GHモードLCDの各表示画素にスイツチング
素子を積層した構造のセルを２枚用いれば高輝度
高コントラストで大容量の表示素子が得られるこ
とになる。しかしながら単に２枚のセルを重ねた
構造では、重なるべき２層の画素間に奥行が生じ
て表示面を斜め方向から見た場合に画素のずれが
生じて画質の低下を招く結果となる。それにも増
して問題となるのは製造コストであり、単純には
通常のLCDの２倍となる。特にスイツチング素
子を積層したLCDの場合には通常の１層構造に
おいてもコスト高が問題となつており、スイツチ
ング素子積層LCDの２層構造セルはコスト面で
非実用的なものであつた。
（発明の目的）
本発明の目的は高輝度高コトラストの表示が可
能である低価格の液晶表示素子を提供することに
ある。
（発明の構成）
本発明の液晶表示素子は、３枚の電極基板を有
する２層型ゲスト・ホスト液晶表示素子におい
て、両側に画素電極群を有する中間基板に表裏の
電極間を導電する貫通電極を各画素毎に形成する
ことにより画素電極対の群を構成し、かつ、他の
二枚のいずれかの上に各画素に対応して各１個の
スイツチング素子を取付けたことを特徴とする。
（実施例）
次に図面を参照して本発明を詳細に説明する。
図は、本発明の１実施例の断面を示す図であ
る。１，２，３は各々２層型GH液晶表示素子を
構成するガラス基板であり、各々の片側又は両側
に酸化インジウム・スズ（ITO）透明電極１４，
１５，１６，１２が形成されており、各電極は図
中に示したごとく、第１から第４まである。中間
のガラス基板２の両側には、各画素に相当する形
状に第２電極１５と第３電極１６とが形成されて
おり、それらは貫通電極４を通して１対１で電気
的に接続された画素電極対を形成している。この
貫通電極４は、中間ガラス基板２としてコーニン
グ社の感光性ガラス「フオトフオーム」を用い、
フオト・リソグラフイにより初めにスルーホール
を形成した後スパツタリングによりCrを充填す
ることにより形成した。又、第１電極１４は全面
に形成されている。
ガラス基板３の上には、以下に述べるごとくア
モルフアスシリコンTFTと、各画素に相当する
第４電極１２が形成されている。Moゲート電極
５、チツ化シリコン絶縁膜６、アモルフアスシリ
コン層７、Moドレイン電極８およびMoソース
電極９でTFTを構成している。ドレイン電極８
はITO画素電極である第４電極１２に接続されて
いる。また、TFTはチツ化シリコン保護膜１０
でおおわれている。
液晶層１３，２３は構造式
(Industrial Application Field) The present invention relates to a liquid crystal display element capable of displaying high brightness and high contrast. (Prior Art) Display devices for displaying graphics and characters are in great demand, especially as display devices for office automation and various computer systems. For these display devices, it is especially desired that the display capacity be increased. Until now, a cathode tray tube (CRT) has generally been used as a display device that can meet these demands. However, CRTs have many disadvantages, such as being large and heavy, and causing severe eye strain due to flickering on the screen.Therefore, there is a strong desire for the emergence of a new type of thin display panel that does not have these disadvantages. Plasma display panels (PDP), electroluminescence (EL) panels, and liquid crystal displays (LCD) are being developed for this purpose.
panels, etc., but their performance is still insufficient and they have not yet replaced CRTs. Among these new types of thin display panels, LCDs are attracting particular attention.
For more information on conventional LCD technology, see, for example, ``Latest Technology in Liquid Crystals'' published by Kogyo Research Association (co-authored by Shoichi Matsumoto and Ichiyoshi Tsunoda). However, at present, LCDs are still insufficient in achieving both high display brightness and high contrast. In other words, currently mainstream LCDs have twisted nematic (TN) mode and guest host (GH) mode, but when using TN mode, the contrast is relatively good, but the brightness is poor. That's enough. This is because in the case of TN mode, it is necessary to insert two linear polarizers, which typically reduces the utilization of ambient light or illumination light source light to about 35%. On the other hand, when using the GH mode, the brightness is superior to when using the TN mode, but the contrast generally deteriorates significantly. The main reason for this is that the dichroic ratio of the dichroic dye used in the GH mode is not large enough. There are several methods of GH mode.
53-55047, contrast can be improved without significantly reducing brightness.
The two-layer GH mode has a structure in which two parallel-aligned nematic liquid crystal GH cells are stacked so that their alignment directions are perpendicular to each other. Therefore,
Using the two-layer GH mode enables high-precision, high-contrast display. However, the GH mode has poor time division characteristics and is extremely inferior in terms of increasing display capacity. On the other hand, a method called an active matrix method has been developed as a method for realizing a larger display capacity in both TN mode and GH mode. This is a method in which a switching element is stacked on each display pixel and the liquid crystal is driven by the switching element. Thin film transistors (TFT) made of polycrystalline silicon, amorphous silicon, tellurium, etc. are used as switching elements. Therefore, if two cells each having a stacked switching element structure are used for each display pixel of a GH mode LCD, a display element with high brightness, high contrast, and large capacity can be obtained. However, in a structure in which two cells are simply stacked, a depth is created between the pixels of the two layers that should be overlapped, and when the display screen is viewed from an oblique direction, the pixels are misaligned, resulting in a decrease in image quality. Even more problematic is the manufacturing cost, which is simply twice that of a regular LCD. Particularly in the case of LCDs in which switching elements are laminated, high cost is a problem even in the case of a normal one-layer structure, and a two-layer structure cell of a switching element laminated LCD is impractical in terms of cost. (Objective of the Invention) An object of the present invention is to provide a low-cost liquid crystal display element capable of displaying high brightness and high contrast. (Structure of the Invention) The liquid crystal display element of the present invention is a two-layer guest-host liquid crystal display element having three electrode substrates, in which a through-hole electrode is provided in an intermediate substrate having pixel electrode groups on both sides to conduct electricity between the front and back electrodes. is formed for each pixel to form a group of pixel electrode pairs, and one switching element is attached to each pixel on one of the other two electrodes. . (Example) Next, the present invention will be described in detail with reference to the drawings. The figure is a cross-sectional view of one embodiment of the present invention. 1, 2, and 3 are glass substrates constituting a two-layer GH liquid crystal display element, each having an indium tin oxide (ITO) transparent electrode 14 on one or both sides.
15, 16, and 12 are formed, and each electrode is numbered from first to fourth as shown in the figure. On both sides of the intermediate glass substrate 2, a second electrode 15 and a third electrode 16 are formed in a shape corresponding to each pixel, and these electrodes are electrically connected one-to-one through the through electrode 4 to each pixel. forming an electrode pair. This through electrode 4 uses Corning's photosensitive glass "Photoform" as the intermediate glass substrate 2,
The through holes were first formed by photolithography and then filled with Cr by sputtering. Further, the first electrode 14 is formed on the entire surface. On the glass substrate 3, an amorphous silicon TFT and a fourth electrode 12 corresponding to each pixel are formed as described below. A TFT is composed of a Mo gate electrode 5, a silicon dioxide insulating film 6, an amorphous silicon layer 7, a Mo drain electrode 8, and a Mo source electrode 9. Drain electrode 8
is connected to the fourth electrode 12, which is an ITO pixel electrode. In addition, the TFT has a silicon oxide protective film 10
covered with The liquid crystal layers 13 and 23 have the structural formula
【化】
においてＲがｎ−C5H11である２色性色素「ND
−50」とＲがｎ−C9H19である２色性色素「ND
−55」とを液晶物質ZLI−1840（メルク社）に対
してそれぞれ0.6％および0.9％添加した液晶であ
る。
ガラス基板１，２，３の液晶と接する各面に
は、通常の平行配向処理を施してあるが、図では
繁雑となるので省略した。平行配向処理の方向は
図において液晶１３の両面では紙面内上下方向で
あり、液晶２３の両面では紙面に垂直方向であ
る。また、図の３枚の基板はスペーサー粒子を含
む接着剤で周辺を接着固定されており、液晶１３
および２３の層厚はスペーサー粒子の効果によつ
て、ともに約10μｍに保持されている。又、第１
電極１４、Moソース電極９、及びMoゲート電
極５は、外部の駆動回路に接続されている。
従来の二層型の構造では、第２電極、第３電極
にスイツチング素子を付加して第１電極と第２電
極の間及び第３電極と第４電極の間に、各々独立
に外部から電圧を印加する必要があり、スイツチ
ング素子の形成、端子接続、駆動回路等において
問題が多い。本発明による構造では、外部から電
圧がかかるのは、第１電極と第４電極の間であ
り、各液晶層１３，２３には、容量分割により電
圧がかかる。
以下に、図の実施例の液晶表示素子の動作を説
明する。まず図の第１電極１４は0Vの電位に保
ち、ソース電極９には画像に応じて50Vまたは
0Vの電圧を印加する。次にゲート電極５に周期
的に30Vのパルス電圧を印加すると、電圧パルス
が印加されている間だけアモルフアスシリコン
TFTはオン状態となり、ドレイン電極に50Vの
電圧が印加されている場合はドレイン電極８を通
じて画素電極１２に50Vの電位が発生し、第１電
極１４と第２電極１５との間および第３電極１６
と第４電極１２との間にそれぞれ25Vの電位差が
生じる。この結果、各電極１２，１５、および１
６に対応する部分の液晶は「オン状態」となる。
一方、アモルフアスシリコンTFTがオン状態に
あつてもドレイン電極８の印加電圧が0Vの場合
には第１電極１４と第２電極１５との間および第
３電極１６と第４電極１２との間にはいずれも電
位差は生じず、液晶は「オフ状態」となる。この
ように画像に応じて液晶の「オン状態」と「オフ
状態」を作り出すことができる。今はゲート電極
にパルス電圧が印加されている間について述べた
が、次の周期でパルス電圧が印加されるまでの間
も、画素電極と共通電極との間の電位差はアモル
フアスシリコンTFTおよび液晶で形成される放
電回路の時定数が充分に大きいために保持され、
従つて液晶の「オン状態」（および「オフ状態」）
は保持される。すなわち、ゲート電極アレイを時
分割走査し、ドレイン電極アレイに並列に画素信
号を印加することによつてゲート電極アレイおよ
びドレイン電極アレイによるマトリクス電極構成
で大容量のドツトマトリクス表示が可能となる。
ここで液晶の「オフ状態」においては、液晶２３
に含まれる２色性色素は紙面と垂直方向に配向
し、この方向に偏波面をもつ直線偏光の特定波長
域を吸収する。同様に液晶１３に含まれる２色性
色素は紙面内で上下方向に配向し、この方向に偏
波面をもつ直線偏光の特定波長域を吸収する。こ
の特定波長域は２色性色素の吸収スペクトルによ
つて決まるものであり、本実施例においては吸収
される主波長は610nｍである。すなわち、液晶
の「オフ状態」においては入射光の直交する２つ
の偏光成分について共に610nｍを中心とする波
長域が吸収されるために、液晶が「オフ状態」に
ある画素電極対領域は青色にみえる。一方、液晶
の「オン状態」においては液晶２３および１３に
含まれる２色性色素は共に画素電極面にほぼ垂直
の方向に配向し、ほとんど入射光を吸収しなくな
る。従つて、液晶が「オン状態」にある画素電極
対領域は入射光がほぼそのまま透過する。このよ
うに、本実施例の液晶表示素子においては、偏光
板を用いなくても「オフ状態」の画素は充分に着
色して見え、「オン状態」の画素は入射光がほと
んどそのまま透過するので極めて高輝度で高コン
トラストの表示が得られる。本実施例の液晶表示
素子においては背後から1500ニツトの輝度を有す
る蛍光灯で照明した場合、「オン状態」の画素で
960ニツト、「オフ状態」の画素で27ニツトの輝度
となつた。すなわち、本実施例の液晶表示素子に
おいては960ニツトという高輝度、約35：１とい
う高コントラストの表示が可能であり、また中間
基板２は0.1mmと極めて薄いために表示面を斜方
から見ても画素電極対がずれて見えることもなく
極めて高画質の表示が得られる。更に、スイツチ
ング素子を積層した表示素子においてコストの大
部分を占めるスイツチング素子の製造プロセス
も、１個のスイツチング素子で１対の画素電極を
駆動する構造であるためにスイツチング素子を基
板の両面に付ける等の必要がなく、ほとんど従来
構造のスイツチング素子積層型表示素子と変わり
なく、従つて低コストで製造することができる。
比較のために、従来構造のTN型液晶表示素子お
よび１層構造のGH型液晶表示素子を本実施例と
同様に1500ニツトの蛍光灯で照明したところ、
TN型で輝度460ニツト、コントラスト約30：１
（オン画素460ニツト、オフ画素15ニツト）、GH
型で輝度620ニツト、コントラスト約10：１（オン
画素620ニツト、オフ画素60ニツト）であつた。
本発明では、スイツチング素子として、アモル
フアスシリコンTFTを用いた実施例のみを述べ
たが、ポリシリコンTFT、テルルTFT、カドミ
ニウム・セレンTFTも同様に用いることができ
る。又、第１電極を帯状電極にすることにより、
非線形抵抗のような二端子素子もスイツチング素
子として用いることができる。具体的には、ZnO
バリスタ、メタル−インシユレーターメタル
（MIM）ダイオード、アモルフアスシリコンダイ
オード等があげられる。又、スイツチング素子を
用いない、数字表示、等のスタテイツク駆動の液
晶表示素子においても、本発明が適用できるのは
当然である。
（発明の効果）
以上述べたように、本発明によれば高輝度・高
コントラストで高画質の表示が可能で、大容量の
表示能力をもつた液晶表示素子が低価格で得られ
る。A dichroic dye "ND" in which R is n-C 5 H 11
-50” and dichroic dye “ND” where R is n-C 9 H 19
-55'' to the liquid crystal material ZLI-1840 (Merck & Co., Ltd.) in an amount of 0.6% and 0.9%, respectively. Each surface of the glass substrates 1, 2, and 3 in contact with the liquid crystal is subjected to a normal parallel alignment process, but this is omitted in the figure because it would be too complicated. In the figure, the direction of the parallel alignment treatment is in the vertical direction in the plane of the paper on both sides of the liquid crystal 13, and in the direction perpendicular to the plane of the paper on both sides of the liquid crystal 23. In addition, the three substrates shown in the figure are fixed around the periphery with an adhesive containing spacer particles, and the liquid crystal 13
The layer thicknesses of layers 2 and 23 are both maintained at about 10 μm by the effect of the spacer particles. Also, the first
The electrode 14, Mo source electrode 9, and Mo gate electrode 5 are connected to an external drive circuit. In the conventional two-layer structure, switching elements are added to the second and third electrodes, and voltage is applied independently from the outside between the first and second electrodes and between the third and fourth electrodes. This causes many problems in the formation of switching elements, terminal connections, drive circuits, etc. In the structure according to the present invention, an external voltage is applied between the first electrode and the fourth electrode, and a voltage is applied to each liquid crystal layer 13, 23 by capacitance division. The operation of the liquid crystal display element of the illustrated embodiment will be explained below. First, the first electrode 14 in the figure is kept at a potential of 0V, and the source electrode 9 is kept at a potential of 50V or 50V depending on the image.
Apply a voltage of 0V. Next, when a pulse voltage of 30V is periodically applied to the gate electrode 5, the amorphous silicon is applied only while the voltage pulse is applied.
The TFT is in the on state, and when a voltage of 50V is applied to the drain electrode, a potential of 50V is generated at the pixel electrode 12 through the drain electrode 8, and between the first electrode 14 and the second electrode 15 and the third electrode. 16
A potential difference of 25 V is generated between the fourth electrode 12 and the fourth electrode 12, respectively. As a result, each electrode 12, 15, and 1
The liquid crystal in the portion corresponding to 6 is in the "on state".
On the other hand, even if the amorphous silicon TFT is in the on state, if the voltage applied to the drain electrode 8 is 0V, the gap between the first electrode 14 and the second electrode 15 and between the third electrode 16 and the fourth electrode 12 No potential difference occurs in either case, and the liquid crystal is in the "off state." In this way, it is possible to create an "on state" and an "off state" of the liquid crystal depending on the image. We have just described the period when a pulse voltage is applied to the gate electrode, but the potential difference between the pixel electrode and the common electrode remains between the amorphous silicon TFT and the liquid crystal until the pulse voltage is applied in the next cycle. is maintained because the time constant of the discharge circuit formed by is sufficiently large,
Therefore, the "on state" (and "off state") of the liquid crystal
is retained. That is, by time-divisionally scanning the gate electrode array and applying pixel signals in parallel to the drain electrode array, a large-capacity dot matrix display is possible with a matrix electrode configuration of the gate electrode array and the drain electrode array.
Here, in the "off state" of the liquid crystal, the liquid crystal 23
The dichroic dye contained in the paper is oriented in a direction perpendicular to the plane of the paper and absorbs a specific wavelength range of linearly polarized light having a plane of polarization in this direction. Similarly, the dichroic dye contained in the liquid crystal 13 is oriented in the vertical direction within the plane of the paper, and absorbs a specific wavelength range of linearly polarized light having a polarization plane in this direction. This specific wavelength range is determined by the absorption spectrum of the dichroic dye, and in this example, the dominant wavelength of absorption is 610 nm. In other words, when the liquid crystal is in the "off state", the wavelength range centered around 610 nm is absorbed for the two orthogonal polarization components of the incident light, so the pixel electrode pair region when the liquid crystal is in the "off state" turns blue. I can see it. On the other hand, in the "on state" of the liquid crystal, the dichroic dyes contained in the liquid crystals 23 and 13 are both oriented in a direction substantially perpendicular to the pixel electrode surface, and hardly absorb any incident light. Therefore, incident light passes through the pixel electrode pair region where the liquid crystal is in the "on" state almost unchanged. In this way, in the liquid crystal display element of this example, the pixels in the "off state" appear sufficiently colored even without the use of a polarizing plate, and the pixels in the "on state" transmit almost all of the incident light as is. Extremely high brightness and high contrast display can be obtained. In the liquid crystal display element of this example, when illuminated from behind with a fluorescent lamp with a brightness of 1500 nits, the pixels are in the "on" state.
960 nits, with 27 nits of brightness in the "off" pixel. In other words, the liquid crystal display element of this example is capable of displaying with a high brightness of 960 nits and a high contrast of approximately 35:1, and since the intermediate substrate 2 is extremely thin at 0.1 mm, the display surface cannot be viewed from an angle. Even if the pixel electrode pair is shifted, extremely high-quality display can be obtained without causing the pixel electrode pair to appear misaligned. Furthermore, the manufacturing process for the switching elements, which accounts for most of the cost in display elements in which switching elements are stacked, requires that the switching elements be attached to both sides of the substrate, since one switching element drives a pair of pixel electrodes. etc., and has almost the same structure as a conventional switching element stacked display element, and therefore can be manufactured at low cost.
For comparison, a TN type liquid crystal display element with a conventional structure and a GH type liquid crystal display element with a single layer structure were illuminated with a 1500 nits fluorescent lamp in the same manner as in this example.
TN type, brightness 460 nits, contrast approximately 30:1
(on pixel 460 nits, off pixel 15 nits), GH
The brightness was 620 nits, and the contrast was approximately 10:1 (on pixels 620 nits, off pixels 60 nits). In the present invention, only an embodiment using an amorphous silicon TFT as a switching element has been described, but a polysilicon TFT, a tellurium TFT, and a cadmium selenium TFT can be similarly used. Also, by making the first electrode a strip-shaped electrode,
Two-terminal devices such as non-linear resistors can also be used as switching devices. Specifically, ZnO
Examples include varistors, metal-insulator metal (MIM) diodes, and amorphous silicon diodes. It goes without saying that the present invention can also be applied to statically driven liquid crystal display devices that do not use switching elements, such as those that display numbers. (Effects of the Invention) As described above, according to the present invention, a liquid crystal display element capable of displaying high image quality with high brightness and high contrast and having a large capacity display capacity can be obtained at a low cost.
図は本発明の一実施例の構造を示す断面図であ
る。
１，２，３……ガラス基板、４……貫通電極、
５……Moゲート電極、６……チツ化シリコン絶
縁膜、７……アモルフアスシリコン層、８……
Moドレイン電極、９……Moソース電極、１０
……チツ化シリコン保護膜、１２……第４電極、
１４……第１電極、１５……第２電極、１６……
第３電極、１３，２３……液晶層である。
The figure is a sectional view showing the structure of an embodiment of the present invention. 1, 2, 3...Glass substrate, 4...Through electrode,
5...Mo gate electrode, 6...Silicone insulating film, 7...Amorphous silicon layer, 8...
Mo drain electrode, 9...Mo source electrode, 10
...Silicon titanide protective film, 12...Fourth electrode,
14...first electrode, 15...second electrode, 16...
Third electrode, 13, 23...liquid crystal layer.
Claims (1)
ト液晶表示素子において、両側に画素電極群を有
する中間基板に表裏の電極間を導通する貫通電極
を各画素毎に形成することにより画素電極対の群
を構成し、かつ、他の二枚の電極基板のいずれか
の上に各画素に対応して各１個のスイツチング素
子を設けたことを特徴とする液晶表示素子。1. In a two-layer guest-host liquid crystal display device having three electrode substrates, the pixel electrode pair is What is claimed is: 1. A liquid crystal display element comprising a group of two electrode substrates, and one switching element corresponding to each pixel is provided on one of the other two electrode substrates.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25785684A JPS61134789A (en) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | Liquid crystal display element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25785684A JPS61134789A (en) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | Liquid crystal display element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61134789A JPS61134789A (en) | 1986-06-21 |
| JPH0574832B2 true JPH0574832B2 (en) | 1993-10-19 |
Family
ID=17312115
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25785684A Granted JPS61134789A (en) | 1984-12-06 | 1984-12-06 | Liquid crystal display element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61134789A (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08328031A (en) * | 1995-06-02 | 1996-12-13 | Sharp Corp | Full-color liquid crystal display device and its production |
-
1984
- 1984-12-06 JP JP25785684A patent/JPS61134789A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61134789A (en) | 1986-06-21 |
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