JPH0572336A - レーザドツプラー速度計 - Google Patents

レーザドツプラー速度計

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JPH0572336A
JPH0572336A JP23288691A JP23288691A JPH0572336A JP H0572336 A JPH0572336 A JP H0572336A JP 23288691 A JP23288691 A JP 23288691A JP 23288691 A JP23288691 A JP 23288691A JP H0572336 A JPH0572336 A JP H0572336A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
laser
light
optical waveguide
semiconductor
semiconductor substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP23288691A
Other languages
English (en)
Inventor
Seiji Ueda
清二 上田
Akihiko Nakamura
明比古 中村
Hiroshi Okuda
寛 奥田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Publication date
Application filed by Sumitomo Electric Industries Ltd filed Critical Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 各光学部品のアライメント調整が不要で、し
かも耐振動性に優れたレーザドップラー速度計を提供す
ることを目的とする。 【構成】 レーザドップラー速度計は、半導体レーザ4
及びフォトダイオード5と、この間を直接、光結合する
光導波路7と、移動物体3からの反射光を受光面8aで
受光し、この中を反射光が伝播する光導波路8とを、半
導体基板6上に一体的に形成しており、この光導波路7
と光導波路8とを3dBカプラ10により光結合して構
成することにより、各素子を集積化し一体的に形成した
ことを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はレーザ光を移動物体に照
射し、その反射光のドップラーシフトを干渉器を用いて
計測するレーザドップラー速度計に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来から、物体の移動速度を計測する装
置として光の干渉を利用したレーザドップラー速度計
(以下、速度計という)が知られている。この速度計の
測定原理は、移動する物体にレーザ光を照射すると、そ
の反射光の周波数はドップラー効果を受け、もとの周波
数fO から周波数fO +fD にシフトするため、干渉計
を用いて周波数fD を計測し、この数値から移動物体の
移動速度Vを求めるものである。
【0003】この一例として、速度計の装置構成の概略
を図2に示す。図2において、レーザ21から出射され
たレーザ光は、ビームスプリッタ22に到達し、ここで
周波数変化のない参照光(周波数fO )と、移動物体2
0に向けて出射される出射光(周波数fO )とに分岐さ
れる。分岐された参照光は、全反射ミラー23で全反射
され、再びビームスプリッタ22を通過し受光器24に
入射する。一方、ビームスプリッタ22を直進し、移動
物体20に向けて出射された出射光は、移動物体20で
反射されてドップラー効果を受け、この反射光(周波数
O +fD )は、再びビームスプリッタ22に到達し、
ここで方向を変えたのち受光器24に入射する。このよ
うにして参照光と反射光とを合波させた光が、受光器2
4に入射するが、ここで光学的にヘテロダイン検波され
た出力信号の周波数は、参照光と反射光とのビート周波
数、即ちドップラー周波数fD に等しく、このドップラ
ー周波数fD が計測器25で計測され、この値から移動
物体20の移動速度Vを求めることができる。
【0004】なお、図2にはマイケルソン・モーレー型
の干渉計を示したが、この他にもマッハツェンダー干渉
器等、種々の構成が提案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】このように、従来の速
度計は、ビームスプリッタ22、全反射ミラー23等、
それぞれ別体として形成された光学部品を用いており、
実際の測定に際しては、これら光学部品が極めて精密に
位置決めされていることが前提となる。
【0006】しかし、この測定の下準備として行う各光
学部品のアライメント調整は、極めて高い精度が要求さ
れ、かつ大変に手間の掛かる作業であった。また、振動
等の外的要因によって、この光学部品の一つにでも位置
ずれや角度ずれが生じた場合には、参照光と反射光とが
干渉を生じなくなり、測定が不可能になる欠点があっ
た。
【0007】本発明は上記問題点を解決すべく成された
ものであり、各光学部品のアライメント調整が不要で、
しかも耐振動性に優れたレーザドップラー速度計を提供
することを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明に係るレーザドッ
プラー速度計は、半導体基板と、該半導体基板の表面に
所定の半導体材料を積層し、当該半導体基板と一体的に
形成した半導体レーザ及び受光素子と、前記半導体基板
の表面に形成され、前記半導体レーザから出射されたレ
ーザ光を直接、前記受光素子に伝播する第1の光導波路
と、前記半導体基板の表面に形成され、前記半導体レー
ザから測定すべき移動物体に向けて出射したレーザ光の
反射光を導くための第2の光導波路と、前記半導体基板
の表面に形成され、前記第2の光導波路を伝播する前記
反射光の一部を、前記第1の光導波路に入射させるため
の光結合部とを備えることを特徴とする。
【0009】
【作用】半導体レーザ、受光素子、第1、第2の光導波
路、光結合部の各々を、半導体プロセスにより半導体基
板の表面に集積化して一体的に形成する。この半導体レ
ーザから出射されるレーザ光の一方は、第1の光導波路
を伝播し、周波数変化のない参照光として、直接、受光
素子に入射する。また、半導体レーザから出射されるレ
ーザ光のもう一方は、移動物体に向けて出射され、この
移動物体で反射されドップラーシフトを受ける。この反
射光は、半導体基板側に戻り、第2の光導波路に入光
し、この中を伝播する。この第2の光導波路を伝播する
反射光の少くとも一部は、光結合部を介して第1の光導
波路に入射し、この第1の光導波路を伝播する前述の参
照光と合波され、この合波光が受光素子で受光される。
【0010】
【実施例】以下、本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。
【0011】本実施例に係る速度計の構成を図1に示
す。速度計は、半導体レーザ、受光素子及び光導波路等
を一体的に形成した干渉器1と、この干渉器1の受光素
子で光学的にヘテロダイン検波された出力信号を計測す
る計測器2とで構成する。
【0012】干渉器1の構成は、InP或いはGaAs
等による半導体基板6を備え、この表面上の相対する両
側部に、それぞれ半導体レーザ4、フォトダイオード5
を形成し、この半導体レーザ4とフォトダイオード5と
は、第1の光導波路としての光導波路7によって光結合
している。また、半導体基板6の表面には、半導体基板
6の一端面から他端面に亘り、光導波路7に並設して第
2の光導波路としての光導波路8を形成し、この光導波
路8の移動物体3側の端部には、反射光13を導くため
の受光面8aを備え、終端部には、この面での光の反射
を防止するためのARコート9を施している。さらに、
光導波路8の略中央部は光導波路7と近接するように湾
曲し、光結合部としての3dBカプラ10を形成してい
る。なお、これら半導体レーザ4、フォトダイオード5
及び光導波路7、8等は、従来の半導体プロセスによ
り、半導体基板6上に一体的に形成するものである。
【0013】以上の構成よりなる速度計の測定機構を説
明する。半導体レーザ4からは、その一端面の出射部4
aから移動物体3に向けてレーザ光11が出射されると
共に、対向する他端面の出射部4bからも同時にフォト
ダイオード5に向けてレーザ光12が出射される。レ−
ザ光12は光導波路7を伝播し、周波数変化を受けない
参照光(周波数fO )としてフォトダイオード5に入射
する。一方、移動物体3に向けて出射されたレーザ光1
1は移動物体3で反射してドップラー効果を受け、この
反射光(周波数fO +fD )13の一部は、半導体基板
6側へ戻り、受光面8aから光導波路8内に入光する。
入光した反射光13は、3dBカプラ10において、そ
の一部が光導波路7に入射して前述のレーザ光12と干
渉し、この合波光がフォトダイオード5に入射する。フ
ォトダイオード5からの出力は、参照光としてのレーザ
光12と、ドップラー効果を受けた反射光13との周波
数差 fD に等しいビート出力となり、この出力が計測
器2で計測されるものである。
【0014】本実施例では、半導体基板の材料としてI
nPやGaAsを例示したが、この他にも、半導体レー
ザ、受光素子及び光導波路等を形成する半導体材料とマ
ッチングが良い材料であれば特に限定するものではな
い。また、半導体レーザ4の出射部4a及び光導波路8
の受光面8aには、それぞれレーザ光11及び反射光1
3を導くための光ファイバ等のガイド部材を設けても良
い。
【0015】
【発明の効果】以上説明した通り、本発明に係るレーザ
ドップラー速度計は、半導体レーザ、受光素子、第1及
び第2の光導波路を、半導体基板に集積化し一体的に形
成し、かつ、第2の光導波路を伝播する反射光の一部を
第1の光導波路に入射させるための光結合部を形成した
ので、出射したレーザ光とこの反射光とを干渉させるこ
とができ、全体として一体型のレーザドップラー速度計
を形成することができる。
【0016】従って、従来のような半導体レーザ及びビ
ームスプリッタ等の各光学部品のアライメント調整が不
要となり、しかも耐振動性にも優れるため、振動の激し
い環境における移動物体の速度測定も可能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例に係るレーザドップラー速度計
を示す構成図である。
【図2】従来のレ−ザドップラー速度計の概略的な構成
を示す説明図である。
【符号の説明】
3…移動物体 4…半導体レーザ 5…フォトダイオード(受光素子) 6…半導体基板 7…光導波路(第1の光導波路) 8…光導波路(第2の光導波路) 10…3dBカプラ(光結合部)

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 半導体基板と、 該半導体基板の表面に所定の半導体材料を積層し、当該
    半導体基板と一体的に形成した半導体レーザ及び受光素
    子と、 前記半導体基板の表面に形成され、前記半導体レーザか
    ら出射されたレーザ光を直接、前記受光素子に伝播する
    第1の光導波路と、 前記半導体基板の表面に形成され、前記半導体レーザか
    ら測定すべき移動物体に向けて出射したレーザ光の反射
    光を導くための第2の光導波路と、 前記半導体基板の表面に形成され、前記第2の光導波路
    を伝播する前記反射光の一部を、前記第1の光導波路に
    入射させるための光結合部とを備えることを特徴とする
    レーザドップラー速度計。
  2. 【請求項2】 前記半導体レーザは、前記移動物体に向
    けてレーザ光を出射するための第1の出射部と、前記受
    光素子にレーザ光を出射するための第2の出射部とを有
    することを特徴とする請求項1記載のレーザドップラー
    速度計。
  3. 【請求項3】 前記光結合部は、前記第1の光導波路と
    前記第2の光導波路とを近接させて形成することを特徴
    とする請求項1記載のレーザドップラー速度計。
JP23288691A 1991-09-12 1991-09-12 レーザドツプラー速度計 Pending JPH0572336A (ja)

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