JPH0569945U - Vertical substrate heat treatment equipment - Google Patents
Vertical substrate heat treatment equipmentInfo
- Publication number
- JPH0569945U JPH0569945U JP1907192U JP1907192U JPH0569945U JP H0569945 U JPH0569945 U JP H0569945U JP 1907192 U JP1907192 U JP 1907192U JP 1907192 U JP1907192 U JP 1907192U JP H0569945 U JPH0569945 U JP H0569945U
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- gas
- furnace core
- core tube
- substrate
- heat treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
(57)【要約】
【目的】 本来の熱処理時と前処理時相互間での加熱手
段による加熱温度の切換えと真空排気装置を不用にし
て、安価でかつ単位時間当りの処理能力の高い縦型基板
熱処理装置を提供する。
【構成】 内部にガスを導入するようにした炉芯管１の
管軸芯方向一端側に開口２を設け、その開口２から炉芯
管１内に、多数の基板Ｗを保持した基板ボート３を挿入
するように構成しするとともに、炉芯管１の周囲に、基
板Ｗを加熱する第１および第２のヒータ５ａ，５ｂを設
け、かつ、炉芯管１内の管軸芯方向の開口２側の位置
に、管軸芯を間にして、給気管７と排気管９とを対向す
る状態で設け、不活性ガスを水平方向に供給して、炉芯
管１内に挿入される基板ボート３に保持された基板Ｗ間
の空気とかガスや水分やパーティクル及び昇温によって
基板から脱離する水分やガスを排除する。
(57) [Abstract] [Purpose] A vertical type that is inexpensive and has a high processing capacity per unit time, because the heating temperature is switched by the heating means between the original heat treatment and the pretreatment, and the vacuum exhaust device is unnecessary. A substrate heat treatment apparatus is provided. A substrate boat 3 having a large number of substrates W held in the furnace core tube 1 through the opening 2 is provided at one end of the furnace core tube 1 in the direction of the tube axis in which gas is introduced. And the first and second heaters 5a and 5b for heating the substrate W are provided around the furnace core tube 1, and the opening of the furnace core tube 1 in the tube axis direction is formed. A substrate to be inserted into the furnace core tube 1 by providing an air supply pipe 7 and an exhaust pipe 9 at a position on the second side in a state where the air supply pipe 7 and the exhaust pipe 9 face each other and horizontally supplying an inert gas. The air and gas between the substrates W held in the boat 3 and the moisture and particles, and the moisture and gas desorbed from the substrate due to the temperature rise are eliminated.
Description
【０００１】[0001]
本考案は、半導体基板やセラミックス基板といった各種の基板に対して、酸化 、アニール、ＣＶＤ（化学気相成長）、あるいは、拡散などの各種の熱処理を行 うために、多数の基板を保持した基板ボートを挿入する開口を管軸芯方向の一端 側に設けるとともに内部にガスを導入するようにした炉芯管と、その炉芯管の周 囲に設けられて基板を加熱する加熱手段とを備えた縦型基板熱処理装置に関する 。 The present invention is a substrate that holds a large number of substrates for various heat treatments such as oxidation, annealing, CVD (chemical vapor deposition), and diffusion on various substrates such as semiconductor substrates and ceramics substrates. A furnace core tube provided with an opening for inserting a boat at one end side in the tube axis direction and introducing gas into the inside, and a heating means provided around the furnace core tube for heating the substrate Vertical substrate heat treatment equipment.
【０００２】[0002]
この種の縦型基板熱処理装置では、上述した各種処理において、基板間に保持 された大気中の空気とかボロン系ガスや硫酸系ガスや硝酸系ガスといったガスと か重金属などのパーティクルが炉芯管内に混入したり、基板表面に化学的あるい は物理的に吸着した水分等が昇温によって脱離して基板間に滞留した状態で持ち 込まれたりすると品質が低下する問題がある。殊に、ゲート酸化膜のような最近 のプロセスの薄膜化に伴い、その膜質に多大な悪影響を及ぼす問題がある。 In this type of vertical substrate heat treatment equipment, air in the atmosphere, gases such as boron-based gas, sulfuric acid-based gas, nitric acid-based gas, and particles such as heavy metals, etc. However, there is a problem that the quality is deteriorated if it is mixed into the substrate or if moisture or the like that is chemically or physically adsorbed on the substrate surface is desorbed by the temperature rise and is retained between the substrates and is retained. In particular, with the recent thinning of the process such as the gate oxide film, there is a problem that the film quality is greatly adversely affected.
【０００３】 そのため、前述した各種処理に先立って、基板間の空気やガスやパーティクル を排除したり、昇温によって基板表面から脱離して基板間に滞留した水分やガス を排除する必要があり、従来では、図３の全体概略縦断面図に示すような手段を 採用している。Therefore, prior to the various treatments described above, it is necessary to remove air, gas, and particles between the substrates, or moisture and gas that are desorbed from the substrate surface due to temperature rise and accumulated between the substrates. Conventionally, the means as shown in the overall schematic vertical sectional view of FIG. 3 has been adopted.
【０００４】 図３において、０１は炉芯管を示し、その炉芯管０１の管軸芯方向の下端側に 開口０２が形成され、多数の基板Ｗを保持した基板ボート０３を挿脱するように 構成されている。In FIG. 3, reference numeral 01 denotes a furnace core tube, and an opening 02 is formed at the lower end side of the furnace core tube 01 in the tube axis direction so that a substrate boat 03 holding a large number of substrates W can be inserted and removed. Is configured.
【０００５】 炉芯管０１の管軸芯方向上端側にガス導入孔０４が設けられ、パージガスとし てのＮ2 ガスやＡｒガスや反応用のプロセスガスを炉芯管０１内に導入するよう に構成されている。A gas introduction hole 04 is provided on the upper end side in the axial direction of the furnace core tube 01 so that N 2 gas or Ar gas as a purge gas or a process gas for reaction is introduced into the furnace core tube 01. It is configured.
【０００６】 炉芯管０１の周囲には、基板Ｗを加熱する加熱手段としてのヒーターユニット ０５が設けられている。 炉芯管０１の開口０２側に排気フランジ０６が設けられ、その排気フランジ０ ６の下部開口が炉口キャップ０７によりシール状態で閉塞されるとともに、その 排気フランジ０６に真空排気装置０８が接続されている。A heater unit 05 as heating means for heating the substrate W is provided around the furnace core tube 01. An exhaust flange 06 is provided on the opening 02 side of the furnace core tube 01, a lower opening of the exhaust flange 06 is closed in a sealed state by a furnace port cap 07, and a vacuum exhaust device 08 is connected to the exhaust flange 06. ing.
【０００７】 以上の構成により、多数の基板Ｗ…を保持した基板ボート０３を炉芯管０１内 に挿入した後に炉口キャップ０７で閉塞し、ヒーターユニット０５の温度を酸化 反応を起こさない温度以下に維持しながら、真空排気装置０８を作動して真空吸 引排気し、基板Ｗ…間にある空気とかガスや水分やパーティクル、および、昇温 によって脱離する水分、ガスを排除するようになっている。With the above configuration, the substrate boat 03 holding a large number of substrates W ... Is inserted into the furnace core tube 01 and then closed by the furnace port cap 07, and the temperature of the heater unit 05 is set to a temperature at which an oxidation reaction does not occur. While maintaining the above, the vacuum exhaust device 08 is operated to perform vacuum suction / exhaust to remove air and gas, water and particles between the substrates W, and water and gas desorbed by the temperature rise. ing.
【０００８】[0008]
しかしながら、上述従来例の場合、基板間にある空気とかガスや水分やパーテ ィクル、および、昇温によって脱離する水分、ガスを排除するときには、基板表 面で酸化反応を起こさないように、ヒーターユニット０５の加熱温度を本来の熱 処理温度よりも低温に設定しておかなければならない。 However, in the case of the above-mentioned conventional example, when removing air, gas, moisture, particles, and moisture and gas desorbed by temperature rise between the substrates, a heater is used so as not to cause an oxidation reaction on the substrate surface. The heating temperature of the unit 05 must be set lower than the original heat treatment temperature.
【０００９】 これに対して、本来の熱処理を行う場合、前処理での空気とかガスや水分やパ ーティクルの排除を終了した後に、ヒーターユニット０５の加熱温度を所定の処 理温度まで上昇しなければならない。On the other hand, in the case of performing the original heat treatment, the heating temperature of the heater unit 05 must be raised to a predetermined processing temperature after the removal of air, gas, water and particles in the pretreatment is completed. I have to.
【００１０】 これらの結果、ヒーターユニット０５において、前処理時の温度と本来の熱処 理時の温度とに切換制御するとともに真空排気装置の制御も必要でシステムが複 雑になって高価になるとともに、所定の真空度まで炉芯管を真空排気するのに相 当の時間が必要であり、ヒーターユニット０５による加熱温度を本来の熱処理時 の温度まで上昇するのに時間がかかって単位時間当りの処理能力が低下する欠点 があった。As a result of these, in the heater unit 05, switching control between the temperature at the time of pretreatment and the temperature at the time of the original heat treatment and the control of the vacuum exhaust device are necessary, and the system becomes complicated and expensive. At the same time, it takes a certain amount of time to evacuate the furnace core tube to a predetermined degree of vacuum, and it takes time to raise the heating temperature by the heater unit 05 to the temperature at the time of the original heat treatment. There was a drawback that the processing capacity of
【００１１】 本考案は、このような事情に鑑みてなされたものであって、本来の熱処理時と 前処理時相互間での加熱手段による加熱温度の切換えおよび真空排気装置を不用 にして、安価でかつ単位時間当りの処理能力の高い縦型基板熱処理装置を提供で きるようにすることを目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and it is inexpensive because the heating temperature is switched by the heating means between the original heat treatment and the pretreatment and the vacuum exhaust device is unnecessary. It is an object of the present invention to provide a vertical substrate heat treatment apparatus which has a high processing capacity per unit time.
【００１２】[0012]
本考案は、上述のような目的を達成するために、多数の基板を保持した基板ボ ートを挿入する開口を管軸芯方向の一端側に設けるとともに内部にガスを導入す るようにした炉芯管と、その炉芯管の周囲に設けられて基板を加熱する加熱手段 とを備えた縦型基板熱処理装置において、炉芯管内の管軸芯方向の開口側の位置 に、不活性ガスを水平方向に供給するガス供給部を付設して構成する。 In order to achieve the above-mentioned object, the present invention is provided with an opening for inserting a substrate boat holding a large number of substrates at one end side in the axial direction of the tube and introducing gas into the inside. In a vertical substrate heat treatment apparatus equipped with a furnace core tube and heating means provided around the furnace core tube for heating a substrate, an inert gas is provided at a position on the opening side in the tube axis direction in the furnace core tube. It is configured by additionally providing a gas supply unit for horizontally supplying.
【００１３】[0013]
本考案の縦型基板熱処理装置の構成によれば、炉芯管内に基板ボートを挿入す るときに、ガス供給部から供給された不活性ガスを基板ボートに保持された基板 間に流し、基板間に混入している大気中の空気やガスや水分やパーティクル、お よび、昇温によって脱離した水分、ガスを排除することができる。 According to the configuration of the vertical substrate heat treatment apparatus of the present invention, when the substrate boat is inserted into the furnace core tube, the inert gas supplied from the gas supply unit is caused to flow between the substrates held in the substrate boat. It is possible to remove air, gas, moisture, particles in the atmosphere, and moisture and gas desorbed due to temperature rise.
【００１４】[0014]
次に、本考案の実施例を図面に基づいて詳細に説明する。 Next, an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
【００１５】 図１は、縦型基板熱処理装置の実施例の全体概略縦断面図であり、管軸芯方向 が上下方向を向くように赤外線透過性を有する石英材料によって形成された炉芯 管１が設けられ、その炉芯管１の管軸芯方向下端側に開口２が設けられ、この開 口２を通じて、多数の基板Ｗ…を保持した基板ボート３を挿脱できるように構成 されている。FIG. 1 is an overall schematic vertical cross-sectional view of an embodiment of a vertical substrate heat treatment apparatus, in which a furnace core tube 1 made of a quartz material having infrared transparency so that the axis direction of the tube is oriented vertically. Is provided at the lower end side of the furnace core tube 1 in the axial direction of the tube axis, and the substrate boat 3 holding a large number of substrates W ... Can be inserted and removed through the opening 2. ..
【００１６】 また、炉芯管１の管軸芯方向上端側にガス導入孔４が設けられるとともに、図 示しないパージガスの供給手段とプロセスガス供給手段とが選択的に連通接続可 能に接続され、パージガスとしてのＮ2 ガスとかＡｒガスやプロセスガスを供給 するように構成されている。A gas introduction hole 4 is provided on the upper end side of the furnace core tube 1 in the axial direction of the tube axis, and a purge gas supply means (not shown) and a process gas supply means are selectively and communicably connected. The N 2 gas as the purge gas, the Ar gas, and the process gas are supplied.
【００１７】 前記炉芯管１の周囲には、管軸芯方向に短い第１のヒータ５ａと長い第２のヒ ータ５ｂと短い第３のヒータ５ｃとから成るヒーターユニット５が設けられてい る。Around the furnace core tube 1, there is provided a heater unit 5 including a first heater 5a that is short in the axial direction of the tube, a second heater 5b that is long, and a third heater 5c that is short. It
【００１８】 炉芯管１の、第２のヒータ５ｂと第３のヒータ５ｃとの間に相当する箇所に、 図２の一部省略斜視図に示すように、先端側が平面視円弧状で炉芯管１内に連通 するノズル６…を備えた給気管７が付設されるとともに、この給気管７に炉芯管 １の管軸芯を間にして対向する状態で、炉芯管１内に連通するノズル８…を備え た第１の排気管９が付設され、かつ、給気管７に、Ｎ2 ガスとかＡｒガスなどの 不活性ガスのガスボンベ１０が接続され、不活性ガスを炉芯管１内に水平方向に 供給するように構成されている。この給気管７と第１の排気管９とから成る構成 をしてガス供給部と総称する。As shown in the partially omitted perspective view of FIG. 2, the furnace core tube 1 has a tip end side in an arc shape in plan view at a position corresponding to between the second heater 5b and the third heater 5c. An air supply pipe 7 having a nozzle 6 communicating with the core pipe 1 is attached to the core pipe 1. the first exhaust pipe 9 is attached with a nozzle 8 ... communicating and furnace core tube in supply pipe 7, the gas cylinder 10 of an inert gas such as N 2 gas Toka Ar gas is connected, the inert gas It is configured so that it can be fed horizontally into the inside of the unit 1. The air supply pipe 7 and the first exhaust pipe 9 are collectively referred to as a gas supply unit.
【００１９】 炉芯管１の開口２の近くに、炉芯管１内に連通するように第２の排気管１１が 設けられ、基板Ｗ…を保持した基板ボート３を炉芯管１内に挿入するとともに、 開口２を炉口キャップ１２で蓋した状態でプロセスガスをガス導入孔４から流す ときに、第２の排気管１１から排出していくように構成されている。 前記第１および第２の排気管９，１１それぞれには、図示しない排気手段が連 通接続されている。A second exhaust pipe 11 is provided near the opening 2 of the furnace core tube 1 so as to communicate with the inside of the furnace core tube 1, and the substrate boat 3 holding the substrates W ... While being inserted, the process gas is discharged from the second exhaust pipe 11 when the process gas is flown from the gas introduction hole 4 with the opening 2 covered with the furnace port cap 12. An exhaust means (not shown) is connected to each of the first and second exhaust pipes 9 and 11.
【００２０】 基板ボート３は、周方向に間隔を隔てて設けた基板支持用の石英製で透明の複 数、例えば３本の支柱３ｃ…の長手方向両端側それぞれに石英製の板体３ａ，３ ｂを一体的に設けて構成されている。 支柱３ｃ…それぞれには、長手方向に微小ピッチで基板挿入溝（図示せず）が 形成され、基板Ｗの外縁所要部を挿入して三点で保持できるように構成されてい る。 一方（図面上で下方側）の板体３ａ側には、支柱１３…に断熱板１４…を取り 付けた断熱支持部材１５が設けられている。The substrate boat 3 is composed of a plurality of transparent quartz substrates for supporting substrates, which are provided at intervals in the circumferential direction, for example, three columns 3c ... 3b is integrally provided. Substrate insertion grooves (not shown) are formed in each of the columns 3c ... At a fine pitch in the longitudinal direction, and the outer edge required portions of the substrate W can be inserted and held at three points. On one side (the lower side in the drawing) of the plate body 3a, a heat insulating support member 15 in which heat insulating plates 14 are attached to columns 13 is provided.
【００２１】 図中、１６は昇降支持アームを示し、この昇降支持アーム１６を駆動昇降する ことによって炉口キャップ１２を保持し、その炉口キャップ１２上に支持された 基板ボート３を昇降して炉芯管１に挿脱するように構成されている。In the figure, reference numeral 16 denotes an elevating and lowering support arm. The elevating and lowering support arm 16 is driven up and down to hold the furnace port cap 12, and the substrate boat 3 supported on the furnace port cap 12 is moved up and down. It is configured to be inserted into and removed from the furnace core tube 1.
【００２２】 以上の構成により、第１および第２のヒータ５ａ，５ｂの加熱温度を本来の熱 処理温度（例えば、ウェット酸化処理であれば、 700〜 900℃、ドライ酸化処理 であれば、 900〜1000℃である）にしておき、一方、第３のヒータ５ｃの加熱温 度を、酸化反応を起こさないで水分、ガスを脱離するに足る温度（例えば、 600 ℃）にしておき、かつ、給気管７から不活性ガスを供給し、その状態で炉芯管１ 内に基板ボート３を挿入し、これに伴い、基板Ｗ…間の空気や、基板Ｗ…の表面 から脱離して基板Ｗ…間に滞留したガスや水分やパーティクルを不活性ガスで排 除し、本来の熱処理温度になっている炉芯管１内に基板Ｗ…を挿入する。全ての 基板Ｗ…が通過した後には、第３のヒータ５ｃの加熱温度を本来の熱処理温度に 変更し、引き続いて本来の熱処理に移行する。With the above configuration, the heating temperature of the first and second heaters 5a and 5b is set to the original heat treatment temperature (for example, 700 to 900 ° C. for wet oxidation treatment and 900 for dry oxidation treatment). Is about 1000 ° C), while the heating temperature of the third heater 5c is set to a temperature (for example, 600 ° C) sufficient to desorb moisture and gas without causing an oxidation reaction, and , The inert gas is supplied from the air supply pipe 7, and the substrate boat 3 is inserted into the furnace core tube 1 in that state, and along with this, the air is removed between the substrates W ... and the surface of the substrates W. The gas, water, and particles accumulated between W ... are removed by an inert gas, and the substrates W are inserted into the furnace core tube 1 at the original heat treatment temperature. After all the substrates W have passed, the heating temperature of the third heater 5c is changed to the original heat treatment temperature, and subsequently the original heat treatment is performed.
【００２３】 前記給気管７から供給する不活性ガスの流量は、ガス導入孔４から供給される ガスの流量（通常、20〜50リットル／min ）よりも多い量（例えば、50〜 200リ ットル／min ）に設定され、不活性ガスの供給により、第１および第２のヒータ ５ａ，５ｂからの熱が下方に伝わることが無いようになっている。The flow rate of the inert gas supplied from the air supply pipe 7 is larger than the flow rate of the gas supplied from the gas introduction hole 4 (usually 20 to 50 liters / min) (for example, 50 to 200 liters). / Min), and the heat from the first and second heaters 5a and 5b is prevented from being transferred downward by the supply of the inert gas.
【００２４】 また、昇降支持アーム１６による基板ボート３の上昇速度は、不活性ガスによ って、基板Ｗ…間の空気や、第３のヒータ５ｃによって基板Ｗ…の表面から脱離 して基板Ｗ…間に滞留したガスや水分やパーティクルを排除するに足る速度に設 定されるものであり、例えば、20〜 100mm／min である。Further, the ascending speed of the substrate boat 3 by the elevating and lowering support arm 16 is that the air between the substrates W is released by the inert gas or the surface of the substrates W is detached by the third heater 5c. It is set at a speed sufficient to remove the gas, water, and particles accumulated between the substrates W, and is, for example, 20 to 100 mm / min.
【００２５】 上記実施例では、ガス導入孔４を炉芯管１の上部に形成したものを示している が、炉芯管１内に下側が開口した筒状の管を挿入して２重管に構成し、炉芯管１ の下端側から、炉芯管１の内周面と筒状の管の外周面との環状の隙間を通り、筒 状の管の上部からガスを供給するように構成するとか、あるいは、炉芯管１の下 側から炉芯管１の内部空間の上部側にパイプを延出して炉芯管１内の上部からガ スを供給するように構成するなど各種の変形が可能である。In the above-mentioned embodiment, the gas introduction hole 4 is formed in the upper part of the furnace core tube 1. However, a double tube is inserted by inserting a tubular tube whose lower side is opened into the furnace core tube 1. The gas is supplied from the lower end side of the furnace core tube 1 through the annular gap between the inner peripheral surface of the furnace core tube 1 and the outer peripheral surface of the tubular tube, and the gas is supplied from the upper part of the tubular tube. Various types, such as a configuration in which the pipe is extended from the lower side of the furnace core tube 1 to the upper side of the inner space of the furnace core tube 1 and gas is supplied from the upper portion of the furnace core tube 1 Deformation is possible.
【００２６】 上記実施例では、ガス供給部の上方において第１のヒータ５ａと第２のヒータ ５ｂとを設けたものを示したが、本考案としては、ガス供給部の上方に３個以上 のヒータを設けるものでも良い。また、第３のヒータ５ｃの加熱温度を、酸化反 応を起こさない温度（例えば、 600℃）にし、基板Ｗの表面に吸着したガスや水 分を効果的に脱離させるようにしているが、この第３のヒータ５ｃは、加熱手段 によって基板が所定の温度まで昇温できるようにすれば設けないものでも良い。 実用新案登録請求の範囲でいうところの加熱手段とは、ガス供給部よりも上方に 設けられヒータの全体を指称する。In the above embodiment, the first heater 5a and the second heater 5b are provided above the gas supply section, but as the present invention, three or more heaters are provided above the gas supply section. A heater may be provided. Further, the heating temperature of the third heater 5c is set to a temperature that does not cause an oxidation reaction (for example, 600 ° C.) so that the gas or water adsorbed on the surface of the substrate W is effectively desorbed. The third heater 5c may be omitted if the substrate can be heated to a predetermined temperature by the heating means. The heating means in the scope of utility model registration claims refers to the entire heater provided above the gas supply part.
【００２７】[0027]
以上説明したように、本考案の縦型基板熱処理装置によれば、炉芯管内に基板 ボートを挿入するに伴い、基板ボートに保持された基板間に混入している大気中 の空気やガスやパーティクルや、昇温によって基板表面から脱離して基板間に滞 留しているガスや水分を真空排気装置による真空パージによらずに排除できるか ら、真空排気装置が不要でまた加熱手段による加熱温度に影響されないために、 その加熱温度の切換えをせずに済むので、システムが簡単になって安価である。 As described above, according to the vertical substrate heat treatment apparatus of the present invention, when the substrate boat is inserted into the furnace core tube, the air and gas in the atmosphere mixed between the substrates held in the substrate boat are Particles and gas and moisture desorbed from the substrate surface due to temperature rise and retained between the substrates can be eliminated without vacuum purging by a vacuum exhaust device, so no vacuum exhaust device is required and heating by heating means Since it is not affected by temperature, it is not necessary to switch the heating temperature, so the system is simple and inexpensive.
【００２８】 また、上述したように、真空排気装置による真空パージに必要な時間が不要で あり、また、加熱手段による加熱温度に影響されないために、その加熱温度を本 来の熱処理時の温度にしておくことができ、従来のように、加熱手段による加熱 温度を本来の熱処理時の温度まで上昇するのに時間がかかることを回避でき、単 位時間当りの処理能力を向上できる。Further, as described above, the time required for the vacuum purging by the vacuum evacuation device is not necessary, and since the heating temperature by the heating means is not affected, the heating temperature is set to the temperature for the conventional heat treatment. Therefore, it can be avoided that it takes time to raise the heating temperature by the heating means to the temperature at the time of the original heat treatment as in the conventional case, and the processing capacity per unit time can be improved.
【００２９】 また、このとき基板は水分、ガスを脱離するに足る温度まで昇温されているか ら、脱離してきたガスや水分を排除することができる。Further, at this time, since the substrate is heated to a temperature sufficient for desorbing moisture and gas, the desorbed gas and moisture can be removed.
【図１】本考案に係る縦型基板熱処理装置の実施例の全
体概略縦断面図である。FIG. 1 is an overall schematic vertical sectional view of an embodiment of a vertical substrate heat treatment apparatus according to the present invention.
【図２】要部の一部省略斜視図である。FIG. 2 is a partially omitted perspective view of a main part.
【図３】従来例の縦型基板熱処理装置の全体概略縦断面
図である。FIG. 3 is an overall schematic vertical cross-sectional view of a conventional vertical substrate heat treatment apparatus.
１…炉芯管 ２…開口 ３…基板ボート ４…ガス導入孔 ５ａ…加熱手段としての第１のヒータ ５ｂ…加熱手段としての第２のヒータ ７…ガス供給部を構成する給気管 ９…ガス供給部を構成する第１の排気管 Ｗ…基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Furnace core tube 2 ... Opening 3 ... Substrate boat 4 ... Gas introduction hole 5a ... 1st heater 5b as a heating means 5b ... 2nd heater 7 as a heating means 7 ... Gas supply pipe which comprises a gas supply part 9 ... Gas First exhaust pipe W constituting the supply unit W ... substrate
Claims (1)
する開口を管軸芯方向の一端側に設けるとともに内部に
ガスを導入するようにした炉芯管と、 前記炉芯管の周囲に設けられて基板を加熱する加熱手段
とを備えた縦型基板熱処理装置において、 前記炉芯管内の管軸芯方向の開口側の位置に、不活性ガ
スを水平方向に供給するガス供給部を付設したことを特
徴とする縦型基板熱処理装置。1. A furnace core tube in which an opening for inserting a substrate boat holding a large number of substrates is provided at one end side in the tube axis direction, and a gas is introduced into the furnace core tube, and the furnace core tube is provided around the furnace core tube. In a vertical substrate heat treatment apparatus having a heating means for heating the substrate, a gas supply unit for horizontally supplying an inert gas is attached to a position on the opening side in the tube axis direction in the furnace core tube. A vertical substrate heat treatment apparatus characterized by the above.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1907192U JPH0569945U (en) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | Vertical substrate heat treatment equipment |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1907192U JPH0569945U (en) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | Vertical substrate heat treatment equipment |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0569945U true JPH0569945U (en) | 1993-09-21 |
Family
ID=11989203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1907192U Pending JPH0569945U (en) | 1992-02-27 | 1992-02-27 | Vertical substrate heat treatment equipment |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0569945U (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015018831A (en) * | 2013-07-08 | 2015-01-29 | 株式会社大真空 | Method for hermetically sealing electronic component |
| JP2018186238A (en) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Scavenging nozzle, substrate processing apparatus using the nozzle, and particle removing method |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62206826A (en) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Nippon Texas Instr Kk | Thermal treatment equipment for semiconductor |
| JPS6379313A (en) * | 1986-09-24 | 1988-04-09 | Hitachi Ltd | Thermal processing apparatus |
| JPH0144627B2 (en) * | 1981-12-14 | 1989-09-28 | Yasuda Seisakusho Kk |
-
1992
- 1992-02-27 JP JP1907192U patent/JPH0569945U/en active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0144627B2 (en) * | 1981-12-14 | 1989-09-28 | Yasuda Seisakusho Kk | |
| JPS62206826A (en) * | 1986-03-06 | 1987-09-11 | Nippon Texas Instr Kk | Thermal treatment equipment for semiconductor |
| JPS6379313A (en) * | 1986-09-24 | 1988-04-09 | Hitachi Ltd | Thermal processing apparatus |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015018831A (en) * | 2013-07-08 | 2015-01-29 | 株式会社大真空 | Method for hermetically sealing electronic component |
| JP2018186238A (en) * | 2017-04-27 | 2018-11-22 | 東京エレクトロン株式会社 | Scavenging nozzle, substrate processing apparatus using the nozzle, and particle removing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4871416A (en) | Method and device for cleaning substrates | |
| JP3250154B2 (en) | Semiconductor wafer manufacturing equipment | |
| KR0155158B1 (en) | Vertical wafer treatment apparatus and the method | |
| KR100260120B1 (en) | Heat treatment apparatus | |
| JP4694209B2 (en) | Substrate processing apparatus and semiconductor device manufacturing method | |
| JPH0569945U (en) | Vertical substrate heat treatment equipment | |
| JPH11251402A (en) | Semiconductor wafer carrier | |
| JPS62245624A (en) | Vertical type treating apparatus | |
| JPS62140413A (en) | Vertical type diffusion equipment | |
| JPH07183222A (en) | Device and method for heat treatment | |
| JP2003100736A (en) | Substrate treatment apparatus | |
| JP2004104029A (en) | Substrate treatment apparatus and manufacturing method of semiconductor device | |
| JP2007096103A (en) | Method and apparatus for treating substrate | |
| JP2002305190A (en) | Heat treating apparatus and method for cleaning the same | |
| JP2963145B2 (en) | Method and apparatus for forming CVD film | |
| JP2000173945A (en) | Vertical heat treating device for semiconductor substrate | |
| JPS61101032A (en) | Treating equipment | |
| JPH079889B2 (en) | Semiconductor wafer heat treatment equipment | |
| JPH04111417A (en) | Vertical heat treatment device | |
| JP3420465B2 (en) | Vertical heat treatment equipment | |
| JPS62122123A (en) | Vertical type thermal treatment equipment | |
| JPS60233828A (en) | Treatment device | |
| TW202128295A (en) | Method of Manufacturing Semiconductor Device | |
| JPH0566990U (en) | Substrate boat for vertical substrate heat treatment equipment | |
| JPH0438516Y2 (en) |