JPH0569302B2 - - Google Patents

Info

Publication number
JPH0569302B2
JPH0569302B2 JP61188274A JP18827486A JPH0569302B2 JP H0569302 B2 JPH0569302 B2 JP H0569302B2 JP 61188274 A JP61188274 A JP 61188274A JP 18827486 A JP18827486 A JP 18827486A JP H0569302 B2 JPH0569302 B2 JP H0569302B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer chip
wafer
chip
external shape
defective
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP61188274A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JPS6344735A (en
Inventor
Naohito Taniwaki
Shinji Okamoto
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP18827486A priority Critical patent/JPS6344735A/en
Publication of JPS6344735A publication Critical patent/JPS6344735A/en
Publication of JPH0569302B2 publication Critical patent/JPH0569302B2/ja
Granted legal-status Critical Current

Links

Description

【発明の詳細な説明】 (技術分野) 本発明は、ウエハーチツプの外形形状と電気特
性の良否を判定すると共に良品チツプの位置を検
出するためのウエハーチツプの検出装置に関する
ものである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Technical Field) The present invention relates to a wafer chip detection device for determining the quality of the external shape and electrical characteristics of a wafer chip and for detecting the position of a non-defective chip.

(背景技術) 半導体集積回路やチツプトランジスタ等の製造
プロセスにおいては、薄い円板状のシリコンウエ
ハーに、複数個のウエハーチツプに対応する回路
パターンを形成し、各ウエハーチツプ毎にその電
気特性を試験して、電気特性に不良のあるウエハ
ーチツプには中心部にバツドマークと呼ばれるマ
ークが付される。その後、第6図に示すように、
各ウエハーチツプ3に切断されて、外形形状及び
電気特性の良否の判定を行い、良品のウエハーチ
ツプのみを、ダイボンド及びワイヤーボンデイン
グする。ウエハーチツプの不良としては、第7図
bに示すように割れのあるもの、第7図cに示す
ように欠けのあるもの等の外形形状に不良のある
ものと、第7図dに示すように電気特性の不良を
示すバツドマーク4の付いたものとがある。これ
らの不良のあるウエハーチツプ3は、検出装置に
より除去して、第7図aに示すような良品のウエ
ハーチツプ3のみを選び出し、ウエハーチツプ3
の位置や姿勢の測定を行い、ダイボンダーにて実
装するものである。
(Background technology) In the manufacturing process of semiconductor integrated circuits and chip transistors, circuit patterns corresponding to multiple wafer chips are formed on a thin disc-shaped silicon wafer, and the electrical characteristics of each wafer chip are tested. Wafer chips with defective electrical characteristics are marked with a mark called a butt mark in the center. After that, as shown in Figure 6,
Each wafer chip 3 is cut into pieces, the external shape and electrical characteristics are judged to be good or bad, and only good wafer chips are subjected to die bonding and wire bonding. Defective wafer chips include those with cracks as shown in Figure 7b, those with defects in external shape such as chips as shown in Figure 7c, and those with defective external shapes such as chips as shown in Figure 7d. Some of them have a butt mark 4 indicating poor electrical characteristics. These defective wafer chips 3 are removed by a detection device, and only good wafer chips 3 as shown in FIG. 7a are selected.
The position and orientation of the device are measured and then mounted using a die bonder.

このような外形形状の不良又はバツドマークを
有するチツプを除去するために、従来、特開昭56
−26449号公報や特開昭56−98835号公報に開示さ
れているように、バツドマークの検出部を備える
と共に、チツプ面積又はチツプの外形を測定して
それらが正常か否かを判定する選別装置が提案さ
れている。しかしながら、これらの従来技術で
は、外形形状の不良を検出したりバツドマークを
検出するときに、事前に検出エリアとチツプの位
置合わせを精度良く行う必要があり、精度の高い
位置決め機構が必要であると共に位置合わせのた
めの処理に時間を要するという問題があつた。
In order to remove such chips with defective external shapes or butt marks, Japanese Patent Laid-Open No. 56
As disclosed in Japanese Patent Publication No. 26449 and Japanese Patent Application Laid-Open No. 56-98835, a sorting device is equipped with a butt mark detection section and measures the chip area or external shape of chips to determine whether they are normal or not. is proposed. However, with these conventional techniques, when detecting defects in the external shape or detecting butt marks, it is necessary to accurately align the detection area and the chip in advance, and a highly accurate positioning mechanism is required. There was a problem in that processing for alignment took time.

(発明の目的) 本発明は上述のような点に鑑みてなされたもの
であり、その目的とするところは、ウエハーチツ
プのエツジ部分を探索してエツジ部分の位置を求
めることにより、外形形状の判定とバツドマーク
の探索を容易に行えるようにすると共に、このエ
ツジ部分の位置情報を有効に利用して良品チツプ
の位置検出をも行うことを可能としたウエハーチ
ツプの検出装置を提供することにある。
(Object of the Invention) The present invention has been made in view of the above-mentioned points, and its purpose is to determine the external shape of a wafer chip by searching the edge portion of the wafer chip and determining the position of the edge portion. It is an object of the present invention to provide a wafer chip detection device that not only makes it easy to perform judgment and search for bad marks, but also enables the position detection of non-defective chips by effectively utilizing the position information of the edge portion. .

(発明の開示) 本発明に係るウエハーチツプの検出装置にあつ
ては、添付図面に示すように、ウエハーチツプ3
の画像を得る撮像部1と、撮像部1にて得られた
ウエハーチツプ3の画像から良品のウエハーチツ
プ3の検出を行う良品チツプ検出部2とを有する
ウエハーチツプ3の検出装置であつて、良品チツ
プ検出部2は、検出対象とするウエハーチツプ3
の品種毎に予め設定されたウインドウ5を基準と
して決定された測定点に従つて、各ウエハーチツ
プ3のエツジ部分を探索し、探索されたエツジ部
分の位置に基づいて各ウエハーチツプ3の外形形
状を測定して良否の判定を行う外形形状判定部2
1と、外形形状が良品であると判定されたウエハ
ーチツプ3について、前記探索されたエツジ部分
の位置又は前記測定された外形形状を基準として
探索範囲を生成してウエハーチツプ3の中心部を
探索し、電気特性の不良を示すバツドマーク4の
有無を判定するバツドマーク判定部22と、外形
形状及び電気特性が良品であるウエハーチツプ3
の位置検出を前記エツジ部分の位置を基準として
行う位置検出部23とを備えて成るものである。
(Disclosure of the Invention) In the wafer chip detection device according to the present invention, as shown in the attached drawings, a wafer chip 3
A detection device for a wafer chip 3 has an imaging section 1 that obtains an image of the wafer chip 3, and a non-defective chip detection section 2 that detects a non-defective wafer chip 3 from the image of the wafer chip 3 obtained by the imaging section 1. The good chip detection unit 2 detects a wafer chip 3 to be detected.
The edge portion of each wafer chip 3 is searched according to the measurement point determined based on the window 5 set in advance for each product type, and the external shape of each wafer chip 3 is determined based on the position of the searched edge portion. External shape determination section 2 that measures and determines pass/fail
1, and for the wafer chip 3 whose external shape is determined to be good, a search range is generated based on the position of the searched edge portion or the measured external shape, and the center of the wafer chip 3 is searched. The wafer chip 3 includes a butt mark determination unit 22 that determines the presence or absence of a butt mark 4 indicating defective electrical properties, and a wafer chip 3 whose external shape and electrical properties are good.
and a position detecting section 23 that detects the position of the edge portion with reference to the position of the edge portion.

第2図は撮像部1の概略構成を示す図である。
撮像部1においては、大きさの異なる多品種のウ
エハーチツプ3に対して、その視野範囲を自由に
切り換えるために、2カメラ切換方式による自動
倍率調整機構を採用している。この自動倍率調整
機構は、1つのズーム調整機構10による倍率調
整部を有する対物レンズ11と、各々倍率の異な
るリレーレンズ12,13を介して接眼側に接続
された2台のカメラ14,15よりなり、前記ズ
ーム調整機構10を別途設けられた倍率調整用の
モータ16により駆動して、このモータ16の制
御と、カメラ14,15の切換制御を同一のコン
トローラにより行うようにしている。これによ
り、単一のカメラでの倍率調整ではカバーできな
かつた最大400倍の面積比に及ぶウエハーチツプ
3を同一の検出系で、カメラ14,15の切換、
または、ズーム調整機構10の倍率調整を行うこ
とにより検出を可能とした。第3図は、高倍側の
カメラと低倍側のカメラとがカバーする視野範囲
を示しており、カメラを切り換えることにより、
撮像部1の有効視野範囲が拡大することを示して
いる。この撮像部1を使用するに際しては、予め
複数個のウエハーチツプ3が検出視野内に入るよ
うに検出視野及び検出系の倍率等を簡単な対話式
のプログラムにより設定するようにしている。
FIG. 2 is a diagram showing a schematic configuration of the imaging section 1. As shown in FIG.
The imaging unit 1 employs an automatic magnification adjustment mechanism based on a two-camera switching system in order to freely switch the field of view for various types of wafer chips 3 of different sizes. This automatic magnification adjustment mechanism consists of an objective lens 11 having a magnification adjustment section by one zoom adjustment mechanism 10, and two cameras 14, 15 connected to the eyepiece side via relay lenses 12, 13, each having a different magnification. The zoom adjustment mechanism 10 is driven by a separately provided magnification adjustment motor 16, and the control of this motor 16 and the switching control of the cameras 14 and 15 are performed by the same controller. This allows the switching of cameras 14 and 15 with the same detection system to cover the wafer chip 3, which has an area ratio of up to 400 times, which could not be covered by adjusting the magnification of a single camera.
Alternatively, detection was made possible by adjusting the magnification of the zoom adjustment mechanism 10. Figure 3 shows the field of view covered by the high-magnification camera and the low-magnification camera, and by switching the cameras, you can
This shows that the effective visual field range of the imaging unit 1 is expanded. When using this imaging section 1, the detection field of view, the magnification of the detection system, etc. are set in advance using a simple interactive program so that a plurality of wafer chips 3 are included in the detection field of view.

次に、撮像部1にて得られたウエハーチツプ3
の画像から良否判定を行う。ウエハーチツプ3
は、透明フイルム上に貼り付けられた円形のシリ
コンウエハーに半導体部品の回路パターンが形成
され、各ウエハーチツプ3毎にその電気特性が試
験され、不良のウエハーチツプ3の中心部にはバ
ツドマーク4が付される。その後、各ウエハーチ
ツプ3に切断され、第6図に示すように、引き延
ばされる。ウエハーチツプ3の不良としては、割
れ(第7図b)、欠け(第7図c)等の外形形状
の不良の他、先に述べたバツドマーク4の付いた
もの(第7図d)等がある。良否判定に際して
は、これらの不良のウエハーチツプ3を除去し
て、第7図aに示すような外形形状及び電気特性
共に不良のないウエハーチツプ3のみを選別する
必要がある。
Next, the wafer chips 3 obtained in the imaging section 1 are
A pass/fail judgment is made from the image. wafer chip 3
In this process, a circuit pattern of a semiconductor component is formed on a circular silicon wafer pasted on a transparent film, and the electrical characteristics of each wafer chip 3 are tested. will be attached. Thereafter, each wafer chip 3 is cut and stretched as shown in FIG. Defective wafer chips 3 include defects in external shape such as cracks (Fig. 7b) and chips (Fig. 7c), as well as those with the aforementioned butt marks 4 (Fig. 7d). be. When making a pass/fail judgment, it is necessary to remove these defective wafer chips 3 and select only wafer chips 3 that are free from defects in both external shape and electrical characteristics as shown in FIG. 7a.

まず、外形形状の不良を検出するために、外形
形状判定部21においては、第4図に示すよう
に、検出対象とするウエハーチツプ3の大小、及
び、形状に合わせて、品種毎に予め教示・設定さ
れているウインドウ5を基準にしてウインドウ5
内の複数個のウエハーチツプ3のエツジ部分を探
索する測定点を定め、各ウエハーチツプ3のエツ
ジ部分を探索する。これによつて、各ウエハーチ
ツプ3の外形形状を測定して、割れや欠け等の外
形形状の不良の有無を判定する。なお、第4図に
おいて、白丸を付した部分は測定開始点を示して
おり、矢印は探索方向を示している。測定開始点
は図示された個数よりも多くても良く、測定開始
点の個数が多いほどエツジ部分の形状を正確に知
ることができるが、第7図b,cに示すような形
状不良を検出するには、第4図に例示するもので
充分である。
First, in order to detect defects in the external shape, the external shape determining section 21 is instructed in advance for each product type according to the size and shape of the wafer chip 3 to be detected, as shown in FIG. - Window 5 based on the set window 5
Measurement points for searching the edge portions of a plurality of wafer chips 3 within the wafer chips 3 are determined, and the edge portions of each wafer chip 3 are searched. As a result, the external shape of each wafer chip 3 is measured, and the presence or absence of defects in the external shape such as cracks and chips is determined. In FIG. 4, the white circle indicates the measurement starting point, and the arrow indicates the search direction. The number of measurement starting points may be greater than the number shown in the figure, and the larger the number of measurement starting points, the more accurately the shape of the edge part can be known, but shape defects such as those shown in Figure 7 b and c can be detected. For this purpose, the example shown in FIG. 4 is sufficient.

次に、バツドマーク判定部22では、外形形状
が良品であると判定されたウエハーチツプ3につ
いて、その外形形状を基準として(換言すればエ
ツジ部分の位置を基準として)ウエハーチツプ3
の中心部を改めて探索し、第5図に示すように、
バツドマーク4の有無を判定する。バツドマーク
4はウエハーチツプ3の中心部に設けられるもの
であるので、第5図の斜線を付した範囲内のみを
探索すれば良く、この範囲内にバツドマーク4が
あれば、電気特性が不良であると判定し、この範
囲内にバツドマーク4がなければ、電気特性が不
良ではないと判定する。
Next, the butt mark determination unit 22 determines whether the wafer chip 3 has a good external shape or not, based on the external shape (in other words, based on the position of the edge portion).
We searched the center again, and as shown in Figure 5,
The presence or absence of the butt mark 4 is determined. Since the butt mark 4 is provided at the center of the wafer chip 3, it is only necessary to search within the shaded area in FIG. 5, and if the butt mark 4 is within this range, the electrical characteristics are poor. If there is no bud mark 4 within this range, it is determined that the electrical characteristics are not defective.

この測定範囲は、バツドマークの大きさ、位置
等に合わせて任意に設定可能としている。
This measurement range can be arbitrarily set according to the size, position, etc. of the butt mark.

さらに、位置検出部23においては、外形形状
及び電気特性が良品であると判定されたウエハー
チツプ3の位置検出を行う。ダイボンダー等にお
いては、この位置検出情報を用いてウエハーチツ
プ3を実装する。ウエハーチツプ3の位置検出
は、エツジ部分を基準として行う。本装置にあつ
ては、このようにウエハーチツプ3のエツジ部分
を基準として、ウエハーチツプ3の外形形状や位
置情報を得るようにしているので、ウエハーチツ
プ3の内部の回路パターンによる影響を受けにく
く、且つ、一度に複数個のウエハーチツプ3を短
時間で認識することができる。また、多品種のウ
エハーチツプ3に対応するためには、各ウエハー
チツプ3に対して検出視野範囲の設定等の簡単な
教示・設定を行うだけで良く、品種切り換えに際
しても複数品種分のデータを予め登録しておくこ
とで瞬時に切り換えを行うことができ、多品種の
ウエハーチツプ3をダイボンダー等により同時実
装を行う際に必要とされるウエハーチツプ3の良
否判定と位置情報検出とを容易に行うことができ
るものである。
Furthermore, the position detecting section 23 detects the position of the wafer chip 3 whose external shape and electrical characteristics are determined to be good. A die bonder or the like uses this position detection information to mount the wafer chip 3. The position of the wafer chip 3 is detected using the edge portion as a reference. Since this device obtains the external shape and position information of the wafer chip 3 using the edge portion of the wafer chip 3 as a reference, it is less susceptible to the influence of the internal circuit pattern of the wafer chip 3. , and a plurality of wafer chips 3 can be recognized at once in a short time. In addition, in order to handle many types of wafer chips 3, it is only necessary to perform simple teaching and settings such as setting the detection field of view for each wafer chip 3, and even when changing types, data for multiple types can be used. By registering in advance, switching can be performed instantaneously, and it is easy to judge the quality of wafer chips 3 and detect position information, which are required when mounting various types of wafer chips 3 at the same time using a die bonder, etc. It is something that can be done.

(発明の効果) 以上のように本発明にあつては、ウエハーチツ
プの画像を得る撮像部を備え、撮像部にて得られ
たウエハーチツプの画像について、検出対象とす
るウエハーチツプの品種毎に予め設定されたウイ
ンドウを基準としてウエハーチツプのエツジ部分
の探索を行うようにしたので、事前にウエハーチ
ツプの位置合わせを精度良く行わなくても、探索
されたエツジ部分の位置情報に基づいて外形形状
の良否判定を容易に行うことができる。また、ウ
エハーチツプのエツジ部分の位置あるいはウエハ
ーチツプの外形形状に基づいて、バツドマークの
探索範囲を生成することによりバツドマークの有
無検出をも容易に行うことができる。さらにま
た、ここで得られたエツジ部分の位置情報を有効
に利用して良品の位置検出をも容易に行うことが
できる。
(Effects of the Invention) As described above, the present invention is equipped with an imaging unit that obtains images of wafer chips, and the images of wafer chips obtained by the imaging unit are classified for each type of wafer chip to be detected. Since the edge part of the wafer chip is searched using a preset window as a reference, the external shape can be calculated based on the position information of the searched edge part without having to align the wafer chip with high accuracy in advance. It is possible to easily judge the quality of the product. Furthermore, the presence or absence of a butt mark can be easily detected by generating a search range for the butt mark based on the position of the edge portion of the wafer chip or the external shape of the wafer chip. Furthermore, the position information of the edge portion obtained here can be effectively used to easily detect the position of a non-defective product.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の基本構成を示すクレーム対応
ブロツク図、第2図は本発明の一実施例に用いる
撮像部を示す概略構成図、第3図は同上の有効視
野範囲を示す説明図、第4図は同上の実施例に用
いるエツジ部分探索方法を示す説明図、第5図は
同上の実施例に用いるバツドマークの検出例を示
す説明図、第6図は同上の実施例における検出対
象となるウエハーチツプの平面図、第7図aは良
品のウエハーチツプを示す平面図、第7図b乃至
dは不良のウエハーチツプを示す平面図である。 1は撮像部、2は良品チツプ検出部、3はウエ
ハーチツプ、4はバツドマーク、5はウインド
ウ、21は外形形状判定部、22はバツドマーク
判定部、23は位置検出部である。
FIG. 1 is a block diagram corresponding to claims showing the basic configuration of the present invention, FIG. 2 is a schematic configuration diagram showing an imaging unit used in an embodiment of the present invention, and FIG. 3 is an explanatory diagram showing the effective field of view range of the same. Fig. 4 is an explanatory diagram showing an edge portion search method used in the above embodiment, Fig. 5 is an explanatory diagram showing an example of detecting a butt mark used in the above embodiment, and Fig. 6 is an explanatory diagram showing the detection target in the above embodiment. FIG. 7a is a plan view showing a good wafer chip, and FIGS. 7b to 7d are plan views showing defective wafer chips. 1 is an imaging section, 2 is a good chip detection section, 3 is a wafer chip, 4 is a butt mark, 5 is a window, 21 is an external shape determination section, 22 is a butt mark determination section, and 23 is a position detection section.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 ウエハーチツプの画像を得る撮像部と、撮像
部にて得られたウエハーチツプの画像から良品の
ウエハーチツプの検出を行う良品チツプ検出部と
を有するウエハーチツプの検出装置であつて、良
品チツプ検出部は、検出対象とするウエハーチツ
プの品種毎に予め設定されたウインドウを基準と
して決定された測定点に従つて、各ウエハーチツ
プのエツジ部分を探索し、探索されたエツジ部分
の位置に基づいて各ウエハーチツプの外形形状を
測定して良否の判定を行う外形形状判定部と、外
形形状が良品であると判定されたウエハーチツプ
について、前記探索されたエツジ部分の位置又は
前記測定された外形形状を基準として探索範囲を
生成してウエハーチツプの中心部を探索し、電気
特性の不良を示すバツドマークの有無を判定する
バツドマーク判定部と、外形形状及び電気特性が
良品であるウエハーチツプの位置検出を前記エツ
ジ部分の位置を基準として行う位置検出部とを備
えて成ることを特徴とするウエハーチツプの検出
装置。 2 前記撮像部は、倍率調整機構を備え、複数個
のウエハーチツプを同時に1つの撮像エリア内に
取り込んで、各ウエハーチツプの画像を得るよう
に構成されていることを特徴とする特許請求の範
囲第1項に記載のウエハーチツプの検出装置。
[Scope of Claims] 1. A wafer chip detection device comprising: an imaging unit that obtains an image of a wafer chip; and a non-defective chip detection unit that detects a non-defective wafer chip from the image of the wafer chip obtained by the imaging unit. The non-defective chip detection unit searches the edge portion of each wafer chip according to measurement points determined based on a preset window for each type of wafer chip to be detected, and detects the detected edge. An external shape determination section that measures the external shape of each wafer chip based on the position of the portion and determines whether the chip is good or bad; a butt mark determination unit that generates a search range based on the measured external shape and searches for the center of the wafer chip, and determines the presence or absence of a butt mark indicating defective electrical characteristics; 1. A wafer chip detection device comprising: a position detection unit that detects the position of the wafer chip with reference to the position of the edge portion. 2. Claims characterized in that the imaging unit includes a magnification adjustment mechanism and is configured to capture a plurality of wafer chips into one imaging area at the same time to obtain an image of each wafer chip. The wafer chip detection device according to item 1.
JP18827486A 1986-08-11 1986-08-11 Wafer chip detector Granted JPS6344735A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18827486A JPS6344735A (en) 1986-08-11 1986-08-11 Wafer chip detector

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP18827486A JPS6344735A (en) 1986-08-11 1986-08-11 Wafer chip detector

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6344735A JPS6344735A (en) 1988-02-25
JPH0569302B2 true JPH0569302B2 (en) 1993-09-30

Family

ID=16220793

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP18827486A Granted JPS6344735A (en) 1986-08-11 1986-08-11 Wafer chip detector

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS6344735A (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5516953A (en) * 1994-03-08 1996-05-14 E. I. Du Pont De Nemours And Company Process for the preparation of optically active cycloolefins
JP2003031601A (en) * 2001-07-19 2003-01-31 Sony Corp Electronic component mounting device

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6010746A (en) * 1983-06-30 1985-01-19 Nec Home Electronics Ltd Inspection of pellet external form
JPS60108914A (en) * 1983-11-17 1985-06-14 Nec Corp Method and apparatus for detecting pellet position
JPS61129839A (en) * 1984-11-28 1986-06-17 Toshiba Corp Defective mark recognition method for semiconductor pellet

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6010746A (en) * 1983-06-30 1985-01-19 Nec Home Electronics Ltd Inspection of pellet external form
JPS60108914A (en) * 1983-11-17 1985-06-14 Nec Corp Method and apparatus for detecting pellet position
JPS61129839A (en) * 1984-11-28 1986-06-17 Toshiba Corp Defective mark recognition method for semiconductor pellet

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6344735A (en) 1988-02-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4468696B2 (en) Semiconductor wafer inspection equipment
US5298963A (en) Apparatus for inspecting the surface of materials
JP2622573B2 (en) Mark detection apparatus and method
JP2000068361A (en) Semiconductor manufacturing equipment and determination of alignment condition of wafer
JPH0671038B2 (en) Crystal defect recognition processing method
JPH04107946A (en) Automatic visual inspector
US6646735B2 (en) Surface inspection apparatus and surface inspection method
KR20160052198A (en) Method of obtaining location information of dies
TW200839916A (en) Polarization imaging
JP2000009655A (en) Visual inspection device
JP4111613B2 (en) Semiconductor inspection method and apparatus
US8094926B2 (en) Ultrafine pattern discrimination using transmitted/reflected workpiece images for use in lithography inspection system
JP5060821B2 (en) Substrate inspection apparatus and substrate inspection method
JPH0569302B2 (en)
IL120656A (en) Apparatus for analyzing cuts
KR101963110B1 (en) Apparatus and method for cutting a wafer that is substantially covered by an opaque material
CN114299049A (en) Detection method and device, electronic equipment and storage medium
JP2011151165A (en) Wafer inspection device, and wafer inspection method
JPH06308040A (en) Foreign matter inspection device
JP3676987B2 (en) Appearance inspection apparatus and appearance inspection method
JPS60120519A (en) Photomask automatic defect inspection device
JPH06174441A (en) Shape inspection method and device
JP2003059991A (en) Visual inspection system and visual inspection method
JPH02150705A (en) Linear object inspecting device
JPH0737910A (en) Die bond recognition apparatus