JPH0568130A - Contact type image sensor - Google Patents
Contact type image sensorInfo
- Publication number
- JPH0568130A JPH0568130A JP25277891A JP25277891A JPH0568130A JP H0568130 A JPH0568130 A JP H0568130A JP 25277891 A JP25277891 A JP 25277891A JP 25277891 A JP25277891 A JP 25277891A JP H0568130 A JPH0568130 A JP H0568130A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- image sensor
- type image
- originals
- light receiving
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はファクシミリやスキャナ
等に用いられるいわゆる密着型イメ−ジセンサに係り、
特に、同時に２つの原稿を読取り可能にした密着型イメ
−ジセンサの構造に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a so-called contact-type image sensor used in facsimiles, scanners and the like,
In particular, the present invention relates to the structure of a contact type image sensor capable of reading two originals at the same time.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、ファクシミリやスキャナ等に使用
されるいわゆる密着型イメ−ジセンサとしては、複数の
受光素子を原稿幅長にかつ直線状に配置してなるものが
既に公知となっている（特開昭５８−５６３６３号公報
参照）。図７には、このような密着型イメ−ジセンサを
用いた原稿読取装置の概略構成の一例が示されており、
同図を参照しながらその動作を概略的に説明すれば、原
稿３０の下面（図７において紙面下方向）側には光源３
１が設けられており、この光源３１によって原稿３０が
照射され、その反射光（図７において点線で表示）は、
集束性ロットレンズアレイ３２によって、密着型イメ−
ジセンサ３３の長手軸方向（図７において紙面表裏方
向）において密着型イメ−ジセンサ３３を構成する各受
光素子３４へ導かれることにより、原稿３０の読取りが
行われるようになっている。2. Description of the Related Art Heretofore, as a so-called contact type image sensor used in a facsimile, a scanner or the like, one in which a plurality of light receiving elements are arranged linearly in a document width length has been already known ( (See JP-A-58-56363). FIG. 7 shows an example of a schematic configuration of a document reading apparatus using such a contact type image sensor.
The operation will be described in brief with reference to the figure. The light source 3 is provided on the lower surface side (downward direction in FIG. 7) of the original 30.
1 is provided, the original 30 is illuminated by this light source 31, and the reflected light (shown by the dotted line in FIG. 7) is
By the focusing lot lens array 32, a contact type image
The original 30 is read by being guided to the respective light receiving elements 34 constituting the contact-type image sensor 33 in the longitudinal axis direction of the image sensor 33 (the front-back direction of the paper surface in FIG. 7).
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】上記構造のイメ−ジセ
ンサにおいては、一面に受光素子が配されているだけの
ものであるので、当然のことながら一度に読み取ること
のできる原稿は、一枚だけである。したがって、数多く
の原稿がある場合、前記イメ−ジセンサを用いた原稿読
取装置においては、これら複数の原稿を一枚づつ読み取
りを行う外なく、このため原稿読取の作業の効率が悪い
という問題があった。In the image sensor having the above structure, since the light receiving element is arranged on only one surface, it is natural that only one original can be read at a time. Is. Therefore, when there are many originals, in the original reading apparatus using the image sensor, it is necessary to read the plurality of originals one by one, which causes a problem that the efficiency of the original reading is low. It was
【０００４】本発明は上記実情に鑑みてなされたもの
で、同時に複数の原稿の読取りが可能な密着型イメ−ジ
センサを提供することを目的とするものである。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to provide a contact type image sensor capable of simultaneously reading a plurality of originals.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め本発明に係る密着型イメ−ジセンサは、発光素子をそ
の光の射出方向において２つの受光素子で挟持してなる
ものである。In order to solve the above problems, the contact type image sensor according to the present invention comprises a light emitting element sandwiched between two light receiving elements in the light emitting direction.
【０００６】[0006]
【作用】本発明によれば、一つの発光素子から二方向に
出た光は、この発光素子を挟むようにして設けられた受
光素子の近傍に、それぞれおかれた原稿に入射し、その
原稿からの反射光を、上述の発光素子を挟むように設け
られた受光素子でそれぞれ補足するように作用するの
で、内容の異なる２枚の原稿を同時に読み取ることがで
きるものである。According to the present invention, light emitted from one light emitting element in two directions is incident on a document placed in the vicinity of a light receiving element provided so as to sandwich the light emitting element, and the light from the document is emitted. Since the reflected light is complemented by the light receiving elements provided so as to sandwich the light emitting element, the two originals having different contents can be read at the same time.
【０００７】[0007]
【実施例】以下、本発明に係る密着型イメ−ジセンサの
第１の実施例について図１乃至図３を参照しながら説明
する。ここで、図１は本発明に係る密着型イメ−ジセン
サの平面概略図、図２は図１のＡ−Ａ線断面図、図３は
図１のＢ−Ｂ線断面図である。この密着型イメ−ジセン
サは、ガラス等の透光性部材からなる絶縁基板１上に、
薄膜ＥＬ素子２と、この薄膜ＥＬ素子２の光の射出方向
（図１において紙面上下方向）において、上下に積層さ
れた第１及び第２受光素子アレイ３，４と、薄膜ＥＬ素
子２と第１及び第２受光素子アレイ３，４との間に配さ
れた第１及び第２遮光層５，６と、から構成されてなる
ものである。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the contact type image sensor according to the present invention will be described below with reference to FIGS. Here, FIG. 1 is a schematic plan view of the contact type image sensor according to the present invention, FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG. 1, and FIG. 3 is a sectional view taken along the line BB of FIG. This contact type image sensor has a structure in which an insulating substrate 1 made of a translucent member such as glass
The thin film EL element 2, the first and second light receiving element arrays 3 and 4 which are vertically stacked in the light emission direction of the thin film EL element 2 (vertical direction of the paper in FIG. 1), the thin film EL element 2 and the The first and second light shielding layers 5 and 6 are arranged between the first and second light receiving element arrays 3 and 4.
【０００８】絶縁基板１上には、先ず第１受光素子アレ
イ３が配されている。この第１受光素子アレイ３は、例
えば、横方向（図１において紙面左右方向）に帯状に配
した酸化インジウム・スズ（ＩＴＯ）等の透明電極（図
示せず）と、同じく横方向に画素毎に離散的に配された
クロム（Ｃｒ）等からなる個別電極（図示せず）とで、
アモルファスシリコン等からなる半導体層を上下（図２
において紙面上下方向）に積層してなる受光素子７を、
図２で言えば紙面左右方向に直線状に複数配すると共
に、これら複数の受光素子７を覆うように、例えば、ポ
リイミドからなる第１透明絶縁層８を形成してなる公知
・周知のものである。尚、第１透明絶縁層８を形成する
部材としては、上述のポリイミドに代えて、例えば、酸
化シリコン（ＳｉＯ2 ）、窒化シリコン（Ｓｉ3 Ｎ4 ）
等であってもよい。本実施例においては、絶縁基板１側
より原稿２２ｂ（図３参照）からの反射光が、上述の第
１受光素子アレイ３へ入射するようになっているので、
この第１受光素子アレイ３を構成する各受光素子７の受
光面Ｐは、絶縁基板１側に配されている（図２参照）。First, the first light receiving element array 3 is arranged on the insulating substrate 1. The first light-receiving element array 3 includes, for example, transparent electrodes (not shown) such as indium tin oxide (ITO) arranged in a strip shape in the horizontal direction (left-right direction on the paper surface in FIG. 1), and each pixel in the horizontal direction. With individual electrodes (not shown) made of chromium (Cr) or the like discretely arranged in
A semiconductor layer made of amorphous silicon or the like is formed above and below (see FIG.
In the vertical direction of the paper),
In FIG. 2, a publicly-known and well-known one is formed by arranging a plurality of linearly in the left-right direction on the paper surface and forming a first transparent insulating layer 8 made of, for example, polyimide so as to cover the plurality of light-receiving elements 7. is there. As the member forming the first transparent insulating layer 8, instead of the above-mentioned polyimide, for example, silicon oxide (SiO 2 ) or silicon nitride (Si 3 N 4 ) is used.
And so on. In the present embodiment, since the reflected light from the original 22b (see FIG. 3) from the insulating substrate 1 side is incident on the first light receiving element array 3 described above,
The light-receiving surface P of each light-receiving element 7 forming the first light-receiving element array 3 is arranged on the insulating substrate 1 side (see FIG. 2).
【０００９】第１遮光層５は、例えば、クロム（Ｃ
ｒ）、アルミニウム（Ａｌ）等の非透光性の金属又は窒
化ゲルマニウム（ＧｅＮｘ）や酸化ゲルマニウム（Ｇｅ
Ｏｘ）等の光吸収性部材からなるもので、複数のスリッ
ト９ａが穿設されており、上述した第１受光素子アレイ
３の上に配されているものである。本実施例における第
１遮光層５におけるスリット９ａは、薄膜ＥＬ素子２か
らの射出光を絶縁基板１側へ出すためのもので、略矩形
状に形成されて、各受光素子７毎に一つずつ図１に示さ
れるように受光素子７に隣接して設けられている。ま
た、後述する第２遮光層６にも、同様にスリット９ｂが
設けられるが、この第１遮光層５のスリット９ａと第２
遮光層６のスリット９ｂとは、本センサの積層方向（図
３おいて紙面上下方向）おいて、同一直線上に位置しな
いように、互いにずれて配置されている（図１及び図３
参照）。The first light shielding layer 5 is made of, for example, chromium (C
r), a non-translucent metal such as aluminum (Al), or germanium nitride (GeNx) or germanium oxide (Ge)
Ox) or the like, which is made of a light-absorbing member, is provided with a plurality of slits 9a, and is arranged on the first light-receiving element array 3 described above. The slit 9a in the first light shielding layer 5 in the present embodiment is for emitting the light emitted from the thin film EL element 2 to the insulating substrate 1 side, and is formed in a substantially rectangular shape, one for each light receiving element 7. Each of them is provided adjacent to the light receiving element 7 as shown in FIG. Similarly, a slit 9b is also provided in the second light-shielding layer 6 which will be described later.
The slits 9b of the light-shielding layer 6 are arranged so as not to be on the same straight line in the stacking direction of the sensor (vertical direction in the drawing of FIG. 3) (see FIGS. 1 and 3).
reference).
【００１０】第１遮光層５の上には、第１透明絶縁層８
と同一の透光性部材からなる第２透明絶縁層１０が積層
され、この第２透明絶縁層１０の上に薄膜ＥＬ素子２が
積層されている。本実施例の薄膜ＥＬ素子２は、公知・
周知のものであるので、ここでは、概略構成を説明する
に止め詳細な説明は省略する。すなわち、この薄膜ＥＬ
素子２は、上述した第２透明絶縁層１０の上に、ＩＴＯ
等の透光部材からなる第１透明電極１１と、ＴａＯ5 、
Ａｌ2 Ｏ3 、Ｓｉ3 Ｎ4 からなる下部透明絶縁層１２
と、ＺｎＳ：Ｍｎ等からなる発光層１３と、下部透明絶
縁層１２と同一の部材からなる上部透明絶縁層１４と、
ＩＴＯ等の透光性部材からなる第２透明電極１５と、を
順次積層してなるものである。そして、この薄膜ＥＬ素
子２は、その積層方向に光を射出するようになってい
る。A first transparent insulating layer 8 is formed on the first light shielding layer 5.
The second transparent insulating layer 10 made of the same translucent member is laminated, and the thin film EL element 2 is laminated on the second transparent insulating layer 10. The thin film EL element 2 of this embodiment is publicly known.
Since this is a well-known one, the detailed configuration will be omitted here only for the purpose of explaining the schematic configuration. That is, this thin film EL
The element 2 includes ITO on the second transparent insulating layer 10 described above.
A first transparent electrode 11 made of a translucent member such as TaO 5 ,
Lower transparent insulating layer 12 made of Al 2 O 3 and Si 3 N 4
A light emitting layer 13 made of ZnS: Mn or the like, and an upper transparent insulating layer 14 made of the same member as the lower transparent insulating layer 12.
The second transparent electrode 15 made of a translucent member such as ITO is sequentially laminated. The thin film EL element 2 emits light in the stacking direction.
【００１１】薄膜ＥＬ素子２の上には、前述した第２透
明絶縁層１０と同一の部材からなる第３透明絶縁層１６
と、第２遮光層６が順次積層されている。ここで、第２
遮光層６は、基本的に前述した第１遮光層５と同一の構
成を有するものであるが、スリット９ｂの位置が、第１
遮光層５のスリット９ａと異なっているものである。そ
して、この第２遮光層６の上には、第２及び第３透明絶
縁層１０，１６と同一の部材からなる第４透明絶縁層１
７が形成されており、さらに、その上に第２受光素子ア
レイ４が積層されている。第２受光素子アレイ４は、基
本的には、第１受光素子アレイ３と同一の構成を有する
もので、直線状に配された複数の受光素子７と、この受
光素子７を覆うように形成された透明絶縁保護層１８と
から構成されているものである。尚、受光素子７の構造
は、第１受光素子アレイ３において、説明したのと同一
であるのでここでの説明は省略する。また、透明絶縁保
護層１８は、第１透明絶縁層８と同様な部材、すなわ
ち、ポリイミド、ＳｉＯ2 等からなるものである。A third transparent insulating layer 16 made of the same material as the second transparent insulating layer 10 described above is formed on the thin film EL element 2.
And the second light shielding layer 6 is sequentially laminated. Where the second
The light-shielding layer 6 has basically the same configuration as the first light-shielding layer 5 described above, but the position of the slit 9b is the first.
It is different from the slit 9a of the light shielding layer 5. Then, on the second light shielding layer 6, the fourth transparent insulating layer 1 made of the same material as the second and third transparent insulating layers 10 and 16 is formed.
7 is formed, and the second light receiving element array 4 is further stacked thereon. The second light receiving element array 4 basically has the same configuration as that of the first light receiving element array 3, and is formed so as to cover a plurality of linearly arranged light receiving elements 7 and the light receiving elements 7. The transparent insulating protective layer 18 is formed. Since the structure of the light receiving element 7 is the same as that described in the first light receiving element array 3, the description thereof is omitted here. The transparent insulating protective layer 18 is made of the same material as the first transparent insulating layer 8, that is, polyimide, SiO 2, or the like.
【００１２】次に、上記構成における本センサの動作
を、図４に示された本センサを用いた原稿読取装置の動
作概略の説明と併せて説明する。図４に示された画像読
取装置は、本センサＳを挟んで上下（図４において紙面
上下）に原稿載置台としてのプラテンガラス１９ａ，１
９ｂが設けられており、本センサＳは、移動手段２０に
よりこれら２つのプラテンガラス１９ａ，１９ｂの間
で、原稿の長手軸方向（図４において紙面左右方向）に
移動可能になっている。尚、移動手段２０は、図示しな
いが、例えば、２つのプ−リの間にベルトを掛け回して
一方のプ−リをモ−タで駆動し、ベルトを往復動させる
ことにより、このベルトに連結されたセンサを原稿の長
手軸方向、すなわち、副走査方向（図４において白抜き
矢印）に移動させるようにした公知・周知の構成のもの
であればよく、特に、本発明のために特有の構成を必要
とするものではない。また、図４において、本センサＳ
は、長手軸方向、すなわち、主走査方向が紙面表裏方向
に一致して配置されている。さらに、下側（図４におい
て本センサの下側）のプラテンガラス１９ａの近傍には
原稿を押えるための押さ板２１が図示しない装置ハウジ
ングに固着されて、プラテンガラス１９ｂと略平行する
ように設けられており、プラテンガラス１９ｂと押え板
２１との間に原稿２２ｂが保持されるようになってい
る。Next, the operation of the present sensor having the above-mentioned structure will be described together with the outline of the operation of the document reading apparatus using the present sensor shown in FIG. The image reading apparatus shown in FIG. 4 has platen glasses 19a, 1a as a document placing table above and below (top and bottom of the drawing in FIG. 4) sandwiching the sensor S.
9b is provided, and the sensor S can be moved between the two platen glasses 19a and 19b by the moving means 20 in the longitudinal axis direction of the document (the left-right direction on the paper surface in FIG. 4). Although not shown in the figure, the moving means 20 is configured such that a belt is hung between two pulleys, one pulley is driven by a motor, and the belt is reciprocated to move the belt. Any known or well-known configuration may be used so that the coupled sensor is moved in the longitudinal axis direction of the document, that is, in the sub-scanning direction (white arrow in FIG. 4). It does not require the configuration of. In addition, in FIG.
Are arranged so that the longitudinal axis direction, that is, the main scanning direction coincides with the front-back direction of the paper surface. Further, a pressing plate 21 for pressing an original is fixed to a device housing (not shown) in the vicinity of the lower platen glass 19a (lower side of the sensor in FIG. 4) so as to be substantially parallel to the platen glass 19b. The original 22b is held between the platen glass 19b and the pressing plate 21.
【００１３】しかして、図示しない始動スイッチが投入
されると、薄膜ＥＬ素子２が発光し、例えば、図３に示
されるように下方向（図３において紙面下方向）に射出
された光は、スリット９ａを通過し、プラテンガラス１
９ｂを介して原稿２２ｂへ入射する。そして、原稿２２
ｂからの反射光は、第１受光素子アレイ３に入射して画
象信号として出力されることとなる。薄膜ＥＬ素子２か
ら上方向へ射出された光についても、第２遮光層６のス
リット９ａを通過して、上述の場合同様に原稿２２ａを
照射し、反射光が第２受光素子アレイ４に入射するよう
になっている。このようにして、主走査方向における原
稿２２ａ，２２ｂの読取りが完了すると、センサＳは図
４に示される始動位置から副走査方向において、図４で
言えば、左方向へ、移動手段２０により一ライン分だけ
移動されて、前述と同様にして、原稿２２ａ，２２ｂの
新たな一ライン分の読取りが行なわれることとなる。そ
して、以下同様な動作が繰り返されて原稿２２ａ，２２
ｂ全体の読取りが完了する。When a start switch (not shown) is turned on, the thin film EL element 2 emits light, and, for example, the light emitted downward (downward in FIG. 3) as shown in FIG. After passing through the slit 9a, the platen glass 1
The light enters the original 22b via 9b. Then, the manuscript 22
The reflected light from b enters the first light receiving element array 3 and is output as an image signal. The light emitted upward from the thin film EL element 2 also passes through the slit 9a of the second light shielding layer 6 and irradiates the original 22a in the same manner as described above, and the reflected light is incident on the second light receiving element array 4. It is supposed to do. In this way, when the reading of the originals 22a and 22b in the main scanning direction is completed, the sensor S is moved by the moving means 20 from the starting position shown in FIG. 4 to the left in the sub scanning direction in FIG. The line is moved by the line, and a new line of the originals 22a and 22b is read in the same manner as described above. Then, the same operation is repeated thereafter, and the originals 22a, 22
Reading of the entire b is completed.
【００１４】このように、この第１の実施例において
は、薄膜ＥＬ素子２の２つの発光面側に、それぞれ、受
光素子アレイ３，４を配し、しかも薄膜ＥＬ素子２と第
１及び第２受光素子アレイ３，４との間には、薄膜ＥＬ
素子２の射出光を外部へ導くスリット９ａ，９ｂが形成
された遮光層５，６を設けたので、薄膜ＥＬ素子２から
射出された光が、直接受光素子７に入射することなく、
原稿を照射することができ、しかも同時に２枚の原稿の
読取りを行うことができ、多量の原稿読取りを短時間で
処理することができ、その上、原稿を照射する光源を別
個に必要とせず、画像読取装置の構成が簡素になるもの
である。As described above, in the first embodiment, the light receiving element arrays 3 and 4 are arranged on the two light emitting surface sides of the thin film EL element 2, respectively, and the thin film EL element 2 and the first and first thin film EL elements 2 are arranged. 2 A thin film EL is provided between the light receiving element arrays 3 and 4.
Since the light shielding layers 5 and 6 in which the slits 9a and 9b for guiding the light emitted from the element 2 are formed are provided, the light emitted from the thin film EL element 2 does not directly enter the light receiving element 7,
It is possible to irradiate an original, and it is possible to read two originals at the same time, a large amount of originals can be read in a short time, and a separate light source for irradiating the original is not required. The configuration of the image reading device is simplified.
【００１５】図５及び図６には、第２の実施例に係る密
着型イメ−ジセンサの一例が示されており、以下、同図
を参照しつつ第２の実施例について説明する。ここで、
図５は第２の実施例に係る密着型イメ−ジセンサの縦断
面図、図６は図５のＣ−Ｃ線断面図である。尚、図１及
び図２において説明した第１の実施例と同一の構成要素
については同一符号を付してその説明を省略し、以下、
異なる点を中心に説明する。この第２の実施例に係る密
着型イメ−ジセンサは、第１の実施例に係る密着型イメ
−ジセンサが絶縁基板１の一方の面上に構成したもので
あるのに対して、絶縁基板１の両面を用いて構成されて
いる点が異なっているものである。すなわち、この第２
の実施例に係る密着型イメ−ジセンサは、絶縁基板１の
一方の面（図５において絶縁基板１の下側）に、第１受
光素子アレイ３ａを配し、他方の面（図５において絶縁
基板１の上側）に薄膜ＥＬ素子２、第２受光素子アレイ
４等の第１の実施例と基本的に同一構成要素が積層され
てなるものである。そして、第１受光素子アレイ３ａの
各受光素子７は、絶縁基板１に接合している面と対向す
る面Ｐを受光面として、基本的には、図２及び図３で説
明したと同様に原稿からの反射光を受光する。尚、この
第２の実施例に係る密着型イメ−ジセンサの動作は、第
１の実施例に係る密着型イメ−ジセンサと基本的に同一
であるので、ここでの詳細な説明は省略する。FIG. 5 and FIG. 6 show an example of the contact type image sensor according to the second embodiment, and the second embodiment will be described below with reference to the drawings. here,
5 is a vertical sectional view of the contact type image sensor according to the second embodiment, and FIG. 6 is a sectional view taken along the line CC of FIG. The same components as those of the first embodiment described with reference to FIGS. 1 and 2 are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted.
The different points will be mainly described. In the contact type image sensor according to the second embodiment, the contact type image sensor according to the first embodiment is formed on one surface of the insulating substrate 1, while the insulating substrate 1 is used. The difference is that it is configured by using both sides of. That is, this second
In the contact-type image sensor according to the embodiment, the first light receiving element array 3a is arranged on one surface of the insulating substrate 1 (the lower side of the insulating substrate 1 in FIG. 5) and the other surface (insulating in FIG. 5). Basically, the same components as those of the first embodiment, such as the thin film EL element 2 and the second light receiving element array 4, are laminated on the upper side of the substrate 1). Then, each light receiving element 7 of the first light receiving element array 3a basically uses the surface P facing the surface bonded to the insulating substrate 1 as a light receiving surface, basically the same as described with reference to FIGS. 2 and 3. Receives light reflected from the original. Since the operation of the contact type image sensor according to the second embodiment is basically the same as that of the contact type image sensor according to the first embodiment, detailed description thereof will be omitted here.
【００１６】[0016]
【発明の効果】本発明によれば、発光素子を受光素子で
挟持するように構成することにより、一つの発光素子で
同時に２枚の原稿を照射して、その２枚の原稿からの反
射光を発光素子の両面にそれぞれ設けられた受光素子に
よってそれぞれ受光できるようにしたので、同時に２枚
の原稿の読取りを行うことができ、大量の原稿の読取り
を短時間で処理することができ、原稿読取り作業の効率
化を図れ、しかも、原稿照射用の光源は、従来と異なり
受光素子と別個に設ける必要がなく、その上、一つの発
光素子で済むので、画像読取装置の構成が簡素になると
共に小型化が容易となり、そのため、廉価な価格の装置
を提供することができるという種々の顕著な効果を奏す
るものである。According to the present invention, the light emitting element is sandwiched between the light receiving elements, so that one light emitting element irradiates two originals at the same time, and the reflected light from the two originals is reflected. Since the light receiving elements provided on both sides of the light emitting element can receive light respectively, two originals can be read at the same time, and a large amount of originals can be read in a short time. The efficiency of the reading work can be improved, and the light source for illuminating the original does not need to be provided separately from the light receiving element unlike the prior art, and since only one light emitting element is required, the structure of the image reading apparatus can be simplified. At the same time, miniaturization is facilitated, so that various remarkable effects can be obtained that an inexpensive device can be provided.
【図１】 本発明に係る密着型イメ−ジセンサの第１の
実施例における平面図である。FIG. 1 is a plan view of a contact type image sensor according to a first embodiment of the present invention.
【図２】 図１のＡ−Ａ線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.
【図３】 図１のＢ−Ｂ線断面図である。FIG. 3 is a sectional view taken along line BB of FIG.
【図４】 本発明に係る密着型イメ−ジッセンサを用い
た画像読取装置の主要部の概略構成を説明する説明縦断
面図である。FIG. 4 is an explanatory vertical cross-sectional view illustrating a schematic configuration of a main part of an image reading apparatus using a contact-type image sensor according to the present invention.
【図５】 本発明の係る密着型イメ−ジセンサの第２の
実施例を示す縦断面図である。FIG. 5 is a vertical sectional view showing a second embodiment of the contact type image sensor according to the present invention.
【図６】 図５のＣ−Ｃ線断面図である。6 is a cross-sectional view taken along the line CC of FIG.
【図７】 従来の画像読取装置の概略構成を説明する説
明図。FIG. 7 is an explanatory diagram illustrating a schematic configuration of a conventional image reading apparatus.
１…絶縁基板、 ２…薄膜ＥＬ素子、 ３…第１受光素
子アレイ、 ４…第２受光素子アレイ、 ５…第１遮光
層、 ６…第２遮光層、 ９ａ，９ｂ…スリット、 １
３…発光素子DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Insulating substrate, 2 ... Thin film EL element, 3 ... 1st light receiving element array, 4 ... 2nd light receiving element array, 5 ... 1st light shielding layer, 6 ... 2nd light shielding layer, 9a, 9b ... Slit, 1
3 ... Light emitting element
Claims (1)
つの受光素子で挟持したことを特徴とする密着型イメ−
ジセンサ。1. A light emitting device is provided with a light emitting element 2 in the light emitting direction.
Adhesion type imager characterized by being sandwiched by two light receiving elements
Ji sensor.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25277891A JPH0568130A (en) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | Contact type image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP25277891A JPH0568130A (en) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | Contact type image sensor |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0568130A true JPH0568130A (en) | 1993-03-19 |
Family
ID=17242153
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP25277891A Pending JPH0568130A (en) | 1991-09-05 | 1991-09-05 | Contact type image sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0568130A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7148673B2 (en) | 2002-10-25 | 2006-12-12 | Marvell World Trade Ltd. | Method and apparatus including low loss DC/DC converter |
| JP2013110400A (en) * | 2011-10-28 | 2013-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Imaging device |
-
1991
- 1991-09-05 JP JP25277891A patent/JPH0568130A/en active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7148673B2 (en) | 2002-10-25 | 2006-12-12 | Marvell World Trade Ltd. | Method and apparatus including low loss DC/DC converter |
| US7161342B2 (en) | 2002-10-25 | 2007-01-09 | Marvell World Trade Ltd. | Low loss DC/DC converter |
| US7271573B2 (en) | 2002-10-25 | 2007-09-18 | Marvell World Trade Ltd. | Low loss DC/DC converter including a multi-level controller that applies a monotonic sequence of voltage levels |
| JP2013110400A (en) * | 2011-10-28 | 2013-06-06 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | Imaging device |
| US8847245B2 (en) | 2011-10-28 | 2014-09-30 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device including light-emitting element and light receiving element |
| US9728589B2 (en) | 2011-10-28 | 2017-08-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Imaging device comprising light-emitting element and light-receiving element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7557967B2 (en) | Image reading apparatus | |
| US4232219A (en) | Photosensor | |
| JP3580876B2 (en) | Document moving / image forming device | |
| JPH03161968A (en) | Photoelectric transducer | |
| JP2005295113A (en) | Image reading unit and image reading apparatus | |
| JPH0568130A (en) | Contact type image sensor | |
| US7864385B2 (en) | Planar light source of scanning apparatus | |
| JPH05191563A (en) | Picture reader | |
| JP3956963B2 (en) | Image reading device | |
| JPH0250566A (en) | N-magnified optical sensor | |
| JPS6276357A (en) | Solid-state image pickup device | |
| JP2001339574A (en) | Image reader | |
| JP2002057853A (en) | Image sensor unit and image reader equipped therewith | |
| JPH083021Y2 (en) | Contact image reader | |
| JP5059327B2 (en) | Illumination device for image reading apparatus | |
| JPH0487453A (en) | Combined type image reader | |
| JP3029656B2 (en) | Image reading device | |
| JPS58215866A (en) | Partial transmission controlling system of facsimile, or the like | |
| JP2658421B2 (en) | Image reading device | |
| Haga et al. | Compact imaging apparatus for a pen-shaped handheld scanner | |
| JPH0710088B2 (en) | Image reader | |
| JPH1023227A (en) | Image reader | |
| JPS62219748A (en) | Contact type image sensor | |
| JPS60182860A (en) | Original reader | |
| JP2511315Y2 (en) | Image sensor with integrated light source |