JPH0566968U - Dry etching equipment - Google Patents
Dry etching equipmentInfo
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- JPH0566968U JPH0566968U JP583592U JP583592U JPH0566968U JP H0566968 U JPH0566968 U JP H0566968U JP 583592 U JP583592 U JP 583592U JP 583592 U JP583592 U JP 583592U JP H0566968 U JPH0566968 U JP H0566968U
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- etching
- cover
- wafer
- dry etching
- sensor
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング速度のウェーハ面内均一性の変動
を抑えることを目的としたエッチング装置。
【構成】 エッチング室内のエッチングカバー3の減り
に対応してカバーが上下し、ウェーハ2とカバー3の表
面との位置関係が常に一定になるように自動的に調整さ
れる。
【効果】 この機構によりカバー3の減り具合にかかわ
らずプラズマの形状が一定となり、エッチング速度のウ
ェーハ面内均一性が変動しない。
(57) [Summary] [Purpose] An etching device intended to suppress fluctuations in the uniformity of the etching rate within the wafer surface. [Structure] The cover is moved up and down in response to the decrease of the etching cover 3 in the etching chamber, and the positional relationship between the wafer 2 and the surface of the cover 3 is automatically adjusted so as to be always constant. [Effect] With this mechanism, the shape of the plasma becomes constant regardless of the degree of decrease of the cover 3, and the in-plane uniformity of the etching rate does not change.
Description
【0001】[0001]
この考案は半導体製造装置に関し、特にドライエッチング装置におけるエッチ ング室内の構造に関する。 The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a structure inside an etching chamber in a dry etching apparatus.
【0002】[0002]
従来、この種のドライエッチング装置は、図2に断面図として示すような構成 をもっており、エッチングに際しては固定ステージ10の所定場所にウェーハ2 を載置して室内を真空に排気し、エッチング用ガスをある一定圧力で流し、高電 圧のRFを電極10に印加しプラズマを発生させ、プラズマ中のイオン・ラジカ ルによりウェーハをエッチングする。エッチング速度はプラズマの状態に大きく 左右されるため、ウェーハのエッチング速度の面内均一性を上げるためには、プ ラズマの形に影響を与えるエッチングチャンバ内部の形状も重要な要因となって いた。 Conventionally, this type of dry etching apparatus has a structure as shown in FIG. 2 as a cross-sectional view. During etching, the wafer 2 is placed at a predetermined position on the fixed stage 10 and the chamber is evacuated to a vacuum for etching gas. Is applied at a certain constant pressure, RF having a high voltage is applied to the electrode 10 to generate plasma, and the wafer is etched by ions and radicals in the plasma. Since the etching rate greatly depends on the plasma state, the shape of the inside of the etching chamber, which affects the shape of the plasma, was also an important factor in increasing the in-plane uniformity of the etching rate of the wafer.
【0003】[0003]
ところで、上記の従来のエッチング装置は、エッチング処理を重ねていくと、 エッチングカバー3が徐々にプラズマによって薄くなっていく。 By the way, in the conventional etching apparatus described above, the etching cover 3 is gradually thinned by the plasma as the etching process is repeated.
【0004】 つまり、ウェーハ2とエッチングカバー3の表面との相対位置が変わっていく 。これによりプラズマの形がカバーが新品のときとへってしまった時で変わり、 このためエッチング速度のウェーハ面内の均一性が変化してしまうという欠点が あった。That is, the relative position between the wafer 2 and the surface of the etching cover 3 changes. As a result, the shape of the plasma changes depending on whether the cover is new or when it is worn down, and this has the drawback that the uniformity of the etching rate within the wafer surface changes.
【0005】[0005]
この考案のエッチング装置は、高さ固定のウェーハステージと、可動式テーブ ルに取り付けられたエッチングカバーを含むエッチングカバーの高さを検出する センサと、決められた位置まで自動的にカバーの位置を補正するコントローラ部 とを含む。 The etching apparatus of this invention has a wafer stage with a fixed height, a sensor for detecting the height of the etching cover including the etching cover attached to a movable table, and the position of the cover automatically set to a predetermined position. And a controller unit for correction.
【0006】 また、逆にエッチングカバーを設置するテーブルの高さを固定とし、ウェーハ ステージを上下調節するものでも良い。Alternatively, the height of the table on which the etching cover is installed may be fixed and the wafer stage may be adjusted up and down.
【0007】[0007]
上記の構成によると、エッチング開始前に決められた位置までカバーを引き上 げ、毎回ウェーハとの位置関係が同じになった状態でエッチングが開始されるた め、ウェーハ面内の均一性が変動することなく安定したエッチングができる。 According to the above configuration, the cover is pulled up to a predetermined position before etching is started, and etching is started each time with the same positional relationship with the wafer. Stable etching can be performed without performing.
【0008】[0008]
以下、この考案について図面を参照して説明する。図1はこの考案の一実施例 のエッチング装置の断面図である。図において、1は上部電極,2はウェーハ, 3はエッチングカバー,4は可動ステージ,5はステージ駆動部,6は駆動シャ フト,7はベローシール,8は位置検知用レーザ,9は受光センサである。 The present invention will be described below with reference to the drawings. 1 is a sectional view of an etching apparatus according to an embodiment of the present invention. In the figure, 1 is an upper electrode, 2 is a wafer, 3 is an etching cover, 4 is a movable stage, 5 is a stage drive unit, 6 is a drive shaft, 7 is a bellows seal, 8 is a position detecting laser, and 9 is a light receiving sensor. Is.
【0009】 次に、上記のエッチング装置の動作について説明する。まず予め駆動部5を動 かしながら最も均一性のよいカバー位置を探しておき、その時レーザ8から出た 光が受光部9に入射するように8,9の位置および角度を調整しておく。Next, the operation of the above etching apparatus will be described. First, the drive unit 5 is moved in advance to find the most uniform cover position, and then the positions and angles of 8, 9 are adjusted so that the light emitted from the laser 8 is incident on the light receiving unit 9. .
【0010】 その後はエッチング開始前に受光部9に光が入射するようにステージ4を調整 すれば、常に同じプラズマ状態でエッチングができ、安定したエッチングができ るという利点がある。After that, if the stage 4 is adjusted so that the light is incident on the light receiving portion 9 before the etching is started, there is an advantage that etching can always be performed in the same plasma state and stable etching can be performed.
【0011】 上記の実施例においてはウェーハステージを固定して、エッチングカバーを有 するテーブルを上下させたが、逆にウェーハステージを上下させても良い。Although the wafer stage is fixed and the table having the etching cover is moved up and down in the above embodiment, the wafer stage may be moved up and down.
【0012】[0012]
以上説明したように、この考案はエッチング装置のカバーを可動とし、常にウ ェーハとの相対位置を同じに保つことにより、安定したエッチングができる効果 がある。 As described above, this invention has an effect that stable etching can be achieved by making the cover of the etching apparatus movable and always keeping the relative position to the wafer the same.
【図1】 この考案のエッチング装置の断面図FIG. 1 is a sectional view of an etching apparatus of the present invention.
【図2】 従来のエッチング装置の断面図FIG. 2 is a sectional view of a conventional etching apparatus.
4 駆動ステージ 5 駆動部 8 位置検知用レーザ 9 受光センサ 10 固定ステージ 4 Drive Stage 5 Drive Section 8 Laser for Position Detection 9 Photosensor 10 Fixed Stage
Claims (2)
グカバーを付けた可動式テーブルと、エッチングカバー
表面の位置を正確に読み取るセンサと、センサと連動し
てテーブルの位置を決められるコントローラとを有する
ドライエッチング装置。1. A wafer stage having a fixed height, a movable table having an etching cover, a sensor for accurately reading the position of the etching cover surface, and a controller for determining the position of the table in cooperation with the sensor. Dry etching equipment.
ブルと、可動式ウェーハステージと、エッチングカバー
表面の位置を読み取るセンサと、そのセンサと連動して
ウェーハステージの位置を決めるコントローラとを有す
るドライエッチング装置。2. A dry etching having a fixed height table having an etching cover, a movable wafer stage, a sensor for reading the position of the surface of the etching cover, and a controller for interlocking with the sensor to determine the position of the wafer stage. apparatus.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP583592U JPH0566968U (en) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | Dry etching equipment |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP583592U JPH0566968U (en) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | Dry etching equipment |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0566968U true JPH0566968U (en) | 1993-09-03 |
Family
ID=11622095
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP583592U Pending JPH0566968U (en) | 1992-02-14 | 1992-02-14 | Dry etching equipment |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0566968U (en) |
-
1992
- 1992-02-14 JP JP583592U patent/JPH0566968U/en active Pending
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