JPH0566333A - 並列光伝送モジユール及びその組立方法 - Google Patents

並列光伝送モジユール及びその組立方法

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JPH0566333A
JPH0566333A JP22781691A JP22781691A JPH0566333A JP H0566333 A JPH0566333 A JP H0566333A JP 22781691 A JP22781691 A JP 22781691A JP 22781691 A JP22781691 A JP 22781691A JP H0566333 A JPH0566333 A JP H0566333A
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submount
block
transmission module
solder
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JP22781691A
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Takeshi Kato
猛 加藤
Fumio Yuki
文夫 結城
Katsuya Tanaka
勝也 田中
Kenichi Mizuishi
賢一 水石
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Publication date
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    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
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    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/491Disposition
    • H01L2224/49105Connecting at different heights
    • H01L2224/49109Connecting at different heights outside the semiconductor or solid-state body

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  • Optical Couplings Of Light Guides (AREA)
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Abstract

(57)【要約】 【構成】LDアレイ10を半田固定したサブマウント3
0を設け、光ファイバアレイ55を位置決めするための
V溝53と多心光コネクタ200の嵌合ピン202を位置
決めするためのV溝52,54を加工したチップ50,
51と光ファイバアレイ55を半田固定することにより
一体化したブロック57を設け、光ファイバアレイ55
とLDアレイ10が光結合する位置において、光ファイ
バアレイ55の端面が露出したブロック57の端面58
にサブマウント30を半田固定する。 【効果】光結合部及び光ファイバアレイ支持部の構造を
簡略化しモジュールを小型化することができ、半田金属
により気密封止できる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、並列に光伝送を行うた
めの発光モジュールまたは受光モジュールに関する。
【0002】
【従来の技術】従来の並列光伝送モジュールとして、例
えば、アイ イー イーイー,ジャーナル・オブ・ライ
トウェーブ・テクノロジー,エル ティー 5,ナンバ
ー8,第1118頁から第1122頁,1987年(IEE
E Journal of LightwaveTechnology, vol.LT−5,
No.8,pp.1118−1122,1987)(文献
1)には、12チャンネルのLEDアレイモジュール
(サイズ18×7.5×6mm)とPDアレイモジュール
(サイズ22×12.5×4.2mm)が記載されている。
LEDアレイまたはPDアレイに対し、端面を45°に
斜め加工したマルチモード光ファイバアレイを光結合さ
せている。DIP型パッケージの内部で、光ファイバア
レイをエポキシ樹脂を用いて固定している。
【0003】エス ピー アイ イー,第994巻,オ
プトエレクトロニック マテリアルズ,デバイセズ,パ
ッケージング,アンド インターコネクツ II,第44
頁から第47頁,1988年(SPIE vol.994 Op
toelectoronic Materials,Devices,Packaging, and In
terconnects II, pp.44−47,1988)(文献2)
及びテクニカル・ダイジェスト・オブ・ジ・アイ オー
オー シー 89,第3巻,第204頁から第205
頁,1989年(Techhnical Digest of theIOOC '
89, vol.3,pp.204−205,1989)(文献
3)及び同誌,第4巻,第86頁から第87頁(Technic
alDigest of theIOOC '89, vol.4,pp.86−87,
1989)(文献4)には四チャンネルのLDアレイモ
ジュールと受光OEICモジュールが記載されている
(サイズ20以上×12以上×?mm)。LDアレイに対し
て先球加工したマルチモード光ファイバアレイを光結合
させ、受光OEICに対して端面を45°に加工したマ
ルチモード光ファイバアレイを光結合させている。光フ
ァイバアレイとその被覆部分はエポキシ樹脂を用いてキ
ャリアに固定されている。
【0004】電子情報通信学会技術研究報告,CS90
−5,1990年(文献5)及び1990年電子情報通
信学会春季全国大会講演論文集,C−276(文献6)
及び同誌,C−277(文献7)には12チャンネルのL
EDアレイモジュール(サイズ15×30×7mm,27
×27×3mm)とPDアレイモジュール(サイズ15×
45×7mm)が記載されている。LEDアレイに対し、
垂直または45°端面のマルチモード光ファイバアレイ
を光結合させている。PDアレイに対しては球レンズを
用いてマルチモード光ファイバアレイを光結合させてい
る。光ファイバアレイはパッケージ側面においてレーザ
溶接により固定されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】並列光伝送モジュール
では、モジュール・サイズを小型化し、高密度に実装す
ることが重要な課題となっている。モジュール外部に光
ファイバアレイを引き出したピグテイル型モジュールで
は、パッケージ側壁に光ファイバアレイを支持・封止す
る構造体を設ける必要がある。この構造部分の長さは1
0mm程度なので、モジュールの小型化にとって障害とな
っていた。また、光デバイスアレイと光ファイバアレイ
の光結合方法としてレンズ系を用いるものがあるが、こ
れは部品点数が多くなりモジュールが大きくなるので好
ましくない。
【0006】モジュールを高信頼化するためには、パッ
ケージ内部に樹脂を用いず、金属による完全気密封止が
求められている。樹脂を用いた場合、樹脂が発生する水
蒸気やガスにより光デバイスや電極,配線ワイヤ等が劣
化,腐食するからである。
【0007】より高速・長距離伝送を可能にするには、
モジュールを構成するデバイスとしてLDアレイとシン
グルモード光ファイバアレイを用いることが望ましい。
但し、LDのスポット径はLEDの1/30程度,シン
グルモード光ファイバのコア径はマルチモードの1/5
程度なので、従来に比べて光結合が困難になる。光軸合
せには約一桁高い精度が必要になる。
【0008】文献1に記載のモジュールはピグテイル型
であり、パッケージ内部に樹脂を用いているので、小型
化と信頼性の点で問題があった。また、端面を45°に
加工する方法は、LDとシングルモード光ファイバの結
合に関して損失が大きいので適用できない。
【0009】文献2,文献3、及び文献4ではパッケー
ジに関して具体的に述べていないが、明らかにピグテイ
ル型モジュールになる。固定に樹脂を用いた上、光ファ
イバアレイの樹脂被覆をパッケージ中心部に導入するこ
とになるので、小型化と信頼性の点で問題があった。
【0010】文献5,文献6、及び文献7に記載のモジ
ュールはピグテイル型なので、やはり小型化の点で問題
があった。文献5や文献6のように、モジュール側面で
レーザ溶接する方法は構成部品の公差や溶接しろを考慮
する必要があるので、固定精度の点から見てLDとシン
グルモード光ファイバの結合には適用できない。文献7
の、端面を45°に加工する方法は先述した理由により
適用できない。
【0011】このように、従来技術は小型化,高信頼
化,高速・長距離化の何れかの点について考慮されてい
なかった。
【0012】本発明の目的は、より高速・長距離伝送を
可能とし、小型の並列光伝送モジュールを提供すること
にある。
【0013】
【課題を解決するための手段】本発明は、この目的を達
成するため、光デバイスアレイを半田固定したサブマウ
ントを設け、光ファイバアレイ位置決め用の溝と多心光
コネクタの嵌合ピン位置決め用の溝を加工したチップと
光ファイバアレイを半田固定することにより一体化した
ブロックを設け、光ファイバアレイと光デバイスアレイ
が光結合する位置で、光ファイバアレイの端面が露出し
たブロックの端面にサブマウントを半田固定したもので
ある。また、ブロックの端面以外の側面で、半田により
モジュールの気密封止を行った。
【0014】
【作用】上記手段によれば、ブロックに多心光コネクタ
を直接接続できるので、ピグテイル光ファイバアレイを
支持する構造体を設ける必要がない。また、モジュール
構成部品の固定および気密封止を全て半田金属により行
うので、樹脂を用いた場合のように光デバイスアレイな
どが劣化することがない。光ファイバアレイと光デバイ
スアレイは半田固定により高精度に突合せ結合されるの
で、LDアレイとシングルモード光ファイバアレイの光
結合が可能になる。
【0015】
【実施例】以下、本発明による並列光伝送モジュールの
実施例を図面により説明する。
【0016】図1は本発明の第一の実施例の側面図、図
2は第一の実施例の正面図、図3は第一の実施例の側面
図、図4は図1のIV−IV矢視断面図である。なお、参考
のため図5に通例の多心光コネクタの斜視図を示した。
図1,図2,図3、および図4において、第一の実施例
のモジュールは、発光を行うLDアレイ10と、LDア
レイ10に光結合された光ファイバアレイ55と、LD
アレイ10を駆動するIC70から構成され、八チャン
ネル並列に光信号を送信する。図5において、多心光コ
ネクタ200は、フェルール201,嵌合ピン202,
テープ光ファイバ203からなる。
【0017】第一の実施例では、LDアレイ10を半田
固定したサブマウント30を設け、光ファイバアレイ5
5を位置決めするためのV溝53と多心光コネクタ20
0の嵌合ピン202を位置決めするためのV溝52,5
4を加工したチップ50,51と光ファイバアレイ55
を半田固定することにより一体化したブロック57を設
け、光ファイバアレイ55とLDアレイ10が光結合す
る位置において、光ファイバアレイ55の端面が露出し
たブロック57の端面58にサブマウント30を半田固
定した。
【0018】LDアレイ10は、発振波長1.3μm 帯
のInGaAsP系半導体レーザ八個をアレイ間隔25
0μmでモノリシックに形成したものである。サブマウ
ント30は高熱伝導SiCセラミックスからなる。サイ
ズは1.5×4×1.5mmである。サブマウント30の表
面には、配線パターン111と半田固定用のメタライズ
を施した。LDアレイ10の光出射端面がサブマウント
30の側面(端面58側)に平行、かつ、概ね一致する
ように、LDアレイ10をサブマウント30へ95Pb
−5wt%Sn半田(融点310℃)により固定した。
固定後、LDアレイ10の電極と配線パターン111を
ワイヤ110によりボンディングした。光ファイバアレ
イ55は、石英系シングルモード光ファイバ(直径12
5μm,コア径10μm)八本からなる。チップ50,
51は結晶面方位(100)のSi基板からなる。チッ
プ50のサイズは5×6×1mm,チップ51のサイズは
5×6×2mmである。結晶異方性エッチング加工によ
り、面方位(111)の面からなるV溝52,53,5
4を形成した。光ファイバアレイ55を位置決めするV
溝53は250μm間隔で八本加工した。V溝52,5
4は4.6mm 間隔で二本ずつ加工した。V溝52,54
が形成する穴56は嵌合ピン202(直径0.7mm)を
差し込むためのものである。図4からわかるように、V
溝52,54は端面58側には貫通していない。なお、
光ファイバアレイ55とチップ50,51の表面に半田
固定用のメタライズを施した。
【0019】ブロック57は以下のようにして組み立て
た。まず、チップ51のV溝53,54に光ファイバア
レイ55と嵌合ピン202を設置し、チップ50を被せ
て加圧しながら95Pb−5wt%Sn半田により固定
した。次に、嵌合ピン202を穴56から抜いて、端面
58と端面59を光学研磨した。最後に、端面59以外
のブロック57の表面には半田固定用のメタライズを施
した(光ファイバアレイ55の端面は除く)。組立後の
光ファイバアレイ55の位置決め精度は±1μm以下で
あった。
【0020】図6はサブマウント30とブロック57の
固定を行う組立装置の説明図である。組立装置は、除振
台300,ヒータ301,チャック302,マニピュレ
ータ303,TVカメラ304,305,308,画像
制御装置306,309,TVモニタ307,310か
らなる。組立を行う以前に、予めマニピュレータ30
3,TVカメラ304,305の互いの位置を調整して
おく。また、端面58のサブマウント30が固定される
べき位置に半田箔(40Pb−60wt%Sn半田,融
点183℃)を供給しておく。
【0021】組立は以下に述べる方法により行った。ま
ず、ヒータ301にブロック57を設置した。チャック
302によりLDアレイ10が固定されたサブマウント
30を保持した。チャック302には電極が取り付けら
れており、LDアレイ10を駆動できる。次に、TVカ
メラ304により端面58側の光ファイバアレイ55の
端面を撮り、TVカメラ305によりサブマウント30
に固定されたLDアレイ10の光出射端面を撮った。T
Vカメラ304の映像とTVカメラ305の映像は、画
像制御装置306によりTVモニタ307の同一画面上
に合成される。画面には、ブロック57の像457,V
溝53の像453,光ファイバアレイ55の像455,
LDアレイ10の像410,LDアレイ10の発光点の
像411,サブマウント30の像430が映る。像455と
像411が重なるように、マニピュレータ303を図中
のx軸,y軸,θz軸(z軸の回転)方向に微動して位
置合せする。位置合せ終了後、マニピュレータ303全
体を図中矢印方向(−x軸方向)へ所定の位置(図中の
点線)までスライドさせ、チャック302を図中矢印方
向(−z軸方向)に降ろし、サブマウント30をブロッ
ク57の端面58の所定の位置に搭載した。この後、ヒ
ータ301を加熱し、ブロック57にサブマウント30
を半田固定した。固定後ブロック57とサブマウント3
0を組立装置から取外し、LDアレイ10を駆動させて
組立精度を評価した結果、ここまでの工程により精度±
3μmの組立を行うことができた。
【0022】さらに高精度の組立を行いたい場合には、
半田溶融中にLDアレイ10を駆動して自然発光させ
た。自然発光は光ファイバアレイ55と光結合し、端面
59側に出射する。この出射光をTVカメラ308によ
り撮影し、画像制御装置309を介してTVモニタ31
0に映した。出射光の像460と光強度分布461を見
ながらマニピュレータ303をx軸,y軸,θz軸(z
軸の回転)方向に微動して位置合せし、半田を固化させ
た。サブマウント30とブロック57の半田固定面が光
ファイバアレイ55の光軸方向に垂直なので、チャック
302等の熱変位や半田の収縮が生じても高精度に組立
てることができる。以上の工程により、組立精度を±1
μmに高めることができた。
【0023】図6の組立装置によりブロック57とサブ
マウント30を固定した後、これらをパッケージングす
る。パッケージは、Cu−W製ベース100,セラミッ
クス製フレーム101,102,コバール合金製フレー
ム103,106,コバール合金製リードフレーム10
5からなる。サイズは、13×7.5×4.5mmである。
キャップ104はコバール合金製である。フレーム10
1の表面には配線パターン114のメタライズが施され
ている。配線パターン114とリードフレーム105は
電気的に接続されている。ベース100,フレーム10
3,106,リードフレーム105,キャップ104の
表面には下地Ni,仕上げAuのメッキが施されてい
る。
【0024】ブロック57とサブマウント30をパッケ
ージングする以前に、予めIC70をフレーム101へ
95Pb−5wt%Sn半田により固定し、IC70と
配線パターン114をワイヤ113によりボンディング
した。また、ブロック57が固定されるべき位置のパッ
ケージ内面には迎え半田(42In−58wt%Sn,
融点117℃)を施した。
【0025】以下に、パッケージング工程を述べる。ま
ず、ブロック57をフレーム103,106とベース1
00が形成する凹部に嵌め込み半田固定した。次に、サ
ブマウント30の配線パターン111とIC70をワイ
ヤ112によりボンディングした。この後、フレーム1
03とチップ50の表面に角ワッシャ型の半田プリフォ
ーム(42In−58wt%Sn,融点117℃)を置
いて迎え半田を施した。最後に、パッケージにキャップ
104を被せ、乾燥N2 雰囲気下で半田固定した。これ
らの工程により気密封止が完了し、第一の実施例の並列
光伝送モジュールが完成した。完成後、LDアレイ10
と光ファイバアレイ55の光結合損失を測定したとこ
ろ、8チャンネル全てに10±1dBというばらつきの
少ない良好な結果が得られた。
【0026】完成した並列光伝送モジュールに高温高湿
試験や熱サイクル試験などの信頼性試験を行ったが、試
験後もモジュール構造や組立方法に起因する劣化は殆ん
ど見られなかった。この結果は、半田固定による気密封
止が完全であること、半田の融点温度に階層を設けた構
造が熱応力や半田クリープに対して十分耐え得ることを
示している。図7に十個のモジュールに熱サイクル試験
を行った結果を示す。試験条件は、−40℃〜+85
℃,一時間/サイクルとした。横軸は熱サイクル数、縦
軸は初期値に対する光結合損失の変化量である。一千サ
イクル経過後も損失変化量は±1dB以内であり、第一
の実施例の信頼性が高いことを確認できた。
【0027】このように、第一の実施例によれば、従来
技術に比べてモジュール体積を約1/2から1/10に
小型化することができ、直接多心光コネクタを接続する
ことができた。また、半田金属による完全気密封止を行
い、高い信頼性を実現することができた。さらに、LD
アレイとシングルモード光ファイバアレイを低損失、か
つ、小さいばらつきで光結合できたので、高速・長距離
伝送が可能になった。この組立方法によれば、高精度、
かつ、簡便に組み立てられるので、モジュール組立コス
トを低減することができた。
【0028】第一の実施例では送信側の並列光伝送モジ
ュールを説明したが、本発明により受信側モジュールも
同様に実施できる。図8は本発明の第二の実施例の側面
図である。図8において、第二の実施例のモジュール
は、発光を行うPDアレイ20と、PDアレイ20に光
結合された光ファイバアレイ55と、PDアレイ20を
駆動するIC80から構成され、八チャンネル並列に光
信号を受信する。
【0029】第二の実施例では、PDアレイ20を半田
固定したサブマウント40とスペーサ43を設け、光フ
ァイバアレイ55とPDアレイ20が光結合する位置に
おいて、端面58にサブマウント40とスペーサ43を
半田固定した。
【0030】PDアレイ20は、InGaAsP系PI
N型ホトダイオード八個をアレイ間隔250μmでモノ
リシックに形成したものである。サブマウント40は高
熱伝導SiCセラミックスからなる。サイズは1.5×
4×1.5mmである。サブマウント40の表面41,4
2には、配線パターンと半田固定用のメタライズを施し
た。SiC製スペーサ43を96Au−4wt%Si半
田(融点380℃)により固定し、PDアレイ20をサ
ブマウント40へ95Pb−5wt%Sn半田によりフ
リップチップ固定した。
【0031】PDアレイ20が搭載されたサブマウント
40とスペーサ43をブロック57へ半田固定する方法
は、第一の実施例の図6で説明した方法と同様に行っ
た。
【0032】TVカメラ304,305を用いて位置合
せを行い、スペーサ43をブロック57に40Pb−6
0wt%Sn半田により固定した。PDアレイ20の受
光面の直径は大きいので(第二の実施例では30μ
m)、TVカメラ308を用いなくとも十分であった。
【0033】第二の実施例のパッケージは第一の実施例
と同じものを用いた。ブロック57とサブマウント40
をパッケージングする以前に、予めIC80をフレーム
102へ95Pb−5wt%Sn半田により固定し、IC
80と配線パターン114をワイヤ81によりボンディ
ングした。第二の実施例のパッケージング工程も、ほぼ
第一の実施例と同様である。ブロック57をパッケージ
に半田固定した後、サブマウント40の表面42の配線
パターンとIC80をワイヤ44によりボンディングし
た。この後、パッケージにキャップ104を被せ、乾燥
2 雰囲気下で気密封止した。モジュール完成後、PD
アレイ20と光ファイバアレイ55の光結合損失を測定
したところ、八チャンネル全てで±0.5dB というば
らつきの少ない良好な結果が得られた。
【0034】第二の実施例によれば、第一の実施例と同
様、小型化,高信頼化の効果がある。第一の実施例と第
二の実施例を組み合わせることにより、高速・長距離の
送信と受信を行うことができる。
【0035】図9は本発明の第三の実施例を示す斜視図
である。図9において、第一の実施例または第二の実施
例の並列光伝送モジュール四個510,511,51
2,513が共通のハウジング500,501に固定さ
れている。ハウジング500,501は半穴部502と
放熱フィン部503を備えている。
【0036】ハウジング500,501の材料には高い
熱伝導率をもつAlを用いた。モジュール510,51
1,512,513をハウジング500に設けた凹部に
固定し、ハウジング501を被せて固定した。固定材に
は熱伝導グリース、または熱伝導性接着剤を用いた。モ
ジュールが発生した熱は放熱フィン部503から放出さ
れる。例えば、LDアレイ10が発生した熱はサブマウ
ント30を介してブロック57に流れ込むので、ブロッ
ク57の側面近傍のパッケージ表面に放熱体を設けるこ
とが好ましい。このため第三の実施例では、ブロック5
7に流れ込んだ熱をベース100を介して放熱フィン部
503に逃がした。
【0037】ハウジング500,501により一体化さ
れた四個のモジュールを配線基板等に取り付ける場合に
は、半穴部502においてねじ止めした。各モジュール
のリードフレーム105は配線基板の高さに合わせて曲
げておいた。
【0038】第三の実施例によれば、四個のモジュール
を一体化したので、取扱いが簡単になる効果がある。四
個のモジュールに対して四個の多心光コネクタを一括し
て脱着することができるので、コネクタ接続作業を簡便
化できる効果がある。また、ハウジングに放熱体を備え
ることによりモジュールの温度上昇を抑制したので、L
Dアレイ,PDアレイやICの特性劣化を防止でき、半
田固定部の信頼性も向上する。
【0039】なお、本発明はLDアレイやPDアレイと
ICをモノリシック集積したOEICにも適用することがで
きる。
【0040】
【発明の効果】本発明によれば、ピグテイル光ファイバ
アレイを支持する構造体を設ける必要がないので、モジ
ュールを小型化できる。また、樹脂を用いた場合のよう
に光デバイスアレイなどが劣化することがない。さら
に、LDアレイとシングルモード光ファイバアレイを光
結合できるので、より高速・長距離伝送が可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第一の実施例を示す側面図。
【図2】本発明の第一の実施例を示す正面図。
【図3】本発明の第一の実施例を示す側面図。
【図4】本発明の第一の実施例を示す断面図。
【図5】多心光コネクタを示す斜視図。
【図6】本発明の第一の実施例の組立装置を示す説明
図。
【図7】本発明の第一の実施例の信頼性試験結果を示す
説明図。
【図8】本発明の第二の実施例を示す側面図。
【図9】本発明の第三の実施例を示す斜視図。
【符号の説明】
10…LDアレイ、30…サブマウント、50,51…
チップ、52,53,54…V溝、55…光ファイバア
レイ、57…ブロック、58…端面。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 水石 賢一 東京都国分寺市東恋ケ窪1丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】発光または受光を行う光デバイスアレイと
    前記光デバイスアレイに光結合された光ファイバアレイ
    を備えた並列光伝送モジュールにおいて、前記光デバイ
    スアレイを半田固定したサブマウントを設け、前記光フ
    ァイバアレイの位置決め用の溝と多心光コネクタの嵌合
    ピン位置決め用の溝を加工したチップと前記光ファイバ
    アレイを半田固定することにより一体化したブロックを
    設け、前記光ファイバアレイと前記光デバイスアレイが
    光結合する位置で、前記光ファイバアレイの端面が露出
    した前記ブロックの端面に前記サブマウントを半田固定
    したことを特徴とする並列光伝送モジュール。
  2. 【請求項2】請求項1において、前記多心光コネクタの
    前記嵌合ピン用の溝を前記ブロックの一方の端面だけに
    貫通するように加工し、前記ブロックのもう一方の端面
    に前記サブマウントを半田固定した並列光伝送モジュー
    ル。
  3. 【請求項3】請求項1または請求項2において、前記チ
    ップが結晶面方位(100)のSi基板からなり、前記
    溝が結晶異方性エッチング加工により結晶面方位(11
    1)の面からなるV溝である並列光伝送モジュール。
  4. 【請求項4】請求項1において、前記Siチップと前記
    光ファイバアレイを固定する第一の半田、および前記光
    デバイスアレイを前記サブマウントに固定する第二の半
    田より、前記ブロックの端面に前記サブマウントを固定
    する第三の半田の融点を低くした並列光伝送モジュー
    ル。
  5. 【請求項5】請求項1または請求項2において、前記ブ
    ロックの端面以外の側面で半田により前記並列光伝送モ
    ジュールの気密封止を行った並列光伝送モジュール。
  6. 【請求項6】請求項4および請求項5において、前記第
    一の半田と前記第二の半田および前記第三の半田より、
    前記気密封止を行う第四の半田の融点を低くした並列光
    伝送モジュール。
  7. 【請求項7】請求項5において、少なくとも前記側面近
    傍に放熱体を設けた並列光伝送モジュール。
  8. 【請求項8】請求項1において、前記並列光伝送モジュ
    ールの複数個を一体化するハウジングを設けた並列光伝
    送モジュール。
  9. 【請求項9】請求項1において、第一のカメラにより前
    記ブロックに一体化された前記光ファイバアレイの端面
    を撮影する工程と、第二のカメラにより前記サブマウン
    トに固定された前記光デバイスアレイを撮影する工程
    と、前記第一のカメラの映像と前記第二のカメラの映像
    により前記ブロックに対して前記サブマウントを位置合
    せする工程と、前記サブマウントを前記ブロックの端面
    の所定の位置に搭載する工程と、前記サブマウントを前
    記ブロックに半田固定する工程を含む並列光伝送モジュ
    ールの組立方法。
  10. 【請求項10】請求項9において、前記光デバイスアレ
    イを駆動することにより前記ブロックに対して前記サブ
    マウントを位置合せする工程を含む並列光伝送モジュー
    ルの組立方法。
JP22781691A 1991-09-09 1991-09-09 並列光伝送モジユール及びその組立方法 Pending JPH0566333A (ja)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015111815A (ja) * 2013-11-05 2015-06-18 富士通株式会社 光伝送装置及び製造方法

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