JPH0565064B2 - - Google Patents
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- JPH0565064B2 JPH0565064B2 JP61224122A JP22412286A JPH0565064B2 JP H0565064 B2 JPH0565064 B2 JP H0565064B2 JP 61224122 A JP61224122 A JP 61224122A JP 22412286 A JP22412286 A JP 22412286A JP H0565064 B2 JPH0565064 B2 JP H0565064B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体基板上あるいは該基板内に半
導体歪ゲージを形成し、弾性変化時に発生する半
導体歪ゲージの抵抗値変化を電気信号として出力
する半導体式加速度センサに関する。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention forms a semiconductor strain gauge on or within a semiconductor substrate, and outputs the resistance value change of the semiconductor strain gauge that occurs during elastic change as an electrical signal. This invention relates to a semiconductor type acceleration sensor.
従来、振動や加速度等を検知するのに一般的に
用いられている構造としては、半導体基板の自由
端の先端部に受感質量を持つた片持梁（カンチレ
バー）、又は中央部に受感質量を持つた両方固定
梁等の薄肉状のダイヤフラム部に半導体歪ゲージ
を形成し、その抵抗値変化に応じて被測定力を検
知するものが知られている。そして、そのような
センサにおいてはその測定感度を向上する目的
で、受感質量を増量する為に、半田又は接着剤等
により負荷を接着するか、あるいは負荷としての
半田を接着して、その受感質量の慣性力が大きく
なるように工夫されていた。
Conventionally, structures commonly used to detect vibrations, acceleration, etc. are a cantilever with a sensitive mass at the tip of the free end of a semiconductor substrate, or a cantilever with a sensitive mass at the center of the semiconductor substrate. It is known that a semiconductor strain gauge is formed in a thin-walled diaphragm part of a fixed beam or the like having mass, and the force to be measured is detected according to a change in the resistance value of the semiconductor strain gauge. In order to improve the measurement sensitivity of such sensors, in order to increase the sensing mass, a load is attached with solder or adhesive, or solder is attached as a load to increase the sensing mass. It was designed to increase the inertial force of the sensitive mass.
しかしながら、片持梁型の半導体式加速度セン
サを例にとつてみると、第５図ａ，ｂの側面図に
示すように、半導体基板４の自由端１の接着面２
の全面を半田のぬれ性を良くする為に表面処理を
施こし、下地層３を形成し、その下地層３に半田
５が接着している構成であり、同図ａに示すよう
に、接着面２を下側にして半田５をリフローする
と、半導体基板４の傾きに応じてリフロー後の半
田５が図中点線で示すように片寄つてしまい、
又、半田５の量が多過ぎる場合には半田５が落ち
てしまう。又、同図ｂに示すように、接着面２を
上側にしてリフローすると、半田５の量によつて
は半田５が半導体基板４の側面に垂れるという不
具合が生じる。
However, taking a cantilever type semiconductor acceleration sensor as an example, as shown in the side views of FIGS. 5a and 5b, the adhesive surface 2 of the free end 1 of the semiconductor substrate 4
The entire surface of the base layer 3 is surface-treated to improve solder wettability, and the solder 5 is bonded to the base layer 3. If the solder 5 is reflowed with the surface 2 facing downward, the solder 5 after reflow will shift as shown by the dotted line in the figure depending on the inclination of the semiconductor substrate 4.
Furthermore, if the amount of solder 5 is too large, the solder 5 will fall off. Further, as shown in FIG. 1B, if reflow is performed with the adhesive surface 2 facing upward, a problem may arise in that the solder 5 drips onto the side surface of the semiconductor substrate 4 depending on the amount of the solder 5.
さらに、半田５を接着層として介し、負荷を接
着する場合には、負荷を位置合わせする手段とし
て治具等を用いないと、接着した負荷に偏りを生
じ、その事が原因でねじりモーメントが発生し、
測定精度が悪化するという不具合が生じる。特
に、上述したような半田５がその形状に片寄りを
有する場合には負荷に偏りを生じ易く、その影響
は大きくなる。 Furthermore, when bonding a load using the solder 5 as an adhesive layer, if a jig or the like is not used as a means to align the load, the bonded load will be uneven, which will cause a torsion moment. death,
A problem arises in that measurement accuracy deteriorates. In particular, when the solder 5 has an uneven shape as described above, the load tends to be uneven, and the influence thereof becomes large.
そこで本発明は、上記の問題点に鑑みなされた
ものであり、リフロー時に半田の垂れ、片寄りを
極力抑える事が可能であり、又、半田を接着層と
して介し、負荷を接着する場合に、該負荷の位置
精度を高める事が可能であるような半田層を有す
る半導体式加速度センサを提供する事を目的とし
ている。 The present invention was developed in view of the above-mentioned problems, and it is possible to suppress solder dripping and misalignment as much as possible during reflow, and when bonding a load using solder as an adhesive layer. It is an object of the present invention to provide a semiconductor acceleration sensor having a solder layer that can improve the positional accuracy of the load.
上記の目的を達成する為に、本発明は、
薄肉状のダイヤフラム部及び該ダイヤフラム部
に接続された厚肉状の受感質量部とからなる可動
領域を有する半導体基板と、
該半導体基板に形成され、前記受感質量部に作
用した加速度による前記可動領域の変位を検出す
る検出手段と、
前記受感質量部の複数箇所に形成され、該半導
体基板に対する半田ぬれ性を改善する下地層と、
該複数の下地層に各々接着形成された複数の半
田層とを備えることを特徴とする半導体式加速度
センサを採用している。
In order to achieve the above object, the present invention provides: a semiconductor substrate having a movable region consisting of a thin-walled diaphragm portion and a thick-walled sensitive mass portion connected to the diaphragm portion; a detection means for detecting displacement of the movable region due to acceleration acting on the sensitive mass; an underlayer formed at a plurality of locations on the sensitive mass to improve solder wettability to the semiconductor substrate; The present invention employs a semiconductor acceleration sensor characterized by comprising a plurality of solder layers bonded to each of the plurality of base layers.
そして本発明によると、半田層は複数箇所に形
成されており、その各々の半田層における半田量
を調整する事により、半導体基板上には略等しい
厚さの半田層が形成可能となる。そして、仮に半
導体基板が傾いたとしても、各々の半田層におけ
る半田量は従来と比較して少量であるので、その
影響は低減される。
According to the present invention, the solder layer is formed at a plurality of locations, and by adjusting the amount of solder in each solder layer, it is possible to form a solder layer of approximately equal thickness on the semiconductor substrate. Even if the semiconductor substrate were to be tilted, the amount of solder in each solder layer is smaller than in the past, so the effect of this is reduced.
又、半田層を接着層として介し、負荷を接着す
る場合には、各々の半田層に半田の表面張力によ
るセルフアライメント効果が作用し、ある程度の
偏りは自己修正され、負荷の位置精度は向上す
る。 Furthermore, when a load is bonded using a solder layer as an adhesive layer, a self-alignment effect due to the surface tension of the solder acts on each solder layer, and a certain degree of deviation is self-corrected, improving the positional accuracy of the load. .
以下、本発明を図面に示す実施例を用いて説明
する。
Hereinafter, the present invention will be explained using embodiments shown in the drawings.
第１図は本発明をカンチレバー型の半導体式加
速度センサに適用した一実施例であり、同図ａに
その上面図、同図ｂにａにおけるＡ−Ａ線断面図
を示す。図において、４ａは例えばＮ型シリコン
単結晶基板から成るカンチレバーであり、薄肉状
のダイヤフラム部７、自由端１、自由端１を保護
する為に自由端１の周りに配置するガード部４
a1、支持体８とから成る。尚、自由端１とガード
部４a1との間隙４a2を形成する為のスクライブは
カンチレバー４ａを両面エツチングする事により
行われ、例えば、カンチレバー４ａのスクライブ
する箇所の表面（第１図ｂにおける上面）を予め
溝堀りエツチングしておき、その後のダイヤフラ
ム部７の形成時に裏面よりエツチングを行う事で
ダイヤフラム部７の形成とスクライブとを同時に
行う。 FIG. 1 shows an embodiment in which the present invention is applied to a cantilever type semiconductor acceleration sensor, and FIG. 1A shows a top view thereof, and FIG. In the figure, 4a is a cantilever made of, for example, an N-type silicon single crystal substrate, and includes a thin diaphragm portion 7, a free end 1, and a guard portion 4 disposed around the free end 1 to protect the free end 1.
a 1 and a support 8. Incidentally, the scribing to form the gap 4a2 between the free end 1 and the guard portion 4a1 is performed by etching both sides of the cantilever 4a. ) is grooved and etched in advance, and then etching is performed from the back side during the subsequent formation of the diaphragm portion 7, thereby performing the formation and scribing of the diaphragm portion 7 at the same time.
支持体８及びガード部４a1の所定領域の表面に
は後述する下地層３ｂが形成されており、同じく
下地層３ｂの形成されている台座６と半田層５ｂ
を介して接着している。尚、台座６にはカンチレ
バー４ａが被測定加速度に応じて変位できるよう
に所定の深さの凹部が形成されている。この凹部
の深さは自由端１の変位の最大値を決定するもの
であり、強い衝撃が加わつた場合に、自由端１の
変位における機械的ストツパとして得働きカンチ
レバー４ａの破壊を防止している。自由端１の一
主面（接着面）２には複数箇所（図では７箇所）
に下地層３ａが形成されており、その下地層３ａ
を介して負荷としての半田層５ａを接着してい
る。 A base layer 3b, which will be described later, is formed on the surface of a predetermined area of the support 8 and the guard part 4a1 , and the base 6 and the solder layer 5b, which are also formed with the base layer 3b,
It is attached through. Note that a recessed portion of a predetermined depth is formed in the pedestal 6 so that the cantilever 4a can be displaced in accordance with the acceleration to be measured. The depth of this recess determines the maximum value of the displacement of the free end 1, and when a strong impact is applied, it acts as a mechanical stopper for the displacement of the free end 1 and prevents the cantilever 4a from being destroyed. . Multiple locations on one main surface (adhesive surface) 2 of free end 1 (7 locations in the figure)
A base layer 3a is formed on the base layer 3a.
A solder layer 5a serving as a load is bonded via the solder layer 5a.
尚、下地層３ａ及び半田層５ａは、支持体８又
はガード部４a1の表面上に形成される下地層３ｂ
及び半田層５ｂとそれぞれ同時に同じ工程で形成
可能である。 Note that the base layer 3a and the solder layer 5a are the base layer 3b formed on the surface of the support 8 or the guard portion 4a1 .
and solder layer 5b can be formed at the same time and in the same process.
又、ダイヤフラム部７内あるいはダイヤフラム
部７上（図は前者）に公知の半導体加工技術、例
えばボロン等のＰ型不純物を熱拡散又はイオン注
入する事によりダイヤフラム部７内に導入し、形
成した４個の半導体歪ゲージ９が存在しており、
Ｐ型不純物を高濃度で導入して形成した配線層１
１ａ、及びAl蒸着膜等から成る配線部材１１ｂ
により各々の半導体歪ゲージ９は互いに電気的接
続されておりフルブリツジを構成している。尚、
１０はシリコン酸化膜等の保護膜である。 In addition, 4 is formed by introducing a P-type impurity such as boron into the diaphragm part 7 or on the diaphragm part 7 (the former shown in the figure) using a known semiconductor processing technique, for example, by thermal diffusion or ion implantation of a P-type impurity such as boron. There are semiconductor strain gauges 9,
Wiring layer 1 formed by introducing P-type impurities at high concentration
1a, and a wiring member 11b made of an Al vapor deposited film, etc.
The semiconductor strain gauges 9 are electrically connected to each other and form a full bridge. still,
10 is a protective film such as a silicon oxide film.
そして、上記の半導体式加速度センサは、自由
端１に加速度を加えるとダイヤフラム部７に歪を
生じ、加速度の大きさに応じて半導体歪ゲージ９
の抵抗値が変化し、ブリツジ回路に予め電圧を印
加してくことによりブリツジ出力として不平衡電
圧を生じ、その電圧値に応じて被検出加速度を検
知するものである。 In the above-described semiconductor acceleration sensor, when acceleration is applied to the free end 1, strain is generated in the diaphragm portion 7, and the semiconductor strain gauge 9
By applying a voltage to the bridge circuit in advance, an unbalanced voltage is generated as a bridge output, and the acceleration to be detected is detected according to the voltage value.
次に、本実施例の要部である自由端１上の下地
層３ａ及び半田層５ａの構成について第２図の部
分的斜視図を用いて説明する。尚、下地層３ａ及
び半田層５ａは生産性を考慮するとシリコン単結
晶のウエハ状態に形成されるのが望ましいもので
あるが、第２図は理解を簡単にするため各々の半
導体式加速度センサの自由端１について描いてい
る。 Next, the structure of the base layer 3a and the solder layer 5a on the free end 1, which are the main parts of this embodiment, will be explained using the partial perspective view of FIG. Note that, considering productivity, it is desirable that the base layer 3a and the solder layer 5a be formed on a silicon single crystal wafer, but for ease of understanding, FIG. Free end 1 is drawn.
まず、自分端１の接着面２上に、半田ぬれ性を
良くする為に例えばNi層をめつき又は蒸着する。
より具体的に説明すると、例えばガラスマスクを
用いてレジスト膜を形成し、接着面２上にTi（あ
るいはCr）、Ni、Auの順で蒸着させ、その後レ
ジスト膜を除去し、下地層３ａを形成する。この
下地層３ａのパターンは複数個に分離しており、
例えば第２図に示すように、各々の下地層３ａは
同面積の短冊形状であり、その長手方向が自由端
１の長手方向ｘに直交する方向ｙを向いて互いに
平行に等間隔に配置している。又、下地層３ａの
端部は自由端１の端部より内側に形成されてい
る。すなわち、図中距離ａ，ｂはａ＞０、ｂ＞０
となつている。尚、下地層３ａは上述のようにレ
ジスト膜を用いて所定のパターンだけ形成しても
よく、又、接着面２全面に一度形成し、その後、
所定のパターンだけ残し、他の部分を剥離する事
によつて形成してもよい。 First, a Ni layer, for example, is plated or vapor-deposited on the adhesive surface 2 of the end 1 in order to improve solder wettability.
To explain more specifically, for example, a resist film is formed using a glass mask, Ti (or Cr), Ni, and Au are deposited in this order on the adhesive surface 2, and then the resist film is removed and the base layer 3a is formed. Form. The pattern of this base layer 3a is separated into multiple pieces,
For example, as shown in FIG. 2, each base layer 3a has a rectangular shape with the same area, and is arranged parallel to each other at equal intervals with its longitudinal direction oriented in the direction y perpendicular to the longitudinal direction x of the free end 1. ing. Further, the end of the base layer 3a is formed inside the end of the free end 1. That is, the distances a and b in the figure are a>0, b>0
It is becoming. Note that the base layer 3a may be formed using a resist film in a predetermined pattern as described above, or it may be formed once on the entire surface of the adhesive surface 2, and then
It may also be formed by leaving only a predetermined pattern and peeling off other parts.
そして、下地層３ａ上に、ステンレスマスク等
を用いて半田を印刷し半田層５ａを形成し、その
後、半田のリフローを行う。 Then, solder is printed on the base layer 3a using a stainless steel mask or the like to form a solder layer 5a, and then the solder is reflowed.
そこで本実施例によると、半田層５ａは複数個
に分かれており、その各々における半田量は略等
しくなるので、自由端１上には略等しい厚さの半
田層が形成されている。従つて、自由端１の長手
方向ｘにおいて半田量のばらつきがなくなる。
又、仮に自由端１が傾いたとしても、各々の半田
層５ａにおける半田量は比較的少量であるので、
その影響は低減され、半田層５ａの長手方向ｙに
おける半田量のばらつきは小さくなるので測定精
度の良い半導体式加速度センサを提供でき、ま
た、同時に半田の垂れを防止できる。 Therefore, according to this embodiment, the solder layer 5a is divided into a plurality of parts, and the amount of solder in each part is approximately equal, so that the solder layer of approximately equal thickness is formed on the free end 1. Therefore, there is no variation in the amount of solder in the longitudinal direction x of the free end 1.
Furthermore, even if the free end 1 is tilted, the amount of solder in each solder layer 5a is relatively small;
This influence is reduced, and the variation in the amount of solder in the longitudinal direction y of the solder layer 5a is reduced, so that a semiconductor acceleration sensor with good measurement accuracy can be provided, and at the same time, solder dripping can be prevented.
又、半田層５ａの端部が自由端１の端部より内
側に形成されているので半田の自由端１の側面へ
の垂れをより確実に防止できる。 Furthermore, since the end of the solder layer 5a is formed inside the end of the free end 1, it is possible to more reliably prevent solder from dripping onto the side surface of the free end 1.
さらに、下地層３ａのNi膜は応力が非常に大
きいために、微小な応力変化を検出する半導体式
加速度センサにとつてはその出力値の初期値変動
が生じる可能性があるが、本実施例によると、下
地層３ａを複数個に分割する事によりその占有面
積を小さくでき、又、下地層３ａ間は応力の緩衝
帯となるので、応力の半導体式加速度センサに対
する影響を低減できる。 Furthermore, since the Ni film of the base layer 3a has very high stress, there is a possibility that initial value fluctuations will occur in the output value of a semiconductor type acceleration sensor that detects minute changes in stress. According to , by dividing the base layer 3a into a plurality of pieces, the area occupied by the base layer 3a can be reduced, and since the space between the base layers 3a serves as a stress buffer zone, the influence of stress on the semiconductor acceleration sensor can be reduced.
次に、半田層５ａを接着層として介し、より測
定感度を上げる為に他の負荷を接着する本発明の
他の実施例を第３図を用いて説明する。尚、第３
図において第１図のものと同一構成要素には同一
符号を付してその説明は省略する。同図ａは本実
施例の部分的側面図であり、負荷１２には接着面
２上の下地層３ａ及び半田層５ａに相対する位置
に、同様の方法により下地層３ａ及び半田層５ａ
が予め形成されている。そして、自由端１と負荷
１２との接着は半田をリフローする事によつて行
われるが、同図ｂの模式的拡大側面図に示すよう
に、その際、自由端１と負荷１２との位置合わせ
がある程度ずれたとしても、各々の半田層５ａに
半田の表面張力によるセルフアライメント効果が
作用し、図中矢印方向へ移動し、ある程度の負荷
１２の偏りは自己修正され、負荷１２の位置精度
は向上する。尚、負荷１２の材質としては、コバ
ール、ガラス等が考えられるが、コバールのよう
に直接半田付けが可能な部材を採用する場合には
負荷１２側の下地層３ａは必要がなくなる。 Next, another embodiment of the present invention in which another load is bonded via the solder layer 5a as an adhesive layer in order to further increase measurement sensitivity will be described with reference to FIG. Furthermore, the third
In the figure, the same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals, and the explanation thereof will be omitted. Figure a is a partial side view of this embodiment, in which the load 12 is applied to the base layer 3a and the solder layer 5a on the bonding surface 2 at a position opposite to the base layer 3a and the solder layer 5a by the same method.
is preformed. The free end 1 and the load 12 are bonded together by reflowing the solder, but as shown in the schematic enlarged side view in Figure b, the positions of the free end 1 and the load 12 are Even if the alignment deviates to some extent, the self-alignment effect due to the surface tension of the solder acts on each solder layer 5a, causing it to move in the direction of the arrow in the figure, and the deviation of the load 12 to some extent is self-corrected, improving the positional accuracy of the load 12. will improve. The material of the load 12 may be Kovar, glass, etc., but if a member such as Kovar that can be directly soldered is used, the base layer 3a on the load 12 side is not necessary.
尚、本発明は上記２つの実施例に限定される事
なく、その主旨を逸脱しない限り例えば以下に示
す如く種々の変形可能である。 It should be noted that the present invention is not limited to the above two embodiments, and can be modified in various ways, for example as shown below, without departing from the spirit thereof.
(1) 言うまでもなく、半田層５ａの数は限定され
る事なく複数であればよい。又、その形状、配
置は本発明の目的である半田の片寄りを抑え、
ねじりをモーメントをなくすという事から考え
て、自由端１の長手方向（第２図におけるｘ方
向）で自由端１の中心を通る直線に対して線対
称になつておればよく、例えば第４図の部分的
平面図に示すようにマトリツクス状に配置して
もよい。(1) Needless to say, the number of solder layers 5a is not limited as long as it is plural. In addition, its shape and arrangement suppress solder misalignment, which is the objective of the present invention.
Considering the need to eliminate twisting moments, it is sufficient that the free end 1 is symmetrical in the longitudinal direction (x direction in Figure 2) with respect to the straight line passing through the center of the free end 1, for example, as shown in Figure 4. They may be arranged in a matrix as shown in the partial plan view of FIG.
(2) 上記実施例はカンチレバー型の半導体式加速
度センサについて適用したが、本発明は慣性を
増加して測定感度を向上する目的で形成された
半田層を有する半導体式加速度センサであれば
適用可能であり、例えば第６図の模式的断面図
に示すような両方固定梁型の半導体式加速度セ
ンサに適用してもよい。尚、図において２１は
薄肉のダイヤフラム部２１ａに半導体歪ゲージ
２２を形成したシリコン基板であり、Ｐ型不純
物を高濃度に拡散した配線層２３により外部取
出し電極２４と半導体歪ゲージ２２とが電気接
続している。２５は絶縁層であり、ダイヤフラ
ム部２１ａで半導体歪ゲージ２２に相対しない
位置の絶縁層２５上に、下地層２６を介して負
荷としての半田層２７が複数個形成している。
ここで、本例のように、両方固定梁型の半導体
式加速度センサに本発明を適用する場合には、
半田層２７はダイヤフラム部２１ａの中心に対
して点対称になるように配置していればよい。(2) Although the above embodiment was applied to a cantilever type semiconductor acceleration sensor, the present invention can be applied to any semiconductor type acceleration sensor that has a solder layer formed for the purpose of increasing inertia and improving measurement sensitivity. For example, the present invention may be applied to a double fixed beam type semiconductor acceleration sensor as shown in the schematic cross-sectional view of FIG. 6. In the figure, reference numeral 21 is a silicon substrate in which a semiconductor strain gauge 22 is formed on a thin diaphragm portion 21a, and the external lead electrode 24 and the semiconductor strain gauge 22 are electrically connected by a wiring layer 23 in which P-type impurities are diffused at a high concentration. are doing. Reference numeral 25 denotes an insulating layer, and a plurality of solder layers 27 as a load are formed on the insulating layer 25 at a position not facing the semiconductor strain gauge 22 in the diaphragm portion 21a with an underlying layer 26 interposed therebetween.
Here, when the present invention is applied to a double fixed beam type semiconductor acceleration sensor as in this example,
The solder layer 27 may be arranged point-symmetrically with respect to the center of the diaphragm portion 21a.
(3) 第１図又は第３図に示す実施例では、カンチ
レバー４ａのダイヤフラム部７を形成するため
にエツチングされ形成された凹部のある側の表
面に半田層５ａを形成しているが、反対の表面
に形成してもよい。(3) In the embodiment shown in FIG. 1 or 3, the solder layer 5a is formed on the surface of the cantilever 4a on the side where the recess is etched to form the diaphragm portion 7, but the solder layer 5a is It may be formed on the surface of
以上述べたように、本発明によれば、半田層を
複数箇所に分けて形成しているので半田の垂れ、
片寄りを極力抑える事が可能となる。
As described above, according to the present invention, since the solder layer is formed in a plurality of parts, there is no possibility of solder dripping.
It is possible to suppress bias as much as possible.
又、半田を接着層として介し、他の負荷を接着
する場合に、負荷の位置精度を高める事が可能で
あるので測定精度の高い半導体式加速度センサを
提供できるという効果がある。 Furthermore, when another load is bonded using solder as an adhesive layer, it is possible to improve the positional accuracy of the load, which has the effect of providing a semiconductor acceleration sensor with high measurement accuracy.
第１図ａは本発明をカンチレバー型の半導体式
加速度センサに適用した一実施例の上面図、第１
図ｂはそのＡ−Ａ線断面図、第２図は第１図にお
ける実施例の部分的斜視図、第３図ａは本発明の
他の実施例の部分的側面図、第３図ｂはその模式
的拡大側面図、第４図は半田層の配置の他の例を
示す部分的平面図、第５図ａ，ｂは従来の半導体
式加速度センサの側面図、第６図は本発明を両方
固定梁型の半導体式加速度センサに適用した実施
例の模式的断面図である。
１……自由端、３ａ，３ｂ……下地層、４ａ…
…カンチレバー、５ａ，５ｂ……半田層、７……
ダイヤフラム部、８……支持体、８……半導体歪
ゲージ、１２……負荷。
FIG. 1a is a top view of an embodiment in which the present invention is applied to a cantilever type semiconductor acceleration sensor.
FIG. 2 is a partial perspective view of the embodiment shown in FIG. 1, FIG. 3 a is a partial side view of another embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 4 is a partial plan view showing another example of the arrangement of the solder layer, FIG. 5 a and b are side views of a conventional semiconductor acceleration sensor, and FIG. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view of an embodiment applied to a double-fixed beam type semiconductor acceleration sensor. 1... Free end, 3a, 3b... Base layer, 4a...
...Cantilever, 5a, 5b...Solder layer, 7...
Diaphragm portion, 8...Support, 8...Semiconductor strain gauge, 12...Load.
Claims (1)
部に接続された厚肉状の受感質量部とからなる可
動領域を有する半導体基板と、 該半導体基板に形成され、前記受感質量部に作
用した加速度による前記可動領域の変位を検出す
る検出手段と、 前記受感質量部の複数箇所に形成され、該半導
体基板に対する半田ぬれ性を改善する下地層と、 該複数の下地層に各々接着形成された複数の半
田層とを備えることを特徴とする半導体式加速度
センサ。 ２ 上記下地層が前記受感質量部の端部より内側
の半導体基板面に形成されている特許請求の範囲
第１項記載の半導体式加速度センサ。 ３ 上記複数の半田層に、上記受感質量部の慣性
がより大きくなるように負荷が接着された特許請
求の範囲第１項もしくは第２項に記載の半導体式
加速度センサ。[Scope of Claims] 1. A semiconductor substrate having a movable region consisting of a thin-walled diaphragm portion and a thick-walled sensitive mass portion connected to the diaphragm portion; a detection means for detecting displacement of the movable region due to acceleration acting on the sensing mass; an underlayer formed at a plurality of locations on the sensitive mass to improve solder wettability to the semiconductor substrate; A semiconductor acceleration sensor comprising a plurality of solder layers each of which is adhesively formed. 2. The semiconductor acceleration sensor according to claim 1, wherein the base layer is formed on a surface of the semiconductor substrate inside the end of the sensing mass. 3. The semiconductor acceleration sensor according to claim 1 or 2, wherein a load is bonded to the plurality of solder layers so as to increase the inertia of the sensing mass.
Priority Applications (7)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61224122A JPS6378577A (en) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | Semiconductor type acceleration senser |
| EP87113466A EP0261555B1 (en) | 1986-09-22 | 1987-09-15 | Semiconductor accelerometer |
| EP19910112438 EP0454190A3 (en) | 1986-09-22 | 1987-09-15 | Semiconductor accelerometer |
| EP19910112458 EP0456285A3 (en) | 1986-09-22 | 1987-09-15 | Semiconductor accelerometer |
| DE8787113466T DE3780242T2 (en) | 1986-09-22 | 1987-09-15 | SEMICONDUCTOR ACCELEROMETER. |
| US07/098,050 US4829822A (en) | 1986-09-22 | 1987-09-17 | Semiconductor accelerometer |
| KR1019870010447A KR900005635B1 (en) | 1986-09-22 | 1987-09-21 | Semiconductor accelerometer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61224122A JPS6378577A (en) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | Semiconductor type acceleration senser |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6378577A JPS6378577A (en) | 1988-04-08 |
| JPH0565064B2 true JPH0565064B2 (en) | 1993-09-16 |
Family
ID=16808884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61224122A Granted JPS6378577A (en) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | Semiconductor type acceleration senser |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6378577A (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61208275A (en) * | 1985-03-12 | 1986-09-16 | Nec Corp | Semiconductor device |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP61224122A patent/JPS6378577A/en active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61208275A (en) * | 1985-03-12 | 1986-09-16 | Nec Corp | Semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6378577A (en) | 1988-04-08 |
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