JPH0564848B2 - - Google Patents

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JPH0564848B2
JPH0564848B2 JP8671985A JP8671985A JPH0564848B2 JP H0564848 B2 JPH0564848 B2 JP H0564848B2 JP 8671985 A JP8671985 A JP 8671985A JP 8671985 A JP8671985 A JP 8671985A JP H0564848 B2 JPH0564848 B2 JP H0564848B2
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JP
Japan
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metal thin
film
thin film
holes
film layer
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JP8671985A
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Japanese (ja)
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JPS61245514A (en
Inventor
Mikio Naruse
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Granted legal-status Critical Current

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Description

【発明の詳細な説明】[Detailed description of the invention]

産業上の利用分野 本発明は、電気機器用、低圧進相用等に用いら
れる金属化フイルムコンデンサに関し、特にその
金属薄膜層(電極)の構造に関するものである。 従来の技術 従来より、金属化フイルムコンデンサの金属化
フイルムの層間で発生する部分放電の抑制、また
は金属化フイルムの層間に侵入する湿気等の抑制
を目的として、加圧と加温とにより、いわゆる熱
接着する誘電体フイルムを用いることが知られて
いる。この熱接着する誘電体フイルムとしては、
通常の誘電体フイルムの表面に、低融点の熱可塑
性樹脂を塗布することなどが試みられている。さ
らに、コロナ放電処理等により、表面に活性化層
を設けた誘導体フイルムを用いることも試みられ
ている。また、誘電体フイルムの接着力を増すた
めに、薄い金属薄膜層を使用することも既に試み
られている。けれども、これらはいずれも誘電体
フイルムどおしの接着でなく、誘電体フイルムと
金属薄膜層との接着に依らざるを得ないものであ
つた。 発明が解決しようとする問題点 このような誘電体フイルムと金属薄膜層との接
着において、特に金属薄膜層自体が持つている機
械的な強度と、金属薄膜層が設けられている誘電
体フイルム表面での金属薄膜層自体の付着強度と
が問題になるが、この機械的強度、付着強度は十
分なものではなかつた。 このため金属化フイルムコンデンサに、低温
(例えば−30℃)と高温(例えば100℃)との熱衝
撃試験を加えると、フイルム層間が簡単に剥離
し、その結果発生する部分放電の電荷量が上昇
し、信頼性が損なわれるという問題点があつた。 本発明はこのような問題点を解決することを目
的とする。 問題点を解決するための手段 本発明は、前記の問題点を解決するために、金
属薄膜層に部分的に孔を設け、この孔の部分で誘
電体フイルムどおしを接着することが特徴であ
る。ここで孔の面積を広く、密度を高くすれば、
接着強度は面積に応じて強くすることができる。 作 用 誘電体フイルムどおしの接着強度は、誘電体フ
イルムと金属薄膜層との接着強度に比べて、1〜
2桁高いので、部分的な孔の部分に限られた接着
ではあつても、フイルム層間を剥離しようとする
力に十分対抗することができる。 さらに、孔の密度を高めることによつて、孔の
部分以外の金属薄膜層と誘電体フイルムとの接着
がはがれた場合にも、孔の部分では接着している
ために、フイルム層間に大きな隙間を生じない作
用がある。これにより、大きな部分放電の発生が
抑制されるので、金属化フイルムコンデンサの信
頼性が高められる。 実施例 以下に図面により、実施例を述べる。 第1図は、本発明による金属薄膜層の孔を説明
する図であり、誘電体フイルム上に、金属薄膜層
1を設け、この金属薄膜層1に、ピツチA、直径
Bの孔2を設けていることを示している。なお孔
2の部分では下地の誘電体フイルム表面が露出す
る構成である。この金属薄膜層1に孔2を設ける
方法としては、金属薄膜層1を真空蒸着によつて
設ける前に、孔2としたい部分に、通常の蒸着マ
ージン形成に用いるパラフイン油等を転写方等に
よりつけておけば、孔2を除いて真空蒸着される
ために、第1図のような孔2を設けた金属薄膜層
1が得られる。また別の方法としては、真空蒸着
の際には、孔2のない金属薄膜層1を形成し、そ
の後に孔2の部分に電極を当てて電流を流し、ジ
ユール熱により孔2の部分の金属薄膜層1を蒸発
飛散させる方法もある。誘電体フイルムがポリオ
レフインの場合には、両表面にコロナ放電処理す
ると、残留パラフインの影響を少なくできる。ピ
ツチAと孔径Bは、ともに小さい方が全体として
均一に接着が行なわれ、また孔2による電極面積
の減少、すなわち金属化フイルムコンデンサの静
電容量の減少も小さくできる。真空蒸着の前にパ
ラフイン油を誘電体フイルムに転写する方法を例
にとれば、グラビア印刷と同じ様に考えることが
できるので、ピツチAとしては0.1〜1mm、孔径
Bとしては、0.02〜0.1mmであれば、既存の技術
により、十分に実施が可能である。また孔により
失なわれる静電容量は、例えばピツチ1mmのとき
に孔径0.1mmφとして約2%であり、この程度で
あれば、信頼性の向上からもたらされる利益の方
がはるかに多くなる。 第2図には、本発明による金属化フイルムコン
デンサのフイルム層間を示す要部断面図を示す。
誘電体フイルム3の上に、金属薄膜層1を設ける
構成であり、金属薄膜層1には孔2が設けられて
いる。金属薄膜層1の厚さは、一般的に100〜400
Å程度であり、誘電体フイルム3と比べると実際
には無視できる厚さである。孔2の部分では、誘
電体フイルムどおしが接着することになるので、
フイルム層間のはがれが起きにくい。なお、孔
径、孔のピツチは、図をわかりやすくするため
に、実際よりもかなり大きく描いている。 以下にさらに具体的な実施例を述べる。 厚さ8μmのポリプロピレンフイルムの片表
面に、コロナ放電処理を施し、この上に、ピツ
チ1mm、直径が0.1mmで、パラフイン油(エツ
ソ(株)製、CRYSTOL−145)を転写によりつけ
た。このコロナ放電処理面に、アルミニウムを
真空蒸着により、蒸着膜抵抗値が3.5Ω/口の
厚さにつけた。この時に、パラフイン油を転写
しておいたところは、蒸着されないで孔とな
る。以後は、従来の金属化フイルムコンデンサ
と同様の工程により、金属化フイルムコンデン
サとした。 厚さ6μmの両面コロナ放電処理したポリプ
ロピレンフイルム(東レ(株)製YK−41)の両表
面に、ピツチ0.5mm、直径が0.04mmφで、パラ
フイン油をローラー転写法により転写し、この
上に銅を核金属として蒸着した後に、亜鉛を蒸
着膜抵抗値が電極対向部で20Ω/口、端面電極
を設ける縁辺部で4Ω/口となるように真空蒸
着を行ない、両面金属化フイルムを作成した。
この両面金属化フイルムと、合わせフイルムと
して、5μm厚の両面コロナ放電処理したポリ
プロピレンフイルムとを重ね合わせて巻回し、
金属化フイルムコンデンサとした。 金属化フイルムコンデンサ,の評価とし
て、−30℃と100℃との熱衝撃連続課電試験を行な
つた。なお、温度の繰り返しサイクルは、−30℃、
6時間、100℃、6時間を1サイクルとする。ま
た印課電圧は、の金属化フイルムコンデンサで
交流480Vであり、の金属化フイルムコンデン
サでは、交流400Vである。なお各々の金属化フ
イルムコンデンサの比較用として、従来の金属薄
膜層に孔を設けない金属化フイルムコンデンサを
試作し、合わせて評価を行なつた。この結果を以
下の次表に示す。なお静電容量は各々20μF、数
量は各6台である。
INDUSTRIAL APPLICATION FIELD The present invention relates to a metallized film capacitor used for electrical equipment, low voltage phase advancement, etc., and particularly relates to the structure of its metal thin film layer (electrode). BACKGROUND TECHNOLOGY Conventionally, in order to suppress partial discharge that occurs between the layers of metallized film in a metallized film capacitor, or to suppress moisture that enters between the layers of metallized film, so-called It is known to use a dielectric film that is thermally bonded. This thermally bonded dielectric film is
Attempts have been made to coat the surface of an ordinary dielectric film with a thermoplastic resin having a low melting point. Furthermore, attempts have been made to use a dielectric film whose surface is provided with an activated layer through corona discharge treatment or the like. Additionally, attempts have already been made to use thin metal film layers to increase the adhesion of dielectric films. However, all of these methods have had to rely on adhesion between a dielectric film and a metal thin film layer, rather than adhesion between dielectric films. Problems to be Solved by the Invention In bonding such a dielectric film and a metal thin film layer, in particular, the mechanical strength of the metal thin film layer itself and the surface of the dielectric film on which the metal thin film layer is provided are important. The problem is the adhesion strength of the metal thin film layer itself, but this mechanical strength and adhesion strength were not sufficient. For this reason, when a metallized film capacitor is subjected to thermal shock tests at low temperatures (e.g. -30°C) and high temperatures (e.g. 100°C), the film layers easily peel off, resulting in an increase in the amount of charge in the partial discharge that occurs. However, there was a problem that reliability was compromised. The present invention aims to solve these problems. Means for Solving the Problems In order to solve the above-mentioned problems, the present invention is characterized in that holes are formed partially in the metal thin film layer, and the dielectric films are bonded together at the holes. It is. If we increase the area of the pores and increase the density,
The adhesive strength can be increased depending on the area. Effect The adhesive strength between dielectric films is 1 to 10% higher than the adhesive strength between dielectric films and metal thin film layers.
Since it is two orders of magnitude higher, even if the adhesion is limited to a partial hole, it can sufficiently resist the force that tends to separate the film layers. Furthermore, by increasing the density of the pores, even if the metal thin film layer and the dielectric film come off in areas other than the pores, there will be a large gap between the film layers because they are still bonded in the pores. It has the effect of not causing This suppresses the occurrence of large partial discharges, thereby increasing the reliability of the metallized film capacitor. Examples Examples will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a diagram illustrating holes in a metal thin film layer according to the present invention. A metal thin film layer 1 is provided on a dielectric film, and holes 2 of pitch A and diameter B are provided in this metal thin film layer 1. It shows that The structure is such that the surface of the underlying dielectric film is exposed at the hole 2 portion. The method for forming the holes 2 in the metal thin film layer 1 is to apply paraffin oil, etc., which is used for forming a normal vapor deposition margin, to the areas where the holes 2 are desired to be formed by transferring, etc., before forming the metal thin film layer 1 by vacuum evaporation. If this is done, the metal thin film layer 1 with holes 2 as shown in FIG. 1 can be obtained since the holes 2 are removed and the metal thin film layer 1 is vacuum evaporated. Another method is to form a metal thin film layer 1 without holes 2 during vacuum evaporation, and then apply an electrode to the holes 2 and apply current to the metal layer 1 in the holes 2 using Joule heat. There is also a method of evaporating and scattering the thin film layer 1. When the dielectric film is polyolefin, the influence of residual paraffin can be reduced by corona discharge treatment on both surfaces. The smaller both the pitch A and the hole diameter B, the more uniform the bonding will be as a whole, and the reduction in the electrode area due to the holes 2, that is, the reduction in the capacitance of the metallized film capacitor, can be reduced. Taking the method of transferring paraffin oil to a dielectric film before vacuum deposition as an example, it can be thought of in the same way as gravure printing, so the pitch A is 0.1 to 1 mm, and the hole diameter B is 0.02 to 0.1 mm. If so, it can be fully implemented using existing technology. In addition, the capacitance lost due to the holes is, for example, about 2% when the pitch is 1 mm and the hole diameter is 0.1 mmφ, and at this level, the benefit from improved reliability is much greater. FIG. 2 is a cross-sectional view of a main part showing the film interlayers of the metallized film capacitor according to the present invention.
A metal thin film layer 1 is provided on a dielectric film 3, and holes 2 are provided in the metal thin film layer 1. The thickness of the metal thin film layer 1 is generally 100 to 400 mm.
The thickness is approximately .ANG., and compared to the dielectric film 3, the thickness is actually negligible. At the hole 2, the dielectric films will be glued together, so
Peeling between film layers is less likely to occur. Note that the hole diameter and hole pitch are drawn much larger than they actually are to make the diagram easier to understand. More specific examples will be described below. One surface of a polypropylene film with a thickness of 8 μm was subjected to a corona discharge treatment, and paraffin oil (manufactured by Etsuso Co., Ltd., CRYSTOL-145) was applied thereon by transfer with a pitch of 1 mm and a diameter of 0.1 mm. Aluminum was deposited on this corona discharge treated surface by vacuum deposition to a deposited film resistance of 3.5Ω/thickness. At this time, the areas where the paraffin oil has been transferred become holes without being vapor deposited. Thereafter, a metallized film capacitor was produced using the same process as conventional metallized film capacitors. Paraffin oil was transferred onto both surfaces of a 6 μm thick double-sided corona discharge treated polypropylene film (YK-41 manufactured by Toray Industries, Inc.) with a pitch of 0.5 mm and a diameter of 0.04 mm, using a roller transfer method. After evaporating zinc as a core metal, vacuum evaporation was performed so that the resistance value of the deposited film was 20 Ω/hole at the electrode facing part and 4 Ω/hole at the edge where the end electrode was provided, thereby creating a double-sided metallized film.
This double-sided metallized film and a 5 μm thick double-sided corona discharge treated polypropylene film are overlapped and wound as a laminated film.
It was made into a metallized film capacitor. To evaluate the metallized film capacitor, we conducted a continuous thermal shock electrification test at -30°C and 100°C. The temperature repeat cycle is -30℃,
One cycle is 6 hours at 100°C. The applied voltage is 480V AC for the metallized film capacitor, and 400V AC for the metallized film capacitor. For comparison of each metallized film capacitor, a conventional metallized film capacitor without holes in the metal thin film layer was prototyped and evaluated. The results are shown in the table below. The capacitance is 20 μF each, and the quantity is 6 each.

【表】 発明の効果 実施例より明らかなように、本発明によれば金
属薄膜層に孔を設けた金属化フイルムコンデンサ
は、熱衝撃試験を繰り返してもフイルム層間の接
着が安定で、大きな隙間が生じない結果として、
大きな部分放電が発生せず、破壊までの平均サイ
クル数において著しい効果が得られる。このこと
は、破壊前の金属化フイルムコンデンサの部分放
電量の測定や、分解によつて裏付けられた。
[Table] Effects of the invention As is clear from the examples, according to the present invention, the metallized film capacitor in which holes are provided in the metal thin film layer has stable adhesion between the film layers even after repeated thermal shock tests, and has a large gap. As a result of not occurring,
Large partial discharges do not occur, and a significant effect is obtained in terms of the average number of cycles until breakdown. This was confirmed by measuring the amount of partial discharge of the metallized film capacitor before destruction and by disassembling it.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明の一実施例による金属薄膜層の
構成を示す図であり、第2図は同じく本発明の一
実施例による金属化フイルムコンデンサの要部断
面図である。 1……金属薄膜層、2……孔、3……誘電体フ
イルム。
FIG. 1 is a diagram showing the structure of a metal thin film layer according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view of a main part of a metallized film capacitor according to an embodiment of the present invention. 1... Metal thin film layer, 2... Hole, 3... Dielectric film.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 加圧と加温とにより接着力を発生する誘電体
フイルムの表面に、金属薄膜層を設けた金属化フ
イルムを巻回または積層してなる金属化フイルム
コンデンサであつて、前記金属薄膜層に部分的に
孔を設け、この孔の部分で前記誘電体フイルムど
おしを接着したことを特徴とする金属化フイルム
コンデンサ。 2 誘電体フイルムは両表面にコロナ放電処理に
より活性化層を設けたポリオレフインフイルムで
ある特許請求の範囲第1項記載の金属化フイルム
コンデンサ。
[Scope of Claims] 1. A metallized film capacitor formed by winding or laminating a metallized film provided with a metal thin film layer on the surface of a dielectric film that generates adhesive force by applying pressure and heating. A metallized film capacitor, characterized in that the metal thin film layer is partially provided with holes, and the dielectric films are bonded together at the holes. 2. The metallized film capacitor according to claim 1, wherein the dielectric film is a polyolefin film with activation layers provided on both surfaces by corona discharge treatment.
JP8671985A 1985-04-23 1985-04-23 Metalized film capacitor Granted JPS61245514A (en)

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