JPH0557397U - Turbo molecular pump device - Google Patents
Turbo molecular pump deviceInfo
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 検出温度が所定温度より低い場合には誘導モ
ータのコイルが発熱して温度低下を阻止する。
【構成】 温度センサ５０で排気口の近傍の温度を検出
し、この検出温度と、比較器９８でシステムコントロー
ラ７０から設定した指令値の所定温度とを比較し、検出
温度が低い場合に、モータドライバ７７内のコンバータ
部９３を制御して、インバータ部９５から誘導モータ３
０のコイルに、通常電圧より高い電圧ＶHを印加して発
熱させて温度を上昇させる。
【効果】 半導体製造装置等に利用する場合、プロセス
ガスの温度低下時に反応で生じる生成物がステータ翼と
ロータ翼等に堆積することを阻止できる。
(57) [Summary] [Purpose] When the detected temperature is lower than a predetermined temperature, the coil of the induction motor generates heat to prevent the temperature from decreasing. A temperature sensor 50 detects a temperature near an exhaust port, and the detected temperature is compared with a predetermined temperature of a command value set by the system controller 70 by a comparator 98. If the detected temperature is low, the motor The converter unit 93 in the driver 77 is controlled so that the inverter unit 95 controls the induction motor 3
A voltage VH higher than the normal voltage is applied to the 0 coil to generate heat and raise the temperature. [Effect] When used in a semiconductor manufacturing apparatus or the like, it is possible to prevent the products generated by the reaction when the temperature of the process gas decreases, from being deposited on the stator blades, the rotor blades, and the like.
Description
【０００１】[0001]
本考案は半導体製造装置等に利用し、所定位置の温度低下時に誘導モータのコ イルに高電圧を印加して発熱させるターボ分子ポンプ装置に関する。 The present invention relates to a turbo molecular pump device which is used in a semiconductor manufacturing apparatus or the like and applies a high voltage to a coil of an induction motor to generate heat when the temperature of a predetermined position decreases.
【０００２】[0002]
従来、半導体製造装置等、例えば、エッチング装置、ＣＶＤ等ではロータを磁 気浮上させる非接触回転のターボ分子ポンプ装置を用いてＳｉＨ4 、ＰＨ3 、Ｂ 2 Ｈ6 、ＡS Ｈ3 等のプロセスガスを排出している。 半導体製造装置のターボ分子ポンプ装置を流通するプロセスガスは温度、５０ ℃乃至６０℃に低下すると生成物が発生し、この生成物が隣接した内壁等に堆積 物として付着してしまうことが知られている。 Conventionally, in semiconductor manufacturing equipment, such as etching equipment and CVD, non-contact rotation turbo molecular pump equipment that magnetically levitates the rotor is used to produce SiH.Four, PH3, B 2 H6, ASH3Etc. are discharging process gas. It is known that when the temperature of the process gas flowing through the turbo molecular pump device of the semiconductor manufacturing equipment is lowered to 50 ° C to 60 ° C, a product is generated and the product adheres to the adjacent inner wall as a deposit. ing.
【０００３】 この状態で長期にわたり運転すると、ロータ翼およびステータ翼の堆積物が増 大して、結果的にターボ分子ポンプ装置を動作させることができなくなることが ある。 このため、ターボ分子ポンプ装置には例えばヒータと、このヒータの発熱制御 を行うための制御回路等を備えており、ヒータの通電を制御して、ターボ分子ポ ンプ装置の温度が低下しないようにしている。When operated in this state for a long time, the deposits on the rotor blades and the stator blades may increase, and as a result, the turbo molecular pump device may not be able to operate. For this reason, the turbo molecular pump device is equipped with, for example, a heater and a control circuit for controlling heat generation of the heater, and controls the energization of the heater to prevent the temperature of the turbo molecular pump device from decreasing. ing.
【０００４】[0004]
しかしながら、上記従来例のターボ分子ポンプ装置は、ヒータと、制御回路等 が必要であり、構成が複雑となる欠点がある。 本考案は上記課題に鑑みてなされ、検出温度が所定温度より低い場合には誘導 モータのコイルが発熱して温度低下を阻止し、半導体製造装置等に利用する場合 のプロセスガスの温度低下時に生じる生成物の堆積が阻止できる優れたターボ分 子ポンプ装置を提供することを目的とする。 However, the turbo molecular pump device of the above-mentioned conventional example requires a heater, a control circuit, and the like, and has a drawback that the configuration is complicated. The present invention has been made in view of the above problems, and when the detected temperature is lower than a predetermined temperature, the coil of the induction motor generates heat to prevent the temperature from lowering, and occurs when the temperature of the process gas is lowered when it is used in a semiconductor manufacturing apparatus or the like. It is an object of the present invention to provide an excellent turbo molecular pump device that can prevent the accumulation of products.
【０００５】[0005]
上記目的を達成するために、本考案のターボ分子ポンプ装置は、少なくともス テータ翼と、ロータ翼を有するロータとロータを回転させる誘導モータと、誘導 モータに電圧を供給するための電源と、温度上昇手段とを備えるターボ分子ポン プ装置であって、温度上昇手段は、所定位置の温度を検出した検出温度信号を出 力する温度検出手段と、検出温度信号が供給され、この検出温度と、設定した所 定温度とを比較して検出温度が所定温度より低い場合に信号を出力する比較手段 と、信号が供給される場合に、誘導モータのコイルに電源から高電圧を印加する ための制御を行う制御手段とを備えるものである。 In order to achieve the above object, the turbo molecular pump device of the present invention includes at least a stator blade, a rotor having a rotor blade, an induction motor for rotating the rotor, a power supply for supplying a voltage to the induction motor, and a temperature controller. In the turbo molecular pump device including the raising means, the temperature raising means is a temperature detecting means for outputting a detected temperature signal detecting the temperature at a predetermined position, and the detected temperature signal is supplied to the temperature detecting means. Comparing means that outputs a signal when the detected temperature is lower than the specified temperature by comparing it with the set fixed temperature, and control for applying a high voltage from the power supply to the induction motor coil when the signal is supplied. And a control means for performing.
【０００６】[0006]
上記のように構成される本考案のターボ分子ポンプ装置では、検出温度と、設 定した所定温度とを比較して、検出温度が所定温度より低い場合のみ誘導モータ のコイルに高電圧を印加する制御を行う。 これによって、検出温度が所定温度より低い場合に誘導モータのコイルが発熱 して温度低下を阻止することができる。 In the turbo molecular pump device of the present invention configured as described above, the detected temperature is compared with the set predetermined temperature, and the high voltage is applied to the coil of the induction motor only when the detected temperature is lower than the predetermined temperature. Take control. As a result, when the detected temperature is lower than the predetermined temperature, the coil of the induction motor generates heat to prevent the temperature from decreasing.
【０００７】 また、半導体製造装置等に利用する場合、誘導モータに高電圧を印加する制御 を行うのみの簡単な構成で、ステータ翼とロータ翼等にプロセスガスの温度低下 時に反応で生じる生成物が堆積することを阻止できる。Further, when used in a semiconductor manufacturing apparatus or the like, the product generated by the reaction when the temperature of the process gas decreases when the temperature of the stator blade and the rotor blade is reduced by a simple configuration in which only a high voltage is applied to the induction motor is controlled. Can be prevented from accumulating.
【０００８】[0008]
以下、本考案のターボ分子ポンプ装置の一実施例の構成を、図面をもとに詳細 に説明する。 図１は実施例の全体構成を示しており、半導体製造装置等内に設置されてプロ セスガスの排出を行うものである。 Hereinafter, a configuration of an embodiment of the turbo molecular pump device of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 shows the overall configuration of the embodiment, which is installed in a semiconductor manufacturing apparatus or the like to discharge process gas.
【０００９】 この例は、円筒状の外装体１０の内側に複数のステータ翼１２が配置され、こ のそれぞれのステータ翼１２間に複数のロータ翼１４が配置されている。 ロータ翼１４はロータ１５の外周囲壁に設けられ、磁性体のロータ軸１８に連 動して回転する。ロータ１５は、いわゆる磁気軸受けを利用しており、ロータ軸 １８の周囲に、ロータ軸１８を挟んで対向した一対の半径方向電磁石２０が配置 されるとともに、この半径方向電磁石２０に隣接して、ロータ軸１８を挟んで対 向する一対の半径方向センサ２２が設けられている。In this example, a plurality of stator blades 12 are arranged inside a cylindrical outer casing 10, and a plurality of rotor blades 14 are arranged between the respective stator blades 12. The rotor blades 14 are provided on the outer peripheral wall of the rotor 15 and rotate in synchronization with the rotor shaft 18 made of a magnetic material. The rotor 15 uses a so-called magnetic bearing, and a pair of radial electromagnets 20 facing each other with the rotor shaft 18 in between are arranged around the rotor shaft 18, and adjacent to the radial electromagnet 20. A pair of radial sensors 22 facing each other with the rotor shaft 18 in between are provided.
【００１０】 さらに、前記同様の一対の半径方向電磁石２４が配置され、この半径方向電磁 石２４にも、隣接して一対の半径方向センサ２６が設けられている。この半径方 向電磁石２０、２４に励磁電流が供給されてロータ軸１８が磁気浮上し、この浮 上時における半径方向センサ２２、２６の位置検知信号によって、ロータ軸１８ を所定位置に保持するように励磁電流を制御するようになっている。Further, a pair of radial electromagnets 24 similar to the above is arranged, and the radial electromagnetic stone 24 is also provided with a pair of radial sensors 26 adjacent to each other. An exciting current is supplied to the radial direction electromagnets 20 and 24 to magnetically levitate the rotor shaft 18, and the position detection signals of the radial direction sensors 22 and 26 at the time of the levitation hold the rotor shaft 18 at a predetermined position. It is designed to control the exciting current.
【００１１】 また、外装体１０の内側の半径方向センサ２２と半径方向センサ２６との間に 誘導モータ３０が設けられている。この誘導モータ３０に通電されることによっ て、ロータ軸１８、すなわち、ロータ翼１４が回転する。ロータ軸１８には円盤 状の磁性体の金属ディスク３１が設けられており、この金属ディスク３１を挟み 、且つ対向した一対ずづの軸方向電磁石３２、３４が設けられている。さらにロ ータ軸１８の切断端部に対向して軸方向センサ３６が設けられている。An induction motor 30 is provided between the radial direction sensor 22 and the radial direction sensor 26 inside the exterior body 10. When the induction motor 30 is energized, the rotor shaft 18, that is, the rotor blade 14 rotates. The rotor shaft 18 is provided with a disk-shaped magnetic metal disk 31, and a pair of axial electromagnets 32 and 34 that sandwich the metal disk 31 and face each other are provided. Further, an axial sensor 36 is provided opposite to the cut end of the rotor shaft 18.
【００１２】 この軸方向電磁石３２、３４の励磁電流を軸方向センサ３６からの位置検知信 号によって、ロータ軸１８を軸方向で所定位置に保持するように励磁電流を制御 するようになっている。また、このロータ軸１８の端部には、ロータ軸の回転数 を検出するための回転センサ３８が配置されている。 さらに、サーミスタ等の温度センサ５０が排気口の近傍に設けられている。こ れらの各部は、軸方向電磁石３２、３４の近傍に設けられたコネクタ４４を通じ て、磁気軸受コントローラやメインコントローラ等を備える信号処理系にケーブ ルで接続されている。The exciting currents of the axial electromagnets 32 and 34 are controlled by a position detection signal from the axial sensor 36 to control the exciting currents so that the rotor shaft 18 is held at a predetermined position in the axial direction. .. At the end of the rotor shaft 18, a rotation sensor 38 for detecting the rotation speed of the rotor shaft is arranged. Further, a temperature sensor 50 such as a thermistor is provided near the exhaust port. Each of these parts is connected in a cable to a signal processing system including a magnetic bearing controller, a main controller and the like through a connector 44 provided near the axial electromagnets 32 and 34.
【００１３】 次に、電気的構成および動作について説明する。 図２は図１の電気的構成を示している。 この例はマイクロプロセッサ（ＭＰＵ）等を用いたシステムコントローラ７０ と、磁気浮上用コントローラ８０とで概略構成されている。 このシステムコントローラ７０は、ＣＰＵ７０ａ、プログラムを格納したＲＯ Ｍ７０ｂ、ワーキング用ＲＡＭ７０ｃ、キーボードインタフェ−ス（Ｉ／Ｆ）７ ０ｄ、表示器Ｉ／Ｆ７０ｅ、Ｉ／Ｏ７０ｆ、７０ｇ、７０ｈ、７０ｉを備えてお り、これらは内部バスライン７０ｊに接続されている。Next, the electrical configuration and operation will be described. FIG. 2 shows the electrical configuration of FIG. This example roughly comprises a system controller 70 using a microprocessor (MPU) and a magnetic levitation controller 80. The system controller 70 includes a CPU 70a, a ROM 70b storing a program, a working RAM 70c, a keyboard interface (I / F) 70d, a display I / F 70e, I / O 70f, 70g, 70h, 70i. These are connected to the internal bus line 70j.
【００１４】 キーボ−ドＩ／Ｆ７０ｄには、各種の動作指示等の操作を行うキーボード７４ が接続されている。 また表示器Ｉ／Ｆ７０ｅには、キーボード７４からの操作状態や浮上状態、さ らに動作状態を表示するためのＬＣＤ等の表示器７６が接続されている。 Ｉ／Ｏ７０ｆは磁気浮上用コントローラ８０と接続され、この磁気浮上用コン トローラ８０は、一対の半径方向センサ２２、２６と軸方向センサ３６からの位 置検知信号が各々入力されるＰＩＤ（補正回路）８２ａ、８２ｂ、８２ｃ、８２ ｄ、８２ｅが設けられ、これらのＰＩＤ８２ａ、８２ｂ、８２ｃ、８２ｄ、８２ ｅのそれぞれの出力端に増幅器８４ａ、８４ｂ、８４ｃ、８４ｄ、８４ｅが接続 されている。The keyboard I / F 70d is connected to a keyboard 74 for performing various operation instructions and other operations. Further, the display I / F 70e is connected with a display 76 such as an LCD for displaying an operating state from the keyboard 74, a floating state, and an operating state. The I / O 70f is connected to a magnetic levitation controller 80, and the magnetic levitation controller 80 receives a position detection signal from a pair of radial direction sensors 22 and 26 and an axial direction sensor 36, respectively. ) 82a, 82b, 82c, 82d and 82e are provided, and amplifiers 84a, 84b, 84c, 84d and 84e are connected to the output terminals of the PIDs 82a, 82b, 82c, 82d and 82e, respectively.
【００１５】 増幅器８４ａ、８４ｂ、８４ｃ、８４ｄの出力部に一対のコイルで構成される 半径方向電磁石２０、２４が接続され、増幅部８４ｅの出力部には、一対ずつの コイルで構成される軸方向電磁石３２、３４が接続されている。 この磁気浮上用コントローラ８０はロータ軸１８が磁気浮上する際に、半径方 向センサ２２、２６からの位置検知信号に基づいて、磁気浮上したロータ軸１８ を所定位置で保持するように増幅器８４ａ、８４ｂ、８４ｃ、８４ｄの増幅率を 変化させて半径方向電磁石２０、２４に供給する励磁電流を変化させる制御を行 う。The output parts of the amplifiers 84a, 84b, 84c, and 84d are composed of a pair of coils. The radial electromagnets 20 and 24 are connected, and the output part of the amplification part 84e is a shaft composed of a pair of coils. Directional electromagnets 32 and 34 are connected. When the rotor shaft 18 is magnetically levitated, the magnetic levitation controller 80 uses an amplifier 84a, which holds the magnetically levitated rotor shaft 18 at a predetermined position based on the position detection signals from the radial direction sensors 22 and 26. Control is performed by changing the amplification factors of 84b, 84c, and 84d to change the exciting current supplied to the radial electromagnets 20 and 24.
【００１６】 同時に、磁気浮上用コントローラ８０は、磁気浮上した際のロータ軸１８の軸 方向の所定位置に保つように軸方向センサ３６からの位置検知信号に基づいて増 幅器８４ｅの増幅率を変化させ、軸方向電磁石３２、３４に供給する励磁電流を 変化させる制御を行う。 Ｉ／Ｏ７０ｇには、回転センサ３８が接続されており、この回転センサ３８か らのパルス信号をＣＰＵ７０ａで読み取り、ロータ軸１８の回転数を検知し、ま た、Ｉ／Ｏ７０ｈ、Ｉ／Ｏ７０ｉおよび温度センサ５０はモータードライバ７７ に接続されている。At the same time, the magnetic levitation controller 80 sets the amplification factor of the amplifier 84e based on the position detection signal from the axial sensor 36 so as to keep the rotor shaft 18 at a predetermined position in the axial direction when magnetically levitated. The control is performed to change the exciting current supplied to the axial electromagnets 32 and 34. A rotation sensor 38 is connected to the I / O 70g, a pulse signal from the rotation sensor 38 is read by the CPU 70a, the rotation speed of the rotor shaft 18 is detected, and I / O 70h, I / O 70i and The temperature sensor 50 is connected to the motor driver 77.
【００１７】 図３は、このモータドライバ７７の構成を詳細に示している。 このモータドライバ７７は、ＡＣ電源９０からのＡＣ１００Ｖ等が整流・平滑 回路９２に供給されて、整流、平滑された後、コンバータ部９３に入力される。 コンバータ部９３では、トランジスタ等で周知のスイッチングが行われ、交流出 力を高周波トランスＲＴに供給する。高周波トランスＲＴで絶縁された交流出力 は整流・平滑回路９４に供給されて、整流、平滑された後、インバータ部９５に 入力され、３相の交流電圧に変換されて、このインバータ部９５に接続された誘 導モータ３０のコイルに供給される。FIG. 3 shows the configuration of the motor driver 77 in detail. In the motor driver 77, AC 100V or the like from the AC power source 90 is supplied to the rectifying / smoothing circuit 92, rectified and smoothed, and then input to the converter unit 93. In the converter unit 93, well-known switching is performed by a transistor or the like, and an AC output is supplied to the high frequency transformer RT. The AC output insulated by the high frequency transformer RT is supplied to the rectifying / smoothing circuit 94, rectified and smoothed, and then input to the inverter unit 95, converted into a three-phase AC voltage, and connected to the inverter unit 95. It is supplied to the coil of the induced induction motor 30.
【００１８】 モータドライバ７７には、排気口の近傍に配置した温度センサ５０からの出力 信号が入力されるオペアンプ等で構成する温度検出回路９７が設けられ、出力信 号が比較器９８の一方の入力端に入力される。比較器９８の他方の入力端は、シ ステムコントローラ７０のＩ／Ｏ７０ｈと接続されており、キーボード７４から 設定する温度に対応した指令値（閾値）が入力される。The motor driver 77 is provided with a temperature detection circuit 97 composed of an operational amplifier or the like to which an output signal from the temperature sensor 50 arranged near the exhaust port is input, and the output signal is output from one of the comparators 98. It is input to the input terminal. The other input end of the comparator 98 is connected to the I / O 70h of the system controller 70, and a command value (threshold value) corresponding to the temperature set by the keyboard 74 is input.
【００１９】 比較器９８の出力信号はドライブ回路９９に供給され、以降に説明するように 、この駆動電圧で誘導モータ３０に供給する交流出力の電圧が変化するようにな っている。モータドライバ７７には、システムコントローラ７０のＩ／Ｏ７０ｉ からモータドライバ７７の動作・非動作の指示信号が入力されるドライブ回路１ ００が整流・平滑回路９２が接続されている。The output signal of the comparator 98 is supplied to the drive circuit 99, and as described below, the voltage of the AC output supplied to the induction motor 30 is changed by this drive voltage. A rectifying / smoothing circuit 92 is connected to the motor driver 77. The drive circuit 100 receives an instruction signal for operating / not operating the motor driver 77 from the I / O 70i of the system controller 70.
【００２０】 なお、上記構成にあって、温度検出手段は、温度センサ５０と温度検出回路９ ７および比較器９８が対応する。さらに制御手段は、システムコントローラ７０ 、ドライブ回路９９およびコンバータ部９３が対応する。 次に、上記における温度上昇の制御動作について説明する。 システムコントローラ７０の制御により、磁気浮上用コントローラ８０の通電 制御で半径方向電磁石２０、２４と、軸方向電磁石３２、３４が作動し、ロータ 軸１８が外装体１０内で浮上し、所定位置に保持される。さらに、ＣＰＵ７０ａ の制御によりＩ／Ｏ７０ｈを通じてモータドライバ７７のドライブ回路１００に 動作の指示信号が整流・平滑回路９２に入力され、インバータ部９５から所定の 通常電圧が誘導モータ３０に印加されてロータ軸１８が回転する。同時に、回転 センサ３８からパルス信号をＩ／Ｏ７０ｇを通じてＣＰＵ７０ａがポーリング、 割り込み処理等で取り込み、周知の回転制御が行われる。In the above configuration, the temperature detecting means corresponds to the temperature sensor 50, the temperature detecting circuit 97, and the comparator 98. Further, the control means corresponds to the system controller 70, the drive circuit 99, and the converter section 93. Next, the control operation of the temperature rise in the above will be described. Under the control of the system controller 70, the radial electromagnets 20 and 24 and the axial electromagnets 32 and 34 are activated by the energization control of the magnetic levitation controller 80, and the rotor shaft 18 floats inside the outer casing 10 and is held at a predetermined position. To be done. Further, under the control of the CPU 70a, an operation instruction signal is input to the drive circuit 100 of the motor driver 77 through the I / O 70h to the rectification / smoothing circuit 92, and a predetermined normal voltage is applied from the inverter unit 95 to the induction motor 30 to rotate the rotor shaft. 18 rotates. At the same time, the CPU 70a takes in a pulse signal from the rotation sensor 38 through the I / O 70g by polling, interrupt processing, etc., and well-known rotation control is performed.
【００２１】 ここでロータ翼１４が回転して半導体製造装置等におけるプロセスガスの排出 を行う。 同時に、温度センサ５０からも排気口の近傍の温度を検出した出力信号が温度 検出回路９７を通じて、比較器９８の一方の入力端に入力される。また、比較器 ９８の他方の入力端には、システムコントローラ７０のＩ／Ｏ７０ｈを通じてキ ーボード７４から設定する温度に対応した指令値（閾値）が入力されており、温 度検出回路９７からの出力信号と、指令値を比較した信号を出力する。Here, the rotor blades 14 rotate to discharge process gas in a semiconductor manufacturing apparatus or the like. At the same time, an output signal from the temperature sensor 50 which detects the temperature in the vicinity of the exhaust port is also input to one input end of the comparator 98 through the temperature detection circuit 97. A command value (threshold value) corresponding to the temperature set from the keyboard 74 is input to the other input terminal of the comparator 98 through the I / O 70h of the system controller 70, and the output from the temperature detection circuit 97 is output. The signal and the signal which compared the command value are output.
【００２２】 この比較器９８からの信号は、指令値より温度検出回路９７からの出力信号が 低い場合、すなわち、排気口の近傍の温度が低下した場合に出力するものであり 、ドライブ回路９９に入力される。比較器９８からの信号が入力されると、ドラ イブ回路９９はコンバータ部９３内のトランジスタのＯＮ時間を通常より長くす るように制御する。すると、コンバータ部９３からは、通常よりも高い電圧の交 流が出力される。この交流は高周波トランスＲＴ、整流・平滑回路９４およびイ ンバータ部９５を通じて図３（ａ）に示す高電圧ＶH として誘導モータ３０のコ イルに印加される。また、排気口の近傍の温度が上昇した場合、すなわち、指令 値より温度センサ５０、温度検出回路９７を通じて供給される出力信号の値が低 い場合は、比較器９８からの出力信号がコンバータ部９３に供給されない。The signal from the comparator 98 is output to the drive circuit 99 when the output signal from the temperature detection circuit 97 is lower than the command value, that is, when the temperature near the exhaust port decreases. Is entered. When the signal from the comparator 98 is input, the drive circuit 99 controls the ON time of the transistor in the converter section 93 to be longer than usual. Then, the converter section 93 outputs an alternating current having a higher voltage than usual. This alternating current is applied to the coil of the induction motor 30 as the high voltage VH shown in FIG. 3A through the high frequency transformer RT, the rectifying / smoothing circuit 94 and the inverter unit 95. When the temperature in the vicinity of the exhaust port rises, that is, when the value of the output signal supplied through the temperature sensor 50 and the temperature detection circuit 97 is lower than the command value, the output signal from the comparator 98 is the converter unit. Not supplied to 93.
【００２３】 従って、ドライブ回路９９は、コンバータ部９３内のトランジスタのＯＮ時間 が通常通りとなるよう制御するので、コンバータ部９３からは、通常の交流出力 電圧が得られ、この電圧の交流の出力電圧は高周波トランスＲＴ、整流・平滑回 路９４およびインバータ部９５を通じて図３（ｂ）に示すように低電圧ＶL とし て誘導モータ３０のコイルに印加される。Therefore, the drive circuit 99 controls so that the ON time of the transistor in the converter unit 93 becomes normal, so that a normal AC output voltage is obtained from the converter unit 93, and the AC output of this voltage is obtained. The voltage is applied to the coil of the induction motor 30 through the high frequency transformer RT, the rectifying / smoothing circuit 94 and the inverter section 95 as a low voltage VL as shown in FIG. 3B.
【００２４】 このように、温度センサ５０の出力信号で高電圧ＶH あるいは低電圧ＶL を誘 導モータ３０のコイルに印加する制御が行われるものであり、システムコントロ ーラ７０のキーボード７４から設定した所定温度より、温度センサ５０で検知し た温度が低下した場合のみ誘導モータ３０のコイルに通常の回転時より高い高電 圧ＶH をモータドライバ７７から印加している。In this way, the control of applying the high voltage VH or the low voltage VL to the coil of the induction motor 30 by the output signal of the temperature sensor 50 is performed, and is set from the keyboard 74 of the system controller 70. Only when the temperature detected by the temperature sensor 50 falls below a predetermined temperature, the motor driver 77 applies a high voltage VH higher than that during normal rotation to the coil of the induction motor 30.
【００２５】 この高電圧ＶH の通電による発熱で、プロセスガスの通路等の温度が上昇して 、温度低下でプロセスガスの反応による生成物がロータ翼１４およびステータ翼 １２に堆積するのを阻止することができる。 なお、上記実施例では、磁気軸受式のモータで説明したが、慣用的な３相誘導 モータを用いても同様の作用効果が得られる。The heat generated by the energization of the high voltage VH raises the temperature of the process gas passages and the like, and prevents the products of the reaction of the process gas from accumulating on the rotor blades 14 and the stator blades 12 due to the temperature decrease. be able to. Although the magnetic bearing type motor has been described in the above embodiment, the same effect can be obtained by using a conventional three-phase induction motor.
【００２６】[0026]
本考案のターボ分子ポンプ装置は、上記説明から明らかなように、検出温度と 、設定した所定温度とを比較して、検出温度が所定温度より低い場合に、誘導モ ータのコイルに高電圧を供給する制御を行うため、誘導モータのコイルが発熱し て温度低下を阻止できるという効果を有する。 As is apparent from the above description, the turbo molecular pump device of the present invention compares the detected temperature with the set predetermined temperature, and when the detected temperature is lower than the predetermined temperature, a high voltage is applied to the coil of the induction motor. Since the supply of the electric power is controlled, the coils of the induction motor generate heat, and the temperature drop can be prevented.
【００２７】 加えて、誘導モータに高電圧を印加する制御を行うのみの簡単な構成で、半導 体製造装置等に利用する場合のプロセスガスの温度低下時に反応で生じる生成物 がステータ翼とロータ翼等に堆積することを阻止できる。In addition, with a simple configuration in which only high voltage is applied to the induction motor, the products generated by the reaction when the temperature of the process gas decreases when used in a semiconductor manufacturing apparatus, etc. It can be prevented from accumulating on the rotor blades and the like.
【図１】本考案のターボ分子ポンプ装置に係る一実施例
を示す構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram showing an embodiment of a turbo-molecular pump device of the present invention.
【図２】実施例の電気的構成を示すブロック線図であ
る。FIG. 2 is a block diagram showing an electrical configuration of the embodiment.
【図３】図２に示すモータードライバの詳細な構成を示
すブロック線図である。FIG. 3 is a block diagram showing a detailed configuration of the motor driver shown in FIG.
【図４】（ａ）（ｂ）は実施例の動作説明に供され、誘
導モータに印加する電圧波形図である。4 (a) and 4 (b) are diagrams of voltage waveforms applied to the induction motor, which are provided for explaining the operation of the embodiment.
１５ ロータ ２０、２４ 半径方向電磁石 ３０ 誘導モータ ３２、３４ 軸方向電磁石 ５０ 温度センサ ７０ システムコントローラ ８０ 磁気浮上用コントローラ ７７ モータドライバ ９２ 整流・平滑回路 ９３ コンバータ部 ＲＴ 高周波トランス ９４ 整流・平滑回路 ９５ インバータ部 ９７ 温度検出回路 ９８ 比較器 15 rotor 20, 24 radial electromagnet 30 induction motor 32, 34 axial electromagnet 50 temperature sensor 70 system controller 80 magnetic levitation controller 77 motor driver 92 rectifying / smoothing circuit 93 converter section RT high frequency transformer 94 rectifying / smoothing circuit 95 inverter section 97 temperature detection circuit 98 comparator
Claims (1)
するロータと、ロータを回転させる誘導モータと、上記
誘導モータに電圧を供給するための電源と、 温度上昇手段とを備えるターボ分子ポンプ装置であっ
て、 上記温度上昇手段は、 所定位置の温度を検出した検出温度信号を出力する温度
検出手段と、 上記検出温度信号が供給され、この検出温度と、設定し
た所定温度とを比較して検出温度が所定温度より低い場
合に信号を出力する比較手段と、 上記信号が供給される場合に、上記誘導モータのコイル
に上記電源から高電圧を印加するための制御を行う制御
手段と、 を備えることを特徴とするターボ分子ポンプ装置。1. A turbo molecular pump device comprising at least a stator blade, a rotor having a rotor blade, an induction motor for rotating the rotor, a power supply for supplying a voltage to the induction motor, and a temperature raising means. The temperature raising means is supplied with the detected temperature signal and the temperature detecting means for outputting the detected temperature signal detecting the temperature at the predetermined position, and compares the detected temperature with the set predetermined temperature to detect the detected temperature. When the temperature is lower than a predetermined temperature, a comparison means for outputting a signal, and a control means for performing a control for applying a high voltage from the power source to the coil of the induction motor when the signal is supplied, Turbo molecular pump device characterized by.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10758591U JP2565155Y2 (en) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Turbo molecular pump device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10758591U JP2565155Y2 (en) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Turbo molecular pump device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0557397U true JPH0557397U (en) | 1993-07-30 |
| JP2565155Y2 JP2565155Y2 (en) | 1998-03-11 |
Family
ID=14462895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10758591U Expired - Fee Related JP2565155Y2 (en) | 1991-12-26 | 1991-12-26 | Turbo molecular pump device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2565155Y2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013209959A (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Ebara Corp | Vacuum pump apparatus |
-
1991
- 1991-12-26 JP JP10758591U patent/JP2565155Y2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013209959A (en) * | 2012-03-30 | 2013-10-10 | Ebara Corp | Vacuum pump apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2565155Y2 (en) | 1998-03-11 |
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