JPH0555862A - Surface acoustic wave device - Google Patents
Surface acoustic wave deviceInfo
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- JPH0555862A JPH0555862A JP21114391A JP21114391A JPH0555862A JP H0555862 A JPH0555862 A JP H0555862A JP 21114391 A JP21114391 A JP 21114391A JP 21114391 A JP21114391 A JP 21114391A JP H0555862 A JPH0555862 A JP H0555862A
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- surface acoustic
- acoustic wave
- electrode
- electrode fingers
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波装置に関
し、特に、抜き取り重み付け電極を用いた弾性表面波装
置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device, and more particularly to a surface acoustic wave device using sampling weighting electrodes.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、弾性表面波フィルタ等の弾性表面
波装置のすだれ状電極としては、電極幅と間隙が等しい
櫛歯状の電極が、全て等しい電極指交差幅で差し込まれ
ている正規型電極が用いられていた。2. Description of the Related Art Conventionally, as a comb-shaped electrode of a surface acoustic wave device such as a surface acoustic wave filter, comb-shaped electrodes having the same electrode width and the same gap are all inserted with the same electrode finger crossing width. Electrodes were used.
【0003】また、このような正規型電極を用いた場
合、インパルス応答モデル(C.S.Hartman
et. al.; IEEE Trans.Micro
wave Tech.,vol.MTT−21,pp1
62−175,April 1973)に示されるよう
に、弾性表面波装置は、次式で表される周波数特性H
(f)を有することが知られている。Further, when such a normal type electrode is used, an impulse response model (CS Hartman) is used.
et. al. IEEE Trans. Micro
wave Tech. , Vol. MTT-21, pp1
62-175, April 1973), the surface acoustic wave device has a frequency characteristic H represented by the following equation.
It is known to have (f).
【0004】 H(f)=(sinX)/X*exp(−jωN/2f0)......(1 ) X=Nπ(f−f0)/f0 なお、ここで、N、π、f、f0、ωは、それぞれ電極
対数、円周率、中心周波数、角周波数を表わす。H (f) = (sinX) / X * exp (−jωN / 2f 0 ). . . . . . (1) X = Nπ (f−f 0 ) / f 0 Here, N, π, f, f 0 , and ω represent the number of electrode pairs, pi, center frequency, and angular frequency, respectively.
【0005】しかし、このような正規型電極を用いた弾
性表面波装置をフィルタとして使用する場合、サイドロ
−ブの減衰量が小さいために実用面で不具合があった。However, when the surface acoustic wave device using such a normal type electrode is used as a filter, there is a problem in practical use because the side lobe attenuation amount is small.
【0006】一方、サイドロ−ブの減衰量を改善するた
めの技術として、隣接する櫛歯状電極の交差長を変化さ
せる交差長重み付き電極(U.S.P.第3、663、
899号明細書参照)が知られている。On the other hand, as a technique for improving the attenuation amount of the side lobes, a cross length weighted electrode (U.S.P. No. 3,663, 663, which changes the cross length of adjacent comb-teeth electrodes).
899 specification).
【0007】しかし、このような交差長重み付き電極
は、回折波の影響を受けやすい。また、一般に、弾性表
面波装置に設けられる2つのすだれ状電極のうち、一方
のみにしか交差長重み付き電極を使用することができ
ず、他方は、前記正規型電極である必要がある。すなわ
ち、マルチストリップカップラ(Multistrip
Coupler)を使用すれば、弾性表面波装置の2つ
のすだれ状電極の双方に前記交差長重み付き電極を用い
ることが可能であるが、その場合には、圧電性弾性表面
波基板のチップ寸法が大きくなってしまう(F.G.M
arshallet al.IEEE Trans.M
TT−21、4、206(1973)参照)。However, such a cross-length weighted electrode is easily affected by diffracted waves. Further, generally, of the two interdigital electrodes provided in the surface acoustic wave device, the cross length weighted electrode can be used for only one of them, and the other one needs to be the normal type electrode. That is, a multi-strip coupler (Multistrip)
Coupler), it is possible to use the crossed length weighted electrodes for both of the two interdigital electrodes of the surface acoustic wave device, in which case the chip size of the piezoelectric surface acoustic wave substrate is It gets bigger (FGM
arshallet al. IEEE Trans. M
TT-21, 4, 206 (1973)).
【0008】そこで、櫛歯状電極の電極指の一部を抜き
とることにより、インパルスの励振源を一部取り除いた
弾性表面波装置、すなわち、抜き取り重み付き電極を用
いた弾性表面波装置の技術が提案されている(C.S.
Hartman;Proc.1973 Ultraso
n.Symp.、pp423−426(1973)参
照)。Therefore, by removing a part of the electrode fingers of the comb-teeth-shaped electrode, the surface acoustic wave device in which the excitation source of the impulse is partly removed, that is, the technique of the surface acoustic wave device using the extraction weighted electrode. Have been proposed (C.S.
Hartman; Proc. 1973 Ultraso
n. Symp. , Pp 423-426 (1973)).
【0009】このような、抜き取り重み付き電極を用い
た弾性表面波装置によれば、マルチストリップカップラ
を必要とせずに、交差長重み付き電極と併用することが
できる。According to such a surface acoustic wave device using the extraction weighted electrode, the multi-strip coupler can be used together with the cross length weighted electrode.
【0010】[0010]
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来の抜き取
り重み付き電極を用いた弾性表面波装置の技術では、電
極指を抜き取り非励振部を形成すると、電極指配置の周
期性が乱れるために、圧電性弾性表面波基板内の電界分
布が、電極指の抜取りを行わない場合に比べ、非励振部
から電極指群への方向に偏る。However, in the conventional technique of the surface acoustic wave device using the extraction weighted electrodes, when the electrode fingers are extracted and the non-excited portions are formed, the periodicity of the arrangement of the electrode fingers is disturbed. The electric field distribution in the piezoelectric surface acoustic wave substrate is biased from the non-excited portion to the electrode finger group as compared with the case where the electrode fingers are not extracted.
【0011】発明者らは、特に、非励振部の各々の端部
に最も近いところにある励振源と、すだれ状電極の各々
の端部に最も近いところにある励振源が、電極指の抜取
りを行わない場合に比べ、非励振部から電極指群への方
向に移動してしまい、そのために、望ましい周波数特性
が得られず、実用面で不具合を生じることを見出した。In particular, the inventors have found that the excitation source closest to each end of the non-excited portion and the excitation source closest to each end of the interdigital transducer have electrode finger extractions. It has been found that, compared with the case where the step is not performed, the electrode moves to the electrode finger group from the non-excited part, and thus the desired frequency characteristic cannot be obtained and a problem occurs in practical use.
【0012】そこで、本発明は、電極指の抜取りにより
生じるインパルスの励振源の移動に起因する周波数特性
の劣化を軽減することのできる抜き取り重み付き電極を
用いた弾性表面波装置を提供することを目的とする。Therefore, the present invention provides a surface acoustic wave device using a sampling weighted electrode, which can reduce the deterioration of the frequency characteristic caused by the movement of the excitation source of the impulse generated by the sampling of the electrode finger. To aim.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】前記目的達成のために、
弾性表面波を伝搬する弾性表面波基板と、弾性表面波基
板上に設けられた複数のすだれ状電極とを有する弾性表
面波装置において、前記複数のすだれ状電極のうち、す
くなくとも1つのすだれ状電極は、弾性表面波基板上に
一定のピッチで電極指が配置されたすだれ状電極の、一
部の電極指を抜取り、かつ、一部の電極指を、前記一定
のピッチによる配置領域よりずれた領域に配置した構造
の、抜取り重み付け電極であることを特徴とする弾性表
面波装置を提供する。[Means for Solving the Problems] To achieve the above object,
A surface acoustic wave device having a surface acoustic wave substrate for propagating surface acoustic waves and a plurality of interdigital electrodes provided on the surface acoustic wave substrate, wherein at least one interdigital electrode among the plurality of interdigital electrodes. Is a part of the interdigital electrode in which the electrode fingers are arranged at a constant pitch on the surface acoustic wave substrate, and a part of the electrode fingers is removed, and a part of the electrode fingers is displaced from the arrangement area at the constant pitch. There is provided a surface acoustic wave device characterized by being a sampling weighting electrode having a structure arranged in a region.
【0014】[0014]
【作用】本発明に係る弾性表面波装置によれば、前記抜
取り重み付けを行ったすだれ状電極の前記電極指の一部
を、前記一定のピッチによる配置領域よりずれた領域に
配置することにより、圧電性弾性表面波基板内の電界分
布の偏りに起因するインパルスの励振源の移動を補正す
る。According to the surface acoustic wave device of the present invention, by arranging a part of the electrode fingers of the sampling-weighted interdigital electrodes in a region deviated from the arrangement region at the constant pitch, The movement of the impulse excitation source due to the deviation of the electric field distribution in the piezoelectric surface acoustic wave substrate is corrected.
【0015】[0015]
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。EXAMPLES Examples of the present invention will be described below.
【0016】まず、本発明の第1の実施例を説明する。First, a first embodiment of the present invention will be described.
【0017】図1に本第1実施例に係る弾性表面波装置
の構成を示す。FIG. 1 shows the structure of a surface acoustic wave device according to the first embodiment.
【0018】本第1実施例に係る弾性表面波装置は、弾
性表面波基板上に設けた抜き取り重み付き電極を設けた
弾性表面波装置であって、電気信号と弾性表面波信号と
の変換を行う。The surface acoustic wave device according to the first embodiment is a surface acoustic wave device provided with extraction weighted electrodes provided on a surface acoustic wave substrate, and converts electrical signals and surface acoustic wave signals. To do.
【0019】図1に本第1実施例に係る弾性表面波装置
のすだれ状電極の構成を示す。FIG. 1 shows the configuration of the interdigital electrode of the surface acoustic wave device according to the first embodiment.
【0020】本第1の実施例においては、弾性表面波基
板として、128°Y軸カットのLiNbO3単結晶か
らなる圧電性基板(以下、「リチウムナイオベ−ト基
板」と記す)を用いた。また、弾性表面波の伝搬方向を
X軸としている。なお、弾性表面波基板には、たとえ
ば、LiTaO3基板(以下、「リチウムタンタレ−ト
基板」と記す)、水晶基板、その他の材料を用いること
もできる。In the first embodiment, as the surface acoustic wave substrate, a piezoelectric substrate made of 128 ° Y-axis cut LiNbO 3 single crystal (hereinafter referred to as "lithium niobate substrate") was used. .. Further, the propagation direction of the surface acoustic wave is the X axis. As the surface acoustic wave substrate, for example, a LiTaO 3 substrate (hereinafter, referred to as “lithium tantalate substrate”), a quartz substrate, or another material can be used.
【0021】また、本第1実施例では、すだれ状電極
の、励振効率が最大となる中心周波数をf0=36.3
6MHz、電極幅を13.3μmの二重電極構造とし。
これを、厚さ、6000Åのアルミニウム蒸着膜からフ
ォトリソグラフィ技術で弾性表面波基板上に形成した。In the first embodiment, the center frequency of the interdigital transducer having the maximum excitation efficiency is f 0 = 36.3.
It has a double electrode structure of 6 MHz and an electrode width of 13.3 μm.
This was formed on a surface acoustic wave substrate by a photolithography technique from an aluminum vapor deposition film having a thickness of 6000Å.
【0022】図1に示したのは、本第1実施例に係るす
だれ状電極の両端部である。図示を省略しているが、こ
の両端部間に、電極指の抜取りにより形成された非励振
部が存在する。FIG. 1 shows both ends of the interdigital electrode according to the first embodiment. Although not shown in the figure, a non-excited portion formed by removing the electrode fingers exists between the both ends.
【0023】図示するように、すだれ状電極は、それぞ
れ複数の電極指と電極指を接続するバスバ−よりなる櫛
歯状の電極1aと1bを有している。そして、電極端部
に最も近いところにあるインパルス励振源をはさむ、互
いに電気的極性が異なる電極指が12a、12bであ
る。As shown in the figure, the interdigital electrode has comb-teeth-shaped electrodes 1a and 1b each composed of a plurality of electrode fingers and a bus bar for connecting the electrode fingers. Then, electrode fingers 12a and 12b sandwiching the impulse excitation source closest to the electrode end portion and having mutually different electric polarities are 12a and 12b.
【0024】いま、従来の抜取り重み付け電極を用いた
弾性表面波装置において、電極端部に最も近いところに
あるインパルス励振源をはさむ、互いに電気的極性が異
なる電極指が配置されていた位置を図中に破線で示し
た。図示するように、従来、全ての電極指は、一定のメ
タライズド比、電極ピッチで配置されている。本第1実
施例では、このメタライズド比が0.5としている。Now, in the conventional surface acoustic wave device using the sampling weighting electrodes, the positions where the electrode fingers having mutually different electric polarities sandwiching the impulse excitation source closest to the electrode end are shown. It is indicated by a broken line inside. As shown in the figure, conventionally, all the electrode fingers are arranged with a constant metallized ratio and electrode pitch. In the first embodiment, the metallized ratio is 0.5.
【0025】さて、発明者らは、電極端部に最も近いと
ころにあるインパルス励振源をはさむ電極指を、先に示
した従来の位置より、弾性表面波主伝搬方向に沿って、
すだれ状電極の外側へ向かって平行移動させながら、こ
のすだれ状電極の周波数特性におけるサイドロ−ブレベ
ルの減衰量を測定した。その結果を図11に符号35a
で示す。The inventors of the present invention have determined that the electrode finger sandwiching the impulse excitation source located closest to the electrode end is located along the main surface acoustic wave propagation direction from the conventional position shown above.
While moving parallel to the outside of the interdigital transducer, the side lobe level attenuation in the frequency characteristic of the interdigital electrode was measured. The result is shown in FIG.
Indicate.
【0026】符号35aは、電極端部に最も近いところ
にあるインパルス励振源をはさむ電極指の中間点13a
を弾性表面波の主伝搬方向に沿ってすだれ状電極の外側
13xへ移動させたとき、移動距離rとすだれ状電極の
周波数特性のサイドロ−ブレベルの減衰量の関係を示し
たものである。Reference numeral 35a designates an intermediate point 13a of the electrode finger which is located closest to the electrode end and which sandwiches the impulse excitation source.
3 shows the relationship between the moving distance r and the side-lobe level attenuation of the frequency characteristics of the interdigital transducer when it is moved to the outside 13x of the interdigital transducer along the main propagation direction of the surface acoustic wave.
【0027】図示するように、移動距離rを、 0<r<6.65μm の範囲内で適当に値に取ることにより、従来に比べサイ
ドロ−ブレベルの劣化を軽減することができる。本第1
実施例では、測定結果より最も良好な効果を得られた距
離r3.3μmを電極指の位置とした。As shown in the figure, by setting the moving distance r to an appropriate value within the range of 0 <r <6.65 μm, it is possible to reduce the deterioration of the side lobe level as compared with the conventional case. Book first
In the example, the position r of the electrode finger was set at a distance r3.3 μm, which was the best result from the measurement results.
【0028】ここで、距離rがおよそ3.3μmのとき
のすだれ状電極の周波数特性を図2に符号4aで示す。
また、符号4bで、従来の周波数特性を示す。図示する
ように、符号4bにくらべ符号4aは、中心周波数付近
の応答は、ほぼ同一で、サイドロ−ブレベルが最大10
dB低下されている。Here, the frequency characteristic of the interdigital transducer when the distance r is about 3.3 μm is shown by reference numeral 4a in FIG.
Further, reference numeral 4b indicates a conventional frequency characteristic. As shown in the figure, compared to the code 4b, the code 4a has almost the same response near the center frequency, and the maximum side lobe level is 10 or less.
It is lowered by dB.
【0029】なお、一般的には、二重電極構造の場合、
点13a、電極端部に2番目に近いところにあるインパ
ルス励振源をはさむ電極指の中間点13b、電極端部に
3番目に近いところにあるインパルス励振源をはさむ電
極指の中間点13cが隣合う距離をpとおくと、移動距
離rは、 0<r<(p/8) の範囲内で考慮し、電極指の最適な位置を求めるように
すればよい。pは、すだれ状電極の中心周波数f0、弾
性表面波の伝搬速度vを用い、p=v/2f0で表わさ
れる。In general, in the case of a double electrode structure,
The point 13a, the middle point 13b of the electrode finger that sandwiches the impulse excitation source that is the second closest to the electrode end, and the middle point 13c of the electrode finger that sandwiches the impulse excitation source that is the third closest to the electrode end are adjacent. When the matching distance is set to p, the moving distance r may be considered within the range of 0 <r <(p / 8), and the optimum position of the electrode finger may be obtained. p is represented by p = v / 2f 0 by using the center frequency f 0 of the interdigital transducer and the propagation velocity v of the surface acoustic wave.
【0030】以下、本発明の第2の実施例を説明する。The second embodiment of the present invention will be described below.
【0031】本第2実施例に係る弾性表面波装置は、弾
性表面波基板上に設けた抜き取り重み付き電極を設けた
弾性表面波装置であって、電気信号と弾性表面波信号と
の変換を行う。The surface acoustic wave device according to the second embodiment is a surface acoustic wave device provided with a sampling weighted electrode provided on a surface acoustic wave substrate, and converts an electric signal and a surface acoustic wave signal. To do.
【0032】図3に、本第2実施例に係る弾性表面波装
置のすだれ状電極の構成を示す。FIG. 3 shows the configuration of the interdigital electrodes of the surface acoustic wave device according to the second embodiment.
【0033】本第2実施例においては、弾性表面波基板
として、128°Y軸カットのリチウムナイオベ−ト基
板を用いた。また、弾性表面波の伝搬方向をX軸として
いる。なお、弾性表面波基板には、リチウムタンタレ−
ト基板、水晶基板、その他の材料を用いることもでき
る。また、このすだれ状電極は、励振効率が最大となる
中心周波数をf0=36.36MHz、電極幅を13.
3μmの二重電極構造とし、これを、厚さ、6000Å
のアルミニウム蒸着膜からフォトリソグラフィ技術で弾
性表面波基板上に形成した。In the second embodiment, a 128 ° Y-axis cut lithium niobate substrate was used as the surface acoustic wave substrate. Further, the propagation direction of the surface acoustic wave is the X axis. The surface acoustic wave substrate is made of lithium tantalum.
Substrates, quartz substrates, and other materials can also be used. Further, in this interdigital transducer, the center frequency at which the excitation efficiency is maximum is f 0 = 36.36 MHz, and the electrode width is 13.
3μm double electrode structure, thickness of 6000Å
It was formed on the surface acoustic wave substrate by a photolithography technique from the aluminum vapor deposition film.
【0034】図3に示したのは、本第2実施例に係る弾
性表面波装置のすだれ状電極の非励振部であり、両端部
は図示を省略した。FIG. 3 shows a non-exciting portion of the interdigital transducer of the surface acoustic wave device according to the second embodiment, both ends of which are not shown.
【0035】図示するように、すだれ状電極は、それぞ
れ複数の電極指と電極指を接続するバスバ−よりなる櫛
歯状の電極1aと1bを有している。そして、すだれ状
電極中に部分的に設けられた非励振部7を有している。
非励振部に最も近いインパルスの励振源をはさむ、互い
に電気的極性が異なる電極指が25a、25bである。As shown in the figure, the interdigital electrode has comb-teeth-shaped electrodes 1a and 1b each composed of a plurality of electrode fingers and a bus bar for connecting the electrode fingers. The non-excitation part 7 is provided partially in the interdigital transducer.
Electrode fingers 25a and 25b having electrical polarities different from each other and sandwiching an impulse excitation source closest to the non-excitation part are provided.
【0036】いま、従来の抜取り重み付け電極を用いた
弾性表面波装置の、非励振部に最も近いインパルスの励
振源をはさむ、互いに電気的極性が異なる電極指が配置
されていた位置を図中に破線で示した。図示するよう
に、従来、全ての電極指は一定のメタライズド比、電極
ピッチで配置されている。本第2実施例では、このメタ
ライズド比が0.5としている。Now, in the conventional surface acoustic wave device using the sampling weighting electrodes, the positions where the electrode fingers having mutually different electric polarities sandwiching the excitation source of the impulse closest to the non-excitation part are shown in the figure. It is indicated by a broken line. As shown in the figure, conventionally, all electrode fingers are arranged at a constant metallized ratio and electrode pitch. In the second embodiment, the metallized ratio is 0.5.
【0037】さて、発明者らは、非励振部に最も近いと
ころにあるインパルス励振源をはさむ電極指を、先に示
した従来の位置より、弾性表面波主伝搬方向に沿って、
非励振部7側へ向かって平行移動させながら、このすだ
れ状電極の周波数特性におけるサイドロ−ブレベルの減
衰量を測定した。その結果を図11に符号35bで示
す。The inventors of the present invention have determined that the electrode fingers sandwiching the impulse excitation source located closest to the non-excited portion are located in the main surface acoustic wave propagation direction from the conventional position shown above.
The amount of side lobe level attenuation in the frequency characteristics of the interdigital transducer was measured while moving in parallel toward the non-excitation part 7. The result is indicated by reference numeral 35b in FIG.
【0038】符号35bは、非励振部に最も近いところ
にあるインパルス励振源をはさむ電極指の中間点23a
を弾性表面波の主伝搬方向に沿って非励振部側23xへ
移動させたとき、移動距離rと、すだれ状電極の周波数
特性のサイドロ−ブレベルの減衰量の関係を示したもの
である。The reference numeral 35b designates the intermediate point 23a of the electrode finger which sandwiches the impulse excitation source located closest to the non-excitation section.
2 shows the relationship between the moving distance r and the attenuation amount of the side lobe level of the frequency characteristic of the interdigital transducer when the surface acoustic wave is moved to the non-excitation portion side 23x along the main propagation direction.
【0039】図示するように、移動距離rを、 0<r<6.65μm の範囲内で適当に値に取ることにより、従来に比べサイ
ドロ−ブレベルの劣化を軽減することができる。本第2
実施例では、測定結果より最も良好な効果を得られた距
離r3.3μmを電極指の位置とした。As shown in the figure, by setting the moving distance r to an appropriate value within the range of 0 <r <6.65 μm, the deterioration of the side lobe level can be reduced as compared with the conventional case. Book second
In the example, the position r of the electrode finger was set at a distance r3.3 μm, which was the best result from the measurement results.
【0040】rがおよそ3.3μmのときのすだれ状電
極の周波数特性を4図に符号8aで示す。また、4図の
符号8bで従来の周波数特性を示す。図示するように符
号8bにくらべ符号8aは、中心周波数付近の応答は、
ほぼ同一で、サイドロ−ブレベルが最大15dB低下さ
れている。The frequency characteristic of the interdigital transducer when r is about 3.3 μm is shown by reference numeral 8a in FIG. Reference numeral 8b in FIG. 4 shows a conventional frequency characteristic. As shown in the figure, compared to the code 8b, the code 8a has a response near the center frequency
Almost the same, the side lobe level is reduced by up to 15 dB.
【0041】なお、先に第1実施例で述べたと同様に、
二重電極構造の場合、点23a、非励振部7に2番目に
近いところにあるインパルス励振源をはさむ電極指の中
間点23b、非励振部7に3番目に近いところにあるイ
ンパルス励振源をはさむ電極指の中間点23cが隣合う
距離をpとおくと、移動距離rは 0<r<(p/8) の範囲内で考慮すればよい。pは、すだれ状電極の中心
周波数f0、弾性表面波の伝搬速度vを用い、p=v/
2f0で表わされる。Incidentally, in the same manner as described in the first embodiment,
In the case of the double electrode structure, a point 23a, an intermediate point 23b of the electrode fingers sandwiching the impulse excitation source located second closest to the non-excitation section 7 and an impulse excitation source located third closest to the non-excitation section 7 Assuming that the distance between the midpoints 23c of the sandwiching electrode fingers is p, the moving distance r should be considered within the range of 0 <r <(p / 8). p is the center frequency f 0 of the interdigital transducer and the propagation velocity v of the surface acoustic wave, and p = v /
It is represented by 2f 0 .
【0042】なお、図3に示した構成は、非励振部7
を、インパルスの励振源を2ヶ所上抜き取ったものとし
て示しているが、抜き取る励振源の箇所は、2ヶ所には
限られない。The configuration shown in FIG. 3 has the non-excitation section 7
Is shown as having two impulse excitation sources extracted, but the number of excitation sources to be extracted is not limited to two.
【0043】以下、本発明の第3の実施例について説明
する。The third embodiment of the present invention will be described below.
【0044】本第3実施例に係る弾性表面波装置は、弾
性表面波基板上に設けた抜き取り重み付き電極を設けた
弾性表面波装置であって、電気信号と弾性表面波信号と
の変換を行う。The surface acoustic wave device according to the third embodiment is a surface acoustic wave device provided with extraction weighted electrodes provided on a surface acoustic wave substrate, and converts electric signals and surface acoustic wave signals. To do.
【0045】図5に、本第3実施例に係る弾性表面波装
置のすだれ状電極の構成を示す。FIG. 5 shows the configuration of the interdigital electrode of the surface acoustic wave device according to the third embodiment.
【0046】本第3実施例においては、弾性表面波基板
として、128°Y軸カットのリチウムナイオベ−ト基
板を用いた。また、弾性表面波の伝搬方向をX軸として
いる。なお、弾性表面波基板には、リチウムタンタレ−
ト基板、水晶基板、その他の材料を用いることもでき
る。また、このすだれ状電極は、励振効率が最大となる
中心周波数をf0=36.36MHz、電極幅を13.
3μmの二重電極構造とし、これを、厚さ、6000Å
のアルミニウム蒸着膜からフォトリソグラフィ技術で弾
性表面波基板上に形成した。In the third embodiment, a 128 ° Y-axis cut lithium niobate substrate was used as the surface acoustic wave substrate. Further, the propagation direction of the surface acoustic wave is the X axis. The surface acoustic wave substrate is made of lithium tantalum.
Substrates, quartz substrates, and other materials can also be used. Further, in this interdigital transducer, the center frequency at which the excitation efficiency is maximum is f 0 = 36.36 MHz, and the electrode width is 13.
3μm double electrode structure, thickness of 6000Å
It was formed on the surface acoustic wave substrate by a photolithography technique from the aluminum vapor deposition film.
【0047】図5に示したのは、本第3実施例に係る弾
性表面波装置のすだれ状電極の非励振部であり、両端部
は図示を省略した。FIG. 5 shows a non-exciting portion of the interdigital transducer of the surface acoustic wave device according to the third embodiment, both ends of which are not shown.
【0048】図示するように、すだれ状電極は、それぞ
れ複数の電極指と電極指を接続するバスバ−よりなる櫛
歯状の電極1aと1bを有している。そして、すだれ状
電極中に部分的に設けられた非励振部10を有してい
る。非励振部10に最も近いインパルスの励振源をはさ
む、互いに電気的極性が異なる電極指が39a、39b
である。As shown in the figure, the interdigital electrode has comb-teeth-shaped electrodes 1a and 1b each composed of a plurality of electrode fingers and a bus bar for connecting the electrode fingers. The non-excitation part 10 is partially provided in the interdigital transducer. Electrode fingers 39a, 39b having different electrical polarities sandwiching the impulse excitation source closest to the non-excitation unit 10 are provided.
Is.
【0049】さて、先に説明した第2実施例において
は、すだれ状電極の非励振部は、互いに電気的極性の同
じ電極指にはさまれていた(図3参照)。本第3実施例
に係るすだれ状電極は、非励振部が互いに電気的極性が
異なる電極指にはさまれている。そのため、この場合、
非励振部10の中心に、インパルスの励振が生じる事が
考えられる。In the second embodiment described above, the non-excitation part of the interdigital electrode was sandwiched between the electrode fingers having the same electric polarity (see FIG. 3). In the interdigital transducer according to the third embodiment, the non-excited portion is sandwiched between electrode fingers having different electric polarities. So in this case,
Impulse excitation may occur at the center of the non-excitation unit 10.
【0050】いま、従来の抜取り重み付け電極を用いた
弾性表面波装置の、非励振部に最も近いインパルスの励
振源をはさむ、互いに電気的極性が異なる電極指が配置
されていた位置を図中に破線で示した。図示するよう
に、従来、全ての電極指は、一定のメタライズド比、電
極ピッチで配置されている。本第3実施例では、このメ
タライズド比が0.5としている。Now, in the surface acoustic wave device using the conventional sampling and weighting electrodes, the positions where electrode fingers having different electric polarities sandwiching the excitation source of the impulse closest to the non-excitation part are arranged in the figure. It is indicated by a broken line. As shown in the figure, conventionally, all the electrode fingers are arranged with a constant metallized ratio and electrode pitch. In the third embodiment, this metallized ratio is 0.5.
【0051】さて、発明者らは、非励振部に最も近いと
ころにあるインパルス励振源をはさむ電極指を、先に示
した従来の位置より、弾性表面波主伝搬方向に沿って、
非励振部10へ向かって平行移動させながら、このすだ
れ状電極の周波数特性におけるサイドロ−ブレベルの減
衰量を測定した。Now, the inventors of the present invention have placed the electrode fingers sandwiching the impulse excitation source closest to the non-excited portion from the conventional position shown above along the main surface acoustic wave propagation direction.
While moving parallel to the non-excitation part 10, the side lobe level attenuation amount in the frequency characteristic of the interdigital transducer was measured.
【0052】いま、非励振部に最も近いところにあるイ
ンパルス励振源をはさむ電極指の中間点33aを弾性表
面波の主伝搬方向に沿って非励振部10側33xへ移動
させたとき、移動距離rと、すだれ状電極の周波数特性
のサイドロ−ブレベルの減衰量の関係は、前記第2実施
例と同様に、rがおよそ3.3μmのとき、すだれ状電
極の周波数特性は最も良く、点33aを移動させない場
合の周波数特性にくらべ、中心周波数付近の応答は、ほ
ぼ同一で、サイドロ−ブレベルが約15dB低下した。
そこで、本第3実施例では、測定結果より最も良好な効
果を得られた距離r3.3μmを電極指の位置とした。Now, when the intermediate point 33a of the electrode fingers sandwiching the impulse excitation source closest to the non-excitation section is moved to the non-excitation section 10 side 33x along the main propagation direction of the surface acoustic wave, the moving distance is As for the relationship between r and the attenuation amount of the side lobe level of the frequency characteristic of the interdigital transducer, the frequency characteristic of the interdigital electrode is the best when r is about 3.3 μm, as in the second embodiment. The response near the center frequency was almost the same, and the side lobe level was reduced by about 15 dB compared to the frequency characteristic when the was not moved.
Therefore, in the third embodiment, the distance r3.3 μm, which gives the best effect from the measurement result, is set as the position of the electrode finger.
【0053】以上のように、非励振部10が、互いに電
気的極性の異なる電極指39a、39bにはさまれてい
る場合も、電極指の最適な位置を測定により求めて配置
することによりサイドロ−ブレベルの減衰量を改善する
ことができる。As described above, even when the non-excited portion 10 is sandwiched between the electrode fingers 39a and 39b having different electric polarities, the side positions can be determined by arranging the optimum positions of the electrode fingers by measurement. -It is possible to improve the attenuation amount of the sub-level.
【0054】以下、本発明の第4の実施例について説明
する。The fourth embodiment of the present invention will be described below.
【0055】本第4実施例は、前記第2実施例、第3実
施例において行った電極指の移動を他の手法により行う
ものである。In the fourth embodiment, the movement of the electrode fingers performed in the second and third embodiments is performed by another method.
【0056】図6、図7、図8に、この移動手法を示
す。なお、各図には、非励振部との境界部周辺のみを示
した。This moving method is shown in FIGS. 6, 7 and 8. It should be noted that in each figure, only the vicinity of the boundary with the non-excitation part is shown.
【0057】また、従来の抜取り重み付け電極を用いた
弾性表面波装置の、非励振部に最も近いインパルスの励
振源をはさむ、互いに電気的極性が異なる電極指が配置
されていた位置を各図中に破線で示した。また、図6に
おいては41a、41bが、図7においては73a、7
3bが、図8においては46a、46bが、非励振部に
最も近いところにあるインパルス励振源をはさむ電極指
である。Further, in the surface acoustic wave device using the conventional sampling and weighting electrodes, the positions where the electrode fingers having mutually different electric polarities sandwiching the excitation source of the impulse closest to the non-excitation part are shown in each figure. Is indicated by a broken line. Also, 41a and 41b in FIG. 6 and 73a and 7b in FIG.
Reference numeral 3b, and 46a and 46b in FIG. 8 denote electrode fingers sandwiching the impulse excitation source located closest to the non-excitation portion.
【0058】発明者らは、非励振部に最も近いところに
あるインパルス励振源をはさむ電極指を、先に示した従
来の位置より、弾性表面波主伝搬方向に沿って、非励振
部7側へ向かって平行移動させながら、このすだれ状電
極の周波数特性におけるサイドロ−ブレベルの減衰量を
測定した。The inventors of the present invention have determined that the electrode fingers sandwiching the impulse excitation source closest to the non-excited portion are closer to the non-excited portion 7 side along the main surface acoustic wave propagation direction than the conventional position shown above. The amount of side lobe level attenuation in the frequency characteristic of the interdigital transducer was measured while moving parallel to.
【0059】ただし、図6に示す場合は、非励振部に最
も近いところにあるインパルス励振源と反対側の電極指
41aの辺42の位置は固定したままとした。However, in the case shown in FIG. 6, the position of the side 42 of the electrode finger 41a on the opposite side of the impulse excitation source closest to the non-excitation portion is kept fixed.
【0060】また、図7に示す場合は、非励振部に最も
近いところにあるインパルス励振源と反対側の電極指7
3aの辺44の位置と、非励振部に最も近いところにあ
るインパルス励振源と反対側の電極指73bの辺45の
位置は固定したままとした。Further, in the case shown in FIG. 7, the electrode finger 7 on the opposite side of the impulse excitation source located closest to the non-excited portion is used.
The position of the side 44 of 3a and the position of the side 45 of the electrode finger 73b on the opposite side of the impulse excitation source closest to the non-excited portion were kept fixed.
【0061】また、図8に示す場合は、非励振部に最も
近いところにあるインパルス励振源と反対側の電極指4
6bの辺47の位置は固定したままとした。Further, in the case shown in FIG. 8, the electrode finger 4 on the opposite side of the impulse excitation source located closest to the non-excited portion is used.
The position of the side 47 of 6b was kept fixed.
【0062】さて、各場合においても、非励振部に最も
近いところにあるインパルス励振源をはさむ電極指の中
間点43aを弾性表面波の主伝搬方向に沿ってすだれ状
電極の非励振部7側43xへ移動させたときの移動距離
rと、すだれ状電極の周波数特性のサイドロ−ブレベル
の減衰量の関係は、前述した第2実施例および第3実施
例の場合と同様に、rがおよそ3.3μmのとき、すだ
れ状電極の周波数特性が最も良く、点43aを移動させ
ない場合の周波数特性と比べると、中心周波数付近の応
答は、ほぼ同一で、サイドロ−ブレベルは約15dB低
下した。そこで、本第4実施例でも、測定結果より最も
良好な効果を得られた距離r3.3μmを電極指の位置
とした。In each case, the intermediate point 43a of the electrode finger sandwiching the impulse excitation source located closest to the non-excitation section is located along the main propagation direction of the surface acoustic wave on the non-excitation section 7 side of the interdigital electrode. The relationship between the moving distance r when moved to 43x and the attenuation amount of the side lobe level of the frequency characteristic of the interdigital transducer is that r is about 3 as in the case of the second and third embodiments described above. In the case of 0.3 μm, the frequency characteristic of the interdigital transducer is the best, and compared with the frequency characteristic when the point 43a is not moved, the response near the center frequency is almost the same and the side lobe level is reduced by about 15 dB. Therefore, also in the fourth embodiment, the position of the electrode finger is set to the distance r3.3 μm at which the best effect is obtained from the measurement result.
【0063】以上のように、このような、移動の手法に
よっても、電極指の最適な位置を実験により求めて配置
することによりサイドロ−ブレベルの減衰量を改善する
ことができる。As described above, also by such a moving method, it is possible to improve the attenuation amount of the side lobe level by arranging the optimum positions of the electrode fingers by experiments.
【0064】次に、本発明の第5の実施例について説明
する。Next, a fifth embodiment of the present invention will be described.
【0065】本第5実施例に係る弾性表面波装置は、弾
性表面波基板上に設けた抜き取り重み付き電極を設けた
弾性表面波装置であって、電気信号と弾性表面波信号と
の変換を行う。The surface acoustic wave device according to the fifth embodiment is a surface acoustic wave device provided with extraction weighted electrodes provided on a surface acoustic wave substrate, and converts electrical signals and surface acoustic wave signals. To do.
【0066】図9に本第5実施例に係る弾性表面波装置
のすだれ状電極の構成を示す。FIG. 9 shows the configuration of the interdigital transducer of the surface acoustic wave device according to the fifth embodiment.
【0067】本第5の実施例においては、弾性表面波基
板として、128°Y軸カットのリチウムナイオベ−ト
基板を用いた。また、弾性表面波の伝搬方向をX軸とし
ている。なお、弾性表面波基板には、たとえば、リチウ
ムタンタレ−ト基板、水晶基板、その他の材料を用いる
こともできる。In the fifth embodiment, a 128 ° Y-axis cut lithium niobate substrate is used as the surface acoustic wave substrate. Further, the propagation direction of the surface acoustic wave is the X axis. For the surface acoustic wave substrate, for example, a lithium tantalate substrate, a quartz substrate, or another material can be used.
【0068】また、本第5実施例では、すだれ状電極
の、励振効率が最大となる中心周波数をf0=36.3
6MHz、電極幅を26.6μmの単電極構造とし。こ
れを、厚さ、6000Åのアルミニウム蒸着膜からフォ
トリソグラフィ技術で弾性表面波基板上に形成した。In the fifth embodiment, the center frequency of the interdigital transducer having the maximum excitation efficiency is f 0 = 36.3.
It has a single electrode structure of 6 MHz and an electrode width of 26.6 μm. This was formed on a surface acoustic wave substrate by a photolithography technique from an aluminum vapor deposition film having a thickness of 6000Å.
【0069】図9に示したのは、本第5実施例に係るす
だれ状電極の両端部である。図示を省略しているが、こ
の両端部間に、電極指の抜取りにより形成された非励振
部が存在する。FIG. 9 shows both ends of the interdigital transducer according to the fifth embodiment. Although not shown in the figure, a non-excited portion formed by removing the electrode fingers exists between the both ends.
【0070】図示するように、すだれ状電極は、それぞ
れ複数の電極指と電極指を接続するバスバ−よりなる櫛
歯状の2つの電極より成る。そして、電極端部に最も近
いところにあるインパルス励振源をはさむ、互いに電気
的極性が異なる電極指が98a、98bである。As shown in the figure, the interdigital electrode is composed of two comb-teeth-shaped electrodes each composed of a plurality of electrode fingers and a bus bar for connecting the electrode fingers. Then, electrode fingers 98a and 98b sandwiching the impulse excitation source closest to the electrode end portion and having mutually different electric polarities are 98a and 98b.
【0071】いま、従来の抜取り重み付け電極を用いた
弾性表面波装置において、電極端部に最も近いところに
あるインパルス励振源をはさむ、互いに電気的極性が異
なる電極指が配置されていた位置を図中に破線で示し
た。図示するように、従来、全ての電極指は、一定のメ
タライズド比、電極ピッチで配置されている。本第5実
施例では、このメタライズド比が0.5としている。Now, in the surface acoustic wave device using the conventional sampling and weighting electrodes, the positions where the electrode fingers having different electric polarities sandwiching the impulse excitation source closest to the electrode end are arranged are shown in FIG. It is indicated by a broken line inside. As shown in the figure, conventionally, all the electrode fingers are arranged with a constant metallized ratio and electrode pitch. In the fifth embodiment, this metallized ratio is 0.5.
【0072】さて、発明者らは、電極端部に最も近いと
ころにあるインパルス励振源をはさむ電極指を、先に示
した従来の位置より、弾性表面波主伝搬方向に沿って、
すだれ状電極の外側へ向かって平行移動させながら、こ
のすだれ状電極の周波数特性におけるサイドロ−ブレベ
ルの減衰量を測定した。その結果を、図12に示す。Now, the inventors of the present invention have placed the electrode fingers sandwiching the impulse excitation source closest to the end of the electrode from the conventional position shown above along the main surface acoustic wave propagation direction.
While moving parallel to the outside of the interdigital transducer, the side lobe level attenuation in the frequency characteristic of the interdigital electrode was measured. The result is shown in FIG.
【0073】図12は、電極端部に最も近いところにあ
るインパルス励振源をはさむ電極指の中間点93aを弾
性表面波の主伝搬方向に沿ってすだれ状電極の外側93
xへ移動させたとき、移動距離rとすだれ状電極の周波
数特性のサイドロ−ブレベルの減衰量の関係を示したも
のである。In FIG. 12, the intermediate point 93a of the electrode fingers sandwiching the impulse excitation source, which is the closest to the electrode end, is located outside the interdigital electrode 93 along the main propagation direction of the surface acoustic wave.
It shows the relationship between the movement distance r and the attenuation amount of the side lobe level of the frequency characteristics of the interdigital transducer when moved to x.
【0074】図示するように、移動距離rを、 0<r<13μm の範囲内で適当に値に取ることにより、従来に比べサイ
ドロ−ブレベルの劣化を軽減することができる。本第5
実施例では、測定結果より最も良好な効果を得られた距
離r6.5μmを電極指の位置とした。As shown in the figure, by setting the moving distance r to an appropriate value within the range of 0 <r <13 μm, the deterioration of the side lobe level can be reduced as compared with the conventional case. Book 5
In the example, the position of the electrode finger was set at a distance r6.5 μm, which was the best result from the measurement results.
【0075】ここで、距離rがおよそrがおよそ6.5
μmのとき、すだれ状電極の周波数特性は最も良く、従
来の周波数特性と比べると、中心周波数付近の応答は、
ほぼ同一で、サイドロ−ブレベルが約15dB低下して
いる。Here, the distance r is about r and about 6.5.
When μm, the frequency characteristics of the interdigital transducer are the best, and compared with the conventional frequency characteristics, the response near the center frequency is
Almost the same, the side lobe level is reduced by about 15 dB.
【0076】なお、一般的には、単電極構造の場合、点
93a、電極端部に2番目に近いところにあるインパル
ス励振源をはさむ電極指の中間点93b、電極端部に3
番目に近いところにあるインパルス励振源をはさむ電極
指の中間点93cが隣合う距離をpとおくと、移動距離
rは、 0<r<(p/4) の範囲内で考慮し、電極指の最適な位置を求めるように
すればよい。pは、すだれ状電極の中心周波数f0、弾
性表面波の伝搬速度vを用い、p=v/2f0で表わさ
れる。Generally, in the case of a single electrode structure, a point 93a, an intermediate point 93b of an electrode finger sandwiching an impulse excitation source located at the second closest position to the electrode end, and 3 at the electrode end.
Assuming that the distance between the intermediate points 93c of the electrode fingers sandwiching the impulse excitation source located next to the next is p, the moving distance r is considered within the range of 0 <r <(p / 4). It is sufficient to find the optimum position of. p is represented by p = v / 2f 0 by using the center frequency f 0 of the interdigital transducer and the propagation velocity v of the surface acoustic wave.
【0077】なお、本第5実施例では、単電極構造すだ
れ状電極の端部について述べたが、すだれ状電極内部の
非励振部についても、前記第2、第3実施例で2重電極
構造のすだれ状電極について示したものと結果が得られ
る。また、この場合インパルスの励振源の抜き取る箇所
は任意で良い。In the fifth embodiment, the end portion of the interdigital electrode having the single electrode structure is described. However, the non-excited portion inside the interdigital electrode has the double electrode structure in the second and third embodiments. Results are obtained with those shown for the interdigital electrodes. In addition, in this case, the portion from which the impulse excitation source is extracted may be arbitrary.
【0078】次に、本発明の第6の実施例について説明
する。Next explained is the sixth embodiment of the invention.
【0079】本6実施例に係る弾性表面波装置は、弾性
表面波基板上に設けた抜き取り重み付き電極を設けた弾
性表面波装置であって、電気信号と弾性表面波信号との
変換を行う。The surface acoustic wave device according to the sixth embodiment is a surface acoustic wave device provided with a sampling weight electrode provided on a surface acoustic wave substrate, and performs conversion between an electric signal and a surface acoustic wave signal. ..
【0080】図10に、本第6実施例に係る弾性表面波
装置のすだれ状電極の構成を示す。FIG. 10 shows the configuration of the interdigital electrode of the surface acoustic wave device according to the sixth embodiment.
【0081】本第6実施例においては、弾性表面波基板
として、128°Y軸カットのリチウムナイオベ−ト基
板を用いた。また、弾性表面波の伝搬方向をX軸として
いる。なお、弾性表面波基板には、リチウムタンタレ−
ト基板、水晶基板、その他の材料を用いることもでき
る。また、このすだれ状電極は、励振効率が最大となる
中心周波数をf0=36.36MHz、電極幅を13.
3μmの二重電極構造とし、これを、厚さ、6000Å
のアルミニウム蒸着膜からフォトリソグラフィ技術で弾
性表面波基板上に形成した。In the sixth embodiment, a 128 ° Y-axis cut lithium niobate substrate is used as the surface acoustic wave substrate. Further, the propagation direction of the surface acoustic wave is the X axis. The surface acoustic wave substrate is made of lithium tantalum.
Substrates, quartz substrates, and other materials can also be used. Further, in this interdigital transducer, the center frequency at which the excitation efficiency is maximum is f 0 = 36.36 MHz, and the electrode width is 13.
3μm double electrode structure, thickness of 6000Å
It was formed on the surface acoustic wave substrate by a photolithography technique from the aluminum vapor deposition film.
【0082】図10に示したのは、本第6実施例に係る
弾性表面波装置のすだれ状電極の非励振部であり、両端
部は図示を省略した。FIG. 10 shows a non-exciting portion of the interdigital transducer of the surface acoustic wave device according to the sixth embodiment, and both ends thereof are not shown.
【0083】図示するように、すだれ状電極は、それぞ
れ複数の電極指と電極指を接続するバスバ−よりなる櫛
歯状の2つの電極を有している。そして、非励振部に最
も近いところにあるインパルス励振源をはさむ、互いに
電気的極性が異なる電極指が119a、119bであ
る。As shown in the figure, the interdigital electrode has two comb-teeth electrodes each of which is composed of a plurality of electrode fingers and a bus bar for connecting the electrode fingers. Then, electrode fingers 119a and 119b sandwiching the impulse excitation source closest to the non-excitation portion and having different electrical polarities are 119a and 119b.
【0084】いま、従来の抜取り重み付け電極を用いた
弾性表面波装置の、非励振部に最も近いインパルスの励
振源をはさむ、互いに電気的極性が異なる電極指が配置
されていた位置を図中に破線で示した。図示するよう
に、従来、全ての電極指は一定のメタライズド比、電極
ピッチで配置されている。本第6実施例では、このメタ
ライズド比を0.5としている。Now, in the conventional surface acoustic wave device using the sampling weighted electrodes, the positions where the electrode fingers having different electric polarities sandwiching the excitation source of the impulse closest to the non-excited portion are arranged in the drawing. It is indicated by a broken line. As shown in the figure, conventionally, all electrode fingers are arranged at a constant metallized ratio and electrode pitch. In the sixth embodiment, this metallized ratio is 0.5.
【0085】さて、発明者らは、非励振部に最も近いと
ころにあるインパルス励振源をはさむ電極指を、先に示
した従来の位置より、弾性表面波主伝搬方向に沿って、
非励振部107側へ向かって平行移動させながら、この
すだれ状電極の周波数特性におけるサイドロ−ブレベル
の減衰量を測定した。Now, the inventors of the present invention have placed the electrode fingers sandwiching the impulse excitation source closest to the non-excited portion from the conventional position shown above along the main surface acoustic wave propagation direction.
While moving parallel to the non-excitation part 107 side, the side lobe level attenuation amount in the frequency characteristic of the interdigital transducer was measured.
【0086】非励振部に最も近いところにあるインパル
ス励振源をはさむ電極指の中間点103aを弾性表面波
の主伝搬方向に沿って非励振部側103xへ移動させた
とき、移動距離rと、すだれ状電極の周波数特性のサイ
ドロ−ブレベルの減衰量の関係を求めると、前記第2実
施例と同様に、rがおよそ3.3μmのときすだれ状電
極の周波数特性は最も良く、従来の周波数特性と比べる
と、中心周波数付近の応答は、ほぼ同一で、サイドロ−
ブレベルが約15dB低下している。When the intermediate point 103a of the electrode finger sandwiching the impulse excitation source located closest to the non-excited portion is moved to the non-excited portion side 103x along the main propagation direction of the surface acoustic wave, the moving distance r and When the relationship of the side lobe level attenuation amount of the frequency characteristic of the interdigital transducer is obtained, the frequency characteristic of the interdigital electrode is the best when r is about 3.3 μm, as in the second embodiment, and the conventional frequency characteristic. Compared with, the response near the center frequency is almost the same, and
The level is about 15 dB lower.
【0087】そこで、本第6実施例では、測定結果より
最も良好な効果を得られた距離r3.3μmを電極指の
位置とした。Therefore, in the sixth embodiment, the position r of the electrode finger is set to the distance r3.3 μm where the best effect is obtained from the measurement result.
【0088】以上のように、電極指の最適な位置を測定
により求めて配置することによりサイドロ−ブレベルの
減衰量を改善することができる。As described above, it is possible to improve the side lobe level attenuation amount by arranging the optimum position of the electrode finger obtained by measurement.
【0089】ところで、励振源を抜き取った非励振部
は、圧電性基板が露出した状態になっている。そして、
非励振部の基板表面上を伝搬する弾性表面波の伝搬速度
は、非励振部に電極指が形成されている状態に比べ速
い。たとえば、リチウムナイオベ−ト基板では、表面上
をアルミニウムで覆われている場合と、覆われていない
場合と、およそ3%の伝搬速度差が生じる。By the way, in the non-excitation part where the excitation source is removed, the piezoelectric substrate is exposed. And
The propagation velocity of the surface acoustic wave propagating on the substrate surface of the non-excited portion is higher than that in the state where the electrode fingers are formed in the non-excited portion. For example, in a lithium niobate substrate, a propagation velocity difference of about 3% occurs between the case where the surface is covered with aluminum and the case where the surface is not covered with aluminum.
【0090】そこで、以上の各第1実施例から第6実施
例におけるすだれ状電極において、非励振部の露出幅を
拡げて、見かけ上の速度差がゼロになるような補正を施
すのようにしても良い。Therefore, in the interdigital transducers in each of the first to sixth embodiments, the exposure width of the non-excited portion is widened so that the apparent speed difference becomes zero. May be.
【0091】この場合は、前記補正を施したすだれ状電
極において、前述したように電極指を移動させて最適な
配置位置を求めるようにすれば良い。In this case, in the interdigital electrode corrected as described above, the electrode fingers may be moved as described above to obtain the optimum arrangement position.
【0092】このような場合も、すだれ状電極の周波数
特性は、電極指を移動させない場合の周波数特性に比べ
て、中心周波数付近の応答は、ほぼ同一で、サイドロ−
ブレベルが約15dB改善することができる。Even in such a case, the frequency characteristics of the interdigital electrode have substantially the same response in the vicinity of the center frequency as compared with the frequency characteristics when the electrode fingers are not moved, and the side-row frequency characteristics are the same.
The level can be improved by about 15 dB.
【0093】なお、以上の各実施例で示した弾性表面波
装置は、すだれ状電極の電極指の抜取りに起因する前記
非励振部の電界分布の変化は無いものと仮定した場合
に、前記非励振部に対応する期間と、前記非励振部対応
する期間に隣あうインパルス励振の時点と最先および最
終のインパルス励振の時点とのうちの少なくとも一方の
時点とを除き、インパルス励振の時間応答が一定の時間
間隔で生じ、かつ、前記非励振部対応する期間に隣あう
インパルス励振の時点と最先および最終のインパルス励
振の時点とのうちの少なくとも一方の時点と、該時点と
隣あうインパルス励振の時点との時間間隔が、前記一定
の時間間隔より大きくなるように電極指を配置するよう
にして設計することができる。In the surface acoustic wave device shown in each of the above embodiments, it is assumed that there is no change in the electric field distribution of the non-excited part due to the removal of the electrode fingers of the interdigital transducer. Except for the period corresponding to the excitation unit and at least one of the time point of the impulse excitation and the time points of the earliest and final impulse excitation that are adjacent to the period corresponding to the non-excitation unit, the time response of the impulse excitation is Occurring at a constant time interval and at least one of an impulse excitation time point and an earliest and final impulse excitation time point which are adjacent to each other in the period corresponding to the non-excitation section, and the impulse excitation which is adjacent to the time point. The electrode fingers can be designed so that the time interval from the point of time is larger than the fixed time interval.
【0094】次に、本発明の第7の実施例について説明
する。Next explained is the seventh embodiment of the invention.
【0095】図13に本第7実施例に係る弾性表面波フ
ィルタの構成を示す。FIG. 13 shows the structure of the surface acoustic wave filter according to the seventh embodiment.
【0096】この弾性表面波フィルタは、西ドイツのT
V受信機の規格に対応した中心周波数をf0=36.3
6MHzの中間周波フィルタであって、すだれ状の入力
電極122および出力電極123を有している。また、
弾性表面波基板は、128°Y軸カットのリチウムナイ
オベ−ト基板を用い、弾性表面波の伝搬方向をX軸とし
ている。なお、弾性表面波基板121は、たとえば、リ
チウムタンタレ−ト基板、水晶基板、その他の材料を用
いるようにしても良い。This surface acoustic wave filter is based on T of West Germany.
The center frequency corresponding to the standard of the V receiver is f 0 = 36.3.
It is a 6 MHz intermediate frequency filter, and has a comb-shaped input electrode 122 and output electrode 123. Also,
As the surface acoustic wave substrate, a 128 ° Y axis cut lithium niobate substrate is used, and the propagation direction of the surface acoustic wave is the X axis. The surface acoustic wave substrate 121 may be made of, for example, a lithium tantalate substrate, a quartz substrate, or another material.
【0097】また、本第7実施例においては、すだれ状
の入力電極122には、前記第1実施例から第6実施例
で示したすだれ状電極を用いた。Further, in the seventh embodiment, the interdigital input electrodes 122 are the interdigital electrodes shown in the first to sixth embodiments.
【0098】すなわち、入力電極122は、互いに入り
込む櫛歯状の電極指124a、124bとすだれ状電極
端部に最も近いところにあるインパルス励振源をはさ
む、互いに電気的極性が異なる電極指125a、125
bを有する。また、入力状電極22中の電極指126
a、126bの間には非励振部107を有する。また、
他の電極指の配置ピッチと比べ、電極指125a、12
5bは入力電極122の端部側に移動した位置に、12
6aと、126bの配置は非励振部107側へ移動した
位置に配置されている。That is, the input electrode 122 sandwiches the comb-teeth-shaped electrode fingers 124a and 124b which interdigitate with each other and the impulse excitation source closest to the end of the interdigital electrode, and the electrode fingers 125a and 125 having different electric polarities.
b. In addition, the electrode finger 126 in the input-shaped electrode 22
A non-excitation part 107 is provided between a and 126b. Also,
Compared to the arrangement pitch of the other electrode fingers, the electrode fingers 125a, 12a
5b is at a position moved to the end side of the input electrode 122,
The arrangements of 6a and 126b are arranged at positions moved to the non-excitation portion 107 side.
【0099】なお、本第7実施例では、出力電極123
に交差長重み付け電極を用いたが、第1実施例から第6
実施例で示したすだれ状電極を用いるようにしてもよ
い。In the seventh embodiment, the output electrode 123
The crossing length weighting electrode is used for the first to sixth embodiments.
The interdigital electrodes shown in the embodiments may be used.
【0100】次に、本発明の第8の実施例として、前記
第7実施例に係る弾性表面波フィルタを中間周波フィル
タとして用いたTV受信機について説明する。Next, as an eighth embodiment of the present invention, a TV receiver using the surface acoustic wave filter according to the seventh embodiment as an intermediate frequency filter will be described.
【0101】図14に、本第8実施例に係るTV受信機
の受信部の構成を示す。FIG. 14 shows the structure of the receiving section of the TV receiver according to the eighth embodiment.
【0102】図中、129がチュ−ナ−ブロック、13
0が弾性表面波フィルタ、131が検波ブロック、13
2が映像信号出力、133が音声信号出力、134がア
ンテンナを示している。In the figure, numeral 129 is a tuner block, 13
0 is a surface acoustic wave filter, 131 is a detection block, 13
2 is a video signal output, 133 is an audio signal output, and 134 is an antenna.
【0103】このような、TV受信機の受信部におい
て、弾性表面波フィルタ130により、1チャンネル分
の信号が、チュ−ナ−ブロック129から送られてくる
中間周波信号から抜き取られ、検波ブロック131へ送
られた後、映像信号出力132と音声信号出力133へ
分けて出力される。In such a receiving portion of the TV receiver, the surface acoustic wave filter 130 extracts a signal for one channel from the intermediate frequency signal sent from the tuner block 129, and the detection block 131. Then, the video signal output 132 and the audio signal output 133 are separately output.
【0104】図15は、本第8実施例における中間周波
フィルタの周波数特性135aを示したものである。FIG. 15 shows the frequency characteristic 135a of the intermediate frequency filter in the eighth embodiment.
【0105】図示するように、前記第7実施例に係る弾
性表面波フィルタを中間周波フィルタに用いることによ
り、従来の一定のピッチで電極指を配置した抜取り重み
付け電極を入力電極に用いた場合の特性135bに比
べ、帯域外特性が10dB程度改善されている。As shown in the figure, by using the surface acoustic wave filter according to the seventh embodiment as an intermediate frequency filter, the conventional extraction weighting electrode in which electrode fingers are arranged at a constant pitch is used as an input electrode. The out-of-band characteristic is improved by about 10 dB as compared with the characteristic 135b.
【0106】このように、前記第7実施例に係る弾性表
面波フィルタは、TV受信機の他、さまざまな通信機の
中間周波フィルタに用いることができる。As described above, the surface acoustic wave filter according to the seventh embodiment can be used not only as a TV receiver but also as an intermediate frequency filter for various communication devices.
【0107】以上、第1実施例から第6実施例で示した
すだれ状電極中間周波フィルタへの適用例について説明
したが、第1実施例から第6実施例で示したすだれ状電
極は、発振器や、相関器や、RFフィルタ等についても
適用することができる以上のように、本実施例によれ
ば、隣接する櫛歯状電極の電極指交差長を変化させるこ
となく、また、フィルタ等の素子チップ寸法を増大させ
ることなく、また、電極指の抜取り部の端部でインパル
スの励振位置の移動量を見かけ上ゼロにし、すだれ状電
極の端部でインパルスの励振位置の移動量を見かけ上ゼ
ロにし、弾性表面波の励振強度を変えることができる。
その結果、従来の交差長を変化させた重み付け電極と同
様の効果を得ることができ、サイドロ−ブレベルを大幅
に改善でき、弾性表面波フィルタの特性向上が図れる。The application examples to the interdigital transducer intermediate frequency filters shown in the first to sixth embodiments have been described above. The interdigital electrodes shown in the first to sixth embodiments are oscillators. Also, the present invention can be applied to a correlator, an RF filter, and the like. As described above, according to this embodiment, the electrode finger crossing length of the adjacent comb-teeth-shaped electrodes is not changed, and Without increasing the element chip size, the amount of movement of the impulse excitation position is apparently zero at the end of the electrode finger extraction part, and the amount of impulse excitation position movement is apparent at the end of the interdigital electrode. The excitation intensity of the surface acoustic wave can be changed to zero.
As a result, it is possible to obtain the same effect as that of the conventional weighting electrode in which the crossing length is changed, the side lobe level can be significantly improved, and the characteristics of the surface acoustic wave filter can be improved.
【0108】また、通過帯域内特性に関しても、入出力
電極ともに重み付けが可能なことから、フィルタ等の素
子設計の自由度が大幅に向上する。Also, regarding the characteristics within the pass band, since both the input and output electrodes can be weighted, the degree of freedom in designing elements such as filters is greatly improved.
【0109】[0109]
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、電極指
の抜取りにより生じるインパルスの励振源位置の移動に
起因する周波数特性の劣化を改善することのできる抜き
取り重み付き電極を用いた弾性表面波装置を提供するこ
とができる。As described above, according to the present invention, the elasticity using the sampling weighted electrode which can improve the deterioration of the frequency characteristic due to the movement of the excitation source position of the impulse caused by the sampling of the electrode finger is used. A surface acoustic wave device can be provided.
【図1】本発明の第1実施例に係る弾性表面波装置の構
成を示す説明図である。FIG. 1 is an explanatory diagram showing a configuration of a surface acoustic wave device according to a first embodiment of the present invention.
【図2】本発明の第1実施例に係る弾性表面波装置の周
波数特性を示す特性図である。FIG. 2 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention.
【図3】本発明の第2実施例に係る弾性表面波装置の構
成を示す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram showing a configuration of a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the invention.
【図4】本発明の第2実施例に係る弾性表面波装置の周
波数特性を示す特性図である。FIG. 4 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the invention.
【図5】本発明の第3実施例に係る弾性表面波装置の構
成を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory diagram showing a configuration of a surface acoustic wave device according to a third embodiment of the present invention.
【図6】本発明の第4実施例に係る弾性表面波装置の第
1の構成を示す説明図である。FIG. 6 is an explanatory diagram showing a first configuration of a surface acoustic wave device according to a fourth embodiment of the present invention.
【図7】本発明の第4実施例に係る弾性表面波装置の第
2の構成を示す説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram showing a second configuration of the surface acoustic wave device according to the fourth embodiment of the present invention.
【図8】本発明の第4実施例に係る弾性表面波装置の第
3の構成を示す説明図である。FIG. 8 is an explanatory diagram showing a third configuration of the surface acoustic wave device according to the fourth embodiment of the present invention.
【図9】本発明の第5実施例に係る弾性表面波装置の構
成を示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing a structure of a surface acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
【図10】本発明の第6実施例に係る弾性表面波装置の
構成を示す説明図である。FIG. 10 is an explanatory diagram showing a structure of a surface acoustic wave device according to a sixth embodiment of the present invention.
【図11】本発明の第1実施例に係る弾性表面波装置
と、第2実施例に係る弾性表面波装置のサイドロ−ブレ
ベルの減衰量と電極指の移動量との関係を示す特性図で
ある。FIG. 11 is a characteristic diagram showing the relationship between the side lobe level attenuation amount and the electrode finger movement amount of the surface acoustic wave device according to the first embodiment of the present invention and the surface acoustic wave device according to the second embodiment. is there.
【図12】本発明の第5実施例に係る弾性表面波装置の
サイドロ−ブレベルの減衰量と電極指の移動量との関係
を示す特性図である。FIG. 12 is a characteristic diagram showing a relationship between a side lobe level attenuation amount and an electrode finger movement amount of a surface acoustic wave device according to a fifth embodiment of the present invention.
【図13】本発明の第7実施例に係る弾性表面波装置の
構成を示す説明図である。FIG. 13 is an explanatory diagram showing a structure of a surface acoustic wave device according to a seventh embodiment of the present invention.
【図14】本発明の第8実施例に係るTV受信機の構成
を示すブロック図である。FIG. 14 is a block diagram showing a configuration of a TV receiver according to an eighth embodiment of the present invention.
【図15】本発明の第8実施例に係る弾性表面波フィル
タの周波数特性を示す特性図である。FIG. 15 is a characteristic diagram showing frequency characteristics of a surface acoustic wave filter according to an eighth embodiment of the present invention.
1a、1b 電極、 7、10 非励振部、 121 弾性表面波基板、 122 入力電極、 123 出力電極、 130 弾性表面波フィルタ。 1a, 1b electrode, 7, 10 non-excitation part, 121 surface acoustic wave substrate, 122 input electrode, 123 output electrode, 130 surface acoustic wave filter.
Claims (12)
弾性表面波基板上に設けられた複数のすだれ状電極とを
有する弾性表面波装置において、 前記複数のすだれ状電極のうち、すくなくとも1つのす
だれ状電極は、弾性表面波基板上に一定のピッチで電極
指が配置されたすだれ状電極の、一部の電極指を抜取
り、かつ、一部の電極指を、前記一定のピッチによる配
置領域よりずれた領域に配置した構造の、抜取り重み付
け電極であることを特徴とする弾性表面波装置。1. A surface acoustic wave substrate for propagating a surface acoustic wave,
In a surface acoustic wave device having a plurality of interdigital transducers provided on a surface acoustic wave substrate, at least one interdigital transducer among the plurality of interdigital electrodes is arranged at a constant pitch on the surface acoustic wave substrate. An extraction weighting electrode having a structure in which a part of the electrode fingers of the interdigital electrode in which the electrode fingers are arranged is extracted, and a part of the electrode fingers is arranged in a region deviated from the arrangement region at the constant pitch. A surface acoustic wave device characterized by the above.
弾性表面波基板上に設けられた複数のすだれ状電極とを
有する弾性表面波装置において、 前記複数のすだれ状電極のうち、すくなくとも1つのす
だれ状電極は、弾性表面波基板上に一定のピッチで電極
指が配置されたすだれ状電極の、一部の電極指を抜取
り、かつ、一部の電極指を、前記一定のピッチによる配
置領域よりずれた領域であって、前記非励振部を除いた
部分の励振源の位置が前記一部の電極指の抜取りを行わ
なかったとした場合の励振源の位置に近づくような領域
に配置した構造の、抜取り重み付け電極であることを特
徴とする弾性表面波装置。2. A surface acoustic wave substrate for propagating surface acoustic waves,
In a surface acoustic wave device having a plurality of interdigital transducers provided on a surface acoustic wave substrate, at least one interdigital transducer among the plurality of interdigital electrodes is arranged at a constant pitch on the surface acoustic wave substrate. Part of the electrode fingers of the interdigital electrode in which the electrode fingers are arranged are removed, and a part of the electrode fingers is displaced from the arrangement area at the constant pitch, and the non-excitation part is removed. A surface acoustic wave characterized by being an extraction weighting electrode having a structure arranged in an area in which the position of the partial excitation source is close to the position of the excitation source when the extraction of some of the electrode fingers is not performed. apparatus.
弾性表面波基板上に設けられた複数のすだれ状電極とを
有する弾性表面波装置において、 前記複数のすだれ状電極のうち、すくなくとも1つのす
だれ状電極は、弾性表面波基板上に一定のピッチで電極
指が配置されたすだれ状電極の、一部の電極指を抜取
り、かつ、一部の電極指を、前記一定のピッチによる配
置領域よりずれた領域であって、前記非励振部を除いた
部分の電界分布が前記電極指の一部の抜取りを行わなか
ったとした場合の電界分布に近づくような領域に配置し
た構造の、抜取り重み付け電極であることを特徴とする
弾性表面波装置。3. A surface acoustic wave substrate for propagating a surface acoustic wave,
In a surface acoustic wave device having a plurality of interdigital transducers provided on a surface acoustic wave substrate, at least one interdigital transducer among the plurality of interdigital electrodes is arranged at a constant pitch on the surface acoustic wave substrate. Part of the electrode fingers of the interdigital electrode in which the electrode fingers are arranged are removed, and a part of the electrode fingers is displaced from the arrangement area at the constant pitch, and the non-excitation part is removed. A surface acoustic wave device, characterized in that it is a sampling weighting electrode having a structure arranged in a region in which the electric field distribution of a portion approaches the electric field distribution when a part of the electrode fingers is not extracted.
弾性表面波基板上に設けられた複数のすだれ状電極とを
有する弾性表面波装置において、 前記複数のすだれ状電極のうち、すくなくとも1つのす
だれ状電極は、弾性表面波基板上に一定のピッチで電極
指が配置されたすだれ状電極の、一部の電極指を抜き取
り、かつ、前記一部の電極指の抜き取りにより生じた非
励振部に隣あう励振源をはさみこむ電極指を、前記一定
のピッチによる配置領域より前記非励振部方向にずれた
領域に配置した構造の、抜取り重み付け電極であること
を特徴とする弾性表面波装置。4. A surface acoustic wave substrate for propagating a surface acoustic wave,
In a surface acoustic wave device having a plurality of interdigital transducers provided on a surface acoustic wave substrate, at least one interdigital transducer among the plurality of interdigital electrodes is arranged at a constant pitch on the surface acoustic wave substrate. A part of the interdigital electrode in which the electrode fingers are arranged is extracted, and the electrode fingers sandwiching the excitation source adjacent to the non-excitation part generated by the extraction of the part of the electrode fingers are set to the constant pitch. The surface acoustic wave device is a sampling weighting electrode having a structure arranged in a region displaced from the arrangement region in the direction of the non-excitation part by the above.
弾性表面波基板上に設けられた複数のすだれ状電極とを
有する弾性表面波装置において、 前記複数のすだれ状電極のうち、すくなくとも1つのす
だれ状電極は、弾性表面波基板上に一定のピッチで電極
指が配置されたすだれ状電極の、一部の電極指が抜き取
られ、かつ、すだれ状電極の弾性表面波伝搬方向端部に
隣接する励振源をはさみこむ電極指を、前記一定のピッ
チによる配置領域よりすだれ状電極の弾性表面波伝搬方
向端部方向にずれた領域に配置した構造の、抜取り重み
付け電極であることを特徴とする弾性表面波装置。5. A surface acoustic wave substrate for propagating a surface acoustic wave,
In a surface acoustic wave device having a plurality of interdigital transducers provided on a surface acoustic wave substrate, at least one interdigital transducer among the plurality of interdigital electrodes is arranged at a constant pitch on the surface acoustic wave substrate. Arrangement of electrode fingers sandwiching the excitation source adjacent to the end portion of the interdigital transducer in which the electrode fingers are arranged and part of the electrode fingers are extracted and the surface acoustic wave propagation direction of the interdigital electrode is arranged at the constant pitch. A surface acoustic wave device, which is a sampling weighting electrode having a structure arranged in a region displaced in a direction of an end portion of a surface acoustic wave propagation direction of the interdigital electrode from the region.
あって、 前記抜取り重み付け電極は多電極構造であって、 前記抜取り重み付け電極の励振源をはさみこむ電極指の
配置領域は、励振源をはさみこむ電極指の中間点と、前
記一定のピッチによる配置をした場合の励振源をはさみ
こむ電極指の中間点の位置との距離rが、0<r<v/
16f0(但し、f0はすだれ状電極の中心周波数f0、
vは弾性表面波の伝搬速度)関係を満たすような領域で
あることを特徴とする弾性表面波装置。6. The surface acoustic wave device according to claim 4, wherein the extraction weighting electrode has a multi-electrode structure, and an arrangement area of electrode fingers sandwiching an excitation source of the extraction weighting electrode is an excitation source. The distance r between the middle point of the electrode fingers that sandwich the electrode and the middle point of the electrode fingers that sandwich the excitation source when the electrodes are arranged at the constant pitch is 0 <r <v /
16f 0 (where f 0 is the center frequency f 0 of the interdigital transducer,
The surface acoustic wave device is characterized in that v is a region that satisfies a surface acoustic wave propagation velocity relationship.
あって、 前記抜取り重み付け電極は単電極構造であって、 前記抜取り重み付け電極の励振源をはさみこむ電極指の
配置領域は、励振源をはさみこむ電極指の中間点と、前
記一定のピッチによる配置をした場合の励振源をはさみ
こむ電極指の中間点の位置との距離rが、0<r<v/
8f0(但し、f0はすだれ状電極の中心周波数f0、v
は弾性表面波の伝搬速度)関係を満たすような領域であ
ることを特徴とする弾性表面波装置。7. The surface acoustic wave device according to claim 4, wherein the sampling weighting electrode has a single electrode structure, and an arrangement area of electrode fingers sandwiching the excitation source of the sampling weighting electrode is an excitation source. The distance r between the middle point of the electrode fingers that sandwich the electrode and the middle point of the electrode fingers that sandwich the excitation source when the electrodes are arranged at the constant pitch is 0 <r <v /
8f 0 (where f 0 is the center frequency f 0 , v of the interdigital transducer)
The surface acoustic wave device is a region that satisfies the relationship of (propagation velocity of surface acoustic waves).
3、4、5、6または7記載の弾性表面波フィルタを備
えたことを特徴とする通信装置。8. An intermediate frequency filter as claimed in claim 1,
A communication device comprising the surface acoustic wave filter according to 3, 4, 5, 6 or 7.
3、4、5、6または7記載の弾性表面波フィルタを備
えたことを特徴とするテレビジョン受信機。9. An intermediate frequency filter as claimed in claim 1,
A television receiver comprising the surface acoustic wave filter according to 3, 4, 5, 6 or 7.
された電極指の一部を抜き取って励振部にはさまれた非
励振部を設けることにより、抜取り重み付けを行ったす
だれ状電極を有する弾性表面波装置の設計方法であっ
て、 前記抜取り重み付けを行ったすだれ状電極の電極指の一
部を、前記一定のピッチによる配置領域よりずれた領域
であって、前記電極指の一部の抜取りにより生じる前記
非励振部を除いた部分の電界分布の変化を考慮した領域
に配置することを特徴とする弾性表面波装置の設計方
法。10. A comb-shaped electrode weighted by extraction is provided by extracting a part of electrode fingers arranged at a constant pitch on a surface acoustic wave substrate to provide a non-excitation part sandwiched between excitation parts. A method of designing a surface acoustic wave device, comprising: a part of the electrode fingers of the comb-shaped electrodes subjected to the extraction weighting, which is a region displaced from the arrangement region at the constant pitch, and a part of the electrode fingers. A method for designing a surface acoustic wave device, characterized in that the surface acoustic wave device is arranged in a region in consideration of a change in electric field distribution in a portion excluding the non-excited portion caused by the removal of.
された電極指の一部を抜き取って励振部にはさまれた非
励振部を設けることにより、抜取り重み付けを行うすだ
れ状電極を有する弾性表面波装置の設計方法であって、 前記抜取り重み付けを行ったすだれ状電極の電極指の抜
取りに起因する前記非励振部の電界分布の変化は無いも
のと仮定した場合に、前記非励振部に対応する期間と、
前記非励振部に対応する期間に隣あうインパルス励振の
時点と最先および最終のインパルス励振の時点とのうち
の少なくとも一方の時点とを除き、インパルス励振の時
間応答が一定の時間間隔で生じ、かつ、前記非励振部に
対応する期間に隣あうインパルス励振の時点と最先およ
び最終のインパルス励振の時点とのうちの少なくとも一
方の時点と、該時点と隣あうインパルス励振の時点との
時間間隔が、前記一定の時間間隔より大きくなるように
電極指を配置することを特徴とする弾性表面波装置の設
計方法。11. A comb-shaped electrode for performing extraction weighting by extracting a part of electrode fingers arranged at a constant pitch on a surface acoustic wave substrate to provide a non-excitation part sandwiched between excitation parts. A method of designing a surface acoustic wave device, wherein it is assumed that there is no change in the electric field distribution of the non-excitation section due to the extraction of the electrode fingers of the comb-shaped electrodes subjected to the extraction weighting, the non-excitation section The period corresponding to
Except for at least one of the time points of the first and last impulse excitations and the time points of impulse excitations adjacent to each other in the period corresponding to the non-excitation section, the time response of the impulse excitation occurs at constant time intervals, And, at least one of the time points of the impulse excitation and the earliest and last time points of the impulse excitation that are adjacent to each other in the period corresponding to the non-excitation section, and the time interval between the time point and the time point of the adjacent impulse excitation. A method of designing a surface acoustic wave device, wherein the electrode fingers are arranged so as to be larger than the predetermined time interval.
除いた残りの電極指のみが一定のピッチで配置されてい
ることを特徴とする抜取り重み付け電極。12. An extraction weighting electrode, wherein only the remaining electrode fingers excluding the extraction points of the electrode fingers and some of the electrode fingers are arranged at a constant pitch.
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21114391A JPH0555862A (en) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | Surface acoustic wave device |
DE4227340A DE4227340C2 (en) | 1991-08-22 | 1992-08-18 | Surface wave device |
US07/933,305 US5331247A (en) | 1991-08-22 | 1992-08-21 | Surface acoustic wave device and communication device using the same |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP21114391A JPH0555862A (en) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | Surface acoustic wave device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0555862A true JPH0555862A (en) | 1993-03-05 |
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ID=16601096
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP21114391A Pending JPH0555862A (en) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | Surface acoustic wave device |
Country Status (1)
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---|---|
JP (1) | JPH0555862A (en) |
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JP2015523828A (en) * | 2012-08-01 | 2015-08-13 | エプコス アクチエンゲゼルシャフトEpcos Ag | Electroacoustic transducer |
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1991
- 1991-08-22 JP JP21114391A patent/JPH0555862A/en active Pending
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