JPH0555150A - Microwave plasma processing apparatus - Google Patents
Microwave plasma processing apparatusInfo
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- JPH0555150A JPH0555150A JP3065841A JP6584191A JPH0555150A JP H0555150 A JPH0555150 A JP H0555150A JP 3065841 A JP3065841 A JP 3065841A JP 6584191 A JP6584191 A JP 6584191A JP H0555150 A JPH0555150 A JP H0555150A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はマイクロ波プラズマ処理
装置に関し、より詳しくは主として半導体製造プロセス
においてＣＶＤ(Chemical Vapour Deposition)装置、エ
ッチング装置、アッシング装置等として用いられるマイ
クロ波プラズマ処理装置に関する。The present invention relates to an microwave plasma processing apparatus, more particularly mainly CVD (Ch emical Va pour De position ) in a semiconductor manufacturing process tool, the etching apparatus, microwave plasma processing apparatus used as an ashing apparatus or the like Regarding
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５は実開平１−９４４６１号公報に開
示された従来のマイクロ波プラズマ処理装置を模式的に
示した断面図である。図中１１は密閉反応容器を示して
おり、密閉反応容器１１は、耐熱性材料で形成され平板
状の上部壁１１ａと有底筒形状を有する下部壁１１ｂと
から構成されている。密閉反応容器１１内には複数個の
試料Ｓ…を保持する試料台１２が配設されており、この
試料台１２は回転軸１３を中心にして回動可能となって
いる。また密閉反応容器１１の下部壁１１ｂ側面上側に
はガス導入口１４ａが形成され、試料台１２を挟んでガ
ス導入口１４ａと対向する下部壁１１ｂ側面下側にはガ
ス排気口１５ａが形成されている。そしてガス導入口１
４ａ及びガス排気口１５ａにはそれぞれ、ガス導入管１
４及びガス排気管１５が接続されている。一方、密閉反
応容器１１の上部壁１１ａの上方には、略円板形状又は
環形状を有する誘電体被覆線路１６が配設されており、
誘電体被覆線路１６にはマイクロ波伝送導波管１７が接
続されている。2. Description of the Related Art FIG. 5 is a sectional view schematically showing a conventional microwave plasma processing apparatus disclosed in Japanese Utility Model Laid-Open No. 1-94461. Reference numeral 11 in the figure shows a closed reaction vessel, and the closed reaction vessel 11 is composed of a flat upper wall 11a made of a heat resistant material and a lower wall 11b having a bottomed cylindrical shape. A sample table 12 for holding a plurality of samples S is arranged in the closed reaction container 11, and the sample table 12 is rotatable around a rotation shaft 13. Further, a gas inlet port 14a is formed on the upper side surface of the lower wall 11b of the closed reaction vessel 11, and a gas exhaust port 15a is formed on the lower side surface of the lower wall 11b facing the gas inlet port 14a with the sample table 12 in between. There is. And gas inlet 1
4a and the gas exhaust port 15a, respectively, the gas introduction pipe 1
4 and the gas exhaust pipe 15 are connected. On the other hand, above the upper wall 11a of the closed reaction vessel 11, a dielectric coated line 16 having a substantially disc shape or a ring shape is arranged,
A microwave transmission waveguide 17 is connected to the dielectric covered line 16.
【０００３】このように構成されているマイクロ波プラ
ズマ処理装置においては、上記した如く、略円板形状又
は環形状を有する誘電体被覆線路１６にマイクロ波伝送
導波管１７が接続され、この誘電体被覆線路１６が密閉
反応容器１１の上部壁１１ａの上方に配設されているの
で、マイクロ波導波管１７を介して誘電体被覆線路１６
にマイクロ波を導入すれば、密閉反応容器１１の上部側
でマイクロ波プラズマが大面積に発生する。従って、試
料台１２上に載置された複数個の試料Ｓを同時に均一に
処理することができる。In the microwave plasma processing apparatus configured as described above, as described above, the microwave transmission waveguide 17 is connected to the dielectric coated line 16 having a substantially disk shape or a ring shape, and this dielectric Since the body-covered line 16 is arranged above the upper wall 11a of the closed reaction vessel 11, the dielectric-covered line 16 is provided via the microwave waveguide 17.
When microwaves are introduced into the microwave reactor, microwave plasma is generated in a large area on the upper side of the closed reaction vessel 11. Therefore, a plurality of samples S placed on the sample table 12 can be uniformly processed at the same time.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記した
マイクロ波プラズマ処理装置にあっては、密閉反応容器
１１内へのガスの導入はガス導入口１４ａからの一か所
だけであり、しかも導入されたガスを分散させる手段が
ないため、ガスが密閉反応容器１１内に偏って存在して
しまい、ガス利用効率が悪いという課題を有していた。
またガスが密閉反応容器１１内に均一に分散しないため
にプラズマが均一に発生せず、複数個の試料Ｓの処理速
度が均一に行なわれないという課題もあった。However, in the above-mentioned microwave plasma processing apparatus, the gas is introduced into the closed reaction vessel 11 only from the gas introduction port 14a, and it is introduced. Since there is no means for dispersing the gas, the gas is unevenly present in the closed reaction vessel 11 and there is a problem that the gas utilization efficiency is poor.
Further, since the gas is not uniformly dispersed in the closed reaction container 11, plasma is not uniformly generated, and the processing speed of the plurality of samples S is not uniform.
【０００５】本発明は上記した課題に鑑みなされたもの
であり、密閉反応容器内に導入されたガスを均一に分散
させることができ、試料の処理速度の均一化を図ること
ができるマイクロ波プラズマ処理装置を提供することを
目的としている。The present invention has been made in view of the above-mentioned problems, and it is possible to uniformly disperse the gas introduced into the closed reaction vessel and to make the sample processing rate uniform. It is intended to provide a processing device.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置は、マ
イクロ波伝送導波管に接続された誘電体被覆線路を備
え、該誘電体被覆線路の下方に試料台が内装されている
密閉反応容器を備えたマイクロ波プラズマ処理装置にお
いて、前記密閉反応容器に複数個のガス導入部が接続さ
れ、これらガス導入部が前記密閉反応容器内の上側部に
形成されたバッファ室を介して連通していることを特徴
とし、また上記した装置において、バッファ室の全周に
わたりガス導入部を構成するガス分散ノズルが配設され
ていることを特徴としている。In order to achieve the above-mentioned object, a microwave plasma processing apparatus according to the present invention comprises a dielectric covered line connected to a microwave transmission waveguide, and the dielectric covered line. In a microwave plasma processing apparatus equipped with a closed reaction vessel in which a sample stage is installed below, a plurality of gas introduction parts are connected to the closed reaction vessel, and these gas introduction parts are located above the closed reaction vessel. Characterized in that they are communicated with each other through a buffer chamber formed in the section, and in the above-mentioned apparatus, a gas dispersion nozzle that constitutes a gas introduction section is arranged over the entire circumference of the buffer chamber. There is.
【０００７】さらに上記したいずれかの装置において、
バッファ室に供給されたガスが試料台の上面全面をカバ
ーするシャワーヘッドから供給されるようになっている
ことを特徴としている。Further, in any of the above-mentioned devices,
The gas supplied to the buffer chamber is supplied from a shower head that covers the entire upper surface of the sample table.
【０００８】[0008]
【作用】上記した装置によれば、マイクロ波伝送導波管
に接続された誘電体被覆線路を備え、該誘電体被覆線路
の下方に試料台が内装されている密閉反応容器を備えた
マイクロ波プラズマ処理装置において、前記密閉反応容
器に複数個のガス導入部が接続され、これらガス導入部
が前記密閉反応容器内の上側部に形成されたバッファ室
を介して連通しているので、前記ガス導入部より導入さ
れたガスは分散された状態で前記バッファ室に入り込
む。そしてこのバッファ室内でさらに分散されて前記密
閉反応容器の中央部に導入される。従って前記ガスは、
前記密閉反応容器内に均一に分散した状態で存在するこ
とになり、マイクロ波プラズマを均一に発生させること
が可能となる。According to the above apparatus, a microwave provided with a dielectric covered line connected to the microwave transmission waveguide, and a hermetically sealed reaction vessel in which a sample stage is installed below the dielectric covered line. In the plasma processing apparatus, a plurality of gas introduction parts are connected to the closed reaction container, and these gas introduction parts communicate with each other through a buffer chamber formed in an upper part of the closed reaction container, The gas introduced from the introduction part enters the buffer chamber in a dispersed state. Then, it is further dispersed in the buffer chamber and introduced into the central portion of the closed reaction container. Therefore, the gas is
Since it exists in a state of being uniformly dispersed in the closed reaction vessel, it becomes possible to uniformly generate microwave plasma.
【０００９】また上記した装置において、バッファ室の
全周にわたりガス導入部を構成するガス分散ノズルが配
設されている場合には、前記ガス分散ノズルに導入され
たガスは、前記ガス分散ノズルに形成された複数個のガ
ス出口より前記バッファ室内全体にさらに分散して噴き
出す。そして噴き出したガスは、前記バッファ室内より
密閉反応容器の中央部に導入される。従って前記ガス
は、前記密閉反応容器内に一層均一に分散した状態で存
在することになり、マイクロ波プラズマを均一に発生さ
せることが可能となる。Further, in the above-mentioned apparatus, when the gas dispersion nozzle constituting the gas introduction portion is arranged over the entire circumference of the buffer chamber, the gas introduced into the gas dispersion nozzle is introduced into the gas dispersion nozzle. From the formed gas outlets, the gas is further dispersed and ejected into the entire buffer chamber. Then, the ejected gas is introduced into the central portion of the closed reaction container from the buffer chamber. Therefore, the gas is present in the closed reaction vessel in a more evenly dispersed state, and it becomes possible to uniformly generate microwave plasma.
【００１０】さらに上記したいずれかの装置において、
バッファ室に供給されたガスが試料台の上面全面をカバ
ーするシャワーヘッドから供給されるようになっている
場合には、前記シャワーヘッドの孔を通過することによ
って前記ガスはさらに分散されて前記密閉反応容器の中
央部に導入される。従って前記ガスは、前記密閉反応容
器内により一層均一に分散した状態で存在することにな
る。Further, in any one of the above-mentioned devices,
When the gas supplied to the buffer chamber is supplied from the shower head that covers the entire upper surface of the sample table, the gas is further dispersed by passing through the holes of the shower head, and the gas is sealed. It is introduced into the central part of the reaction vessel. Therefore, the gas exists in a more evenly dispersed state in the closed reaction vessel.
【００１１】[0011]
【実施例】以下、本発明に係るマイクロ波プラズマ処理
装置の実施例を図面に基づいて説明する。なお、従来例
と同一機能を有する構成部品には同一の符合を付すこと
とする。図１は本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装
置としてのアッシング装置の一実施例を模式的に示した
断面図であり、図２は図１におけるＡ−Ａ線断面図であ
る。図中２１は密閉反応容器であり、密閉反応容器２１
は主に、セラミック等で形成されかつ略矩形形状を有す
る上部壁２１ａと有底筒形状を有する下部壁２１ｂとか
ら構成されている。密閉反応容器２１内には複数個の試
料Ｓ…を保持する試料台１２が配設されており、試料台
１２は回転軸（図示せず）を中心にして回動可能となっ
ている。また試料台１２の上方の上部壁２１ａの下面近
傍には、略矩形形状を有するシャワーヘッド２２が試料
台１２全面をカバーするように配設されており、シャワ
ーヘッド２２には複数個の孔２２ａが穿設されている。
このシャワーヘッド２２は下部壁２１ｂの上部側面に突
設された断面略Ｌ字形状の支持板２３によって支持され
ており、密閉反応容器２１内の上側部には、支持板２
３、上部壁２１ａ、下部壁２１ｂ及びシャワーヘッド２
２で仕切られたバッファ室２４が形成されている。Embodiments of the microwave plasma processing apparatus according to the present invention will be described below with reference to the drawings. It should be noted that components having the same functions as those of the conventional example are designated by the same reference numerals. 1 is a sectional view schematically showing an embodiment of an ashing device as a microwave plasma processing apparatus according to the present invention, and FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA in FIG. In the figure, 21 is a closed reaction container,
Is mainly composed of an upper wall 21a made of ceramic or the like and having a substantially rectangular shape and a lower wall 21b having a bottomed tubular shape. A sample table 12 that holds a plurality of samples S is disposed in the closed reaction vessel 21, and the sample table 12 is rotatable about a rotation shaft (not shown). A shower head 22 having a substantially rectangular shape is arranged near the lower surface of the upper wall 21a above the sample table 12 so as to cover the entire surface of the sample table 12, and the shower head 22 has a plurality of holes 22a. Has been drilled.
The shower head 22 is supported by a support plate 23 having a substantially L-shaped cross section, which is provided on the upper side surface of the lower wall 21b, and the support plate 2 is provided on the upper side in the closed reaction vessel 21.
3, upper wall 21a, lower wall 21b and shower head 2
A buffer chamber 24 partitioned by 2 is formed.
【００１２】密閉反応容器２１内のバッファ室２４に対
応する箇所には、ガス導入部２５を構成する２個のガス
導入管２５ａが対称的に接続されており、バッファ室２
４内にはガス導入管２５ａに接続されたガス分散ノズル
２５ｂがバッファ室２４全周にわたって配設されてい
る。さらにガス分散ノズル２５ｂには略所定間隔で複数
個のガス出口２５ｃ…が形成されており、ガス分散ノズ
ル２５ｂはガス導入管２５ａと共にガス導入部２５を構
成している。このように、ガス導入部２５はバッファ室
２４を介して密閉反応容器２１に連通した状態となって
いる。また下部壁２１ｂの底面には、真空排気孔２７が
形成されている。Two gas introducing pipes 25a constituting a gas introducing portion 25 are symmetrically connected to a portion of the closed reaction vessel 21 corresponding to the buffer chamber 24, and the buffer chamber 2
A gas dispersion nozzle 25b connected to the gas introduction pipe 25a is arranged in the interior of the buffer chamber 4 over the entire circumference of the buffer chamber 24. Further, the gas dispersion nozzle 25b is formed with a plurality of gas outlets 25c at substantially predetermined intervals, and the gas dispersion nozzle 25b constitutes a gas introduction part 25 together with the gas introduction pipe 25a. As described above, the gas introducing unit 25 is in a state of communicating with the closed reaction container 21 via the buffer chamber 24. A vacuum exhaust hole 27 is formed on the bottom surface of the lower wall 21b.
【００１３】一方、密閉反応容器２１の上部壁２１ａの
上方には、略平板形状を有する誘電体被覆線路１６が配
設されており、誘電体被覆線路１６にはマイクロ波伝送
導波管（図示せず）が接続されている。さらに誘電体被
覆線路１６上面及びその周りにはシールド板２６が配設
されており、誘電体被覆線路１６は上部壁２１ａ及びシ
ールド板２６によって囲まれた状態となっている。On the other hand, above the upper wall 21a of the closed reaction vessel 21, a dielectric-coated line 16 having a substantially flat plate shape is arranged, and the dielectric-coated line 16 has a microwave transmission waveguide (see FIG. (Not shown) is connected. Further, a shield plate 26 is arranged on the upper surface of the dielectric covered line 16 and around it, and the dielectric covered line 16 is surrounded by the upper wall 21 a and the shield plate 26.
【００１４】このように構成されたアッシング装置を用
いて試料Ｓのアッシングを行なう場合は、試料台１２に
試料Ｓを載置した後、密閉反応容器２１内を所要の真空
度に設定し、次いで複数のガス導入管２５ａより所要の
ガスをバッファ室２４内のガス分散ノズル２５ｂに導入
する。このとき複数のガス導入管２５ａは対称的に配設
されているので、ガスは分散された状態でガス分散ノズ
ル２５ｂ内に導入される。また上記したように、ガス分
散ノズル２５ｂはバッファ室２４の全周にわたって配設
されており、しかも略所定間隔で複数個のガス出口２５
ｃ…が形成されているので、ガス分散ノズル２５ｂに導
入されたガスは各ガス出口２５ｃよりバッファ室２４内
全体にさらに分散して噴き出す。そして噴き出したガス
は、バッファ室２４内よりシャワーヘッド２２の孔２２
ａを介して密閉反応容器２１内に導入されるが、このと
きシャワーヘッド２２の孔２２ａを通過することによっ
てさらに分散される。従ってガス導入部２５のガス導入
管２５ａから導入されたガスは、密閉反応容器２１内に
均一に分散されて供給される。続いてマイクロ波伝送導
波管より誘電体被覆線路１６にマイクロ波を導入する
と、密閉反応容器２１内のガスが共鳴励起されてマイク
ロ波プラズマが大面積にかつ均一に発生する。その結
果、試料台１２上の複数の試料Ｓは均一な速度でアッシ
ング処理される。When the sample S is ashed by using the ashing apparatus thus constructed, the sample S is placed on the sample table 12, the inside of the closed reaction vessel 21 is set to a required degree of vacuum, and then the vacuum is set. A desired gas is introduced into the gas dispersion nozzle 25b in the buffer chamber 24 through the plurality of gas introduction pipes 25a. At this time, since the plurality of gas introduction pipes 25a are symmetrically arranged, the gas is introduced into the gas dispersion nozzle 25b in a dispersed state. Further, as described above, the gas dispersion nozzles 25b are arranged over the entire circumference of the buffer chamber 24, and the plurality of gas outlets 25 are arranged at substantially predetermined intervals.
Since c are formed, the gas introduced into the gas dispersion nozzle 25b is further dispersed and ejected from the respective gas outlets 25c into the entire buffer chamber 24. Then, the ejected gas is discharged from the inside of the buffer chamber 24 into the holes 22 of the shower head 22.
It is introduced into the closed reaction vessel 21 via a, but at this time, it is further dispersed by passing through the hole 22a of the shower head 22. Therefore, the gas introduced from the gas introduction pipe 25 a of the gas introduction unit 25 is uniformly dispersed and supplied in the closed reaction container 21. Subsequently, when microwaves are introduced into the dielectric covered line 16 from the microwave transmission waveguide, the gas in the closed reaction vessel 21 is resonantly excited and microwave plasma is uniformly generated in a large area. As a result, the plurality of samples S on the sample table 12 are ashed at a uniform speed.
【００１５】上記した装置を用いてアッシング処理した
後の試料Ｓの様子を図３に示す。また比較例として図５
に示した従来の装置を用いてアッシング処理した後の試
料Ｓの様子を図４に示す。なおいずれも試料Ｓとして６
インチのウエハにポジ型のレジストが被着されたものを
用い、導入ガスとしてＯ2 及びＣＦ4 を用いた。また本
実施例に係る装置を用いた場合においては、密閉反応容
器２１内の圧力を０．５６Ｔｏｒｒ、Ｏ2 ガス、ＣＦ4
ガスの流量をそれぞれ７３６ＳＣＣＭ、６４ＳＣＣＭ、
さらにマイクロ波の電力を１．５ｋｗに設定した条件で
アッシングを行ない、従来の装置を用いた場合において
は、密閉反応容器２１内の圧力を０．９Ｔｏｒｒとした
他は上記と同様の条件でアッシングを行なった。FIG. 3 shows the state of the sample S after the ashing process using the above-mentioned apparatus. As a comparative example, FIG.
FIG. 4 shows the state of the sample S after the ashing process using the conventional apparatus shown in FIG. It should be noted that each of them is 6
An inch wafer having a positive resist deposited thereon was used, and O 2 and CF 4 were used as introduction gases. When the apparatus according to this example is used, the pressure inside the closed reaction vessel 21 is 0.56 Torr, O 2 gas, CF 4
The gas flow rate is 736 SCCM, 64 SCCM,
Further, the ashing was performed under the condition that the microwave power was set to 1.5 kw, and when the conventional apparatus was used, the ashing was performed under the same conditions as above except that the pressure in the closed reaction vessel 21 was set to 0.9 Torr. Was done.
【００１６】図３及び図４から明らかなように、従来の
装置を用いた場合では試料Ｓの膜厚分布の均一性は±１
７．５％と低く凹凸が激しいのに対し、本実施例に係る
装置を用いた場合では試料Ｓの膜厚分布の均一性は±
４．１％と高く、膜厚をほぼ一定にすることができた。As is apparent from FIGS. 3 and 4, the uniformity of the film thickness distribution of the sample S is ± 1 when the conventional apparatus is used.
Although the unevenness is as low as 7.5% and the unevenness is severe, the uniformity of the film thickness distribution of the sample S is ± when the apparatus according to the present embodiment is used.
It was as high as 4.1%, and the film thickness could be made almost constant.
【００１７】以上説明したように、上記実施例に係るマ
イクロ波プラズマ処理装置にあっては、ガス導入部２５
の２個のガス導入管２５ａが下部壁２１ｂ側面に対称的
に接続される一方、ガス導入管２５ａに接続されたガス
導入部２５のガス分散ノズル２５ｂがバッファ室２４の
全周にわたって配設され、またバッファ室２４と試料台
１２との間にはシャワーヘッド２２が介装されているの
で、ガス導入管２５ａ、ガス分散ノズル２５ｂ、バッフ
ァ室２４及びシャワーヘッド２２を通過させることによ
り、導入ガスを均一に分散させた状態で密閉反応容器２
１内に供給することができる。従って、マイクロ波プラ
ズマを密閉反応容器２１内で大面積にかつ均一に発生さ
せることができ、試料台１２上の複数の試料Ｓを均一な
速度でアッシング処理することができる。この結果、膜
厚の均一な試料Ｓを得ることができる。なお、上記実施
例においてはアッシング装置に用いられる場合について
説明したが、別の実施例ではＣＶＤ装置あるいはエッチ
ング装置等に用いることも可能である。As described above, in the microwave plasma processing apparatus according to the above embodiment, the gas introduction part 25 is provided.
The two gas introduction pipes 25a are symmetrically connected to the side surface of the lower wall 21b, while the gas dispersion nozzles 25b of the gas introduction unit 25 connected to the gas introduction pipe 25a are arranged all around the buffer chamber 24. Further, since the shower head 22 is interposed between the buffer chamber 24 and the sample stage 12, the introduced gas is passed by passing through the gas introduction pipe 25a, the gas dispersion nozzle 25b, the buffer chamber 24 and the shower head 22. Closed reaction vessel 2 in a state in which the
Can be supplied within 1. Therefore, the microwave plasma can be uniformly generated in a large area in the closed reaction vessel 21, and the plurality of samples S on the sample table 12 can be ashed at a uniform speed. As a result, the sample S having a uniform film thickness can be obtained. In addition, in the above-mentioned embodiment, the case of being used for the ashing apparatus has been described, but in another embodiment, it may be used for the CVD apparatus or the etching apparatus.
【００１８】[0018]
【発明の効果】以上の説明により明らかなように、本発
明に係るマイクロ波プラズマ処理装置にあっては、マイ
クロ波伝送導波管に接続された誘電体被覆線路を備え、
該誘電体被覆線路の下方に試料台が内装されている密閉
反応容器を備えたマイクロ波プラズマ処理装置におい
て、前記密閉反応容器に複数個のガス導入部が接続さ
れ、これらガス導入部が前記密閉反応容器内の上側部に
形成されたバッファ室を介して連通しているので、前記
ガス導入部より導入されたガスを前記密閉反応容器内に
均一に分散した状態で供給することができる。従って、
前記密閉反応容器内でマイクロ波プラズマを均一に発生
させることができ、複数の試料を均一な速度で処理する
ことができる。As is apparent from the above description, the microwave plasma processing apparatus according to the present invention includes the dielectric covered line connected to the microwave transmission waveguide,
In a microwave plasma processing apparatus equipped with a closed reaction vessel having a sample stand below the dielectric covered line, a plurality of gas introduction parts are connected to the closed reaction vessel, and these gas introduction parts are closed. Since they are communicated with each other through the buffer chamber formed in the upper part of the reaction container, the gas introduced from the gas introduction part can be supplied to the closed reaction container in a uniformly dispersed state. Therefore,
Microwave plasma can be uniformly generated in the closed reaction vessel, and a plurality of samples can be processed at a uniform rate.
【００１９】また上記した装置において、バッファ室の
全周にわたりガス導入部を構成するガス分散ノズルが配
設されている場合には、前記ガス分散ノズルを通過させ
ることによって前記ガスをさらに分散させて前記密閉反
応容器内に導入することができる。従って、前記密閉反
応容器内でマイクロ波プラズマをより均一に発生させる
ことができ、複数の試料を均一な速度で処理することが
できる。Further, in the above-mentioned apparatus, when the gas dispersion nozzle forming the gas introduction portion is arranged all around the buffer chamber, the gas is further dispersed by passing through the gas dispersion nozzle. It can be introduced into the closed reaction vessel. Therefore, microwave plasma can be generated more uniformly in the closed reaction vessel, and a plurality of samples can be processed at a uniform rate.
【００２０】さらに上記したいずれかの装置において、
バッファ室に供給されたガスが試料台の上面全面をカバ
ーするシャワーヘッドから供給されるようになっている
場合には、前記シャワーヘッドの孔を通過させることに
よって前記ガスをさらに分散させて前記密閉反応容器内
に導入することができる。従って前記密閉反応容器内で
マイクロ波プラズマをより一層均一に発生させることが
でき、複数の試料をより均一な速度で処理することがで
きる。Further, in any one of the above-mentioned devices,
When the gas supplied to the buffer chamber is supplied from a shower head that covers the entire upper surface of the sample table, the gas is further dispersed by passing through the holes of the shower head to seal the gas. It can be introduced into the reaction vessel. Therefore, microwave plasma can be generated more uniformly in the closed reaction vessel, and a plurality of samples can be processed at a more uniform rate.
【図１】本発明に係るマイクロ波プラズマ処理装置とし
てのアッシング装置の一実施例を模式的に示した断面図
である。FIG. 1 is a sectional view schematically showing an embodiment of an ashing device as a microwave plasma processing device according to the present invention.
【図２】図１におけるＡ−Ａ線断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA in FIG.
【図３】実施例に係るマイクロ波プラズマ処理装置の一
例であるアッシング装置を用いてアッシング処理を行な
った後の試料の様子を模式的に示した斜視図である。FIG. 3 is a perspective view schematically showing a state of a sample after performing an ashing process using an ashing device which is an example of the microwave plasma processing device according to the embodiment.
【図４】従来のマイクロ波プラズマ処理装置の一例であ
るアッシング装置を用いてアッシング処理を行なった後
の試料の様子を模式的に示した斜視図である。FIG. 4 is a perspective view schematically showing a state of a sample after performing an ashing process using an ashing device which is an example of a conventional microwave plasma processing device.
【図５】従来のマイクロ波プラズマ処理装置を模式的に
示した断面図である。FIG. 5 is a sectional view schematically showing a conventional microwave plasma processing apparatus.
１２ 試料台 １６ 誘電体被覆線路 １７ マイクロ波伝送導波管 ２１ 密閉反応容器 ２２ シャワーヘッド ２４ バッファ室 ２５ ガス導入部 ２５ｂ ガス分散ノズル 12 sample stage 16 dielectric covered line 17 microwave transmission waveguide 21 closed reaction vessel 22 shower head 24 buffer chamber 25 gas introduction section 25b gas dispersion nozzle
Claims (3)
体被覆線路を備え、該誘電体被覆線路の下方に試料台が
内装されている密閉反応容器を備えたマイクロ波プラズ
マ処理装置において、前記密閉反応容器に複数個のガス
導入部が接続され、これらガス導入部が前記密閉反応容
器内の上側部に形成されたバッファ室を介して連通して
いることを特徴とするマイクロ波プラズマ処理装置。1. A microwave plasma processing apparatus comprising: a dielectric coated line connected to a microwave transmission waveguide; and a hermetically-sealed reaction vessel in which a sample stage is installed below the dielectric coated line. A microwave plasma treatment characterized in that a plurality of gas introducing parts are connected to the closed reaction container, and these gas introducing parts are communicated with each other via a buffer chamber formed in an upper part in the closed reaction container. apparatus.
構成するガス分散ノズルが配設されている請求項１記載
のマイクロ波プラズマ処理装置。2. The microwave plasma processing apparatus according to claim 1, wherein a gas dispersion nozzle forming a gas introduction portion is arranged over the entire circumference of the buffer chamber.
上面全面をカバーするシャワーヘッドから供給されるよ
うになっている請求項１記載又は請求項２記載のマイク
ロ波プラズマ処理装置。3. The microwave plasma processing apparatus according to claim 1 or 2, wherein the gas supplied to the buffer chamber is supplied from a shower head that covers the entire upper surface of the sample table.
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