JPH0554424A - Optical recording/reproducing device - Google Patents

Optical recording/reproducing device

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Publication number
JPH0554424A
JPH0554424A JP3232434A JP23243491A JPH0554424A JP H0554424 A JPH0554424 A JP H0554424A JP 3232434 A JP3232434 A JP 3232434A JP 23243491 A JP23243491 A JP 23243491A JP H0554424 A JPH0554424 A JP H0554424A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
beam splitter
wavelength
magneto
optical
Prior art date
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Pending
Application number
JP3232434A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hisanori Komatsu
久展 小松
Masaaki Furumiya
正章 古宮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Optical Co Ltd
Priority to JP3232434A priority Critical patent/JPH0554424A/en
Publication of JPH0554424A publication Critical patent/JPH0554424A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To provide an optical recording/reproducing device by which nearly constant reproduced signals such as MTF, etc., are obtained without being affected by the wave length fluctuation of a light source. CONSTITUTION:A recording medium 48 is irradiated with the light beam from a light source 41 by way of a reflection surface 46 or transmission surfaces 44 and 45 in order to record or reproduce information. At this time, at least one of above stated reflection surface 46 or transmission surfaces 44 and 45 is provided with a thin film structure 61, as a result, the light quantity change caused by wave length fluctuation of the light irradiated on the above stated recording media 48 is compensated.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、光ディスク、光磁気
ディスク等の光学式記録媒体に対して情報を記録または
再生する光学式情報記録再生装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information recording / reproducing apparatus for recording / reproducing information on / from an optical recording medium such as an optical disk or a magneto-optical disk.

【0002】[0002]

【従来の技術】光学式記録再生装置として、本願人は特
開平3−104033号公報において図7AおよびBに
示すようなものを提案している。この光学式記録再生装
置は、信号検出系に入射する光の波長変化に対する位相
差変化を補償するために、記録媒体と信号検出系との間
に配置される光学部材の反射面および透過面にそれぞれ
薄膜構造体を設けたものである。
2. Description of the Related Art As an optical recording / reproducing device, the present applicant has proposed a device shown in FIGS. 7A and 7B in Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-104033. This optical recording / reproducing apparatus uses a reflective surface and a transmissive surface of an optical member arranged between a recording medium and a signal detection system in order to compensate a phase difference change with respect to a wavelength change of light incident on the signal detection system. Each is provided with a thin film structure.

【0003】図7Aにおいて、半導体レーザ11からの光
は、コリメートレンズ12で平行光とされた後、整形プリ
ズム13でビーム整形され、さらにビームスプリッタ14お
よび15を透過した後、図7Bに示すように全反射ミラー
16で立ち上げられ、対物レンズ17により光磁気ディスク
18上に集光される。一方、光磁気ディスク18での反射光
は、逆の経路を通ってビームスプリッタ15および14でそ
れぞれ反射され、ビームスプリッタ15で反射された光は
1/2 波長板19により偏光方向が45°回転された後、集光
レンズ20により収束して光磁気信号検出光学系21に導か
れる。光磁気信号検出光学系21は、入射光をP偏光成分
およびS偏光成分に分離する偏光ビームスプリッタ22
と、その分離されたP偏光成分およびS偏光成分を受光
する光検出器23,24とをもって構成され、光検出器23,24
の出力差を検出することにより光磁気ディスク18に記
録された情報の再生信号を得るようになっている。
In FIG. 7A, the light from the semiconductor laser 11 is collimated by the collimator lens 12, is shaped into a beam by the shaping prism 13, and is further transmitted through the beam splitters 14 and 15, as shown in FIG. 7B. On total reflection mirror
It is started up with 16, and the objective lens 17 is used for the magneto-optical disk.
Focused on 18. On the other hand, the reflected light from the magneto-optical disk 18 is reflected by the beam splitters 15 and 14 through the opposite paths, and the light reflected by the beam splitter 15 is
After the polarization direction is rotated by 45 ° by the 1/2 wavelength plate 19, it is converged by the condenser lens 20 and guided to the magneto-optical signal detection optical system 21. The magneto-optical signal detection optical system 21 includes a polarization beam splitter 22 that separates incident light into a P-polarized component and an S-polarized component.
And photodetectors 23 and 24 for receiving the separated P-polarized component and S-polarized component, respectively.
The reproduced signal of the information recorded on the magneto-optical disk 18 is obtained by detecting the output difference of the.

【0004】また、ビームスプリッタ14で反射された光
は、ビームスプリッタ15で透過光と反射光とに分割され
てエラー信号検出光学系25に導かれる。エラー信号検出
光学系25は、臨界角プリズム26と、2分割受光領域を有
するフォーカスエラー検出用の光検出器27と、4分割受
光領域を有するトラッキングエラー検出用および光軸の
傾き等によるビームのオフセット検出用の光検出器28と
をもって構成され、ビームスプリッタ15での透過光を臨
界角プリズム26を経て光検出器27に入射させ、反射光を
光検出器28に入射させて、光検出器27および28の出力に
基づいてフォーカスエラー信号を、光検出器28の出力に
基づいてトラッキングエラー信号を検出するようになっ
ている。
The light reflected by the beam splitter 14 is split into transmitted light and reflected light by the beam splitter 15 and is guided to the error signal detection optical system 25. The error signal detection optical system 25 includes a critical angle prism 26, a photodetector 27 for focus error detection having a two-divided light receiving area, a tracking error detection having a four-divided light receiving area, and a beam of the beam due to an inclination of the optical axis. The photodetector 28 for offset detection is configured to allow the light transmitted through the beam splitter 15 to enter the photodetector 27 through the critical angle prism 26, and the reflected light to enter the photodetector 28, thereby the photodetector. The focus error signal is detected based on the outputs of 27 and 28, and the tracking error signal is detected based on the output of the photodetector 28.

【0005】かかる光学式記録再生装置においては、光
磁気信号検出光学系21に入射する戻り光の位相差の波長
依存性が、半導体レーザ11から出射される光の波長の変
動範囲内でほぼ零となるように、全反射ミラー16および
ビームスプリッタ15にそれぞれ薄膜構造体31および32を
設け、これにより全反射ミラー16およびビームスプリッ
タ15における位相差の波長依存性を相殺している。
In such an optical recording / reproducing apparatus, the wavelength dependence of the phase difference of the returning light incident on the magneto-optical signal detecting optical system 21 is substantially zero within the fluctuation range of the wavelength of the light emitted from the semiconductor laser 11. Thus, the total reflection mirror 16 and the beam splitter 15 are provided with thin-film structures 31 and 32, respectively, which cancels the wavelength dependence of the phase difference in the total reflection mirror 16 and the beam splitter 15.

【0006】すなわち、全反射ミラー16の薄膜構造体31
には、例えば図8Aに示すように初期波長(830nm)で位
相差が零となる位相差δ1 の波長依存性をもたせ、ビー
ムスプリッタ15の薄膜構造体32には、ビームスプリッタ
15が全反射ミラー16に対して90°回転した向きにあるの
で、図8Bに示すように初期波長(830nm)で位相差が零
となる全反射ミラー16におけると同様の位相差δ2 の波
長依存性をもたせて、光磁気信号検出光学系21に入射す
る戻り光の位相差δ3 の波長依存性を図8Cに示すよう
に位相差零でほぼフラットとなるようにしている。な
お、位相差δ1 ,δ2 およびδ3 は、それぞれP偏光成
分の位相からS偏光成分の位相を引いたものである。
That is, the thin film structure 31 of the total reflection mirror 16
8A, for example, as shown in FIG. 8A, the phase difference δ 1 at which the phase difference becomes zero at the initial wavelength (830 nm) is wavelength-dependent, and the thin film structure 32 of the beam splitter 15 has a beam splitter.
Since 15 is rotated by 90 ° with respect to the total reflection mirror 16, the same wavelength difference δ 2 as in the total reflection mirror 16 in which the phase difference becomes zero at the initial wavelength (830 nm) as shown in FIG. 8B. By providing the dependence, the wavelength dependence of the phase difference δ 3 of the return light incident on the magneto-optical signal detection optical system 21 is made substantially flat with the phase difference being zero as shown in FIG. 8C. The phase differences δ 1 , δ 2 and δ 3 are respectively obtained by subtracting the phase of the S polarization component from the phase of the P polarization component.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしなから、上述し
た光学式記録再生装置にあっては、波長の変化による位
相差変化は補償できても、波長の変化に対する反射率お
よび透過率の変化は補償できない。このため、光源の波
長変動によりビームスプリッタ等の透過率が変化する場
合には、対物レンズ等から出射される光量が変化して記
録媒体への記録状態が変化してしまう。特に、光源の出
射光をビームスプリッタで反射させて前方モニタで受光
し、その出力を光源にフィードバックして光量制御を行
う場合において、ビームスプリッタでの反射光が波長変
動により減少する場合には、対物レンズへ導かれる透過
光が増加するうえ、モニタ光である反射光が減少するた
め、光源からの出射光が益々増加して、光量が2乗程度
変化してしまう。
However, in the above-mentioned optical recording / reproducing apparatus, even if the phase difference change due to the wavelength change can be compensated, the change in the reflectance and the transmittance with respect to the change in the wavelength does not occur. I can't compensate. For this reason, when the transmittance of the beam splitter or the like changes due to the wavelength fluctuation of the light source, the amount of light emitted from the objective lens or the like changes and the recording state on the recording medium changes. In particular, when the output light of the light source is reflected by the beam splitter and received by the front monitor, and the output is fed back to the light source to control the light amount, when the reflected light at the beam splitter decreases due to wavelength fluctuation, Since the transmitted light guided to the objective lens increases and the reflected light that is the monitor light decreases, the emitted light from the light source increases more and more, and the light amount changes by about a square.

【0008】このような原因で光源と記録媒体との間の
透過率が変化すると、再生信号のMTF等に悪影響を及
ぼすことが考えられる。ここで、再生信号のMTFと
は、記録媒体に二つの異なる周波数の信号を記録し、そ
の二つの異なる周波数の信号を再生したときの信号振幅
比を表すが、これは主として情報を記録媒体に記録する
ときの光量に影響を受ける。
If the transmittance between the light source and the recording medium changes due to such a cause, it is considered that the MTF of the reproduced signal is adversely affected. Here, the MTF of the reproduction signal represents a signal amplitude ratio when two signals of different frequencies are recorded on the recording medium and the signals of the two different frequencies are reproduced, and this mainly means that information is recorded on the recording medium. It is affected by the light intensity when recording.

【0009】この発明は、このような問題点に着目して
なされたもので、光源の波長変動に影響されることな
く、常にほぼ一定のMTF等の再生信号が得られるよう
適切に構成した光学式記録再生装置を提供することを目
的とする。
The present invention has been made by paying attention to such a problem, and an optical system properly configured so that a reproduction signal such as MTF can be always almost constant without being influenced by the wavelength fluctuation of the light source. An object of the present invention is to provide a recording / reproducing apparatus.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段および作用】上記目的を達
成するため、この発明では、光源からの光を反射面およ
び/または透過面を経て記録媒体に照射して情報を記録
または再生する光学式記録再生装置において、少なくと
も一つの前記反射面または透過面に薄膜構造体を設け、
これにより前記記録媒体に照射される光の波長変動によ
る光量変化を補償するようにする。
In order to achieve the above object, according to the present invention, an optical system for irradiating a recording medium with light from a light source through a reflecting surface and / or a transmitting surface to record or reproduce information. In the recording / reproducing apparatus, a thin film structure is provided on at least one of the reflecting surface or the transmitting surface,
This compensates for the change in the light amount due to the wavelength change of the light irradiated on the recording medium.

【0011】[0011]

【実施例】図1AおよびBはこの発明の第1実施例を示
すものである。この実施例では、半導体レーザ41からの
光をコリメートレンズ42で平行光とした後、整形プリズ
ム43でビーム整形し、さらにビームスプリッタ44を透過
させてビームスプリッタ45で透過光と反射光とに分け、
透過光を図1Bに示すように全反射ミラー46で立ち上げ
て対物レンズ47により光磁気ディスク48上に集光し、情
報を記録する。また、情報の再生においては、同様にし
て半導体レーザ41からの光を光磁気ディスク48上に集光
し、その反射光を逆の経路を通ってビームスプリッタ45
および44でそれぞれ反射させ、ビームスプリッタ45で反
射された光を1/2 波長板49により偏光方向を45°回転さ
せた後、集光レンズ50により収束して光磁気信号検出光
学系51に導く。光磁気信号検出光学系51は、入射光をP
偏光成分およびS偏光成分に分離する偏光ビームスプリ
ッタ52と、その分離されたP偏光成分およびS偏光成分
を受光する光検出器53,54 とをもって構成し、光検出器
53,54 の出力差を検出することにより光磁気ディスク48
に記録された情報の再生信号を得るようにする。
1A and 1B show a first embodiment of the present invention. In this embodiment, after the light from the semiconductor laser 41 is collimated by the collimator lens 42, it is beam-shaped by the shaping prism 43, transmitted through the beam splitter 44, and separated by the beam splitter 45 into transmitted light and reflected light. ,
As shown in FIG. 1B, the transmitted light is raised by a total reflection mirror 46 and condensed on a magneto-optical disk 48 by an objective lens 47 to record information. In reproducing information, similarly, the light from the semiconductor laser 41 is condensed on the magneto-optical disk 48, and the reflected light passes through the reverse path to the beam splitter 45.
The light reflected by the beam splitter 45 is rotated by 45 ° by the 1/2 wavelength plate 49, and then the light reflected by the beam splitter 45 is converged by the condenser lens 50 and guided to the magneto-optical signal detection optical system 51. .. The magneto-optical signal detection optical system 51 converts the incident light into P
A polarization beam splitter 52 for separating a polarized light component and an S polarized light component, and photodetectors 53, 54 for receiving the separated P polarized light component and S polarized light component are provided.
By detecting the output difference between 53 and 54, the magneto-optical disk 48
The reproduction signal of the information recorded in is obtained.

【0012】さらに、光磁気ディスク48からの戻り光の
うち、ビームスプリッタ44で反射された光は、ビームス
プリッタ45で透過光と反射光とに分割してエラー信号検
出光学系55に導く。エラー信号検出光学系55は、臨界角
プリズム56と、2分割受光領域を有するフォーカスエラ
ー検出用の光検出器57と、4分割受光領域を有するトラ
ッキングエラー検出用および光軸の傾き等によるビーム
のオフセット検出用の光検出器58とをもって構成し、ビ
ームスプリッタ45での透過光を臨界角プリズム56を経て
光検出器57に入射させ、反射光を光検出器58に入射させ
て、光検出器57および58の出力に基づいてフォーカスエ
ラー信号を、光検出器58の出力に基づいてトラッキング
エラー信号を検出するようにする。なお、半導体レーザ
41から放射された光のうち、ビームスプリッタ45で反射
される光は前方モニタ59で受光し、その出力に基づいて
半導体レーザ41の出射光量を制御する。
Further, of the return light from the magneto-optical disk 48, the light reflected by the beam splitter 44 is split by the beam splitter 45 into transmitted light and reflected light and guided to the error signal detection optical system 55. The error signal detection optical system 55 includes a critical angle prism 56, a photodetector 57 for focus error detection having a two-divided light receiving area, a tracking error detection having a four-divided light receiving area, and a beam formed by tilting the optical axis. It is configured with a photodetector 58 for offset detection, and the transmitted light from the beam splitter 45 is incident on the photodetector 57 via the critical angle prism 56, and the reflected light is incident on the photodetector 58, and the photodetector is detected. The focus error signal is detected based on the outputs of 57 and 58, and the tracking error signal is detected based on the output of the photodetector 58. A semiconductor laser
Of the light emitted from 41, the light reflected by the beam splitter 45 is received by the front monitor 59, and the emitted light amount of the semiconductor laser 41 is controlled based on the output thereof.

【0013】上記構成において、ビームスプリッタ44お
よび45は、初期波長(830nm) 付近で透過率に波長依存性
をもつ。例えば、ビームスプリッタ44を硝材BK7 上にTi
O2とSiO2との誘電体多層膜を9層蒸着して構成し、また
ビームスプリッタ45をビームスプリッタ44と同様の誘電
体多層膜を蒸着して構成した場合、これらビームスプリ
ッタ44および45の両方を掛け合わせた分光特性は、波長
830nm において透過率Tが例えば50%となり、その付近
で図2Aに示すような波長依存性をもつ。そこで、この
実施例では、図2Aに示すビームスプリッタ44および45
の両方を掛け合わせた透過率の波長依存性を相殺するた
めに、全反射ミラー46に薄膜構造体61を設ける。この薄
膜構造体61は、例えばTiO2とSiO2との誘電体多層膜を15
層蒸着して構成し、これにより図2Bに示すように初期
波長830nm 付近で反射率Rが100 %となる波長依存性を
持たせる。
In the above structure, the beam splitters 44 and 45 have wavelength dependency of transmittance in the vicinity of the initial wavelength (830 nm). For example, place the beam splitter 44 on the glass material BK7 with Ti.
When the dielectric multilayer film of O 2 and SiO 2 is formed by vapor-depositing nine layers, and the beam splitter 45 is formed by vapor-depositing a dielectric multilayer film similar to the beam splitter 44, The spectral characteristics obtained by multiplying both are the wavelength
The transmittance T becomes, for example, 50% at 830 nm, and there is wavelength dependency in the vicinity thereof as shown in FIG. 2A. Therefore, in this embodiment, the beam splitters 44 and 45 shown in FIG. 2A are used.
In order to cancel the wavelength dependence of the transmittance obtained by multiplying both of them, the total reflection mirror 46 is provided with the thin film structure 61. This thin film structure 61 is a dielectric multilayer film of, for example, TiO 2 and SiO 2.
The layers are formed by vapor deposition, so that the reflectance R becomes 100% near the initial wavelength of 830 nm as shown in FIG. 2B.

【0014】このように構成すれば、光磁気ディスク48
に入射する光、つまりビームスプリッタ44および45と、
全反射ミラー46とのそれぞれの透過率Tおよび反射率R
の掛け合わされた光の波長依存性は、図2Cに示すよう
にある指定した値をもって一定となる。したがって、半
導体レーザ41の発振波長が温度変化等により変動して
も、それに影響されることなく、情報を記録、消去およ
び再生するための光量をほぼ一定とすることができる。
また、このように薄膜構造体61を設けることにより、個
々のビームスプリッタ毎に厳しく波長依存性を抑える必
要がなくなるので、設計の自由度を上げることができ、
また設計時間の短縮等もできるので装置を安価にでき
る。
With this arrangement, the magneto-optical disk 48
Light incident on the beam splitters 44 and 45,
Transmittance T and reflectance R with respect to the total reflection mirror 46
The wavelength dependence of the multiplied light becomes constant at a specified value as shown in FIG. 2C. Therefore, even if the oscillation wavelength of the semiconductor laser 41 fluctuates due to temperature change or the like, the amount of light for recording, erasing and reproducing information can be made substantially constant without being affected by it.
Further, by providing the thin film structure 61 in this way, it is not necessary to strictly suppress the wavelength dependence for each individual beam splitter, so that the degree of freedom in design can be increased,
In addition, the design time can be shortened, so that the device can be made inexpensive.

【0015】図3はこの発明の第2実施例を示すもので
ある。この実施例では、半導体レーザ65からの光をコリ
メートレンズ66で平行光とした後、整形プリズム67でビ
ーム整形し、さらにビームスプリッタ68および69を透過
させて対物レンズ70により光磁気ディスク71上に集光
し、情報を記録する。また、情報の再生においては、同
様にして半導体レーザ65からの光を光磁気ディスク71上
に集光し、その反射光を逆の経路を通ってビームスプリ
ッタ69および68でそれぞれ反射させ、ビームスプリッタ
69で反射された光を1/2 波長板72により偏光方向を45°
回転させた後、集光レンズ73により収束して光磁気信号
検出光学系74に導く。光磁気信号検出光学系74は、入射
光をP偏光成分およびS偏光成分に分離する偏光ビーム
スプリッタ75と、その分離されたP偏光成分およびS偏
光成分を受光する光検出器76,77 とをもって構成し、光
検出器76,77 の出力差を検出することにより光磁気ディ
スク71に記録された情報の再生信号を得るようにする。
FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention. In this embodiment, after the light from the semiconductor laser 65 is collimated by the collimator lens 66, it is beam-shaped by the shaping prism 67, and further transmitted through the beam splitters 68 and 69, and then is transmitted through the objective lens 70 onto the magneto-optical disk 71. Focus and record information. In reproducing information, similarly, the light from the semiconductor laser 65 is condensed on the magneto-optical disk 71, and the reflected light is reflected by the beam splitters 69 and 68 through the opposite paths, and the beam splitter
The polarization direction of the light reflected by 69 is 45 ° by the half-wave plate 72.
After rotating, it is converged by the condenser lens 73 and guided to the magneto-optical signal detection optical system 74. The magneto-optical signal detection optical system 74 has a polarization beam splitter 75 that separates incident light into P-polarized component and S-polarized component, and photodetectors 76 and 77 that receive the separated P-polarized component and S-polarized component. In this configuration, the reproduction signal of the information recorded on the magneto-optical disk 71 is obtained by detecting the output difference between the photodetectors 76 and 77.

【0016】さらに、光磁気ディスク71からの戻り光の
うち、ビームスプリッタ68で反射された光は、エラー信
号検出光学系78に導く。エラー信号検出光学系78は、臨
界角プリズム79と、4分割受光領域を有するフォーカス
およびトラッキングエラー検出用の光検出器80とをもっ
て構成し、ビームスプリッタ68での反射光を臨界角プリ
ズム79を経て光検出器80に入射させ、その出力に基づい
てフォーカスエラー信号およびトラッキングエラー信号
を検出するようにする。
Further, of the return light from the magneto-optical disk 71, the light reflected by the beam splitter 68 is guided to the error signal detection optical system 78. The error signal detection optical system 78 includes a critical angle prism 79 and a photodetector 80 for detecting focus and tracking errors having a four-divided light receiving area, and reflects light reflected by the beam splitter 68 through the critical angle prism 79. The light is incident on the photodetector 80, and the focus error signal and the tracking error signal are detected based on the output thereof.

【0017】上記構成において、ビームスプリッタ68
を、硝材BK7 上にTiO2とSiO2との誘電体多層膜を5層蒸
着して構成すると、その分光特性は波長830nm において
透過率T1が例えば70%となり、その付近で図4Aに示す
ような波長依存性をもつ。そこで、この実施例では、図
4Aに示すビームスプリッタ68の透過率T1の波長依存性
を相殺するために、ビームスプリッタ69に薄膜構造体81
を設ける。この薄膜構造体81は、例えば硝材BK7 上にZr
O2とSiO2との誘電体多層膜を15層蒸着して構成し、これ
によりビームスプリッタ69に図4Bに示すように波長83
0nm で透過率T2が70%となる波長依存性を持たせる。
In the above structure, the beam splitter 68
Is formed by vapor-depositing five dielectric multilayer films of TiO 2 and SiO 2 on the glass material BK7, its spectral characteristics show a transmittance T 1 of, for example, 70% at a wavelength of 830 nm, and the vicinity thereof is shown in FIG. 4A. It has such wavelength dependence. Therefore, in this embodiment, in order to cancel the wavelength dependence of the transmittance T 1 of the beam splitter 68 shown in FIG. 4A, the beam splitter 69 is provided with a thin film structure 81.
To provide. This thin film structure 81 is made of, for example, Zr on glass material BK7.
A dielectric multilayer film of O 2 and SiO 2 is formed by vapor deposition of 15 layers, which allows the beam splitter 69 to have a wavelength of 83 nm as shown in FIG. 4B.
It has wavelength dependence such that the transmittance T 2 becomes 70% at 0 nm.

【0018】このように構成すれば、光磁気ディスク71
に入射する光、つまりビームスプリッタ68,69 のそれぞ
れの透過率T1,T2 の掛け合わされた光の波長依存性は、
図4Cに示すようにある指定した値をもって一定とな
る。したがって、半導体レーザ65の発振波長が温度変化
等により変動しても、それに影響されることなく、光磁
気ディスク71への入射光量をほぼ一定とすることができ
るので、第1実施例と同様の効果を得ることができる。
With this arrangement, the magneto-optical disk 71
The wavelength dependence of the light incident on the light, that is, the wavelength dependence of the light multiplied by the respective transmittances T 1 and T 2 of the beam splitters 68 and 69 is
As shown in FIG. 4C, it becomes constant with a specified value. Therefore, even if the oscillation wavelength of the semiconductor laser 65 fluctuates due to a temperature change or the like, the amount of light incident on the magneto-optical disk 71 can be made substantially constant without being affected by it, and the same as in the first embodiment. The effect can be obtained.

【0019】図5はこの発明の第3実施例を示すもので
ある。この実施例は、第2実施例において半導体レーザ
65から放射され、ビームスプリッタ68で反射される光を
前方モニタ82で受光し、その出力に基づいて半導体レー
ザ65の出射光量を制御するようにしたものである。この
ように、前方モニタ82を用いて半導体レーザ65の出射光
量を制御する場合、出射光に波長変動がなければ、記
録、消去および再生において光磁気ディスク71への入射
光量をそれぞれ所望の値に一定に制御することができ
る。
FIG. 5 shows a third embodiment of the present invention. This embodiment is similar to the semiconductor laser of the second embodiment.
Light emitted from 65 and reflected by the beam splitter 68 is received by the front monitor 82, and the amount of light emitted from the semiconductor laser 65 is controlled based on the output thereof. As described above, when the emitted light amount of the semiconductor laser 65 is controlled using the front monitor 82, if the emitted light has no wavelength fluctuation, the incident light amount on the magneto-optical disk 71 is set to a desired value in recording, erasing and reproducing. It can be controlled to be constant.

【0020】しかし、ビームスプリッタ68を、例えば硝
材BK7 上にTiO2とSiO2との誘電体多層膜を7層蒸着して
構成すると、その分光特性は波長830nm において透過率
T1が例えば60%となり、その付近で図6Aに示すような
波長依存性をもつ。このため、半導体レーザ65に波長変
動があると、光磁気ディスク71への入射光量も、図6A
に示すビームスプリッタ68の透過率T1の波長依存性に応
じて変化することになる。これに対し、前方モニタ82に
入射する光は、ビームスプリッタ68での反射光で、図6
Aとは反対の特性を持っているため、その出力に基づい
て半導体レーザ65の出射光量を制御すると2乗程光量が
変動してしまい、その場合のビームスプリッタ68での透
過光T1´の波長依存性は、図6Bに示すようになってし
まう。
However, when the beam splitter 68 is formed by vapor-depositing seven dielectric multilayer films of TiO 2 and SiO 2 on, for example, a glass material BK7, its spectral characteristic is the transmittance at a wavelength of 830 nm.
T 1 is, for example, 60%, and there is wavelength dependence in the vicinity thereof as shown in FIG. 6A. Therefore, if the wavelength of the semiconductor laser 65 fluctuates, the amount of light incident on the magneto-optical disk 71 also changes as shown in FIG.
It changes depending on the wavelength dependency of the transmittance T 1 of the beam splitter 68 shown in FIG. On the other hand, the light incident on the front monitor 82 is the light reflected by the beam splitter 68, and
Since it has a characteristic opposite to that of A, if the emitted light amount of the semiconductor laser 65 is controlled based on its output, the light amount fluctuates by about the square, and the transmitted light T 1 ′ at the beam splitter 68 in that case is changed. The wavelength dependence becomes as shown in FIG. 6B.

【0021】そこで、この実施例では、ビームスプリッ
タ68の透過率T1´の波長依存性を相殺するために、ビー
ムスプリッタ69に薄膜構造体83を設ける。この薄膜構造
体83は、例えば硝材BK7 上にZrO2とSiO2との誘電体多層
膜を17層蒸着して構成し、これによりビームスプリッタ
69に図6Cに示すように波長830nm で透過率T2がほぼ70
%となる波長依存性を持たせる。このように構成すれ
ば、光磁気ディスク71に入射する光、つまり前方モニタ
82で半導体レーザ65の出射光量を制御する場合の波長依
存性は、図6Dに示すようにある指定した値をもって一
定となるので、上述した実施例と同様の効果を得ること
ができる。
Therefore, in this embodiment, in order to cancel the wavelength dependence of the transmittance T 1 ′ of the beam splitter 68, the beam splitter 69 is provided with a thin film structure 83. The thin film structure 83 is formed by vapor-depositing 17 layers of a dielectric multilayer film of ZrO 2 and SiO 2 on a glass material BK7.
69, as shown in FIG. 6C, the transmittance T 2 is about 70 at a wavelength of 830 nm.
% To have a wavelength dependence. With this structure, the light incident on the magneto-optical disk 71, that is, the front monitor
The wavelength dependency when the emitted light amount of the semiconductor laser 65 is controlled by 82 becomes constant with a specified value as shown in FIG. 6D, and therefore the same effect as the above-described embodiment can be obtained.

【0022】なお、この発明は上述した実施例にのみ限
定されるものではなく、幾多の変形または変更が可能で
ある。例えば上述した実施例においては、半導体レーザ
から光磁気ディスクまでの光路中に薄膜構造体を設けた
が、この薄膜構造体は光磁気ディスクから光磁気信号検
出光学系までの光路中に設けることもできる。このよう
にすれば、光磁気ディスクからの反射光を常に一定にす
ることができるので、光磁気信号を常に安定して検出す
ることができる。また、上述した実施例では初期波長を
830nm としたが、それ以外の波長の光を用いる場合でも
この発明を有効に適用することができると共に、記録媒
体も光磁気ディスクに限らず、光ディスク、コンパクト
ディスクやその他の光学式記録媒体を用いる場合にもこ
の発明を有効に適用することができる。さらに、上述し
た実施例では、一つの反射面または一つの透過面に光の
波長変動による光量変化を補償する薄膜構造体を設けた
が、二つ以上の反射面および/または透過面に薄膜構造
体を設け、これら複数の薄膜構造体により光の波長変動
による光量変化を補償するよう構成することもできる。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, but many variations and modifications are possible. For example, in the above-described embodiment, the thin film structure is provided in the optical path from the semiconductor laser to the magneto-optical disk, but this thin film structure may be provided in the optical path from the magneto-optical disk to the magneto-optical signal detecting optical system. it can. By doing so, the reflected light from the magneto-optical disk can be made constant at all times, so that the magneto-optical signal can always be detected stably. In addition, in the above-described embodiment, the initial wavelength is
Although it is set to 830 nm, the present invention can be effectively applied to the case of using light of other wavelengths, and the recording medium is not limited to the magneto-optical disc, and an optical disc, a compact disc, or other optical recording medium is used. Even in this case, the present invention can be effectively applied. Further, in the above-described embodiment, the thin film structure for compensating the light quantity change due to the wavelength variation of the light is provided on one reflecting surface or one transmitting surface, but the thin film structure is provided on two or more reflecting surfaces and / or transmitting surfaces. A body may be provided, and the plurality of thin film structures may be configured to compensate for a change in light amount due to a change in wavelength of light.

【0023】[0023]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、光源
からの光を反射面および/または透過面を経て記録媒体
に照射する光路中の少なくとも一つの反射面または透過
面に薄膜構造体を設けて、記録媒体に照射される光の波
長変動による光量変化を補償するようにしたので、光源
の波長変動に影響されることなく、記録においては常に
一定の状態で記録を行うことができ、再生においては常
にほぼ一定のMTF等の再生信号を得ることができる。
また、薄膜構造体を設けることにより、個々の光学部品
における反射率、透過率の波長依存性を抑える必要がな
く、したがって設計の自由度を向上できると共に、設計
時間も短縮できることから装置全体を安価にできる。
As described above, according to the present invention, the thin film structure is formed on at least one reflecting surface or transmitting surface in the optical path for irradiating the recording medium with the light from the light source through the reflecting surface and / or the transmitting surface. Is provided to compensate for the change in the light amount due to the change in the wavelength of the light irradiated on the recording medium, so that the recording can be performed in a constant state without being affected by the change in the wavelength of the light source. In reproduction, an almost constant reproduction signal such as MTF can be obtained.
Further, by providing the thin film structure, it is not necessary to suppress the wavelength dependence of the reflectance and the transmittance of each optical component. Therefore, the degree of freedom in design can be improved and the design time can be shortened, so that the entire device can be inexpensive. You can

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の第1実施例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing a first embodiment of the present invention.

【図2】第1実施例の作用を説明するための図である。FIG. 2 is a diagram for explaining the operation of the first embodiment.

【図3】この発明の第2実施例を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図4】第2実施例の作用を説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining the operation of the second embodiment.

【図5】この発明の第3実施例を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図6】第3実施例の作用を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining the operation of the third embodiment.

【図7】従来の技術を説明するための図である。FIG. 7 is a diagram for explaining a conventional technique.

【図8】図7の作用を説明するための図である。FIG. 8 is a diagram for explaining the operation of FIG. 7.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

41 半導体レーザ 42 コリメートレンズ 43 整形プリズム 44,45 ビームスプリッタ 46 全反射ミラー 47 対物レンズ 48 光磁気ディスク 49 1/2 波長板 50 集光レンズ 51 光磁気信号検出光学系 52 偏光ビームスプリッタ 53,54,57,58 光検出器 55 エラー信号検出光学系 56 臨界角プリズム 59 前方モニタ 61 薄膜構造体 65 半導体レーザ 66 コリメートレンズ 67 整形プリズム 68,69 ビームスプリッタ 70 対物レンズ 71 光磁気ディスク 72 1/2 波長板 73 集光レンズ 74 光磁気信号検出光学系 75 偏光ビームスプリッタ 76,77 光検出器 78 エラー信号検出光学系 79 臨界角プリズム 80 光検出器 81 薄膜構造体 82 前方モニタ 83 薄膜構造体 41 Semiconductor laser 42 Collimating lens 43 Shaping prism 44,45 Beam splitter 46 Total reflection mirror 47 Objective lens 48 Magneto-optical disk 49 1/2 Wave plate 50 Condensing lens 51 Magneto-optical signal detection optical system 52 Polarizing beam splitter 53,54, 57,58 Photodetector 55 Error signal detection optical system 56 Critical angle prism 59 Front monitor 61 Thin film structure 65 Semiconductor laser 66 Collimating lens 67 Shaping prism 68,69 Beam splitter 70 Objective lens 71 Magneto-optical disk 72 1/2 Wave plate 73 Condenser lens 74 Opto-magnetic signal detection optical system 75 Polarizing beam splitter 76,77 Photo detector 78 Error signal detection optical system 79 Critical angle prism 80 Photo detector 81 Thin film structure 82 Front monitor 83 Thin film structure

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 光源からの光を反射面および/または透
過面を経て記録媒体に照射して情報を記録または再生す
る光学式記録再生装置において、前記記録媒体に照射さ
れる光の波長変動による光量変化を補償するように、少
なくとも一つの前記反射面または透過面に薄膜構造体を
設けたことを特徴とする光学式記録再生装置。
1. An optical recording / reproducing apparatus for recording or reproducing information by irradiating a recording medium with light from a light source through a reflecting surface and / or a transmitting surface, the wavelength variation of the light irradiating the recording medium. An optical recording / reproducing apparatus, wherein a thin film structure is provided on at least one of the reflecting surface or the transmitting surface so as to compensate for a change in light quantity.
JP3232434A 1991-08-21 1991-08-21 Optical recording/reproducing device Pending JPH0554424A (en)

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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 19991116