JPH0553290A - Blank for phase shift mask and phase shift mask as well as production thereof - Google Patents
Blank for phase shift mask and phase shift mask as well as production thereofInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はＬＳＩ，ＵＬＳＩ等の半
導体の製造工程のうち露光工程に使用するレベンソン型
（周波数変調型）およびクロムレス型（シフタ遮光型）
の位相シフトマスクと位相シフトマスク用ブランク並び
にその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a Levenson type (frequency modulation type) and a chromeless type (shifter shading type) used in an exposure process in the manufacturing process of semiconductors such as LSI and ULSI.
, A phase shift mask blank, and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＳＩ，ＵＬＳＩ等の半導体の製造工程
に用いるフォトマスク上のパターンの微細化が進んでき
たが、同じ波長の光源を用いても解像度の向上が図れる
位相シフト法とそれに用いるフォトマスク（位相シフト
マスク）の発明が特開昭５７−６２０５２号公報（特公
昭６２−５０８１１号）によって発表された。また、位
相シフトマスクの製造方法については特開平２−２４７
６４７号公報、特開平２−１４０７４３号公報、特開平
２−２１１４５０号公報等に種々の方法が記載されてい
る。2. Description of the Related Art The miniaturization of patterns on photomasks used in the manufacturing process of semiconductors such as LSI and ULSI has progressed. However, the phase shift method and the photo method used for the same which can improve the resolution even if the light source of the same wavelength is used. The invention of a mask (phase shift mask) was announced by Japanese Patent Application Laid-Open No. 57-62052 (Japanese Patent Publication No. 62-50811). Regarding the method of manufacturing the phase shift mask, Japanese Patent Laid-Open No. 2-247.
Various methods are described in Japanese Patent Laid-Open No. 647, 7-140743, Japanese Patent Laid-Open No. 2-121450, and the like.
【０００３】従来の位相シフトマスクの製造方法を図１
３に示す。図１３（ａ）に示すような透明支持基板１上
にクロム等の遮光層７を形成し通常のリソグラフィー法
によるパターニングを行って、遮光層７を部分的に除去
したパターンを形成し（図１３（ｂ）参照）、シフタ層
３をその上に形成した後（図１３（ｃ）参照）、リソグ
ラフィー法によりシフタのパターニングを行うと図１３
（ｄ）に示すような位相シフトマスクが完成する。FIG. 1 shows a conventional method of manufacturing a phase shift mask.
3 shows. A light-shielding layer 7 made of chromium or the like is formed on the transparent support substrate 1 as shown in FIG. 13A, and patterning is performed by a normal lithography method to form a pattern in which the light-shielding layer 7 is partially removed (see FIG. 13). After the shifter layer 3 is formed thereon (see FIG. 13C) (see FIG. 13C), the patterning of the shifter is performed by a lithography method, as shown in FIG.
A phase shift mask as shown in (d) is completed.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】位相シフトマスクの製
造工程においては遮光膜パターンとシフタ層パターンの
重ね合わせ工程が重要である。従来の位相シフトマスク
の製造方法ではシフタパターン形成の為の重ね合わせ描
画の際レジストはシフタ層の上に形成されておりシフタ
層は通常、酸化ケイ素、高分子ポリマ等の絶縁体で形成
されている為、レジスト中に入射した電子が伝導、拡散
できずにチャージアップ（帯電）現象を起こして正常な
パターンが描画されない現象が発生して重ね合わせ描画
がうまくいかなかった。In the manufacturing process of the phase shift mask, the superposing process of the light shielding film pattern and the shifter layer pattern is important. In the conventional method of manufacturing a phase shift mask, the resist is formed on the shifter layer during overlay drawing for forming the shifter pattern, and the shifter layer is usually formed of an insulator such as silicon oxide or polymer polymer. As a result, electrons incident on the resist could not be conducted and diffused, causing a phenomenon of charge-up (charging) and a normal pattern was not drawn, and overlay drawing was not successful.
【０００５】この現象を防ぐために特開平２−２１１４
５０号公報記載の方法は、工程の途中で遮光層パターン
の上に導電層を形成する工程を追加している。また特開
平２−１４０７４３号公報記載ではブランクの最上部に
予め導電層を形成しておく方法を採っている。しかし、
これらの方法ではチャージアップ現象防止のために導電
層を改めて設けることになり、工程が煩雑になるという
問題点がある。To prevent this phenomenon, Japanese Patent Laid-Open No. 2114/1990
The method described in Japanese Patent Publication No. 50 adds a step of forming a conductive layer on the light shielding layer pattern in the middle of the step. Further, in JP-A-2-140743, a method of forming a conductive layer in advance on the top of the blank is adopted. But,
In these methods, a conductive layer is additionally provided to prevent the charge-up phenomenon, resulting in a problem that the process becomes complicated.
【０００６】さらに、ドライエッチングによってシフタ
層をエッチングする際にシフタ層のエッチング終点が判
り難いために、シフタ層のエッチング終点を越えて、透
明基板がエッチングされてしまうという問題点があっ
た。Further, when the shifter layer is etched by dry etching, it is difficult to know the etching end point of the shifter layer, so that there is a problem that the transparent substrate is etched beyond the etching end point of the shifter layer.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、本発明では先ずシフタパターンを形成し、次にシ
フタパターン上にクロム等から成る遮光層を設け、この
遮光層上にレジストを塗布して重ね合わせ描画を行う製
造方法を考え、製造に必要な露光マスク用ブランクを発
明した。In order to solve the above problems, in the present invention, a shifter pattern is first formed, and then a light shielding layer made of chromium or the like is provided on the shifter pattern, and a resist is provided on the light shielding layer. A blank for an exposure mask necessary for manufacturing was invented in consideration of a manufacturing method of applying and superposing and drawing.
【０００８】[0008]
【作用】本発明の位相シフトマスク用ブランクを用い
て、途中の工程で遮光層を設けると、遮光パターン用の
層が導電性を有しているために、重ね合わせ描画の際の
電子線によるチャージアップ現象が防止でき描画が高精
度に行える。また、エッチングストッパ層がシフタ層の
エッチング終点を規制する。このため微細パターンを形
成したレベンソン型位相シフトマスクが容易に作製でき
る。When a blank for a phase shift mask of the present invention is used to form a light-shielding layer in the middle of the process, the layer for the light-shielding pattern has conductivity, so that it may be affected by an electron beam during overlay drawing. The charge-up phenomenon can be prevented and drawing can be performed with high accuracy. Further, the etching stopper layer regulates the etching end point of the shifter layer. Therefore, a Levenson-type phase shift mask having a fine pattern can be easily manufactured.
【０００９】また、本発明の位相マスク用ブランクを用
いることにより、遮光層がなくシフタ層によるパターン
のエッジ部分を利用する、いわゆるクロムレス型あるい
は、シフタ遮光型と称する位相シフトマスクも作製でき
る。さらに遮光層のあるレベンソン型位相シフトマスク
部分と遮光層のないクロムレス型位相シフトマスク部分
とが共存する位相シフトマスクも製作できる。Further, by using the phase mask blank of the present invention, a so-called chromeless type or a shifter light shielding type phase shift mask which does not have a light shielding layer and utilizes the edge portion of the pattern formed by the shifter layer can be manufactured. Further, it is possible to manufacture a phase shift mask in which a Levenson-type phase shift mask portion having a light shielding layer and a chromeless type phase shift mask portion having no light shielding layer coexist.
【００１０】以下に本発明の位相シフトマスク用ブラン
クからの位相シフトマスクの製造方法を図１〜図１２を
用いて詳細に述べる。なお、本発明はこれらの図によっ
て限定されるものではない。The manufacturing method of the phase shift mask from the phase shift mask blank of the present invention will be described in detail below with reference to FIGS. The present invention is not limited to these figures.
【００１１】図１は使用する位相シフトマスク用ブラン
クである。透明支持基板１は、石英ガラス、低膨張ガラ
ス等の位置歪みの少ないガラスを使用する。エッチング
ストッパ層２はシフタ層のエッチングが基板に及ぶこと
なく停止させるために設けてあるもので、透明性が高く
シフタ層のエッチングに際して充分な選択比をとれるこ
とが必要である。例としてはアルミナ（Ａｌ2 Ｏ3）、
マグネシアスピネル（ＭｇＡｌ2 Ｏ4 ）、ジルコニア
（ＺｒＯ2 ）等が挙げられる。FIG. 1 shows a blank for a phase shift mask used. The transparent support substrate 1 is made of quartz glass, low-expansion glass, or other glass with little positional distortion. The etching stopper layer 2 is provided in order to stop the etching of the shifter layer without reaching the substrate, and it is necessary that the etching stopper layer 2 be highly transparent and have a sufficient selection ratio when etching the shifter layer. As an example, alumina (Al 2 O 3 ),
Examples thereof include magnesia spinel (MgAl 2 O 4 ) and zirconia (ZrO 2 ).
【００１２】シフタ層３は入射した光の位相を屈折率の
違いによって光の位相を所定量だけシフトさせるため適
当な膜厚が必要である。シフタ層３にはＳｉＯ2 あるい
は有機高分子等が使用できる。位相シフト量はシフタ層
の膜厚とシフタ層の材料の屈折率で決定され、例えばＳ
ｉＯ2 を用いてｉ線（波長３６５ｎｍ）の光源を使用し
て、位相シフト量を１８０°とした場合にはシフタ層の
膜厚は約３９０ｎｍになる。The shifter layer 3 needs to have an appropriate film thickness in order to shift the phase of incident light by a predetermined amount depending on the difference in refractive index. SiO 2 or an organic polymer can be used for the shifter layer 3. The amount of phase shift is determined by the film thickness of the shifter layer and the refractive index of the material of the shifter layer.
Use with iO 2 i line light sources (wavelength 365 nm), the thickness of the shifter layer in the case where the phase shift amount set to 180 ° is about 390 nm.
【００１３】本発明においてパターン形成用レジスト層
５は、下層のシフタ層３および導電層４のパターニング
時にマスクに用いるものである。図１は電子線レジスト
を用いた場合を示しており、電子線による描画の際にチ
ャージアップを防ぐためにレジストの下には導電層４を
設ける。図１には電子線照射６による描画を併せて示し
てある。また、レジストはポジ型レジストを示している
が、ネガ型レジストを使用しても電子線の描画部分を変
えるだけで同様のパターンが形成可能である。この他
に、シフタ層のパターニング用には光感光性のレジスト
の使用も可能である。In the present invention, the pattern forming resist layer 5 is used as a mask when patterning the lower shifter layer 3 and the conductive layer 4. FIG. 1 shows a case where an electron beam resist is used, and a conductive layer 4 is provided below the resist in order to prevent charge-up during writing with an electron beam. FIG. 1 also shows drawing by electron beam irradiation 6. Although the resist is a positive type resist, the same pattern can be formed by using a negative type resist only by changing the electron beam drawing portion. In addition to this, a photosensitive resist can be used for patterning the shifter layer.
【００１４】図２はレジスト現像を行い、導電層４のエ
ッチングを行った後のマスクの状態を示している。図２
では電子線の当たった部分が溶解するポジ型のレジスト
の場合を示しているが、電子線の当たった部分が硬化す
るネガ型のレジストを用いても同様の工程になる。FIG. 2 shows the state of the mask after resist development and etching of the conductive layer 4. Figure 2
In the above, the case of a positive type resist in which the part exposed to the electron beam is dissolved is shown, but the same process is performed using a negative type resist in which the part exposed to the electron beam is cured.
【００１５】続いてレジストのパターンをマスクにして
エッチングを行う。シフタ層にＳｉＯ2 等の無機物を使
用した場合には、反応性イオンエッチング等のドライエ
ッチング法によってシフタ層３をエッチングすることが
できる。またシフタ層３に有機高分子化合物を用いた場
合には、有機溶媒あるいはアルカリ溶液等を用いてウエ
ットエッチングすることができる。エッチング後のマス
クを図３に示す。Then, etching is performed using the resist pattern as a mask. When an inorganic material such as SiO 2 is used for the shifter layer, the shifter layer 3 can be etched by a dry etching method such as reactive ion etching. When an organic polymer compound is used for the shifter layer 3, wet etching can be performed using an organic solvent or an alkaline solution. The mask after etching is shown in FIG.
【００１６】図４はマスクにしたレジストのパターンと
導電層４を剥膜してシフタ層３の形成を終了したマスク
を示す。FIG. 4 shows a mask after the formation of the shifter layer 3 is completed by removing the resist pattern used as a mask and the conductive layer 4.
【００１７】次に遮光パターンを形成するために遮光層
７を設け、遮光層のパターニング用のレジスト８を塗布
して図５になる。遮光層７は金属を主成分とする膜であ
り、スパッタリング等の通常用いられる薄膜形成方法に
よって形成される。Next, a light-shielding layer 7 is provided to form a light-shielding pattern, and a resist 8 for patterning the light-shielding layer is applied to obtain the structure shown in FIG. The light shielding layer 7 is a film containing metal as a main component, and is formed by a commonly used thin film forming method such as sputtering.
【００１８】図５では電子線により描画を行っている。
この工程において本発明ではレジストの下層にある導電
性の遮光層７を接地することによって、シフタ層３が絶
縁性であってもチャージアップ現象が起こらず精度の良
い描画ができる。図５では電子線の当たった部分が溶解
するポジ型のレジストの場合を示しているが、電子線の
当たった部分が硬化するネガ型のレジストを用いても同
様の工程が使用できる。レジスト８の現像後のマスクを
図６に示す。In FIG. 5, drawing is performed with an electron beam.
In this step, in the present invention, the conductive light-shielding layer 7 under the resist is grounded, so that even if the shifter layer 3 is insulative, the charge-up phenomenon does not occur and accurate drawing can be performed. Although FIG. 5 shows the case of a positive type resist in which the part exposed to the electron beam dissolves, the same process can be used even if a negative type resist in which the part exposed to the electron beam cures. The mask after the development of the resist 8 is shown in FIG.
【００１９】次に図６のレジストパターンをマスクにし
てエッチングにより遮光層７をパターニングして図７の
マスクを得る。エッチングは反応性イオンエッチング等
のドライエッチングを用いるか、または金属膜をエッチ
ングできる腐食用の溶液を用いてウエットエッチングす
ることも可能である。Next, the light shielding layer 7 is patterned by etching using the resist pattern of FIG. 6 as a mask to obtain the mask of FIG. The etching may be dry etching such as reactive ion etching, or wet etching using a corrosive solution capable of etching the metal film.
【００２０】最後にレジストを剥膜して図８の位相シフ
トマスクが形成できる。Finally, the resist is removed to form the phase shift mask shown in FIG.
【００２１】以上の工程において、図４までの工程で遮
光層のない、いわゆるクロムレス型位相シフトマスクが
形成できる。In the above steps, a so-called chromeless type phase shift mask without a light shielding layer can be formed by the steps up to FIG.
【００２２】また図５から図８の代わりに図９から図１
２の工程を用いる事により遮光層のないクロムレス型位
相シフトマスク部分と遮光層とシフタ層を有するレベン
ソン型位相シフトマスク部分を同時に一つの露光用マス
クに有する位相シフトマスクを作製できる。Also, instead of FIGS. 5 to 8, FIGS. 9 to 1
By using the step 2, it is possible to manufacture a phase shift mask having a chromeless type phase shift mask portion having no light shielding layer and a Levenson type phase shift mask portion having a light shielding layer and a shifter layer in one exposure mask at the same time.
【００２３】図９では遮光パターンを形成するために遮
光層７を設け、遮光層のパターニング用のレジスト８を
塗布する。図９では電子線による露光も示している。図
９では電子線の当たった部分が溶解するポジ型のレジス
トの場合を示しているが、電子線の当たった部分が硬化
するネガ型のレジストを用いても電子線による描画部分
と非描画部分の描画部分を変えるだけで同様の工程が使
用できる。In FIG. 9, a light shielding layer 7 is provided to form a light shielding pattern, and a resist 8 for patterning the light shielding layer is applied. FIG. 9 also shows exposure with an electron beam. Although FIG. 9 shows the case of a positive type resist in which the part exposed to the electron beam dissolves, even if a negative resist in which the part exposed to the electron beam cures is used, the drawing part and the non-drawing part by the electron beam are used. The same process can be used only by changing the drawing part of.
【００２４】レジスト８の現像後のマスクを図１０に示
す。The mask after the development of the resist 8 is shown in FIG.
【００２５】次に図１０のレジストパターンをマスクに
してエッチングにより遮光層７をパターニングして図１
１のマスクを得る。Next, the light shielding layer 7 is patterned by etching using the resist pattern shown in FIG.
Get the mask of 1.
【００２６】最後にレジストを剥膜して図１２の位相シ
フトマスクが形成できる。図１２の位相シフトマスクに
おいては光の透過部分と遮光部分の下層にシフタ層３の
あるレベンソン型の位相シフトマスク部分９と位相シフ
タ層のみのクロムレス型位相シフトマスク部分１０が一
つの透明支持基板上に存在する位相シフトマスクが作製
できる。Finally, the resist is stripped to form the phase shift mask shown in FIG. In the phase shift mask of FIG. 12, a Levenson type phase shift mask portion 9 having a shifter layer 3 under a light transmitting portion and a light shielding portion and a chromeless type phase shift mask portion 10 having only a phase shifter layer are one transparent supporting substrate. The phase shift mask above can be made.
【００２７】[0027]
【実施例】本発明の一実施例を以下に示す。本実施例は
ｉ線（波長３６５ｎｍ）を露光用の光源とするフォトリ
ソグラフィーに使用する位相シフトマスクに関する一実
施例である。EXAMPLE An example of the present invention will be described below. This embodiment is an embodiment relating to a phase shift mask used in photolithography using an i-line (wavelength 365 nm) as a light source for exposure.
【００２８】石英ガラス上にエッチングストッパ層とし
てＡｌ2 Ｏ3 を約２０ｎｍの厚さにスパッタ法により形
成した。続いてシフタ層としてＳｉＯ2 をスパッタ法に
より３９０ｎｍの厚さに成膜した。電子線描画のための
導電性を得るためには、金属タンタルを約５ｎｍの厚さ
にスパッタ法により成膜した。最後にシフタ層のパター
ン形成に用いるためのレジストとしてネガ型電子線レジ
スト（シプレイマイクロエレクトロニクス社製、商品名
ＳＡＬ−６０１ＥＲ７）を１μｍの厚さにスピンコート
し、所定のベーキングを行った。Al 2 O 3 having a thickness of about 20 nm was formed as an etching stopper layer on the quartz glass by a sputtering method. Then, as a shifter layer, SiO 2 was formed into a film having a thickness of 390 nm by a sputtering method. In order to obtain conductivity for electron beam drawing, metal tantalum was formed into a film with a thickness of about 5 nm by a sputtering method. Finally, a negative type electron beam resist (trade name: SAL-601ER7 manufactured by Shipley Microelectronics Co., Ltd.) was spin-coated to a thickness of 1 μm as a resist for use in forming the pattern of the shifter layer, and a predetermined baking was performed.
【００２９】続いてラスタースキャン型電子線描画装置
を用いて加速電圧１０ｋＶでドーズ量約２．５μＣ／ｃ
ｍ2 の条件でシフタ用のパターンを形成する部分を描画
し、専用の現像液にて現像してレジストパターンを形成
した。続いて、３０％水酸化ナトリウム水溶液、過酸化
水素水の１０：１混合液によって導電層のタンタルをウ
エットエッチングして、シフタ層エッチング用のレジス
トパターンを形成した。Then, using a raster scan type electron beam drawing apparatus, an acceleration voltage of 10 kV and a dose amount of about 2.5 μC / c.
A portion for forming a shifter pattern was drawn under the condition of m 2 and developed with a dedicated developer to form a resist pattern. Then, tantalum of the conductive layer was wet-etched with a 10: 1 mixed solution of a 30% aqueous sodium hydroxide solution and hydrogen peroxide solution to form a resist pattern for etching the shifter layer.
【００３０】次に、レジストパターンをマスクにして反
応性イオンエッチングによりＣ2 Ｆ 6 とＨ2 の１０：１
混合ガス条件にて３００Ｗのパワーで１５分間エッチン
グを行ってシフタパターンを形成した。この後、レジス
トと導電層を剥膜してシフタパターンを形成したマスク
を作製した。Next, using the resist pattern as a mask,
C by reactive ion etching2F 6And H2Of 10: 1
Etching for 15 minutes with 300W power under mixed gas conditions
Forming a shifter pattern. After this, Regis
Mask with a shifter pattern formed by peeling the conductive layer and the conductive layer
Was produced.
【００３１】次に遮光層はシフタパターンの上にスパッ
タリング法によりクロムを約１００ｎｍの厚さに形成し
た。続いて遮光層上にポジ型電子線レジスト（チッソ社
製、商品名ＰＢＳ）を５００ｎｍの厚さにコートし、加
速電圧１０ｋＶでドーズ量約２μＣ／ｃｍ2 の条件によ
り描画したところ、クロム層が導電層の役割を果たすた
めにチャージアップ現象は起こらず、正常なパターンが
描画でき、また正常な位置にパターンが描画できた。Next, as the light-shielding layer, chromium was formed on the shifter pattern by sputtering to a thickness of about 100 nm. Then, a positive type electron beam resist (trade name: PBS, manufactured by Chisso Co., Ltd.) was coated on the light shielding layer to a thickness of 500 nm, and drawing was performed under the conditions of an accelerating voltage of 10 kV and a dose amount of about 2 μC / cm 2. Since the charge-up phenomenon did not occur because it plays the role of the conductive layer, a normal pattern could be drawn and a pattern could be drawn at a normal position.
【００３２】レジストを専用の現像液により現像し、所
定のベーキング、ディスカム後、レジストパターンをマ
スクとして硝酸セリウムアンモニウムを主成分とするエ
ッチング液によりクロムをウエットエッチングして遮光
層パターンを形成した。The resist was developed with a dedicated developing solution, and after predetermined baking and descum, chromium was wet-etched with an etching solution containing cerium ammonium nitrate as a main component using the resist pattern as a mask to form a light-shielding layer pattern.
【００３３】最後に専用の剥膜液によりレジストを除去
した。以上の工程により位相シフトマスクが作製でき
た。Finally, the resist was removed with a dedicated stripping solution. The phase shift mask can be manufactured by the above steps.
【００３４】[0034]
【発明の効果】本発明の位相シフトマスクの製造方法に
おいては、工程の途中において導電性の遮光膜をシフタ
層の上に形成するため、次の工程の電子線描画における
チャージアップ現象を防ぐことができる。このように、
遮光膜を導電層として使うため改めて導電層を形成する
必要が無く工程が簡単になる。According to the method of manufacturing a phase shift mask of the present invention, since a conductive light-shielding film is formed on the shifter layer during the process, the charge-up phenomenon in the electron beam writing in the next process is prevented. You can in this way,
Since the light-shielding film is used as the conductive layer, it is not necessary to form the conductive layer again, and the process is simplified.
【００３５】さらには、シフタ層を先に形成するためシ
フタだけの状態で検査を行うことも可能であるため、シ
フタ層の欠陥検査が簡単になる。Furthermore, since the shifter layer is formed first, it is possible to inspect only the shifter, so that the defect inspection of the shifter layer is simplified.
【００３６】また、同様の工程とブランクを用いて、位
相シフタパターンと遮光層パターンによって形成された
レベンソン型位相シフトマスクの他に、位相シフタパタ
ーンのみによるクロムレス型位相シフトマスクの作製
と、レベンソン型位相シフトマスク部分とクロムレス型
位相シフトマスク部分とが一つのマスク上に存在する位
相シフトマスクの作製も可能になる。In addition to the Levenson-type phase shift mask formed by the phase shifter pattern and the light-shielding layer pattern using the same steps and blanks, a chromeless type phase shift mask using only the phase shifter pattern and the Levenson-type phase shift mask are manufactured. It is also possible to manufacture a phase shift mask in which the phase shift mask portion and the chromeless type phase shift mask portion exist on one mask.
【００３７】[0037]
【図１】本発明の位相シフトマスク用ブランクから位相
シフトマスク（クロムレス型）を製造する方法を工程順
に示す断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a phase shift mask (chromeless type) from a phase shift mask blank of the present invention in the order of steps.
【図２】本発明の位相シフトマスク用ブランクから位相
シフトマスク（クロムレス型）を製造する方法を工程順
に示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a phase shift mask (chromeless type) from the phase shift mask blank of the present invention in the order of steps.
【図３】本発明の位相シフトマスク用ブランクから位相
シフトマスク（クロムレス型）を製造する方法を工程順
に示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a phase shift mask (chromeless type) from the phase shift mask blank of the present invention in the order of steps.
【図４】本発明の位相シフトマスク用ブランクから位相
シフトマスク（クロムレス型）を製造する方法を工程順
に示す断面図である。FIG. 4 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a phase shift mask (chromeless type) from the blank for phase shift mask of the present invention in the order of steps.
【図５】本発明の位相シフトマスク用ブランクから位相
シフトマスク（レベンソン型）を製造する方法を工程順
に示す断面図である。FIG. 5 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a phase shift mask (Levenson type) from the blank for phase shift mask of the present invention in the order of steps.
【図６】本発明の位相シフトマスク用ブランクから位相
シフトマスク（レベンソン型）を製造する方法を工程順
に示す断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a phase shift mask (Levenson type) from the phase shift mask blank of the present invention in the order of steps.
【図７】本発明の位相シフトマスク用ブランクから位相
シフトマスク（レベンソン型）を製造する方法を工程順
に示す断面図である。FIG. 7 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a phase shift mask (Levenson type) from the phase shift mask blank of the present invention in the order of steps.
【図８】本発明の位相シフトマスク用ブランクから位相
シフトマスク（レベンソン型）を製造する方法を工程順
に示す断面図である。FIG. 8 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing a phase shift mask (Levenson type) from the blank for phase shift mask of the present invention in the order of steps.
【図９】本発明の位相シフトマスク用ブランクから位相
シフトマスク（クロムレス型及びレベンソン型存在）を
製造する方法を工程順に示す断面図である。FIG. 9 is a cross-sectional view showing, in the order of steps, a method for producing a phase shift mask (chromeless type and Levenson type existence) from the phase shift mask blank of the present invention.
【図１０】本発明の位相シフトマスク用ブランクから位
相シフトマスク（クロムレス型及びレベンソン型存在）
を製造する方法を工程順に示す断面図である。FIG. 10: Phase shift mask blank of the present invention to a phase shift mask (chromeless type and Levenson type exist)
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing the in order of steps.
【図１１】本発明の位相シフトマスク用ブランクから位
相シフトマスク（クロムレス型及びレベンソン型存在）
を製造する方法を工程順に示す断面図である。FIG. 11: Phase shift mask blank of the present invention to a phase shift mask (chromeless type and Levenson type exist)
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing the in order of steps.
【図１２】本発明の位相シフトマスク用ブランクから位
相シフトマスク（クロムレス型及びレベンソン型存在）
を製造する方法を工程順に示す断面図である。FIG. 12: Phase shift mask blank of the present invention to a phase shift mask (chromeless type and Levenson type exist)
FIG. 6 is a cross-sectional view showing a method of manufacturing the in order of steps.
【図１３】(a) 〜(d) は従来の製造方法を工程順に示す
断面図である。13A to 13D are cross-sectional views showing a conventional manufacturing method in the order of steps.
１ 透明支持基板 ２ エッチングストッパ層 ３ シフタ層 ４ 導電層 ５ パターン形成用レジスト層 ６ 電子線照射 ７ 遮光層 ８ 遮光層パターニング用レジスト ９ レベンソン型位相シフトマスク部分 １０ クロムレス型位相シフトマスク部分 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent supporting substrate 2 Etching stopper layer 3 Shifter layer 4 Conductive layer 5 Pattern forming resist layer 6 Electron beam irradiation 7 Light shielding layer 8 Light shielding layer patterning resist 9 Levenson type phase shift mask portion 10 Chromeless type phase shift mask portion
Claims (6)
シフタ層、導電層を順次設けたことを特徴とする位相シ
フトマスク用ブランク。1. An etching stopper layer on a transparent supporting substrate,
A phase shift mask blank comprising a shifter layer and a conductive layer sequentially provided.
スト層を設けたことを特徴とする請求項１記載の位相シ
フトマスク用ブランク。2. The blank for a phase shift mask according to claim 1, further comprising a resist layer for pattern formation provided on the conductive layer.
用ブランクをパターニングすることにより、透明支持基
板上にエッチングストッパ層、シフタ層パターンを順次
形成した部分を有することを特徴とする位相シフトマス
ク。3. A phase shift having a portion in which an etching stopper layer and a shifter layer pattern are sequentially formed on a transparent support substrate by patterning the phase shift mask blank according to claim 1. mask.
用ブランクを用いて、シフタ層パターンを形成し、更に
遮光層パターンを順次形成した部分を有することを特徴
とする位相シフトマスク。4. A phase shift mask comprising the blank for a phase shift mask according to claim 1 and 2, further comprising a portion where a shifter layer pattern is formed and a light shielding layer pattern is sequentially formed.
用ブランクをパターニングすることにより、一枚の透明
支持基板上にエッチングストッパ層、シフタ層パター
ン、遮光層パターンを順次形成した部分と、エッチング
ストッパ層、シフタ層パターンを順次形成した部分とが
存在することを特徴とする位相シフトマスク。5. A portion in which an etching stopper layer, a shifter layer pattern, and a light shielding layer pattern are sequentially formed on one transparent supporting substrate by patterning the phase shift mask blank according to claim 1 or 2, A phase shift mask having an etching stopper layer and a portion where a shifter layer pattern is sequentially formed.
シフタ層、導電層、パターン形成用レジスト層を設けた
位相シフトマスク用ブランクをパターニングすることに
より、透明支持基板上にエッチングストッパ層、シフタ
層パターンを形成し、続いて遮光層を設けて、遮光層パ
ターンを形成することを特徴とする位相シフトマスクの
製造方法。6. An etching stopper layer on a transparent supporting substrate,
By patterning the phase shift mask blank provided with the shifter layer, the conductive layer, and the pattern forming resist layer, an etching stopper layer and a shifter layer pattern are formed on the transparent supporting substrate, and then a light shielding layer is provided to shield light. A method for manufacturing a phase shift mask, which comprises forming a layer pattern.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21107891A JPH0553290A (en) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | Blank for phase shift mask and phase shift mask as well as production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21107891A JPH0553290A (en) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | Blank for phase shift mask and phase shift mask as well as production thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0553290A true JPH0553290A (en) | 1993-03-05 |
Family
ID=16600047
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21107891A Pending JPH0553290A (en) | 1991-08-22 | 1991-08-22 | Blank for phase shift mask and phase shift mask as well as production thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0553290A (en) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1991
- 1991-08-22 JP JP21107891A patent/JPH0553290A/en active Pending
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