JPH0651489A - Production of halftone phase shift photomask - Google Patents

Production of halftone phase shift photomask

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JPH0651489A
JPH0651489A JP6454992A JP6454992A JPH0651489A JP H0651489 A JPH0651489 A JP H0651489A JP 6454992 A JP6454992 A JP 6454992A JP 6454992 A JP6454992 A JP 6454992A JP H0651489 A JPH0651489 A JP H0651489A
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JP
Japan
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light
halftone
shielding film
layer
phase shift
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Application number
JP6454992A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Sukeyoshi Arai
荒井祐美
Sachiko Ishikita
石北幸子
Hiroyuki Miyashita
宮下裕之
Yoichi Takahashi
高橋洋一
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
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Publication date
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Publication of JPH0651489A publication Critical patent/JPH0651489A/en
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Abstract

PURPOSE:To produce the halftone phase shift photomask having high accuracy by forming phase shifters so as to have perpendicular edge shapes in the formation thereof. CONSTITUTION:After a halftone light shielding film layer 14 is etched, the resist used for the etching is removed and thereafter, a photoresist layer 20 having etching resistance is formed on the halftone light shielding film 14. The photoresist layer 20 is then back exposed by irradiating the layer with light 21 via the patterned halftone light shielding film 14 from the transparent substrate 11 surface side. The photoresist layer 20 after the exposing is developed and another resist patterns are formed. A phase shifter layer 13 exposed with the another resist patterns and the halftone light shielding film as a mask is etched, by which the halftone phase shift photomask is produced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、LSI、超LSI等の
高密度集積回路の製造に用いられるフォトマスクの製造
方法に係わり、特に、微細なパターンを高精度に形成す
る際に用いられるハーフトーン位相シフトフォトマスク
の製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a photomask used for manufacturing high density integrated circuits such as LSI and VLSI, and more particularly to a half mask used for forming a fine pattern with high accuracy. The present invention relates to a method for manufacturing a tone phase shift photomask.

【0002】[0002]

【従来の技術】IC、LSI、超LSI等の半導体集積
回路は、シリコンウェーハ等の被加工基板上にレジスト
を塗布し、ステッパー等により所望のパターンを露光し
た後、現像、エッチング、ドーピング、CVD等を行
う、いわゆるリソグラフィー工程を繰り返すことによっ
て製造されている。
2. Description of the Related Art In semiconductor integrated circuits such as IC, LSI, and VLSI, a resist is applied on a substrate to be processed such as a silicon wafer, a desired pattern is exposed by a stepper, and then development, etching, doping, CVD are performed. It is manufactured by repeating the so-called lithographic process of performing the above.

【0003】このようなリソグラフィー工程に使用され
るレチクルと呼ばれるフォトマスクは、半導体集積回路
の高性能化、高集積化に伴ってますます高精度なものが
要求される傾向にあり、例えば、代表的なLSIである
DRAMを例にとると、1MビットDRAM用の5倍レ
チクル、すなわち、露光するパターンの5倍のサイズを
有するレチクルにおける寸法のずれは、平均値±3σ
(σは標準偏差)をとった場合においても、0.15μ
mの精度が要求され、同様に、4MビットDRAM用の
5倍レチクルは0.1〜0.15μmの寸法精度が、1
6MビットDRAM用5倍レチクルは0.05〜0.1
μmの寸法精度が、64MビットDRAM用5倍レチク
ルは0.03〜0.07μmの寸法精度が要求されてい
る。
Photomasks called reticles used in such lithography processes tend to be required to have higher and higher precision as semiconductor integrated circuits have higher performance and higher integration. Taking a DRAM which is a conventional LSI as an example, the dimensional deviation of a reticle for a 1M bit DRAM, that is, a reticle having a size five times as large as an exposure pattern is an average value ± 3σ.
0.15μ even when (σ is the standard deviation)
An accuracy of 0.1 m is required, and similarly, a quintuple reticle for 4 Mbit DRAM has a dimensional accuracy of 0.1 to 0.15 μm.
5x reticle for 6Mbit DRAM is 0.05-0.1
The dimensional accuracy of μm is required to be 0.03 to 0.07 μm for the 5 × reticle for 64 Mbit DRAM.

【0004】さらに、これらのレチクルを使用して形成
されるデバイスパターンの線幅は、1MビットDRAM
で1.2μm、4MビットDRAMでは0.8μm、1
6MビットDRAMでは0.6μm、64MビットDR
AMでは0.35μmと、ますます微細化が要求されて
おり、このような要求に応えるために、様々な露光方法
が研究されている。
Further, the line width of the device pattern formed using these reticles is 1 Mbit DRAM.
1.2 μm, 0.8 μm for 4M bit DRAM, 1
0.6 μm for 6 Mbit DRAM, 64 Mbit DR
In AM, further miniaturization of 0.35 μm is required, and various exposure methods are being researched in order to meet such requirements.

【0005】ところが、例えば64MビットDRAMク
ラスの次々世代のデバイスパターンになると、これまで
のレチクルを用いたステッパー露光方式では、レジスト
パターンの解像限界となり、この限界を乗り越えるもの
として、例えば、特開昭58−173744号公報、特
公昭62−59296号公報等に示されているように、
位相シフトレチクルという新しい考え方のレチクルが提
案されてきている。位相シフトレチクルを用いる位相シ
フトリソグラフィーは、レチクルを透過する光の位相を
操作することによって、投影像の分解能及びコントラス
トを向上させる技術である。
However, when a device pattern of the next generation of the 64 Mbit DRAM class, for example, becomes a resolution limit of the resist pattern in the stepper exposure method using the reticle that has been used up to now, and this limit is overcome. As shown in JP-A-58-173744 and JP-B-62-59296,
A reticle of a new concept called a phase shift reticle has been proposed. Phase shift lithography using a phase shift reticle is a technique for improving the resolution and contrast of a projected image by manipulating the phase of light passing through the reticle.

【0006】位相シフトリソグラフィーを図面に従って
簡単に説明する。図2は位相シフト法の原理を示す図、
図3は従来法を示す図であり、図2(a)及び図3
(a)はレチクルの断面図、図2(b)及び図3(b)
はレチクル上の光の振幅、図2(c)及び図3(c)は
ウェーハ上の光の振幅、図2(d)及び図3(d)はウ
ェーハ上の光強度をそれぞれ示し、1は基板、2は遮光
膜、3は位相シフター、4は入射光を示す。
Phase shift lithography will be briefly described with reference to the drawings. 2 is a diagram showing the principle of the phase shift method,
FIG. 3 is a diagram showing a conventional method, and is shown in FIGS.
(A) is a cross-sectional view of the reticle, FIG. 2 (b) and FIG. 3 (b).
Is the amplitude of light on the reticle, FIGS. 2 (c) and 3 (c) are the amplitudes of light on the wafer, and FIGS. 2 (d) and 3 (d) are the light intensities on the wafer, respectively. Substrate 2, light-shielding film, 3 phase shifter, and 4 incident light.

【0007】従来法においては、図3(a)に示すよう
に、ガラス等からなる基板1にクロム等からなる遮光膜
2が形成されて、所定のパターンの光透過部が形成され
ているだけであるが、位相シフトリソグラフィーでは、
図2(a)に示すように、レチクル上の隣接する光透過
部の一方に位相を反転(位相差180°)させるための
透過膜からなる位相シフター3が設けられている。した
がって、従来法においては、レチクル上の光の振幅は図
3(b)に示すように同相となり、ウェーハ上の光の振
幅も図3(c)に示すように同相となるので、その結
果、図3(d)のようにウェーハ上のパターンを分離す
ることができないのに対して、位相シフトリソグラフィ
ーにおいては、位相シフターを透過した光は、図2
(b)に示すように、隣接パターンの間で互いに逆位相
になされるため、パターンの境界部で光強度が零にな
り、図2(d)に示すように隣接するパターンを明瞭に
分離することができる。このように、位相シフトリソグ
ラフィーにおいては、従来は分離できなかったパターン
も分離可能となり、解像度を向上させることができるも
のである。
In the conventional method, as shown in FIG. 3 (a), a light-shielding film 2 made of chrome or the like is formed on a substrate 1 made of glass or the like to form a light transmitting portion having a predetermined pattern. However, in phase shift lithography,
As shown in FIG. 2A, a phase shifter 3 made of a transmissive film for inverting the phase (a phase difference of 180 °) is provided on one of the adjacent light transmissive portions on the reticle. Therefore, in the conventional method, the amplitude of light on the reticle becomes in-phase as shown in FIG. 3B, and the amplitude of light on the wafer also becomes in-phase as shown in FIG. 3C. As a result, As shown in FIG. 3D, the pattern on the wafer cannot be separated, whereas in the phase shift lithography, the light transmitted through the phase shifter is
As shown in (b), since the adjacent patterns are in opposite phases to each other, the light intensity becomes zero at the boundary portion of the patterns, and the adjacent patterns are clearly separated as shown in FIG. 2 (d). be able to. As described above, in the phase shift lithography, it is possible to separate a pattern that could not be separated in the past, and the resolution can be improved.

【0008】次に、上記のような位相シフトレチクルの
従来の製造方法の1例を図面を参照して説明する。図4
は位相シフトレチクルの製造工程を示す断面図であり、
図中、31は基板、32はクロム等の遮光膜パターン、
33はアライメントマーク、34は位相シフター層、3
5はレジスト層、36はエッチングストッパー層、37
はレーザー光又は電子線等の電離放射線、38は露光部
分、39はエッチングガスプラズマ、40は酸素プラズ
マを示す。
Next, an example of a conventional method of manufacturing the above-mentioned phase shift reticle will be described with reference to the drawings. Figure 4
FIG. 4A is a cross-sectional view showing the manufacturing process of the phase shift reticle,
In the figure, 31 is a substrate, 32 is a light-shielding film pattern such as chromium,
33 is an alignment mark, 34 is a phase shifter layer, 3
5 is a resist layer, 36 is an etching stopper layer, 37
Is ionizing radiation such as laser light or electron beam, 38 is an exposed portion, 39 is etching gas plasma, and 40 is oxygen plasma.

【0009】まず、遮光膜パターン32を形成したレチ
クル上に、スピンオングラス(SOG)あるいはスパッ
タ法、CVD法等により、SiO2 膜を位相シフター層
34として形成する(同図(a))。続いて、この位相
シフター層34の上にレジストをスピンコーティング等
の常法により均一に塗布し、加熱乾燥処理を施し、厚さ
0.1〜2.0μm程度のレジスト層35を形成する
(同図(b))。加熱乾燥処理は、使用するレジストの
種類にもよるが、通常80〜200℃で5〜60分間程
度行う。次に、同図(c)に示すように、レジスト層3
5に常法に従って電子線描画装置等の露光装置を用いて
アライメントを行い所望のパターンを描画して、露光部
分38を形成する。続いて、所定の現像液で現像し、所
定のリンス液でリンスして、同図(d)に示すようなレ
ジストパターン38を形成する。
First, a SiO 2 film is formed as a phase shifter layer 34 on the reticle on which the light-shielding film pattern 32 is formed by spin-on-glass (SOG), a sputtering method, a CVD method, or the like (FIG. 3A). Subsequently, a resist is uniformly applied on the phase shifter layer 34 by a conventional method such as spin coating, and a heat drying treatment is performed to form a resist layer 35 having a thickness of about 0.1 to 2.0 μm (same as above). Figure (b)). The heating and drying treatment is usually performed at 80 to 200 ° C. for about 5 to 60 minutes, though it depends on the type of resist used. Next, as shown in FIG.
5 is aligned by using an exposure apparatus such as an electron beam drawing apparatus according to a conventional method to draw a desired pattern to form an exposed portion 38. Then, it is developed with a predetermined developing solution and rinsed with a predetermined rinsing solution to form a resist pattern 38 as shown in FIG.

【0010】次に、必要に応じて加熱乾燥処理及びデス
カム処理を行った後、同図(d)に示すように、レジス
トパターン38の開口部から露出する透明膜34部分を
エッチングガスプラズマ39によりドライエッチング
し、位相シフターパターン34を形成する(同図
(e))。なお、この位相シフターパターン34の形成
は、エッチングガスプラズマ39によるドライエッチン
グに代えてウェットエッチングにより行ってもよいこと
は当業者に明らかである。
Next, after heat-drying treatment and descum treatment, if necessary, as shown in FIG. 3D, the transparent film 34 portion exposed from the opening of the resist pattern 38 is etched by the etching gas plasma 39. Dry etching is performed to form the phase shifter pattern 34 ((e) in the figure). It is obvious to those skilled in the art that the phase shifter pattern 34 may be formed by wet etching instead of dry etching using the etching gas plasma 39.

【0011】次に、残存したレジスト38を、同図
(f)に示すように、酸素プラズマ40により灰化除去
する。
Next, the remaining resist 38 is ashed and removed by oxygen plasma 40 as shown in FIG.

【0012】以上の工程により、同図(g)に示すよう
な位相シフター34を有する位相シフトレチクルが完成
する。このような位相シフトレチクルは最も一般的なも
のであり、空間周波数変調型と呼ばれている。
Through the above steps, the phase shift reticle having the phase shifter 34 as shown in FIG. Such a phase shift reticle is the most general type and is called a spatial frequency modulation type.

【0013】ところが、上記のような位相シフトマスク
は、位相シフト効果は絶大なものの、その製造方法が複
雑で実用化が困難なため、最近、ハーフトーン型という
位相シフトマスクが開発され、注目を浴びている。
However, although the phase shift mask as described above has a great phase shift effect, it is difficult to put it into practical use because of its complicated manufacturing method. Taking a bath.

【0014】このハーフトーン型位相シフトマスクを図
面に従って簡単に説明する。図5は従来法との対比でハ
ーフトーン型位相シフト法の原理を示す図であり、図5
(a)はレチクルの断面図、図5(b)はレチクルを透
過した光の振幅、図5(c)はウェーハ上の光強度をそ
れぞれ示し、51は基板、52は遮光膜、53はハーフ
トーン遮光膜、54は位相シフター、55は入射光を示
す。
This halftone type phase shift mask will be briefly described with reference to the drawings. FIG. 5 is a diagram showing the principle of the halftone type phase shift method in comparison with the conventional method.
5A is a cross-sectional view of the reticle, FIG. 5B is the amplitude of light transmitted through the reticle, and FIG. 5C is the light intensity on the wafer. Reference numeral 51 is a substrate, 52 is a light-shielding film, and 53 is a half. A tone light shielding film, 54 is a phase shifter, and 55 is incident light.

【0015】同図(a)に示すように、従来法において
は、基板51に100%遮光膜52が形成されて、所定
のパターンの光透過部が形成されているだけであるが、
ハーフトーン位相シフトマスクでは、遮光膜を数パーセ
ントの透過率を有するハーフトーン遮光膜53で形成
し、ハーフトーン遮光膜53の上又は下に位相を反転
(位相差180°)させるための透過膜からなる位相シ
フト層54が設けられている。したがって、レチクル上
の光の振幅は、従来法においては、同図(b)に示すよ
うに同相となり、マスクの開口部から外側へ裾広がりに
分布するので、その結果、同図(c)のようにウェーハ
上の光強度分布はマスクパターンに対応した形状にはな
らないで、マスク開口部から外側へ裾広がりの分布にな
る。これに対して、ハーフトーン位相シフトマスクにお
いては、ハーフトーン遮光膜53から漏れた光に位相シ
フト層54で位相差を与え、同図(b)に示すように、
開口部を透過した光と逆位相にするので、パターンの境
界部で光強度が零になり、同図(c)に示すように、光
強度分布の裾広がりを抑えることができる。このよう
に、ハーフトーン位相シフトリソグラフィーにおいて
は、従来は分解できなかったパターンも分解可能とな
り、解像度を向上させることができるものである。
As shown in FIG. 1A, in the conventional method, a 100% light-shielding film 52 is formed on a substrate 51 and a light transmitting portion having a predetermined pattern is formed.
In the halftone phase shift mask, the light-shielding film is formed of the halftone light-shielding film 53 having a transmittance of several percent, and the light-transmitting film for inverting the phase above or below the halftone light-shielding film 53 (phase difference 180 °). A phase shift layer 54 made of is provided. Therefore, in the conventional method, the amplitude of the light on the reticle becomes in-phase as shown in FIG. 7B, and is distributed outward from the opening of the mask in a skirt spread. As a result, in FIG. As described above, the light intensity distribution on the wafer does not have a shape corresponding to the mask pattern, but has a distribution that spreads outward from the mask opening. On the other hand, in the halftone phase shift mask, the phase shift layer 54 gives a phase difference to the light leaked from the halftone light shielding film 53, and as shown in FIG.
Since the light has a phase opposite to that of the light transmitted through the opening, the light intensity becomes zero at the boundary of the pattern, and as shown in FIG. 7C, the bottom spread of the light intensity distribution can be suppressed. As described above, in the halftone phase shift lithography, it becomes possible to decompose a pattern that could not be conventionally decomposed, and the resolution can be improved.

【0016】[0016]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記し
たハーフトーン型位相シフトレチクルの製造方法におい
ては、遮光膜パターンを形成した後、遮光パターンを形
成したレジストをそのままマスクとしてエッチングによ
り位相シフターパターンを形成しようとすると、レジス
トの断面がテーパー状になっているため、エッチング面
が垂直な高精度の位相シフター加工ができないという問
題がある。特に、ハーフトン型位相シフトレチクルの製
造では、通常の位相シフトマスクに比較して、位相シフ
ターエッジの形状の影響が顕著に発現するという問題が
あり、これを解決することが研究者に課せられた使命で
あった。
However, in the above-mentioned method of manufacturing the halftone type phase shift reticle, after forming the light shielding film pattern, the phase shifter pattern is formed by etching using the resist having the light shielding pattern as it is as a mask. If this is attempted, there is a problem in that the resist has a tapered cross-section, so that it is not possible to perform high-precision phase shifter processing in which the etching surface is vertical. In particular, in the production of halfton type phase shift reticles, there is a problem that the influence of the shape of the phase shifter edge is more pronounced than in the case of using ordinary phase shift masks, and researchers have been tasked with solving this problem. It was a mission.

【0017】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
ものであり、その目的は、ハーフトーン位相シフトフォ
トマスクの位相シフター形成において、そのエッジ形状
を垂直にして高精度のハーフトーン位相シフトフォトマ
スクを製造することができる、より実用的な製造方法を
提供することにある。
The present invention has been made in view of such a situation, and an object thereof is to form a phase shifter of a halftone phase shift photomask with a highly accurate halftone phase shift photo by making its edge shape vertical. It is to provide a more practical manufacturing method capable of manufacturing a mask.

【0018】[0018]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題に
鑑み、従来のレチクルの製造プロセスを大幅に変更する
ことなく、高精度のハーフトーン位相シフトフォトマス
クを安定して製造する実用的な方法を開発すべく研究の
結果、位相シフターパターンを形成するために用いるレ
ジストを遮光パターン形成用のものと別にすることによ
り、位相シフターのエッジ形状が垂直になり高精度の位
相シフターパターンが形成できることを見出し、かかる
知見に基づいて本発明を完成したものである。
In view of the above problems, the present invention is a practical method for stably manufacturing a high-precision halftone phase shift photomask without significantly changing the conventional reticle manufacturing process. As a result of research to develop a new method, by separating the resist used for forming the phase shifter pattern from that for forming the light shielding pattern, the edge shape of the phase shifter becomes vertical and a highly accurate phase shifter pattern is formed. The inventors have found out what is possible and completed the present invention based on such findings.

【0019】以下、本発明のハーフトーン位相シフトフ
ォトマスクの製造方法を図面を参照にして説明する。図
1は、本発明の製造工程の断面図であり、図中、11は
基板、12はエッチングストッパー層、13は位相シフ
ター層、14はハーフトーン遮光膜層、15は遮光パタ
ーン形成用レジスト層、16はレーザー光又は電子線等
の電離放射線、17は露光部分、18はエッチングガス
プラズマ、19は酸素プラズマ、20は位相シフターパ
ターン形成用フォトレジスト層、21は露光光、22は
露光部分、23はエッチングガスプラズマ、24は酸素
プラズマを示す。
A method of manufacturing the halftone phase shift photomask of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a cross-sectional view of the manufacturing process of the present invention, in which 11 is a substrate, 12 is an etching stopper layer, 13 is a phase shifter layer, 14 is a halftone light shielding film layer, and 15 is a light shielding pattern forming resist layer. , 16 is ionizing radiation such as a laser beam or an electron beam, 17 is an exposed portion, 18 is an etching gas plasma, 19 is oxygen plasma, 20 is a photoresist layer for forming a phase shifter pattern, 21 is exposure light, 22 is an exposed portion, 23 is an etching gas plasma and 24 is an oxygen plasma.

【0020】まず、図1(a)に示すように、光学研磨
されたフォトマスク用のガラス基板11上に、エッチン
グストッパー層12、位相シフター層13、水銀灯のg
線、i線及びエキシマレーザー光の透過率が8〜30%
の遮光膜層14をこの順で形成し、続いて、同図(b)
に示すように、遮光膜層14上に遮光パターン形成用レ
ジスト薄膜15を形成し、同図(c)に示すように、こ
のレジスト薄膜15に電子線描画装置等の露光装置を用
いてレーザー光又は電子線等の電離放射線16により所
望のパターンを描画し、パターン描画後のレジスト薄膜
を現像してレジストパターン15を形成し、このレジス
トパターン15をマスクとして、同図(d)に示すよう
に、露出した遮光膜層14をエッチングガスプラズマ1
8等によりエッチングする。以上の工程は従来の方法と
同様である。
First, as shown in FIG. 1A, an etching stopper layer 12, a phase shifter layer 13 and a mercury lamp g are formed on a photomask glass substrate 11 for a photomask.
Line, i-line and excimer laser light transmittance is 8-30%
The light-shielding film layer 14 is formed in this order, and then, in FIG.
As shown in FIG. 3, a light-shielding pattern forming resist thin film 15 is formed on the light-shielding film layer 14, and a laser beam is applied to the resist thin film 15 by using an exposure device such as an electron beam drawing device as shown in FIG. Alternatively, a desired pattern is drawn by ionizing radiation 16 such as an electron beam, the resist thin film after pattern drawing is developed to form a resist pattern 15, and the resist pattern 15 is used as a mask as shown in FIG. , The exposed light-shielding film layer 14 with the etching gas plasma 1
Etching with 8 or the like. The above steps are the same as in the conventional method.

【0021】本発明においては、次に、図1(e)に示
すように、残存したレジスト15を酸素プラズマ18に
より灰化除去して、同図(f)に示すようなハーフトー
ン遮光膜パターン14を得る。遮光膜パターン14を検
査、修正した後、同図(g)に示すように、遮光膜パタ
ーン14上に均一にドライエッチング耐性を有する位相
シフターパターン形成用フォトレジスト層20を形成
し、次いで、同図(h)に示すように、基板11側から
平行な露光光21を均一に当て、遮光膜パターン14の
開口部を透してフォトレジスト層20をバック露光す
る。露光後のフォトレジスト層を現像して遮光膜14の
上に遮光膜パターンと同一のパターンでかつ断面が垂直
なレジストパターン20を形成し、次いで、このレジス
トパターン20と遮光膜パターン14をマスクとして、
同図(i)に示すように、露出した位相シフター層13
をエッチングガスプラズマ23等によりエッチングし、
その後、同図(j)に示すように、残存したレジスト2
0を酸素プラズマ24により灰化除去し、同図(k)に
示すようなハーフトーン位相シフトレチクルを完成させ
る。
In the present invention, next, as shown in FIG. 1E, the remaining resist 15 is ashed and removed by oxygen plasma 18, and a halftone light-shielding film pattern as shown in FIG. You get 14. After the light-shielding film pattern 14 is inspected and modified, as shown in FIG. 6G, a phase shifter pattern forming photoresist layer 20 having a dry etching resistance is uniformly formed on the light-shielding film pattern 14, and then the same. As shown in FIG. 6H, parallel exposure light 21 is uniformly applied from the substrate 11 side, and the photoresist layer 20 is back-exposed through the opening of the light shielding film pattern 14. The exposed photoresist layer is developed to form a resist pattern 20 having the same pattern as the light-shielding film pattern and a vertical cross section on the light-shielding film 14, and then using the resist pattern 20 and the light-shielding film pattern 14 as a mask. ,
As shown in FIG. 7I, the exposed phase shifter layer 13 is exposed.
Is etched with etching gas plasma 23 or the like,
After that, as shown in FIG.
0 is ashed and removed by the oxygen plasma 24 to complete the halftone phase shift reticle as shown in FIG.

【0022】上記の本発明の製造方法によれば、位相シ
フター層をドライエッチング加工する際、バック露光技
術にて得られた垂直なレジストパターンを用いるため、
高精度で断面形状の垂直な位相シフター加工が可能にな
る。
According to the above-described manufacturing method of the present invention, when the phase shifter layer is dry-etched, the vertical resist pattern obtained by the back exposure technique is used.
It enables high-precision vertical phase shifter processing of cross-sectional shape.

【0023】また、本発明の方法によれば、透過率が8
〜30%の遮光膜パターンを形成した後、遮光膜パター
ンの検査及び修正を行うことができる利点があり、工程
途中にて欠陥を低減できるので、欠陥修正が困難なため
に実用化が遅れている位相シフトフォトマスクの実用化
を促進するものとなる。上記遮光膜パターンの修正に
は、現用のYAGレーザー及び集束イオンビームを用い
た修正技術が適用可能である。
According to the method of the present invention, the transmittance is 8
After forming 30% to 30% of the light-shielding film pattern, there is an advantage that the light-shielding film pattern can be inspected and repaired, and defects can be reduced during the process. This will promote the practical application of the existing phase shift photomask. For the correction of the light-shielding film pattern, a correction technique using a current YAG laser and a focused ion beam can be applied.

【0024】なお、以上の方法においては、位相シフタ
ー層をガラス基板の上に設けてこれをエッチング加工し
て位相シフターパターンを形成していたが、位相シフタ
ー層を設けないで、基板11そのものの表面から所定深
さをエッチング加工してその凸部を位相シフターパター
ンとして用いるようにしてもよい。その場合は、図1の
エッチングストッパー層12は省かれ、ガラス基板11
と位相シフター層13が一体になる。
In the above method, the phase shifter layer was provided on the glass substrate and etched to form the phase shifter pattern. However, the phase shifter layer is not provided and the substrate 11 itself is not provided. You may make it etch a predetermined depth from the surface and use the convex part as a phase shifter pattern. In that case, the etching stopper layer 12 of FIG.
And the phase shifter layer 13 are integrated.

【0025】すなわち、本発明のハーフトーン位相シフ
トフォトマスクの製造方法は、透明基板上に位相シフタ
ー層とハーフトーン遮光膜層を形成し、遮光膜層上にレ
ジストパターンを形成し、このレジストパターンをマス
クとして露出したハーフトーン遮光膜層をエッチング
し、続いて、位相シフター層をエッチングするハーフト
ーン位相シフトフォトマスクの製造方法において、ハー
フトーン遮光膜層をエッチングした後、マスクとして用
いたレジストを除去し、その後、エッチング耐性を有す
るフォトレジスト層をハーフトーン遮光膜上に形成し、
次いで、透明基板面側からパターンニングされたハーフ
トーン遮光膜を介して光を照射してフォトレジスト層を
バック露光し、露光後のフォトレジスト層を現像して別
のレジストパターンを形成し、別のレジストパターンと
ハーフトーン遮光膜をマスクとして露出した位相シフタ
ー層をエッチングすることを特徴とする方法である。
That is, in the method of manufacturing a halftone phase shift photomask of the present invention, a phase shifter layer and a halftone light shielding film layer are formed on a transparent substrate, a resist pattern is formed on the light shielding film layer, and this resist pattern is formed. In the method of manufacturing a halftone phase shift photomask in which the exposed halftone light-shielding film layer is etched using as a mask, and then the phase shifter layer is etched, after etching the halftone light-shielding film layer, the resist used as the mask is removed. After that, a photoresist layer having etching resistance is formed on the halftone light shielding film,
Then, the photoresist layer is back-exposed by irradiating light through the patterned halftone light-shielding film from the transparent substrate surface side, and the exposed photoresist layer is developed to form another resist pattern, The method is characterized in that the exposed phase shifter layer is etched using the resist pattern and the halftone light shielding film as a mask.

【0026】この場合、ハーフトーン遮光膜のg線の
光、i線の光及びエキシマレーザー光に対する透過率が
8〜30%であることが望ましい。
In this case, it is desirable that the halftone light-shielding film has a transmittance of 8 to 30% for g-line light, i-line light and excimer laser light.

【0027】なお、透明基板表面部分が位相シフター層
を構成するようにすることもできる。
The surface portion of the transparent substrate may form a phase shifter layer.

【0028】[0028]

【作用】本発明においては、ハーフトーン遮光膜層をエ
ッチングした後、マスクとして用いたレジストを除去
し、その後、エッチング耐性を有するフォトレジスト層
をハーフトーン遮光膜上に形成し、次いで、透明基板面
側からパターンニングされたハーフトーン遮光膜を介し
て光を照射してフォトレジスト層をバック露光し、露光
後のフォトレジスト層を現像して別のレジストパターン
を形成し、別のレジストパターンとハーフトーン遮光膜
をマスクとして露出した位相シフター層をエッチングす
るようにしたので、高精度で断面形状の垂直な位相シフ
ター加工が可能になり、高精度のハーフトーン位相シフ
トフォトマスクの製造が可能になる。また、ハーフトー
ン遮光膜パターンを形成した後の製造工程途中で、その
検査及び修正を行うことができ、欠陥率を低減すること
ができる。
In the present invention, after etching the halftone light-shielding film layer, the resist used as the mask is removed, and then a photoresist layer having etching resistance is formed on the halftone light-shielding film, and then the transparent substrate is formed. The photoresist layer is back-exposed by irradiating light through the patterned halftone light-shielding film from the surface side, and the exposed photoresist layer is developed to form another resist pattern. Since the exposed phase shifter layer is etched using the halftone light-shielding film as a mask, it is possible to perform vertical phase shifter processing with high precision and cross-sectional shape, and it is possible to manufacture high precision halftone phase shift photomasks. Become. In addition, the inspection and correction can be performed during the manufacturing process after forming the halftone light shielding film pattern, and the defect rate can be reduced.

【0029】[0029]

【実施例】以下、本発明のハーフトーン位相シフトフォ
トマスクの製造方法の実施例と比較例を説明する。
EXAMPLES Examples and comparative examples of the method for manufacturing a halftone phase shift photomask of the present invention will be described below.

【0030】実施例1 光学研磨された5インチ角の超高純度合成石英ガラス基
板上に、約30nm厚の酸化スズ薄膜からなるエッチン
グストッパー層と、約380nm厚のSiO2薄膜と、
透過率約15%の低反射クロム薄膜との3層構造を形成
したマスク基板上に、ポジ型電子線レジスト(東レ
(株)社製 EBR−9)をスピンコーティング法によ
り塗布し、190℃で30分加熱処理して、厚さ0.6
μmの均一なレジスト薄膜を得た。
EXAMPLE 1 An etching stopper layer made of a tin oxide thin film having a thickness of about 30 nm and a SiO 2 thin film having a thickness of about 380 nm were formed on an optically polished 5 inch square ultra-high purity synthetic quartz glass substrate.
A positive type electron beam resist (EBR-9 manufactured by Toray Industries, Inc.) was applied by a spin coating method on a mask substrate having a three-layer structure formed with a low reflection chromium thin film having a transmittance of about 15%, and the temperature was set to 190 ° C. Heat treatment for 30 minutes, thickness 0.6
A uniform resist thin film of μm was obtained.

【0031】次に、この基板に、常法に従って電子線露
光装置によりパターン描画を行った。この際の加速電圧
は20kVで、露光量は10μC/cm2 で露光した。
Next, a pattern was drawn on this substrate by an electron beam exposure apparatus according to a conventional method. At this time, the accelerating voltage was 20 kV and the exposure amount was 10 μC / cm 2 .

【0032】続いて、120℃にて30分間ポストベー
クを行った後、メチルイソブチルケトンを主成分とする
有機溶剤で現像し、イソプロピルアルコールにてリンス
してレジストパターンを形成した。
Then, after post-baking at 120 ° C. for 30 minutes, the resist pattern was formed by developing with an organic solvent containing methyl isobutyl ketone as a main component and rinsing with isopropyl alcohol.

【0033】続いて、必要により短時間の酸素プラズマ
処理(デスカム処理)を行った後、レジストパターンの
開口部より露出した低反射クロム薄膜を硝酸第二セリウ
ムアンモニウム水溶液を主成分とするエッチング液にて
20秒間エッチングし、残存するレジストを酸素プラズ
マにより灰化除去し、ハーフトーン遮光膜からなるレチ
クルを完成させた。
Subsequently, if necessary, an oxygen plasma treatment (descum treatment) is performed for a short time, and then the low reflection chromium thin film exposed from the opening of the resist pattern is changed to an etching solution containing a diammonium cerium ammonium nitrate solution as a main component. For 20 seconds, and the remaining resist is ashed and removed by oxygen plasma to complete a reticle composed of a halftone light-shielding film.

【0034】続いて、このフォトマスクを検査し、必要
によってはパターン修正を加え、洗浄した後、遮光膜パ
ターン上にフォトレジスト(東京応化(株)社製 OF
PR−800)をスピンコーティングにより塗布し、加
熱乾燥処理を施し、厚さ0.7μmのフォトレジスト層
を形成した。
Subsequently, this photomask is inspected, and if necessary, pattern correction is performed, and after cleaning, a photoresist (OF of Tokyo Ohka Co., Ltd.) is formed on the light-shielding film pattern.
PR-800) was applied by spin coating and heat-dried to form a photoresist layer having a thickness of 0.7 μm.

【0035】続いて、この基板に石英基板側から水銀灯
のg線の平行光にて全面にバック露光し、テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイドを主成分とするアルカ
リ水溶液にて現像し、純水にてリンスして、断面が垂直
なレジストパターンを形成した。
Subsequently, the entire surface of this substrate was back-exposed from the side of the quartz substrate by parallel rays of the g-line of a mercury lamp, developed with an alkaline aqueous solution containing tetramethylammonium hydroxide as a main component, and rinsed with pure water. Then, a resist pattern having a vertical cross section was formed.

【0036】続いて、このレジストパターンの開口部よ
り露出した位相シフター層をフッ素系のガスを主成分と
するエッチングガスにて20分間ドライエッチングし、
残存するレジストを酸素プラズマにより灰化除去し、ハ
ーフトーン位相シフトレチクルを完成させた。
Subsequently, the phase shifter layer exposed from the opening of the resist pattern is dry-etched for 20 minutes with an etching gas containing a fluorine-based gas as a main component,
The remaining resist was removed by ashing with oxygen plasma to complete a halftone phase shift reticle.

【0037】こうして完成したハーフトーン位相シフト
レチクルは、位相シフターエッジが垂直であり、かつ、
位相シフターの寸法精度が最大0.05μmという高精
度なものであった。
In the halftone phase shift reticle thus completed, the phase shifter edge is vertical, and
The dimensional accuracy of the phase shifter was as high as 0.05 μm at maximum.

【0038】実施例2 光学研磨された5インチ角の超高純度合成石英ガラス基
板上に、約100nm厚のアルミナ薄膜からなるエッチ
ングストッパー層を形成し、続いて、この上にSOG
(スピンオングラス)をスピンコーティングし、300
℃にて焼成して、厚さ約400nmのSOG薄膜を形成
し、この上に透過率約15%のクロム薄膜を形成した。
このマスク基板上に、ネガ型化学増幅型電子線レジスト
(シプレイ社製 SAL−601)をスピンコーティン
グ法により塗布し、90℃で30分加熱処理して、厚さ
0.6μmの均一なレジスト薄膜を得た。
Example 2 An etching stopper layer made of an alumina thin film having a thickness of about 100 nm was formed on an optically polished 5 inch square ultra-high purity synthetic quartz glass substrate, and then SOG was formed thereon.
Spin coating (spin on glass), 300
By firing at 0 ° C., an SOG thin film having a thickness of about 400 nm was formed, and a chromium thin film having a transmittance of about 15% was formed thereon.
On this mask substrate, a negative chemically amplified electron beam resist (SAL-601 manufactured by Shipley Co., Ltd.) was applied by a spin coating method and heat-treated at 90 ° C. for 30 minutes to form a uniform resist thin film having a thickness of 0.6 μm. Got

【0039】次に、この基板に、常法に従って電子線露
光装置によりパターン描画を行った。この際の加速電圧
は20kVで、露光量は10μC/cm2 で露光した。
Next, a pattern was drawn on this substrate by an electron beam exposure apparatus according to a conventional method. At this time, the accelerating voltage was 20 kV and the exposure amount was 10 μC / cm 2 .

【0040】続いて、150℃にて30分間ポストベー
クを行った後、テトラメチルアンモニウムハイドロオキ
サイドを主成分とするアルカリ水溶液にて現像し、純水
にてリンスして、レジストパターンを形成した。
Then, after post-baking at 150 ° C. for 30 minutes, the resist pattern was formed by developing with an alkaline aqueous solution containing tetramethylammonium hydroxide as a main component and rinsing with pure water.

【0041】続いて、必要により短時間の酸素プラズマ
処理(デスカム処理)を行った後、レジストパターンの
開口部より露出したクロム薄膜を四塩化炭素を主成分と
するガスにて120秒間ドライエッチングして、クロム
薄膜をパターニングし、残存するレジストを酸素プラズ
マにより灰化除去し、ハーフトーン遮光膜からなるレチ
クルを完成させた。
Subsequently, if necessary, an oxygen plasma treatment (descum treatment) is carried out for a short time, and then the chromium thin film exposed from the opening of the resist pattern is dry-etched with a gas containing carbon tetrachloride as a main component for 120 seconds. Then, the chromium thin film was patterned, and the remaining resist was ashed and removed by oxygen plasma to complete a reticle composed of a halftone light-shielding film.

【0042】続いて、このフォトマスクを検査し、必要
によってはパターン修正を加え、洗浄した後、遮光膜パ
ターン上にフォトレジスト(東京応化(株)社製 OF
PR−800)をスピンコーティングにより塗布し、加
熱乾燥処理を施し、厚さ0.7μmのフォトレジスト層
を形成した。
Subsequently, this photomask is inspected, and if necessary, pattern correction is performed, and after cleaning, a photoresist (OF of Tokyo Ohka Co., Ltd.) is formed on the light-shielding film pattern.
PR-800) was applied by spin coating and heat-dried to form a photoresist layer having a thickness of 0.7 μm.

【0043】続いて、この基板に石英基板側から水銀灯
のg線の平行光にて全面にバック露光し、テトラメチル
アンモニウムハイドロオキサイドを主成分とするアルカ
リ水溶液にて現像し、純水にてリンスして、断面が垂直
なレジストパターンを形成した。
Then, the whole surface of this substrate was back-exposed from the side of the quartz substrate by parallel rays of the g-line of a mercury lamp, developed with an alkaline aqueous solution containing tetramethylammonium hydroxide as a main component, and rinsed with pure water. Then, a resist pattern having a vertical cross section was formed.

【0044】続いて、このレジストパターンの開口部よ
り露出した位相シフター層をフッ素系のガスを主成分と
するエッチングガスにて20分間ドライエッチングし、
残存するレジストを酸素プラズマにより灰化除去し、ハ
ーフトーン位相シフトフォトマスクを完成させた。
Subsequently, the phase shifter layer exposed from the opening of the resist pattern is dry-etched for 20 minutes with an etching gas containing a fluorine-based gas as a main component,
The remaining resist was removed by ashing with oxygen plasma to complete a halftone phase shift photomask.

【0045】こうして完成したハーフトーン位相シフト
レチクルは、位相シフターエッジが垂直であり、かつ、
位相シフターの寸法精度が最大0.05μmという高精
度なものであった。
In the halftone phase shift reticle thus completed, the phase shifter edge is vertical, and
The dimensional accuracy of the phase shifter was as high as 0.05 μm at maximum.

【0046】比較例 光学研磨された5インチ角の超高純度合成石英ガラス基
板上に、約30nm厚の酸化スズ薄膜からなるエッチン
グストッパー層と、約400nm厚のSiO2薄膜と、
透過率約15%の低反射クロム薄膜との3層構造を形成
したマスク基板上に、ネガ型電子線レジスト(東ソー
(株)製 CMS)をスピンコーティング法により塗布
し、120℃で30分加熱処理して、厚さ0.6μmの
均一なレジスト薄膜を得た。
Comparative Example An etching stopper layer made of a tin oxide thin film having a thickness of about 30 nm and a SiO 2 thin film having a thickness of about 400 nm were formed on a 5 inch square ultra-high purity synthetic quartz glass substrate which was optically polished.
Negative electron beam resist (CMS manufactured by Tosoh Corporation) is applied by spin coating on a mask substrate having a three-layer structure formed with a low reflection chromium thin film having a transmittance of about 15%, and heated at 120 ° C for 30 minutes. By processing, a uniform resist thin film having a thickness of 0.6 μm was obtained.

【0047】次に、この基板に、常法に従って電子線露
光装置によりパターン描画を行った。この際の加速電圧
は20kVで、露光量は2μC/cm2 で露光した。
Next, a pattern was drawn on this substrate by an electron beam exposure apparatus according to a conventional method. At this time, the accelerating voltage was 20 kV and the exposure amount was 2 μC / cm 2 .

【0048】続いて、140℃にて30分間ポストベー
クを行った後、エチルセロソルブを主成分とする有機溶
剤にて現像し、イソプロピルアルコールにてリンスし
て、レジストパターンを形成した。
Then, after post-baking at 140 ° C. for 30 minutes, the resist pattern was formed by developing with an organic solvent containing ethyl cellosolve as a main component and rinsing with isopropyl alcohol.

【0049】続いて、必要により短時間の酸素プラズマ
処理を行った後、レジストパターンの開口部より露出し
たクロム低反射クロム薄膜を硝酸第二セリウムアンモニ
ウム水溶液を主成分とするエッチング液にて20秒間エ
ッチングした。
Subsequently, if necessary, an oxygen plasma treatment is performed for a short time, and then the chromium low reflection chromium thin film exposed from the opening of the resist pattern is etched for 20 seconds with an etching solution containing a diammonium cerium ammonium nitrate solution as a main component. Etched.

【0050】続いて、このレジストパターンをそのまま
用い、その開口部より露出した位相シフター層をフッ素
系のガスを主成分とするエッチングガスにて20分間ド
ライエッチングし、残存するレジストを酸素プラズマに
より灰化除去し、ハーフトーン位相シフトフォトマスク
を完成させた。
Subsequently, using this resist pattern as it is, the phase shifter layer exposed from the opening is dry-etched for 20 minutes with an etching gas containing a fluorine-based gas as a main component, and the remaining resist is ashed with oxygen plasma. Then, the halftone phase shift photomask was completed.

【0051】こうして完成したハーフトーン位相シフト
レチクルは、工程が簡単なものの、位相シフターの断面
角度が約80°であり、かつ、位相シフターの寸法精度
が0.15μmであり、上記実施例1、2の場合に比較
して大きいものであった。
Although the halftone phase shift reticle thus completed has a simple process, the cross-sectional angle of the phase shifter is about 80 ° and the dimensional accuracy of the phase shifter is 0.15 μm. It was larger than the case of 2.

【0052】[0052]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
のハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造方法によ
ると、ハーフトーン遮光膜層をエッチングした後、マス
クとして用いたレジストを除去し、その後、エッチング
耐性を有するフォトレジスト層をハーフトーン遮光膜上
に形成し、次いで、透明基板面側からパターンニングさ
れたハーフトーン遮光膜を介して光を照射してフォトレ
ジスト層をバック露光し、露光後のフォトレジスト層を
現像して別のレジストパターンを形成し、別のレジスト
パターンとハーフトーン遮光膜をマスクとして露出した
位相シフター層をエッチングするようにしたので、高精
度で断面形状の垂直な位相シフター加工が可能になり、
高精度のハーフトーン位相シフトフォトマスクの製造が
可能になる。また、ハーフトーン遮光膜パターンを形成
した後の製造工程途中で、その検査及び修正を行うこと
ができ、欠陥率を低減することができる。したがって、
位相シフトフォトマスクの実用化を促進することができ
る。
As is apparent from the above description, according to the method of manufacturing a halftone phase shift photomask of the present invention, after etching the halftone light shielding film layer, the resist used as the mask is removed, and thereafter, A photoresist layer having etching resistance is formed on the halftone light-shielding film, and then the photoresist layer is back-exposed by irradiating light from the transparent substrate surface side through the patterned halftone light-shielding film. The photoresist layer is developed to form another resist pattern, and the exposed phase shifter layer is etched using the different resist pattern and the halftone light-shielding film as a mask. Shifter processing is possible,
It is possible to manufacture a highly accurate halftone phase shift photomask. In addition, the inspection and correction can be performed during the manufacturing process after forming the halftone light shielding film pattern, and the defect rate can be reduced. Therefore,
It is possible to promote the practical application of the phase shift photomask.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明のハーフトーン位相シフトフォトマスク
の製造方法の工程を示す断面図である。
FIG. 1 is a cross-sectional view showing the steps of a method of manufacturing a halftone phase shift photomask of the present invention.

【図2】位相シフト法の原理を示す図である。FIG. 2 is a diagram showing a principle of a phase shift method.

【図3】従来法を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a conventional method.

【図4】位相シフトレチクルの製造工程を示す断面図で
ある。
FIG. 4 is a cross-sectional view showing a manufacturing process of a phase shift reticle.

【図5】従来法との対比でハーフトーン型位相シフト法
の原理を示す図である。
FIG. 5 is a diagram showing the principle of the halftone type phase shift method in comparison with the conventional method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…基板 12…エッチングストッパー層 13…位相シフター層 14…ハーフトーン遮光膜層 15…遮光パターン形成用レジスト層 16…レーザー光又は電子線等の電離放射線 17…露光部分 18…エッチングガスプラズマ 19…酸素プラズマ 20…位相シフターパターン形成用フォトレジスト層 21…露光光 22…露光部分 23…エッチングガスプラズマ 24…酸素プラズマ DESCRIPTION OF SYMBOLS 11 ... Substrate 12 ... Etching stopper layer 13 ... Phase shifter layer 14 ... Halftone light-shielding film layer 15 ... Light-shielding pattern forming resist layer 16 ... Ionizing radiation such as laser light or electron beam 17 ... Exposed portion 18 ... Etching gas plasma 19 ... Oxygen plasma 20 ... Phase shifter pattern forming photoresist layer 21 ... Exposure light 22 ... Exposure portion 23 ... Etching gas plasma 24 ... Oxygen plasma

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋洋一 東京都新宿区市谷加賀町一丁目1番1号大 日本印刷株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yoichi Takahashi 1-1-1 Ichigayakaga-cho, Shinjuku-ku, Tokyo Dai Nippon Printing Co., Ltd.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 透明基板上に位相シフター層とハーフト
ーン遮光膜層を形成し、遮光膜層上にレジストパターン
を形成し、このレジストパターンをマスクとして露出し
たハーフトーン遮光膜層をエッチングし、続いて、位相
シフター層をエッチングするハーフトーン位相シフトフ
ォトマスクの製造方法において、ハーフトーン遮光膜層
をエッチングした後、マスクとして用いたレジストを除
去し、その後、エッチング耐性を有するフォトレジスト
層をハーフトーン遮光膜上に形成し、次いで、透明基板
面側からパターンニングされたハーフトーン遮光膜を介
して光を照射してフォトレジスト層をバック露光し、露
光後のフォトレジスト層を現像して別のレジストパター
ンを形成し、別のレジストパターンとハーフトーン遮光
膜をマスクとして露出した位相シフター層をエッチング
することを特徴とするハーフトーン位相シフトフォトマ
スクの製造方法。
1. A phase shifter layer and a halftone light shielding film layer are formed on a transparent substrate, a resist pattern is formed on the light shielding film layer, and the exposed halftone light shielding film layer is etched using the resist pattern as a mask. Then, in the method of manufacturing a halftone phase shift photomask for etching the phase shifter layer, after etching the halftone light-shielding film layer, the resist used as the mask is removed, and then a photoresist layer having etching resistance is half-cut. It is formed on the tone light-shielding film, and then light is irradiated from the transparent substrate surface side through the patterned halftone light-shielding film to back expose the photoresist layer, and the photoresist layer after exposure is developed and separated. Resist pattern is formed, and another resist pattern and halftone light-shielding film are used as a mask to expose. A method for manufacturing a halftone phase shift photomask, characterized in that the exposed phase shifter layer is etched.
【請求項2】 前記ハーフトーン遮光膜のg線の光、i
線の光及びエキシマレーザー光に対する透過率が8〜3
0%であることを特徴とする請求項1記載のハーフトー
ン位相シフトフォトマスクの製造方法。
2. The g-line light of the halftone light-shielding film, i
Line light and excimer laser light transmittance is 8 to 3
It is 0%, The manufacturing method of the halftone phase shift photomask of Claim 1 characterized by the above-mentioned.
【請求項3】 前記透明基板表面部分が位相シフター層
を構成することを特徴とる請求項1又は2記載のハーフ
トーン位相シフトフォトマスクの製造方法。
3. The method of manufacturing a halftone phase shift photomask according to claim 1, wherein the transparent substrate surface portion constitutes a phase shifter layer.
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