JPH055192A - 高速エツチングの方法 - Google Patents
高速エツチングの方法Info
- Publication number
- JPH055192A JPH055192A JP15357791A JP15357791A JPH055192A JP H055192 A JPH055192 A JP H055192A JP 15357791 A JP15357791 A JP 15357791A JP 15357791 A JP15357791 A JP 15357791A JP H055192 A JPH055192 A JP H055192A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- sensitizer
- etching solution
- light
- excited
- Prior art date
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- Pending
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- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 エッチング液を加温する方法以外の、エッチ
ング速度を高速化する方法を提供する。 【構成】 光線を吸収して励起する増感剤が添加された
エッチング液を用い、光線を前記のエッチング液に照射
した状態でエッチングを行うことを特徴とする高速エッ
チングの方法である。上記の増感剤は光線を吸収して励
起し、エッチング液中の溶存酸素にエネルギー遷移を行
い、一重項励起酸素を生成する働きをする。そしてこの
一重項励起酸素が金属の酸化反応であるエッチングを促
進する働きをすることにより、高速でエッチングが進行
する。
ング速度を高速化する方法を提供する。 【構成】 光線を吸収して励起する増感剤が添加された
エッチング液を用い、光線を前記のエッチング液に照射
した状態でエッチングを行うことを特徴とする高速エッ
チングの方法である。上記の増感剤は光線を吸収して励
起し、エッチング液中の溶存酸素にエネルギー遷移を行
い、一重項励起酸素を生成する働きをする。そしてこの
一重項励起酸素が金属の酸化反応であるエッチングを促
進する働きをすることにより、高速でエッチングが進行
する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、銅等の金属にパターン
を形成させるときに施されるエッチングの方法に関する
ものである。
を形成させるときに施されるエッチングの方法に関する
ものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、例えば銅張り積層板や印刷版にパ
ターンを形成させるときには、金属の表面にレジストを
塗布してパターニングした後、エッチング液を用いてエ
ッチングを施してパターンを形成させていた。このエッ
チングにおいて、エッチング速度を高速化しようとして
エッチング液を加温することが行われるが、加温により
エッチング液から塩素等の毒性ガスが多量に発生し、機
器の寿命を短くしたり、廃ガス対策に大がかりな設備が
必要になるという問題があった。
ターンを形成させるときには、金属の表面にレジストを
塗布してパターニングした後、エッチング液を用いてエ
ッチングを施してパターンを形成させていた。このエッ
チングにおいて、エッチング速度を高速化しようとして
エッチング液を加温することが行われるが、加温により
エッチング液から塩素等の毒性ガスが多量に発生し、機
器の寿命を短くしたり、廃ガス対策に大がかりな設備が
必要になるという問題があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記の事情に鑑み、本
発明が解決しようとする課題はエッチング液を加温する
方法以外の方法でエッチング速度を高速化することであ
る。
発明が解決しようとする課題はエッチング液を加温する
方法以外の方法でエッチング速度を高速化することであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は、光線を吸収し
て励起する増感剤が添加されたエッチング液を用い、光
線を前記のエッチング液に照射した状態でエッチングを
行うことを特徴とする高速エッチングの方法である。
て励起する増感剤が添加されたエッチング液を用い、光
線を前記のエッチング液に照射した状態でエッチングを
行うことを特徴とする高速エッチングの方法である。
【０００５】本発明で用いる、光線を吸収して励起する
増感剤はエッチング液に添加された状態で、紫外線、可
視光線または赤外線等の光線を吸収することにより励起
し、エッチング液中の溶存酸素にエネルギー遷移を行
い、金属の酸化反応を促進させる性質を有する一重項励
起酸素を生成するように働く化合物である。上記の光線
を吸収して励起する増感剤としては、例えば各種の色素
があり、具体的にはローズベンガル（C.I.45440 ：但し
C.I.はカラーインデックスの略）、エリオクロムブラッ
クＴ（C.I.14645 ）、ローダミンＢ（C.I.45170 ）、チ
オフラビンＴ（C.I.49005 ）、クリスタルバイオレット
（C.I.42555 ）、エリスロシンＢ（C.I.45430 ）、エオ
シンＹ（C.I.45380 ）、アクリジンオレンジ（C.I.4600
5 ）、フルオレッセイン（C.I.45350 ）、ヘマトポルフ
ィリン、リボフラビン等の色素が例示できる。そして、
この光線を吸収して励起する増感剤はその吸収波長が、
エッチングにより生成する金属イオンの吸収波長と重な
らないことが望ましい。なぜならば、この増感剤と、エ
ッチングにより生成する金属イオンの吸収波長とが重な
ると、エッチングにより生成する金属イオンによる光線
の吸収のために、前記増感剤の光線の吸収が少なくな
り、その結果、金属の酸化反応の促進効果が減少するか
らである。そして、銅イオンをはじめ多くの金属イオン
の吸収波長は 500ｎｍより長波長側にあるので、前記の
エッチング液に添加する増感剤はその吸収波長が 500ｎ
ｍ以下にあるものが望ましい。
増感剤はエッチング液に添加された状態で、紫外線、可
視光線または赤外線等の光線を吸収することにより励起
し、エッチング液中の溶存酸素にエネルギー遷移を行
い、金属の酸化反応を促進させる性質を有する一重項励
起酸素を生成するように働く化合物である。上記の光線
を吸収して励起する増感剤としては、例えば各種の色素
があり、具体的にはローズベンガル（C.I.45440 ：但し
C.I.はカラーインデックスの略）、エリオクロムブラッ
クＴ（C.I.14645 ）、ローダミンＢ（C.I.45170 ）、チ
オフラビンＴ（C.I.49005 ）、クリスタルバイオレット
（C.I.42555 ）、エリスロシンＢ（C.I.45430 ）、エオ
シンＹ（C.I.45380 ）、アクリジンオレンジ（C.I.4600
5 ）、フルオレッセイン（C.I.45350 ）、ヘマトポルフ
ィリン、リボフラビン等の色素が例示できる。そして、
この光線を吸収して励起する増感剤はその吸収波長が、
エッチングにより生成する金属イオンの吸収波長と重な
らないことが望ましい。なぜならば、この増感剤と、エ
ッチングにより生成する金属イオンの吸収波長とが重な
ると、エッチングにより生成する金属イオンによる光線
の吸収のために、前記増感剤の光線の吸収が少なくな
り、その結果、金属の酸化反応の促進効果が減少するか
らである。そして、銅イオンをはじめ多くの金属イオン
の吸収波長は 500ｎｍより長波長側にあるので、前記の
エッチング液に添加する増感剤はその吸収波長が 500ｎ
ｍ以下にあるものが望ましい。
【０００６】本発明で用いる光線の種類としては例えば
紫外線、可視光線および赤外線があげられるが、より大
きなエネルギーが供給でき、かつエッチングにより生成
する金属イオンの波長と重ならない波長である、 500ｎ
ｍ以下の可視光線又は紫外線が好ましい。
紫外線、可視光線および赤外線があげられるが、より大
きなエネルギーが供給でき、かつエッチングにより生成
する金属イオンの波長と重ならない波長である、 500ｎ
ｍ以下の可視光線又は紫外線が好ましい。
【０００７】本発明で用いるエッチング液としては、例
えば過硫酸ソーダ系、硫酸−過酸化水素系、塩化銅系、
塩化鉄系、アルカリ系等が挙げられるが、特に短波長域
に吸収を持たない過硫酸ソーダ系及び硫酸−過酸化水素
系のエッチング液が好ましい。
えば過硫酸ソーダ系、硫酸−過酸化水素系、塩化銅系、
塩化鉄系、アルカリ系等が挙げられるが、特に短波長域
に吸収を持たない過硫酸ソーダ系及び硫酸−過酸化水素
系のエッチング液が好ましい。
【０００８】
【作用】本発明のエッチング液中に添加される光線を吸
収して励起する増感剤は紫外線、可視光線または赤外線
等の光線を吸収して励起し、エッチング液中の溶存酸素
にエネルギー遷移を行い、一重項励起酸素を生成する働
きをする。そしてこの一重項励起酸素が金属の酸化反応
であるエッチングを促進する働きをすることにより、高
速でエッチングが進行するものである。
収して励起する増感剤は紫外線、可視光線または赤外線
等の光線を吸収して励起し、エッチング液中の溶存酸素
にエネルギー遷移を行い、一重項励起酸素を生成する働
きをする。そしてこの一重項励起酸素が金属の酸化反応
であるエッチングを促進する働きをすることにより、高
速でエッチングが進行するものである。
【０００９】
（実施例）過硫酸ソーダを 360ｇ／ｌの割合で、そして
リン酸を15ｍｌ／ｌの割合で含有する水溶液にローズベ
ンガル（C.I.45440 ）を10-4ｍｏｌ／ｌの割合になるよ
う添加し、完全に溶解させてエッチング液を作製した。
大きさが10ｍｍ×50ｍｍ、重さが３ｇの銅板を、液温が
25℃の、超高圧水銀灯（ 550Ｗ）により紫外線が照射さ
れている前記のエッチング液中に浸漬し、 5分間エッチ
ングした。エッチング前後の重量を測定し、その差から
エッチング量を算出した。その結果を表１に示す。
リン酸を15ｍｌ／ｌの割合で含有する水溶液にローズベ
ンガル（C.I.45440 ）を10-4ｍｏｌ／ｌの割合になるよ
う添加し、完全に溶解させてエッチング液を作製した。
大きさが10ｍｍ×50ｍｍ、重さが３ｇの銅板を、液温が
25℃の、超高圧水銀灯（ 550Ｗ）により紫外線が照射さ
れている前記のエッチング液中に浸漬し、 5分間エッチ
ングした。エッチング前後の重量を測定し、その差から
エッチング量を算出した。その結果を表１に示す。
【００１０】（比較例１）ローズベンガル（C.I.45440
）を添加しなかった以外は実施例と同様にしてエッチ
ング液を作製した。そして、このエッチング液を用いた
以外は実施例と同様にして大きさが10ｍｍ×50ｍｍ、重
さが３ｇの銅板をエッチングをした。エッチング前後の
重量を測定し、その差からエッチング量を算出した。そ
の結果を表１に示す。
）を添加しなかった以外は実施例と同様にしてエッチ
ング液を作製した。そして、このエッチング液を用いた
以外は実施例と同様にして大きさが10ｍｍ×50ｍｍ、重
さが３ｇの銅板をエッチングをした。エッチング前後の
重量を測定し、その差からエッチング量を算出した。そ
の結果を表１に示す。
【００１１】（比較例２）ローズベンガル（C.I.45440
）を添加しなかった以外は実施例と同様にしてエッチ
ング液を作製した。大きさが10ｍｍ×50ｍｍ、重さが３
ｇの銅板を、液温が25℃の前記のエッチング液中に浸漬
し、 5分間エッチングした。このエッチングの際には、
エッチング液への超高圧水銀灯（ 550Ｗ）による紫外線
の照射は行わなかった。エッチング前後の重量を測定
し、その差からエッチング量を算出した。その結果を表
１に示す。
）を添加しなかった以外は実施例と同様にしてエッチ
ング液を作製した。大きさが10ｍｍ×50ｍｍ、重さが３
ｇの銅板を、液温が25℃の前記のエッチング液中に浸漬
し、 5分間エッチングした。このエッチングの際には、
エッチング液への超高圧水銀灯（ 550Ｗ）による紫外線
の照射は行わなかった。エッチング前後の重量を測定
し、その差からエッチング量を算出した。その結果を表
１に示す。
【００１２】（比較例３）ローズベンガル（C.I.45440
）を10-4ｍｏｌ／ｌの割合になるよう添加した水溶液
をエッチング液とし、大きさが10ｍｍ×50ｍｍ、重さが
３ｇの銅板を、液温が25℃の、超高圧水銀灯（ 550Ｗ）
により紫外線が照射されている前記のエッチング液中に
浸漬し、 5分間エッチングした。エッチング前後の重量
を測定し、その差からエッチング量を算出した。その結
果を表１に示すが、全くエッチングされていなかった。
）を10-4ｍｏｌ／ｌの割合になるよう添加した水溶液
をエッチング液とし、大きさが10ｍｍ×50ｍｍ、重さが
３ｇの銅板を、液温が25℃の、超高圧水銀灯（ 550Ｗ）
により紫外線が照射されている前記のエッチング液中に
浸漬し、 5分間エッチングした。エッチング前後の重量
を測定し、その差からエッチング量を算出した。その結
果を表１に示すが、全くエッチングされていなかった。
【００１３】
【表１】 表１から明らかなように、増感剤であるローズベンガ
ルを含有していない比較例１に比べ、ローズベンガルを
含有する実施例はエッチング量が多く、高速でエッチン
グが行われている。また、比較例２は増感剤であるロー
ズベンガルを含有せず、かつ紫外線照射もしなかった例
であるが、増感剤がなければ、紫外線照射のあり、なし
はエッチングスピードに影響しないことが比較例の１と
２とを比べることによりわかる。さらに、比較例３は増
感剤であるローズベンガルのみを含有する水溶液をエッ
チング液として用いた例であるが、当然のことである
が、全くエッチングされなかった。従って、高速エッチ
ングが可能となるのは、エッチング能力を持つエッチン
グ液に増感剤を含有させ、光線をそのエッチング液に照
射した状態でエッチングを行った場合に限られる。
ルを含有していない比較例１に比べ、ローズベンガルを
含有する実施例はエッチング量が多く、高速でエッチン
グが行われている。また、比較例２は増感剤であるロー
ズベンガルを含有せず、かつ紫外線照射もしなかった例
であるが、増感剤がなければ、紫外線照射のあり、なし
はエッチングスピードに影響しないことが比較例の１と
２とを比べることによりわかる。さらに、比較例３は増
感剤であるローズベンガルのみを含有する水溶液をエッ
チング液として用いた例であるが、当然のことである
が、全くエッチングされなかった。従って、高速エッチ
ングが可能となるのは、エッチング能力を持つエッチン
グ液に増感剤を含有させ、光線をそのエッチング液に照
射した状態でエッチングを行った場合に限られる。
【００１４】
【発明の効果】本発明によれば、エッチング液を加温す
ることなしにエッチング速度を高速化することが可能と
なる。従って、本発明の方法はエッチング液を加温する
方法に比較すると、エッチング時の塩素等の毒性ガスの
発生を低く抑えてることができ、機器の寿命を長くした
り、廃ガス対策に大がかりな設備を必要としなくなると
いう、産業上有用な効果を生じる。
ることなしにエッチング速度を高速化することが可能と
なる。従って、本発明の方法はエッチング液を加温する
方法に比較すると、エッチング時の塩素等の毒性ガスの
発生を低く抑えてることができ、機器の寿命を長くした
り、廃ガス対策に大がかりな設備を必要としなくなると
いう、産業上有用な効果を生じる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 光線を吸収して励起する増感剤が添加さ
れたエッチング液を用い、光線を前記のエッチング液に
照射した状態でエッチングを行うことを特徴とする高速
エッチングの方法。 【請求項２】 光線を吸収して励起する増感剤がローズ
ベンガルである請求項１記載の高速エッチングの方法。 【請求項３】 エッチング液が過硫酸ソーダを含有して
いることを特徴とする請求項１または請求項２記載の高
速エッチングの方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15357791A JPH055192A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 高速エツチングの方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15357791A JPH055192A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 高速エツチングの方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH055192A true JPH055192A (ja) | 1993-01-14 |
Family
ID=15565533
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15357791A Pending JPH055192A (ja) | 1991-06-26 | 1991-06-26 | 高速エツチングの方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH055192A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994021715A1 (en) * | 1993-03-23 | 1994-09-29 | Tokai University | Solid surface modifying method and apparatus |
| US5520205A (en) * | 1994-07-01 | 1996-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus for wafer cleaning with rotation |
| US5626159A (en) * | 1995-04-19 | 1997-05-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for cleaning semiconductor wafers |
| US6689426B1 (en) | 1993-03-23 | 2004-02-10 | Tokai University | Solid surface modification method and apparatus |
-
1991
- 1991-06-26 JP JP15357791A patent/JPH055192A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1994021715A1 (en) * | 1993-03-23 | 1994-09-29 | Tokai University | Solid surface modifying method and apparatus |
| US6117497A (en) * | 1993-03-23 | 2000-09-12 | Tokai University | Solid surface modification method and apparatus |
| US6689426B1 (en) | 1993-03-23 | 2004-02-10 | Tokai University | Solid surface modification method and apparatus |
| US5520205A (en) * | 1994-07-01 | 1996-05-28 | Texas Instruments Incorporated | Apparatus for wafer cleaning with rotation |
| US5698040A (en) * | 1994-07-01 | 1997-12-16 | Texas Instruments Incorporated | Method for rotational wafer cleaning in solution |
| US5626159A (en) * | 1995-04-19 | 1997-05-06 | Memc Electronic Materials, Inc. | Apparatus for cleaning semiconductor wafers |
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