JPH05505681A - マイクロ波放射を用いて物質の温度を測定する方法 - Google Patents

マイクロ波放射を用いて物質の温度を測定する方法

Info

Publication number
JPH05505681A
JPH05505681A JP92505018A JP50501892A JPH05505681A JP H05505681 A JPH05505681 A JP H05505681A JP 92505018 A JP92505018 A JP 92505018A JP 50501892 A JP50501892 A JP 50501892A JP H05505681 A JPH05505681 A JP H05505681A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
temperature
noise
antenna
impedance
length
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP92505018A
Other languages
English (en)
Inventor
バン ドゥ ベルデ ジャン―クロード
コンスタン,ウージェン
Original Assignee
サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェ サイアンティフィク
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェ サイアンティフィク filed Critical サントル ナシオナル ドゥ ラ ルシェルシェ サイアンティフィク
Publication of JPH05505681A publication Critical patent/JPH05505681A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K11/00Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00
    • G01K11/006Measuring temperature based upon physical or chemical changes not covered by groups G01K3/00, G01K5/00, G01K7/00 or G01K9/00 using measurement of the effect of a material on microwaves or longer electromagnetic waves, e.g. measuring temperature via microwaves emitted by the object
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01RMEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R29/00Arrangements for measuring or indicating electric quantities not covered by groups G01R19/00 - G01R27/00
    • G01R29/08Measuring electromagnetic field characteristics

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Radiation Pyrometers (AREA)
  • Control Of High-Frequency Heating Circuits (AREA)
  • Constitution Of High-Frequency Heating (AREA)
  • Measurement Of Resistance Or Impedance (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 マイクロ波放射を用いて物質の温度を測定する方法本発明は、与えられた物質あ るいは対象物の温度、並びに、マイクロ波周波数の反射係数を決定することに関 する。
対象物の温度を測定するために、この技術分野においては、対象物から放射され るマイクロ波周波数領域の熱雑音信号を検出し、検出された信号の強さと対象物 の温度との間に対応関係を設定するという測定プロセスを用いることが知られて いる。
ここでは、「対象物」という用語は、物質である対象物あるいは物質そのもの、 あるいは生きている組織さえも指すことができるように、極めて広い意味で使わ れている。実際、いかなる吸収体といえども、その温度に直接的に関係する熱雑 音信号を放射している。
そのような熱雑音信号は、非常に広い周波数領域に亘って放射されている。
温度測定を実行するために、赤外線領域において放射される信号を利用するとい う他のプロセスもまた知られている。しかし、検出される信号は主に測定される べき物体の表面によって放射されるものであり、それ故に、表面温度が測定され ているとは限らないという欠点がある。
他に知られている測定方法としては、熱電対を用いるものがあり、それは温度を 測定したい物体の内部に導入されることが必要である。
しかし、多くの場合、熱電対を物体中に侵入させることが、主要な欠点を示すこ ととなる。
そのような欠点を避けるためには、マイクロ波周波数領域、すなわち、およそ0 .5〜2QGtlzの周波数領域において放射される熱雑音信号を利用すること が好適である。
この点に関して、アンテナにより放出されたマイクロ波放射が検出され、そして 、受は入れられた信号が当面の物体の温度を決定させるための信号処理手段へ供 給されるようになっているマイクロ波電波測定装置が知られている。
しかしながら、マイクロ波周波数の電波測定(rad 1ose tpy)にお いて遭遇する主要な問題点の一つは、温度を知りたい物質に対してアンテナを整 合させる点に存在する。事実、使用されるアンテナは反射係数Roを有しており 、その結果、測定すべき対象物が一般的に種々の構造、サイズおよび特性を有し ていることから、アンテナは必ずしも完全に整合をとることはできない。
これらの状況の下では、アンテナの係数1Rol”が零ではないという事実によ って、対象物の温度を測定するに当って生ずる誤差は2つの関係を有することと なる。すなわち、一つは、対象物の放射度=1−lRol”が−樺なものではな いということであり、他方は、アンテナに反射係数があれば、信号処理手段の入 力部で放出されたノイズ(雑音)の一部がアンテナにより反射され、その手段に より増幅され、そして、その手段の出力部で測定された信号に不都合な影響を与 えるということである。
これらの種々の欠点を解消するために、温度を検出するための手段を本体中に導 入する必要がなく、物体の内部温度を測定させることができるようにするための 種々のプロセスが案出されている。
事実、フランス特許公報F R−2,497,947には、Dicke電波測定 器の原理を基にしたマイクロ波サーモグラフ装置およびプロセスが開示されてお り、そこではアンテナ、サーキュレータ、既知の特性を有する補助ノイズ発生源 、増幅/受信器および検出器が用いられている。更に、この文献によれば、サー キュレータが、測定用ライン(伝送線)を循環的にアンテナに接続するか、ある いは、その測定用ラインを短絡するかの2チヤンネルのマイクロ波周波数スイッ チに関連して使用されている。
こうして、このサーキュレータ−スイッチの組合せが、一方で、増幅器の入力部 で放出された信号を吸収されるようにし、他方で、アンテナに測定されるべき物 質の温度に実質的に等しい温度の負荷が供給されるようにする。この条件の下で は、係数lR’o1”が零でない場合、測定されるべき物質により放出されるノ イズが減少すれば、その負荷によって放出されるノイズとアンテナにより反射さ れるノイズとによって補償される。
しかしながら、この文献F R−2,497,947におけるプロセスと装置に は、サーキュレータを使用する必要があり、それはいくつかのケースにおいて不 利益をもたらすこととなる。実際面において、サーキュレータは一般的に周波数 領域によって決定され、かつ、そのサイズと価格を規制することのできないフェ ライト素子により形成されている。それ故、これは必然的に装置の価格およびサ イズに影響を与え、装置の単結晶集積回路化への可能性を排除することとなる。
同様なケースとして、フランス特許公報F R−2,561,769号において は、低ノイズの受信装置におけるインピーダンス整合を制御するためのプロセス と、このプロセスを具現化するための小型化されたマイクロ波サーモメータが開 示されている。
そのような装置は、アンテナ、温度およびインピーダンスのi1節可能な標準的 ノイズ発生源、アンテナおよび標準的ノイズ発生源に結合されたスイッチング手 段、スイッチの後段に配設され、アンテナおよび標準的ノイズ発生源からの信号 間のレベル差に対応する振幅を有する信号を供給する増幅器、増幅器の入力部に 周期的に接続される制御可能な付加インピーダンス、および、アンテナと標準的 ノイズ発生源とにより示されるインピーダンス間の相違を分析し、それらのイン ピーダンスを整合させてアンテナかノイズ発生源のいずれかを1!節し、アンテ ナおよびノイズ発生源への付加インピーダンスにより及ぼされる影響を等化し、 そして、結果として、アンテナと標準的ノイズ発生源とにより示されるインピー ダンスを等化する手段とにより構成されている。
文献F R−2,561769におけるプロセスは、一つの基準ノイズ発生源を 用いることを意図して構成されており、そこでは、その電気的に調整可能な反射 係数が、測定されるべき対象物が存在するところに置かれるアンテナのものと率 において等しくされている。このために、増幅器入力により放出されるノイズが 、2つの反射係数間の等しさをチェックするために用いられ、そして、そのため に、可変の付加インピーダンスが用いられ、その値は電気的に制御され、かつ、 それは増幅器の入力部に配置される。
そのような技術によれば、サーキュレータの使用を省くことができる。しかし、 残念ながら、それはアンテナによって示される負荷が抵抗性のものである場合で あって、かつ、アンテナと増幅器との間に配置されているラインの長さが無視し うるちのである場合に限って、利用することができるものである。
従来の装置における不利益には、解決策を見い出すことができないといえる程の その他の制約が加えられる。特に、サーキュレータが用いられている場合、実用 されるフェライトのサイズが大きくなれば、動作周波数は低くなる。例えば、I  GHzにおいては、サイズは禁止的に大きなものとなってしまう。更に、ゼロ メソッド(zer。
置6thod)により温度を決定すべく作動させると、一般的には補助の基準熱 源の温度と測定すべき物体の温度との間の差により構成される因数を零にしよう とすることが行われる。そこで、273@K (0°C)以下の温度をもつ物体 の温度を測定することは、緻密な事柄となり、種々のケースでそれが不利益とな る。
更にまた、測定装置においては、サーキュレータ素子を取り除くことが問題とな る。実際に、ある利得gをもつ増幅器の場合、それは、そのノイズファクタを特 徴づけるものとして、増幅器ノイズTaとともに入力ノイズTeを必然的に呈示 することとなる。かくして、直結増幅回路においては、回路の入力部において負 荷が整合していない場合、入力ノイズTeおよび増幅器の出力ノイズTaの間に 相互作用の可能性があることが考慮されなければならない。
不整合に基く測定誤差は、反射係数ROに依存し、また、上記のノイズTeおよ びTaにも依存することとなる。
この相互作用現象を解消するために、増幅器入力ラインに並列に非周期性の移相 器を用い、それは、例えば、無規則に−π/2゜+π/2の位相を導入させて、 ノイズの秩序立った構造についてのいかなる可能性をも妨害するようにし、それ により、TeとTa間のいかなる相互作用をも打消してしまうようにすることが 、この技術分野においては知られている。
しかしながら、そのような移相器は、検出されるノイズ信号の振幅を減じてしま い、また、電波測定器の単結晶IC化を不可能にするほどの大きな寸法のものと なる。
本発明の目的は、マイクロ波放射を用いて、物質あるいは与えられた対象物の温 度を測定するためのプロセスおよび装置を提供することであり、それにより、上 述した欠点を解消し、また、サーキュレータの使用を省くことができるようにす るとともに、精密な温度測定を可能とすることができる。
本発明の目的の一つは、単結晶集積回路技術を用いて設計することができ、かつ 、それにより小型化でき、低価格である電波測定用信号を測定するためのプロセ スおよび装置を提供することである。
本発明のもう一つの目的は、アンテナが特に測定されるべき対象物に整合してい ない場合、あるいは、アンテナと増幅器との間に配置されたラインの長さが無視 しえない程である場合に利用することができる電波測定用信号を測定するための プロセスを提供することである。
本発明のもう一つの目的は、入力において負荷が整合していない場合でも、増幅 器の入力ノイズと出力ノイズ間のいかなる相互作用の影響をも受けないようにす ることができる電波測定用信号を測定するためのプロセスおよび装置を提供する ことである。
本発明のもう一つの目的は、D 1ckeの電波測定器の原理を用いずに、等価 あるいはそれ以上の結果を得ることのできる電波測定用信号を測定するだめのプ ロセスを提供することである。
本発明のもう一つの目的は、物質あるいは与えられた対象物のマイクロ波周波数 の反射係数を決定するために電波測定用信号の測定プロセスを応用することに関 している。
本発明の更に他の目的および利益は、図面を用いて行われ、本発明を制限する意 図ではない以下の記載の過程から明らかとなるであろう。
本発明によれば、マイクロ波放射を利用して与えられた物質あるいは対象物の温 度Txを測定するためのプロセスであって、それにより反射係数Roxを有する アンテナによって放出されたマイクロ波放射が検出され、そして、受信された信 号が信号処理手段に供給されるようになっており、そして、それはアンテナと上 記手段との間に所定のインピーダンスのライン(伝送線)が挿入されているとい うことにより特徴づけられており、そのインピーダンスは上記手段の入力インピ ーダンスの関数であって、上記手段の相互作用ファクタが無視しうるちのとなる ように信号の波長に比べて極めて大きい長さしを有している。
更に、本発明の測定プロセスによれば、アンテナにより受信された信号は、その 長さLのラインを通って上記処理手段にまで伝送される。その処理手段は、パワ ー利得Tg、入力ノイズ温度Teおよび出力ノイズ温度Taを備えており、次の 出力電圧がその処理手段の出力に得られることとな4る。: Vs=gr (Tx (1−IRoxl”)+Te l ROXI” +Te) そして、全てのパラメータは上記手段の構造を循環的に変更することによって周 期的に計算されるようになっている。
この点に関して、本発明によるプロセスを具現化するために、測定装置は長さし の介挿ラインを有しており、それは信号処理手段の入力インピーダンスの関数で ある与えられたインピーダンスを持ち、その手段とアンテナとの間に配置されて おり、その長さしは処理される信号の波長に比べて極めて大きいものである。
更にまた、上記処理手段は、後段に二乗法則の検波器が設けられ、そして、前段 には、その手段の構造を循環的に変更するために適したマイクロ波周波数の多岐 スイッチが設けられている直結増幅型のマイクロ波周波数受信器により構成され ている。
本発明は、以下の記述によりより完全に理解することができ、その記述は、図面 による例示によって与えられるが本発明を制限するものではなく、その必要な一 部である図面を添付されている。添付の図面において、ニ 一回1は、与えられた物質あるいは対象物の温度を測定し、および/あるいは、 マイクロ波周波数の反射係数を決定するための装置の機能的な構成図である。
一回2は、決定された増幅器の通過帯域に関し、アンテナと増幅器入力との間の ラインの長さしの関数として、相互作用ファクタを表わす値をグラフの形で示し ている。
−図3は、2チヤンネルのスイッチの構造設計を概念的な構成図により示してい る。
一回4は、本発明により上記手段に導入される高インピーダンスのノイズ発生源 の第1の実施例を示している。
−図5は、本発明により上記に導入される高インピーダンスのノイズ発生源の第 2の実施例を示している。
−図6は、基準負荷の温度を測定するための回路の実施例を概念的な構成図によ り示している。
一回7は、基準負荷の温度を測定するための回路の他の実施例を概念的な構成図 により示している。
本発明は、与えられた物質あるいは対象物の温度を測定するためのプロセスおよ び装置に関しており、同時に、与えられた物質あるいは対象物のマイクロ波周波 数の反射係数を決定するためにその測定プロセスを応用することに関している。
前述し光ように、用語の「対象物」あるいは「物質」は、測定されるべき物体で ある物質、特別な場合として多くの物質の対象物からなる物体、一般的な物質、 あるいは生きている組織をも言及しうるように、広く解釈されるべきものである 。
更に、ある温度Txに至っているいかなる物質も、マイクロ波頭域において、そ のパワーが温度および測定装置の通過帯域に比例することとなる電磁気的な放射 を放出するということも指摘されるべきことである。特に、アンテナにより検出 されるパワーは次の関係式により与えられる。: P=kTxΔf(1tRoxl”) ここで、kはポルツマン定数(1,38x 10−”)、Txは測定されるべき 物質の温度、Δfは通過帯域、IRoxl”はアンテナの反射係数である。
直結増幅型の電波測定器(radioa+eter)が設置されている場合、換 言すれば、アンテナが増幅器−受信器Aの入力に直接に結合されており、また、 サーキュレータ列が挿入されることなく二乗検波器りがその出力に結合されてい る場合は、検波器の出力における電圧Vsは次の関係式で与えられる。: Vs=g7 (Tx (1−1Roxl”)+Te 1Roxl” +Te)こ こで、gは増幅器の利得に対応し、γは検波器の変換利得に対応し、Teは増幅 器の入力ノイズに対応し、Taは増幅器のノイズファクタを特徴づける増幅器ノ イズに対応している。
しかしながら、この関係式Vsは、電波測定器の入力における負荷が不整合の場 合に、増幅器の入力ノイズTeと出力ノイズTaとの間の相互作用の可能性によ って引き起こされる電波測定誤差に対ノイズTeは増幅器の物理的な温度に関連 しており、また、ノイズTaは増幅器によって入力ノイズにもたらされる低下の 現象に関連している。これが、TeとTa間の相互作用と称されている。
かくして、サーキュレータが用いられない場合、増幅器によって引き起こされる 相互作用ノイズについて、周波数fにおける基本的な寄与量は、次の関係式によ り与えられることとなる。:d 5cor =k (l Roxl ” Te  +Ta+2 1Roxl”TeTa−cos φ)dfここで、kはポルツマン 定数であり、 φは受信器の入力ノイズと出力ノイズ間の位相差であって、2π・LO・f/C に等しく、 Cは光速であり、 Loは増幅器の固有の長さに対応している。
したがって、相互作用ノイズの全寄与量は、増幅器の通過帯域内において上記関 係式を積分することにより得ることができ、それにより次の関係式が与えられる 。: 5cor =k ・ (l RoxltTe+Tacos(tx/ 2 ・(f z + f+)) )Δff2およびflは、それぞれ増幅器の高域および低域 のカットオフ周波数であり、 Δfは増幅器の通過帯域f、−f、であり、Lは増幅器の入力とアンテナ間のラ インの長さである。
上記した作用から、本発明の特徴の一つは、アンテナと信号処理手段、特に増幅 器との間に所定のインピーダンスのラインが介挿されているという点にあり、そ のインピーダンスは、上記手段の相互作用ノイズファクタを無視しうるように信 号の波長よりも極めて大きい長さしを持っている増幅器の入力インピーダンスと して機能する。
上記した関係式5corにおいて、次の量はこうして得ることかでcos(α/  2 ・Cfz +L))この量は、αが無限大となれば、零に集束する。この 条件は、Lが処理される信号の波長すなわちC/(f2 f+)に比べて極めて 大きい場合に満足される。
図2のグラフは、この相互作用の影響、より正確に言えば、アンテナと増幅器入 力間の単位1での長さしに対する関数としての比Vcor/Vsを例示している 。
この比は、Lが波長に比べて極めて太き(なると零に集束していくことがわかる 。例えば、2〜4 Gl(zの通過帯域において動作する増幅器の場合、l0C 11のオーダーの長さLになってから結果が現れ始める。安全のためには、例え ば40CI+の長さのものが使用されることとなる。
更に、このラインLのインピーダンスは、不整合を避けるために増幅器の入力イ ンピーダンスに実質的に一致されなければならない。
マイクロ波周波数において、通常用いられている増幅器は50オームのオーダー の入力インピーダンスを有しており、これによりライン部材りとしては、50オ ームの特性インピーダンスZcを有するものが、アンテナから増幅器へのエネル ギー伝達のために用いられている。
このケースでは、電波測定用信号が先に示した関係式により与えられるというこ とに留意する必要がある。すなわち、:Vs=g r (Tx (1−l Ro xl”)+Te l Roxl寡+Ta〕かくして、本発明による測定プロセス のもう一つの特徴によれば、アンテナにより受信された信号が、上記の長さしの ラインを経て、信号処理手段の入力に送られ、上記の電圧Vsがその出力に得ら れる。そして、全てのパラメータがその手段の構造を循環的に変更することによ り周期的に計算される。
図1は、一実施例として、本発明によるプロセスを具現化したものとして、与え られた@lJ質あるいは対象物の温度を測定するための装置を概念図により示し ている。
この概念図は、その温度を決定すべき対象物2から放出される信号を受信し、上 に定義したような長さしを有する介挿ライン4を経て処理手段3に結合するため のアンテナ1が示されている。
より正確には、処理手段3は、直結増幅型マイクロ波周波数受信器15.!−1 その後段の二乗検波器6および前段のマイクロ波周波数マルチチャンネルスイッ チ8により構成されている。
既に述べたように、マイクロ波周波数受信器15は、マイクロ波周波数の通過帯 域、大きな利得gおよび低ノイズファクタを有する増幅器Aにより構成すること ができる。
更に、従来の増幅器が不要なため、この増幅器は単結晶集積回路技術を用いて製 造することができる。
変換利得Tを存する二乗検波器6については、集積化が容易なショットキー検波 用ダイオードにより形成されるのが好適である。
このケースにおいては、本発明によれば、温度Txの値を決定するためにめられ る関係式は次のものである。:VS=gT(Tx(l IRoxlQ+Te1R oxl”+−Ta)ここで、決定されるべきパラメータはgγ、 Te、Ta、  l Roxl tおよびTxである。
こうして、5個の未知数を有する関係式が得られ、そして、本発明によるプロセ スにおいては、未知数と同じ個数の関係式を得るために必要な回数はど、信号処 理手段の構造が変更されることとなる。
に、更に選択的かつ循環的に、高インピーダンス(Z)Zc)のノイズ発生源Δ Tいの影響の下に置かれ、次のように出力電圧VSを与える関係が変化される。
: Vs=gr (Tx (1−l Roxl”)+Te l Roxj”fTe+ ΔTm (1+ l Row I”))本発明による装置、より詳細に言えば、 図1に示すように、上記処理手段3は、更に、補助的なノイズΔTllを再送人 するためのもので、その手段の入力、より正確には増幅器5の出力に配設された ノイズ発生源9を有している。
このノイズ発生源は、関係式の体系を解いていくことをより容易にするための有 益な要素である。
この点に関して、上記スイッチ8は、図1に示すように、有益なものとすべく、 少なくとも4つのマイクロ波周波数のチャンネルを有し、それらは、次のものに 結合されている。ニー既知の特性をもち、温度T、の負荷10、−中継ライン4 に同様な、短絡されている長さしのライン、−アンテナ1に結合され、長さしの 中継ライン4、−既知の特性をもち、温度Tzのもう一つの負荷12、−上記の ノイズ発生源9ΔTI0 このスイッチの4つの異なったチャンネルは、丸付きの数字1゜2.3および4 により、図中に示されている。丸付きの数字5は、上記ノイズ発生源ΔTmを作 動あるいは不作動にする制御器、特に論理制御器5に対応している。
更に、上記マイクロ波周波数のスイッチ8およびこの制御器5に循環的に指令を 出すために、本発明による装置は計算および同期ユニット】3を有しており、上 記スイッチ8と上記制御器5を協働させて、少なくとも測定されるべき物体の温 度T、を決定するように、スイッチの各状態に対して定義される関係式の体系に ついて数学的にリアルタイムの解を得ることができるようにされている。
より詳しくは、本発明の測定プロセスによれば、上記処理手段の入力、より正確 には、増幅器−受信器15の入力は、循環的に次のものに結合される。ニ 一スイツチのチャンネル1を使用することにより、温度T、の負荷1O1 一スィッチのチャンネル1を使い、かつ、制御器5を経て上記発生源ΔT、を供 給することにより、温度T1の負荷10およびノイズ発生源9.ΔT、、 一スィッチをチャンネル2に設定し、ライン11を経て接地、−スイッチをチャ ンネル3に設定することにより、ライン4を経てアンテナ1、 一スイツチをチャンネル3に設定することにより、かつ、制御器5を経て発生源 ΔT、を供給することにより、ライン4を経てアンテナ1、および上記補助的ノ イズ発生源9、−スイッチをチャンネル4に設定することにより、温度T2の負 荷12゜ このようにして、各サイクルにおいて、次のような関係式の体系が得られる。: V、=rg (’r+ +Ta) V+s=T g (Tl + 7 a+ΔT、〕Vz = r g (T e  +’r a )Vz=rg((11Roxl”)Tx+1Roxl”Te+Ta )Vss=rg((11Roxl”)Tx+1Roxl”Te+Ta+(1+1 Roxl”ΔT3〕 V4 = r g (Tz + T a )この体系は、6つの式と6つの未知 数を有しており、マイクロプロセッサおよびその周囲のアナログ入出力インター フェース(アナログ−ディジタル/ディジタル−アナログ変換器)、理論入力お よび出力ボード(PIA)やディスプレイ手段により構成されている計算ユニッ ト13のような通常の計算手段を用いて処理することができる。
そこで、ユニット13は、それらの6つのパラメータを決定し、そして、特に、 温度の値T、およびアンテナの反射係数IRo l”の表示を行う。更に、必要 ならば、増幅器の特性に関するパラメータγg、TeおよびTa、ΔT、が表示 される。
結論的には、種々のパラメータは次の関係式から得ることができより運営される 。ニ ー論理ボードの初期化、 一マイクロ波周波数スイッチの4つのチャンネルの動作および例えばn=100 の“n”サンプルに按分された無線測定信号の取り込み、 一制御器5による上記ノイズ発生源ΔT、の作動あるいは作動停止、 一パラメータTx、IRoxl” 、Te、Ta、γg、ΔTs の計算、 −“n”サンプル値のパラメータの平均化、−結果の表示、 一初期化へのリターン。
負荷10および12の構造に関しては、そのインピーダンスが増幅器人力インピ ーダンスに整合するような負荷、そこで当面のケースにおいては、50オームの インピーダンスをもち、それぞれが予め設定された既知の温度T1および/ある いはT2に設定されている負荷が用いられる。
マイクロ波周波数のスイッチ8には、4チヤンネルのMES FET素子の組合 せを用いるのが有効である。
−例として、図3はそのようなMES FETの組合せにより、高絶縁性の2チ ャンネルマイクロ波周波数スイッチを形成したものが示されている。
そこでは、4個のMES FET素子14が直列に配設されており、それらのゲ ートは計算および同期ユニット13によりG、およびGtを通してそれぞれ2個 づつ制御されるようになっている。
点ES、およびES、の間に、2つのチャンネルが形成され、Eはスイッチの共 通点である。
このような技術は、当業者に既知の範囲内のものであり、4チヤンネルスイツチ の製作に応用することができる。
最後に、図4および図5は、ノイズ発生源9として設計された2つの実施例を示 している。
図4は、ショットキー接合に逆バイアスを与えてアバランシ(なだれ)状態を生 じさせたMES FET 19により形成された補助ノイズ発生源9を示してい る。そのようにして得られたアバランシノイズは電流l118により制御されて いる。
他方、図5は、上記手段の入力に配置され、その入力インピーダンスに比べて大 きいオーム値を有する抵抗17Rpに直列に配置されたアバランシダイオード1 6を用いる場合を示している。
この回路もまた、当業者に既知の範囲内のものである。しかし、念頭に置くべき 基本的な標準としては、増幅器入力インピーダンスに比べて高いインピーダンス を有するノイズ発生源を製作し、回路の不整合を避けることがある。
アンテナについては、測定用セル、アプリケータあるいはダイポール等のマイク ロ波周波数の放射を検出できる装置であればいかなるものをも用いることができ る。
負荷lOあるいは12の温度値T、あるいはTtを決定するために、図6および 図7に示すような種々の方法を用いることができる。
図6においては、負荷IOあるいは12を構成するものとして、既知の温度係数 を有するAsGaブレーナ抵抗がホイートストンブリッジ23中に設けられてお り、そのブリッジは、例えば、DCあるいはAC電源22の供給を受け、かつ、 インダタタンスーキャバシタンスT型濾波器20.21を経て供給される温度T 、あるいはT2に比例した信号を25に出力する。
図7においては、既知の温度係数をもつニッケルークロム(NiCr)あるいは ニッケル化タンタル(NiTa)の抵抗膜24が、ポリミド(po 1yi*  t de)部材26により絶縁された負荷10あるいは12を構成するAsGa ブレーナ抵抗の上に被着される。これらのNiCrあるいはNiTa抵抗24は 、例えば先述したように、ホイートストンプリンジ23のような測定用ブリッジ 中に設けられる。
このケースの場合、以上の説明はマイクロ波周波数スイッチ8に損失がないとし て行われた。しかし、そのようなスイッチは、必然的にある抵抗を有しており、 それはスイッチのチャンネルのうちの一つの伝送形態である「a」によって特性 づけられる。
こうして、温度ノイズパワーの一部はそのスイッチにより減衰され、設けられる スイッチは温度Tco−まで移行させる減衰器に等価であるとみなされる。かく して、出力電圧VSの一般的な関係式は、次のように表わされる。: Vs=g r ((1−a(1−1Roxl”)−l Roxl” a” )T call+a” l Roxl” Te+a (1−l Roxl”)Tx+T a+ΔT* (1+az IRoxl” ))装置の単結晶集積化のために、ス イッチ8が直近に配置されるならば、Tco−はT、の値となると仮定できるこ とに留意すべきである。
温度T2に設定される他方の負荷12については、当業者によく知られている技 術であるヒートシンク手段により、それは他の部分から熱的に絶縁されている。
こうして、新しい未知数ra、が導入され、それは新しい補助的な関係式を決定 するために有効である。このことは、上述のようにスイッチにより可能となり、 例えば次のような付加ステップにより実現される。
一スィッチをチャンネル2に設定し、制御器5を経て上記発生源T、を供給する 。
こうして、次の関係式が得られる。: Vzs=g7 ((1−a” )Tcos +a” Te+Ta+ (1+a”  )ΔT、) そして、Tco−=T+ とすれば、関係式は次のようになる。
Vzs=g r C(1−a” )T、+a” Te十Ta+(1+a2)ΔT 、) それにもかかわらず、もしスイッチにおける損失を無視しなければ、上式に合致 した計算により種々の変数を決定する関係式を得ることができる。すなわち、T cow = T +を固定化すれば、次の各式となる。
V+ =gr ((1−a)TI +aT、+Ta)Ls=g r ((1a) TI +aTl +Ta+ΔT8〕Vz =gr C(1−a” )T、+a”  Te+Ta:IVs =gr ((1−a (1−I Ro l”)−a”  l Ro l” )T++a” ]IRo!” Te+ (1−l Ro l” )aTx+Ta)V*s=gT ((1−a (1−l Ro I”)−a”  IRo l” )T。
+a” l Ro l” Te+ (1−l Ro l”)aTx+Ta+ΔT z (1+a” l Ro l” ) 1v4=gr ((1−a)TI +a TZ +Ta〕用も強調すべきであり、それは与えられた物質あるいは対象物の マイクロ波周波数の反射係数を決定するための応用である。
そして、この手法を用いて、与えられた物質の例えば水分量、構造等の誘電的あ るいは物理的な特性を決定することも可能である。
当業者が容易に想いつく本発明のその他の実施例は、本発明の技術的範囲から離 れない範囲で設計自在であることは言うまでもない。
FIG、2 要約書 本発明は、マイクロ波放射を用いて、物質あるいは対象物の温度Txを測定する 方法および装置、並びに、物質あるいは対象物の超高周波周波数の反射係数を決 定するためにその方法を応用することに関する。本方法によれば、アンテナ(1 )により放出されたマイクロ波放射が捕捉され、受信された信号が信号処理手段 (3)に送られる。加えて、アンテナ(1)とその手段(3)との間に、所定の インピーダンスのライン(4)が介挿され、そのインピーダンスはその手段(3 )の入力インピーダンスの関数であり、かつ、それは処理される信号の波長より 著しく大きい長さしを有し、その手段(3)の相互作用ファクタが無視しうる程 度のものである。更に、出力電圧は、その処理手段(3)の構造を循環的に変更 することにより全てのパラメータを計算しうるように処理される。
国際調査報告 ell−酢−I Ate−−II@、 PCT/ F R92/ 00080国 際調査報告 FR92000B0 S^ 56646

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.マイクロ波周波数の放射を利用して、与えられた物質あるいは対象物の温度 Txを測定するプロセスであって、それによって、 反射係数|Rox|2をもつアンテナ(1)により放出されたマイクロ波放射を 検出し、 受信された信号が信号処理手段(3)に伝送され、上記手段(3)の入力インピ ーダンスの関数であるところの所定のインピーダンスを有し、かつ、処理される 信号の波長に比べて極めて大きく、そのため、上記手段(3)の相互作用ファク タが無視しうるものであるような長さLを有するライン(4)が上記アンテナ( 1)と上記手段(3)との間に介挿され′ていることにより特徴づけられるプロ セス。 2.請求項1に基づく測定プロセスであって、アンテナ(1)により受信された 信号が、上記長さLのライン(4)を通って、パワー利得γg、入力ノイズ温度 Teおよび出力ノイズ温度Taを有する上記処理手段(3)の入力に伝送され、 それにより、上記手段の出力に次式の出力電圧:Vs=gγ〔Tx(1−|Ro x|2)+Te|Rox|2+Ta〕が得られ、そして、全てのパラメータが、 上記手段(3)の構造を循環的に変更することにより、周期的に計算されること により特徴づけられるプロセス。 3.請求項2に基づくプロセスであって、上記処理手段(3)が、更に、選択的 かつ循環的に高インピーダンスのノイズムTBの発生源(9)の影響を受けるよ うにされ、そして、次のような電圧: Vs=gγ〔Tx(1−|Rox|2)+Te|Rox|2+Ta+ΔTB(1 +|Rox|2)〕 が上記手段(3)の出力に得られることにより特徴づけられるプロセス。 4.請求項3に基づくプロセスであって、上記処理手段(3)の入力が循環的に 次のもの:−既知の特性および温度T1を有する負荷(10)、−上記負荷(1 0)およびノイズムTBの発生源(9)、−長さLを有するライン(11)を経 て接地、−上記長さLを有する介挿ライン(4)を経て上記アンテナ、−上記ラ イン(4)を経てアンテナ(1)および上記ノイズΔTBの発生源(9)、 −既知の特性および温度T2を有する負荷(12)、に結合されることにより特 徴づけられるプロセス。 5.請求項4に基づくプロセスであって、各サイクルにおいてそれぞれ得られる 関係式:V1=γg〔T1+T2〕 V15=γg〔T1+Ta+ΔTB〕 V2=γg〔Te+Ta〕 V3=γg〔(1−|Rox|2)Tx+|Rox|2Te+Ta〕v35=γ g〔(1−|Rox|2)Tx+|Rox|2Te+Ta+(1+|Rox|2 ΔTB)〕 V4=γg〔T2+T1〕 の体系を解くことにより、少なくとも温度T1が計算されることにより特徴づけ られるプロセス。 6.マイクロ波放射を利用して、与えられた物質あるいは対象物の温度T1を測 定するための請求項1に基づくプロセスを具現化することのできる装置であって 、 放射された信号を受信するためのアンテナ(1)と、信号を処理するための手段 (3)とを微え、更に、長さLをもち、上記手段(3)の入力インピーダンスの 関数である所定のインピーダンスをもち、アンテナ(1)と上記手段(3)との 間に配置され、かつ、該長さLは処理される信号の波長と比べて極めて大きいも のである介挿ライン(4)を備えていることにより特徴づけられる装置。 7.請求項6に基づく装置であって、 上記処理手段(3)が、直結増幅型マイクロ波周波数受信器(15)と、その後 段の二乗法則検波器(6)と、前段のマイクロ波周波数のマルチチャンネルスイ ッチ(8)とにより構成されていることにより特徴づけられる装置。 8.請求項6に基づく装置であって、 上記処理手段(3)が、更に、その入力に配置されており、補助的なノイズΔT Bを再送入するために適しているノイズ発生源(9)を有していることにより特 徴づけられる装置。 9.請求項8に基づく装置であって、 上記スイッチ(8)が、 −既知の特性および温度T1を有する負荷(10)、−接地に結合された長さL を有するライン(11)、−アンテナに結合された長さLを有する上記介挿ライ ン(4)、−既知の特性および温度T2を有する他の負荷(12)、−制御器( 5)により作動あるいは作動停止される上記ノイズΔTBの発生源(9)、 に結合される4つのヤイクロ波周波数チャンネルを有していることにより特徴づ けられる装置。 10.請求項9に基づく装置であって、一方で、上記マイクロ波周波数のスイッ チ(8)および循環的に動作される上記制御器(5)を作動させ、他方で、少な くとも測定されるべき物体の温度T1を決定するために、スイッチ(8)の各状 態により定義される関係式の体系についてリアルタイムの数学的解を求めさせる 計算および周期ユニット(13)を備えることにより特徴づけられる装置。 11.請求項7に基づく装置であって、上記受信器(15)がマイクロ波周波数 の通過帯域、大きい利得gおよび低ノイズファクタを有する単結晶集積回路化さ れた増幅器から構成されていることにより特徴づけられる装置。 12.請求項7に基づく装置であって、二乗法則検波器(6)がショットキー検 波器から構成されていることにより特徴づけられる装置。 13.請求項8に基づく装置であって、補助的なノイズ発生源(9)が逆バイア スされてアバランシ状態とされたMESFET素子(19)から構成されている ことにより特徴づけられる装置。 14.請求項8に基づく装置であって、補助的なノイズ発生源(9)が上記手段 (3)の入力に配設されており、その手段(3)の入力インピーダンスと比べて 大きいオーム値を有する抵抗Rp(17)に直列に配設されたアバランシダイオ ード(16)から構成されていることにより特徴づけられる装置。 15.請求項7に基づく装置であって、上記スイッチ(8)が4チャンネルルM ESFET素子(14)の組合せから構成されていることにより特徴づけられる 装置。 16.請求項6に基づく装置であって、ラインLが50オームのインピーダンス および2乃至4GH2の周波数通過帯域に対して少なくとも10cmの長さを有 するように選定されていることにより特徴づけられる装置。 17.請求項9に基づく装置であって、上記負荷(10,12)が50オームの インピーダンスを有し、かつ、予め定められた既知の温度T1,T2に設定され ていることにより特徴づけられる装置。 18.与えられた物質あるいは対象物のマイクロ波周波数の反射係数を決定する ために、請求項1乃至5のうちのいずれかに基づく測定プロセスを応用すること 。
JP92505018A 1991-02-01 1992-01-29 マイクロ波放射を用いて物質の温度を測定する方法 Pending JPH05505681A (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR9101344A FR2673470B1 (fr) 1991-02-01 1991-02-01 Procede, dispositif de mesure de temperature utilisant le rayonnement microonde et application pour la determination du coefficient de reflexion hyperfrequence d'un objet quelconque.
FR91/01344 1991-02-01
PCT/FR1992/000080 WO1992014164A1 (fr) 1991-02-01 1992-01-29 Mesure de la temperature d'un materiau, utilisant le rayonnement micro-onde

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH05505681A true JPH05505681A (ja) 1993-08-19

Family

ID=9409418

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP92505018A Pending JPH05505681A (ja) 1991-02-01 1992-01-29 マイクロ波放射を用いて物質の温度を測定する方法

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5341814A (ja)
EP (1) EP0523221B1 (ja)
JP (1) JPH05505681A (ja)
AT (1) ATE132272T1 (ja)
DE (1) DE69207095T2 (ja)
FR (1) FR2673470B1 (ja)
WO (1) WO1992014164A1 (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011054871A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Stanley Electric Co Ltd 半導体成長装置

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2705441B1 (fr) * 1993-05-14 1995-08-18 Seb Sa Procédé et dispositif de détermination d'un état de cuisson d'un aliment dans une enceinte fermée.
US6137440A (en) * 1996-12-03 2000-10-24 Raytheon Company Microwave active solid state cold/warm noise source
EP1315282A3 (en) * 1996-12-03 2004-05-12 Raytheon Company Microwave radiometer
JP3918021B2 (ja) 1996-12-03 2007-05-23 レイセオン カンパニー 可変型マイクロウェーブ コールド/ウォームノイズソース
EP1224905A3 (en) * 2001-01-17 2002-07-31 The Minister Of National Defence Of Her Majesty's Canadian Government Non-invasive 3-D intracranial thermography system
US6834991B2 (en) 2002-09-23 2004-12-28 Raytheon Company Radiometer with programmable noise source calibration
NZ522635A (en) * 2002-12-17 2005-11-25 Agres Ltd A method and apparatus for temperature measurement of frozen organic matter using electromagnetic radiation
WO2004080298A1 (en) * 2003-03-12 2004-09-23 Em Diagnostics, Inc. System for identifying thermal variations in breast tissue
US7052176B2 (en) * 2003-07-11 2006-05-30 University Of Texas System Remote temperature measuring system for hostile industrial environments using microwave radiometry
KR100634497B1 (ko) * 2003-10-16 2006-10-13 삼성전자주식회사 인체 내부 전자기파 측정을 위한 라디오-써모미터와 인체전자기파 측정 방법
ES2342958B2 (es) * 2008-09-03 2011-07-04 Emite Ingenieria Slne Analizador de multiples entradas y multiples salidas.
US8447385B2 (en) 2010-07-28 2013-05-21 Welch Allyn, Inc. Handheld medical microwave radiometer
DE102011016732B3 (de) * 2011-04-11 2012-07-05 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Radiometrische Kalibrationseinrichtung mit monolithisch integriertem Mehrfachschalter

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4346716A (en) * 1980-03-31 1982-08-31 M/A Com, Inc. Microwave detection system
FR2497947A1 (fr) * 1981-01-09 1982-07-16 Technologie Biomedicale Centre Procede et dispositif de thermographie-hyperthermie en micro-ondes
JPS5871735A (ja) * 1981-10-26 1983-04-28 Hitachi Ltd テレビジヨン受信機のチユ−ナ
GB8300779D0 (en) * 1983-01-12 1983-02-16 Univ Glasgow Microwave thermographic apparatus for bio-medical use
FR2561769B1 (fr) * 1984-03-21 1986-08-22 Centre Nat Rech Scient Procede de controle d'adaptation d'impedance dans les chaines de reception faible bruit et thermometre micro-onde miniature de mise en oeuvre du procede
US5220927A (en) * 1988-07-28 1993-06-22 Bsd Medical Corporation Urethral inserted applicator for prostate hyperthermia
FR2650390B1 (fr) * 1989-07-27 1992-10-30 Inst Nat Sante Rech Med Procede pour la mesure des temperatures par radiometrie microonde, avec calibration automatique de la mesure, et dispositif pour la mise en oeuvre de ce procede

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011054871A (ja) * 2009-09-04 2011-03-17 Stanley Electric Co Ltd 半導体成長装置

Also Published As

Publication number Publication date
ATE132272T1 (de) 1996-01-15
DE69207095T2 (de) 1996-08-08
EP0523221A1 (fr) 1993-01-20
EP0523221B1 (fr) 1995-12-27
FR2673470A1 (fr) 1992-09-04
DE69207095D1 (de) 1996-02-08
WO1992014164A1 (fr) 1992-08-20
FR2673470B1 (fr) 1993-06-04
US5341814A (en) 1994-08-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH05505681A (ja) マイクロ波放射を用いて物質の温度を測定する方法
US6834991B2 (en) Radiometer with programmable noise source calibration
US5867117A (en) Swept-step radar system and detection method using same
JP3348216B2 (ja) 特殊体の内部熱処理システム
CN101657707B (zh) 辐射度温度计
JP2011514533A (ja) 検出装置
US4777429A (en) Test arrangement
US6964514B2 (en) Temperature measuring apparatus
US3628151A (en) Radiometer gain control
Staszek Balanced six-port reflectometer with nonmatched power detectors
Laemmle et al. A 62 GHz reflectometer for biomedical sensor readout in SiGe BiCMOS technology
US11372035B2 (en) Measurement system and method for matching and/or transmission measurements
Chu et al. X-band monolithic microwave integrated detector based on MEMS thermoelectric power sensor
JP4465479B2 (ja) 共振器及び電子スピン共鳴分光装置
Watson et al. Frequency downconversion and phase noise in MIT
JP3037882B2 (ja) 放出された熱ノイズの測定により物体の温度を決定するための放射計および、この放射計を利用した測定方法
Yan et al. An integrated microwave detector based on MEMS technology for X-band application
EP1420256B1 (en) Method and device for determining sideband ratio of superconduction mixer using comb generator
Wang et al. Homodyne and heterodyne terahertz dielectric sensors: Prototyping and comparison in BiCMOS technology for lab-on-chip applications
WO2020231538A1 (en) Microwave detector
Hua et al. A GaAs MMIC-based X-band dual channel microwave phase detector based on MEMS microwave power sensors
US3955198A (en) Radar RF generator including a stable local oscillator and an exciter circuit
Hughes et al. A 5 Gc/s parametric reciever for radio astronomy
Ferrero et al. Recent technological advances for modular active harmonic load-pull measurement systems
Ubaichin et al. Radiometric Receiver for Passive Microwave Imaging System