JPH05505474A - diffractive optical element - Google Patents

diffractive optical element

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JPH05505474A
JPH05505474A JP91505962A JP50596291A JPH05505474A JP H05505474 A JPH05505474 A JP H05505474A JP 91505962 A JP91505962 A JP 91505962A JP 50596291 A JP50596291 A JP 50596291A JP H05505474 A JPH05505474 A JP H05505474A
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optical element
phase
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diffractive optical
phase zone
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JP91505962A
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Japanese (ja)
Inventor
グロシンガー、イスラエル
ケドミ、ヨシ
Original Assignee
ホロ―オア・エルティーディー
コヒーレント・インク
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    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B5/00Optical elements other than lenses
    • G02B5/18Diffraction gratings
    • G02B5/1876Diffractive Fresnel lenses; Zone plates; Kinoforms

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。 (57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 回折光学素子 発明の分野 本発明は概略回折光学素子に関する。[Detailed description of the invention] diffractive optical element field of invention The present invention generally relates to diffractive optical elements.

発明の背景 ビームを操作する回折光学素子を作ることは技術的に知られており、1つの例の 光ビーム操作により平形または球形の波面を一般化された波面に変換する。一般 に、回折光学素子は標準の光学素子よりも薄く、軽量でしかも一段と多能であり 、従ってレーザ・スキャナ、コンパクト・ディスク、レーザーコンピユータ化処 理、レーザ・レーダ及びバー・コード・スキャナのようなレーザ・ビーム処理シ ステムに用いるのが望ましい。Background of the invention It is known in the art to make diffractive optical elements that manipulate beams, and one example is A flat or spherical wavefront is converted into a generalized wavefront by optical beam manipulation. general Diffractive optics are thinner, lighter, and more versatile than standard optics. , hence laser scanners, compact discs, and laser computerized processing. Laser beam processing systems such as laser radar and bar code scanners Preferably used for stems.

びT、スハラによる論文「マイクロ・フレネル・レンズ」は、フレネル型の回折 レンズに関する背景情報を表す。The paper “Micro Fresnel Lens” by T. Represents background information about the lens.

1970年、オプティク31で出版されたエイチ、ダマン(H,Damman) による論文「輝く合成位相−オンリー・ホログラム」は、ホログラムと共に使用 する回折レンズの効率を検討している。H, Damman, published in Optik 31 in 1970. The paper "Shining Synthetic Phases - Only Holograms" by We are studying the efficiency of diffractive lenses.

回折光学素子を製造する方法及びその効果は、ガーリイ(GI+7]J、スヮソ ン(Svason)及びウィルフリット(Wilf+id) B、ベルドカンプ (Ve l dLamp)による以下の論文において検討されている: 1989年6月、「赤外線システムに用いる回折光学素子」光学工学の第28巻 第6号、第605−608頁; 「回155−162頁: 「2進光学素子の組み立ての開発j、5PIE第437巻・コンピュータ発生式 ホログラフィに関する国際会議、1983年の第54−59頁。A method of manufacturing a diffractive optical element and its effects are described by Gurley (GI+7) J, Suwaso Svason and Wilfrit B., Veldkamp (Veil dLamp) in the following paper: June 1989, “Diffractive optical elements used in infrared systems” Optical Engineering Vol. 28 No. 6, pp. 605-608; “Development of assembly of binary optical elements j, 5PIE Volume 437/Computer-generated formula International Conference on Holography, 1983, pp. 54-59.

スワソン及び、ベルドカンの方法により作られた光学素子は多数の位相ゾーンを 有するが、そのゾーンの形状は光学素子の位相プロファイルによって定められか つ一連の段階を有しかつゾーンの各段階の幅はゾーンの位相プロファイルにより 変化する。位相ゾーンごとの段階の数は光学素子の効率を定め、この場合、例え ば8つの段階は約95%の効率をもつ光学素子を造り、また16段階は99%の 効率を持つものを作る。残念ながら、最小のゾーンは段階の数を指示するが、こ れは光学素子の効率を制限する。Optical elements made by the Swason and Berdcan method have multiple phase zones. However, the shape of the zone is determined by the phase profile of the optical element. The zone has a series of steps, and the width of each step of the zone depends on the phase profile of the zone. Change. The number of steps per phase zone determines the efficiency of the optical element, and in this case, for example For example, eight stages create an optical element with approximately 95% efficiency, and 16 stages create an optical element with approximately 99% efficiency. Create something that is efficient. Unfortunately, the smallest zone dictates the number of stages, but this This limits the efficiency of the optical element.

本方法にはN個のマスクを発生させる段階が含まれるが、これは光学素子の材料 を腐食させるのに用いられたとき、各位相ゾーンにおける2N個の段階を作る。The method includes the step of generating N masks, which are made of materials of the optical element. when used to erode 2N stages in each phase zone.

全ての段階は同じ高さを有するが、幅はゾーン形状により変化する。All stages have the same height, but the width varies depending on the zone shape.

作られた光学素子の効率が使用されるマスクの数とともに不連続に増加するのは 、各マスクが段階の数を倍にするからである。本方法は不連続なレベルの効率の 間で効率と共に光学素子を作る方法を提供しない。The efficiency of the optical element made increases discontinuously with the number of masks used. , since each mask doubles the number of steps. The method achieves discrete levels of efficiency. does not provide a method for making optical elements with efficiency in between.

上述の効率の測定は、光学素子の上に当たる幅広いビームに関する。レーザ・ス キャナでは共通であるように、光学素子に沿う狭ビーム・スキャンについては、 上述の方法で作られた光学素子の効率は光学素子にわたって変化する。これは、 段階の福が変化するという事実による。段階が広かったり、ビーム幅より広かっ たりするならば、狭ビームは平らな表面上に有効に衝突する。The efficiency measurements described above relate to a wide beam impinging on the optical element. laser s For narrow beam scanning along the optic, as is common in scanners, The efficiency of optical elements made with the methods described above varies across the optical element. this is, This is due to the fact that the stages of fortune change. If the step is wide or wider than the beam width. , the narrow beam effectively impinges on a flat surface.

米国特許第4.846.552号は、ホログラフを利用する2逸事面光学素子を 作る方法、及び粗大規模集積(VLSI)技術を説明している。U.S. Pat. No. 4,846,552 describes a two-plane optical element that utilizes holography. It describes how to make it and the coarse-scale integration (VLSI) technology.

発明の概要 本発明の1つの目的は、ゾーン当りの段階の数が光学素子を横切って変化する回 折光学素子を製造することである。Summary of the invention One object of the present invention is to provide an optical system in which the number of steps per zone varies across the optical element. The purpose of this invention is to produce a refractive optical element.

したがって、ベースと少なくとも第1及び第2位相ゾーンとを含む回折光学素子 が提供されるが、この場合第1位相ゾーンは第1多数の段階を含み、また第2位 相ゾーンは第2多数の段階を含みかつその場合に第1多数および箪2多数の段階 は異なっている。Accordingly, a diffractive optical element comprising a base and at least first and second phase zones is provided, where the first phase zone includes a first number of stages and a second number of stages is provided. The phase zone includes a second number of stages and in that case a first number of stages and a second number of stages. are different.

さらに、本発明の好適実施例により、jlrlおよび第22の多数の段階の高さ は一定ではない。Further, in accordance with a preferred embodiment of the present invention, the height of jlrl and the 22nd multiple step is not constant.

またさらに、本発明の好適実施例により、光学素子の所定サイズの面積当たりの 段階の数は一般に、光学素子にわたって等価である。Still further, according to a preferred embodiment of the present invention, The number of stages is generally equivalent across the optical element.

本発明の好適実施例により、回折光学素子を組立てる方法において、段階式位相 ゾーンを作るためのマスクの集まりを定める段階も提供されるが、この場合マス クの集まりの少なくとも1つは少なくとも1つの位相ゾーンで部分的にマスク・ アウトし、その結果少なくとも1つの位相ゾーンが部分的に食刻される。In accordance with a preferred embodiment of the invention, a method of assembling a diffractive optical element includes a stepwise phase A stage is also provided for defining a collection of masks to create a zone; At least one of the collections of blocks is partially masked in at least one phase zone. out, resulting in at least one phase zone being partially etched.

最後に、本発明の好適実施例により、段階式位相ゾーンを作るためのマスクの集 まりを定める段階を含む回折光学素子を組み立てる方法が提供され、この場合少 なくとも1つのマスクの集まりは少なくとも1つの位相ゾーンで一部マスク・ア ウトし、その結果少なくとも1つの位相ゾーンは部分的に食刻され、マスクの集 まりを発生させ、ホトレジストの層によって回折光学素子を被覆し、ホトレジス トの層の上にマスク連の内の1つのマスクを置き、1つのマスクを通してホトレ ジストを露出させ、それによってホトレジスト上にマスク・パターンを作り、光 学素子を食刻し、回折光学素子をホトレジストの層で被覆し、ホトレジストの層 の上のマスクの集まりのもう1つのマスクを整合し、さらにマスクの集まりの全 部が使用されるようになるまで露出、食刻、整合および被覆の諸段階を反復する 。Finally, in accordance with a preferred embodiment of the present invention, a collection of masks for creating graduated phase zones is provided. A method of assembling a diffractive optical element is provided that includes the step of defining a At least one collection of masks has a partial mask alignment in at least one phase zone. and as a result at least one phase zone is partially etched and the mask collection The diffractive optical element is coated with a layer of photoresist, and the photoresist is Place one mask of the mask series on top of the photoresist layer and pass the photoresist through one mask. exposing the photoresist, thereby creating a mask pattern on the photoresist, and exposing the photoresist to light. etching the optical element and coating the diffractive optical element with a layer of photoresist; Align another mask in the collection of masks above the repeating the exposing, etching, matching and coating steps until the part is ready for use. .

図面の簡単な説明 本発明は図面と共に説明された下記の詳細な説明から一段と完全に理解されかつ 認められると思う。Brief description of the drawing The present invention will be more fully understood and understood from the following detailed description taken in conjunction with the drawings. I think it will be recognized.

第1A図は、理想の回折光学素子の横断面を示す図である。FIG. 1A is a diagram showing a cross section of an ideal diffractive optical element.

第1B図は、本発明の好適実施例により作られた局部制御の効率と作動と共に回 折光学素子の横断面を示す図である。FIG. 1B illustrates the efficiency and operation of local controls made in accordance with a preferred embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing a cross section of a refractive optical element.

第2図は、第1B図の回折光学素子を組立てる方法の概略を示す流れ図である。FIG. 2 is a flowchart outlining a method for assembling the diffractive optical element of FIG. 1B.

第3A図は、東1マスクの発生を示すために標示された理想の回折素子を示す横 断面図である。Figure 3A is a horizontal view showing an ideal diffractive element labeled to show the occurrence of the East 1 mask. FIG.

第3B図は、第1マスクが食刻されてからの光学素子を示す横断面図である。FIG. 3B is a cross-sectional view of the optical element after the first mask has been etched.

第3C図は、食刻すべき光学素子の上に置かれた第1マスクを示す略図である。FIG. 3C is a schematic diagram showing the first mask placed over the optical element to be etched.

第4A図は、第2マスクの発生を示すために標示された理想の回折素子を示す横 断面図である。Figure 4A is a horizontal view showing an ideal diffractive element labeled to show the generation of a second mask. FIG.

第4B図は、第1および第2マスクが食刻されてからの、光学素子を示す横断面 図である。FIG. 4B is a cross-section showing the optical element after the first and second masks have been etched. It is a diagram.

第4C図は、食刻すべき光学素子の上に置かれた第2マスクを示す略図である。FIG. 4C is a schematic diagram showing a second mask placed over the optical element to be etched.

第5A図は、第3マスクの発生を示すために標示された理想の回折素子を示す横 断面図である。Figure 5A is a horizontal view showing an ideal diffractive element labeled to show the generation of the third mask. FIG.

第5B図は、第1、第2および東3マスクが食刻されてからの、光学素子を示す 横断面図である。Figure 5B shows the optical element after the first, second and east 3 masks have been etched. FIG.

第5C図は、食刻すべき光学素子の上に置かれた第3マスクを示す略図である。FIG. 5C is a schematic diagram showing a third mask placed over the optical element to be etched.

発明の詳細な説明 箪IA図と第2A図は、それぞれ理想の回折光学素子10および本発明の好適実 施例により作られかつ作動する局部制御された効率11を持つ光学素子を示す。Detailed description of the invention Figure IA and Figure 2A show an ideal diffractive optical element 10 and a preferred embodiment of the present invention, respectively. 1 shows an optical element with locally controlled efficiency 11 made and operated according to an embodiment;

理想の回折光学素子10は、光の到来ビームの与えられた波面の位相遅延分配機 能の連続位相プロファイルを形成する多数の位相ゾーン20で一体形成されるベ ース12を含む。技術的に既知であるように、位相ゾーン20の形状は、片側で 直線縁16でありかつ他の側でなめらかな曲線18である。The ideal diffractive optical element 10 is a phase delay splitter for a given wavefront of an incoming beam of light. The base is integrally formed with a large number of phase zones 20 forming a continuous phase profile of the function. including base 12. As is known in the art, the shape of the phase zone 20 is A straight edge 16 and a smooth curve 18 on the other side.

本発明の好適実施例によると、光学素子11はベース13の上に一体構造として 形成された多数の位相ゾーン14を含み、この場合曲線18の理想の形状は一連 の段階22によって概算されるが、その高さと幅は変化する。According to a preferred embodiment of the invention, the optical element 11 is mounted as a monolithic structure on the base 13. The ideal shape of the curve 18 includes a number of phase zones 14 formed, in which case the ideal shape of the curve 18 is a series of is approximated by step 22, but its height and width vary.

段階の幅は一般に、以下に一段と詳しく説明される通り、組立工程の最小分解に よって指示され、それによって段階が作られる。「位相ゾーン」14によって、 それは位相ゾーンを意味するが、その段階22は完全な曲線18を概算する。The width of the steps generally corresponds to the minimum disassembly of the assembly process, as explained in more detail below. Therefore, instructions are given, and stages are thereby created. By "phase zone" 14, That step 22 approximates the complete curve 18, which means a phase zone.

ゾーン14当たりの段階の数は、一般に各曲線18の形状の概算を作るように、 光学素子11にわたって変化する。位相ゾーン14は、その1つの区域にある多 数の密な間隔の小段階22を有することができる一方、他の区域はさらに離れて 広がったより深い段階を持つことができる。別法として、位相ゾーン14の全段 階は、等しい高さを通じて行うことができる。段階22の配列は、所要の局部お よび全体的な効率によって定められる。The number of steps per zone 14 is generally such that the shape of each curve 18 is approximated. varies across the optical element 11. The phase zone 14 consists of multiple It is possible to have a number of closely spaced sub-steps 22 while other areas are further apart. Can have deeper stages of expansion. Alternatively, all stages of phase zone 14 Floors can be made through equal heights. The arrangement of step 22 and overall efficiency.

当業者によって認められると思うが、段階22の一般に小さい幅により、本発明 の光学素子11は、従来技術の光学素子よりも到来する光ビームの波面をより良 く概算し、したがって効率が良い。さらに、光学素子11の効率が米国特許第4 .895.790号の不連続レベルに制限されないのは、位相ゾーン14の段階 の数が一定でないからである。As will be appreciated by those skilled in the art, the generally small width of step 22 makes it possible to The optical element 11 improves the wavefront of the incoming light beam than the optical elements of the prior art. It is a good approximation and therefore efficient. Furthermore, the efficiency of the optical element 11 is .. Not limited to the discontinuous levels of No. 895.790 are the phases of phase zone 14. This is because the number of is not constant.

さらにその上、本発明の光学素子11は、局部効率を制御することができる。そ のような素子11について、段階22の幅は一般に同一であり、製造上の拘束を 受ける。そのような光学素子にわたってスキャンする狭ビームは、典型的に述べ れば、それが光学素子にわたってスキャンするにつれて一般に同等数の段階で衝 突し、したがってその上ビームは一般にスキャンを通じて等しく回折される。幅 に関係なく位相ゾーン当たりの同一数の段階を持つ従来技術の光学素子では、狭 スキャン・ビームは広い位相ゾーンによりあまり回折されず、薄い位相ゾーンに よって一段と有効に回折される。Furthermore, the optical element 11 of the present invention allows for control of local efficiency. So For elements 11 such as receive. A narrow beam scanning across such an optical element is typically If the The beam is therefore generally equally diffracted throughout the scan. width Prior art optics with the same number of steps per phase zone regardless of the narrow The scanning beam is less diffracted due to the wide phase zone and is reduced to a thin phase zone. Therefore, it is diffracted even more effectively.

いま、光学素子11の組立ておよび3個のマスクの発生に用いる方法をそれぞれ 例示する第2.3A−3C。Now, we will explain the methods used to assemble the optical element 11 and generate the three masks. Exemplary Sections 2.3A-3C.

4A−4Cならびに5A−5C図を参照する。段階50において、光学素子は、 入射光ビームと所望の出射光ビームとの両方の特性を定めることによって決定さ れる。See Figures 4A-4C and 5A-5C. In step 50, the optical element: determined by characterizing both the incident light beam and the desired output light beam. It will be done.

これは、製造すべき光学素子の光特性を定める。This defines the optical properties of the optical element to be manufactured.

例えば、コリメート・レンズ用の球形位相プロファイルは: phi (1,r)=(2pi/ラムダ)”+qrt(z2+y2+F) (1 )ただしラムダは入射光ビームの波長である。For example, a spherical phase profile for a collimating lens is: phi (1, r) = (2pi/lambda)” + qrt (z2 + y2 + F) (1 ) where lambda is the wavelength of the incident light beam.

第2例は象限位相プロファイルの例である:p h i (r、y) ・2p  i/ラムダ ((x2+72)/2D (2)第3例は一段と一般的な非球形の 位相プロファイルである: phi (+12pi/ラムダ (和 (x、rl)) (3)ただしrは光学 素子の中心からの半径であり5prt(x2+y2)に等しく、aiは光学素子 の設計された使用によって定められる係数であり、iは1と係数a。The second example is an example of a quadrant phase profile: p h i (r, y) ・2p i/lambda ((x2+72)/2D (2) The third example is a more general non-spherical The phase profile is: phi (+12pi/lambda (sum (x, rl)) (3) where r is optical The radius from the center of the element is equal to 5prt(x2+y2), and ai is the optical element is a coefficient determined by the designed use of i is 1 and the coefficient a.

の所要数との間で変化する。The required number of

段階52において、位相ゾーンは位相プロファイルphi (x、y)モジュロ 2piを評価することによって定められる。これは直線縁16の光学素子の場所 を作り、それによって位相ゾーン14の変化する幅Dt(第1B図)を作る。M は光学素子上の位相ゾーン14の数であり、iは1とMとの間で変化する。さら に、位相ゾーン14の高さTは下記の通り定められる。In step 52, the phase zone is determined by the phase profile phi (x, y) modulo It is determined by evaluating 2pi. This is the location of the optical element on straight edge 16 , thereby creating a varying width Dt of the phase zone 14 (FIG. 1B). M is the number of phase zones 14 on the optical element, and i varies between 1 and M. Sara Then, the height T of the phase zone 14 is determined as follows.

T=ニラムダ/デルタn(4) ただしデルタ−1は、素子が埋め込まれて、光学素子11が作られるガラス、ヒ 化ガリウム、セレン化亜鉛、ゲルマニウムまたは水晶のような光学素子の材料で ある。T=nilamda/delta n(4) However, in Delta-1, the glass and the glass in which the element is embedded and the optical element 11 is made are Optical element materials such as gallium oxide, zinc selenide, germanium or quartz be.

位相ゾーンは、以下に説明される通り、VLSI食刻法により作られる。例えば 、位相ゾーンを作るに要する本質的な機器には、光学素子11の上に連続して置 くべき一連のマスクを発生させる電子またはレーザ・ビーム・パターン発生器と 、食刻されるべきではない部分を保護するために光学素子11の上にホトレジス トを広げるスピン・コータ(spin caster)と、連続マスクを高精度 で整合させかつホトレジストを露出させる紫外線(U、 V、 )露出システム と、与えられたマスクが光学素子11をカバーしない場合はいつでも所定の深さ まで光学素子11を食刻させる反応性イオン食刻剤とが含まれている。The phase zones are created by VLSI etching, as explained below. for example , the essential equipment required to create the phase zone includes a device placed continuously above the optical element 11. an electronic or laser beam pattern generator that generates a series of masks to be , photoresist on top of the optical element 11 to protect the parts that are not to be etched. A spin coater (spin caster) that spreads the pattern and a continuous mask with high precision Ultraviolet (U, V, ) exposure system that aligns and exposes the photoresist and a predetermined depth whenever a given mask does not cover optical element 11. A reactive ion etching agent is included for etching the optical element 11 up to a point.

段階54において、一連の2進マスク56が定められる。以下に示される通り、 マスク56は、少なくとも1つの位相ゾーン14の少なくとも1つの部分を一部 食刻させたり、位相ゾーン14の若干のみを全部食刻させたりするために、各位 相ゾーン14の全部を食刻させるように定められる。At step 54, a series of binary masks 56 are defined. As shown below, Mask 56 partially covers at least one portion of at least one phase zone 14. To etch or to etch only some of the phase zone 14 completely, It is determined that the entire phase zone 14 is etched.

第3A−3C,4A−4Cおよび5A−5C図は、2進マスク56が3つのマス ク56a、56bおよび56cと共に食刻すべき3つの位相ゾーン14の例の円 形光学素子11が定められる方法を示す。第3A、4Aおよび第5A図は理想の 位相ゾーン20の側面図を示す。Figures 3A-3C, 4A-4C and 5A-5C show that the binary mask 56 is An example circle of three phase zones 14 to be etched with blocks 56a, 56b and 56c. 2 shows how the shaped optical element 11 is defined. Figures 3A, 4A and 5A are ideal A side view of the phase zone 20 is shown.

第3C,4Cおよび50図は、平面図において、それぞれ第3B、4Bおよび5 B図の側面図に示される食刻された光学素子11を作るマスク56a、56bな らびに56cを示す。Figures 3C, 4C and 50 are respectively 3B, 4B and 50 in plan view. Masks 56a, 56b forming the etched optical element 11 shown in side view in Figure B. and 56c.

第3C図の第1例のマスク56aは、各位相ゾーン14の全部を食刻させるもの である。マスク56aは、第3C図に円形リング60として示されている多数の 等位相境界を作るために、円形光学素子11の全部による等式1モジュロ・パイ (π)を評価することによって定められる。マスク56aの第1マスク・アウト 部分62aは、第1等位相境界と第2等位相境界との間にわたるものである。次 の連続する等位相境界間の区域は、露出されているものから露出されていないも のまで交互にあり、この場合マスク・アウト部分は62bおよび62cとして標 示される。The first example mask 56a of FIG. 3C is one in which each phase zone 14 is etched in its entirety. It is. Mask 56a includes a number of circular rings 60 shown in FIG. 3C. To create an equiphase boundary, equation 1 modulo pi by all of the circular optical elements 11 (π). First mask out of mask 56a The portion 62a spans between the first equi-phase boundary and the second equi-phase boundary. Next The area between successive equiphase boundaries of , in which case the masked out portions are marked as 62b and 62c. shown.

この作動は、1本がT/2の高さにあり、また1本がベース13にある2つのラ イン57を引(ことによって想定することができ、この場合Tは方程式2で定め られかつ第3A図に示されている。曲線18と上方ライン57との交差点は、マ スク56aの多数のマスク・アウトされた部分62a−62cの内の1つの終り を標示する。マスク・アウトされた各部分62a−62cの始まりは点59で定 められるが、この場合下方ライン57は曲線18と交差する。This operation requires two lamps, one at the height of T/2 and one on the base 13. can be assumed by subtracting in57 (in which case T is defined by Equation 2) and is shown in FIG. 3A. The intersection of curve 18 and upper line 57 is end of one of multiple masked-out portions 62a-62c of screen 56a. be marked. The beginning of each masked out portion 62a-62c is defined at point 59. However, in this case the lower line 57 intersects the curve 18.

第4C図において56bで標示された第2マスクは、例示の光学素子11の位相 ゾーン14の内の2つを完全に食刻し、かつ第3位相ゾーン14を一部食刻する ものである。マスク56bは、次の2つの例外とともに上記と同様な方法により 形成される。8)方程式1が、T/4の距離だけ隔置された4つのライン64を 引くために等価なモジュロ・パイ(π)/2を評価し、またb)すべての箪i位 相ゾーン14について、作るべき各可能な段階22の幅が製造分解能より大きか ったり等しかったりする所定の最小幅より大きくなることの検査が行われる。可 能な段階22の幅が分解能より大きいならば、段階22が食刻される。他の点で は、区域は可能な段階22を作らないようにマスク・アウトされる。例えば第4 B図において、最も遠い段階66は、製造工程の分解能より小さい幅dを有する 。つまり、段階66はマスク・アウトされる。合成マスクは部分68a−68f をマスク・アウトされるが、この場合部分68fはさらに段階66をマスク・ア ウトする。The second mask, labeled 56b in FIG. 4C, represents the phase of the exemplary optical element 11. Two of the zones 14 are fully etched and a third phase zone 14 is partially etched. It is something. Mask 56b is created in a manner similar to that described above, with the following two exceptions: It is formed. 8) Equation 1 defines four lines 64 separated by a distance of T/4. Evaluate the equivalent modulo pi (π)/2 to subtract, and b) all the i positions For the phase zone 14, is the width of each possible step 22 to be made greater than the manufacturing resolution? A test is made for being greater than or equal to a predetermined minimum width. Possible If the width of the available step 22 is greater than the resolution, then the step 22 is etched. in other respects , the area is masked out so as not to create a possible step 22 . For example, the fourth In Figure B, the farthest step 66 has a width d that is less than the resolution of the manufacturing process. . That is, step 66 is masked out. Composite mask is part 68a-68f is masked out, but in this case portion 68f is further masked out by step 66. I go out.

第3例のマスク56cが定められるが、この場合等式1はT/8の距離だけ隔置 された8本のライン70を引くのに相当する評価されたモジュロ・パイ(π)/ 4である。もう一度述べれば、各可能段階22の幅は、最小幅に対してチェック され、また幅があまりにも小さいならばマスク・アウトされる。第5B図におい て、最も遠い位相ゾーン14における可能な8つの段階22の幅は、すべて製造 分解能より小さく、つまり最も遠い位相ゾーン14の全部がマスク・アウトされ る。さらに、最も近い位相ゾーン14の部分および中間の位相ゾーン14がマス ク・アウトされる。つまり、第5B図において、最も近い位相ゾーン14にある 可能な8つの段階22の内の7つだけ、および中間ゾーン14の可能な8つの段 階の内の6つだけが作られる。このようにして、位相ゾーン14の若干は部分的 に食刻され、他はすべて食刻されない。A third example mask 56c is defined in which Equation 1 is spaced a distance T/8. The estimated modulo pi (π)/ It is 4. Once again, the width of each possible step 22 is checked against the minimum width. and masked out if the width is too small. Figure 5B Thus, the widths of the eight possible steps 22 in the farthest phase zone 14 are all The entire phase zone 14 smaller than the resolution, i.e. the farthest, is masked out. Ru. Further, the portions of the nearest phase zone 14 and the intermediate phase zone 14 are masked. is logged out. That is, in FIG. 5B, it is located in the closest phase zone 14. Only 7 of the 8 possible stages 22 and 8 possible stages of the intermediate zone 14 Only six of the floors will be built. In this way, some of the phase zones 14 are partially is etched, and all others are not etched.

位相ゾーン14の若干は部分的に食刻されるので、位相ゾーン14が食刻される 深さは、光学素子11を通じて一定ではない。位相ゾーンの総食刻深さり、は、 光学素子の最上部70から底の段階の位置までの距離として定められる。つまり 、第5B図において、それぞれ、内方の2つの位相ゾーン14の総食刻深さhl およびh2は等価である。外方位相ゾーン14の総食刻深さh3が総食刻深さh lより小であるのは、外方位相ゾーン14がマスク56bにより一部だけ食刻さ れてマスク56cのどれでもにより食刻されないからである。Some of the phase zones 14 are partially etched so that the phase zones 14 are etched. The depth is not constant throughout the optical element 11. The total etching depth of the phase zone is It is defined as the distance from the top 70 of the optical element to the position of the bottom step. In other words , in FIG. 5B, the total etching depth hl of the two inner phase zones 14, respectively. and h2 are equivalent. The total etching depth h3 of the outer phase zone 14 is the total etching depth h l is smaller than l because the outer phase zone 14 is only partially etched by the mask 56b. This is because it is not etched by any of the masks 56c.

認められると思うが、狭い光ビームがスキャンされる光学素子11について、各 位相ゾーン14の段階22の数は、狭ビームが一般に段階の一定数に直面するよ うなものである。このようにして、狭ビームの回折は一般に、それが光学素子1 1にわたってスキャンするにつれて一定である。この効果は、十分な段階22が 位相ゾーン14について食刻されることを保証することによって達成され、その 結果それらの幅の変化は小である。As will be appreciated, for each optical element 11 over which a narrow beam of light is scanned, The number of steps 22 in phase zone 14 is such that the narrow beam generally faces a constant number of steps. It is something like that. In this way, the diffraction of a narrow beam generally indicates that it constant as scanned over 1. This effect is due to the fact that sufficient stage 22 This is achieved by ensuring that the phase zone 14 is etched, and that As a result, their width changes are small.

認められると思うが、光学素子11を食刻するための多数のマスク56の使用は 、ゾーン当たりの多数の段階を作り、したがって光学素子11の効率は高くなる 。段階の数の下限が所要の効率である。段階の数の上限は、製造工程の分解能お よび経済的考慮によって定められる。As will be appreciated, the use of multiple masks 56 to etch optical element 11 is , creates a large number of stages per zone and thus the efficiency of the optical element 11 is high. . The lower bound on the number of stages is the required efficiency. The upper limit on the number of stages is determined by the resolution of the manufacturing process and and economic considerations.

追加の各マスクは、光学素子11の生産コストに加算する。Each additional mask adds to the production cost of optical element 11.

生産すべきマスク56の数は、所望の段階数および各段階22の所望高さに左右 される。各マスク56について、等式1は評価されたモジュロ・パイ(π)/2 (′−1)であり、ただし1はマスク数である。食刻深さ、または段階高さは、 箪1マスクについてT/2′である。The number of masks 56 to be produced depends on the desired number of stages and the desired height of each stage 22. be done. For each mask 56, Equation 1 is evaluated modulo pi(π)/2 ('-1), where 1 is the number of masks. The etching depth or step height is T/2' for the 1 mask.

段階80において、マスク56はそれらのホトプロットのプリンティングにより 作られ、次にそれらを光学素子11の所望サイズまでホトレゾユースする。別法 として、マスク56は電子ビーム発生器によって直接発生させることができる。At step 80, masks 56 are printed by printing their photoplots. and then photoresolution them to the desired size of the optical element 11. alternative method As such, the mask 56 can be generated directly by an electron beam generator.

段階82において、光学素子11は、上記の例についてマスク56a−56cと 共にマスク連によって連続食刻される。VLSI製造において知られる通り、ま ず、光学素子11の表面はホトレジストの層で被覆され、第1マスク56aはホ トレジストの上に置かれる。次に、光学素子11は紫外線の光によって照射され 、その後ホトレジストが作られる。つまり、マスク56aのパターンは、光学素 子11の表面上に置かれる。At step 82, the optical element 11 is connected to the masks 56a-56c for the above example. Both are continuously etched by the mask chain. As is known in VLSI manufacturing, First, the surface of the optical element 11 is coated with a layer of photoresist, and the first mask 56a is a photoresist layer. placed on top of the tresist. Next, the optical element 11 is irradiated with ultraviolet light. , then a photoresist is made. In other words, the pattern of the mask 56a is placed on the surface of child 11.

光学素子11は、任意の適当なリトグラフ工程を用いて食刻される。適当な工程 には、化学またはプラズマあるいは反応性プラズマ食刻が含まれ、それによって 各工程はそれ自身の最小製造分解能を持つ。Optical element 11 is etched using any suitable lithographic process. appropriate process includes chemical or plasma or reactive plasma etching, thereby Each process has its own minimum manufacturing resolution.

いったん食刻が完成すると、残りのホトレジストは、典型的に化学工程により除 去される。次に、第2マスク56cは、マスク整合器によって光学素子11に整 合される。上記の作動は、光学素子11がマスク56の全部のパターンと共に食 刻されるまで反復される。Once etching is complete, the remaining photoresist is typically removed by a chemical process. be removed. Next, the second mask 56c is aligned onto the optical element 11 by a mask aligner. will be combined. In the above operation, the optical element 11 is eclipsed together with the entire pattern of the mask 56. It is repeated until it is engraved.

当業者によって認められると思うが、本発明は、上記に特に示されかつ説明され たものに制限されない。むしろ、本発明の範囲は下記の請求の範囲によってのみ 定められる。As will be appreciated by those skilled in the art, the present invention is not limited to what has been particularly shown and described above. Not limited to what you have. Rather, the scope of the invention is defined solely by the following claims. determined.

要 約 回折光学素子(11)およびそれを作る方法が開示されている。光学素子(11 )はベース(13)および少なくとも第1および第2位相ゾーン(14)を含む が、この場合第1位相ゾーン(I4)は第1多数の段階(22)を含みかつ第2 位相ゾーンは第2多数の段階(22)を含むが、この場合前記第1位相ゾーン( 14)の第i段階から前記ベース(13)までの距離は、少なくともiの1つの 値について、前記第2位相(14)ゾーンの第i段階から前記ベース(13)ま での距離と異なっている。本発明の回折光学素子(11)を作る方法には、段階 式位相ゾーン(14)を作るためのマスクの集まりを定める段階が含まれるが、 この場合マスクの集まりの少なくとも1つは少なくとも1つの位相ゾーン(14 )の少なくとも1つの段階(22)を完全にマスク・アウトし、その結果少なく とも1つの位相ゾーン(14)の少なくとも1つの段階(22)は食刻されない と思われる。summary A diffractive optical element (11) and method of making the same are disclosed. Optical element (11 ) includes a base (13) and at least first and second phase zones (14). but in this case the first phase zone (I4) includes a first number of stages (22) and a second phase zone (I4). The phase zone comprises a second number of stages (22), in which case said first phase zone ( 14) from the i-th stage to the base (13) is at least one of i Regarding the value, from the i-th stage of the second phase (14) zone to the base (13) or The distance is different. The method for making the diffractive optical element (11) of the present invention includes the steps of defining a collection of masks to create a phase zone (14); In this case, at least one of the collections of masks has at least one phase zone (14 ) completely mask out at least one stage (22) of At least one phase (22) of both one phase zone (14) is not etched. I think that the.

補正書の写しく翻訳文)提出書(特許法第184条の7第1項)平成4年 8月  7日 0r″eat * 娑 ボータ・ドライブ 3210 名 称 コヒーレント−インク 1 回折光学素子は: ベース;および 2進マスキング工程を経て前記ベースに形成される回折パターンであり、前記パ ターンにはおのおの前記ベースに向かって下降する複数の段階を持ち、またこの 場合パターンの上方表面から1つの位相ゾーンにおける与えられた2進マスク形 成された段階までの距離が、パターンの上方表面から他の位相ゾーンにおける同 じ与えられた2進マスク形成された段階までの距離と異なっている前記回折パタ ーンを含んでいる。Copy and translation of amendment) Submission (Article 184-7, Paragraph 1 of the Patent Act) August 1992 7 days 0r″eat * 娑 Botha Drive 3210 Name: Coherent-ink 1 Diffractive optical element: base; and A diffraction pattern formed on the base through a binary masking process, Each turn has multiple stages of descent toward the base, and For a given binary mask shape in one phase zone from the upper surface of the pattern, The distance of the created step from the upper surface of the pattern to the same phase in other phase zones The diffraction pattern is different from the distance to the stage where the binary mask is formed. Contains a tone.

2 光のビームを集束する回折光学素子は:ベース;および 2進マスキング工程を経て前記ベースの上に形成される回折パターンであり、前 記パターンには異なる幅の複数放射状位相ゾーンが含まれ、各位相ゾーンは前記 ベースに向かって下降する複数の2進マスク形成段階を有し、またこの場合各ゾ ーンにおける段階の数が選択され、その結果量も広い放射状内方位相ゾーンに形 成された段階の数は最も狭い放射状の外方位相ゾーンに形成された段階の数より も大きく、その結果パターンの効率は異なる直径の光ビームについて一段と一様 である。2 The diffractive optical element that focuses the beam of light is: a base; and A diffraction pattern formed on the base through a binary masking process, The pattern includes multiple radial phase zones of different widths, each phase zone being It has multiple binary mask formation stages descending towards the base, and in this case each zone The number of stages in the phase is chosen so that the volume is also shaped into a wide radial inner phase zone. The number of steps formed is smaller than the number of steps formed in the narrowest radial outer phase zone. is also larger, so that the efficiency of the pattern is more uniform for light beams of different diameters. It is.

32進マスキング工程を経て回折光学素子を作るのに用いる2進マスクであり、 前記回折光学素子はおのおの複数の下降段階を有する少なくとも2つの位相を含 むパターンを有し、前記マスクは マスクおよび非マスク領域の領域が構成され、その結果そのマスクを利用する形 成段階中に、1つの位相ゾーンにおける1つの既存段階の少なくとも1部が影響 を受ける一方、もう1つの位相ゾーンにおける少なくとも1つの既存段階の全表 面が不変である前記領域を含む。It is a binary mask used to create a diffractive optical element through a 32-bin masking process, The diffractive optical element includes at least two phases each having a plurality of descending steps. the mask has a pattern of The regions of the mask and unmasked regions are configured so that the shape that utilizes the mask During the formation phase, at least a portion of one existing phase in one phase zone is affected. a complete list of at least one existing phase in another phase zone while It includes said region whose surface is unchanged.

41組の2進マスクを発生させてリトグラフ工程においてマスクを連続使用し、 おのおの複数の下降段階を持つ少なくとも2つの位相ゾーンを含むパターンを作 る段階を含み、この場合改良は少なくとも1つの形成段階を含む、この場合1つ の位相ゾーンにおける1つの既存段階の少なくとも一部が影響を受ける一方、も う1つの位相ゾーンにおける少なくとも1つの既存段階の全表面は不変である。generating 41 sets of binary masks and using the masks continuously in the lithography process; Create a pattern that includes at least two phase zones, each with multiple descending steps. in which the improvement includes at least one forming step, in which case one While at least a portion of one existing phase in the phase zone of is affected, The entire surface of at least one existing stage in another phase zone remains unchanged.

5 基板上に回折光学素子を組立てる方法は:a) 基板をホトレジストの層で 被覆させる段階と;b) [マスクをホトレジストの前記層の上に置く段階と; C) 前記マスクを通して前記ホトレジストを露出させる段階であり、それによ ってホトレジストの上にマスク・パターンを作る前記露出段階と:d) マスク ・パターンにより前記基板を腐食させる段階と;そして e) おのおの複数の下降段階を持つ少なくとも2つの位相ゾーンを含むパター ンを作るために異なるマスクを使用して毎度aからdまでの段階を繰り返す段階 であり、この場合少なくとも1つのマスクが構成され、その結果組合わされた腐 食段階中に、腐食は1つの位相ゾーンにおける1つの既存の段階の少なくとも一 部により行われる一方、もう1つの位相ゾーンにおける少な(とも1つの既存の 段階の全表面が不変である前記組立てを含む方法。5. How to assemble the diffractive optical element on the substrate: a) Cover the substrate with a layer of photoresist. b) placing a mask over said layer of photoresist; C) exposing the photoresist through the mask, thereby said exposing step of creating a mask pattern on the photoresist; d) mask; etching the substrate with a pattern; and e) A putter containing at least two phase zones, each with multiple steps of descent. Steps of repeating steps a to d each time using a different mask to create a mask , in which case at least one mask is constructed so that the combined corrosion During the eclipse phase, corrosion occurs in at least one existing phase in one phase zone. one existing phase zone, while the other phase zone A method comprising said assembly in which all surfaces of the step are unaltered.

補正書の写しく翻訳文)提出書(特許法第184条の8)平成4年 8月 7日 名 称 コヒーレント・インク 32道マスキング工程により回折光学素子を作るのに用いる2進マスクであって 、完成された回折光学素子が、複数の対応する下降段階を各々が持つ少なくとも 2つの位相ゾーンを含むパターンを備え、さらに、そのマスクを利用する形成段 階中に、1つの位相ゾーンにおける1つの既存段階の少なくとも1部の高さが変 化する一方、他の位相ゾーンにおける対応する全段階の高さが変化しないように 、マスクされた領域とマスクされない領域が構成される2進マスク。Copy and translation of amendment) Submission (Article 184-8 of the Patent Law) August 7, 1992 Name: Coherent Ink A binary mask used to make a diffractive optical element by a 32-way masking process, , the completed diffractive optical element has at least A forming stage comprising a pattern including two phase zones and further utilizing a mask thereof. During a storey, the height of at least a portion of one existing step in one phase zone changes. , while the heights of all corresponding steps in other phase zones remain unchanged. , a binary mask consisting of a masked region and an unmasked region.

41組の2進マスクを発生させる段階を含み、かつ複数の対応する下降段階を各 々が持つ少なくとも2つの位相ゾーンを含む完成されたパターンを作るリソグラ フ工程において連続的にマスクを使用する回折光学素子を組立てる方法において 、少なくとも1つの形成段階を含み、該段階において、1つの位相ゾーンにおけ る1つの既存段階の少なくとも1部の高さは変化するが、他の位相ゾーンにおけ る対応する全段階の高さは変化しない方法。including the step of generating 41 sets of binary masks, and each step including a plurality of corresponding descending steps. Lithography that creates a complete pattern containing at least two phase zones with each In a method of assembling a diffractive optical element that uses a mask continuously in the process , comprising at least one formation step, in which in one phase zone The height of at least one part of one existing phase changes, but in other phase zones A method in which the height of all corresponding steps does not change.

5 基板上に回折光学素子を組立てる方法であって、完成された回折光学素子が 、おのおの複数の対応する下降段階を有する少なくとも2つの位相ゾーンを含む パターンを有し、 諸段階が: a) 基板をホトレジストの層で被覆する段階と;b) ホトレジストの前記層 の上に第1マスクを置く段階と; C) 前記マスクを通して前記ホトレジストを露出させる段階であり、それによ ってホトレジストの上にマスク・パターンを作る露出段階と: d) マスク・パターンにより前記基板を食刻させる段階と; e) 前記パターンを作る異なるマスクを用いて毎度段階aからdまでを繰り返 す段階であって、組合わされた食刻段階中に、食刻が、2つの段階を作るための 1つの位相ゾーンにおける1つの既存段階の少なくとも1部に行われる一方、他 の位相ゾーンにおける対応する段階の高さが変化しないようにして少なくとも1 つのマスクが構成される段階とを含む方法。5 A method for assembling a diffractive optical element on a substrate, the completed diffractive optical element being , including at least two phase zones, each having a plurality of corresponding descending stages. has a pattern, The stages are: a) coating a substrate with a layer of photoresist; b) said layer of photoresist; placing a first mask on the; C) exposing the photoresist through the mask, thereby The exposure step of creating a mask pattern on the photoresist: d) etching the substrate with a mask pattern; e) Repeat steps a to d each time using a different mask to create said pattern. during the combined etching step, the etching is performed to create two steps. performed on at least one part of one existing stage in one phase zone, while the other at least 1 such that the height of the corresponding step in the phase zone of and configuring two masks.

国際調査報告international search report

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 回折光学素子は: ベースと; 第1位相ゾーンが第1多数の段階を含みかつ第2位相ゾーンが第2多数の段階を 含み、その場合前記第1位相ゾーンの第i段階から前記ベースまでの距離がiの 少なくとも1つの値について前記第2位相ゾーンの第i段階から前記ベースまで の距離と異なる少なくとも前記第1および第2位相ゾーンとを含む、ことを特徴 とする回折光学素子。 2 請求項1記載による回折光学素子であり、この場合前記第1および第2多数 の段階の高さが一定ではない、ことを特徴とする回折光学素子。 3 請求項1記載による回折光学素子であり、この場合前記光学素子の所定サイ ズの区域当たりの段階の数は一般に前記光学素子にわたって等価である、ことを 特徴とする回折光学素子。 4 回折光学素子を組立てる方法において、段階式位相ゾーン用のマスクの集ま りを定め、この場合マスクの前記集まりの少なくとも1つは、少なくとも1つの 位相ゾーンの少なくとも1つの段階を完全にマスク・アウトし、その結果前記少 なくとも1つの位相ゾーンの前記少なくとも1つの段階が食刻されない、ことを 特徴とする方法。 5 回折光学素子を組立てる方法であり:段階式位相ゾーンを作るためにマスク ・パターンを持つマスクの集まりを定め、この場合前記マスクの集まりの少なく とも1つは少なくとも1つの位相ゾーンの少なくとも1つの段階を完全にマスク ・アウトし、その結果前記少なくとも1つの位相ゾーンの前記少なくとも1つの 段階が食刻されない前記定める段階と;前記マスクの集まりを発生させる段階と ;ホトレジストの層によって前記回折光学素子を被覆する段階と; ホトレジストの前記層の上に前記マスク連の内の1つのマスクを置く段階と; 前記ホトレジストを前記1つのマスクを通して露出させ、それによってホトレジ ストの上にマスク・パターンを作る前記露出させる段階と; 前記光学素子を食刻させる段階と; 前記回折光学素子をホトレジストの層で被覆する段階と; 前記ホトレジストの層の上に前記マスクの集まりの別のマスクを整合させる段階 と; 前記マスクの集まりの全部が使用されるまで、、露出、食刻、整合および被覆の 前記諸段階を反復する段階とを含む、ことを特徴とする前記方法。 6 回折光学素子は; ベースと; 少なくとも第1および第2位相ゾーンとを含み、この場合前記第1位相ゾーンは 第1多数の段階を含みかつ第1全食刻深さを有し、また前記第2位相ゾーンは第 2多数の段階を含みかつ第2の異なる全食刻深さを有する、ことを特徴とする前 記回折光学素子。[Claims] 1 Diffractive optical element: base and; The first phase zone includes a first number of stages and the second phase zone includes a second number of stages. , in which case the distance from the i-th stage of the first phase zone to the base is i from the i-th stage of said second phase zone to said base for at least one value; and at least the first and second phase zones different from a distance of A diffractive optical element. 2. A diffractive optical element according to claim 1, in which the first and second plurality A diffractive optical element characterized in that the height of the steps is not constant. 3. A diffractive optical element according to claim 1, in which case a predetermined size of the optical element is Note that the number of steps per area of the optical element is generally equivalent across the optical element. Characteristic diffractive optical element. 4 In a method of assembling a diffractive optical element, a collection of masks for graduated phase zones is used. in which at least one of said collection of masks comprises at least one Completely masking out at least one phase of the phase zone so that the said at least one stage of at least one phase zone is not etched; How to characterize it. 5. A method of assembling a diffractive optical element: masking to create graduated phase zones. ・Define a collection of masks with a pattern, in which case the least number of said collection of masks and one completely masks at least one phase of at least one phase zone. out of the at least one of the at least one phase zone, such that the at least one of the at least one phase zone the step of determining that the step is not etched; the step of generating the collection of masks; ; coating the diffractive optical element with a layer of photoresist; placing one mask of the series of masks over the layer of photoresist; exposing the photoresist through the one mask, thereby exposing the photoresist to the exposing step of creating a mask pattern on the pattern; etching the optical element; coating the diffractive optical element with a layer of photoresist; aligning another mask of the collection of masks over the layer of photoresist; and; Expose, etch, align and cover until all of the mask collection is used. repeating the steps. 6 Diffractive optical element; base and; at least first and second phase zones, where the first phase zone is the second phase zone includes a first plurality of stages and has a first total etching depth; 2, comprising a plurality of stages and having a second different total etching depth. Diffractive optical element.
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4134518A1 (en) * 1991-10-18 1993-04-22 Adatomed Pharma & Med OPHTHALMIC LENS
US5561558A (en) * 1993-10-18 1996-10-01 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Diffractive optical device
DE4421392A1 (en) * 1994-06-18 1995-12-21 Karlsruhe Forschzent Grid structure and its use

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4846552A (en) * 1986-04-16 1989-07-11 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Method of fabricating high efficiency binary planar optical elements
US4895790A (en) * 1987-09-21 1990-01-23 Massachusetts Institute Of Technology High-efficiency, multilevel, diffractive optical elements
US5044706A (en) * 1990-02-06 1991-09-03 Hughes Aircraft Company Optical element employing aspherical and binary grating optical surfaces
JPH10142604A (en) * 1996-11-15 1998-05-29 Sharp Corp Liquid crystal display element

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