JPH0547334A - Two-dimensional electron spectroscopic device - Google Patents

Two-dimensional electron spectroscopic device

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JPH0547334A
JPH0547334A JP3201996A JP20199691A JPH0547334A JP H0547334 A JPH0547334 A JP H0547334A JP 3201996 A JP3201996 A JP 3201996A JP 20199691 A JP20199691 A JP 20199691A JP H0547334 A JPH0547334 A JP H0547334A
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JP
Japan
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grid
electron
sample
dimensional electron
spectroscopic device
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JP3201996A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiyuki Sato
敏幸 佐藤
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Shimadzu Corp
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Shimadzu Corp
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  • Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
  • Electron Tubes For Measurement (AREA)

Abstract

PURPOSE:To concurrently make spectral diffraction on electrons emitted from various positions of a sample and two-dimensionally analyze the sample in a short time. CONSTITUTION:A grid 17 made of a conductor with openings corresponding to photo-diodes 14 is provided on the front face of a diode array 15 constituted of two-dimensionally aligned fine photo-diodes 14, and the blocking voltage Vb applied to the grid 17 is scanned to detect the energy distribution. An electron lens 50 diffusing photoelectrons is provided between a sample and the grid 17 to improve the positional resolution.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、試料にX線等を照射
し、その結果、試料から出射する光電子のエネルギ分布
を測定することにより試料の分析を行なう光電子分光装
置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photoelectron spectroscope for analyzing a sample by irradiating the sample with X-rays and the like and measuring the energy distribution of photoelectrons emitted from the sample.

【0002】[0002]

【従来の技術】試料から出射する光電子のエネルギ分布
を測定する装置(光電子分光装置)には、阻止電場型光
電子分光装置や静電半球型光電子分光装置がある。阻止
電場型光電子分光装置では、光電子が電子検出部に入る
のを阻止するような電場を形成し、この電場の大きさを
連続的に変化させてゆく(走査する)ことにより、光電
子のエネルギ分布を測定する。静電半球型光電子分光装
置では、光電子を半球型電極内に形成された静電場中に
通すことにより、電子の有するエネルギ毎にその軌道を
分離して電子数を計測する。
2. Description of the Related Art As an apparatus (photoelectron spectroscopic apparatus) for measuring the energy distribution of photoelectrons emitted from a sample, there are a blocking electric field type photoelectron spectroscopic apparatus and an electrostatic hemisphere type photoelectron spectroscopic apparatus. In the blocking electric field type photoelectron spectrometer, an electric field that prevents the photoelectrons from entering the electron detection unit is formed, and the magnitude of the electric field is continuously changed (scanned) to obtain the energy distribution of the photoelectrons. To measure. In the electrostatic hemispherical photoelectron spectrometer, photoelectrons are passed through an electrostatic field formed in a hemispherical electrode to separate the orbits for each energy of electrons and measure the number of electrons.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記いずれの型の光電
子分光装置においても、分析対象試料の表面から出射さ
れた光電子は、その出射位置に関わらず全てまとめら
れ、計数されるため、試料の位置毎の分析情報を得るこ
とができなかった。どうしても位置情報を得たい場合に
は、光電子を採取する箇所を小さく絞り、試料(又は光
電子分光装置)を移動させる(試料面を走査する)こと
により位置毎の分光分析を行なっていたが、このような
方法では1つの面の分析を行なうのに長い時間がかかる
という問題があった。
In any of the above types of photoelectron spectroscopic devices, the photoelectrons emitted from the surface of the sample to be analyzed are all collected and counted regardless of the emission position, so the position of the sample It was not possible to obtain analysis information for each. When it is inevitable to obtain position information, the position where the photoelectrons are sampled is narrowed down and the sample (or photoelectron spectroscopic device) is moved (scanning the sample surface) to perform spectroscopic analysis for each position. Such a method has a problem that it takes a long time to analyze one surface.

【0004】本発明はこのような課題を解決するために
成されたものであり、その目的とするところは、試料の
各位置から出射する電子を同時に分光し、2次元的な分
析(面分析)を短時間で行なうことのできる2次元電子
分光装置を提供することにある。
The present invention has been made to solve such a problem, and an object thereof is to simultaneously disperse electrons emitted from respective positions of a sample and perform a two-dimensional analysis (area analysis). It is intended to provide a two-dimensional electron spectroscopic device capable of performing (2) in a short time.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に成された第1の発明に係る2次元電子分光装置は、
(a)2次元的に配列された微小な電子検出素子から構
成される電子検出部と、(b)該電子検出部の前面を覆
い、各電子検出素子に対応した開口を有する導体のグリ
ッドにより構成される阻止電極と、を備えることを特徴
とする。
A two-dimensional electron spectroscopic apparatus according to the first invention made to solve the above problems is
(A) an electron detection section composed of minute electron detection elements arranged two-dimensionally, and (b) a grid of conductors covering the front surface of the electron detection section and having openings corresponding to the respective electron detection elements. And a configured blocking electrode.

【0006】また、第2の発明に係る2次元電子分光装
置では、さらに、(c)表面から2次元的に電子を出射
する試料と阻止電極との間に設けられ、試料から出射さ
れる電子束を該グリッドに平行な面内で拡散させる電子
レンズと、を設けたことを特徴とする。
Further, in the two-dimensional electron spectroscopic device according to the second aspect of the present invention, (c) electrons emitted from the sample are provided between the sample and the blocking electrode that two-dimensionally emit electrons from the surface. And an electron lens for diffusing the bundle in a plane parallel to the grid.

【0007】[0007]

【作用】第1の発明の2次元電子分光装置は、電子(通
常は、X線等の電磁波の照射により出射する光電子であ
るが、電子等の粒子線の照射により出射する電子でもよ
い)を出射する試料の前面に対向して(すなわち、グリ
ッドが試料と電子検出部との間に来るように)置く。そ
して、グリッドに正の電圧を印加し、その電圧を連続的
に変化させてゆく。これにより、電子検出部の各電子検
出素子毎に、前記阻止電場型光電子分光装置の場合と同
様に試料から出射する電子のエネルギ分布を測定するこ
とができる。すなわち、面分析を行なうことができる。
In the two-dimensional electron spectroscopic device of the first aspect of the invention, electrons (usually photoelectrons emitted by irradiation of electromagnetic waves such as X-rays, but electrons emitted by irradiation of particle beams such as electrons may be used). It is placed so as to face the front surface of the sample to be emitted (that is, the grid is located between the sample and the electron detector). Then, a positive voltage is applied to the grid and the voltage is continuously changed. Thereby, the energy distribution of the electrons emitted from the sample can be measured for each electron detection element of the electron detection unit, as in the case of the blocking electric field type photoelectron spectrometer. That is, surface analysis can be performed.

【0008】第2の発明の2次元電子分光装置では、試
料から出射する電子がグリッド面に平行な面内で拡散す
るため、分析の位置分解能が上昇する。例えば、電子レ
ンズにより電子の束が横方向に2倍に拡散されたとする
と、分析の位置分解能は2倍に上昇する。
In the two-dimensional electron spectroscopic device of the second invention, the electrons emitted from the sample are diffused in the plane parallel to the grid surface, so that the positional resolution of analysis is improved. For example, if the electron lens spreads the electron bundle twice in the lateral direction, the positional resolution of the analysis is doubled.

【0009】[0009]

【実施例】第1発明の一実施例である2次元電子分光装
置の構造を図1及び図2に示す。図1(a)に示すよう
に、本実施例の2次元電子分光装置10はグリッド部1
1と電子検出部12とで構成する。電子検出部12は、
半導体基板13上に微小な電子検出素子であるフォトダ
イオード14を縦横に整列して形成したものである(こ
のフォトダイオード14の2次元配列をダイオードアレ
イ15と呼ぶ)。なお、電子検出素子としては、半導体
超格子で作成したアバランシェフォトダイオードや、通
常のフォトダイオードの表面にシンチレータ結晶を蒸着
したりエピタキシャル成長させたもの等を使用すること
ができる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The structure of a two-dimensional electron spectroscopic apparatus which is an embodiment of the first invention is shown in FIGS. As shown in FIG. 1A, the two-dimensional electron spectroscopic device 10 of the present embodiment includes a grid unit 1.
1 and the electron detector 12. The electronic detection unit 12 is
Photodiodes 14 that are minute electron detection elements are vertically and horizontally arranged on a semiconductor substrate 13 (a two-dimensional array of the photodiodes 14 is referred to as a diode array 15). As the electron detecting element, an avalanche photodiode made of a semiconductor superlattice, an ordinary photodiode having a scintillator crystal vapor-deposited or epitaxially grown on its surface, and the like can be used.

【0010】グリッド部11は電子検出部12の前面
(フォトダイオード14が形成されている面)に、電子
検出部12との間に小さい距離を空けて固定する。な
お、図1の実施例では、両者の間の距離を固定するため
のスペーサ16もグリッド部11に含まれ、後述するよ
うにグリッド部11形成の際に一体的に形成する。グリ
ッド部11のダイオードアレイ15に面する部分には、
各フォトダイオード14毎に開口を有するグリッド17
を形成する(図1(b))。グリッド17の表面には導
体層18を設ける。
The grid section 11 is fixed to the front surface of the electron detection section 12 (the surface on which the photodiode 14 is formed) with a small distance from the electron detection section 12. In the embodiment of FIG. 1, the spacer 16 for fixing the distance between the two is also included in the grid portion 11, and is integrally formed when the grid portion 11 is formed as described later. In the portion of the grid portion 11 facing the diode array 15,
Grid 17 having an opening for each photodiode 14
Are formed (FIG. 1B). A conductor layer 18 is provided on the surface of the grid 17.

【0011】この2次元電子分光装置10の製造方法の
一例を図3により説明する。 (i)シリコンウェハ30の両面を研磨する。 (ii)ウェハ30の両面に酸化膜31、32を形成す
る。 (iii)ウェハ30の周辺部を残し、エッチングにより
一方の面(図3では下面)の酸化膜32を除去する。 (iv)APW(エッチング液)により、残された酸化膜
32をマスクとして、中央部のシリコンウェハ30を掘
り下げてエッチングする。これにより残された周辺部の
ウェハ30が上記スペーサ16となる。 (v)(iii)と同様のエッチングにより、他方の面
(図3では上面)の酸化膜31をグリッド状(図1
(b))に残して、開口部を除去する。 (vi)KOHのウェットエッチング又はドライエッチン
グにより、グリッド状の酸化膜31をマスクとして、残
されたシリコンウェハ30にグリッド状の穴を開ける。 (vii)酸化膜31の表面に、金蒸着等により導体層1
8を形成する。また、反対側の酸化膜32を除去する。
これにより、グリッド部11が形成されたことになる。 (viii)(図示せず)シリコン基板13上に上記(v)
で形成したグリッド17と同じピッチで(ただし、グリ
ッド17の開口よりも少し大きめに)、フォトダイオー
ド14の2次元配列(ダイオードアレイ15)を作製し
て、電子検出部12を形成する。 (ix)電子検出部12とグリッド部11とを接着し、2
次元電子分光装置10を完成する(図1(a))。な
お、電子検出部12の基板表面とグリッド部11のスペ
ーサ16の表面(図3では下面)は共に光学的平面とな
っているため、オプティカルコンタクトによる接着が可
能である。
An example of a method of manufacturing the two-dimensional electron spectroscopic device 10 will be described with reference to FIG. (I) Polish both sides of the silicon wafer 30. (Ii) Form oxide films 31 and 32 on both surfaces of the wafer 30. (Iii) The oxide film 32 on one surface (lower surface in FIG. 3) is removed by etching, leaving the peripheral portion of the wafer 30. (Iv) Using the remaining oxide film 32 as a mask, APW (etching solution) is used to dig into and etch the central silicon wafer 30. The wafer 30 in the peripheral portion left by this becomes the spacer 16. (V) By the same etching as in (iii), the oxide film 31 on the other surface (the upper surface in FIG. 3) is formed in a grid pattern (see FIG. 1).
The openings are removed, leaving (b)). (Vi) A grid-shaped hole is opened in the remaining silicon wafer 30 by using the grid-shaped oxide film 31 as a mask by wet etching or dry etching of KOH. (Vii) Conductor layer 1 is formed on the surface of oxide film 31 by vapor deposition of gold or the like.
8 is formed. Further, the oxide film 32 on the opposite side is removed.
As a result, the grid portion 11 is formed. (Viii) (not shown) above (v) on the silicon substrate 13
A two-dimensional array (diode array 15) of the photodiodes 14 is formed at the same pitch as the grid 17 formed in (but slightly larger than the opening of the grid 17) to form the electron detection unit 12. (Ix) The electron detection unit 12 and the grid unit 11 are bonded to each other, and 2
The three-dimensional electron spectroscopic device 10 is completed (FIG. 1A). Since both the substrate surface of the electron detection unit 12 and the surface of the spacer 16 of the grid unit 11 (lower surface in FIG. 3) are optical planes, they can be bonded by optical contact.

【0012】なお、図1及び図3においては理解の便の
ためにグリッド17の開口の数を4×4個としたが、実
際には遥かに多数の微小な開口を有するグリッドを形成
して、面分析の位置に関する分解能を上げることができ
る。
In FIG. 1 and FIG. 3, the number of openings of the grid 17 is 4 × 4 for convenience of understanding, but in reality, a grid having a much larger number of minute openings is formed. , It is possible to improve the resolution regarding the position of the surface analysis.

【0013】フォトダイオード14とグリッド17との
位置関係を拡大して図2に示す。グリッド17の各開口
は電子検出部12のダイオードアレイ15の各フォトダ
イオード14に対応しており、各開口から入射した電子
は対応するフォトダイオード14にのみ入射するように
なっている。
The positional relationship between the photodiode 14 and the grid 17 is enlarged and shown in FIG. The openings of the grid 17 correspond to the photodiodes 14 of the diode array 15 of the electron detector 12, and the electrons incident from the openings enter only the corresponding photodiodes 14.

【0014】本2次元電子分光装置10を使用する際
は、図4に示すように、グリッド17側が試料20の表
面に対面するように配置する。そして図2に示すよう
に、グリッド17と電子検出部の基板13との間に、グ
リッド17側が正となるように可変の直流電圧(阻止電
圧)Vbを印加する。
When the present two-dimensional electron spectroscope 10 is used, it is arranged so that the grid 17 side faces the surface of the sample 20, as shown in FIG. Then, as shown in FIG. 2, a variable DC voltage (blocking voltage) Vb is applied between the grid 17 and the substrate 13 of the electron detector so that the grid 17 side is positive.

【0015】試料20にX線21等を照射すると、試料
20の表面の各位置からは光電子22が出射する。試料
20の各位置から出射した光電子22は2次元電子分光
装置10に向かうが、グリッド17と基板13との間に
形成される電場により、その電位差(阻止電圧)Vbに
より決定される阻止エネルギ(=e・Vb)よりも弱いエ
ネルギしか持たない電子は基板13に到達するのを阻止
され、阻止エネルギ以上の電子だけがフォトダイオード
14により検出される。従って、阻止電圧Vbを連続的
に変化させることにより、試料から出射した電子のエネ
ルギ分布を測定することができる。また、2次元電子分
光装置10を試料20に十分近づけることにより、試料
20の或る位置から出射した電子は(グリッド17を通
過して)その位置に対向するフォトダイオード14にの
み入射するようになるため、試料の各位置の分析を一度
に行なうことができる。
When the sample 20 is irradiated with X-rays 21 or the like, photoelectrons 22 are emitted from each position on the surface of the sample 20. The photoelectrons 22 emitted from the respective positions of the sample 20 are directed to the two-dimensional electron spectroscopic device 10, but the blocking energy (blocking voltage) Vb determined by the potential difference (blocking voltage) Vb is generated by the electric field formed between the grid 17 and the substrate 13. = E · Vb), electrons having a weaker energy than eVb are prevented from reaching the substrate 13, and only the electrons having the energy higher than the blocking energy are detected by the photodiode 14. Therefore, the energy distribution of the electrons emitted from the sample can be measured by continuously changing the blocking voltage Vb. Further, by bringing the two-dimensional electron spectroscopic device 10 sufficiently close to the sample 20, the electrons emitted from a certain position of the sample 20 (passing through the grid 17) enter only the photodiode 14 facing the position. Therefore, the analysis of each position of the sample can be performed at one time.

【0016】なお、本実施例の2次元電子分光装置10
の寸法の一例を具体的に挙げると、グリッド17の厚み
dmは100μm程度、グリッド17とフォトダイオー
ド14との間の距離dtは1mm程度である。X線照射
により発生する光電子のエネルギは通常1keV程度で
あるため、dt=1mmとした場合、阻止電圧Vbは約1
kVのあたりで走査することになる。また、グリッド1
7の寸法は要求される位置分解能に応じて適宜変更する
ものであるが、例えば、目(開口部)の大きさdwを5
0μm程度、桟(遮蔽部)の大きさdsも同様に50μ
m程度とすることができる。
The two-dimensional electron spectroscopic device 10 of this embodiment
Specifically, the thickness dm of the grid 17 is about 100 μm, and the distance dt between the grid 17 and the photodiode 14 is about 1 mm. Since the energy of photoelectrons generated by X-ray irradiation is usually about 1 keV, the blocking voltage Vb is about 1 when dt = 1 mm.
It will scan around kV. Also, grid 1
The size of 7 is appropriately changed according to the required position resolution. For example, the size dw of the eye (opening) is 5
About 0 μm, the size of the crosspiece (shield) ds is also 50 μm
It can be about m.

【0017】この分析の位置分解能を高めたものが第2
発明であり、その一実施例を図5に示す。本実施例で
は、図4に示した試料20と2次元電子分光装置10と
の間に電子レンズ50を設け、試料20から出射する電
子22の束を2次元電子分光装置10のグリッド17の
面に平行な方向に拡散している。電子22の束を拡散さ
せるために、電子レンズ50は、試料20側に設けた小
径の穴を有する接地電極51と、分光装置10側に設け
た大径の穴を有する拡散電極52とで構成する。両電極
51、52の穴は同心の円形とし、拡散電極52には正
の直流電圧を印加する。これにより、両電極51、52
の穴の部分では試料20側から分光装置10側に向かっ
て均一に拡大する静電場が形成され、ここを通過する電
子の束が横方向(図5では水平方向)に拡散される。従
って、試料20の比較的狭い範囲から出射した電子はこ
の電子レンズ50により広い範囲に拡大され、2次元電
子分光装置10における分析の位置分解能が向上する。
The second is the one that has improved the positional resolution of this analysis.
It is an invention, and one embodiment thereof is shown in FIG. In this embodiment, an electron lens 50 is provided between the sample 20 and the two-dimensional electron spectroscope 10 shown in FIG. 4, and the bundle of electrons 22 emitted from the sample 20 is reflected on the surface of the grid 17 of the two-dimensional electron spectroscope 10. Is diffused in a direction parallel to. In order to diffuse the bundle of electrons 22, the electron lens 50 is composed of a ground electrode 51 having a small diameter hole provided on the sample 20 side and a diffusion electrode 52 having a large diameter hole provided on the spectroscopic device 10 side. To do. The holes of both electrodes 51, 52 are concentric circles, and a positive DC voltage is applied to diffusion electrode 52. Thereby, both electrodes 51, 52
An electrostatic field that uniformly expands from the sample 20 side toward the spectroscopic device 10 side is formed in the hole portion, and the electron bundle passing therethrough is diffused in the lateral direction (horizontal direction in FIG. 5). Therefore, the electrons emitted from the relatively narrow range of the sample 20 are expanded to a wide range by the electron lens 50, and the positional resolution of the analysis in the two-dimensional electron spectroscope 10 is improved.

【0018】なお、本実施例では電子レンズ50を使用
するために分析範囲が狭くなるが、試料20の広い範囲
の2次元分析を行なう必要がある場合には、図5の矢印
で示すように、試料20を移動させる(あるいは電子レ
ンズ50及び分光装置10から成る分析系を移動させ
る)という方法を併用することもできる。
Although the analysis range is narrowed because the electron lens 50 is used in this embodiment, when two-dimensional analysis of a wide range of the sample 20 is required, as shown by the arrow in FIG. The method of moving the sample 20 (or moving the analysis system including the electron lens 50 and the spectroscopic device 10) can be used together.

【0019】[0019]

【発明の効果】本発明に係る電子分光装置では、試料表
面の各位置から出射する電子を2次元的に一度に検出
し、そのエネルギ分布を測定することができるため、試
料の面分析を短い時間で行なうことができる。また、そ
の2次元電子分光装置と試料との間に電子レンズを設け
ることにより、分析の位置に関する分解能を高めること
ができ、より詳細な面分析情報を得ることができる。
In the electron spectroscope according to the present invention, the electrons emitted from each position on the surface of the sample can be detected two-dimensionally at once and the energy distribution thereof can be measured, so that the surface analysis of the sample is short. Can be done in time. Further, by providing an electron lens between the two-dimensional electron spectroscopic device and the sample, it is possible to enhance the resolution regarding the position of analysis and obtain more detailed surface analysis information.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 第1発明の一実施例である2次元電子分光装
置の断面図(a)及び平面図(b)。
FIG. 1 is a sectional view (a) and a plan view (b) of a two-dimensional electron spectroscopic device that is an embodiment of the first invention.

【図2】 同実施例の2次元電子分光装置の拡大断面
図。
FIG. 2 is an enlarged cross-sectional view of the two-dimensional electron spectroscopic device of the same example.

【図3】 同実施例の2次元電子分光装置の製造工程を
示す説明図。
FIG. 3 is an explanatory view showing a manufacturing process of the two-dimensional electron spectroscopy apparatus of the embodiment.

【図4】 同実施例の2次元電子分光装置による面分析
時の配置図。
FIG. 4 is a layout diagram at the time of surface analysis by the two-dimensional electron spectroscopic apparatus of the same embodiment.

【図5】 第2発明の一実施例である電子レンズ付2次
元電子分光装置の断面配置図。
FIG. 5 is a sectional layout view of a two-dimensional electron spectroscopic apparatus with an electron lens that is an embodiment of the second invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10…2次元電子分光装置 11…グリッド
部 12…電子検出部 13…基板 14…フォトダイオード 15…ダイオー
ドアレイ 16…スペーサ 17…グリッド 18…導体層 20…試料 50…電子レンズ 51…接地電極 52…拡散電極 Vb…阻止電圧
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Two-dimensional electron spectroscope 11 ... Grid part 12 ... Electron detection part 13 ... Substrate 14 ... Photodiode 15 ... Diode array 16 ... Spacer 17 ... Grid 18 ... Conductor layer 20 ... Sample 50 ... Electron lens 51 ... Ground electrode 52 ... Diffusion electrode Vb ... blocking voltage

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (a)2次元的に配列された微小な電子
検出素子から構成される電子検出部と、 (b)該電子検出部の前面を覆い、各電子検出素子に対
応した開口を有する導体のグリッドにより構成される阻
止電極と、 を備えることを特徴とする2次元電子分光装置。
1. An electron detecting section comprising (a) two-dimensionally arranged minute electron detecting elements, and (b) a front surface of the electron detecting section is covered with an opening corresponding to each electron detecting element. A two-dimensional electron spectroscopic apparatus comprising: a blocking electrode configured by a grid of conductors having.
【請求項2】 (a)2次元的に配列された微小な電子
検出素子から構成される電子検出部と、 (b)該電子検出部の前面を覆い、各電子検出素子に対
応した開口を有する導体のグリッドにより構成される阻
止電極と、 (c)表面から2次元的に電子を出射する試料と阻止電
極との間に設けられ、試料から出射される電子束を該グ
リッドに平行な面内で拡散させる電子レンズと、 を設けたことを特徴とする2次元電子分光装置。
2. (a) An electron detecting section composed of minute electron detecting elements arranged two-dimensionally, and (b) a front surface of the electron detecting section is covered with an opening corresponding to each electron detecting element. (C) a plane parallel to the blocking electrode, which is provided between the blocking electrode formed by the conductor grid and the sample and the blocking electrode that two-dimensionally emits electrons from the surface. A two-dimensional electron spectroscopic device characterized in that an electron lens for diffusing inside is provided.
JP3201996A 1991-08-12 1991-08-12 Two-dimensional electron spectroscopic device Pending JPH0547334A (en)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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JP2015023032A (en) * 2013-07-19 2015-02-02 アイシーティー インテグレーテッド サーキット テスティング ゲゼルシャフト フィーア ハルプライタープリーフテヒニック エム ベー ハー Switchable multi perspective detector, optics for switchable multi perspective detector, and method of operating switchable multi perspective detector
JP2023500907A (en) * 2019-11-07 2023-01-11 ヴイジー システムズ リミテッド Charged particle detection for spectroscopy

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