JPH0545863A - Defect inspecting device for photomask - Google Patents

Defect inspecting device for photomask

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Publication number
JPH0545863A
JPH0545863A JP23385091A JP23385091A JPH0545863A JP H0545863 A JPH0545863 A JP H0545863A JP 23385091 A JP23385091 A JP 23385091A JP 23385091 A JP23385091 A JP 23385091A JP H0545863 A JPH0545863 A JP H0545863A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
reticle
photomask
defect
inspection
foreign matter
Prior art date
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Pending
Application number
JP23385091A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshiharu Shigyo
義春 執行
Yoshiyuki Miyamoto
佳幸 宮本
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP23385091A priority Critical patent/JPH0545863A/en
Publication of JPH0545863A publication Critical patent/JPH0545863A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To automate the defect inspection of a photomask. CONSTITUTION:The defect inspecting device 11 which supplies the inspected reticule 1 to a stepper 10 is provided with a stocker 13 which houses plural sheets of the reticules 1, a deciding section 15 which decides the feasibility of the use of the reticule 1 or not in accordance with the result of the foreign matter inspection and a transfer device 16 which transfers the reticules 1 between the stocker 13, the foreign matter inspecting device 14 and the stepper 10. The reticule 1 is stocked in the stocker 13. The reticule 1 is automatically transferred by a transfer device 14 to the foreign matter inspecting device 14. The foreign matter of the reticule 1 is automatically detected and the feasibility of the use of the reticule or not is automatically decided in accordance with this detection data and, therefore, the need for a human interposing is eliminated.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ホトマスクの欠陥検査
装置、特に、露光装置に検査済のホトマスクを供給する
技術に関し、例えば、半導体集積回路装置(以下、IC
という。)の製造工程におけるリソグラフィー処理工程
に利用して有効な技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a photomask defect inspection apparatus, and more particularly to a technique for supplying an inspected photomask with an inspected photomask.
That. ), Which is effective for use in the lithography processing step in the manufacturing process.

【0002】[0002]

【従来の技術】ICの高集積化、パターンの微細化が進
み、回路パターンの線幅は1μm以下になって来てい
る。このように線幅が微細になった現在、回路パターン
が半導体ウエハ(以下、ウエハという。)に転写される
リソグラフィー処理工程においては、縮小投影露光装置
(以下、ステッパという。)が多く使用されている。こ
のステッパが使用される場合、ウエハに転写すべきパタ
ーンが5倍〜10倍に拡大されて形成されている拡大ホ
トマスク、すなわち、レチクルが使用されることにな
る。
2. Description of the Related Art With the progress of higher integration of ICs and finer patterns, the line width of circuit patterns has become 1 μm or less. As the line width becomes finer, a reduction projection exposure apparatus (hereinafter referred to as a stepper) is often used in a lithography processing step in which a circuit pattern is transferred onto a semiconductor wafer (hereinafter referred to as a wafer). There is. When this stepper is used, a magnified photomask, that is, a reticle, in which the pattern to be transferred onto the wafer is magnified 5 to 10 times, is used.

【0003】そして、このレチクルの拡大パターンはス
テッパにより、ウエハ上に縮小投影露光されて、同一パ
ターンが繰り返し転写される。したがって、レチクルの
拡大パターンに所謂白欠陥(パターンの断線欠け等)や
黒欠陥(パターンの接触、突起等)、さらには、レチク
ル上に付着異物等(以下、異物等を含めて欠陥とい
う。)が存在すると、これら欠陥がウエハに繰り返し転
写されてしまう。このようにして欠陥がウエハに繰り返
し転写されると、所謂全ペレット不良になるため、生産
性が大幅に低下してしまう。
Then, the enlarged pattern of the reticle is reduced and projected and exposed on the wafer by the stepper, and the same pattern is repeatedly transferred. Therefore, so-called white defects (pattern disconnection defects, etc.) and black defects (pattern contact, protrusions, etc.) in the enlarged pattern of the reticle, and further foreign matter attached to the reticle (hereinafter referred to as defects including foreign matter). If there are defects, these defects will be repeatedly transferred to the wafer. When defects are repeatedly transferred to the wafer in this manner, so-called all-pellet defects occur, and productivity is significantly reduced.

【0004】そこで、ICの製造工程におけるリソグラ
フィー処理工程においては、ステッパによる転写が実行
される以前に、レチクルについて欠陥検査が実施され、
検査済のレチクルがステッパに供給されている。すなわ
ち、欠陥検査により使用可能と判定されたレチクルをス
テッパに供給することにより、全ペレット不良が発生す
るのを未然に防止している。
Therefore, in the lithographic processing step in the IC manufacturing process, a defect inspection is performed on the reticle before the transfer by the stepper is executed.
Inspected reticles are supplied to steppers. That is, by supplying the stepper with a reticle that is determined to be usable by the defect inspection, all pellet defects are prevented from occurring.

【0005】なお、ホトマスク検査技術を述べてある例
としては、株式会社工業調査会発行「電子材料1988
年12月号別冊」昭和63年12月13日発行 P15
9〜P167、がある。
As an example in which the photomask inspection technique is described, "Electronic Materials 1988" issued by Kogyo Kenkyukai Co., Ltd.
Issue, December issue, issued on December 13, 1988, P15
9 to P167.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
ホトマスクの欠陥検査装置においては、レチクルが使用
可能か否かの判定について、人為的な判断が関与するこ
とがあるため、その判断に時間が浪費されたり、判断ミ
スや非合理的な判定がなされることがあり、判定にばら
つきが発生するという問題点がある。また、レチクルの
供給、収納の際、人間からの発塵により、レチクルに異
物が付着したりパターンが損傷されたりするという問題
点もある。
However, in the conventional photomask defect inspection apparatus, an artificial judgment may be involved in the judgment as to whether or not the reticle can be used, so that time is wasted in the judgment. However, there is a problem in that there are variations in judgment, which may result in erroneous judgments and irrational judgments. In addition, there is a problem that when a reticle is supplied or stored, dust is emitted from a person and foreign matter may adhere to the reticle or the pattern may be damaged.

【0007】本発明の目的は、人間の介在を排除し、ホ
トマスクの欠陥検査を自動的に実行するとともに、検査
済のホトマスクを露光装置に自動的に供給することがで
きるホトマスクの欠陥検査装置を提供することにある。
An object of the present invention is to provide a photomask defect inspection apparatus capable of automatically performing a defect inspection of a photomask while eliminating human intervention and automatically supplying an inspected photomask to an exposure apparatus. To provide.

【0008】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of this specification and the accompanying drawings.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を説明すれば、次の通り
である。
The typical ones of the inventions disclosed in the present application will be outlined below.

【0010】すなわち、露光装置に検査済のホトマスク
を供給するホトマスクの欠陥検査装置であって、ホトマ
スクを複数枚収納する収納部と、ホトマスクの欠陥検査
を実行し、欠陥を検出する検査実行部と、検査実行部の
検査結果に基づいてホトマスクの使用の可否を判定する
判定部と、ホトマスクを収納部、検査実行部、および前
記露光装置間で移送する移送装置とを、備えていること
を特徴とする。
That is, a photomask defect inspection apparatus for supplying an inspected photomask to an exposure apparatus, and a storage section for storing a plurality of photomasks, and an inspection execution section for executing a defect inspection of the photomask and detecting a defect. A determination unit that determines whether or not the photomask can be used based on the inspection result of the inspection execution unit; and a transfer device that transfers the photomask between the storage unit, the inspection execution unit, and the exposure apparatus. And

【0011】[0011]

【作用】前記手段において、収納部に収納されているホ
トマスクは移送装置により取り出されて検査実行部に自
動的に移送される。検査実行部に移送されたホトマスク
は欠陥検査を実行され、その欠陥を検出される。検出さ
れた欠陥に関するデータは判定部に送信され、判定部は
このデータに基づいて検査されたホトマスクが使用可能
であるか否かを判定する。使用可能であると判定された
ホトマスクは移送装置により、露光装置にそのまま移送
される。または、露光装置の事情により、一度、収納部
の所定位置に戻された後、露光装置に移送される。
In the above means, the photomask stored in the storage portion is taken out by the transfer device and automatically transferred to the inspection execution portion. The photomask transferred to the inspection execution unit is subjected to defect inspection, and the defect is detected. The data relating to the detected defect is transmitted to the determination unit, and the determination unit determines whether the inspected photomask is usable based on this data. The photomask determined to be usable is directly transferred to the exposure device by the transfer device. Alternatively, depending on the circumstances of the exposure apparatus, it is once returned to a predetermined position in the storage unit and then transferred to the exposure apparatus.

【0012】このようにして、前記した手段によれば、
人間を介さずに検査済のホトマスクが自動的に露光装置
に供給されるため、全ペレット不良が発生するのを確実
に防止されることになる。
In this way, according to the above-mentioned means,
Since the inspected photomask is automatically supplied to the exposure apparatus without human intervention, it is possible to reliably prevent all pellet failures from occurring.

【0013】[0013]

【実施例】図1は本発明の一実施例であるレチクルの欠
陥検査装置を示すブロック図、図2はそれに使用されて
いる異物検査装置を示すブロック図、図3はそのドリフ
ト補正装置を示す模式的な斜視図、図4はレチクルを示
す平面図、図5はレチクルカセットを示す斜視図、図6
は異物検査装置の作用を説明するための説明図、図7は
その判定作用を説明するための説明図、図8は全体的な
流れを示すフロー図である。
1 is a block diagram showing a reticle defect inspection apparatus according to an embodiment of the present invention, FIG. 2 is a block diagram showing a foreign matter inspection apparatus used therein, and FIG. 3 is a drift correction apparatus thereof. 6 is a schematic perspective view, FIG. 4 is a plan view showing a reticle, FIG. 5 is a perspective view showing a reticle cassette, and FIG.
FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining the operation of the foreign matter inspection device, FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining the determination operation, and FIG. 8 is a flow chart showing the overall flow.

【0014】本実施例において、本発明に係るホトマス
クの欠陥検査装置11は、露光装置としてのステッパ1
0に欠陥検査済のホトマスクとしてのレチクル1を自動
的に構成するものとして構成されている。被検査物であ
るレチクル1は、石英ガラスから成るブランク2上に転
写すべきパターン3がクロム等が用いられて、電子線描
画装置等の適当な手段により形成されており、このクロ
ムパターン3はウエハ(図示せず)上に形成される実際
の回路パターン(図示せず)に対して5倍〜10倍拡大
されて形成されている。また、レチクル1にはターゲッ
トマーク4が複数個、所定の位置に配されてクロムパタ
ーン3と同様に形成されている。なお、図4中、5はク
ロムパターン3上に付着した異物、6はブランク2に付
着した異物である。このレチクル1は汚染を防止するた
めに、図5に示されているようにレチクルカセット9に
収納されて移送されるようになっている。
In this embodiment, a photomask defect inspection apparatus 11 according to the present invention is a stepper 1 as an exposure apparatus.
It is configured to automatically configure the reticle 1 as a photomask that has been subjected to defect inspection to 0. In the reticle 1 which is the object to be inspected, the pattern 3 to be transferred is formed on the blank 2 made of quartz glass by using chrome or the like, and the chrome pattern 3 is formed by an appropriate means such as an electron beam drawing device. It is formed to be 5 to 10 times larger than an actual circuit pattern (not shown) formed on a wafer (not shown). Further, the reticle 1 has a plurality of target marks 4 arranged at predetermined positions and formed in the same manner as the chrome pattern 3. In FIG. 4, 5 is a foreign substance attached to the chrome pattern 3, and 6 is a foreign substance attached to the blank 2. The reticle 1 is accommodated in a reticle cassette 9 and transferred as shown in FIG. 5 in order to prevent contamination.

【0015】本実施例において、ホトマスクの欠陥検査
装置11はホトマスク収納部としてのレチクルストッカ
13と、レチクルの欠陥検査としての異物検査を実行
し、欠陥としての異物を検出する検査実行装置としての
異物検査装置14と、異物検査装置14の検査結果に基
づいてレチクルの使用の可否を判定するとともに、その
データを管理する判定部兼用異物管理システム15と、
レチクル1をカセット9に収納した状態で移送する移送
装置16と、これらにLAN回線によって相互に接続さ
れており、これらを制御するコントローラ17とを備え
ている。さらに、コントローラ17は中央処理ユニット
(以下、CPUという。)12に接続されている。
In the present embodiment, the photomask defect inspection apparatus 11 executes a reticle stocker 13 as a photomask storage section and a foreign matter inspection as a reticle defect inspection, and detects a foreign matter as a defect. An inspection device 14, and a foreign matter management system 15 that also serves as a determination unit that determines whether or not the reticle can be used based on the inspection result of the foreign matter inspection device 14 and manages the data.
A transfer device 16 for transferring the reticle 1 stored in the cassette 9 and a controller 17 that is connected to these devices by a LAN line and controls them are provided. Further, the controller 17 is connected to a central processing unit (hereinafter referred to as CPU) 12.

【0016】次に、各構成要素について説明するレチク
ルストッカ13はレチクル1をカセット9に収納した状
態で複数枚、保管し得るように構成されている。ストッ
カ13に保管された状態において、レチクル1は検査前
または検査済のものが、製造される半導体装置の品種お
よび使用される工程毎に整理されて保管され、かつ、そ
の保管位置がコントローラ17またはCPU12等の記
憶部に記憶されている。
Next, the reticle stocker 13 for explaining each component is constructed so that a plurality of the reticle 1 can be stored in the cassette 9 in a state where the reticle 1 is stored in the cassette 9. In the state where the reticle 1 is stored in the stocker 13, the reticle 1 before or after the inspection is arranged and stored according to the type of the semiconductor device to be manufactured and the process used, and the storage position is the controller 17 or. It is stored in a storage unit such as the CPU 12.

【0017】検査実行装置としての異物検査装置14は
図2に示されているように、被検査物であるレチクル1
に検査照明光としてのレーザ光を斜方から照射する斜方
照明装置20と、レチクル1からの光を集光する集光レ
ンズ21と、集光によりハーフミラー25を介して第1
検出器23Aおよび第2検出器23B上にそれぞれ結像
させる結像レンズ22と、第1検出器23Bの前方に配
置されている空間フィルタまたは検光子から成る遮光素
子24と、第1検出器23Aおよび第2検出器23Bに
それぞれ接続されている第1信号処理回路30Aおよび
第2信号処理回路30Bと、両処理回路30Aおよび3
0Bにそれぞれ接続されている第1量子化回路31Aお
よび第2量子化回路31Bと、両量子化回路31Aおよ
び31Bに接続されている演算回路32と、演算回路3
2に接続されている座標記憶部33と、この記憶部33
に接続されている比較回路34とを備えている。
As shown in FIG. 2, the foreign substance inspection device 14 as an inspection execution device has a reticle 1 which is an object to be inspected.
First, the oblique illumination device 20 for obliquely irradiating the laser light as the inspection illumination light, the condenser lens 21 for condensing the light from the reticle 1, and the first half mirror 25 for condensing the light.
An imaging lens 22 for forming an image on each of the detector 23A and the second detector 23B, a light-shielding element 24 arranged in front of the first detector 23B and including a spatial filter or an analyzer, and the first detector 23A. And the first signal processing circuit 30A and the second signal processing circuit 30B, which are connected to the second detector 23B, and both processing circuits 30A and 30B.
0B, a first quantizer circuit 31A and a second quantizer circuit 31B, an arithmetic circuit 32 connected to both quantizer circuits 31A and 31B, and an arithmetic circuit 3.
2 is connected to the coordinate storage unit 33, and this storage unit 33
And a comparison circuit 34 connected to.

【0018】また、異物検査装置14は、レチクル1に
検査照射光としてのレーザ光を真下から照射する下方照
明装置26と、この下方照明装置26の光軸上における
光学的後方に介設されている位相素子27と、位相素子
27を透過した光を集光させてレチクル1に照射させる
第2の集光レンズ28とを備えている。
The foreign matter inspection device 14 is provided below the lower illuminating device 26 for irradiating the reticle 1 with laser light as inspection illuminating light from directly below, and optically behind the lower illuminating device 26 on the optical axis. The phase element 27 and the second condenser lens 28 that condenses the light transmitted through the phase element 27 and irradiates the reticle 1 with the condensed light.

【0019】次に、前記構成に係る異物検査装置14に
おける異物検査方法について説明する。まず、レチクル
1上に斜方照明装置20より検査照明光としてのレーザ
が照射される。この照明により、レチクル1上の欠陥と
しての異物5、6およびクロムパターン3から散乱光が
発生し、この散乱光が集光レンズ21で集光されるとと
もに、結像レンズ22を通して第1検出器23A上に結
像される。なお、図2中、ペリクルは省略されている。
Next, a method for inspecting foreign matter in the foreign matter inspecting apparatus 14 having the above-mentioned structure will be described. First, the reticle 1 is irradiated with laser as inspection illumination light from the oblique illumination device 20. By this illumination, scattered light is generated from the foreign matters 5 and 6 as defects on the reticle 1 and the chrome pattern 3, and the scattered light is condensed by the condenser lens 21 and also passes through the imaging lens 22 to the first detector. An image is formed on 23A. The pellicle is omitted in FIG.

【0020】このとき、クロムパターン3からの散乱光
は規則性があるため、レチクル1におけるパターン面の
フーリエ変換面に設けられた空間フィルタあるいは検光
子から成る遮光素子24により、クロムパターン3から
の散乱光が遮光される。他方、異物5、6からの散乱光
は不規則性であるため、空間フィルタあるいは検光子を
通過して第1検出器23A上に結像されるので、異物
5、6のみの検出が可能となる。
At this time, since the scattered light from the chrome pattern 3 has regularity, the light shielding element 24, which is a spatial filter or an analyzer, provided on the Fourier transform surface of the pattern surface of the reticle 1 causes the light to escape from the chrome pattern 3. The scattered light is blocked. On the other hand, since the scattered light from the foreign matters 5 and 6 is irregular and passes through the spatial filter or the analyzer to be imaged on the first detector 23A, only the foreign matters 5 and 6 can be detected. Become.

【0021】そして、第1検出器23Aによって検出さ
れた信号は、第1信号処理回路30Aおよび第1量子化
回路31Aを介して演算回路32で処理される。
The signal detected by the first detector 23A is processed by the arithmetic circuit 32 via the first signal processing circuit 30A and the first quantization circuit 31A.

【0022】ここで、第1検出器23Aによって検出さ
れた信号は、図6(a)のようになり、異物5、6から
の信号V6 と、クロムパターン3からの信号V3 との間
に閾値(Vth)を設定することにより、異物5、6から
の信号V6 のみを検出することができる。
[0022] Here, the signal detected by the first detector 23A during the look like FIG. 6 (a), the signal V 6 from a particle 5,6, the signal V 3 from the chromium pattern 3 By setting the threshold value (V th ) at, it is possible to detect only the signal V 6 from the foreign matters 5 and 6 .

【0023】他方、クロムパターン3、白欠陥および黒
欠陥の平坦状欠陥は、レチクル1の下方の下方照明装置
26からの照明光が位相素子27を介して集光レンズ2
8で集光されてレチクル1に照射されることにより検出
される。すなわち、レチクル1を透過した下方からの照
明光は集光レンズ21によって集光され、結像レンズ2
2によって第2検出器23Bに結像される。ここで、第
1検出器23Aと第2検出器23Bへの分離はハーフミ
ラー25によって行われている。検出された信号処理
は、第2信号処理回路30B、第2量子化回路31Bお
よび演算回路32によって実行される。
On the other hand, regarding the flat defects such as the chrome pattern 3, the white defect and the black defect, the illumination light from the lower illuminating device 26 below the reticle 1 is passed through the phase element 27 to the condenser lens 2.
It is detected by being condensed at 8 and irradiated on the reticle 1. That is, the illumination light from below that has passed through the reticle 1 is condensed by the condenser lens 21, and the imaging lens 2
2 forms an image on the second detector 23B. Here, the separation into the first detector 23A and the second detector 23B is performed by the half mirror 25. The detected signal processing is executed by the second signal processing circuit 30B, the second quantization circuit 31B and the arithmetic circuit 32.

【0024】次に、異物5および6がクロムパターン3
面上に存在するのか、それ以外のガラスブランク2面上
に存在するのかについての判断方法について述べる。
Next, the foreign substances 5 and 6 are chrome patterns 3
A method of determining whether the surface is present on the surface or on the other surface of the glass blank 2 will be described.

【0025】レチクル1にその上面より斜方照明装置2
0による照明光と、その下面より照明する下方照明装置
26による照明光とが同時に照射される。このとき、斜
方からの照明によっては、ガラスブランク2面上に付着
した異物6と、クロムパターン3面上に付着した異物5
とは、図6(b)に示されているように、第1検出器2
3Aによっていずれも検出される。
A reticle 1 is provided with an oblique illumination device 2 from the upper surface thereof.
The illumination light of 0 and the illumination light of the lower illumination device 26 that illuminates from the lower surface thereof are simultaneously emitted. At this time, depending on the oblique illumination, the foreign matter 6 attached on the surface of the glass blank 2 and the foreign matter 5 attached on the surface of the chrome pattern 3
Is the first detector 2 as shown in FIG. 6 (b).
Both are detected by 3A.

【0026】他方、レチクル1面の下方より照明する照
明光について検討すると、ガラスブランク2面上に付着
した異物6は浮き出てるため、図6(c)に示されてい
るように第2検出器23Bにおいて信号V6 が検出され
る。これに対し、クロムパターン3面上に付着した異物
5はクロムパターン3により遮光されるため、図6
(c)に示されているように、第2検出器23Bにおい
て信号V5 が検出されない。このため、第1検出器23
Aと第2検出器23Bとの検出信号を実効的に割算操作
することにより、クロムパターン3面上に付着した異物
5のみを検出することができる。
On the other hand, when the illumination light illuminated from below the surface of the reticle 1 is examined, the foreign matter 6 adhering to the surface of the glass blank 2 is raised, so that the second detector as shown in FIG. The signal V 6 is detected at 23B. On the other hand, since the foreign matter 5 attached on the surface of the chrome pattern 3 is shielded from light by the chrome pattern 3,
As shown in (c), the signal V 5 is not detected by the second detector 23B. Therefore, the first detector 23
By effectively dividing the detection signals of A and the second detector 23B, it is possible to detect only the foreign matter 5 attached on the surface of the chrome pattern 3.

【0027】このようにして検出されたクロムパターン
3面上の異物5の座標は、座標記憶部33で記憶され
る。このようにして、図6(b)で検出されたそれぞれ
異物信号V5 およびV6 の位置座標と、図6(c)で検
出されたクロムパターン3面上の異物5からの信号V5
の位置座標とが比較回路34において比較され、図6
(d)に示されているように、一致しない時は、ガラス
ブランク2面上の異物6についての信号V6 であると、
認定されることになる。
The coordinates of the foreign matter 5 on the surface of the chrome pattern 3 thus detected are stored in the coordinate storage unit 33. In this way, the position coordinates of the foreign matter signals V 5 and V 6 detected in FIG. 6B and the signal V 5 from the foreign matter 5 on the surface of the chromium pattern 3 detected in FIG. 6C are obtained.
6 is compared with the position coordinates of FIG.
As shown in (d), when they do not match, the signal V 6 is for the foreign matter 6 on the surface of the glass blank 2,
Will be certified.

【0028】次に、レチクル1上における異物5、6の
位置が基準マーク位置からの座標値として認識かつ記録
される作用について述べる。
Next, the operation of recognizing and recording the positions of the foreign matters 5 and 6 on the reticle 1 as coordinate values from the reference mark position will be described.

【0029】例えば、図4に示されているように、レチ
クル1上における異物5の座標値は、レチクル1のアラ
イメントマーク4が座標の原点として利用され、このア
ライメントマーク4からの距離X、Yをもって座標値と
認定される。そして、このレチクル1が用いられて、レ
チクル1のクロムパターン3がウエハ上に転写された場
合、レチクル1上で特定された異物5の位置がウエハ上
のどの位置にあるかを、レチクル1上に特定された異物
5についての座標値をウエハ上の座標値に変換すること
で、ウエハ上における転写位置の異物解析が容易に行え
る。
For example, as shown in FIG. 4, the coordinate value of the foreign matter 5 on the reticle 1 is used by the alignment mark 4 of the reticle 1 as the origin of the coordinates, and the distances X and Y from the alignment mark 4 are used. Is recognized as the coordinate value. When the reticle 1 is used and the chrome pattern 3 of the reticle 1 is transferred onto the wafer, it is determined on the reticle 1 which position on the wafer the foreign substance 5 specified on the reticle 1 is located. By converting the coordinate value of the foreign matter 5 specified in step 2 into the coordinate value on the wafer, the foreign matter analysis of the transfer position on the wafer can be easily performed.

【0030】この異物検査装置14には照明用レーザ光
ドリフト補正装置41が付加されており、このドリフト
補正装置41により、レチクル1上へ照明するレーザ光
の照射位置精度が向上され、検出異物の再現性が向上さ
れる。以下、図3により、このドリフト補正装置41に
ついて説明する。
An illumination laser light drift correction device 41 is added to the foreign matter inspection device 14, and this drift correction device 41 improves the irradiation position accuracy of the laser light illuminating the reticle 1 to detect detected foreign substances. Reproducibility is improved. The drift correction device 41 will be described below with reference to FIG.

【0031】図3に示されているように、ドリフト補正
装置41にはカルバノミラー42が設けられており、こ
のカルバノミラー42によりレーザ光40が走査される
ようになっている。そして、このカルバノミラー42の
反射側の左右両脇には左右一対のホトセンサ43、43
がそれぞれ設備されており、両ホトセンサ43、43は
コントローラ44に接続されている。このコントローラ
44はガルバノミラー42の駆動装置45に接続されて
おり、駆動装置45を制御することにより、ガルバノミ
ラー42の振り角を制御するようになっている。
As shown in FIG. 3, the drift correction device 41 is provided with a carbano mirror 42, and the laser light 40 is scanned by the carbano mirror 42. A pair of left and right photosensors 43, 43 are provided on the left and right sides of the reflection side of the carbano mirror 42.
Are installed respectively, and both photosensors 43, 43 are connected to a controller 44. The controller 44 is connected to a driving device 45 of the galvano mirror 42, and by controlling the driving device 45, the swing angle of the galvano mirror 42 is controlled.

【0032】次に、このドリフト補正装置41の作用を
説明する。
Next, the operation of the drift correction device 41 will be described.

【0033】レーザ光40はレチクル1上の異物を検出
するための照射光として用いられている。このレーザ光
40はガルバノミラー42でレチクル1面上の全面に走
査されているが、経時変化により照射位置がずれる、所
謂ドリフトが発生する。このため、同じレチクル1を検
査した場合でも、1回目と2回目とで検出される異物
5、6の座標値が変動する事態が発生する。この場合、
1回目の異物の位置と2回目の異物の位置とが合致しな
くなるため、後述する自動合否判定すると、位置がずれ
た異物は増加異物と判定されることになる。このため、
合格となるレチクル1でも不合格と誤判定されることに
なる。
The laser light 40 is used as irradiation light for detecting foreign matter on the reticle 1. The laser beam 40 is scanned over the entire surface of the reticle 1 by the galvanometer mirror 42, but a so-called drift occurs in which the irradiation position shifts due to a change with time. Therefore, even when the same reticle 1 is inspected, the coordinate values of the foreign matters 5 and 6 detected at the first time and the second time may change. in this case,
Since the position of the first foreign substance and the position of the second foreign substance do not match, the foreign substance whose position is displaced is determined to be the increased foreign substance when the automatic pass / fail judgment described below is performed. For this reason,
Even a reticle 1 that passes will be erroneously determined as a failure.

【0034】このようなことを防止するために、ドリフ
ト補正が実行される。すなわち、図3に示されているよ
うに、レーザ光40はガルバノミラー42でレチクル1
面上の全面に走査されている。このとき、レーザ光40
の走査エリア46の両端に設けられた左右のセンサ4
3、43のいずれかにより、レーザ光40が検出または
非検出になると、コントローラ44によりガルバノミラ
ー42に補正指令が発令され、照射位置の補正が実行さ
れる。
In order to prevent such a situation, drift correction is executed. That is, as shown in FIG. 3, the laser light 40 is reflected by the galvanometer mirror 42 on the reticle 1.
The entire surface is scanned. At this time, the laser light 40
Left and right sensors 4 provided at both ends of the scanning area 46 of
When the laser beam 40 is detected or non-detected by any one of 3 and 43, the controller 44 issues a correction command to the galvanometer mirror 42, and the irradiation position is corrected.

【0035】本実施例において、前述したように、異物
検査装置14に接続された構成要素としての判定部15
は、前記演算回路32、座標記憶部33および比較回路
34により実質的に構成されている。すなわち、クロム
パターン3面上に付着した異物5は、露光されても、ウ
エハに転写されないため、このような異物5が存在する
レチクル1は使用することができると、判定される。こ
れに対して、ガラスブランク2面上に付着した異物6
は、露光されると、ウエハに転写されてしまうため、こ
のような異物6が欠陥として存在するレチクル1は使用
することができないと、判定される。
In the present embodiment, as described above, the determination unit 15 as a component connected to the foreign matter inspection device 14.
Is substantially configured by the arithmetic circuit 32, the coordinate storage unit 33, and the comparison circuit 34. That is, since the foreign matter 5 attached on the surface of the chrome pattern 3 is not transferred onto the wafer even when exposed, it is determined that the reticle 1 having such foreign matter 5 can be used. On the other hand, the foreign matter 6 attached on the surface of the glass blank 2
When exposed, it is determined that the reticle 1 having such a foreign substance 6 as a defect cannot be used because it is transferred onto the wafer.

【0036】次に、異物検査装置14における検査結果
に基づく判定部兼用異物管理システム15においての自
動合否判定法について図7にて説明する。
Next, an automatic acceptance / rejection determination method in the determination unit / foreign matter management system 15 based on the inspection result in the foreign material inspection device 14 will be described with reference to FIG.

【0037】図7(a)、(b)、(c)にはレチクル
1上のクロムパターン3と、検出された2種類の異物
5、6とがそれぞれ示されている。図7(d)、
(e)、(f)には、図7(a)、(b)、(c)にそ
れぞれ対応した各異物マップ1A、1B、1Cがそれぞ
れ示されている。
FIGS. 7A, 7B, and 7C show the chromium pattern 3 on the reticle 1 and the detected two kinds of foreign matters 5 and 6, respectively. FIG. 7 (d),
(E) and (f) show foreign matter maps 1A, 1B, and 1C corresponding to FIGS. 7 (a), (b), and (c), respectively.

【0038】まず、図7(b)に示されているように、
レチクル1の半導体装置製造工場への受け入れ時におい
て、レチクル1面上の初期異物5が測定されていると仮
定すると、図7(e)に示されているように、当該異物
5についての検査結果としての異物マップ1Bが記憶部
33に記録される。
First, as shown in FIG. 7 (b),
Assuming that the initial foreign matter 5 on the surface of the reticle 1 is measured at the time of receiving the reticle 1 into the semiconductor device manufacturing factory, as shown in FIG. The foreign matter map 1B is recorded in the storage unit 33.

【0039】次に、同一のレチクル1はステッパ10へ
の供給前に、前述したように異物検査される。この異物
検査により、図7(a)に示されているように、新たな
にガラスブランク2面上に付着した異物6が検出された
とすると、図7(d)に示されているように、このレチ
クル1についての第2の異物マップ1Aには2つの初期
異物5および新たに増加した異物6が記録される。
Next, the same reticle 1 is inspected for foreign matter, as described above, before being supplied to the stepper 10. If a foreign substance 6 newly attached to the surface of the glass blank 2 is detected as shown in FIG. 7A by this foreign substance inspection, as shown in FIG. Two initial foreign matters 5 and a newly increased foreign matter 6 are recorded in the second foreign matter map 1A for this reticle 1.

【0040】この図7(d)および(e)の各異物マッ
プ1Aおよび1Bにそれぞれ記録された各異物5および
6の位置座標および異物サイズは比較部34により減算
処理される。これにより、図7(c)に示されているよ
うに、共通の初期異物5が除かれるため、新たに増加し
た異物6のみが抽出される。すなわち、第2の異物マッ
プ1Aから第1の異物マップ1Bが減算され、図7
(f)に示されているように、第3の異物マップ1Cが
得られることになる。
The position coordinates and the foreign matter size of the foreign matters 5 and 6 recorded in the foreign matter maps 1A and 1B of FIGS. 7D and 7E are subtracted by the comparison unit 34. As a result, as shown in FIG. 7C, since the common initial foreign matter 5 is removed, only the newly increased foreign matter 6 is extracted. That is, the first foreign matter map 1B is subtracted from the second foreign matter map 1A,
As shown in (f), the third foreign matter map 1C is obtained.

【0041】このようにして、新たに増加した異物6が
抽出された場合は、不合格とし、増加した異物6がない
場合は合格とするような判定基準により、判定部兼用異
物管理システム15が自動的に判定する。
In this way, when the newly increased foreign matter 6 is extracted, it is rejected, and when there is no increased foreign matter 6, the foreign matter management system 15 also serves as the foreign matter management system 15 which also serves as the determination unit. Determine automatically.

【0042】また、前述した通り、レチクル1のクロム
パターン3面上に付着した異物5が増加したとしても、
クロムパターン3面上であれば、露光した際に製品に転
写しないため、無害異物として合格とするように処理さ
れる。
Further, as described above, even if the foreign matter 5 attached on the surface of the chrome pattern 3 of the reticle 1 increases,
If it is on the surface of the chrome pattern 3, it will not be transferred to the product when exposed, and therefore it will be treated as a harmless foreign substance and passed.

【0043】但し、クロムパターン3以外にある異物6
は露光した時、製品に転写するため、製品全体の共通欠
陥となり、不良を作る。そこで、この場合は、有害異物
として不合格とするよう処理される。これは、検出され
た異物の座標管理により有害、無害の判定を実行させる
ことができる。
However, the foreign matter 6 other than the chrome pattern 3
When it is exposed, it is transferred to the product, so it becomes a common defect of the whole product and creates a defect. Therefore, in this case, it is processed so as to be rejected as a harmful foreign substance. This makes it possible to determine whether the detected foreign matter is harmful or harmless by managing the coordinates of the foreign matter.

【0044】同時に、検出された異物サイズによって
も、ある一定以上の大きい異物の場合は有害異物、一定
以下の小さい異物の場合は無害異物とするような判定基
準も合わせて設ける。
At the same time, depending on the size of the detected foreign matter, a criterion is also provided such that a foreign matter larger than a certain size is a harmful foreign matter and a small foreign matter below a certain size is a harmless foreign body.

【0045】移送装置16はロボット等により構成され
ており、コントローラ17の指令により、ストッカ13
からレチクルカセット9を取り出して異物検査装置14
に移送したり、検査が終了したレチクル1をカセット9
に収納してステッパ10に移送したり、ストッカ13に
戻したりするように構成されている。
The transfer device 16 is composed of a robot or the like, and in response to a command from the controller 17, the stocker 13
The reticle cassette 9 is taken out from the foreign matter inspection device 14
The reticle 1 that has been transferred to the
It is configured so as to be stored in and transferred to the stepper 10 or returned to the stocker 13.

【0046】コントローラ17はマイクロコンピュータ
やメモリー等から構成されており、CPU12からの品
種や工程等に関するデータと、テーブルに予め設定され
ているデータとを照合することにより、これから検査す
べきレチクル1を選定するとともに、このレチクル1の
検査に必要な検査条件等を選定して、ストッカ13、移
送装置16、異物検査装置14に指示する。例えば、レ
チクル1を検査する際における検査条件としては、検出
感度に対する条件、レチクルの形状および検査する箇所
の条件、ペリクル枠の高さ、幅の条件および検出方式、
がある。
The controller 17 is composed of a microcomputer, a memory and the like, and by collating the data regarding the product type and process from the CPU 12 with the data preset in the table, the reticle 1 to be inspected from now on. Along with the selection, the inspection conditions and the like necessary for inspecting the reticle 1 are selected and instructed to the stocker 13, the transfer device 16, and the foreign substance inspection device 14. For example, the inspection conditions for inspecting the reticle 1 include conditions for detection sensitivity, conditions of the reticle shape and inspection location, height and width conditions of the pellicle frame, and detection method,
There is.

【0047】CPU12はコンピュータや記憶装置等に
より構築されており、半導体装置の製造工場において生
産管理やデータ管理、生産制御を自動的に実行するよう
に構成されている。そして、CPU12はリソグラフィ
ー処理工程を合理的に管理ないしは制御すべく、その処
理状況を監視し、コントローラ17に所定の指令を適宜
送信するようになっている。
The CPU 12 is constructed by a computer, a storage device and the like, and is configured to automatically execute production management, data management and production control in a semiconductor device manufacturing factory. Then, the CPU 12 monitors the processing status and reasonably transmits a predetermined command to the controller 17 in order to rationally manage or control the lithography processing step.

【0048】次に、本実施例に係るホトマスクの欠陥検
査装置の全体的な作用を図8にて説明する。
Next, the overall operation of the photomask defect inspection apparatus according to this embodiment will be described with reference to FIG.

【0049】CPU12からのレチクルの品種、工程等
についての指示により、コントローラ17から移送装置
16へレチクル1の搬送指令が出される。これを受け
て、移送装置16は指定されたレチクル1をレチクルス
トッカ13から出庫し、異物検査装置14へ搬送する。
In accordance with an instruction from the CPU 12 regarding the reticle type, process, etc., the controller 17 issues a transfer instruction for the reticle 1 to the transfer device 16. In response to this, the transfer device 16 ejects the designated reticle 1 from the reticle stocker 13 and conveys it to the foreign matter inspection device 14.

【0050】異物検査装置14にレチクル1がセットさ
れると、レチクル受け入れ完了の信号が判定部を兼ねる
異物管理システム15へ転送される。受け入れ完了に伴
い、異物管理システム15からの検査条件の指示を受
け、異物検査装置14は検査を実行する。
When the reticle 1 is set in the foreign matter inspection device 14, a reticle acceptance completion signal is transferred to the foreign matter management system 15 which also serves as a determination unit. Upon completion of acceptance, the foreign substance inspection device 14 receives the instruction of the inspection condition from the foreign substance management system 15 and executes the inspection.

【0051】検査終了後、検査結果が異物管理システム
15に転送され、異物検査装置14はアンロードの指示
を持つ。
After the inspection is completed, the inspection result is transferred to the foreign matter management system 15, and the foreign matter inspection apparatus 14 has an unload instruction.

【0052】異物管理システム15において検査結果が
処理されて合格となったレチクル1は、コントローラ1
7からの搬送指示により移送装置16によりステッパ1
0へ搬送されて、検査済のレチクル1としてセットされ
る。
The reticle 1 which has passed the inspection result after being processed by the foreign matter management system 15 is the controller 1
In accordance with the transportation instruction from the stepper 1,
The reticle 1 is transported to 0 and set as an inspected reticle 1.

【0053】そして、ステッパ10においてその検査済
のレチクル1が使用された露光処理が実行される。露光
処理終了後、レチクル1は移送装置16によりレチクル
ストッカ13へ搬送されて、所定の場所へ保管される。
Then, the stepper 10 executes the exposure process using the reticle 1 that has been inspected. After the exposure process is completed, the reticle 1 is transported to the reticle stocker 13 by the transfer device 16 and stored in a predetermined place.

【0054】なお、検査の結果、不合格になったレチク
ル1は移送装置16によりストッカ13に適宜戻され
る。このとき、コントローラ17の指令により、不合格
のレチクル1はストッカ13の所定の場所に保管され
る。また、ステッパ10が故障した場合等の不測の事故
に対処するため、合格になったレチクル1がストッカ1
3に一時的に戻されることもある。ストッカ13内にお
いて、合格のレチクル1と、不合格のレチクル1とは分
類されて保管される。また、空き時間を利用して検査を
予め実行して合格のレチクル1をストッカ13に保管し
ておき、その予め検査したレチクル1が移送装置16に
よりステッパ10に直接的に移送されることもある。
Incidentally, the reticle 1 which has failed as a result of the inspection is appropriately returned to the stocker 13 by the transfer device 16. At this time, according to a command from the controller 17, the rejected reticle 1 is stored in a predetermined place in the stocker 13. Further, in order to deal with an unexpected accident such as a case where the stepper 10 is out of order, the reticle 1 that has passed the stocker 1
It may be temporarily returned to 3. In the stocker 13, the accepted reticle 1 and the rejected reticle 1 are sorted and stored. In some cases, the reticle 1 that has passed the inspection is stored in the stocker 13 by executing the inspection in advance by using the idle time, and the reticle 1 that is inspected in advance is directly transferred to the stepper 10 by the transfer device 16. ..

【0055】前記実施例によれば次の効果が得られる。 拡大マスクであるレチクル1がストッカ13に保管
されており、コントローラ17が指定したレチクル1が
移送装置16により異物検査装置14に自動的に移送さ
れ、かつまた、異物検査装置14によりレチクル1の異
物が自動的に検出されるとともに、この検出データに基
づいてレチクル1についての使用の可否が自動的に判定
されるため、人間の介在を排除することができる。
According to the above embodiment, the following effects can be obtained. The reticle 1 which is an enlarged mask is stored in the stocker 13, the reticle 1 designated by the controller 17 is automatically transferred to the foreign substance inspection device 14 by the transfer device 16, and the foreign substance inspection device 14 also detects the foreign substance on the reticle 1. Is automatically detected, and whether or not the reticle 1 can be used is automatically determined based on the detected data, so that human intervention can be eliminated.

【0056】 人間の介在を排除することにより、露
光工程における清浄化をより一層促進させることができ
るとともに、判断ミスや判定のばらつき等の非合理的な
判定を排除することができるため、全ペレット不良の発
生を確実に防止することができ、歩留りを高めることが
できるとともに、製品の品質および信頼性を高めること
ができる。
By eliminating human intervention, cleaning in the exposure process can be further promoted, and irrational judgments such as judgment errors and fluctuations in judgments can be eliminated. Can be reliably prevented, the yield can be improved, and the product quality and reliability can be improved.

【0057】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は前記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the embodiments and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.

【0058】例えば、欠陥検査実行部は異物検査のみを
実行するように構成するに限らず、クロムパターン自体
の白欠陥や黒欠陥等、その他の欠陥についても検査し得
るように構成してもよい。
For example, the defect inspection execution unit is not limited to be configured to perform only the foreign substance inspection, but may be configured to be able to inspect other defects such as white defects and black defects of the chrome pattern itself. ..

【0059】コントローラはCPUに接続するに限ら
ず、専用的に外部データを入力または記憶するように構
成してもよい。
The controller is not limited to being connected to the CPU, but may be configured to exclusively input or store external data.

【0060】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野であるレチク
ルの欠陥検査技術に適用した場合について説明したが、
それに限定されるものではなく、1:1ホトマスクの欠
陥検査技術等のホトマスクの欠陥検査技術全般に適用す
ることができる。
In the above description, the case where the invention made by the present inventor is mainly applied to the reticle defect inspection technique which is the background field of application has been described.
The present invention is not limited to this, and can be applied to general defect inspection techniques for photomasks such as 1: 1 photomask defect inspection techniques.

【0061】[0061]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、次
の通りである。
The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows.

【0062】拡大マスクであるレチクルがストッカに保
管されており、コントローラが指定したレチクルが移送
装置により欠陥検査装置に自動的に移送され、かつま
た、欠陥検査装置によりレチクルの欠陥が自動的に検出
されるとともに、この検出データに基づいてレチクルに
ついての使用の可否が自動的に判定されるため、人間の
介在を排除することができる。
The reticle, which is an enlarged mask, is stored in the stocker, the reticle designated by the controller is automatically transferred to the defect inspection device by the transfer device, and the defect of the reticle is automatically detected by the defect inspection device. At the same time, whether or not the reticle can be used is automatically determined based on this detection data, and therefore human intervention can be eliminated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例であるレチクルの欠陥検査装
置を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing a reticle defect inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】それに使用されている異物検査装置を示すブロ
ック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a foreign substance inspection apparatus used therein.

【図3】そのドリフト補正装置を示す模式的な斜視図で
ある。
FIG. 3 is a schematic perspective view showing the drift correction device.

【図4】レチクルを示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing a reticle.

【図5】レチクルカセットを示す斜視図である。FIG. 5 is a perspective view showing a reticle cassette.

【図6】異物検査装置の作用を説明するための説明図で
ある。
FIG. 6 is an explanatory diagram for explaining the operation of the foreign matter inspection device.

【図7】その判定作用を説明するための説明図である。FIG. 7 is an explanatory diagram for explaining the determination operation.

【図8】全体的な流れを示すフロー図である。FIG. 8 is a flowchart showing the overall flow.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…レチクル(ホトマスク)、2…ガラスブランク、3
…クロムパターン、4…アライメントマーク、5、6…
異物、9…レチクルカセット、10…ステッパ(露光装
置)、11…レチクルの欠陥検査装置、12…CPU、
13…ストッカ、14…異物検査装置(欠陥検査実行
部)、15…判定部兼用異物管理システム、16…移送
装置、17…コントローラ、20…斜方照明装置、21
…集光レンズ、22…結像レンズ、23A、23B…検
出器、24…遮光素子、25…ハーフミラー、26…下
方照明装置、27…位相素子、28…集光レンズ、30
A、30B…信号処理回路、31A、31B…量子化回
路、32…演算回路、33…記憶部、34…比較回路、
40…レーザ光(検査光)、41…ドリフト補正装置、
42…ガルバノミラー、43…ホトセンサ、44…コン
トローラ、45…ガルバノミラー駆動装置、46…走査
エリア。
1 ... Reticle (photomask), 2 ... Glass blank, 3
… Chrome pattern, 4… Alignment mark, 5, 6…
Foreign matter, 9 ... Reticle cassette, 10 ... Stepper (exposure device), 11 ... Reticle defect inspection device, 12 ... CPU,
Reference numeral 13 ... Stocker, 14 ... Foreign matter inspection device (defect inspection execution unit), 15 ... Judgment unit / foreign matter management system, 16 ... Transfer device, 17 ... Controller, 20 ... Oblique illumination device, 21
... Condensing lens, 22 ... Imaging lens, 23A, 23B ... Detector, 24 ... Shading element, 25 ... Half mirror, 26 ... Lower illuminating device, 27 ... Phase element, 28 ... Condensing lens, 30
A, 30B ... Signal processing circuit, 31A, 31B ... Quantization circuit, 32 ... Operation circuit, 33 ... Storage unit, 34 ... Comparison circuit,
40 ... Laser light (inspection light), 41 ... Drift correction device,
42 ... Galvano mirror, 43 ... Photo sensor, 44 ... Controller, 45 ... Galvano mirror drive device, 46 ... Scan area.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 露光装置に検査済のホトマスクを供給す
るホトマスクの欠陥検査装置であって、ホトマスクを複
数枚収納する収納部と、ホトマスクの欠陥検査を実行
し、欠陥を検出する検査実行部と、検査実行部の検査結
果に基づいてホトマスクの使用の可否を判定する判定部
と、ホトマスクを収納部、検査実行部、および前記露光
装置間で移送する移送装置とを、備えていることを特徴
とするホトマスクの欠陥検査装置。
1. A defect inspection apparatus for a photomask, which supplies an inspected photomask to an exposure apparatus, comprising: a storage unit for storing a plurality of photomasks; and an inspection execution unit for executing defect inspection of the photomask and detecting defects. A determination unit that determines whether or not the photomask can be used based on the inspection result of the inspection execution unit; and a transfer device that transfers the photomask between the storage unit, the inspection execution unit, and the exposure apparatus. Photomask defect inspection equipment.
【請求項2】 前記検査実行部が、ホトマスクにおける
欠陥を検出する欠陥検出手段と、欠陥検出手段の検出に
基づいてホトマスクにおける欠陥の位置および各欠陥の
大きさについてのデータを記憶する記憶部とを備えてお
り、 前記判定部が記憶部の記憶データに基づいて、同一のホ
トマスクにおける欠陥の位置および各欠陥の大きさにつ
いての複数のデータ相互を照合する演算部を備えている
ことを特徴とする請求項1記載のホトマスクの欠陥検査
装置。
2. The inspection execution unit includes a defect detection unit that detects a defect in the photomask, and a storage unit that stores data about the position of the defect in the photomask and the size of each defect based on the detection by the defect detection unit. The determination unit includes an arithmetic unit that collates a plurality of pieces of data regarding the position of a defect and the size of each defect in the same photomask based on the storage data of the storage unit. The defect inspection apparatus for a photomask according to claim 1.
【請求項3】 前記欠陥検出手段が、欠陥位置をホトマ
スク上に設定された基準マークに基づく座標により特定
するように構成されていることを特徴とする請求項2記
載のホトマスクの欠陥検査装置。
3. The defect inspection apparatus for a photomask according to claim 2, wherein the defect detection means is configured to identify a defect position by coordinates based on a reference mark set on the photomask.
JP23385091A 1991-08-21 1991-08-21 Defect inspecting device for photomask Pending JPH0545863A (en)

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016143450A1 (en) * 2015-03-10 2016-09-15 株式会社荏原製作所 Inspection device

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WO2016143450A1 (en) * 2015-03-10 2016-09-15 株式会社荏原製作所 Inspection device

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