JPH0545043B2 - - Google Patents

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JPH0545043B2
JPH0545043B2 JP61174219A JP17421986A JPH0545043B2 JP H0545043 B2 JPH0545043 B2 JP H0545043B2 JP 61174219 A JP61174219 A JP 61174219A JP 17421986 A JP17421986 A JP 17421986A JP H0545043 B2 JPH0545043 B2 JP H0545043B2
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JP
Japan
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chip
chip parts
melting point
electrode
cylindrical container
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JP61174219A
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Japanese (ja)
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JPS6329906A (en
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Yasuhiro Shindo
Yukio Tsujimoto
Isami Saito
Isamu Hiraoka
Hiroshi Hirayama
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Sumitomo Metal Mining Co Ltd
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
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  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は電子機器の軽量化、薄形化、小形化に
寄与する電子部品の一種であるチツプ抵抗器など
のチツプ部品の電極処理装置に関するものであ
る。
[Detailed Description of the Invention] Industrial Application Field The present invention relates to an electrode processing device for chip components such as chip resistors, which are a type of electronic component that contributes to the reduction in weight, thickness, and size of electronic devices. be.

従来の技術 従来、この種のチツプ部品は、第2図に示すよ
うな構成であつた。第2図は例として角板形チツ
プ抵抗器の断面図を示しており、1はアルミナな
どの絶縁基板、2は抵抗体、3は銀系電極膜、4
はニツケル(Ni)膜、5は電気メツキ法で析出
されたはんだ(Sn−Pb系合金)〔またはスズ
(Sn)あるいは鉛(Pb)〕膜、6は上記抵抗体2
を保護するためのガラス被覆膜である。
BACKGROUND ART Conventionally, this type of chip component has had a structure as shown in FIG. Figure 2 shows a cross-sectional view of a square plate type chip resistor as an example, in which 1 is an insulating substrate such as alumina, 2 is a resistor, 3 is a silver-based electrode film, and 4
5 is a nickel (Ni) film, 5 is a solder (Sn-Pb alloy) [or tin (Sn) or lead (Pb)] film deposited by electroplating, and 6 is the above resistor 2.
It is a glass coating membrane to protect the

このように従来のチツプ部品は、電極部の最外
層に低融点金層メツキ膜または低融点合金メツキ
膜(以下、これらを低融点金属メツキ膜と総称す
る)を有し、また下地層(ここではニツケル膜
5)として上記低融点金属メツキ膜よりも融点が
高く、しかも低融点金属メツキ膜と親和性のよい
材料からなる高融点金属膜または高融点合金膜
(以下、これらを高融点金属膜と総称する)が形
成された構造となつている。
In this way, conventional chip parts have a low melting point gold plating film or a low melting point alloy plating film (hereinafter collectively referred to as low melting point metal plating film) on the outermost layer of the electrode part, and a base layer (hereinafter referred to as a low melting point metal plating film). In this case, the nickel film 5) is a high melting point metal film or a high melting point alloy film (hereinafter referred to as a high melting point metal film) made of a material that has a higher melting point than the above-mentioned low melting point metal plating film and has good affinity with the low melting point metal plating film. (collectively referred to as ) is formed.

このような従来の構成のチツプ部品では、電極
部の最外層が低融点金属メツキ膜から構成され、
その表面が粗面になつており、表面積が非常に大
きなものとなつている。このため、これらの膜は
異物の吸蔵やガスの吸着がしやすくなり、長期間
保存した場合には電極表面が酸化などの化学変化
を起こし、プリント基板への実装はんだ付け時に
はんだ付け不良を発生させる可能性が大であると
いう問題点があつた。また、表面を平滑なものと
するために低融点金属メツキ膜を光沢メツキで構
成した場合には、不純物(有機物)を含んでいる
ためにはんだ付け性が悪いという致命的な欠点を
有している。
In chip components with such a conventional configuration, the outermost layer of the electrode part is composed of a low melting point metal plating film,
Its surface is rough and has a very large surface area. For this reason, these films tend to absorb foreign matter and adsorb gases, and if stored for a long period of time, the electrode surface will undergo chemical changes such as oxidation, resulting in poor soldering when soldering to a printed circuit board. The problem was that there was a high possibility that the In addition, when the low melting point metal plating film is made of gloss plating to make the surface smooth, it has the fatal drawback of poor solderability because it contains impurities (organic substances). There is.

さて、上述したような電極部の表面が粗面にな
つている低融点金属メツキ膜を平滑な面とするた
めの電極処理装置としては、雰囲気炉、赤外線
炉、熱風炉、熱板などを用いる加熱電極処理装置
あるいはベーパーフエイズソルダリング法
(VPS法)を利用する装置などが知られている。
その中より、一例として赤外線加熱器を利用した
チツプ部品の電極処理装置について、以下に説明
する。
Now, an atmospheric furnace, an infrared furnace, a hot air furnace, a hot plate, etc. are used as an electrode processing device to smoothen the low melting point metal plating film, which has a rough surface as described above. Known devices include heated electrode processing devices and devices that utilize the vapor phase soldering method (VPS method).
Among them, as an example, an electrode processing apparatus for chip parts using an infrared heater will be described below.

第3図はこの赤外線加熱器を利用した電極処理
装置の概略構成図を示すものである。
FIG. 3 shows a schematic diagram of an electrode processing apparatus using this infrared heater.

第3図において、7は第2図に示したような構
造を有するチツプ部品、8はチツプ部品整列機、
9はフラツクス塗布機、10は赤外線加熱器、1
1は冷却器、12は電極処理済チツプ部品取出し
機、13はベルト駆動部、14は電極処理装置架
台、15はチツプ部品搬送ベルト、16はベルト
洗浄器である。
In FIG. 3, 7 is a chip component having the structure shown in FIG. 2, 8 is a chip component alignment machine,
9 is a flux coating machine, 10 is an infrared heater, 1
Reference numeral 1 designates a cooler, 12 a machine for removing electrode-treated chip parts, 13 a belt drive section, 14 a stand for the electrode processing apparatus, 15 a chip part conveyor belt, and 16 a belt washer.

そして、チツプ部品の電極部の低融点金属メツ
キ膜を溶融させる工程としては、(1)チツプ部品整
列→(2)フラツクス塗布→(3)加熱溶融→(4)冷却固化
→(5)チツプ部品取出しの5工程からなつている。
すなわち、ベルト駆動部13により搬送されるチ
ツプ部品搬送ベルト15上にチツプ部品整列機8
よりチツプ部品7を供給し、次の工程でチツプ部
品7にフラツクスを塗布した後、トンネル式の赤
外線加熱器10でフラツクスを塗布した電極部を
加熱溶融させ、続いてその溶融部を冷却器11に
よつて冷却固化させ、その後電極処理済チツプ部
品取出し機12でもつて電極処理の済んだチツプ
部品7を取出す訳である。また、チツプ部品搬送
ベルト15はベルト洗浄器16で洗浄された後、
再びチツプ部品7が供給されるようになつてい
る。
The process of melting the low melting point metal plating film on the electrode part of the chip parts is as follows: (1) Aligning the chip parts → (2) Applying flux → (3) Melting by heating → (4) Cooling and solidifying → (5) Chip parts It consists of 5 steps for extraction.
That is, the chip part aligning machine 8 is placed on the chip part conveying belt 15 conveyed by the belt drive unit 13.
After supplying the chip part 7 from the chip part 7 and applying flux to the chip part 7 in the next step, the electrode part to which the flux has been applied is heated and melted by a tunnel-type infrared heater 10, and then the molten part is passed to the cooler 11. After that, the electrode-treated chip component 7 is taken out by the electrode-treated chip component removal machine 12. Moreover, after the chip parts conveying belt 15 is cleaned by the belt washer 16,
Chip parts 7 are being supplied again.

発明が解決しようとする問題点 このような従来の電極処理装置では、各工程に
独立の設備が必要な上に、チツプ部品搬送ベルト
がフラツクスで汚れるため、洗浄器を設置しなけ
ればならない。また、そのようなことより設備が
大きくならざるを得なく、しかも各設備間のタイ
ミングをとるために(搬送ベルトで搬送されるチ
ツプ部品の移送速度と、フラツクス塗布やチツプ
部品取出しのタイミングとを同期させるため)、
精度が必要な設備にならざるを得ないという基本
的な問題点をもつものであつた。
Problems to be Solved by the Invention In such a conventional electrode processing apparatus, independent equipment is required for each process, and since the chip component conveying belt becomes dirty with flux, a cleaning device must be installed. In addition, the equipment has to be larger, and the timing between each equipment must be adjusted (the transfer speed of the chip parts transported by the conveyor belt and the timing of flux application and chip part removal). to synchronize),
The basic problem was that it required precision equipment.

以下に、この上述した電極処置装置のもつ問題
点について列挙する。
Problems with the above-described electrode treatment device will be listed below.

(1) チツプ部品の電極部を溶融した際に、互いの
チツプ部品の電極部がくつつかないように個々
のチツプ部品の間隔をとり整列しなければなら
なく、このことが量産性を阻害する大きな要因
となる。
(1) When the electrode parts of the chip parts are melted, the individual chip parts must be aligned at intervals so that the electrode parts of the chip parts do not touch each other, and this is a major problem that hinders mass production. It becomes a factor.

(2) 空気中にて加熱溶融させるため、溶融金属表
面の酸化防止としてフラツクスが必要である。
(2) Because the metal is heated and melted in air, flux is required to prevent oxidation of the molten metal surface.

(3) フラツクスを使用するため、フラツクスが加
熱されてチツプ部品に焼付き、チツプ部品の洗
浄が困難である。
(3) Since flux is used, the flux gets heated and burns into the chip parts, making it difficult to clean the chip parts.

(4) 加熱部はトンネル式になつているため、空気
が自由に出入りし、温度を安定化させることが
難しい。
(4) Since the heating section is a tunnel type, air can freely enter and exit, making it difficult to stabilize the temperature.

(5) 搬送ベルトも同時に加熱されているため、加
熱および冷却に時間がかかることになり、非常
に長い炉が必要となるとともに、しかも急冷す
るためには冷却器が必要となる。
(5) Since the conveyor belt is also heated at the same time, it takes time to heat and cool it, requiring a very long furnace and a cooler for rapid cooling.

(6) 搬送ベルトにフラツクスが付着し、設備の故
障の原因にもなるので、搬送ベルトの洗浄を実
施しなければならない。
(6) Flux adheres to the conveyor belt and may cause equipment failure, so the conveyor belt must be cleaned.

(7) 設備全体からみても機械的に動く部分が多
く、その上にフラツクスを使用しているため、
フラツクスが設備の動く部分に付着して故障を
起こし、設備の稼働率を落とす原因となりやす
い。
(7) Considering the equipment as a whole, there are many mechanically moving parts, and flux is used on top of them, so
Flux adheres to moving parts of equipment, causing breakdowns and reducing equipment operating rates.

このように第3図に示す赤外線加熱器を利用し
た電極処理装置では、多くの問題点を有してお
り、その改善が強く求められている。
As described above, the electrode processing apparatus using the infrared heater shown in FIG. 3 has many problems, and there is a strong demand for improvement thereof.

また、上述したところの他の電極処理装置にお
いても、大なり小なり、この赤外線加熱器を利用
した電極処理装置と類似した問題点を有してい
る。そして、チツプ部品の寸法は一般的に、3.2
mm×1.6mmと小さく、さらには最近では2.0mm×
1.25mmといつた非常に小さいチツプ部品が使用さ
れるようになつてきており、ますますその小形化
傾向が強くなつている。このようにチツプ部品の
寸法が非常に小さいこともあり、また上述したよ
うに従来知られているところの電極処理装置が非
常に多くの問題点を有していることもあつて、現
在のチツプ部品においては電極部の表面を平滑な
ものとする処理がほとんどなされていないのが実
情である。
Further, the other electrode processing apparatuses mentioned above also have problems similar to the electrode processing apparatus using this infrared heater, to a greater or lesser extent. And the dimensions of chip parts are generally 3.2
Small as mm×1.6mm, and even more recently 2.0mm×
Very small chip parts such as 1.25mm are being used, and there is a growing trend towards miniaturization. In this way, the dimensions of the chip parts are extremely small, and as mentioned above, the conventionally known electrode processing equipment has many problems, so the current chip The reality is that almost no treatment is performed to make the surfaces of electrode parts smooth in parts.

本発明は上述したようなチツプ部品の電極部が
もつ問題点を解決し、チツプ部品の電極部表面積
を小にし、しかも平滑化してはんだ濡れ性の改善
と長期の保存に対してはんだ付けの信頼性を向上
させることのできる電極処理装置を提供すること
を第1の目的としている。また、本発明の第2の
目的は従来知られているところの電極処理装置の
もつ問題点を解決し、機械的に動く部分をなく
し、チツプ部品を整列することなく投入しても、
溶融時に互いのチツプ部品の電極部同志がくつつ
くことなく、溶融処理が可能で、溶融温度も精度
よくコントロールすることができ、しかもフラツ
クスを使用せずに量産性よくチツプ部品の電極処
理を行うことを目的とするものである。
The present invention solves the above-mentioned problems with the electrode parts of chip parts, reduces the surface area of the electrode part of chip parts, and smooths it to improve solder wettability and provide reliable soldering for long-term storage. The first object of the present invention is to provide an electrode processing device that can improve performance. A second object of the present invention is to solve the problems of conventionally known electrode processing devices, eliminate mechanically moving parts, and allow chip parts to be inserted without being aligned.
To enable melting processing without the electrode parts of chip parts touching each other during melting, to control the melting temperature with precision, and to process electrodes of chip parts with good mass productivity without using flux. The purpose is to

問題点を解決するための手段 以上のような問題点を解決するために本発明
は、絶縁基体の両端部に、下地層として高融点金
属膜または高融点合金膜を有するとともに最外層
として低融点金属膜または低融点合金膜を有する
電極部をもつチツプ部品の電極処理装置におい
て、内部にオイルなどの高沸点液体を満たしかつ
一方の端にチツプ部品を投入する投入部を備えた
筒状容器と、上記高沸点液体に温度勾配をもたせ
るように上記筒状容器の一方の端に配された加熱
器と、上記筒状容器の他方の端に間隔をあけて配
設された2個以上のコツクとからなり、かつ上記
筒状容器の下方に上記コツクを設置するとともに
そのコツク側に処理済のチツプ部品を取出す取出
し部を備え、上記チツプ部品を投入して処理する
時は、上記コツクのうち下方のコツクを閉じると
ともに、上方のコツクを開放状態とし、処理した
チツプ部品を取出す時は、上方のコツクを閉じた
後、下方のコツクを開くものである。また、好ま
しい実施形態としては、高沸点液体として、天然
植物系オイル、天然動物系オイル、天然鉱物系オ
イル、合成シリコン系オイルまたはグリセリンの
いずれか1つを用いてなるものである。
Means for Solving the Problems In order to solve the above problems, the present invention has a high melting point metal film or a high melting point alloy film as a base layer on both ends of an insulating substrate, and a low melting point film as an outermost layer. An electrode processing device for chip parts having an electrode part with a metal film or a low melting point alloy film includes a cylindrical container filled with a high boiling point liquid such as oil and equipped with a charging part at one end into which chip parts are put. , a heater arranged at one end of the cylindrical container so as to create a temperature gradient in the high boiling point liquid, and two or more heaters arranged at intervals at the other end of the cylindrical container. The above-mentioned pot is installed below the cylindrical container, and is provided with a take-out part for taking out the processed chip parts on the side of the pot. The lower pot is closed and the upper pot is left open. When removing the processed chip parts, the upper pot is closed and then the lower pot is opened. In a preferred embodiment, the high boiling point liquid is one of natural vegetable oil, natural animal oil, natural mineral oil, synthetic silicone oil, or glycerin.

作 用 この構成によれば、低融点金属(低融点合金)
からなる膜または層が容器中における高沸点液体
の高温部側で溶融され、低温部側で冷却されるた
め、溶融時に表面張力が働き、表面積は小さくな
つており、この状態で冷却されることによつて、
メツキ膜などで形成された低融点金属膜(低融点
合金膜)のものと比較して極めて表面積が小さく
なり、しかも表面も平滑になつて保存中に異物の
付着やガスの吸着が極端に少ないチツプ部品を得
ることができることとなる。また、溶融時に表面
あるいはくぼみの内部に吸着、吸蔵していた異
物、ガス類も放出されるので、最外層の膜自体も
不純物を含まない清潔な膜になり、はんだ濡れ性
およびはんだ付け信頼性の向上につながるチツプ
部品が得られることとなる。そして、電極処理と
しては、高沸点液体中をチツプ部品が高温部側よ
り低温部側に移動するだけであり、複雑な設備を
使用することなく、簡単にして実施することがで
きる。また、このように高沸点液体中で溶融、冷
却が行われ、しかも低温部側ではチツプ部品の電
極同志がくつつくことはないため、チツプ部品を
電極処理時に整列させることなく、バラバラの状
態で多量に投入するだけで処理ができ、しかもチ
ツプ部品が液体と接触しているために加熱、冷却
が短時間で終了することにより、非常に量産性が
高いものとなる。さらに、高沸点液体中にて溶
融、冷却が行われ、空気と触れる機会がないの
で、溶融時でも電極部表面が酸化される心配がな
いものである。また、液体中で溶融処理を行うと
いうことは、空気と比較して、溶融体(低融点金
属や低融点合金など)と接触している高沸点液体
の比重が大で、しかも粘度が大であるため、周囲
より溶融した金属に圧力をかけることになり、溶
融金属表面状態が波打たずに平滑な面になり、厚
みも均一なものができることとなる。なお、高沸
点液体として天然植物系オイルなどのオイルやグ
リセリンといつたフラツクスの作用を有した液体
を使用することにより、フラツクスは不要とな
り、そのために設備は簡素化されるとともに処理
済チツプ部品の洗浄も非常に容易なものとなる。
また、筒状容器の下方にコツク部を直列に配置し
ているので、電極処理済チツプ部品を取出す場合
には、高沸点液体の液面を変化させることなく、
しかも高沸点液体中に空気を混入させることなく
取出しが可能なものである。
Effect According to this configuration, low melting point metal (low melting point alloy)
A film or layer consisting of a high-boiling liquid is melted on the high-temperature side of the container and cooled on the low-temperature side, so surface tension acts during melting, reducing the surface area, and the liquid is cooled in this state. According to
Compared to low melting point metal films (low melting point alloy films) formed with plating films, the surface area is extremely small, and the surface is also smooth, so there is extremely little adhesion of foreign matter or gas adsorption during storage. This means that chip parts can be obtained. Additionally, since foreign substances and gases adsorbed or occluded on the surface or inside the recesses are released during melting, the outermost layer itself becomes a clean film free of impurities, improving solder wettability and soldering reliability. This results in chip parts that lead to improved performance. The electrode treatment simply involves moving the chip parts from the high-temperature side to the low-temperature side in the high-boiling liquid, and can be easily carried out without using complicated equipment. In addition, since melting and cooling are performed in a high-boiling liquid, and the electrodes of the chip parts do not stick together in the low-temperature part, the chip parts do not have to be aligned during electrode processing, and a large amount of chip parts can be disassembled and disassembled. Processing can be done simply by putting the chip into the liquid, and since the chip parts are in contact with the liquid, heating and cooling can be completed in a short time, making it highly suitable for mass production. Furthermore, since the material is melted and cooled in a high boiling point liquid and has no chance of coming into contact with air, there is no fear that the surface of the electrode portion will be oxidized even during melting. Furthermore, performing melting processing in a liquid means that the specific gravity of the high boiling point liquid that is in contact with the molten material (low melting point metal, low melting point alloy, etc.) is high compared to air, and the viscosity is also high. Because of this, pressure is applied to the molten metal from the surroundings, and the molten metal surface becomes smooth without undulations and has a uniform thickness. In addition, by using a liquid with a fluxing effect such as oil such as natural vegetable oil or glycerin as a high boiling point liquid, flux becomes unnecessary, which simplifies the equipment and reduces the need for processed chip parts. Cleaning is also very easy.
In addition, since the pots are arranged in series below the cylindrical container, when removing electrode-treated chip parts, the liquid level of the high boiling point liquid can be removed without changing.
Moreover, it is possible to take out the high boiling point liquid without mixing air into it.

実施例 以下、本発明の一実施例について図面を参照し
ながら説明する。
Embodiment Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

第1図は本発明におけるチツプ部品の電極処理
装置の一例を示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of an electrode processing apparatus for chip parts according to the present invention.

第1図において、7は第2図に示したような構
造を有するチツプ部品で、第3図と同一符号を付
してある。17は例えば長さ約160cm、上端側か
ら下端側にかけての大部分の内径が約9cmのガラ
ス製の筒状容器で、ここでは縦型に設置されてい
る。18はこの容器17中に入れられた天然植物
系オイルであるやし油、19は上記筒状容器17
の上部外周に設けられたマントルヒータなどの加
熱器、20は上記筒状容器17の上面開口部より
上記チツプ部品7をその容器17内に投入するた
めのパーツフイーダである。
In FIG. 1, numeral 7 designates a chip component having the structure shown in FIG. 2, and is designated by the same reference numeral as in FIG. Reference numeral 17 is a glass cylindrical container, for example, about 160 cm long and about 9 cm in inner diameter from the top end to the bottom end, and is installed vertically here. 18 is coconut oil, which is a natural vegetable oil, placed in this container 17; 19 is the cylindrical container 17;
A heater such as a mantle heater 20 provided on the upper outer periphery of the cylindrical container 17 is a parts feeder for feeding the chip parts 7 into the cylindrical container 17 through an opening on the upper surface thereof.

また、21および22は上記筒状容器17の下
端側の細い部分に適宜の間隔をもつて直列に設け
られたコツクで、これらコツク21,22は電極
処理の済んだチツプ部品7を取出すために使用さ
れる。23はこの電極処理装置に用いる高沸点液
体であるやし油18の液面を変動させることなく
処理済みのチツプ部品7を取出すための高沸点液
体溜め容器で、上記筒状容器17の他端先端の底
部開口部24はこの溜め容器23内に満たされた
やし油18中に入つた状態となつている。25は
上記高沸点液体溜め容器23を動かさずに処理済
みのチツプ部品7をその溜め容器23内のやし油
18中より取出すための網状受け器である。
Reference numerals 21 and 22 are handles provided in series at an appropriate interval in the narrow portion of the lower end of the cylindrical container 17. used. Reference numeral 23 denotes a high boiling point liquid storage container for taking out the processed chip parts 7 without changing the liquid level of coconut oil 18, which is a high boiling point liquid used in this electrode processing device. The bottom opening 24 at the tip is placed in the coconut oil 18 filled in the reservoir 23. Reference numeral 25 denotes a net-shaped receiver for taking out the processed chip parts 7 from the coconut oil 18 in the high-boiling liquid reservoir 23 without moving the high-boiling liquid reservoir 23.

この実施例は上述したように筒状容器17を縦
型に設置した例であり、本発明装置の基本的な構
成となるものである。
This embodiment is an example in which the cylindrical container 17 is installed vertically as described above, and is the basic configuration of the apparatus of the present invention.

次に、この第1図の装置を用いて、チツプ部品
7の電極部表面を処理する方法について説明す
る。まず、電極処理を行う段階では、第1図に示
すように上方側のコツク21を開き、下方側のコ
ツク22を閉じておく。この状態でもつて、加熱
器19でガラス製の筒状容器17の上部を250〜
280℃に加熱する。この時、筒状容器17の内部
にやし油18が入つているため、やし油18が
250〜280℃に加熱される。この加熱されたやし油
18は比重が小になり、下部の比重が大である低
温部へは対流せずに上部のみで対流を起こす。そ
のために筒状容器17内におけるやし油18に上
部より下部へ向かつて高温状態から低温状態とな
る温度勾配ができ、底部側は常温を保つことがで
きる。上記のような準備の整つたところへ、やし
油18の液面上方の投入部より筒状容器17内に
パーツフイーダ20からチツプ部品7を投入す
る。ここで、この実施例で使用したチツプ部品7
は角板形チツプ抵抗器で、電極部の構造が、最下
層はAg−Pd、中間層はNi、最外層(低融点金属
メツキ膜)にはSn:Pb=60:40の厚み7〜10μm
の電気メツキ膜を有したものである。また、上記
最外層材料の融点は、180〜190℃である。
Next, a method for treating the surface of the electrode portion of the chip component 7 using the apparatus shown in FIG. 1 will be described. First, in the stage of performing electrode processing, the upper pot 21 is opened and the lower pot 22 is closed, as shown in FIG. Even in this state, the heater 19 is used to heat the upper part of the glass cylindrical container 17 to
Heat to 280℃. At this time, since coconut oil 18 is contained inside the cylindrical container 17, the coconut oil 18
Heated to 250-280℃. The heated coconut oil 18 has a low specific gravity and causes convection only in the upper part without convection to the low temperature part where the specific gravity is high in the lower part. Therefore, a temperature gradient is created in the coconut oil 18 in the cylindrical container 17 from the upper part to the lower part, from a high temperature state to a low temperature state, and the bottom side can maintain room temperature. Once the above preparations have been completed, the chip parts 7 are introduced from the parts feeder 20 into the cylindrical container 17 through the input section above the surface of the coconut oil 18. Here, the chip parts 7 used in this example
is a square plate type chip resistor, and the structure of the electrode part is Ag-Pd for the bottom layer, Ni for the middle layer, and the outermost layer (low-melting metal plating film) has a thickness of 7 to 10 μm with Sn:Pb=60:40.
It has an electroplated film. Further, the melting point of the outermost layer material is 180 to 190°C.

そして、上記仕様のチツプ部品7をパーツフイ
ーダ20を使い、250個/分の速度で加熱された
やし油18面に落下投入する。これにより、チツ
プ部品7はやし油18面に当り、やし油18中を
落下していく。この時、やし油18とチツプ部部
7の摩擦のために、チツプ部品7は個々に分離さ
れた状態で落下し、250〜280℃に加熱された高温
部で電極の最外層であるSn−Pb合金メツキ膜が
溶融され、温度勾配の付いている低温部に落下し
ていき、やし油18の温度がおよそ180℃以下に
なつた部分を通過した時点より溶融部が固化さ
れ、表面が滑らかな電極を有したチツプ部品7と
して筒状容器17内における底部側のコツク22
上に溜まる。この時、筒状容器17の底部は常温
であるので、チツプ部品7同志が接触しても電極
同志がくつつく心配はない。そして、電極表面処
理の済んだチツプ部品7の取出しについては、上
述したように電極処理中はコツク21を開き、コ
ツク22を閉じている。今、処理が済めばコツク
21を閉じ、高沸点液体溜め容器23で筒状容器
17の底部開口部24を液面下に保持した状態で
コツク22を開くと、電極処理の済んだチツプ部
品7はその自重で網状受け器25上に落下する。
次いで、落下し終わるのを確認してから、網状受
け器25を溜め容器23内のやし油18中から引
き上げることにより、取出しは終了する。
Then, using the parts feeder 20, the chip parts 7 having the above specifications are dropped into the heated coconut oil 18 at a rate of 250 pieces/minute. As a result, the chip part 7 hits the surface of the coconut oil 18 and falls through the coconut oil 18. At this time, due to the friction between the coconut oil 18 and the chip part 7, the chip parts 7 fall individually and are heated to a high temperature of 250 to 280°C. - The Pb alloy plating film is melted and falls into a low temperature area with a temperature gradient, and when it passes through the area where the temperature of the coconut oil 18 is approximately 180℃ or less, the molten area solidifies and the surface A tip 22 on the bottom side in the cylindrical container 17 serves as a chip part 7 having a smooth electrode.
It accumulates on top. At this time, since the bottom of the cylindrical container 17 is at room temperature, there is no fear that the electrodes will stick together even if the chip parts 7 come into contact with each other. In order to take out the chip part 7 that has undergone electrode surface treatment, as described above, during the electrode treatment, the pot 21 is opened and the pot 22 is closed. Now, when the processing is completed, the pot 21 is closed and the pot 22 is opened with the bottom opening 24 of the cylindrical container 17 held below the liquid level by the high boiling point liquid storage container 23. falls onto the net-like receiver 25 due to its own weight.
Next, after confirming that the oil has finished falling, the mesh receptacle 25 is pulled up from the palm oil 18 in the storage container 23, thereby completing the extraction.

また、電極処理を続けて行う場合には、コツク
22を閉じ、次にコツク21を開き、パーツフイ
ーダ20よりチツプ部品7を投入する。この工程
を繰り返すことにより、連続的な作業が可能とな
る。このようにしてチツプ部品7の低融点金属メ
ツキ膜の溶融処理が行われる。また、取出された
チツプ部品7は、その後、洗浄するだけで完成品
となる。
When electrode processing is to be continued, the pot 22 is closed, the pot 21 is opened, and the chip parts 7 are fed from the parts feeder 20. By repeating this process, continuous work becomes possible. In this manner, the low melting point metal plating film of the chip component 7 is melted. Furthermore, the chip component 7 that has been taken out can be made into a finished product by simply washing it.

この電極処理装置によれば、やし油18が下部
に流れ出ることもなく、底部開口部24より空気
も入りこまないため、筒状容器17内の液面を変
化させることもない。
According to this electrode processing device, the coconut oil 18 does not flow out to the bottom, and air does not enter through the bottom opening 24, so the liquid level in the cylindrical container 17 does not change.

ここで、上記の一実施例においては、高沸点液
体として天然植物系オイルであるやし油を使用し
た場合について説明したが、これはその他に天然
動物系オイル、天然鉱物系オイル、合成シリコン
系オイル、またはグリセリンなどのフラツクスの
作用を有した材料が同様の効果をもつものとして
使えるものであり、さらにはこれらの材料にとど
まらず、チツプ部品の電極部における溶融体(低
融点金属膜)の融点よりも高い沸点を有する高沸
点液体であれば使用可能なものである。また、加
熱器としてマントルヒータなどを筒状容器の上部
外周に設置した実施例について説明したが、これ
は筒状容器の上方内部に密閉型シーズヒータを設
け、内部より高沸点液体を加熱するようにしても
よいものである。さらに、筒状容器の下端側に2
個のコツクを設けた場合について説明したが、こ
れは3個以上のコツクを設けても別段差支えない
ものである。例えば、3個の場合、チツプ部品の
種類などの変更に応じてコツクの開閉操作を行う
ことにより、電極処理を中断することなく連続的
に処理を行うことが可能である。
Here, in the above example, a case was explained in which coconut oil, which is a natural vegetable oil, was used as the high boiling point liquid, but this also includes natural animal oil, natural mineral oil, synthetic silicon oil, Materials with a flux action such as oil or glycerin can be used to have the same effect, and in addition to these materials, they can also be used for melting (low-melting point metal films) in the electrodes of chip parts. Any high-boiling liquid having a boiling point higher than the melting point can be used. In addition, an example was described in which a mantle heater or the like was installed as a heater on the upper outer periphery of the cylindrical container, but in this case, a closed-type sheathed heater was installed inside the upper part of the cylindrical container to heat a high boiling point liquid from inside. It is okay to do so. Furthermore, 2
Although the case where three or more kettles are provided has been described, there is no particular problem even if three or more kotts are provided. For example, in the case of three chips, it is possible to perform electrode processing continuously without interrupting the electrode processing by opening and closing the cap according to changes in the type of chip parts, etc.

そして、本発明装置において溶融されるチツプ
部品の電極部最外層としては、電気メツキや化学
メツキで構成された低融点金属メツキ膜(低融点
合金メツキ膜)に限られることはなく、溶射や蒸
着などにより形成された低融点金属膜(低融点合
金膜)であつても差支えないものである。また、
これらの低融点金属膜(低融点合金膜)を構成す
る材料としては、上記実施例のはんだの他に、一
般によく用いられるスズや、さらには鉛などが使
用可能なものである。
The outermost layer of the electrode part of the chip component to be melted in the apparatus of the present invention is not limited to a low melting point metal plating film (low melting point alloy plating film) composed of electroplating or chemical plating, but can also be formed by thermal spraying or vapor deposition. There is no problem even if it is a low melting point metal film (low melting point alloy film) formed by, etc. Also,
In addition to the solder of the above-mentioned embodiments, commonly used materials such as tin and even lead can be used as materials constituting these low-melting point metal films (low-melting point alloy films).

そして、低融点金属膜(低融点合金膜)の融点
は100〜550℃、膜厚は1μm以上であることが好
ましい。まず、融点が100℃未満の場合ははんだ
付けした後、再溶融金属膜が部品使用中に自己発
熱で溶融してしまうことがあり、550℃を超える
場合は抵抗体や被覆膜が破壊されてしまい、チツ
プ部品としての性能を保持できなくなる恐れがあ
る。また、膜厚が1μm未満の場合、熱処理後に
均一な膜が形成できなく、実装時におけるはんだ
付けの信頼性が落ちることになり、保管中に酸化
してしまうことにもなる。この膜厚は、8〜15μ
mであれば非常にはんだ付けがしやすいことが実
験により確認されている。
The melting point of the low melting point metal film (low melting point alloy film) is preferably 100 to 550°C, and the film thickness is preferably 1 μm or more. First, if the melting point is less than 100℃, the re-melted metal film may melt due to self-heating during use of the component after soldering, and if it exceeds 550℃, the resistor and coating may be destroyed. There is a risk that the performance as a chip component may not be maintained. Furthermore, if the film thickness is less than 1 μm, a uniform film cannot be formed after heat treatment, which reduces the reliability of soldering during mounting and may lead to oxidation during storage. This film thickness is 8 to 15μ
It has been confirmed through experiments that soldering is extremely easy with m.

さらに、本発明による電極処理装置は、銅や銅
合金などのはんだ付け可能な金属膜または合金膜
を有し、最外層に低融点金属ペーストあるいは低
融点合金ペーストを塗布し乾燥させた層を有する
チツプ部品についても、適用できるものである。
この場合、下地層としてのはんだ付け可能な金属
膜(合金膜)の融点が高沸点液体の融点よりも高
いことはもちろんである。そして、この低融点金
属(低融点合金)ペーストを塗布し乾燥させた層
を最外層に有するチツプ部品を本発明装置にて電
極処理した場合、低融点金属(低融点合金)ペー
ストによる層は電気メツキ膜や化学メツキ膜で構
成されてなるものより、はんだ付け信頼性に関係
する厚みを厚くしかも均一に作る上で有利なもの
である。また、低融点金属(低融点合金)ペース
ト中には通常フラツクスが含まれているが、この
フラツクスは溶融時に高沸点液体に溶解するた
め、焼付くこともなく、効果を阻害することはな
いものである。そして、この構造のチツプ部品に
おいては、低融点金属(低融点合金)ペーストに
よる層の厚みは、乾燥状態で3μm以上であるこ
とが好ましく、特に25〜100μmの厚みが適して
いる。
Further, the electrode processing device according to the present invention has a solderable metal film or alloy film made of copper or copper alloy, and has a layer in which a low melting point metal paste or a low melting point alloy paste is applied and dried as the outermost layer. It can also be applied to chip parts.
In this case, it goes without saying that the melting point of the solderable metal film (alloy film) as the base layer is higher than the melting point of the high boiling point liquid. When a chip component having the outermost layer coated with this low melting point metal (low melting point alloy) paste and dried is subjected to electrode treatment using the device of the present invention, the layer made of the low melting point metal (low melting point alloy) paste is electrically This is more advantageous than a plating film or a chemical plating film in terms of making the thickness, which is related to soldering reliability, thicker and more uniform. In addition, low melting point metal (low melting point alloy) paste usually contains flux, but this flux dissolves in high boiling point liquid when melted, so it does not seize or impair its effectiveness. It is. In a chip component having this structure, the thickness of the layer made of the low melting point metal (low melting point alloy) paste is preferably 3 .mu.m or more in a dry state, and a thickness of 25 to 100 .mu.m is particularly suitable.

発明の効果 以上のように本発明におけるチツプ部品の電極
処理装置は構成されているものであり、数多くの
特徴を有している。まず、低融点金属(低融点合
金)からなる膜または層が容器中における高沸点
液体の高温部側で溶融され、低温部側で冷却され
るため、溶融時に表面張力が働き、表面積は小さ
くなつており、この状態で冷却されることによ
り、メツキ膜などで形成された低融点金属膜(低
融点合金膜)のものと比較して極めて表面積が小
さくなり、しかも表面も平滑になつて保存中に異
物の付着やガスの吸着が極端に少ないチツプ部品
を得ることができることとなる。また、溶融時に
表面あるいはくぼみの内部に吸着、吸蔵していた
異物、ガス類も放出されるので、最外層の膜自体
も不純物を含まない清潔な膜になり、はんだ濡れ
性およびはんだ付け信頼性が向上するチツプ部品
が得られることとなる。そして、電極処理として
は、高沸点液体中をチツプ部品が高温部側より低
温部側に移動するだけであり、複雑な設備を使用
することなく、簡単にして実施することができ
る。また、このように高沸点液体中で溶融、冷却
が行われ、しかも低温部側ではチツプ部品の電極
同志がくつつくことはないため、チツプ部品を電
極処理時に整列させることなく、バラバラの状態
で多量に投入するだけで処理ができ、しかもチツ
プ部品が液体と接触しているために加熱、冷却が
短時間で終了することにより、非常に量産性が高
いものとなる。さらに、高沸点液体中にて溶融、
冷却が行われ、空気と触れる機会がないので、溶
融時でも電極部表面が酸化される心配がないもの
である。また、液体中で溶融処理を行うというこ
とは、空気と比較して、溶融体(低融点金属や低
融点合金など)と接触している高沸点液体の比重
が大で、しかも粘度が大であるため、周囲より溶
融した金属に圧力をかけることになり、溶融金属
表面状態が波打たずに平滑な面になり、厚みも均
一なものができることとなる。なお、高沸点液体
として天然植物系オイルなどのオイルやグリセリ
ンといつたフラツクスの作用を有した液体を使用
することにより、フラツクスは不要となり、その
ために設備は簡素化されるとともに処理済チツプ
部品の洗浄も非常に容易なものとなる。
Effects of the Invention As described above, the electrode processing device for chip parts according to the present invention is constructed and has many features. First, a film or layer made of a low melting point metal (low melting point alloy) is melted on the high temperature side of the high boiling point liquid in the container and cooled on the low temperature side, so surface tension acts during melting and the surface area becomes smaller. By being cooled in this state, the surface area becomes extremely small compared to that of a low melting point metal film (low melting point alloy film) formed by plating, etc., and the surface becomes smooth during storage. This makes it possible to obtain chip parts with extremely low adhesion of foreign matter and gas adsorption. Additionally, since foreign substances and gases adsorbed or occluded on the surface or inside the recesses are released during melting, the outermost layer itself becomes a clean film free of impurities, improving solder wettability and soldering reliability. This results in chip parts with improved performance. The electrode treatment simply involves moving the chip parts from the high-temperature side to the low-temperature side in the high-boiling liquid, and can be easily carried out without using complicated equipment. In addition, since melting and cooling are performed in a high-boiling liquid, and the electrodes of the chip parts do not stick together in the low-temperature part, the chip parts do not have to be aligned during electrode processing, and a large amount of chip parts can be disassembled and disassembled. Processing can be done simply by putting the chip into the liquid, and since the chip parts are in contact with the liquid, heating and cooling can be completed in a short time, making it highly suitable for mass production. Furthermore, melting in high boiling point liquid,
Since cooling is performed and there is no opportunity for contact with air, there is no fear that the surface of the electrode portion will be oxidized even when melted. Furthermore, performing melting processing in a liquid means that the specific gravity of the high boiling point liquid that is in contact with the molten material (low melting point metal, low melting point alloy, etc.) is high compared to air, and the viscosity is also high. Because of this, pressure is applied to the molten metal from the surroundings, and the molten metal surface becomes smooth without undulations and has a uniform thickness. In addition, by using a liquid with a fluxing effect such as oil such as natural vegetable oil or glycerin as a high boiling point liquid, flux becomes unnecessary, which simplifies the equipment and reduces the need for processed chip parts. Cleaning is also very easy.

さらに、本発明の効果を以下に列挙する。 Furthermore, the effects of the present invention are listed below.

(1) チツプ部品を整列することなく投入できるの
で、チツプ部品の寸法に関係なく同一設備で処
理することができる。また、寸法の異なつたチ
ツプ部品を混合して処理することもできる。
(1) Since chip parts can be input without arranging them, they can be processed with the same equipment regardless of their size. It is also possible to mix and process chip parts of different sizes.

(2) フラツクスを使用することなく処理できるた
め、チツプ部品の洗浄が容易であり、しかもフ
ラツクスの焼付きがなく出来上りがきれいであ
る。
(2) Since the process can be performed without using flux, cleaning of chip parts is easy, and the finished product is clean with no flux sticking.

(3) 熱媒体が高沸点液体のため、温度コントーロ
ールも精度が高く、高沸点液体とチツプ部品が
接触しているため、熱伝導が早く、溶融および
固化の処理が短時間ででき、しかも溶融処理の
信頼性が高い。すなわち、溶融の失敗がないも
のとなる。
(3) Since the heating medium is a high-boiling point liquid, temperature control is highly accurate, and since the high-boiling point liquid and chip parts are in contact, heat conduction is fast, and melting and solidification processes can be performed in a short time. High processing reliability. In other words, there is no melting failure.

(4) 高沸点液体に温度勾配を付けているため、処
理済チツプ部品を低温部に一度に山積状態で溜
めることができ、まとめて一度に取出しが可能
で、取出し作業が非常に簡素化できる。
(4) Since the high-boiling point liquid has a temperature gradient, processed chip parts can be stored in a pile in the low-temperature section at once, and can be taken out all at once, greatly simplifying the removal work. .

(5) 高沸点液体の種類または比重を選ぶことによ
り、チツプ部品の液体中の通過時間を変えるこ
とができる。また、高沸点液体の温度勾配を変
えることにより、比重が変化するのでチツプ部
品の液体中の通過時間を同じく変えることがで
きる。これにより、チツプ部品の低融点金属ま
たは低融点合金からなる膜または層の種類ある
いは寸法形状が変わつても容易に対処すること
ができる。
(5) By selecting the type or specific gravity of the high boiling point liquid, the passage time of the chip parts in the liquid can be changed. In addition, by changing the temperature gradient of the high-boiling liquid, the specific gravity changes, so that the transit time of the chip part through the liquid can also be changed. Thereby, even if the type or size and shape of the film or layer made of the low melting point metal or low melting point alloy of the chip component changes, it can be easily handled.

(6) 機械的に動く部分が全くないので、設備の故
障が皆無といつてよく、稼働率が飛躍的に向上
する。
(6) Since there are no mechanically moving parts, it can be said that there are no equipment failures, and the operating rate is dramatically improved.

(7) 筒状容器の下方(底部)にコツクを直列に配
置しているので、電極処理済みのチツプ部品を
取出す場合には、高沸点液体の液面を変化させ
ることなく、しかも高沸点液体中に空気を混入
させることなく取出しができる。
(7) Since the pots are arranged in series at the bottom (bottom) of the cylindrical container, when removing chip parts that have been processed with electrodes, the liquid level of the high-boiling point liquid does not change, and the high-boiling point liquid It can be taken out without mixing air inside.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of the drawing]

第1図は本発明におけるチツプ部品の電極処理
装置の一実施例を示す概略構成図、第2図はチツ
プ部品の一種である角板形チツプ抵抗器を示す断
面図、第3図は従来知られているところのチツプ
部品の電極処理を実施するための装置の一例を示
す概略構成図である。 1……絶縁基板、2……抵抗体、3……銀系電
極膜、4……ニツケル膜、5……はんだ膜、6…
…ガラス被覆膜、7……チツプ部品、17……筒
状容器、18……やし油(高沸点液体)、19…
…加熱器、20……パーツフイーダ、21,22
……コツク、23……高沸点液体溜め容器、24
……底部開口部、25……網状受け器。
Fig. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of the electrode processing device for chip parts according to the present invention, Fig. 2 is a sectional view showing a square plate chip resistor which is a type of chip part, and Fig. 3 is a conventionally known 1 is a schematic configuration diagram showing an example of an apparatus for performing electrode processing on a chip component. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1... Insulating substrate, 2... Resistor, 3... Silver-based electrode film, 4... Nickel film, 5... Solder film, 6...
...Glass coating film, 7... Chip parts, 17... Cylindrical container, 18... Coconut oil (high boiling point liquid), 19...
... Heater, 20 ... Parts feeder, 21, 22
... Kotoku, 23 ... High boiling point liquid storage container, 24
...Bottom opening, 25...mesh receptacle.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 絶縁基体の両端部に、下地層として高融点金
属膜または高融点合金膜を有するとともに最外層
として低融点金属膜または低融点合金膜を有する
電極部をもつチツプ部品の電極処理装置におい
て、内部にオイルなどの高沸点液体を満たしかつ
一方の端にチツプ部品を投入する投入部を備えた
筒状容器と、上記高沸点液体に温度勾配をもたせ
るように上記筒状容器の一方の端に配された加熱
器と、上記筒状容器の他方の端に間隔をあけて配
設された2個以上のコツクとからなり、かつ上記
筒状容器の下方に上記コツク部を設置するととも
にそのコツク部側に処理済のチツプ部品を取出す
取出し部を備え、上記チツプ部品を投入して処理
する時は、上記コツクのうち下方のコツクを閉じ
るとともに、上方のコツクを開放状態とし、処理
したチツプ部品を取出す時は、上方のコツクを閉
じた後、下方のコツクを開くことを特徴とするチ
ツプ部品の電極処理装置。 2 高沸点液体として、天然植物系オイル、天然
動物系オイル、天然鉱物系オイル、合成シリコン
系オイルまたはグリセリンのいずれか1つを用い
てなる特許請求の範囲第1項記載のチツプ部品の
電極処理装置。 3 加熱器として外部より加熱するマルトルヒー
タまたは内部より加熱する密閉型シーズヒータを
用いてなる特許請求の範囲第1項記載のチツプ部
品の電極処理装置。
[Scope of Claims] 1. A chip component having an electrode portion having a high melting point metal film or a high melting point alloy film as a base layer and a low melting point metal film or a low melting point alloy film as the outermost layer at both ends of an insulating substrate. In an electrode processing device, the cylindrical container is filled with a high boiling point liquid such as oil and has an input section at one end into which chip parts are input, and the cylindrical container is configured to have a temperature gradient in the high boiling point liquid. a heater disposed at one end of the cylindrical container, and two or more pots arranged at intervals at the other end of the cylindrical container, and the pots are arranged below the cylindrical container. At the same time, the chip part is equipped with a take-out part for taking out the processed chip parts, and when the chip parts are loaded and processed, the lower part of the part is closed, and the upper part is left open. An electrode processing device for chip parts, characterized in that when taking out the processed chip parts, the upper part is closed and then the lower part is opened. 2. Electrode treatment of chip parts according to claim 1, using any one of natural vegetable oil, natural animal oil, natural mineral oil, synthetic silicone oil, or glycerin as the high boiling point liquid. Device. 3. The electrode processing device for chip parts according to claim 1, which uses a maltor heater that heats from the outside or a closed-type sheathed heater that heats from the inside as the heater.
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Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS5419073A (en) * 1977-07-13 1979-02-13 Hitachi Ltd Remote control apparatus

Patent Citations (1)

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