JPH0543227A - Electromagnetic-effect material - Google Patents
Electromagnetic-effect materialInfo
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- JPH0543227A JPH0543227A JP3175864A JP17586491A JPH0543227A JP H0543227 A JPH0543227 A JP H0543227A JP 3175864 A JP3175864 A JP 3175864A JP 17586491 A JP17586491 A JP 17586491A JP H0543227 A JPH0543227 A JP H0543227A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、デジタル情報記憶用メ
モリ素子や各種電子デバイス等に有用な電気磁気効果材
料に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electromagnetic effect material useful for memory elements for storing digital information, various electronic devices and the like.
【０００２】[0002]
【従来の技術およびその問題点】従来、電気磁気効果、
即ち、外部から印加された電界により物質に磁化が誘起
される現象、また逆に、外部から印加された磁界により
物質に電気分極が誘起される現象について、例えば、Ｔ
he Electrodynamics of Magneto-electric Media(1970)
pp1-19、磁性体ハンドブック（朝倉書店）昭和50年 98
9-999頁等に報告されている。しかしながら、この電気
磁気効果が確認されている材料は、効果の発現する温度
が Cr2O3の３０７Ｋを最高に、ほとんどの材料が１００
Ｋ以下となっている。このために、従来の材料では室温
近傍において安定的な効果の発現は望めず、電気磁気効
果を応用した実用的な各種デバイス、メモリー等を構成
することが困難であった。2. Description of the Related Art Conventionally, the electromagnetic effect,
That is, regarding a phenomenon in which magnetization is induced in a substance by an electric field applied from the outside, and conversely, an electric polarization is induced in the substance by a magnetic field applied from the outside, for example, T
he Electrodynamics of Magneto-electric Media (1970)
pp1-19, Magnetic Handbook (Asakura Shoten) 1975 98
It is reported on pages 9-999. However, among the materials for which this electromagnetic effect has been confirmed, the temperature at which the effect is expressed reaches a maximum of 307K of Cr 2 O 3 , and most materials have
It is below K. For this reason, conventional materials cannot be expected to exhibit a stable effect in the vicinity of room temperature, and it has been difficult to construct various practical devices and memories to which the electromagnetic effect is applied.
【０００３】[0003]
【問題点を解決するための手段】本発明は、上記問題点
を解決し、室温領域において安定的に電気磁気効果を呈
する材料を提供しようとするものである。本発明は、ｘ
Ａ−ｙＢ−ｚＣ−ｗＤ−αＯ系酸化物セラミックス（式
中、Ａ及びＢは、一般式ＡＢＯ3 で表され、かつ強磁性
又は反強磁性を示すペロブスカイト型構造化合物を形成
しうる元素の組合せから選ばれる一種以上の元素であ
り、Ｃ及びＤは、一般式ＣＤＯ3 で表され、かつ強誘電
性、反強誘電性、圧電効果又はピエゾ効果を示すペロブ
スカイト型構造化合物を形成しうる元素の組合せから選
ばれる一種以上の元素である。ただし、ＡとＣが同一か
つＢとＤが同一である場合、及びＡがBiかつＢがFeの場
合を除く。また、ｘ、ｙ、ｚ及びｗはＡ、Ｂ、Ｃ及びＤ
の各元素の割合を示し、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝１で0.01＜ｘ
＜0.95、0.01＜ｙ＜0.95、0.01＜ｚ＜0.95、0.01＜ｗ＜
0.95であり、αは他の元素の原子価を満足する酸素の数
である。）から構成されてなる電気磁気効果材料であ
り、かつ２５０〜７００Ｋの温度範囲に電気磁気結合係
数が 1.0×10-5(emu cm/V g)以上となる温度領域を有す
ることを特徴とする電気磁気効果材料に関する。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention is intended to solve the above problems and to provide a material which stably exhibits an electromagnetic effect in a room temperature region. The present invention is x
A-yB-zC-wD-αO-based oxide ceramics (wherein A and B are represented by the general formula ABO 3 and are a combination of elements capable of forming a perovskite structure compound showing ferromagnetism or antiferromagnetism) C and D are one or more elements selected from the group consisting of elements represented by the general formula CDO 3 and capable of forming a perovskite structure compound having ferroelectricity, antiferroelectricity, piezoelectric effect or piezoelectric effect. One or more elements selected from combinations, except when A and C are the same and B and D are the same, and when A is Bi and B is Fe. X, y, z and w Is A, B, C and D
Shows the ratio of each element of, and 0.01 <x when x + y + z + w = 1
<0.95, 0.01 <y <0.95, 0.01 <z <0.95, 0.01 <w <
0.95 and α is the number of oxygen satisfying the valences of other elements. ), And has a temperature range in which the electromagnetic coupling coefficient is 1.0 × 10 −5 (emu cm / V g) or more in the temperature range of 250 to 700 K. It relates to an electromagnetic effect material.
【０００４】本発明における電気磁気効果材料は、ｘＡ
−ｙＢ−ｚＣ−ｗＤ−αＯ系酸化物セラミックスから構
成される。この酸化物セラミックスは、Ｘ線回折によれ
ば、アモルファス状態であり、ほとんど結晶相を形成し
ないで存在している。このようにアモルファス状態であ
ることにより、電気磁気効果が発現するものと考えられ
る。なお、本発明においては、前記酸化物セラミックス
の一部の組成によっては、ペロブスカイト相、スピネル
相等の結晶相が若干含有されていてもよい。The electromagnetic effect material in the present invention is xA.
-YB-zC-wD-? O-based oxide ceramics. According to X-ray diffraction, this oxide ceramic is in an amorphous state and exists with almost no crystalline phase formed. It is considered that the electromagnetic effect is exhibited due to the amorphous state. In the present invention, some crystal phases such as a perovskite phase and a spinel phase may be contained depending on the composition of a part of the oxide ceramics.
【０００５】前記式中、Ａ及びＢは、一般式ＡＢＯ3 で
表され、かつ強磁性又は反強磁性を示すペロブスカイト
型構造化合物を形成しうる元素の組合せから選ばれる一
種以上の元素である。Ａとしては、Na、Ｋ、Cs、Ca、S
r、Ba、Ｙ、Cu、Cd、In、Tl、Pb、Bi、Pu、Am等やLa、C
e、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb
及びLu等のランタン系列元素が挙げられる。Ｂとして
は、３ｄ遷移金属元素のTi、Ｖ、Cr、Mn、Fe、Co、Ni及
びCu、及び４ｆ希土類元素のLa、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、
Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuから選ばれる一
種以上の元素、あるいはさらに、前記元素とLi、Na、M
g、Al、Sc、Nb、Ta、Mo、Ｗ、Re、Ru、Os、Rh、Ir、Z
n、Cd、Ga、In、Sn、Sb、Bi、Te、Pa、Ｕ、Pu等の組合
せが挙げられる。Ａ及びＢは、磁気的特性の発現に寄与
していると推測される。In the above formula, A and B are one or more elements selected from the combination of elements represented by the general formula ABO 3 and capable of forming a perovskite structure compound exhibiting ferromagnetism or antiferromagnetism. As A, Na, K, Cs, Ca, S
r, Ba, Y, Cu, Cd, In, Tl, Pb, Bi, Pu, Am, etc., La, C
e, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb
And lanthanum series elements such as Lu. As B, 3d transition metal elements such as Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni and Cu, and 4f rare earth elements such as La, Ce, Pr, Nd, Pm and Sm,
Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb and one or more elements selected from Lu, or further, the element and Li, Na, M
g, Al, Sc, Nb, Ta, Mo, W, Re, Ru, Os, Rh, Ir, Z
Combinations of n, Cd, Ga, In, Sn, Sb, Bi, Te, Pa, U, Pu and the like can be mentioned. It is speculated that A and B contribute to the development of magnetic properties.
【０００６】Ｃ及びＤは、一般式ＣＤＯ3 で表され、か
つ強誘電性、反強誘電性、圧電効果又はピエゾ効果を示
すペロブスカイト型構造化合物を形成しうる元素の組合
せから選ばれる一種以上の元素である。Ｃとしては、N
a、Ｋ、Ca、Sr、Cd、Ba、Pb、Bi、La、Li、Ce、Nd、
Ｙ、Er、Ho、Tm、Yb、Lu等が挙げられる。また、Ｄとし
ては、Nb、Ta、Ti、Zr、Hf、Fe、Ｉ、Mg、Ｗ、Cd、Mn、
Co、Re、Sc、Nd、Ni、In、Yb、Ho、Lu、Li、Zn、Cr、S
b、Sn、Al、Ｖ、Ｙ等が挙げられる。Ｃ及びＤは、誘電
的性質の発現に寄与していると推測される。ただし、Ａ
とＣが同一かつＢとＤが同一である場合、及びＡがFeか
つＢがBiの場合を除く。また、ｘ、ｙ、ｚ及びｗはＡ、
Ｂ、Ｃ及びＤの各元素の割合を示し、ｘ＋ｙ＋ｚ＋ｗ＝
１で0.01＜ｘ＜0.95、0.01＜ｙ＜0.95、0.01＜ｚ＜0.9
5、0.01＜ｗ＜0.95である場合に、得られる酸化物セラ
ミックスは、アモルファス状態となり、電気磁気効果が
発現する。また、本発明においては、前記酸化物セラミ
ックスから構成される電気磁気効果材料は、２５０〜７
００Ｋの温度範囲に電気磁気結合係数が 1.0×10-5(emu
cm/V g)以上となる温度領域を有する。C and D are one or more selected from a combination of elements represented by the general formula CDO 3 and capable of forming a perovskite type structural compound exhibiting ferroelectricity, antiferroelectricity, piezoelectric effect or piezoelectric effect. It is an element. C is N
a, K, Ca, Sr, Cd, Ba, Pb, Bi, La, Li, Ce, Nd,
Y, Er, Ho, Tm, Yb, Lu and the like can be mentioned. Further, as D, Nb, Ta, Ti, Zr, Hf, Fe, I, Mg, W, Cd, Mn,
Co, Re, Sc, Nd, Ni, In, Yb, Ho, Lu, Li, Zn, Cr, S
Examples thereof include b, Sn, Al, V and Y. It is speculated that C and D contribute to the development of dielectric properties. However, A
And C are the same and B and D are the same, and A is Fe and B is Bi. Also, x, y, z and w are A,
The ratio of each element of B, C and D is shown, and x + y + z + w =
0.01 <x <0.95, 0.01 <y <0.95, 0.01 <z <0.9 at 1
In the case of 5, 0.01 <w <0.95, the obtained oxide ceramic is in an amorphous state and the electromagnetic effect is exhibited. Further, in the present invention, the electromagnetic effect material composed of the oxide ceramic is 250 to 7
Electromagnetic coupling coefficient 1.0 × 10 -5 (emu
It has a temperature range of not less than cm / V g).
【０００７】本発明の電気磁気効果材料の製造方法とし
ては、前記特性を有する材料が得られれば、特に制限は
ないが、反応性スパッタリング法、ゾル・ゲル法等が挙
げられる。例えば、反応性スパッタリング法によれば、
以下の方法で本発明の電気磁気効果材料を製造すること
ができる。基板上に、酸素雰囲気中の反応性スパッタリ
ング法により、前記式中のＡ及びＢのそれぞれの酸化物
又はＡＢＯ3 の粉末、及びＣ及びＤのそれぞれの酸化物
又はＣＤＯ3 の粉末を混合焼結したものをターゲットと
して薄膜を作製する。次いで、この薄膜を空気雰囲気中
で、４００〜９００℃で熱処理することにより、本発明
の電気磁気効果材料が得られる。前記スパッタ直後の薄
膜は、電気磁気効果を示さないが、この薄膜を熱処理す
ることにより、電気磁気効果を呈するようになる。The method for producing the electromagnetic effect material of the present invention is not particularly limited as long as the material having the above-mentioned properties is obtained, but a reactive sputtering method, a sol-gel method and the like can be mentioned. For example, according to the reactive sputtering method,
The electromagnetic effect material of the present invention can be manufactured by the following method. On the substrate, by a reactive sputtering method in an oxygen atmosphere, a powder of each oxide of A and B or ABO 3 in the above formula and a powder of each oxide of C and D or a powder of CDO 3 are mixed and sintered. A thin film is produced by using the above target as a target. Then, this thin film is heat-treated at 400 to 900 ° C. in an air atmosphere to obtain the electromagnetic effect material of the present invention. The thin film immediately after the sputtering does not show an electromagnetic effect, but when this thin film is heat-treated, it exhibits an electromagnetic effect.
【０００８】[0008]
【実施例】以下に、実施例により本発明について具体的
に説明する。 実施例１ まず、シリコン基板上にスパッタリング法によってPt電
極層並びに酸化シリコン層を形成した。次いで、酸化シ
リコン層上に、酸素雰囲気中の反応性スパッタリング法
により、Bi2O3 、CoFe2O4 及びLiNbO3の粉末を混合焼結
したものをターゲットとしてｘ：ｙ：ｚ：ｗ＝0.16：0.
52：0.16：0.16の割合の薄膜を作製した。スパッタリン
グ電力は 2.5（Ｗ／cm2)であり、スパッタガス圧は２５
mTorr とし、スパッタリングガス圧比は、Ar／O2＝４／
１とした。スパッタリング中基板は水冷し、堆積膜圧は
１μｍとした。前記スパッタ直後の薄膜を空気雰囲気中
で、６００℃で３時間熱処理した。さらに、前記薄膜上
にスパッタリング法によって酸化シリコン層並びにPt電
極層を形成した。酸化シリコン層並びにPt電極層の堆積
膜厚は、共に 0.2μｍとした。得られた薄膜につき、印
加電界強度が１０ｋＶ／cmの時の電気磁気結合係数
（α）を測定した。その結果、３００Ｋにおいてαは
1.5×10-4(emu cm/V g)であり、３５０Ｋにおいても 1.
3×10-4(emu cm/V g)であった。EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples. Example 1 First, a Pt electrode layer and a silicon oxide layer were formed on a silicon substrate by a sputtering method. Then, a mixture of powders of Bi 2 O 3 , CoFe 2 O 4 and LiNbO 3 was mixed and sintered on the silicon oxide layer by a reactive sputtering method in an oxygen atmosphere to target x: y: z: w = 0.16. : 0.
A thin film with a ratio of 52: 0.16: 0.16 was prepared. Sputtering power is 2.5 (W / cm 2 ) and sputtering gas pressure is 25.
mTorr, and the sputtering gas pressure ratio is Ar / O 2 = 4 /
It was set to 1. The substrate was water-cooled during the sputtering, and the deposition film pressure was 1 μm. The thin film immediately after sputtering was heat-treated at 600 ° C. for 3 hours in an air atmosphere. Further, a silicon oxide layer and a Pt electrode layer were formed on the thin film by a sputtering method. The deposited film thicknesses of the silicon oxide layer and the Pt electrode layer were both 0.2 μm. With respect to the obtained thin film, the electromagnetic coupling coefficient (α) was measured when the applied electric field strength was 10 kV / cm. As a result, at 300K, α is
1.5 × 10 -4 (emu cm / V g), even at 350K 1.
It was 3 × 10 −4 (emu cm / V g).
【０００９】実施例２ まず、シリコン基板上にスパッタリング法によってPt電
極層を形成した。次いで、酸素雰囲気中の反応性スパッ
タリング法により、Dy2O3 、Fe2O3 、PbO 及びTiO2の混
合粉末を充填したものをターゲットとして用い、先のPt
電極層上に酸化物薄膜層を形成した。スパッタガスはA
r:O2=7:3 の混合ガスで、Ar, O2それぞれのガスの純度
は99.995% 以上のものを使用した。製膜に先だって基板
温度を２００℃まで上昇させ、主に基板表面に吸着して
いる水分の脱離処理を行なった。さらに、製膜前に約30
分ほどプリスパッタリングを行ない、ターゲット表面の
清浄化を図り、スパッタリング製膜時における膜質と薄
膜組成の安定化を図った。スパッタリングガス導入前、
真空度が２×10-7Torr以下に到達していることを確認し
た。スパッタ製膜中、全ガス圧は25mTorr と一定にし
た。スパッタリング中は基板を固定している銅製のアノ
ードを水冷し、製膜中の基板温度を20〜25℃に維持し
た。高周波投入電力は110Wとし、30〜60分のスパッタリ
ング製膜を行なった。このようにして得られた薄膜はタ
ーゲットの組成によりスパッタリング速度が変動するた
めに膜厚に変動が見られたが、およそ夫々の薄膜におい
て 500〜1000nmの膜厚を示した。このスパッタ直後の薄
膜を空気雰囲気中で、６００℃で３時間熱処理した。さ
らに、前記薄膜上にスパッタリング法によってPt電極層
を形成した。２つのPt電極層の堆積膜厚は、共に 200nm
とした。以上のような薄膜形成プロセスにより、Dy、F
e、Pb、Tiからなる酸化物スパッタ薄膜を作製した。夫
々の薄膜について、印加電界強度が１０ｋＶ／cmの時の
電気磁気結合係数（α）を測定した。その結果を表１に
示す。同表によれば、３５０Ｋにおいても最小でも凡そ
1.1×10-4(emu cm/V g)程度の電気磁気結合係数を観測
した。Example 2 First, a Pt electrode layer was formed on a silicon substrate by a sputtering method. Then, by a reactive sputtering method in an oxygen atmosphere, using a mixture of Dy 2 O 3 , Fe 2 O 3 , PbO and TiO 2 mixed powder as a target, the Pt
An oxide thin film layer was formed on the electrode layer. Sputter gas is A
A mixed gas of r: O 2 = 7: 3 with Ar and O 2 gas purity of 99.995% or more was used. Prior to the film formation, the substrate temperature was raised to 200 ° C., and the moisture adsorbed mainly on the substrate surface was desorbed. Furthermore, about 30 before film formation
Pre-sputtering was performed for about a minute to clean the target surface and stabilize the film quality and thin film composition during sputtering film formation. Before introducing the sputtering gas,
It was confirmed that the degree of vacuum reached 2 × 10 −7 Torr or less. During the sputtering film formation, the total gas pressure was kept constant at 25 mTorr. During sputtering, the copper anode fixing the substrate was water-cooled to maintain the substrate temperature during film formation at 20 to 25 ° C. The high frequency power was 110 W and the sputtering film formation was performed for 30 to 60 minutes. The thin films obtained in this way showed variations in film thickness due to changes in the sputtering rate depending on the composition of the target. The thin film immediately after sputtering was heat-treated at 600 ° C. for 3 hours in an air atmosphere. Further, a Pt electrode layer was formed on the thin film by a sputtering method. The deposition thickness of the two Pt electrode layers are both 200 nm
And By the thin film formation process as described above, Dy, F
An oxide sputtered thin film made of e, Pb and Ti was prepared. The electromagnetic coupling coefficient (α) of each thin film was measured when the applied electric field strength was 10 kV / cm. The results are shown in Table 1. According to the table, even at 350K, the minimum is roughly
An electromagnetic coupling coefficient of about 1.1 × 10 -4 (emu cm / V g) was observed.
【００１０】[0010]
【表１】 [Table 1]
【００１１】実施例３ 実施例２において、ターゲットとして、Gd2O3 、Fe
2O3 、PbO 及びZrO2の混合粉末を充填したものを用いた
他は、実施例２と同様にしてGd、Fe、Pb、Zrからなる酸
化物スパッタ薄膜を作製した。夫々の薄膜について、印
加電界強度が１０ｋＶ／cmの時の電気磁気結合係数
（α）を測定した。その結果を表２に示す。同表によれ
ば、３５０Ｋにおいても最小でも凡そ 1.0×10-4(emu c
m/V g)程度の電気磁気結合係数を観測した。Example 3 In Example 2, Gd 2 O 3 and Fe were used as targets.
An oxide sputtered thin film of Gd, Fe, Pb, and Zr was prepared in the same manner as in Example 2 except that the one filled with the mixed powder of 2 O 3 , PbO 2 , and ZrO 2 was used. The electro-magnetic coupling coefficient (α) of each thin film was measured when the applied electric field strength was 10 kV / cm. The results are shown in Table 2. According to the table, even at 350K, the minimum is about 1.0 × 10 -4 (emu c
An electromagnetic coupling coefficient of about m / V g) was observed.
【００１２】[0012]
【表２】 [Table 2]
【００１３】実施例４ 実施例２において、ターゲットとして、M2O3、Bi2O3 及
びBaTiO3の混合粉末を充填したものを用いた他は、実施
例２と同様にしてＭ、Bi、Ba、Tiからなる酸化物スパッ
タ薄膜を作製した。ただし、Ｍは、La、Ce、Pr、Nd、P
m、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb又はLuであ
り、また、ｘBi−ｙＭ−ｚBa−ｗTi−αＯと表記したと
きのｘ、ｙ、ｚ及びｗは夫々0.30、0.30、0.20、0.20と
した。夫々の薄膜について、印加電界強度が１０ｋＶ／
cmの時の電気磁気結合係数（α）を測定した。その結果
を表３に示す。同表によれば、３５０Ｋにおいても最小
でも凡そ 0.2×10-3(emu cm/V g)程度の電気磁気結合係
数を観測した。Example 4 In the same manner as in Example 2, except that the target filled with the mixed powder of M 2 O 3 , Bi 2 O 3 and BaTiO 3 was used in Example 2, M, Bi, An oxide sputtered thin film made of Ba and Ti was prepared. However, M is La, Ce, Pr, Nd, P
m, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb or Lu, and when expressed as xBi-yM-zBa-wTi-αO, x, y, z and w are 0.30 respectively. , 0.30, 0.20, 0.20. The applied electric field strength was 10 kV /
The electromagnetic coupling coefficient (α) at cm was measured. The results are shown in Table 3. According to the table, an electromagnetic coupling coefficient of about 0.2 × 10 −3 (emu cm / V g) was observed at 350 K at the minimum.
【００１４】[0014]
【表３】 [Table 3]
【００１５】比較例１ Cr2O3 の単結晶板のＣ軸に直交する面に導電性銀ペース
トにより電極を形成した。得られた薄膜につき、印加電
界強度が１０ｋＶ／cmの時の電気磁気結合係数（α）を
測定した。その結果、３００Ｋにおいてαは1.2×10
-5(emu cm/V g)であり、３５０Ｋにおいては電気磁気効
果は発現しなかった。Comparative Example 1 An electrode was formed of a conductive silver paste on the surface of a Cr 2 O 3 single crystal plate orthogonal to the C axis. With respect to the obtained thin film, the electromagnetic coupling coefficient (α) was measured when the applied electric field strength was 10 kV / cm. As a result, at 300K, α is 1.2 × 10
-5 (emu cm / Vg), and no electromagnetic effect was exhibited at 350K.
【００１６】[0016]
【発明の効果】本発明の電気磁気効果材料は、室温付近
で安定的に電気磁気効果を呈するので、デジタル情報記
憶用メモリ素子や各種電子デバイス等の実用化が可能と
なる。Since the electro-magnetic effect material of the present invention stably exhibits the electro-magnetic effect near room temperature, it is possible to put into practical use a memory device for storing digital information, various electronic devices and the like.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡本 巌 山口県宇部市大字小串1978番地の５ 宇部 興産株式会社宇部研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Iwao Okamoto 5 1978, Kobeshi, Ube City, Ube City, Yamaguchi Prefecture Ube Institute of Industrial Science, Ube Laboratory
Claims (7)
セラミックス（式中、Ａ及びＢは、一般式ＡＢＯ3 で表
され、かつ強磁性又は反強磁性を示すペロブスカイト型
構造化合物を形成しうる元素の組合せから選ばれる一種
以上の元素であり、Ｃ及びＤは、一般式ＣＤＯ3 で表さ
れ、かつ強誘電性、反強誘電性、圧電効果又はピエゾ効
果を示すペロブスカイト型構造化合物を形成しうる元素
の組合せから選ばれる一種以上の元素である。ただし、
ＡとＣが同一かつＢとＤが同一である場合、及びＡがBi
かつＢがFeの場合を除く。また、ｘ、ｙ、ｚ及びｗは
Ａ、Ｂ、Ｃ及びＤの各元素の割合を示し、ｘ＋ｙ＋ｚ＋
ｗ＝１で0.01＜ｘ＜0.95、0.01＜ｙ＜0.95、0.01＜ｚ＜
0.95、0.01＜ｗ＜0.95であり、αは他の元素の原子価を
満足する酸素の数である。）から構成されてなる電気磁
気効果材料であり、かつ２５０〜７００Ｋの温度範囲に
電気磁気結合係数が1.0×10-5(emu cm/V g)以上となる
温度領域を有することを特徴とする電気磁気効果材料。1. An xA-yB-zC-wD-αO-based oxide ceramic (wherein A and B are represented by the general formula ABO 3 and form a perovskite-type structural compound exhibiting ferromagnetic or antiferromagnetic properties). C and D are perovskite structure compounds represented by the general formula CDO 3 and exhibiting ferroelectricity, antiferroelectricity, piezoelectric effect or piezo effect, which are one or more elements selected from possible combinations of elements. One or more elements selected from the combination of elements that can be formed, provided that
A and C are the same and B and D are the same, and A is Bi
And except when B is Fe. Further, x, y, z and w represent the proportions of the respective elements A, B, C and D, and x + y + z +
w = 1, 0.01 <x <0.95, 0.01 <y <0.95, 0.01 <z <
0.95, 0.01 <w <0.95, and α is the number of oxygen satisfying the valences of other elements. ), And has a temperature range in which the electromagnetic coupling coefficient is 1.0 × 10 −5 (emu cm / V g) or more in the temperature range of 250 to 700 K. Electromagnetic effect material.
u、Cd、In、Tl、Pb、Bi、Pu、Am及びランタン系列元素
からなる群から選ばれる一種以上の元素である請求項１
の電気磁気効果材料。2. A is Na, K, Cs, Ca, Sr, Ba, Y, C.
2. One or more elements selected from the group consisting of u, Cd, In, Tl, Pb, Bi, Pu, Am and lanthanide series elements.
Electromagnetic effect material.
d、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuからなる群から選ば
れる一種以上の元素である請求項１の電気磁気効果材
料。3. A is La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, G
The electromagnetic effect material according to claim 1, which is one or more elements selected from the group consisting of d, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu.
元素からなる群から選ばれる一種以上の元素である請求
項１の電気磁気効果材料。4. The electromagnetic effect material according to claim 1, wherein B is one or more elements selected from the group consisting of 3d transition metal elements and 4f rare earth elements.
d、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及びLuからなる群から選ば
れる一種以上の元素である請求項１の電気磁気効果材
料。5. B is La, Ce, Pr, Nd, Pm, Sm, Eu, G
The electromagnetic effect material according to claim 1, which is one or more elements selected from the group consisting of d, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, and Lu.
i、La、Li、Ce、Nd、Ｙ、Er、Ho、Tm、Yb及びLuからな
る群から選ばれる一種以上の元素である請求項１の電気
磁気効果材料。6. C is Na, K, Ca, Sr, Cd, Ba, Pb, B
The electromagnetic effect material according to claim 1, which is one or more elements selected from the group consisting of i, La, Li, Ce, Nd, Y, Er, Ho, Tm, Yb and Lu.
g、Ｗ、Cd、Mn、Co、Re、Sc、Nd、Ni、In、Yb、Ho、L
u、Li、Zn、Cr、Sb、Sn、Al、Ｖ及びＹからなる群から
選ばれる一種以上の元素である請求項１の電気磁気効果
材料。7. D is Nb, Ta, Ti, Zr, Hf, Fe, I, M
g, W, Cd, Mn, Co, Re, Sc, Nd, Ni, In, Yb, Ho, L
The electromagnetic effect material according to claim 1, which is one or more elements selected from the group consisting of u, Li, Zn, Cr, Sb, Sn, Al, V and Y.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3175864A JPH0543227A (en) | 1990-06-29 | 1991-06-21 | Electromagnetic-effect material |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16985590 | 1990-06-29 | ||
| JP2-169855 | 1990-06-29 | ||
| JP3175864A JPH0543227A (en) | 1990-06-29 | 1991-06-21 | Electromagnetic-effect material |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0543227A true JPH0543227A (en) | 1993-02-23 |
Family
ID=26493066
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3175864A Pending JPH0543227A (en) | 1990-06-29 | 1991-06-21 | Electromagnetic-effect material |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0543227A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005156390A (en) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Magnetic sensor device |
| JP2012001396A (en) * | 2010-06-17 | 2012-01-05 | Osaka Univ | Electromagnetic effect material and method for producing the same |
| JP2013069724A (en) * | 2011-09-20 | 2013-04-18 | Sophia School Corp | Electromagnetic effect element using electromagnetic effect material having akermanite structure containing magnetic ion |
-
1991
- 1991-06-21 JP JP3175864A patent/JPH0543227A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005156390A (en) * | 2003-11-27 | 2005-06-16 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | Magnetic sensor device |
| JP2012001396A (en) * | 2010-06-17 | 2012-01-05 | Osaka Univ | Electromagnetic effect material and method for producing the same |
| JP2013069724A (en) * | 2011-09-20 | 2013-04-18 | Sophia School Corp | Electromagnetic effect element using electromagnetic effect material having akermanite structure containing magnetic ion |
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