JPH0541453A - Semiconductor integrated circuit and layout method thereof - Google Patents

Semiconductor integrated circuit and layout method thereof

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JPH0541453A
JPH0541453A JP3187760A JP18776091A JPH0541453A JP H0541453 A JPH0541453 A JP H0541453A JP 3187760 A JP3187760 A JP 3187760A JP 18776091 A JP18776091 A JP 18776091A JP H0541453 A JPH0541453 A JP H0541453A
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JP
Japan
Prior art keywords
circuit
block
test
integrated circuit
sense
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP3187760A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Junichi Shikatani
順一 鹿谷
Shigeki Kawahara
茂樹 川原
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Priority to JP3187760A priority Critical patent/JPH0541453A/en
Publication of JPH0541453A publication Critical patent/JPH0541453A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To make it possible to test only a matrix system-testable circuit block based on a matrix system out of circuit blocks which can not be tested based on a ricks test system without adversely affecting the circuit blocks. CONSTITUTION:There are laid out test circuits having sense circuits 7a, 7b and drive circuit 6a and 6b along two sides where circuit blocks adjoin so that sense lines 4a, 4b and probe lines 3a and 3b connected with nodes out of circuit blocks 9a and 9b to be matrix-tested may not pass on a block 10 for which no matrix test is carried out.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は半導体集積回路及びその
レイアウト方法に関し、特にマトリクステスト方式によ
る試験可能な第1の回路ブロックと、マトリクステスト
方式による試験不可な第2の回路ブロックとが混在する
半導体集積回路及びそのレイアウト方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit and a layout method thereof, and in particular, a first circuit block which can be tested by a matrix test method and a second circuit block which cannot be tested by a matrix test method are mixed. The present invention relates to a semiconductor integrated circuit and a layout method thereof.

【0002】近年、電子機器の機能は益々、高機能化、
複雑化しており、これに伴って半導体集積回路は規模が
増大し、機能は複雑化している。そのため、かかる半導
体集積回路では外部ピンに接続されていない内部ゲート
がほとんど全てであり、これらの内部ゲートの動作状態
の試験が半導体集積回路の信頼性を高めるために重要で
ある。
In recent years, the functions of electronic devices have become increasingly sophisticated,
The semiconductor integrated circuit has become complicated, and accordingly, the scale of the semiconductor integrated circuit has increased and the function has become complicated. Therefore, in such a semiconductor integrated circuit, almost all the internal gates are not connected to the external pins, and the test of the operating state of these internal gates is important for improving the reliability of the semiconductor integrated circuit.

【0003】そこで、本出願人は先に特開昭61−42
934号公報にて、ゲートアレイデバイスやスタンダー
ドセルアレイデバイスに適用して好適なマトリクステス
ト方式による試験回路を有する半導体集積回路を提案し
た。しかし、あらゆる種類の回路ブロックについてマト
リクステスト方式による試験ができるものではなく、こ
のマトリクステスト方式による試験ができない回路ブロ
ックも存在する。したがって、これら両回路ブロックが
混在する半導体集積回路では、マトリクステスト方式で
試験可能な回路ブロックをチップ上にどのように配置す
るかが重要となる。
Therefore, the applicant of the present invention previously disclosed in Japanese Patent Laid-Open No. 61-42.
In Japanese Patent Publication No. 934, a semiconductor integrated circuit having a test circuit by a matrix test method suitable for a gate array device or a standard cell array device is proposed. However, not all types of circuit blocks can be tested by the matrix test method, and some circuit blocks cannot be tested by this matrix test method. Therefore, in a semiconductor integrated circuit in which these two circuit blocks coexist, it is important how to arrange the circuit blocks that can be tested by the matrix test method on the chip.

【0004】[0004]

【従来の技術】図13はマトリクステスト方式による試
験回路を有する半導体集積回路の一例の構成図を示す。
同図中、半導体集積回路のチップ1の周辺部には入出力
領域(I/O)2a,2b,2c,2dが設けられ、ま
たチップ1上には複数のゲート(セル)がマトリクス状
に配列され、それらの間を論理設計に従って適宜配線接
続して論理回路等が形成されている。
2. Description of the Related Art FIG. 13 is a block diagram showing an example of a semiconductor integrated circuit having a test circuit based on a matrix test method.
In the figure, input / output regions (I / O) 2a, 2b, 2c, 2d are provided in the periphery of the chip 1 of the semiconductor integrated circuit, and a plurality of gates (cells) are arranged in a matrix on the chip 1. Arranged and interconnected appropriately according to the logic design to form a logic circuit or the like.

【0005】このような構成のチップ上に、ゲートの行
方向に沿ってプローブライン3が一定間隔で配線され、
かつ、ゲートの列方向に沿ってセンスライン4が一定間
隔で配線され、更にそれらプローブライン3とセンスラ
イン4の各交叉点には例えばスイッチング用電界効果ト
ランジスタ5が配置されている。このトランジスタ5の
ゲート電極はプローブラインに接続され、また所望のゲ
ートの出力端はトランジスタ5を介してセンスライン4
に接続されている。
On the chip having the above structure, the probe lines 3 are arranged at regular intervals along the row direction of the gate.
In addition, sense lines 4 are arranged at regular intervals along the column direction of the gates, and switching field effect transistors 5, for example, are arranged at the intersections of the probe lines 3 and the sense lines 4. The gate electrode of the transistor 5 is connected to the probe line, and the output terminal of the desired gate is connected to the sense line 4 via the transistor 5.
It is connected to the.

【0006】また、チップ左辺部にはプローブライン3
を1本ずつ順次選択するためのプローブラインドライバ
回路6が形成され、チップ下辺部にはセンスライン4を
1本ずつ選択するためのセンス回路7が設けられてい
る。更に、プローブラインドライバ回路6とセンス回路
7にクロックを供給し、またモニタ出力を取り出すため
のテストコントロール回路8がチップ1の隅に設けられ
ている。
Further, the probe line 3 is provided on the left side of the chip.
Probe line driver circuits 6 for sequentially selecting the sensor lines 4 are formed, and a sense circuit 7 for selecting each of the sense lines 4 is provided on the lower side of the chip. Further, a test control circuit 8 for supplying a clock to the probe line driver circuit 6 and the sense circuit 7 and for extracting a monitor output is provided in the corner of the chip 1.

【0007】かかる構成の従来の半導体集積回路におい
て、試験時にはプローブラインドライバ回路6がテスト
コントロール回路8よりクロックが入力される毎に、プ
ローブライン3を例えば上から下方向へ順次1本ずつ選
択していく。1本のプローブラインが選択されると、そ
れに接続されているトランジスタ5がすべてオンとな
り、そのトランジスタに接続されているゲートの出力を
センスライン4へ読み出す。
In the conventional semiconductor integrated circuit having such a configuration, at the time of testing, each time the probe line driver circuit 6 receives a clock from the test control circuit 8, the probe line 3 is selected one by one, for example, from top to bottom. To go. When one probe line is selected, all the transistors 5 connected to it are turned on, and the output of the gate connected to that transistor is read out to the sense line 4.

【0008】一方、センス回路7はテストコントロール
回路8からのクロックにより上記のプローブライン3が
1本選択されている期間内で、すべてのセンスライン4
を1本ずつ順次選択し、これにより順次得られる各セン
スライン4からの電位(データ)をテストコントロール
回路8へ供給する。これにより、テストコントロール回
路8からは各センスライン4からのデータかが順次モニ
タ出力される。
On the other hand, the sense circuit 7 has all the sense lines 4 within the period in which one of the probe lines 3 is selected by the clock from the test control circuit 8.
Are sequentially selected one by one, and the potential (data) from each sense line 4 sequentially obtained by this is supplied to the test control circuit 8. As a result, the test control circuit 8 sequentially outputs the data from each sense line 4 by monitoring.

【0009】以下、上記と同様の動作が繰り返される。
なお、センスライン4を順次1本ずつ選択し、かつ1本
のセンスライン選択期間内ですべてのプローブライン3
を順次1本ずつ選択するようにしても、同様にして各ゲ
ートの出力データの試験ができる。
Thereafter, the same operation as described above is repeated.
In addition, the sense lines 4 are sequentially selected one by one, and all the probe lines 3 are selected within one sense line selection period.
The output data of each gate can be tested in the same manner by sequentially selecting one by one.

【0010】このようなマトリクステスト方式によれ
ば、従来のスキャン法とは異なり、フリップフロップ単
位ではなく各ゲート単位で試験ができ、またチップ内の
任意のゲート出力が観察できるので、良否判定試験だけ
でなく不良調整にも適用でき、またチップ内ゲートの動
作状態を試験できるなどの特長がある。
According to such a matrix test method, unlike the conventional scan method, it is possible to perform a test not for each flip-flop but for each gate, and for observing an arbitrary gate output in a chip. Not only can it be applied to defect adjustment, but it can also test the operating status of in-chip gates.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかるに、上記のマト
リクステスト方式による試験が可能な回路ブロックはゲ
ートセルアレイのようなマトリクス状にプローブライン
3とセンスライン4とを配線できる回路ブロックには適
用できるが、ランダム・アクセス・メモリ(RAM)や
リード・オンリ・メモリ(ROM)などの特に高集積度
が要求される回路ブロックや中央処理装置(CPU)な
どのレイアウトが極めて複雑化した回路ブロック(これ
らの回路ブロックを総称してマクロセルという)は通
常、汎用化されたライブラリとして既にレイアウトが完
了している場合が多く、いくつもの半導体装置に対して
再利用されており、このような回路ブロックにマトリク
ステスト方式用のプローブライン、センスラインを更に
配置することは極めて困難である。
However, the circuit block which can be tested by the above matrix test method can be applied to a circuit block in which the probe lines 3 and the sense lines 4 can be arranged in a matrix like a gate cell array. , Random access memory (RAM), read-only memory (ROM), and other circuit blocks that require a particularly high degree of integration, and central processing unit (CPU) and the like. Circuit blocks are generally called macrocells), and their layout is often completed as a general-purpose library, and they are reused for many semiconductor devices. It is extremely difficult to arrange probe lines and sense lines for the method It is difficult.

【0012】しかるに、近年、半導体集積回路は高機能
化が進んでいるため、図14に示すように同じチップ上
に、マトリクステスト方式による試験可能な回路ブロッ
ク9(これをマトリクステストブロックという)と、上
記RAM,ROM,CPUなどのマトリクステスト方式
を適用して試験をすることが困難な回路ブロック(これ
をマトリクステスト不可ブロックという)10とが混在
して配置される半導体集積回路が考えられる。
In recent years, however, since semiconductor integrated circuits have been highly functionalized, as shown in FIG. 14, a testable circuit block 9 (this is called a matrix test block) by the matrix test method is provided on the same chip. A semiconductor integrated circuit in which a circuit block (which is called a matrix non-testable block) 10 which is difficult to test by applying the matrix test method such as the RAM, ROM, and CPU is arranged is considered.

【0013】このような半導体集積回路では、マトリク
ステスト不可ブロック10をプローブライン及びセンス
ラインかが通過できないため、結果的にこの半導体集積
回路のマトリクステストブロック9もマトリクステスト
方式で試験することができなかった。
In such a semiconductor integrated circuit, since the probe line and the sense line cannot pass through the matrix test non-blocking block 10, the matrix test block 9 of this semiconductor integrated circuit can also be tested by the matrix test method. There wasn't.

【0014】なお、マトリクステスト方式不可回路ブロ
ック10をマトリクステスト方式が適用できるように再
レイアウトすることも考えられるが、そのためには膨大
な時間とコストがかかり、しかも再レイアウトしたとし
ても従来に比し余分な面積を消費するためチップ全体の
面積が増大し、更にコストアップとなり、また、面積が
増大することにより、配線長が長くなるためスピードの
低下がなきるので、現実的ではない。
Although it is possible to rearrange the circuit block 10 in which the matrix test method cannot be applied so that the matrix test method can be applied, it takes enormous time and cost, and even if the relayout is performed, it is more than the conventional one. However, since the extra area is consumed, the area of the entire chip increases, which further increases the cost. Further, since the area increases, the wiring length becomes longer and the speed cannot be reduced, which is not realistic.

【0015】本発明は以上の点に鑑みなされたもので、
マトリクステスト方式による試験不可な回路ブロックに
影響を与えずに、マトリクステスト方式による試験可能
な回路ブロックだけをマトリクステスト方式で試験でき
るようにした半導体集積回路及びそのレイアウト方法を
提供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above points,
An object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit and a layout method thereof in which only testable circuit blocks by the matrix test method can be tested by the matrix test method without affecting the circuit blocks that cannot be tested by the matrix test method. To do.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明は図1に示すよう
に、集積回路チップ1;該集積回路チップにマトリクス
テストを行なわないブロック10とともに形成された複
数の回路ブロック9a,9b、回路ブロックは、複数の
回路ノード100(セル11の出力端子に相当)と、ス
イッチ12を介して各回路ノードにそれぞれ接続される
複数のセンス線4a,4bと、該センス線と交差して配
置され対応する前記スイッチをそれぞれ制御する複数の
プローブ線3a,3bとをそれぞれ有し;回路ブロック
に対して設けられ、センス線及びプローブ線が前記マト
リクステストを行なわないブロック上を通過しないよう
に回路ブロックの隣合う2辺に沿って配置された試験回
路6a,6b,7a,7bとを有し;試験回路は、前記
センス線の信号を選択的にセンスするセンス回路7a,
7bと、前記プローブ線を選択的にドライブするドライ
ブ回路6a,6bとを有する半導体集積回路である。
As shown in FIG. 1, the present invention relates to an integrated circuit chip 1; a plurality of circuit blocks 9a and 9b formed together with a block 10 on which the matrix test is not performed, and circuit blocks. Corresponds to a plurality of circuit nodes 100 (corresponding to the output terminal of the cell 11), a plurality of sense lines 4a and 4b connected to the respective circuit nodes via the switch 12, and arranged so as to intersect the sense lines. And a plurality of probe lines 3a and 3b for controlling the switches, respectively, which are provided for the circuit block so that the sense line and the probe line do not pass over the block where the matrix test is not performed. And test circuits 6a, 6b, 7a, 7b arranged along two adjacent sides; the test circuit outputs the signal of the sense line. Sense circuit 7a to sense the 択的,
7b and drive circuits 6a and 6b for selectively driving the probe line.

【0017】[0017]

【作用】センス線及びプローブ線がマトリクステストを
行なわないブロック上を通過しないように試験回路を回
路ブロックの2辺に沿って配置しているため、マトリク
ステストを行なわないブロックが混在していても、マト
リクステストを行う回路ブロックをマトリクステスト方
式でテストすることができる。
Since the test circuits are arranged along the two sides of the circuit block so that the sense line and the probe line do not pass over the block on which the matrix test is not performed, even if the blocks on which the matrix test is not performed are mixed. , It is possible to test the circuit block that performs the matrix test by the matrix test method.

【0018】[0018]

【実施例】図11は、本発明の第一の実施例による配列
を示す図である。前述した図13及び図14と同一の構
成要素には同一の参照番号を付してある。2つのマトリ
クステストブロック9a,9bと1つのマトリクステス
ト不可ブロック10が半導体チップ1上に配列されてい
る。マトリクステストブロック9a,9bは、図14に
示すマトリクステストブロック9を各ブロックが矩形と
なるように分割することで得られる。
FIG. 11 is a diagram showing an arrangement according to the first embodiment of the present invention. The same components as those in FIGS. 13 and 14 described above are designated by the same reference numerals. Two matrix test blocks 9a and 9b and one matrix test non-block 10 are arranged on the semiconductor chip 1. The matrix test blocks 9a and 9b are obtained by dividing the matrix test block 9 shown in FIG. 14 so that each block has a rectangular shape.

【0019】マトリクステストブロック9aを試験する
ためのプローブラインドライバ6aとセンス回路7a
が、マトリクステストブロック9aの各エッジに沿って
配列されている。テストコントロール回路8aが、プロ
ーブラインドライバ6aとセンス回路7aの近傍に設け
られている。プローブラインドライバ6aからのびる複
数のプローブライン3aが行方向にのびでいる。プロー
ブラインドライバ6aはI/O領域2cに近接してい
る。センス回路7aからのびる複数のセンスライン4a
が列方向上にのびている。センス回路7aはI/O領域
に近接している。同様にして、マトリクステストブロッ
ク9bを試験するためのプローブラインドライバ6bと
センス回路7bが、マトリクステストブロック9bの各
エッジに沿って配列されている。プローブラインドライ
バ6bはマトリクステスト不可ブロック10に近接して
いる。テストコントロール回路8bがプローブラインド
ライバ6bとセンス回路7bとの近傍に設けられてい
る。また、テストコトロール回路8bはマトリクステス
トブロック9aに近接している。プローブラインドライ
バ6bからのびる複数のプローブライン3bが行方向に
のびている。センス回路7bからのびる複数のセンスラ
イン4bが列方向にのびている。上記の構成により、マ
トリクス試験でマトリクステストブロック9a,9b中
のすべてのセルを試験することができる。
A probe line driver 6a and a sense circuit 7a for testing the matrix test block 9a.
Are arranged along each edge of the matrix test block 9a. The test control circuit 8a is provided near the probe line driver 6a and the sense circuit 7a. A plurality of probe lines 3a extending from the probe line driver 6a extend in the row direction. The probe line driver 6a is close to the I / O area 2c. A plurality of sense lines 4a extending from the sense circuit 7a
Extends in the row direction. The sense circuit 7a is close to the I / O area. Similarly, a probe line driver 6b for testing the matrix test block 9b and a sense circuit 7b are arranged along each edge of the matrix test block 9b. The probe line driver 6b is close to the matrix test-disabled block 10. The test control circuit 8b is provided near the probe line driver 6b and the sense circuit 7b. The test control circuit 8b is close to the matrix test block 9a. A plurality of probe lines 3b extending from the probe line driver 6b extend in the row direction. A plurality of sense lines 4b extending from the sense circuit 7b extend in the column direction. With the above configuration, all cells in the matrix test blocks 9a and 9b can be tested by the matrix test.

【0020】図2は、マトリクステストブロックとマト
リクステスト不可ブロックを含むチップ上のレイアウト
を決定する手順のフローチャートである。はじめにマト
リクステストブロックとマトリクステスト不可ブロック
とが混在するか否か判定し(ステップ101)、ここで
は図4に示したレイアウト配置を例にとっているから混
在するとの判定結果が得られる。
FIG. 2 is a flow chart of a procedure for determining a layout on a chip including a matrix test block and a matrix test non-blocking block. First, it is determined whether or not the matrix test block and the matrix test non-block are mixed (step 101). Since the layout arrangement shown in FIG. 4 is taken as an example here, the determination result that they are mixed is obtained.

【0021】次にマトリクステストブロックが矩形であ
るか否かの判定が行われる(ステップ102)。図4に
示した例ではマトリクステストブロック9は矩形ではな
いから、この場合は図2のステップ103へ進んでマト
リクステスト回路ブロックをすべて矩形状の回路ブロッ
クに分割した後、ステップ104へ進んでその分割回路
ブロック個別にプローブラインドライバ回路、センス回
路、コントロール回路、センスライン、プローブライン
を配置形成する。
Next, it is determined whether the matrix test block is rectangular (step 102). Since the matrix test block 9 is not rectangular in the example shown in FIG. 4, in this case, the process proceeds to step 103 in FIG. 2 to divide the matrix test circuit block into all rectangular circuit blocks, and then to step 104, A probe line driver circuit, a sense circuit, a control circuit, a sense line, and a probe line are arranged and formed for each divided circuit block.

【0022】以上のレイアウト方法により、図1に示す
如く、マトリクステスト回路ブロック9は矩形状の回路
ブロック9a,9bに分割され、分割されたマトリクス
テスト回路ブロック9aの左辺部と下辺部にプローブラ
インドライバ回路6aとセンス回路7aが夫々形成され
ると共にテストコントロール回路8aが形成され、か
つ、図示は省略したがプローブラインドライバ回路6a
のみにより選択される複数のプローブラインと、センス
回路7aのみにより選択される複数のセンスラインとが
互いに直交してマトリクステスト方式可能ブロック9a
上に配線される。同様にして、分割されたマトリクステ
ストブロック9bにも専用のプローブラインドライバ回
路6b、センス回路7b、テストコントロール回路8
b、及び図示しないセンスラインとプローブラインが夫
々配置形成される。
By the layout method described above, as shown in FIG. 1, the matrix test circuit block 9 is divided into rectangular circuit blocks 9a and 9b, and the probe lines are provided on the left side and the lower side of the divided matrix test circuit block 9a. The driver circuit 6a and the sense circuit 7a are formed, respectively, and the test control circuit 8a is formed, and although not shown, the probe line driver circuit 6a is formed.
A plurality of probe lines selected by only the plurality of sense lines and a plurality of sense lines selected only by the sense circuit 7a are orthogonal to each other, and the matrix test method capable block 9a is provided.
Wired on. Similarly, a dedicated probe line driver circuit 6b, a sense circuit 7b, and a test control circuit 8 are also provided for the divided matrix test block 9b.
b, and a sense line and a probe line not shown are arranged and formed, respectively.

【0023】このようなレイアウト配置により、プロー
ブライン及びセンスラインはマトリクステスト方式不可
回路ブロク10を避けた位置でのみ配線され得る。よっ
て、本実施例によれば、マトリクステスト方式で試験困
難な回路ブロック10には影響を全く与えることなく、
マトリクステスト方式で試験可能な回路ブロック9a,
9bだけをマトリクステスト方式で試験することができ
る。
With such a layout arrangement, the probe line and the sense line can be wired only at a position avoiding the matrix test method non-circuit block 10. Therefore, according to the present embodiment, the circuit block 10 that is difficult to test by the matrix test method is not affected at all,
Circuit block 9a that can be tested by the matrix test method,
Only 9b can be tested by the matrix test method.

【0024】なお、図1ではマトリクステスト方式可能
回路ブロックを行方向に分割しているが、列方向に分割
するようにしてもよいことは勿論である。
In FIG. 1, the matrix testable circuit block is divided in the row direction, but it goes without saying that it may be divided in the column direction.

【0025】図3は、図1中のマトリクステストブロッ
ク9a内に設けられる読出し系を示す。マトリクステス
トブロック9aは、マトリクス状に配置された複数のセ
ル11を有する。各セル11は、対応するスイッチング
トランジスタ12を介して、センス回路7aに接続する
センスライン4aに接続されている。各トランジスタ1
2は、例えばMOSトランジスタなどのNチャネル電界
効果トランジスタである。各トランジスタのゲートは、
プローブラインドライバ6aからのびる対応のプローブ
ライン3aに接続されている。マトリクステストブロッ
ク9bもマトリクステストブロック9aと同様に構成さ
れている。
FIG. 3 shows a read system provided in the matrix test block 9a shown in FIG. The matrix test block 9a has a plurality of cells 11 arranged in a matrix. Each cell 11 is connected to the sense line 4a connected to the sense circuit 7a via the corresponding switching transistor 12. Each transistor 1
2 is an N-channel field effect transistor such as a MOS transistor. The gate of each transistor is
It is connected to the corresponding probe line 3a extending from the probe line driver 6a. The matrix test block 9b is also configured similarly to the matrix test block 9a.

【0026】図4は、図1に示すマトリクステストブロ
ック9b、プローブラインドライバ6b、センス回路7
b及びテストコントロール回路8bを詳細に示すブロッ
ク図である。セル11の入力側に接続されるパッド12
が、I/O領域2bに一列に配置されている。セル11
の出力側に接続されるパッド13が、I/O領域2aに
一列に配置されている。複数のセル11、トランジスタ
12、プローブライン3b及びセンスライン4bがマト
リクステストブロック9b中に設けられている。プロー
ブラインドライバ6bは行選択カウンタ6b−1及び行
選択デコーダ6b−2からなる。センス回路7bは、シ
ストレジスタ又はシストレジスタとデータ圧縮回路との
組み合わせからなる。センスライン4bを介して読出さ
れたデータは、I/O領域2a中に設けられたI/Oパ
ッド15に出力される。テストコントロール回路8bは
クロック信号、制御信号及びデータ信号を、I/O領域
2a内のI/Oパッド14を介して受取る。そして、テ
ストコントロール回路8bは、行選択カウンタ6b−1
及びセンス回路7bにそれぞれクロック信号を出力す
る。
FIG. 4 shows the matrix test block 9b, the probe line driver 6b, and the sense circuit 7 shown in FIG.
FIG. 6 is a block diagram showing in detail b and the test control circuit 8b. Pad 12 connected to the input side of cell 11
Are arranged in a line in the I / O area 2b. Cell 11
The pads 13 connected to the output side of are arranged in a line in the I / O area 2a. A plurality of cells 11, transistors 12, probe lines 3b and sense lines 4b are provided in the matrix test block 9b. The probe line driver 6b includes a row selection counter 6b-1 and a row selection decoder 6b-2. The sense circuit 7b is composed of a cyst register or a combination of a cyst register and a data compression circuit. The data read via the sense line 4b is output to the I / O pad 15 provided in the I / O area 2a. The test control circuit 8b receives a clock signal, a control signal and a data signal via the I / O pad 14 in the I / O area 2a. Then, the test control circuit 8b uses the row selection counter 6b-1.
And a clock signal to the sense circuit 7b.

【0027】図5において、テストコントロール回路8
bを介して行選択カウンタ6b−1に供給されるデータ
信号は、ロードデータD0,D1,D2…である。テス
トコントロール回路8bを介して行選択カウンタ6b−
1に供給される制御信号は、クリア信号、クロック信
号、イネーブル信号及びロード信号を含む。ロードデー
タD0,D1,D2…は、イネーブル信号が供給されて
いる間に、ロード信号に同期して行選択カウンター6b
−1にロードされる。行選択カウンタ6b−1はクロッ
ク信号に同期してカウント動作を開始し、行選択デコー
ダ6b−2に接続される出力ラインA0,A1,A2 ,
…を1つずつアクティブにする。行選択デコーダ6b−
2は、NANDゲート28とインバータ29からなる。
行選択カウンタ6b−1はクリア信号に応答してクリア
される。
In FIG. 5, the test control circuit 8
Data signals supplied to the row selection counter 6b-1 via b are load data D0, D1, D2 ... Row selection counter 6b-via test control circuit 8b
The control signals supplied to 1 include a clear signal, a clock signal, an enable signal, and a load signal. The load data D0, D1, D2, ... Are synchronized with the load signal and the row selection counter 6b while the enable signal is being supplied.
Loaded to -1. The row selection counter 6b-1 starts counting operation in synchronization with the clock signal, and output lines A0, A1, A2, connected to the row selection decoder 6b-2.
Activate one by one. Row selection decoder 6b-
2 is composed of a NAND gate 28 and an inverter 29.
The row selection counter 6b-1 is cleared in response to the clear signal.

【0028】図6はセンス回路7bの詳細を示す回路図
である。センス回路7bはマルチプレクサ(MUX)3
1とフリップフロップ(FF)32を有する。テストコ
ントロール回路8からのクロック信号は、フリップフロ
ップ32に入力される。各マルチプレクサ(セレクタ)
31は、前段のフリップフロップ32からのデータ又は
対応のセンスライン4bを介して読出されたデータのい
ずれかを選択する。最終段のフリップフロップ32から
出力されたデータは、I/Oパッド15に出力される。
FIG. 6 is a circuit diagram showing details of the sense circuit 7b. The sense circuit 7b is a multiplexer (MUX) 3
1 and a flip-flop (FF) 32. The clock signal from the test control circuit 8 is input to the flip-flop 32. Each multiplexer (selector)
31 selects either the data from the previous flip-flop 32 or the data read via the corresponding sense line 4b. The data output from the final stage flip-flop 32 is output to the I / O pad 15.

【0029】図7は、本発明の第1の実施例の変形例を
示す図である。図7中、図に示した構成要素と同一のも
のには同一の参照番号を付してある。図7の配列は図3
のプローブラインドライバ6b、センス回路7b及びテ
ストコントロール回路8bに代えて、プローブラインド
ライバ6c、センス回路7c及びテストコントロール回
路8cが設けられている。プローブラインドライバ6c
はI/O領域2aに沿って配列され、センス回路7cは
I/O領域2bに沿って配列されている。テストコント
ロール回路8cは、プローブラインドライバ6c及びセ
ンス回路7cの近傍に設けられている。テストコントロ
ール回路8cは、チップコーナーの近傍に位置してい
る。テストコントロール回路8cの位置は図3の構成に
くらべ、テストコントロール回路8cとI/Oパッド1
4(図4)との間の接続配線の長さを短くすることがで
きる。
FIG. 7 is a diagram showing a modification of the first embodiment of the present invention. In FIG. 7, the same components as those shown in the figure are designated by the same reference numerals. The arrangement of FIG. 7 is shown in FIG.
In place of the probe line driver 6b, the sense circuit 7b and the test control circuit 8b, a probe line driver 6c, a sense circuit 7c and a test control circuit 8c are provided. Probe line driver 6c
Are arranged along the I / O region 2a, and the sense circuits 7c are arranged along the I / O region 2b. The test control circuit 8c is provided near the probe line driver 6c and the sense circuit 7c. The test control circuit 8c is located near the chip corner. The position of the test control circuit 8c is different from that of the configuration of FIG. 3 in the test control circuit 8c and the I / O pad 1.
4 (FIG. 4), the length of the connecting wiring can be shortened.

【0030】図8は本発明の第2の実施例による配列を
示す図である。図示するように、3つのマトリクステス
トブロック49a,49b,49cと、4つのマトリク
ステスト不可ブロック40a,40b,40c,40d
が設けられている。マトリクステスト不可ブロック40
a及び40bはそれぞれRAM領域及びCPU領域であ
り、マトリクステスト不可ブロック40c及び40dは
それぞれROM領域である。プローブラインドライバ4
6a,46b及び46cはそれぞれマトリクステストブ
ロック49a,49b及び49cの左サイドに沿って設
けられ、センス回路47a,47b、及び47cはそれ
ぞれマトリクステストブロック49a,49b、及び4
9cの下サイドに沿って設けられている。テストコント
ロール回路48a,48b及び48cはそれぞれ、マト
リクステストブロック49a,49b及び49cの下左
側コーナーに設けられている。
FIG. 8 is a diagram showing an arrangement according to the second embodiment of the present invention. As shown in the figure, three matrix test blocks 49a, 49b, 49c and four matrix non-testable blocks 40a, 40b, 40c, 40d.
Is provided. No matrix test block 40
a and 40b are a RAM area and a CPU area, respectively, and matrix non-testable blocks 40c and 40d are ROM areas, respectively. Probe line driver 4
6a, 46b and 46c are provided along the left side of the matrix test blocks 49a, 49b and 49c, respectively, and the sense circuits 47a, 47b and 47c are respectively provided with the matrix test blocks 49a, 49b and 4c.
It is provided along the lower side of 9c. The test control circuits 48a, 48b and 48c are provided in the lower left corners of the matrix test blocks 49a, 49b and 49c, respectively.

【0031】図9は本発明の第3の実施例による配列を
示す図である。図9に示すチップ1はマトリクステスト
ブロック5a,2つのマトリクステスト不可ブロック5
0a(CPU)及び50b(RAM)並びにロジックブ
ロック51を有する。ロジックブロック51は図3に示
すように、複数のセルを有する。しかしながら、これら
のセルを試験する必要がないものである。これはロジッ
クブロック51が少ない数のセル又はすでに設計され動
作が確認されているパターンを有するためである。従っ
て、ロジックブロック5はCPU領域50aやRAM領
域50bと同様に取扱われ、マトリクステスト不可ブロ
ックとして認識される。すなわち、テスト回路はロジッ
クブロック51には設けられていない。プローブライン
ドライバ56、センス回路57及びテストコントロール
回路58が、マトリクステストブロック59に設けられ
ている。
FIG. 9 is a diagram showing an arrangement according to the third embodiment of the present invention. The chip 1 shown in FIG. 9 includes a matrix test block 5a and two matrix test non-blocks 5a.
It has 0a (CPU) and 50b (RAM) and a logic block 51. The logic block 51 has a plurality of cells, as shown in FIG. However, it is not necessary to test these cells. This is because the logic block 51 has a small number of cells or a pattern which has already been designed and confirmed to operate. Therefore, the logic block 5 is handled in the same manner as the CPU area 50a and the RAM area 50b and is recognized as a matrix test non-blockable block. That is, the test circuit is not provided in the logic block 51. The probe line driver 56, the sense circuit 57, and the test control circuit 58 are provided in the matrix test block 59.

【0032】図10は図7の配列の変形例である。図1
0のチップ1は2つ,のマトリクステストブロック66
a,69b、並びに2つのマトリクステスト不可ブロッ
ク60a(CPU)及び60b(RAM)を有する。
FIG. 10 shows a modification of the arrangement shown in FIG. Figure 1
Matrix test block 66 with two chips 0
a, 69b, and two non-matrix testable blocks 60a (CPU) and 60b (RAM).

【0033】プローブラインドライバ69a、センス回
路67a、及びテストコントスール回路68bが、マト
リクステストブロック69aに設けられている。同様
に、プローブラインドライバ66b、センス回路67b
及びテストコントロール回路68bが、マトリクステス
トブロック69bに設けられている。プローブラインド
ライバ66a及びセンス回路67aに近接するテストコ
ントロール回路68aが、チップコーナーに設けられて
いる。従って、テストコントロール回路68aと対応す
るI/Oパッドとの間の接続配線の長さを短くすること
ができる。このことは、テストコントロール回路68b
にも言える。
The probe line driver 69a, the sense circuit 67a, and the test control circuit 68b are provided in the matrix test block 69a. Similarly, the probe line driver 66b and the sense circuit 67b
And a test control circuit 68b are provided in the matrix test block 69b. A test control circuit 68a adjacent to the probe line driver 66a and the sense circuit 67a is provided at the chip corner. Therefore, the length of the connection wiring between the test control circuit 68a and the corresponding I / O pad can be shortened. This means that the test control circuit 68b
Can also be said.

【0034】図11は本発明の第4の実施例による配列
を示す図である。図11のチップ1は非矩形マトリクス
テストブロック7a、及び4つのマトリクステスト不可
ブロック70a(ROM)、70b(CPU)、70c
(RAM)及び70d(ROM)を有する。第4の実施
例は図2の手順に従わない。センス回路77はI/O領
域2dに沿って位置している。センス回路77の一端は
ROM領域70aに近接し、他の一端はテストコントロ
ール回路78に近接している。
FIG. 11 is a diagram showing an arrangement according to the fourth embodiment of the present invention. The chip 1 of FIG. 11 has a non-rectangular matrix test block 7a and four matrix test non-permissible blocks 70a (ROM), 70b (CPU), 70c.
(RAM) and 70d (ROM). The fourth embodiment does not follow the procedure of FIG. The sense circuit 77 is located along the I / O area 2d. One end of the sense circuit 77 is close to the ROM area 70a, and the other end is close to the test control circuit 78.

【0035】マトリクステストブロック7a用のプロー
ブラインドライバは、2つのサブブロック76a及び7
6bからなる。サブブロック76aはI/O領域2cと
マトリクステストブロック7aの下側左エッジとの間に
設けられ、他方のサブブロック76bはROM領域70
dと上側左エッジとの間に設けられている。図5と同様
にサブブロック76a内の行選択カウンタからのイネー
ブル信号(デコード信号)は、領域75を通り、サブブ
ロック76bに供給されている。
The probe line driver for matrix test block 7a has two sub-blocks 76a and 7a.
It consists of 6b. The sub block 76a is provided between the I / O area 2c and the lower left edge of the matrix test block 7a, and the other sub block 76b is the ROM area 70.
It is provided between d and the upper left edge. Similar to FIG. 5, the enable signal (decode signal) from the row selection counter in the sub block 76a passes through the area 75 and is supplied to the sub block 76b.

【0036】プローブライン73a及び73bはプロー
ブラインドライバのサブブロック76bからのびてお
り、プローブライン73c及び73dはサブブロック7
6aからのびている。プローブライン73aはRAM領
域の左端までのびており、プローブライン73bはCP
U領域70bの左端までのびている。同様に、プローブ
ライン73cはCPU領域70bの左端までのびてお
り、プローブライン73dはROM領域70aの左端ま
でのびている。センスライン74a,74b,74c及
び74dはセンス回路77までのびている。センスライ
ン74aはCPU領域70bの下端までのびており、セ
ンスライン74bはRAM領域70cの下側端までのび
ている。センスライン74cは、マトリクステストブロ
ック7aとI/O領域2bとの境界までのびている。セ
ンスライン74dはイネーブル信号通過領域75の下側
端までのびている。尚、センス回路77を、プローブラ
インドライバに代えて又はこれとともに、2つ以上のサ
ブブロックに分割しても良い。図12は、矩形のマトリ
クステストブロック9c中の一部にRAM10aを設け
た場合の配列を示す図である。
The probe lines 73a and 73b extend from the sub-block 76b of the probe line driver, and the probe lines 73c and 73d extend to the sub-block 7.
It extends from 6a. The probe line 73a extends to the left end of the RAM area, and the probe line 73b extends CP.
It extends to the left end of the U area 70b. Similarly, the probe line 73c extends to the left end of the CPU area 70b, and the probe line 73d extends to the left end of the ROM area 70a. The sense lines 74a, 74b, 74c and 74d extend to the sense circuit 77. The sense line 74a extends to the lower end of the CPU area 70b, and the sense line 74b extends to the lower end of the RAM area 70c. The sense line 74c extends to the boundary between the matrix test block 7a and the I / O area 2b. The sense line 74d extends to the lower end of the enable signal passing region 75. The sense circuit 77 may be divided into two or more sub-blocks instead of or together with the probe line driver. FIG. 12 is a diagram showing an arrangement in which the RAM 10a is provided in a part of the rectangular matrix test block 9c.

【0037】[0037]

【発明の効果】上述の如く、本発明によれば、プローブ
ライン及びセンスラインのいずれもマトリクステスト不
可ブロック上を通過しないようにできるため、マトリク
ステスト不可ブロックに影響を与えることなく、必要な
回路ブロックだけをマトリクステスト方式を用いて試験
することができ、チップ設計の自由度が増し、最小の面
積でマトリクステスト方式を半導体集積回路に適用する
ことができる等の特徴を有するものである。
As described above, according to the present invention, it is possible to prevent both the probe line and the sense line from passing over the matrix test non-blocking block, so that the necessary circuit can be obtained without affecting the matrix test non-blocking block. Only the blocks can be tested using the matrix test method, the degree of freedom in chip design is increased, and the matrix test method can be applied to a semiconductor integrated circuit with a minimum area.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例を示す図である。FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】本発明によるレイアウトを決定する手順を示す
フローチャートである。
FIG. 2 is a flowchart showing a procedure for determining a layout according to the present invention.

【図3】図1中のマトリクステストブロック9a内に設
けられる読出し系を示す図である。
3 is a diagram showing a read system provided in a matrix test block 9a in FIG.

【図4】図1中のマトリクステストブロック9bとその
周辺回路の詳細を示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing details of a matrix test block 9b and its peripheral circuits in FIG.

【図5】行選択カウンタと行選択デコーダの詳細を示す
図である。
FIG. 5 is a diagram showing details of a row selection counter and a row selection decoder.

【図6】センス回路7bの詳細を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing details of a sense circuit 7b.

【図7】本発明の第1の実施例の変形例を示す図であ
る。
FIG. 7 is a diagram showing a modification of the first embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第2の実施例を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第3の実施例を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第2の実施例の変形例を示す図であ
る。
FIG. 10 is a diagram showing a modification of the second embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第4の実施例を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing a fourth embodiment of the present invention.

【図12】マトリクステストブロックが矩形でない場合
の配列を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing an array when matrix test blocks are not rectangular.

【図13】マトリクステスト方式による試験回路を有す
る従来の半導体集積回路の一構成例を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing a configuration example of a conventional semiconductor integrated circuit having a test circuit based on a matrix test method.

【図14】マトリクステストブロックとマトリクステス
ト不可ブロックとが混在する配列の一例を示す図であ
る。
FIG. 14 is a diagram showing an example of an array in which matrix test blocks and matrix test non-blocks are mixed.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

9a,9b,49a,49b,49c,59,69a,
69b,79 第1の回路ブロック(マトリクステスト
ブロック) 10,40a,40b,40c,50a,50b,5
1,60a,60b,70a,70b,70c,70d
第2の回路ブロック(マトリクステスト不可ブロッ
ク) 6a,6b,6c,46a,46b,46c,56,6
6a,66b,76a,76b プローブラインドライ
バ 7a,7b,,7c,47a,47b,47c,57,
67a,67b,77センス回路 8a,8b,8c,48a,48b,48c,58,6
8a,68b,78テストコントロール回路
9a, 9b, 49a, 49b, 49c, 59, 69a,
69b, 79 1st circuit block (matrix test block) 10, 40a, 40b, 40c, 50a, 50b, 5
1, 60a, 60b, 70a, 70b, 70c, 70d
Second circuit block (block not capable of matrix test) 6a, 6b, 6c, 46a, 46b, 46c, 56, 6
6a, 66b, 76a, 76b Probe line driver 7a, 7b, 7c, 47a, 47b, 47c, 57,
67a, 67b, 77 sense circuits 8a, 8b, 8c, 48a, 48b, 48c, 58, 6
8a, 68b, 78 test control circuit

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 集積回路チップ(1);該集積回路チッ
プにマトリクステストを行なわないブロック(10)と
ともに形成された回路ブロック(9a,9b)、回路ブ
ロックは、複数の回路ノード(100)と、スイッチ
(12)を介して各回路ノードにそれぞれ接続される複
数のセンス線(4a,4b)と、該センス線と交差して
配置され対応する前記スイッチをそれぞれ制御する複数
のプローブ線(3a,3b)とをそれぞれ有し;前記回
路ブロックに対して設けられ、センス線及びプローブ線
が前記マトリクステストを行なわないブロック上を通過
しないように回路ブロックの隣合う2辺に沿って配置さ
れた試験回路(6a,6b,7a,7b)とを有し;前
記試験回路は、前記センス線の信号を選択的にセンスす
るセンス回路(7a,7b)と、前記プローブ線を選択
的にドライブするドライブ回路(6a,6b)、を含む
半導体集積回路。
1. An integrated circuit chip (1); a circuit block (9a, 9b) formed together with a block (10) for which a matrix test is not performed on the integrated circuit chip, the circuit block including a plurality of circuit nodes (100). , A plurality of sense lines (4a, 4b) connected to each circuit node via a switch (12), and a plurality of probe lines (3a) arranged to intersect the sense lines and controlling the corresponding switches, respectively. , 3b); provided for the circuit block and arranged along two adjacent sides of the circuit block so that the sense line and the probe line do not pass over the block not subjected to the matrix test. A test circuit (6a, 6b, 7a, 7b); the test circuit selectively senses a signal of the sense line. 7b) and a drive circuit (6a, 6b) for selectively driving the probe line, a semiconductor integrated circuit.
【請求項2】 前記回路ブロックはぞれぞれ実質的に四
角形の第1ブロック及び第2ブロックを有し、第1ブロ
ックよりも第2ブロックのサイズは小さく、第1及び第
2のブロックに隣接して他の回路ブロックが形成されて
いる請求項1の半導体集積回路。
2. The circuit block includes a first block and a second block, each of which is substantially quadrangular, and a size of the second block is smaller than that of the first block. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein another circuit block is formed adjacently.
【請求項3】 前記集積回路チップはマスタスライス集
積回路チップであり、前記回路ブロックは配線変更で異
なる論理回路が構成できるように配列された複数のベー
シックセルを含み前記他の回路ブロックは専用回路の回
路パターンで形成されている請求項2の半導体集積回
路。
3. The integrated circuit chip is a master slice integrated circuit chip, the circuit block includes a plurality of basic cells arranged so that different logic circuits can be configured by changing wiring, and the other circuit block is a dedicated circuit. The semiconductor integrated circuit according to claim 2, wherein the semiconductor integrated circuit is formed by the circuit pattern.
【請求項4】 前記専用回路は少なくともメモリ回路又
は中央処理装置のいずれか1つを含む請求項3の半導体
集積回路。
4. The semiconductor integrated circuit according to claim 3, wherein the dedicated circuit includes at least one of a memory circuit and a central processing unit.
【請求項5】 前記試験回路は前記集積回路チップのエ
ッジに沿って配置されている請求項1の半導体集積回
路。
5. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the test circuit is arranged along an edge of the integrated circuit chip.
【請求項6】 前記集積回路チップは、スタンダードセ
ル型集積回路チップであり、前記回路ブロックは、スタ
ンダードセル構造を有し、前記他の回路ブロックは、専
用回路パターンで形成されている請求項1の半導体集積
回路。
6. The integrated circuit chip is a standard cell type integrated circuit chip, the circuit block has a standard cell structure, and the other circuit block is formed with a dedicated circuit pattern. Semiconductor integrated circuit.
【請求項7】 前記回路ブロックは多角形であり、前記
プローブ線及びセンス線は前記ブロック全面に配置され
ている請求項1の半導体集積回路。
7. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the circuit block has a polygonal shape, and the probe line and the sense line are arranged on the entire surface of the block.
【請求項8】 前記センス回路及び前記ドライブ回路の
少なくとも1つは2つ以上の領域に分割され、前記回路
ブロックの隣合う2辺に沿って配置されている請求項1
の半導体集積回路。
8. The at least one of the sense circuit and the drive circuit is divided into two or more regions and arranged along two adjacent sides of the circuit block.
Semiconductor integrated circuit.
【請求項9】 集積回路チップ(1)上に形成する回路
を、マトリクスプロービングテストを行う第1回路ブロ
ック(9a,9b)と、 マトリクスプロービングテストを行なわない第2回路ブ
ロック(10)に分類するステップ;第1回路ブロック
を実質的に4角形の複数のサブブロックに分割するステ
ップと;各サブブロック内に複数のセンス線(4a,4
b)とプローブ線(3a,3b)とを配置するステップ
と;各サブブロックの隣合う2辺に沿って前記センス線
とプローブ線とに接続される試験回路(6a,6b,7
a,7b,8a,8b)を配置するステップと;を含む
半導体集積回路のレイアウト方法。
9. A circuit formed on an integrated circuit chip (1) is classified into a first circuit block (9a, 9b) that performs a matrix probing test and a second circuit block (10) that does not perform a matrix probing test. A step of dividing the first circuit block into a plurality of substantially rectangular sub-blocks; and a plurality of sense lines (4a, 4) in each sub-block.
b) and arranging the probe lines (3a, 3b); test circuits (6a, 6b, 7) connected to the sense lines and the probe lines along two adjacent sides of each sub-block.
a, 7b, 8a, 8b), and a layout method of the semiconductor integrated circuit.
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