JPH0536111A - Optical information read-out device - Google Patents

Optical information read-out device

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Publication number
JPH0536111A
JPH0536111A JP3306313A JP30631391A JPH0536111A JP H0536111 A JPH0536111 A JP H0536111A JP 3306313 A JP3306313 A JP 3306313A JP 30631391 A JP30631391 A JP 30631391A JP H0536111 A JPH0536111 A JP H0536111A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
prism
reflected
polarizing film
detector
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP3306313A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masaaki Furumiya
正章 古宮
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Olympus Corp
Original Assignee
Olympus Optical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Olympus Optical Co Ltd filed Critical Olympus Optical Co Ltd
Publication of JPH0536111A publication Critical patent/JPH0536111A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE:To eliminate a stray light to a detector with simple constitution without using a hologram to an optical information read-out device. CONSTITUTION:This device is constituted so that a photodetector 10 is jointed to a prism face forming an obtuse angle with an incident plane to the prism 3, a polarizing film 4 reflecting one part of a laser light beam and transmitting one part of a luminous flux reflected by the optical disk 6 is formed on the surface of a prism slope, after only a reflected luminous flux is reflected in the prism 3, is made incident on the detector 10. By such simple constitution, an excellent focusing error and a tracking error signals are attained without being influenced by the stray light.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク等の記録媒
体上の情報を光学的に読み取る光学式情報読取り装置に
関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical information reader for optically reading information on a recording medium such as an optical disk.

【0002】[0002]

【従来の技術】光ビームを記録媒体に照射し記録媒体か
らの反射光を光検出手段で受光し、記録情報の再生を行
う光学式情報読取り装置は、これまでに種々提案されて
いる。例えば、特開昭63−136334号公報 (従来例1)に
は、図16(斜視図) 、図17(正面図) に示すような装置
が開示されている。半導体レーザ50から放射された光
は、コリメータレンズ51で平行光に変換され、ビームス
プリッタ52の偏光膜53で反射し、対物レンズ54を経て光
ディスク55へ達する。該光ディスク55で反射された光束
は再び対物レンズ54を経てビームスプリッタ52の偏光膜
53に達する。該偏光膜53を透過した光はフォーカスエラ
ー、トラッキングエラー信号検出機能と集光機能及び、
偏光機能を備えたホログラム56を反射面に備えた平行平
板57に入射する。入射光は、ホログラム56で反射し、さ
らに平行平板57内で内面反射し、検出器58に入射する。
2. Description of the Related Art Various optical information readers have been proposed which irradiate a recording medium with a light beam and receive the reflected light from the recording medium by a light detecting means to reproduce recorded information. For example, Japanese Unexamined Patent Publication No. 63-136334 (conventional example 1) discloses a device as shown in FIG. 16 (perspective view) and FIG. 17 (front view). The light emitted from the semiconductor laser 50 is converted into parallel light by the collimator lens 51, reflected by the polarizing film 53 of the beam splitter 52, and reaches the optical disc 55 through the objective lens 54. The light beam reflected by the optical disk 55 passes through the objective lens 54 again and the polarizing film of the beam splitter 52.
Reach 53. The light transmitted through the polarizing film 53 has a focus error, a tracking error signal detection function and a light collection function,
A hologram 56 having a polarization function is incident on a parallel plate 57 having a reflecting surface. The incident light is reflected by the hologram 56, further internally reflected in the parallel plate 57, and incident on the detector 58.

【0003】また、特開昭64−13239 号公報 (従来例
2) には、図18(斜視図) 、図19 (平面図) に示すよう
な装置が開示されている。半導体レーザ59から放射され
た光は、半導体基板60上に形成されたプリズム61の傾斜
面61a で一部反射され、図示されていない対物レンズを
経て光ディスクへ達する。該光ディスクで反射された光
束は、再び対物レンズを経てプリズム61の傾斜面61a に
達する。この傾斜面61aには偏光膜が施されている。偏
光膜を透過した光は、半導体基板60表面部に形成された
信号光検知用フォトディテクタ62により受光される。該
信号光検知用フォトディテクタ62を反射した光は、プリ
ズム61の上面で内面反射後、信号光検知用フォトディテ
クタ63に入射する。フォトディテクタ64は後方モニタで
あり、対物出射光量を一定に保つ APCに利用される。
Further, Japanese Unexamined Patent Publication No. 64-13239 (Prior Art 2) discloses a device as shown in FIG. 18 (perspective view) and FIG. 19 (plan view). The light emitted from the semiconductor laser 59 is partially reflected by the inclined surface 61a of the prism 61 formed on the semiconductor substrate 60, and reaches the optical disc through an objective lens (not shown). The light beam reflected by the optical disk reaches the inclined surface 61a of the prism 61 through the objective lens again. A polarizing film is applied to the inclined surface 61a. The light transmitted through the polarizing film is received by the signal light detecting photodetector 62 formed on the surface of the semiconductor substrate 60. The light reflected by the signal light detecting photodetector 62 is internally reflected by the upper surface of the prism 61, and then enters the signal light detecting photodetector 63. The photodetector 64 is a rear monitor and is used for APC that keeps the amount of light emitted from the objective object constant.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来例1に開示されている装置は、ホログラム56を用いて
いるが、このホログラム56は、一般的に波長依存性が大
きく、半導体レーザ50が外気温度により波長変動を生じ
た場合、反射光束の集光状態や偏光角度が変動し、検出
器58上のスポットが変化するためフォーカスエラー、ト
ラッキングエラー信号にオフセットが生じやすいという
不具合がある。また、従来の光学系を光磁気ディスクに
応用するには、ホログラム56に前記機能の他に偏光機能
をも付加する必要があり、このようなホログラム56を形
成することは技術的に困難である。また、偏光機能をホ
ログラム以外の素子に持たせた場合、別部材( 例えば、
偏光ビームスプリッタ、波長板等) を追加する必要があ
り、ピックアップの大型化、高コスト化につながるとい
う不具合がある。
However, the apparatus disclosed in the prior art example 1 uses the hologram 56, but the hologram 56 generally has a large wavelength dependency, and the semiconductor laser 50 is exposed to the outside air. When the wavelength fluctuates due to the temperature, the condensed state of the reflected light flux and the polarization angle fluctuate, and the spot on the detector 58 changes, so that the focus error and the tracking error signal are likely to be offset. Further, in order to apply the conventional optical system to a magneto-optical disk, it is necessary to add a polarization function to the hologram 56 in addition to the above-mentioned function, and it is technically difficult to form such a hologram 56. . In addition, when an element other than the hologram has a polarization function, a separate member (for example,
It is necessary to add a polarization beam splitter, a wave plate, etc.), which leads to a problem that the pickup becomes large in size and high in cost.

【0005】次に上記従来例2に開示されている装置
は、半導体レーザ59の放射光束をプリズム61に対して上
から見て斜めに入射させることにより、迷光が信号検出
用フォトディテクタ62, 63に入射しないように構成され
ている。これは半導体レーザ、プリズムを半導体基板の
上方から見て一直線上に配置すると、半導体レーザから
の放射光はプリズム傾斜面上の偏光膜で一部反射され光
ディスクに向かうが、残りは、プリズム内に入射しさら
に信号検出用フォトディテクタに入射し迷光となりフォ
ーカスエラー、トラッキングエラー信号の検出に悪影響
を及ぼしてしまうからである。しかし、このような方法
を使用するとピックアップが平面的に大きくなりがちで
あり、また半導体レーザ59、プリズム61、信号検出用フ
ォトディテクタ62, 63の位置や角度合せが難しくなると
いう不具合がある。
Next, in the device disclosed in the above-mentioned conventional example 2, stray light is incident on the photodetectors 62, 63 for signal detection by causing the emitted light flux of the semiconductor laser 59 to be obliquely incident on the prism 61 when viewed from above. It is configured so that it does not enter. This is because when the semiconductor laser and the prism are arranged in a straight line when viewed from above the semiconductor substrate, the emitted light from the semiconductor laser is partially reflected by the polarizing film on the prism inclined surface toward the optical disc, but the rest is inside the prism. This is because the light then enters the photodetector for signal detection and becomes stray light, which adversely affects the detection of focus error and tracking error signals. However, when such a method is used, the pickup tends to be large in plan view, and it is difficult to align the positions and angles of the semiconductor laser 59, the prism 61, and the photodetectors 62 and 63 for signal detection.

【0006】本発明は、以上の不具合を解決すべく提案
されるもので、ホログラムを使用することなく、また簡
単な構成、少部品点数とし低コスト、コンパクトで迷光
の少ない光学式情報読み取付り装置を提供することを目
的とする。
The present invention has been proposed to solve the above-mentioned problems, and does not use a hologram, has a simple structure, a small number of parts, is low in cost, is compact, and has little stray light. The purpose is to provide a device.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため少なくとも半導体レーザと、対物レンズと、プ
リズムと、光ディスクからの反射光を受光する光検出手
段とを有する光学系を用いた光学式情報読取り装置にお
いて、光検出手段はプリズムへの入射面と鈍角を形成す
るプリズム面に接合され、プリズムの斜面の表面には半
導体レーザからの放射光の一部を反射し、かつ光ディス
クで反射された光束を透過させる偏光膜が施されてお
り、前記光ディスクで反射され偏光膜を透過した透過光
が該プリズム内で少なくとも1回以上内面反射した後、
光検出手段に入射するように構成した光学式情報読取り
装置としたものである。また、光ディスクで反射され、
プリズム斜面の偏光膜を透過した透過光の進行方向延長
上のプリズム面に、前記透過光出射側面に全反射コート
が施されている集光レンズを設けた光学式情報読取り装
置としたものである。また、光検出手段が設けられてい
るプリズム面に対し、ほぼ直交する方向から放射光がプ
リズム斜面に入射するように半導体レーザを配設した光
学式情報読取り装置としたものである。
In order to achieve the above object, the present invention provides an optical system using at least a semiconductor laser, an objective lens, a prism, and a photodetecting means for receiving reflected light from an optical disk. In the information reading device, the light detecting means is joined to the prism surface forming an obtuse angle with the incident surface to the prism, and the inclined surface of the prism reflects a part of the emitted light from the semiconductor laser and reflects it on the optical disk. Is provided with a polarizing film that transmits the generated light flux, and after the transmitted light reflected by the optical disc and transmitted through the polarizing film is internally reflected at least once in the prism,
The optical information reading device is configured to enter the light detecting means. Also, it is reflected by the optical disc,
An optical information reading device is provided, in which a condenser lens having a total reflection coating on the transmitted light emission side surface is provided on a prism surface extending in the traveling direction of transmitted light transmitted through a polarizing film on a prismatic surface. . Further, the optical information reading device is provided with a semiconductor laser so that the radiated light is incident on the prism inclined surface from a direction substantially orthogonal to the prism surface provided with the light detecting means.

【0008】[0008]

【作用】このようにホログラムを使用しない構成である
ため、検出器上のスポットが変化せず、フォーカスエラ
ー、トラッキングエラー信号にオフセットが生じにくく
なる。また、プリズムへの入射面と鈍角を形成するプリ
ズム面に検出器を設け、不要光を他のプリズム端面から
出射させるようにしたので迷光を少なくすることができ
る。また、光検出手段が設けられているプリズム面に対
し、直交する方向に半導体レーザを配設しているので集
光レンズやコリプータレンズ等を設ける必要がなくな
る。
Since the hologram is not used as described above, the spot on the detector does not change, and the focus error and tracking error signals are less likely to be offset. Further, since a detector is provided on the prism surface that forms an obtuse angle with the entrance surface to the prism, and unnecessary light is emitted from the other prism end surface, stray light can be reduced. Further, since the semiconductor laser is arranged in a direction orthogonal to the prism surface on which the light detecting means is provided, it is not necessary to provide a condenser lens or a collipator lens.

【0009】[0009]

【実施例】以下、図面を参照しながら本発明の実施例を
説明する。図1は、本発明の第1実施例を示したもの
で、半導体レーザ1から放射された光は、コリメータレ
ンズ2により平行光束になりプリズム3の斜面3a上に施
された偏光膜4でその一部が反射し、対物レンズ5を経
て光ディスク6へ達する。プリズム3の斜面を透過した
光は(破線で示す)、プリズム3の底面で一部は全反射
後プリズム端面3bに入射し、残りは直接プリズム端面3b
に入射する。プリズム端面3bには反射防止コート7が施
されているため、プリズム端面3bに入射した光は全てプ
リズム3の外に出てしまい迷光にならない。光ディスク
6で反射された光束は、再び、対物レンズ5を経て偏光
膜4に達する。該偏光膜4を透過した光は、プリズム3
に入りプリズム3底面に接合された集光レンズ8に入射
する。集光レンズ8は、その出射面に全反射コート9が
施されている。従って、集光レンズ8に入射した平行光
束は、その出射端面で集光光となり全反射する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a first embodiment of the present invention in which light emitted from a semiconductor laser 1 is collimated by a collimator lens 2 into a parallel light beam and is polarized by a polarizing film 4 formed on a slope 3a of a prism 3. Part of the light is reflected and reaches the optical disk 6 through the objective lens 5. The light transmitted through the inclined surface of the prism 3 (shown by a broken line) is partially reflected by the bottom surface of the prism 3 after being totally reflected, and the rest is directly incident on the prism end surface 3b.
Incident on. Since the antireflection coating 7 is applied to the prism end face 3b, all the light incident on the prism end face 3b goes out of the prism 3 and does not become stray light. The light flux reflected by the optical disc 6 reaches the polarizing film 4 again through the objective lens 5. The light transmitted through the polarizing film 4 is reflected by the prism 3
The light enters the condenser lens 8 joined to the bottom surface of the prism 3. The condenser lens 8 has a total reflection coating 9 on its emission surface. Therefore, the parallel light flux incident on the condenser lens 8 becomes a condensed light at the exit end face thereof and is totally reflected.

【0010】全反射した集光光は、結像する前にプリズ
ム3の上面に入射する。プリズム3の上面には光検出器
10を保護するためのカバーガラス10aを介して光検出器1
0が接合されている。なお、カバーガラス10a を設けず
に光検出器10をプリズム3の上面に接合する構成として
もよい。プリズム3の上面に入射した光は、その一部が
透過されて光検出器10のディテクタ11により受光され
る。残りの光検出器10で反射した光は、プリズム3の底
面で内面反射され、結像後、発散光となり光検出器10の
ディテクタ12により受光される。そして、光検出器10の
ディテクタ11とディテクタ12の検知光量から光ディスク
6に記録された信号検知を行うことができる。ここでデ
ィテクタ11の3分割領域11a, 11b, 11c をそれぞれ A,
B, Cとし、ディテクタ12の3分割領域12a, 12b, 12c を
それぞれ D, E, Fとする。フォーカスエラー信号(FE)
は、ディテクタ11の領域11a, 11cとディテクタ12の領域
12b との和信号からディテクタ11の領域11b とディテク
タ12の領域12a, 12cとの和信号の差信号により検出され
る。つまりFE=A+C+E−(B+D+F)。また、
トラッキングエラー信号(TE)は、ディテクタ11の領
域11a と11c の差信号によるか、ディテクタ11の領域11
a とディテクタ12の領域12c の和信号からディテクタ11
の領域11c とディテクタ12の領域12a の和信号の差信号
により検出される。つまり、TE=A−C又は(A+
F)−(C+D)。また、情報信号(RF)は、ディテ
クタ11の全領域11a 〜11c とディテクタ12の全領域12a
〜12c の和信号により検出される。つまりRF=A+B
+C+D+E+F。
The totally reflected condensed light is incident on the upper surface of the prism 3 before forming an image. Photodetector on top of prism 3
Photodetector through cover glass 10a to protect 10 1
0 is joined. The photodetector 10 may be bonded to the upper surface of the prism 3 without providing the cover glass 10a. A part of the light incident on the upper surface of the prism 3 is transmitted and is received by the detector 11 of the photodetector 10. The light reflected by the remaining photodetector 10 is internally reflected by the bottom surface of the prism 3 and, after image formation, becomes divergent light and is received by the detector 12 of the photodetector 10. Then, the signals recorded on the optical disk 6 can be detected from the detected light amounts of the detector 11 and the detector 12 of the photodetector 10. Here, the three-divided regions 11a, 11b, and 11c of the detector 11 are set to A,
Let B and C be the three-divided regions 12a, 12b and 12c of the detector 12 be D, E and F, respectively. Focus error signal (FE)
Are the areas 11a and 11c of the detector 11 and the area of the detector 12.
The difference signal of the sum signals of the region 11b of the detector 11 and the regions 12a and 12c of the detector 12 is detected from the sum signal of 12b. That is, FE = A + C + E- (B + D + F). Also,
The tracking error signal (TE) is due to the difference signal between the areas 11a and 11c of the detector 11 or the area 11 of the detector 11.
a from the sum signal of the area 12c of the detector 12 to the detector 11
Is detected by the difference signal of the sum signal of the region 11c of the detector 12 and the region 12a of the detector 12. That is, TE = A-C or (A +
F)-(C + D). Further, the information signal (RF) is supplied to all areas 11a to 11c of the detector 11 and all areas 12a of the detector 12.
It is detected by the sum signal of ~ 12c. That is, RF = A + B
+ C + D + E + F.

【0011】図2は、フォーカスエラー信号の検出原理
を示したものである。このうち図2Aは、合焦時の光検
出器10のスポット像を示したものである。スポット像は
結像点x(図1参照)の前後であり、結像点xから等距
離でありディテクタ11と12上のスポット像は等しくなる
(図2−A下段)。従って、前記式に基づくフォーカス
エラー信号(FE)は0となる。図2Bは、ディスク6
と対物レンズ5が近づいた状態を示す。この場合、ディ
スク6で反射し、対物レンズ5を透過した光束は、発散
光になる。従って、結像点xは合焦時より後側(光軸上
での焦点位置より遠い位置)になり、ディテクタ11上の
スポット像の方が12上のスポット像より大きくなる(図
2B下段)。従って、FE>0となる。図2Cは、ディ
スク6と対物レンズ5が遠ざかった状態を示す。ディス
ク6を反射し対物レンズ5を透過した光束は、集束光に
なる。従って、結像点は合焦時より前側(光軸上での焦
点位置より近い位置)になりディテクタ11上のスポット
像の方がディテクタ12上のスポット像より小さくなる
(図2C下段)。従って、FE<0となる。以上により
フォーカスエラー信号が検出される。トラッキングエラ
ー信号は、光検出器10のディテクタ11のA−C又は、デ
ィテクタ11, 12の(A+F)−(C+D)によりプッシ
ュプル信号を検出することにより得られる。
FIG. 2 shows the principle of detecting the focus error signal. Of these, FIG. 2A shows a spot image of the photodetector 10 at the time of focusing. The spot images are before and after the image forming point x (see FIG. 1), are equidistant from the image forming point x, and the spot images on the detectors 11 and 12 are equal (lower part of FIG. 2-A). Therefore, the focus error signal (FE) based on the above equation becomes zero. FIG. 2B shows the disk 6
And the objective lens 5 is approaching. In this case, the light flux reflected by the disk 6 and transmitted through the objective lens 5 becomes divergent light. Therefore, the image formation point x is on the rear side (a position farther from the focal point position on the optical axis) than that at the time of focusing, and the spot image on the detector 11 is larger than the spot image on 12 (lower part of FIG. 2B). . Therefore, FE> 0. FIG. 2C shows a state in which the disc 6 and the objective lens 5 are away from each other. The light flux reflected by the disk 6 and transmitted through the objective lens 5 becomes focused light. Therefore, the image formation point is on the front side (a position closer to the focus position on the optical axis) than that at the time of focusing, and the spot image on the detector 11 is smaller than the spot image on the detector 12.
(Figure 2C, lower row). Therefore, FE <0. The focus error signal is detected as described above. The tracking error signal is obtained by detecting the push-pull signal by the AC of the detector 11 of the photodetector 10 or the (A + F)-(C + D) of the detectors 11 and 12.

【0012】以上のごとく本実施例によれば、半導体レ
ーザ1からの放射光束中、偏光膜4を透過した光束がプ
リズム3の底面反射後プリズム端面3bから出射し、また
は、プリズム端面3bから直接出射してしまうため、不要
光が光検出器10のディテクタ11, 12に入射することがな
く、ディスク6からの反射光はプリズム3に入射後、集
光レンズ8で集光、反射させた後、プリズム3内で複数
回内面反射させた後、プリズム3に接合した光検出器10
のディテクタ11, 12で受光させるようにしているので、
良好なフォーカスエラー、トラッキングエラー信号が得
られる。
As described above, according to the present embodiment, among the luminous fluxes emitted from the semiconductor laser 1, the luminous flux transmitted through the polarizing film 4 is emitted from the prism end face 3b after the bottom surface reflection of the prism 3 or directly from the prism end face 3b. Since it is emitted, unnecessary light does not enter the detectors 11 and 12 of the photodetector 10, and the reflected light from the disk 6 enters the prism 3 and then is collected and reflected by the condenser lens 8. , A photodetector 10 bonded to the prism 3 after being internally reflected multiple times in the prism 3.
Since the detectors 11 and 12 are designed to receive light,
Good focus error and tracking error signals can be obtained.

【0013】図3は、本発明の第2実施例を示したもの
で、第1実施例と対応する個所には同一符号を付した
(以下の実施例についても同様)。半導体レーザ1から
放射された光は、プリズム3の斜面3a上に施された偏光
膜4でその一部が反射し、図示されていない対物レンズ
5を経て光ディスク6へ達する。プリズム3の斜面を透
過した光(破線で示す)は、プリズム3の底面で一部は
全反射後プリズム端面3bに入射し、残りは直接プリズム
端面3bに入射する。プリズム端面3bには反射防止コート
7が施されているため、プリズム端面3bに入射した光は
全てプリズム3の外に出てしまい迷光にならない。
FIG. 3 shows a second embodiment of the present invention, in which parts corresponding to those of the first embodiment are designated by the same reference numerals (the same applies to the following embodiments). A part of the light emitted from the semiconductor laser 1 is reflected by the polarizing film 4 provided on the inclined surface 3a of the prism 3, and reaches the optical disc 6 through the objective lens 5 not shown. The light (shown by the broken line) transmitted through the inclined surface of the prism 3 is partially incident on the prism end surface 3b after total reflection on the bottom surface of the prism 3, and the rest is directly incident on the prism end surface 3b. Since the antireflection coating 7 is applied to the prism end face 3b, all the light incident on the prism end face 3b goes out of the prism 3 and does not become stray light.

【0014】光ディスク6で反射された光束は、再び、
対物レンズ5を経て偏光膜4に達する。この偏光膜4を
透過した光は、プリズム3に入りプリズム3底面で全反
射する。全反射した光は、結像する前にプリズム3の上
面に入射する。プリズム3の上面にはカバーガラス10a
を介して光検出器10が接合されている。なお、カバーガ
ラス10を設けずに、光検出器10をプリズム3の上面に接
合する構成としてもよい。プリズム3の上面に入射した
光は、その一部が透過されて光検出器10のディテクタ11
により受光される。残りの光検出器10で反射した光は、
プリズム3の底面で内面反射され、結像後、発散光とな
り光検出器10のディテクタ12により受光される。そし
て、光検出器10のディテクタ11とディテクタ12の検知光
量から光ディスク6に記録された信号検知を行うことが
できる。フォーカスエラー、トラッキングエラー信号検
出原理は第1実施例と同様である。
The light flux reflected by the optical disk 6 is again
It reaches the polarizing film 4 through the objective lens 5. The light transmitted through the polarizing film 4 enters the prism 3 and is totally reflected by the bottom surface of the prism 3. The totally reflected light is incident on the upper surface of the prism 3 before forming an image. A cover glass 10a is provided on the upper surface of the prism 3.
The photodetector 10 is joined via the. The photodetector 10 may be bonded to the upper surface of the prism 3 without providing the cover glass 10. A part of the light incident on the upper surface of the prism 3 is transmitted to the detector 11 of the photodetector 10.
Is received by. The light reflected by the remaining photodetector 10 is
The light is internally reflected by the bottom surface of the prism 3 and, after image formation, becomes divergent light and is received by the detector 12 of the photodetector 10. Then, the signals recorded on the optical disk 6 can be detected from the detected light amounts of the detector 11 and the detector 12 of the photodetector 10. The focus error and tracking error signal detection principles are the same as in the first embodiment.

【0015】以上のごとく本実施例によれば、半導体レ
ーザ1からの放射光束中、偏光膜4を透過した光束がプ
リズム3の底面で反射した後、プリズム端面3bから出射
し、または直接プリズム端面3bから出射してしまうた
め、不要光が光検出器10のディテクタ11, 12に入射する
ことがなく、良好なフォーカスエラー、トラッキングエ
ラー信号が得られる。また、有限光学系のためコリメー
タレンズ、集光レンズが不要になり、コストダウン、コ
ンパクト化に寄与する。
As described above, according to the present embodiment, among the luminous flux emitted from the semiconductor laser 1, the luminous flux transmitted through the polarizing film 4 is reflected by the bottom surface of the prism 3 and then emitted from the prism end surface 3b or directly on the prism end surface. Since the light is emitted from 3b, unnecessary light does not enter the detectors 11 and 12 of the photodetector 10, and good focus error and tracking error signals can be obtained. Further, since it is a finite optical system, a collimator lens and a condenser lens are not required, which contributes to cost reduction and downsizing.

【0016】図4(部分図)、図5(全体図)は本発明
の第3実施例を示したものである。半導体レーザ1から
放射された光は、半導体基板14上に設けられた反射面14
aで全反射し、半導体基板14上に設けられたプリズム3
の斜面3a上に施された偏光膜4でその一部が反射し、全
反射ミラー13、対物レンズ5を経て光ディスク6へ達す
る。プリズム3の斜面を透過した光(破線で示す)は、
プリズム端面3bに入射した後、全てプリズム3の外に出
てしまい迷光にならない。また、半導体レーザ1の前記
放射方向に対し逆側から放射された光は、半導体基板14
上に設けられたディテクタ15により受光され、ディテク
タ15の出力により対物出射光が一定になるよう制御され
る。
FIG. 4 (partial view) and FIG. 5 (overall view) show a third embodiment of the present invention. The light emitted from the semiconductor laser 1 is reflected by the reflecting surface 14 provided on the semiconductor substrate 14.
The prism 3 which is totally reflected by a and is provided on the semiconductor substrate 14
A part of the light is reflected by the polarizing film 4 provided on the inclined surface 3a, and reaches the optical disk 6 through the total reflection mirror 13 and the objective lens 5. The light transmitted through the slope of the prism 3 (shown by the broken line) is
After entering the prism end face 3b, all the light goes out of the prism 3 and does not become stray light. The light emitted from the side opposite to the emission direction of the semiconductor laser 1 is the semiconductor substrate 14
The light is received by the detector 15 provided above, and the output of the detector 15 controls the objective emission light to be constant.

【0017】光ディスク6で反射された光束は再び対物
レンズ5、全反射ミラー13を経て偏光膜4に達する。該
偏光膜4を透過した光は、プリズム3に入りプリズム端
面3bで全反射する。全反射した光は、結像する前にプリ
ズム3の底面に入射する。プリズム3の底面は、半導体
基板14と接合されており、該半導体基板14にはディテク
タ11, 12が設けられている。全反射光の一部は、ディテ
クタ11に入射し受光される。ディテクタ11で反射した光
は、プリズム端面3bで反射され、結像後、発散光となり
ディテクタ12により受光される。そして、ディテクタ11
とディテクタ12の検知光量から光ディスク6に記録され
た信号検知を行うことができる。フォーカスエラー、ト
ラッキングエラー信号検出原理は第1実施例と同様であ
る。なお、図5に示すように半導体基板14、全反射ミラ
ー13、対物レンズ5はケース16に納められており、トラ
ック方向、フォーカス方向に一体駆動するようになって
いる。なお、本実施例では半導体基板14上に設けられた
反射面14a で、半導体レーザ1から放射された光を反射
させているが、平面状の半導体基板14に設けられた半導
体レーザ1からの放射光をプリズム3の面で反射させ、
半導体基板14に形成された開孔を通過させて対物レン
ズ、光ディスクに導くような構成としてもよい。
The light beam reflected by the optical disk 6 reaches the polarizing film 4 again through the objective lens 5 and the total reflection mirror 13. The light transmitted through the polarizing film 4 enters the prism 3 and is totally reflected by the prism end face 3b. The totally reflected light is incident on the bottom surface of the prism 3 before forming an image. The bottom surface of the prism 3 is joined to a semiconductor substrate 14, and the semiconductor substrate 14 is provided with detectors 11 and 12. A part of the totally reflected light enters the detector 11 and is received. The light reflected by the detector 11 is reflected by the prism end face 3b, becomes an divergent light after being imaged, and is received by the detector 12. And the detector 11
The signal recorded on the optical disk 6 can be detected from the amount of light detected by the detector 12. The focus error and tracking error signal detection principles are the same as in the first embodiment. As shown in FIG. 5, the semiconductor substrate 14, the total reflection mirror 13, and the objective lens 5 are housed in a case 16 so that they can be integrally driven in the track direction and the focus direction. In this embodiment, the light emitted from the semiconductor laser 1 is reflected by the reflecting surface 14a provided on the semiconductor substrate 14, but the light emitted from the semiconductor laser 1 provided on the planar semiconductor substrate 14 is emitted. The light is reflected by the surface of the prism 3,
The structure may be such that it passes through the opening formed in the semiconductor substrate 14 and is guided to the objective lens and the optical disk.

【0018】以上のごとく本実施例によれば、半導体レ
ーザ1からの放射光束中、偏光膜4を透過した光束がプ
リズム端面3bから直接出射してしまうため、不要光がデ
ィテクタ11, 12に入射することがなく、良好なフォーカ
スエラー、トラッキングエラー信号が得られる。また同
一半導体基板14上に半導体レーザ1、ディテクタ11、1
2、プリズム3を配することができ、コストダウン、コ
ンパクト化に寄与する。
As described above, according to the present embodiment, among the light fluxes emitted from the semiconductor laser 1, the light flux transmitted through the polarizing film 4 is directly emitted from the prism end face 3b, so that unnecessary light is incident on the detectors 11 and 12. And good focus error and tracking error signals can be obtained. Further, on the same semiconductor substrate 14, the semiconductor laser 1 and the detectors 11, 1 are provided.
2. The prism 3 can be arranged, which contributes to cost reduction and compactness.

【0019】図6(部分図)、図7(全体図)は本発明
の第4実施例を示したものである。基本的には第3実施
例と同じであるが、半導体基板14上に反射面14a (図4
参照)を設ける代りに光検出器11, 12が形成されている
面と垂直な面に半導体レーザ1を配した点が第3実施例
と異なる。なお図7に示すように半導体基板14、全反射
ミラー13、対物レンズ5はケース16に納められており、
トラック方向、フォーカス方向に一体駆動するようにな
っている。本実施例の効果として次の事柄があげられ
る。半導体基板上の反射面を形成するプロセスを省略で
きるため製作が容易になり、コストダウンに寄与する。
また、半導体レーザとディスク間の反射面が1面減るた
め、反射面による収差の悪化が減少する。
FIG. 6 (partial view) and FIG. 7 (overall view) show a fourth embodiment of the present invention. Basically the same as in the third embodiment, except that the reflecting surface 14a (see FIG.
The third embodiment is different from the third embodiment in that the semiconductor laser 1 is arranged on a surface perpendicular to the surface on which the photodetectors 11 and 12 are formed instead of providing the reference laser. As shown in FIG. 7, the semiconductor substrate 14, the total reflection mirror 13, and the objective lens 5 are contained in a case 16,
It is designed to be integrally driven in the track direction and the focus direction. The effects of this embodiment are as follows. Since the process of forming the reflecting surface on the semiconductor substrate can be omitted, the manufacturing is facilitated, which contributes to cost reduction.
Further, since the number of reflecting surfaces between the semiconductor laser and the disk is reduced by one, the deterioration of aberration due to the reflecting surfaces is reduced.

【0020】図8は、本発明の第5実施例を示したもの
で、光磁気ディスク用の光学系を示したものである。半
導体レーザ1から放射された光は、コリメータレンズ2
により平行光束になりプリズム3の斜面3aに接合された
λ/2板17に入射する。λ/2板17の表面には透過光に
対し位相差が変化しない偏光膜4が施されている。光束
は、偏光膜4でその一部が反射し、対物レンズ5を経て
光磁気ディスク6aへ達する。偏光膜4、λ/2板17を透
過した光は(破線で示す)、プリズム3の底面で一部は
全反射後、プリズム端面3bに入射し、残りは直接プリズ
ム端面3bに入射する。プリズム端面3bには反射防止コー
ト7が施されているため、プリズム端面3bに入射した光
は全てプリズム3の外に出てしまい迷光にならない。
FIG. 8 shows a fifth embodiment of the present invention and shows an optical system for a magneto-optical disk. The light emitted from the semiconductor laser 1 is collimator lens 2
As a result, a parallel light beam is formed and enters a λ / 2 plate 17 joined to the slope 3a of the prism 3. The surface of the λ / 2 plate 17 is provided with a polarizing film 4 whose phase difference does not change with respect to transmitted light. A part of the light flux is reflected by the polarizing film 4, passes through the objective lens 5, and reaches the magneto-optical disk 6a. The light transmitted through the polarizing film 4 and the λ / 2 plate 17 (shown by a broken line) is partially reflected by the bottom surface of the prism 3 and then is incident on the prism end surface 3b, and the rest is directly incident on the prism end surface 3b. Since the antireflection coating 7 is applied to the prism end face 3b, all the light incident on the prism end face 3b goes out of the prism 3 and does not become stray light.

【0021】光磁気ディスク6aで反射された光束は、再
び対物レンズ5を経てλ/2板17上に施された偏光膜4
に達する。該偏光膜4を透過した光はλ/2板17を透過
し、プリズム3に入りプリズム3底面に接合された集光
レンズ8に入射する。集光レンズ8はその出射面に全反
射コート9が施されている。従って集光レンズ8に入射
した平行光束は、その出射端面で集光光となり全反射す
る。全反射した集光光は、結像する前にプリズム3の上
面に入射する。プリズム3の上面の一部には偏光膜18が
施されている。また、偏光膜18を介してカバーガラス10
a を有する光検出器10が接合されている。なお、カバー
ガラス10a を設けずに光検出器10をプリズム3の上面に
接合する構成としてもよい。偏光膜18に達した光は、そ
の一部が透過されて光検出器10のディテクタ11により受
光される。偏光膜18は、少なくともディテクタ11に対応
する範囲がコートされている。残りの偏光膜18で反射し
た光は、プリズム3の底面で内面反射され、結像後、発
散光となり光検出器10のディテクタ12により受光され
る。そして、光検出器10のディテクタ11とディテクタ12
の検知光量から光磁気ディスク6aに記録された信号の差
動検知を行うことができる。フォーカスエラー信号とト
ラッキングエラー信号検出原理は、実施例1と同様であ
るので説明を省略する。
The light beam reflected by the magneto-optical disk 6a passes through the objective lens 5 again, and is applied to the λ / 2 plate 17 by the polarizing film 4
Reach The light transmitted through the polarizing film 4 passes through the λ / 2 plate 17, enters the prism 3, and enters the condenser lens 8 joined to the bottom surface of the prism 3. The condenser lens 8 has a total reflection coating 9 on its emission surface. Therefore, the parallel light flux incident on the condenser lens 8 becomes a condensed light at the exit end face thereof and is totally reflected. The totally reflected condensed light is incident on the upper surface of the prism 3 before forming an image. A polarizing film 18 is applied to a part of the upper surface of the prism 3. In addition, the cover glass 10 via the polarizing film 18
A photodetector 10 having a is joined. The photodetector 10 may be bonded to the upper surface of the prism 3 without providing the cover glass 10a. A part of the light reaching the polarizing film 18 is transmitted and is received by the detector 11 of the photodetector 10. The polarizing film 18 is coated at least in the area corresponding to the detector 11. The light reflected by the remaining polarizing film 18 is internally reflected by the bottom surface of the prism 3, becomes an divergent light after being imaged, and is received by the detector 12 of the photodetector 10. Then, the detector 11 and the detector 12 of the photodetector 10 are
The differential detection of the signal recorded on the magneto-optical disk 6a can be performed based on the detected light amount. The focus error signal and tracking error signal detection principles are the same as those in the first embodiment, and a description thereof will be omitted.

【0022】半導体レーザ1、プリズム3及び、λ/2
板17は、次の条件を満たすように構成されている。半導
体レーザ1からλ/2板17上に施された偏光膜4への入
射光の偏光方向が、P偏光方向またはS偏光方向と一致
するように構成されている。また、λ/2板17の進相軸
または、遅相軸の方位は、半導体レーザ1から偏光膜4
への入射光の偏光方向に対し、ほぼ22.5°を成すように
配置されている。従って、光磁気ディスク6aで反射され
偏光膜4を透過した光束はλ/2板17を透過する際、そ
の偏光方向が45°旋光され、偏光膜18への入射光偏光方
向がP偏光方向または、S偏光方向に対してほぼ45°の
角度となる。また、偏光膜4からの反射光束の偏光方向
は光磁気ディスク6aのグルーブに対し平行または、垂直
になるように配されている。
Semiconductor laser 1, prism 3, and λ / 2
The plate 17 is configured to satisfy the following conditions. The polarization direction of the incident light from the semiconductor laser 1 to the polarization film 4 provided on the λ / 2 plate 17 is configured to match the P polarization direction or the S polarization direction. Further, the azimuths of the fast axis or the slow axis of the λ / 2 plate 17 are from the semiconductor laser 1 to the polarizing film 4.
It is arranged so as to form an angle of approximately 22.5 ° with respect to the polarization direction of the incident light. Therefore, when the light flux reflected by the magneto-optical disk 6a and transmitted through the polarization film 4 is transmitted through the λ / 2 plate 17, the polarization direction thereof is rotated by 45 °, and the polarization direction of the incident light on the polarization film 18 is the P polarization direction or , The angle of about 45 ° with respect to the S polarization direction. Further, the polarization direction of the reflected light beam from the polarizing film 4 is arranged so as to be parallel or perpendicular to the groove of the magneto-optical disk 6a.

【0023】図9は、半導体レーザ1から光検出器10の
ディテクタ11, 12への入射光の偏光状態を示す説明図で
ある。半導体レーザ1からの出射光は、直線偏光光であ
り、紙面内方向に偏光して偏光膜4に入射するようにな
っている(図9A)。入射光の偏光方向は、前記のよう
に偏光膜4上でP偏光方向に一致している。λ/2板17
に施されている偏光膜4は、入射光の偏光方向がP偏光
方向に対し反射率50%、S偏光方向に対し透過率100 %
で、透過光に対して位相差を生じない。従って、図9B
に示すように偏光膜4の反射光は、直線偏光で強度が1/
2 の光束となる。この光束は、対物レンズ5を経て光磁
気ディスク6aに入射する。
FIG. 9 is an explanatory view showing the polarization state of incident light from the semiconductor laser 1 to the detectors 11 and 12 of the photodetector 10. The emitted light from the semiconductor laser 1 is linearly polarized light, which is polarized in the in-plane direction of the paper and is incident on the polarizing film 4 (FIG. 9A). The polarization direction of the incident light matches the P polarization direction on the polarizing film 4 as described above. λ / 2 plate 17
The polarizing film 4 applied to the polarizing film 4 has a reflectance of 50% with respect to the P polarization direction and a transmittance of 100% with respect to the S polarization direction.
Therefore, there is no phase difference with respect to the transmitted light. Therefore, FIG. 9B
As shown in, the light reflected by the polarizing film 4 is linearly polarized light and has an intensity of 1 /
It becomes a luminous flux of 2. This light flux enters the magneto-optical disk 6a via the objective lens 5.

【0024】反射光は、光磁気ディスク6aの反射率とカ
ー効果の影響で光磁気ディスク6a上の磁化の向きによ
り、θK 、−θK の方向に旋光され図9Cに示すような
偏光状態となる。光磁気ディスク6aの反射光束は、再び
対物レンズ5を経て偏光膜4に入射する。偏光膜4は前
記のような特性を有しているので、透過光は情報信号成
分であるS偏光成分の信号強度は失わず、P偏光成分の
み強度が 1/2になりかつ、透過光に対し無位相であるた
め直線偏光になる(図9D)。透過光束は、λ/2板17
を透過する際、その偏光方向が45°旋光され、集光レン
ズで反射集光後、偏光膜18への入射光偏光方向がP偏光
または、S偏光方向に対してほぼ45°の角度となり、偏
光膜18に入射する。
The reflected light is rotated in the directions of θ K and −θ K depending on the direction of magnetization on the magneto-optical disk 6a under the influence of the reflectivity of the magneto-optical disk 6a and the Kerr effect, and the polarization state as shown in FIG. 9C is obtained. Becomes The reflected light flux of the magneto-optical disk 6a passes through the objective lens 5 again and enters the polarizing film 4. Since the polarizing film 4 has the characteristics as described above, the transmitted light does not lose the signal intensity of the S-polarized component, which is the information signal component, and the intensity of only the P-polarized component becomes 1/2 and the transmitted light becomes On the other hand, since it has no phase, it becomes linearly polarized light (FIG. 9D). Transmitted light flux is λ / 2 plate 17
When transmitted through, the polarization direction is rotated by 45 °, reflected and condensed by a condenser lens, and the incident light polarization direction to the polarization film 18 becomes an angle of about 45 ° with respect to the P-polarized or S-polarized direction, It is incident on the polarizing film 18.

【0025】偏光膜18はP偏光反射率0%、S偏光反射
率 100%であり、前記のように入射光束の偏光方向の方
位は偏光膜18上でP偏光方向、S偏光方向に対し、ほぼ
45°となるため光検出器10上のディテクタ11, 12への入
射光(偏光膜18での反射光、透過光) は、図9Eに示す
ような状態となる。情報信号(RF)は、ディテクタ11
の全領域11a 〜11c の和信号とディテクタ12の全領域12
a 〜12c の全領域の和信号の差信号により検出される。
つまりRF=A+B+C−(D+E+F)。こうするこ
とにより同相ノイズ成分がキャンセルされる。本実施例
は、偏光膜4への入射偏光方向を紙面内方向にとった
が、紙面と垂直方向にとった場合は、偏光膜18に関して
以外の前記S偏光成分とP偏光成分の記述内容が入れ替
えるだけで同様の説明となる。
The polarizing film 18 has a P-polarization reflectance of 0% and an S-polarization reflectance of 100%. As described above, the azimuth of the polarization direction of the incident light beam is P polarization direction and S polarization direction on the polarization film 18, Almost
Since it becomes 45 °, the incident light (reflected light at the polarizing film 18 and transmitted light) to the detectors 11 and 12 on the photodetector 10 is in a state as shown in FIG. 9E. The information signal (RF) is detected by the detector 11
11a to 11c sum signal and detector 12 total area 12
It is detected by the difference signal of the sum signal of all regions a to 12c.
That is, RF = A + B + C- (D + E + F). By doing so, the in-phase noise component is canceled. In the present embodiment, the incident polarization direction to the polarizing film 4 is set to the in-plane direction of the paper surface. However, when the polarization direction is perpendicular to the paper surface, the description contents of the S-polarized component and the P-polarized component other than the polarization film 18 are The same explanation can be obtained by simply changing the positions.

【0026】以上のごとく本実施例によれば、半導体レ
ーザ1からの放射光束中、偏光膜4を透過した光束が、
プリズム3底面で反射した後、プリズム端面3bから出射
し、またはプリズム端面3bから直接出射してしまうた
め、不要光がディテクタ11, 12に入射することがなく、
良好なフォーカスエラー、トラッキングエラー信号が得
られる。また、光磁気ディスクの情報読出しを可能にし
た。また、ホログラムを使用しないため半導体レーザ1
が外気温度により波長変動を生じた場合でも反射光束の
集光状態や偏光角度が変動することが少なく、従ってフ
ォーカスエラー、トラッキングエラー信号にオフセット
が生じにくい。また、光磁気ディスク6a用の光学系であ
りながらビームスプリッタ、フォーカスエラー信号検
出、トラッキングエラー信号検出、光磁気信号検出用素
子を一体化したため、コンパクトで、低コストを実現で
きる。
As described above, according to this embodiment, of the luminous flux emitted from the semiconductor laser 1, the luminous flux transmitted through the polarizing film 4 is
After being reflected by the bottom surface of the prism 3, it is emitted from the prism end surface 3b or directly emitted from the prism end surface 3b, so that unnecessary light does not enter the detectors 11 and 12.
Good focus error and tracking error signals can be obtained. In addition, it is possible to read information from the magneto-optical disk. Further, since the hologram is not used, the semiconductor laser 1
However, even when the wavelength changes due to the outside air temperature, the condensed state of the reflected light flux and the polarization angle rarely change, so that the focus error and the tracking error signal are less likely to be offset. Further, since the beam splitter, focus error signal detection, tracking error signal detection, and magneto-optical signal detection element are integrated in spite of being an optical system for the magneto-optical disk 6a, it is compact and low cost can be realized.

【0027】次に本発明の第6実施例を説明する。便宜
上図8を用いて説明する。第5実施例と異なる点は、λ
/2板の代わりにλ/4板17を使用しλ/4板17の進相
軸または、遅相軸の方位は、半導体レーザ1から偏光膜
4への入射光の偏光方向に対しほぼ45°をなすように配
置されている点と、λ/4板17表面に施された偏光膜4
の特性を異ならしめている。つまり偏光膜4は、入射光
の偏光方向がP偏光方向に対し反射率50%、S偏光方向
に対し透過率100 %で、透過光に対する位相差が90°又
は、−90°の特性を有する。
Next, a sixth embodiment of the present invention will be described. For convenience, description will be given with reference to FIG. The difference from the fifth embodiment is that λ
The λ / 4 plate 17 is used in place of the / 2 plate, and the azimuth of the fast axis or the slow axis of the λ / 4 plate 17 is about 45 with respect to the polarization direction of the incident light from the semiconductor laser 1 to the polarizing film 4. And the polarizing film 4 provided on the surface of the λ / 4 plate 17
Have different characteristics. That is, the polarizing film 4 has characteristics that the polarization direction of the incident light is 50% with respect to the P polarization direction and 100% with respect to the S polarization direction, and the phase difference with respect to the transmitted light is 90 ° or −90 °. .

【0028】図10は、半導体レーザ1から検出器10のデ
ィテクタ11, 12への入射光の偏光状態を示す説明図であ
る。半導体レーザ1からの出射光は、直線偏光光であ
り、紙面内方向に偏光しており偏光膜4に入射するよう
になっている(図10A)。入射光の偏光方向は、前記の
ように偏光膜4上でP偏光方向に一致している。λ/4
板17に施されている偏光膜4は、入射光の偏光方向がP
偏光方向に対し反射率50%、S偏光方向に対し透過率10
0 %で、透過光に対して位相差90°を生じる。従って、
図10Bに示すように偏光膜4の反射光は、直線偏光で強
度が1/2 の光束となる。この光束が、対物レンズ5を経
て光磁気ディスク6aに入射する。
FIG. 10 is an explanatory view showing the polarization state of incident light from the semiconductor laser 1 to the detectors 11 and 12 of the detector 10. Light emitted from the semiconductor laser 1 is linearly polarized light, which is polarized in the in-plane direction of the paper and is incident on the polarizing film 4 (FIG. 10A). The polarization direction of the incident light matches the P polarization direction on the polarizing film 4 as described above. λ / 4
The polarizing film 4 provided on the plate 17 has a polarization direction P of incident light.
50% reflectance in the polarization direction, 10 transmittance in the S polarization direction
At 0%, a phase difference of 90 ° occurs with respect to the transmitted light. Therefore,
As shown in FIG. 10B, the light reflected by the polarizing film 4 is a linearly polarized light beam having an intensity of 1/2. This light flux enters the magneto-optical disk 6a through the objective lens 5.

【0029】反射光は、光磁気ディスク6aの反射率とカ
ー効果の影響で光磁気ディスク6a上の磁化の向きにより
θK 、−θK の方向に旋光され図10Cに示すような偏光
状態となる。光磁気ディスク6aの反射光束は、再び対物
レンズ5を経て偏光膜4に入射する。偏光膜4は前記の
ような特性を有しているので、透過光は、その旋光方向
(θk 、−θK )により右回りまたは、左回りの楕円偏
光になる(図10D)。また、情報信号成分であるS偏光
成分の信号強度は失わず、P偏光成分のみ強度が 1/2に
なる。更に、透過光束はλ/4板17を透過すると図10E
に示すように右回りの楕円偏光か、左回り楕円偏光かに
より楕円の長軸方向が異なる楕円偏光となる。
The reflected light is rotated in the directions of θ K and −θ K depending on the direction of magnetization on the magneto-optical disk 6a under the influence of the reflectivity of the magneto-optical disk 6a and the Kerr effect, and has a polarization state as shown in FIG. 10C. Become. The reflected light flux of the magneto-optical disk 6a passes through the objective lens 5 again and enters the polarizing film 4. Since the polarizing film 4 has the above-mentioned characteristics, the transmitted light becomes a right-handed or left-handed elliptically polarized light depending on its optical rotation direction (θ k , −θ K ) (FIG. 10D). Further, the signal intensity of the S-polarized component, which is an information signal component, is not lost, and the intensity of only the P-polarized component is halved. Further, when the transmitted light flux passes through the λ / 4 plate 17, it is shown in FIG.
As shown in, the elliptically polarized light is different in the major axis direction of the ellipse depending on whether the elliptically polarized light is the clockwise elliptically polarized light or the counterclockwise elliptically polarized light.

【0030】楕円偏光光は、集光レンズ8で反射、集光
後、偏光膜18へ入射する。その際、楕円偏光光の各長軸
の方向が偏光膜18上のP偏光方向または、S偏光方向に
対してほぼ一致している。偏光膜18はP偏光反射率0
%、S偏光反射率100 %であり、前記のように入射光束
の偏光方向の方位は偏光膜18上でP偏光方向、S偏光方
向に対し、ほぼ一致しているため光検出器10上のディテ
クタ11, 12への入射光(偏光膜18での反射、透過光)
は、図10Eに示すような状態となる。情報信号(RF)
は、ディテクタ11の全領域11a 〜11c の和信号とディテ
クタ12の全領域12a〜12c の和信号の差信号により検出
される。つまりRF=A+B+C−(D+E+F)。こ
うすることにより同相ノイズ成分がキャンセルされる。
本実施例は、偏光膜4への入射偏光方向を紙面内方向に
とったが、紙面と垂直方向にとった場合は、偏光膜18に
関して以外の前記S偏光成分とP偏光成分の記述内容が
入れ替えるだけで同様の説明となる。本実施例は以上の
ごとく構成されているので、第5実施例の効果に加え特
開平2−276045号公報に記されているように入射光に対
する波長板の進相軸または遅相軸の方位の合わせ精度が
第5実施例の場合に比べ1/2 以下で済む。
The elliptically polarized light is reflected by the condenser lens 8, condensed, and then enters the polarizing film 18. At this time, the directions of the major axes of the elliptically polarized light are substantially aligned with the P polarization direction or the S polarization direction on the polarization film 18. The polarizing film 18 has a P-polarization reflectance of 0
%, S-polarized light reflectance is 100%, and as described above, the azimuth of the polarization direction of the incident light beam is substantially the same as the P-polarized light direction and the S-polarized light direction on the polarizing film 18, so that Incident light to the detectors 11 and 12 (reflected by the polarizing film 18 and transmitted light)
Is in the state shown in FIG. 10E. Information signal (RF)
Is detected by the difference signal between the sum signal of all areas 11a to 11c of the detector 11 and the sum signal of all areas 12a to 12c of the detector 12. That is, RF = A + B + C- (D + E + F). By doing so, the in-phase noise component is canceled.
In the present embodiment, the incident polarization direction to the polarizing film 4 is set to the in-plane direction of the paper surface. However, when the polarization direction is perpendicular to the paper surface, the description contents of the S-polarized component and the P-polarized component other than the polarization film 18 are The same explanation can be obtained by simply changing the positions. Since this embodiment is constructed as described above, in addition to the effect of the fifth embodiment, as described in JP-A-2-276045, the azimuth of the fast axis or the slow axis of the wave plate with respect to the incident light. The alignment accuracy of is less than 1/2 as compared with the case of the fifth embodiment.

【0031】図11は、本発明の第7実施例を示したもの
である。本実施例は、第5、第6実施例と異なり、対物
レンズ5の近傍に全反射プリズム19を設け光路を折り曲
げた構成としている。図11Bは、偏光膜4で反射した光
束が全反射プリズム19で光路を入射方向と直交する方向
に折り曲げられて対物レンズ5を透過し、光磁気ディス
ク6aに達するようにされた状態を示している。
FIG. 11 shows a seventh embodiment of the present invention. The fifth embodiment differs from the fifth and sixth embodiments in that a total reflection prism 19 is provided near the objective lens 5 and the optical path is bent. FIG. 11B shows a state in which the light beam reflected by the polarizing film 4 is bent by the total reflection prism 19 in the optical path in a direction orthogonal to the incident direction, passes through the objective lens 5, and reaches the magneto-optical disk 6a. There is.

【0032】このように構成されているので本実施例の
効果として第5、第6実施例の効果に加え、薄型化に適
したピックアップの実現に寄与することができる。ま
た、全反射プリズム19と対物レンズ5のみを他の光学系
から分離し、前者のみ可動部とした分離光学系にも適用
できる。
With this structure, in addition to the effects of the fifth and sixth embodiments as the effects of this embodiment, it is possible to contribute to the realization of a pickup suitable for thinning. Further, it can be applied to a separation optical system in which only the total reflection prism 19 and the objective lens 5 are separated from other optical systems and only the former is a movable part.

【0033】図12は、本発明の第8実施例を示したもの
である。本実施例は、以上の実施例と異なり、半導体レ
ーザ1から放射された光が、コリメータレンズ2により
平行光束になり、またプリズム3の斜面上の平行膜4を
反射せず透過した光束の一部を受光するディテクタ20が
設けられており、このディテクタ20の出力により対物出
射光が一定になるように制御するようにされている。こ
のように構成されているので、本実施例の効果として前
記実施例の効果に加え、ディスクからの戻り光の影響に
よる対物レンズ出射光量の変動を受けないことが上げら
れる。また、本実施例は、第5実施例の構成にディテク
タ20を付加したものであるが、第1、第2、第6、第7
実施例についても同様に適用できる。
FIG. 12 shows an eighth embodiment of the present invention. This embodiment is different from the above embodiments in that the light emitted from the semiconductor laser 1 becomes a parallel light flux by the collimator lens 2 and one of the light flux transmitted through the parallel film 4 on the inclined surface of the prism 3 without being reflected. A detector 20 for receiving the light is provided, and the output of the detector 20 controls the objective emission light to be constant. With this configuration, in addition to the effects of the above-described embodiment, the effect of the present embodiment is that the amount of light emitted from the objective lens is not affected by the influence of the return light from the disc. In addition, in this embodiment, the detector 20 is added to the configuration of the fifth embodiment, but the first, second, sixth, and seventh
The same applies to the examples.

【0034】図13(断面図)、図14(A矢視図)は本発
明の第9実施例を示したもので、第4実施例とほぼ同じ
構成で光磁気信号検出を可能にしたものである。第4実
施例の構成とは、半導体レーザ放射光の反射面3aに対す
る入射面が半導体レーザの偏光方向に対し45°をなして
いる点、反射面3aにP偏光反射率、S偏光反射率ともに
50%で、反射及び透過光に対する位相差が0又は、180d
egの偏光膜が施されている点、反射面3bには反射光に対
して位相差が0または180degの偏光膜が施されている
点、反射面3cの光検出器11上(図14に示すハッチング
部) にはP偏光反射率0%で、S偏光反射率が100 %の
偏光膜が施されている点、全反射ミラー13は反射光に対
する位相差が0又は、180degになるような偏光膜が施さ
れている点が異なる。
FIG. 13 (cross-sectional view) and FIG. 14 (view taken along arrow A) show a ninth embodiment of the present invention, which has substantially the same structure as the fourth embodiment and enables magneto-optical signal detection. Is. The configuration of the fourth embodiment is that the incident surface of the semiconductor laser radiation on the reflecting surface 3a is 45 ° with respect to the polarization direction of the semiconductor laser, and the reflecting surface 3a has both P-polarized reflectance and S-polarized reflectance.
At 50%, the phase difference for reflected and transmitted light is 0 or 180d
eg a polarizing film is provided, a reflecting surface 3b is provided with a polarizing film having a phase difference of 0 or 180 deg with respect to the reflected light, and on the photodetector 11 of the reflecting surface 3c (see FIG. 14). The hatched area (shown in the figure) is provided with a polarizing film having a P-polarized reflectance of 0% and an S-polarized reflectance of 100%. The total reflection mirror 13 has a phase difference of 0 or 180 ° with respect to the reflected light. The difference is that a polarizing film is applied.

【0035】図7を参考に説明すると、半導体レーザ1
からの放射光は、半分は反射面3aにより反射され、第4
実施例と同様に、ミラー13で反射され対物レンズ3を経
て、光磁気ディスク6に達する。また、反射面3aを透過
した光は、第4実施例と同様にプリズム3の端面3bから
全てプリズム3の外に出てしまい迷光にならない(図示
していない)。光ディスク6で反射された光束は、再び
対物レンズ5、全反射ミラー13を経て反射面3a上に偏光
膜に達する(図13) 。該偏光膜を透過した光は、プリズ
ム3 に入りプリズム3の端面3aで全反射する。全反射し
た光は1点に結像する前にプリズム3の底面3cに入射す
る。端面3cには、半導体基板14と接合された光検出器1
1, 12が設けられている(図14) 。
Referring to FIG. 7, the semiconductor laser 1 will be described.
Half of the radiated light from is reflected by the reflecting surface 3a,
Similar to the embodiment, the light is reflected by the mirror 13 and reaches the magneto-optical disk 6 through the objective lens 3. Further, all the light transmitted through the reflecting surface 3a goes out of the prism 3 from the end surface 3b of the prism 3 as in the fourth embodiment and does not become stray light (not shown). The light beam reflected by the optical disk 6 passes through the objective lens 5 and the total reflection mirror 13 again and reaches the polarizing film on the reflecting surface 3a (FIG. 13). The light transmitted through the polarizing film enters the prism 3 and is totally reflected by the end surface 3a of the prism 3. The totally reflected light enters the bottom surface 3c of the prism 3 before forming an image at one point. The photodetector 1 bonded to the semiconductor substrate 14 is provided on the end face 3c.
1, 12 are provided (Fig. 14).

【0036】全反射光の一部は光検出器11に入射し受光
される。残りの反射した光は、プリズム3の端面3bで反
射され、1点に結像後、発散光となり光検出器12により
受光される。光検出器11と光検出器12の差動検知光量か
ら光磁気ディスク6に記録された信号検知を行うことが
できる。フォーカスエラー、トラッキングエラー信号検
出方法は第1実施例と同様である。半導体基板14、全反
射ミラー13、対物レンズは前記実施例と同様にケース16
に納められており、第4実施例に記されているトラック
方向、フォーカス方向に一体駆動される(図7参照)。
A part of the totally reflected light enters the photodetector 11 and is received. The remaining reflected light is reflected by the end surface 3b of the prism 3, forms an image at one point, becomes divergent light, and is received by the photodetector 12. The signals recorded on the magneto-optical disk 6 can be detected based on the differential detection light amounts of the photodetector 11 and the photodetector 12. The focus error and tracking error signal detection methods are the same as in the first embodiment. The semiconductor substrate 14, the total reflection mirror 13, and the objective lens are the case 16 as in the above embodiment.
And is driven integrally in the track direction and the focus direction described in the fourth embodiment (see FIG. 7).

【0037】次に半導体レーザ1から光検出器11, 12の
入射光の偏光状態を、図15A,B,C,D,Eに示し順
を追って説明する。半導体レーザ1出射光は、直線偏光
光であり、図13で紙面垂直方向に偏光しており反射面3a
の偏光膜に入射(図15A 参照)。偏光膜は、入射光の偏
光方向がP方向に対し反射率50%、S方向に対し透過率
50%で、透過光に対して位相差を生じない。入射光の偏
光方向は偏光膜上でP,S方向に対し45°である為、図
15B に示すように、その反射光は直線偏光で強度が1/2
となる。この光束は、対物レンズ5を経て光磁気ディス
ク6に入射する(図7参照)。反射光は光磁気ディスク
6の反射率と、カー効果の影響で光磁気ディスク6上の
磁化の向きによりθk , −θk の方向に旋光され、図15
C に示すような偏光状態となる。
Next, the polarization states of the incident light from the semiconductor laser 1 to the photodetectors 11 and 12 will be described step by step in FIGS. 15A, 15B, 15C, 15D and 15E. The light emitted from the semiconductor laser 1 is linearly polarized light, which is polarized in the direction perpendicular to the paper surface of FIG.
Incident on the polarizing film of (see Figure 15A). The polarizing film has a reflectance of 50% for the P direction and a transmittance for the S direction for the polarization direction of the incident light.
At 50%, no phase difference occurs in transmitted light. The polarization direction of the incident light is 45 ° with respect to the P and S directions on the polarizing film.
As shown in 15B, the reflected light is linearly polarized light with an intensity of 1/2.
Becomes This light flux enters the magneto-optical disk 6 through the objective lens 5 (see FIG. 7). The reflected light is rotated in the directions of θ k and −θ k depending on the reflectance of the magneto-optical disc 6 and the direction of magnetization on the magneto-optical disc 6 due to the Kerr effect.
The polarization state becomes as shown in C.

【0038】光磁気ディスク6の反射光束は、再び対物
レンズ5を経て反射面3aの偏光膜に入射する。偏光膜は
前記のような特性であり、図15D に示すように透過光は
強度が1/2 で、透過光に対し無位相であるため直線偏光
になる。透過拘束は、端面3bで全反射しかつ、端面3bで
の反射位相差は0deg であるため直線偏光のまま端面3c
への入射する。ただし、端面3Cへの入射光の偏光方向
は、ほぼ、45°となる。端面3c上の偏光膜はP偏光反射
率0%、S偏光反射率100 %であり、前記のように入射
光束の偏光方向の方位はP,S方向に対し、ほぼ45°と
なるため19e に示す様に光検出器11, 12入射光は、ほぼ
同一強度になる。このように構成されている本実施例
は、前記実施例の効果に加え、集光レンズや、コリメー
タレンズなどの部材を使わずに簡単な構成で光磁気信号
検出を可能にしたため、コストダウン、コンパクト化を
実現できる。
The reflected light beam from the magneto-optical disk 6 passes through the objective lens 5 again and enters the polarizing film on the reflecting surface 3a. The polarizing film has the characteristics as described above, and as shown in FIG. 15D, the transmitted light has a half intensity and is non-phase with respect to the transmitted light, so that it becomes linearly polarized light. The transmission constraint is that total reflection is performed on the end face 3b, and the reflection phase difference on the end face 3b is 0 deg.
Incident on. However, the polarization direction of the incident light on the end face 3C is approximately 45 °. The polarization film on the end face 3c has a P-polarization reflectance of 0% and an S-polarization reflectance of 100%. As described above, the polarization direction of the incident light beam is approximately 45 ° with respect to the P and S directions, so it becomes 19e. As shown, the incident lights of the photodetectors 11 and 12 have almost the same intensity. In this embodiment configured as described above, in addition to the effects of the above-described embodiment, since the magneto-optical signal can be detected with a simple configuration without using a member such as a condenser lens and a collimator lens, cost reduction, Can be made compact.

【0039】[0039]

【発明の効果】以上のごとく、本発明によればホログラ
ム素子を使用しないため、波長変動による検出器上のス
ポット移動が少なくフォーカス、トラックオフセットを
軽減できる。また、プリズムへの入射面と鈍角を形成す
るプリズム面に検出器を設け、不要光を他のプリズム端
面から出射させるようにしたので、迷光の影響を受ける
ことなく良好なフォーカスエラー、トラッキングエラー
信号が得られる。そして、以上の効果を得るため構成の
複雑化、大型化、コストアップを招くこともない光学式
情報読取り装置を提供できる。
As described above, according to the present invention, since the hologram element is not used, the spot movement on the detector due to the wavelength variation is small and the focus and the track offset can be reduced. In addition, a detector is provided on the prism surface that forms an obtuse angle with the incident surface to the prism, and unnecessary light is emitted from the other prism end surface, so good focus error and tracking error signals are not affected by stray light. Is obtained. Further, it is possible to provide an optical information reading device which does not cause a complicated structure, an increase in size, and an increase in cost in order to obtain the above effects.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例に係る光学系の断面図であ
る。
FIG. 1 is a sectional view of an optical system according to a first example of the present invention.

【図2】フォーカスラー信号の検出原理の説明図であ
る。
FIG. 2 is an explanatory diagram of a principle of detecting a focusler signal.

【図3】本発明の第2実施例に係る光学系の断面図であ
る。
FIG. 3 is a sectional view of an optical system according to a second example of the present invention.

【図4】本発明の第3実施例に係る光学系の部分図であ
る。
FIG. 4 is a partial view of an optical system according to a third embodiment of the present invention.

【図5】第3実施例に係る光学系の全体概要図である。FIG. 5 is an overall schematic diagram of an optical system according to a third example.

【図6】本発明の第4実施例に係る光学系の部分図であ
る。
FIG. 6 is a partial view of an optical system according to a fourth example of the present invention.

【図7】第4実施例に係る光学系の全体概要図である。FIG. 7 is an overall schematic diagram of an optical system according to a fourth example.

【図8】本発明の第5実施例に係る光学系の断面図であ
る。
FIG. 8 is a sectional view of an optical system according to a fifth example of the present invention.

【図9】第5実施例に係る半導体レーザからディテクタ
への入射光の偏光状態を示す説明図である。
FIG. 9 is an explanatory diagram showing a polarization state of incident light from a semiconductor laser according to a fifth example to a detector.

【図10】第6実施例に係る半導体レーザからディテク
タへの入射光の偏光状態を示す説明図である。
FIG. 10 is an explanatory diagram showing a polarization state of incident light from the semiconductor laser according to the sixth example on the detector.

【図11】本発明の第7実施例に係る光学系の断面図で
ある。
FIG. 11 is a sectional view of an optical system according to a seventh example of the present invention.

【図12】本発明の第8実施例に係る光学系の断面図で
ある。
FIG. 12 is a sectional view of an optical system according to an eighth example of the present invention.

【図13】本発明の第9実施例に係る断面図である。FIG. 13 is a sectional view according to a ninth embodiment of the present invention.

【図14】図13におけるA矢視図である。14 is a view on arrow A in FIG.

【図15】第9実施例に係る半導体レーザからディテク
タへの入射光の偏光状態を示す説明図である。
FIG. 15 is an explanatory diagram showing a polarization state of incident light from the semiconductor laser according to the ninth example to the detector.

【図16】従来例1に係る光学系の斜視図である。16 is a perspective view of an optical system according to Conventional Example 1. FIG.

【図17】従来例1に係る光学系の正面図である。FIG. 17 is a front view of an optical system according to Conventional Example 1.

【図18】従来例2に係る光学系の斜視図である。FIG. 18 is a perspective view of an optical system according to Conventional Example 2.

【図19】従来例2に係る光学系の平面図である。FIG. 19 is a plan view of an optical system according to Conventional Example 2.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザ 2 コリメータレンズ 3 プリズム 4 偏光膜 5 対物レンズ 6 光ディスク 7 反射防止コート 8 集光レンズ 9 全反射コート 10 光検出器 11 ディテクタ 12 ディテクタ 1 Semiconductor laser 2 Collimator lens 3 prism 4 Polarizing film 5 Objective lens 6 optical disks 7 Anti-reflection coat 8 Condensing lens 9 Total reflection coat 10 photo detector 11 Detector 12 Detector

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成4年2月12日[Submission date] February 12, 1992

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0008[Correction target item name] 0008

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0008】[0008]

【作用】このようにホログラムを使用しない構成である
ため、検出器上のスポットが変化せず、フォーカスエラ
ー、トラッキングエラー信号にオフセットが生じにくく
なる。また、プリズムへの入射面と鈍角を形成するプリ
ズム面に検出器を設け、不要光を他のプリズム端面から
出射させるようにしたので迷光を少なくすることができ
る。
Since the hologram is not used as described above, the spot on the detector does not change, and the focus error and tracking error signals are less likely to be offset. Further, since a detector is provided on the prism surface that forms an obtuse angle with the entrance surface to the prism, and unnecessary light is emitted from the other prism end surface, stray light can be reduced.

【手続補正2】[Procedure Amendment 2]

【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement

【補正対象項目名】0038[Correction target item name] 0038

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【0038】光磁気ディスク6の反射光束は、再び対物
レンズ5を経て反射面3aの偏光膜に入射する。偏光膜は
前記のような特性であり、図15D に示すように透過光は
強度が1/2 で、透過光に対し無位相であるため直線偏光
になる。透過光束は、端面3bで全反射しかつ、端面3bで
の反射位相差は0deg であるため直線偏光のまま端面3c
への入射する。ただし、端面3Cへの入射光の偏光方向
は、ほぼ、45°となる。端面3c上の偏光膜はP偏光反射
率0%、S偏光反射率100 %であり、前記のように入射
光束の偏光方向の方位はP,S方向に対し、ほぼ45°と
なるため19e に示す様に光検出器11, 12入射光は、ほぼ
同一強度になる。このように構成されている本実施例
は、前記実施例の効果に加え、集光レンズや、コリメー
タレンズなどの部材を使わずに簡単な構成で光磁気信号
検出を可能にしたため、コストダウン、コンパクト化を
実現できる。
The reflected light beam from the magneto-optical disk 6 passes through the objective lens 5 again and enters the polarizing film on the reflecting surface 3a. The polarizing film has the characteristics as described above, and as shown in FIG. 15D, the transmitted light has a half intensity and is non-phase with respect to the transmitted light, so that it becomes linearly polarized light. The transmitted light beam is totally reflected by the end face 3b and the reflection phase difference at the end face 3b is 0 deg.
Incident on. However, the polarization direction of the incident light on the end face 3C is approximately 45 °. The polarization film on the end face 3c has a P-polarization reflectance of 0% and an S-polarization reflectance of 100%. As described above, the polarization direction of the incident light beam is approximately 45 ° with respect to the P and S directions, so it becomes 19e. As shown, the incident lights of the photodetectors 11 and 12 have almost the same intensity. In this embodiment configured as described above, in addition to the effects of the above-described embodiment, since the magneto-optical signal can be detected with a simple configuration without using a member such as a condenser lens and a collimator lens, cost reduction, Can be made compact.

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも半導体レーザと、対物レンズ
と、プリズムと、光ディスクからの反射光を受光する光
検出手段とを有する光学系を用いた光学式情報読取り装
置において、 光検出手段はプリズム斜面と鈍角を形成するプリズム面
に接合され、プリズム斜面の表面には該半導体レーザか
らの放射光の一部を反射し、かつ光ディスクで反射され
た光束を透過させる偏光膜が施されており、光ディスク
で反射された偏光膜を透過した透過光がプリズム内で少
なくとも1回以上内面反射した後、光検出手段に入射す
るように構成したことを特徴とする光学式情報読取り装
置。
1. An optical information reading apparatus using an optical system having at least a semiconductor laser, an objective lens, a prism, and a light detecting means for receiving reflected light from an optical disk, wherein the light detecting means is a prism slope. A polarizing film, which is joined to a prism surface forming an obtuse angle and which reflects a part of light emitted from the semiconductor laser and transmits the light flux reflected by the optical disk, is formed on the surface of the prism slant surface. An optical information reading device, characterized in that the transmitted light that has passed through the polarized film is internally reflected at least once in the prism and then enters the light detecting means.
【請求項2】 光ディスクで反射され、プリズム斜面の
偏光膜を透過した透過光の進行方向延長上のプリズム面
に、前記透過光出射側面に全反射コートが施されている
集光レンズを設けたことを特徴とする請求項1記載の光
学式情報読取り装置。
2. A condenser lens having a total reflection coating on the side surface of the transmitted light is provided on the prism surface on the extension of the traveling direction of the transmitted light reflected by the optical disk and transmitted through the polarizing film on the prism inclined surface. The optical information reading device according to claim 1, wherein
【請求項3】 光検出手段が設けられているプリズム面
に対し、ほぼ直交する方向から放射光がプリズム斜面に
入射するように半導体レーザを配設したことを特徴とす
る請求項1記載の光学式情報読取り装置。
3. The optical device according to claim 1, wherein a semiconductor laser is arranged so that the radiated light is incident on the prism inclined surface from a direction substantially orthogonal to the prism surface on which the light detecting means is provided. Expression information reader.
JP3306313A 1991-03-19 1991-11-21 Optical information read-out device Withdrawn JPH0536111A (en)

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPH10321898A (en) * 1997-05-23 1998-12-04 Sony Corp Optically integrated element, manufacture thereof, and optical information reader
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