JPH0535563B2 - - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 ［発明の分野］ 本発明は、強誘電体素子に関する。[Detailed description of the invention] [Field of invention] The present invention relates to a ferroelectric element.
［発明の背景］
最近、チタン酸バリウム、チタン酸ジルコン酸
鉛（PZT）、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛
（PLZT）などの強誘電体が、その圧電性、焦電
性および強誘電性などの特性を利用した用途に用
いられている。特に、強誘電体の持つ焦電性を利
用して赤外線センサあるいは温度センサなどとし
て利用されることが多くなつている。[Background of the Invention] Recently, ferroelectric materials such as barium titanate, lead zirconate titanate (PZT), and lanthanum lead zirconate titanate (PLZT) have been developed due to their properties such as piezoelectricity, pyroelectricity, and ferroelectricity. It is used for applications that utilize. In particular, ferroelectric materials are increasingly being used as infrared sensors or temperature sensors by taking advantage of their pyroelectric properties.
強誘電体は、単結晶として使用することによ
り、優れた焦電性を利用することができることが
知られているにもかかわらず、上記のような強誘
電体は引き上げ法などによる単結晶の製造が困難
であるとの理由により、通常は焼成して磁器とし
て使用されることが多い。しかしながら、焼成物
は薄膜に加工することが困難である。特に、強誘
電体を、たとえば焦電材料として使用する場合に
は、一定のエネルギーに対しての温度上昇をより
大きくするために、強誘電体の熱容量が小さいこ
とが必要であり、このために強誘電体の体積比熱
が小さく、かつ強誘電体の厚さをできるだけ薄く
することが必要となる。 Although it is known that ferroelectric materials can utilize their excellent pyroelectric properties when used as a single crystal, it is difficult to manufacture single crystals of the above-mentioned ferroelectric materials by methods such as pulling. Because of the difficulty of porcelain, it is usually fired and used as porcelain. However, it is difficult to process the fired product into a thin film. In particular, when using a ferroelectric as a pyroelectric material, the heat capacity of the ferroelectric must be small in order to increase the temperature rise for a given amount of energy. It is necessary that the volumetric specific heat of the ferroelectric material be small and that the thickness of the ferroelectric material be as thin as possible.
［従来技術およびその問題点］
このような要求から、従来より使用されていた
磁器に代り、基板上に薄膜の強誘電性単結晶を成
長させることが容易な反応性スパツタ蒸着法ある
いはCVD法などの方法が利用されている。[Prior art and its problems] In response to these demands, methods such as the reactive sputter deposition method or CVD method, which can easily grow a thin ferroelectric single crystal on a substrate, have been developed in place of the conventionally used porcelain. method is used.
たとえば、特開昭59−35098号公報には、鉛、
チタン、およびランタンの酸化物（たとえば、
PLZT）の薄膜の［111］結晶面をサフアイアＣ
面基板上にエピタキシヤル成長させることを主な
特徴とする発明が開示されている。この発明によ
り開示されている薄膜は、反応性スパツタ蒸着法
により製造されたものである。この方法により得
られた薄膜は、磁器のものとは異り無色透明であ
る。さらに磁器のものでは特に顕著な効果を奏す
ることがなかつたペロブスカイト構造の結晶の
［111］面が優れた電気光学的効果を奏することが
示されている。 For example, in Japanese Patent Application Laid-open No. 59-35098, lead,
Titanium, and lanthanum oxides (e.g.
The [111] crystal plane of the thin film of PLZT) is
An invention is disclosed whose main feature is epitaxial growth on a planar substrate. The thin film disclosed by this invention is produced by reactive sputter deposition. The thin film obtained by this method is colorless and transparent, unlike that of porcelain. Furthermore, it has been shown that the [111] plane of a perovskite crystal has an excellent electro-optic effect, whereas porcelain crystals have not had any particularly significant effects.
しかしながら、上記のサフアイアＣ面に成長し
たPLZTなどのペロブスカイト構造を有する強誘
電体薄膜の焦電効果については何等開示がなされ
ていない。さらに、強誘電体薄膜を利用した種々
の回路を集積回路化するためには、サフアイア基
板上に直接集積回路を付設することはできず、通
常は、サフアイア基板上をシリコンなどの物質で
表面処理しなければならないとの問題がある。 However, nothing is disclosed about the pyroelectric effect of a ferroelectric thin film having a perovskite structure, such as PLZT, grown on the above-mentioned Saphire C-plane. Furthermore, in order to integrate various circuits using ferroelectric thin films, it is not possible to directly attach the integrated circuits to the sapphire substrate, and the sapphire substrate is usually surface-treated with a substance such as silicon. There is a problem with having to do it.
［発明の目的］
本発明は、新規な強誘電体素子を提供すること
を目的とする。[Object of the Invention] An object of the present invention is to provide a novel ferroelectric element.
さらに本発明は、特に焦電効果の優れた強誘電
体素子を提供することを目的とする。 A further object of the present invention is to provide a ferroelectric element that has particularly excellent pyroelectric effects.
［発明の要旨］
本発明は、Ga・As単結晶基板の［100］面上
に成長したペロブスカイト構造の強誘電体結晶よ
りなる薄膜であつて、該基板単結晶の［100］面
と平行な該強誘電体薄膜結晶面の少なくとも40％
が［111］面を示すことを特徴とする強誘電体素
子にある。[Summary of the Invention] The present invention provides a thin film made of a ferroelectric crystal with a perovskite structure grown on the [100] plane of a Ga.As single crystal substrate, which is parallel to the [100] plane of the single crystal substrate. At least 40% of the ferroelectric thin film crystal planes
The present invention relates to a ferroelectric element characterized in that the ferroelectric element exhibits a [111] plane.
なお、本発明のペロブスカイト構造を有する強
誘電体は、チタン酸鉛、チタン酸ランタン鉛、チ
タン酸ジルコン酸鉛およびチタン酸ジルコン酸ラ
ンタン鉛よりなる群より選ばれた少なくとも一種
類のペロブスカイト構造を有する強誘電体である
ことが好ましい。 The ferroelectric material having a perovskite structure of the present invention has at least one type of perovskite structure selected from the group consisting of lead titanate, lead lanthanum titanate, lead zirconate titanate, and lead lanthanum zirconate titanate. Preferably, it is a ferroelectric material.
［発明の詳細な記述］
本発明の強誘電体素子は、基本的にGa・As単
結晶からなる基板と、この基板上に形成された強
誘電体の薄膜よりなる。[Detailed Description of the Invention] The ferroelectric element of the present invention basically consists of a substrate made of Ga.As single crystal and a ferroelectric thin film formed on this substrate.
本発明の強誘電体素子の基板であるGa・As単
結晶の製造方法に特に制限はなく、通常単結晶の
製造方法として利用されている方法に準じて製造
することができる。本発明の強誘電体素子の基板
であるGa・As単結晶の製造方法としては、引き
上げ法またはボート成長法が好ましい。 There is no particular restriction on the method of manufacturing the Ga.As single crystal that is the substrate of the ferroelectric element of the present invention, and it can be manufactured according to the method normally used for manufacturing single crystals. As a method for manufacturing the Ga.As single crystal that is the substrate of the ferroelectric element of the present invention, a pulling method or a boat growth method is preferable.
このようにして製造されたGa・As単結晶は、
結晶の［100］面が基板表面を構成するように切
り出されて基板とされる。基板の厚さは、用途に
より適宜選択することができるが、たとえば、赤
外線センサあるいは温度センサとして使用する場
合は、通常は0.02〜１mm程度の厚さのものを使用
する。 The Ga/As single crystal produced in this way is
The crystal is cut out so that the [100] plane forms the substrate surface. The thickness of the substrate can be appropriately selected depending on the intended use, but for example, when used as an infrared sensor or a temperature sensor, a thickness of about 0.02 to 1 mm is usually used.
本発明の強誘電体素子は、上記のような基板で
あるGa・As単結晶の［100］面に強誘電体の薄
膜が形成されていることが必要である。 The ferroelectric element of the present invention requires that a ferroelectric thin film be formed on the [100] plane of the Ga.As single crystal substrate as described above.
本発明の強誘電体薄膜は、ペロブスカイト結晶
構造を有する強誘電体より構成される。ペロブス
カイト結晶構造を有する強誘電体の主成分の例と
してはチタン酸鉛、チタン酸ランタン鉛、チタン
酸ジルコン酸鉛およびチタン酸ジルコン酸ランタ
ン鉛を挙げることができ、これらは単独であつて
も混合されたものであつてもよい。特にチタン酸
鉛および／またはチタン酸ジルコン酸ランタン鉛
が好ましい。 The ferroelectric thin film of the present invention is composed of a ferroelectric material having a perovskite crystal structure. Examples of main components of ferroelectric materials having a perovskite crystal structure include lead titanate, lead lanthanum titanate, lead zirconate titanate, and lead lanthanum zirconate titanate, which may be used alone or in combination. It may be something that has been done. Particularly preferred are lead titanate and/or lanthanum lead zirconate titanate.
上記の構成物質は、実質的に純物質である必要
はなく、上記の構成物質以外にも、少量の他の成
分を含有するものであつても良い。他の成分の例
としては、ニオブ、マンガン、マグネシウム、イ
ツトリウムおよびコバルトを挙げることができ
る。さらにまた、アルカリ金属元素、アルカリ土
類元素あるいは鉄元素などを微量に含むものであ
つても良い。ただし、強誘電体薄膜を形成する各
成分の強誘電体の組成および他の成分の添加量
は、ペロブスカイト構造を維持することができる
範囲であることが必要である。 The above-mentioned constituent substances do not need to be substantially pure substances, and may contain small amounts of other components in addition to the above-mentioned constituent substances. Examples of other components include niobium, manganese, magnesium, yttrium and cobalt. Furthermore, it may contain a trace amount of an alkali metal element, an alkaline earth element, an iron element, or the like. However, the ferroelectric composition of each component forming the ferroelectric thin film and the amount of other components added must be within a range that allows the perovskite structure to be maintained.
さらに、強誘電体薄膜のGa・As単結晶基板の
［100］面と平行な面の少なくとも40％が［111］
面であることが必要である。すなわち、Ga・As
単結晶基板の［100］面上にペロブスカイト構造
を有する強誘電体結晶の［111］面が優位に、具
体的には少なくとも40％、好ましくは50％以上、
基板の［100］面と平行に成長していることが必
要とされる。 Furthermore, at least 40% of the planes parallel to the [100] plane of the Ga/As single crystal substrate of the ferroelectric thin film are [111]
It is necessary to have a surface. In other words, Ga・As
The [111] plane of the ferroelectric crystal having a perovskite structure on the [100] plane of the single crystal substrate is predominant, specifically at least 40%, preferably 50% or more,
It is required that the growth be parallel to the [100] plane of the substrate.
このようにペロブスカイト構造の［111］面を
Ga・As単結晶基板の［100］面に優位に成長さ
せることにより、特に焦電効果および電気光学的
効果が優れた素子となる。 In this way, the [111] plane of the perovskite structure is
By growing preferentially on the [100] plane of a Ga/As single crystal substrate, a device with particularly excellent pyroelectric and electro-optic effects can be obtained.
次に本発明の強誘電体素子の製造法について説
明する。 Next, a method for manufacturing a ferroelectric element according to the present invention will be explained.
本発明の強誘電体素子は、基本的にはGa・As
基板単結晶の［100］面と平行な強誘電体薄膜の
面の少なくとも40％がペロブスカイト構造の強誘
電体の結晶の［111］面となるようにGa・As基
板単結晶の［100］面上に強誘電体を蒸着させる
ことにより製造される。 The ferroelectric element of the present invention is basically Ga/As
The [100] plane of the Ga/As substrate single crystal is adjusted so that at least 40% of the planes of the ferroelectric thin film parallel to the [100] plane of the substrate single crystal become the [111] plane of the ferroelectric crystal with a perovskite structure. It is manufactured by depositing a ferroelectric material on top.
上記の蒸着とは、本発明においては、たとえ
ば、反応性スパツタ蒸着法による蒸着あるいは
CVD法などの方法によるに蒸着を言う。 In the present invention, the above-mentioned vapor deposition means, for example, vapor deposition by reactive sputter deposition method or
Refers to vapor deposition using methods such as CVD.
特にアルゴンなどの不活性ガスと酸素との混合
気体中で行なう反応性スパツタ蒸着法を利用して
Ga・As基板単結晶の［100］面上に強誘電体薄
膜を蒸着させることが好ましい。反応性スパツタ
蒸着法自体は、公知の方法に従つて行なうことが
できる。またCVD法を利用する場合にも同様に
公知の方法に従つて行なうことができる。たとえ
ば、チタン酸鉛の薄膜を有する焦電素子を反応性
スパツタ蒸着法を利用して製造する場合には、高
周波マグネトロンスパツタ蒸着装置のような反応
性スパツタ蒸着装置に、上述したGa・As単結晶
基板を装着し、ターゲツトとしてチタンの酸化物
および鉛の酸化物などをセツトする。装置内の空
気を不活性ガスと酸素の混合気体で置換して一定
の圧力まで減圧する。基板を所定温度に加熱しな
がらターゲツトに低電圧の高周波電力を入力して
反応性スパツタ蒸着を行なう。 In particular, by using the reactive sputter deposition method, which is carried out in a gas mixture of inert gas such as argon and oxygen.
It is preferable to deposit a ferroelectric thin film on the [100] plane of a single crystal Ga/As substrate. The reactive sputter deposition method itself can be performed according to a known method. Furthermore, when using the CVD method, it can be similarly carried out according to a known method. For example, when manufacturing a pyroelectric element having a thin film of lead titanate using a reactive sputter deposition method, a reactive sputter deposition apparatus such as a high frequency magnetron sputter deposition apparatus is used to manufacture a pyroelectric element having a thin film of lead titanate. A crystal substrate is mounted, and titanium oxide, lead oxide, etc. are set as targets. The air inside the device is replaced with a mixture of inert gas and oxygen to reduce the pressure to a certain level. Reactive sputter deposition is performed by inputting low-voltage, high-frequency power to the target while heating the substrate to a predetermined temperature.
薄膜の厚さは、素子の用途により異るが、たと
えばチタン酸鉛の薄膜を有する焦電素子の場合に
は一般に0.1〜10μｍ、好ましくは0.2〜5μｍであ
る。薄膜の厚さは、たとえば蒸着時間を調整する
ことにより制御することができる。 The thickness of the thin film varies depending on the use of the device, but for example, in the case of a pyroelectric device having a thin film of lead titanate, it is generally 0.1 to 10 μm, preferably 0.2 to 5 μm. The thickness of the thin film can be controlled, for example, by adjusting the deposition time.
［発明の効果］
本発明の強誘電体素子は、優れた焦電効果を示
し、特に焦電素子としての使用に適する。[Effects of the Invention] The ferroelectric element of the present invention exhibits an excellent pyroelectric effect and is particularly suitable for use as a pyroelectric element.
たとえは、従来の焦電センサは、パツケージ内
に強誘電体薄膜を有する検出部と強誘電体薄膜と
接続しているインピーダンス調整用のFET（電界
効果型トランジスタ）が組込まれている。本発明
の強誘電体素子は、基板がGa・As単結晶である
ので、この基板上に薄膜状のFETを付設して一
体化することができ、センサを小型、軽量化する
ことができる。 For example, a conventional pyroelectric sensor includes a detection section having a ferroelectric thin film and an impedance adjustment FET (field effect transistor) connected to the ferroelectric thin film in a package. In the ferroelectric element of the present invention, since the substrate is a Ga.As single crystal, a thin film FET can be attached and integrated on this substrate, and the sensor can be made smaller and lighter.
このような、強誘電体薄膜と電子回路部分の一
体化は、焦電素子に限らず、強誘電性あるいはそ
の他の特性を利用した分野においても有利に実施
することができる。 Such integration of a ferroelectric thin film and an electronic circuit portion can be advantageously implemented not only in pyroelectric elements but also in fields that utilize ferroelectricity or other characteristics.
また、本発明の強誘電体素子は、電気光学的特
性および強誘電性も優れている。 Furthermore, the ferroelectric element of the present invention has excellent electro-optical properties and ferroelectricity.
次に本発明の実施例および比較例を示す。 Next, Examples and Comparative Examples of the present invention will be shown.
実施例 １
引き上げ法により製造したGa・As単結晶から
10mm角、厚さ0.3mmの板状物を切り出し基板とし
た。なお、この切り出された基板の蒸着対象の面
は、Ga・As単結晶の［100］面である。Example 1 From Ga/As single crystal produced by pulling method
A plate-shaped object 10 mm square and 0.3 mm thick was cut out and used as a substrate. Note that the surface of this cut out substrate to be vapor-deposited is the [100] surface of the Ga.As single crystal.
高周波マグネトロンスパツタ蒸着装置に上記の
基板を装着し、更にPb／Ti原子比が1.15／１で、
直径が80mmの鉛およびチタンの酸化物焼結体（タ
ーゲツト）を上記Ga・As単結晶基板との間隔が
48mmとなるように装着した。 The above substrate was mounted on a high frequency magnetron sputter deposition device, and the Pb/Ti atomic ratio was 1.15/1.
A lead and titanium oxide sintered body (target) with a diameter of 80 mm is spaced from the above Ga/As single crystal substrate.
I installed it so that it was 48mm.
上記高周波マグネトロンスパツタ蒸着装置内を
１×10-6Torr以下に減圧した後、基板温度を570
℃として、アルゴン：酸素が４：１（容積比）の
混合ガスを導入しながら、装置内の圧力を５×
10-2Torrに調整した。 After reducing the pressure inside the high-frequency magnetron sputter deposition apparatus to 1×10 -6 Torr or less, the substrate temperature was lowered to 570°C.
°C, while introducing a gas mixture of 4:1 (volume ratio) argon:oxygen, the pressure inside the device was increased to 5x
Adjusted to 10 -2 Torr.
上記装置に100Wの高周波電力を入力して、五
時間反応性スパツタ蒸着を行なつた。 A high frequency power of 100 W was input to the above apparatus, and reactive sputter deposition was performed for 5 hours.
Ga・As単結晶の［100］面に反応性スパツタ
蒸着により形成された薄膜はの膜厚は約2.5μｍで
あつた。 The thickness of the thin film formed by reactive sputter deposition on the [100] plane of a Ga.As single crystal was approximately 2.5 μm.
この薄膜の結晶構造をＸ線回折装置により測定
した回折図を第１図に示す。第１図よりGa・As
単結晶基板の［100］面上に、この面と平行にチ
タン酸鉛のペロブスカイト構造の結晶の［111］
面が58％と優位に成長していることが判明した。 A diffraction diagram of the crystal structure of this thin film measured using an X-ray diffraction apparatus is shown in FIG. From Figure 1, Ga・As
On the [100] plane of a single crystal substrate, a [111] crystal of lead titanate with a perovskite structure is placed parallel to this plane.
It was found that the area was growing at a dominant rate of 58%.
なお、以下に示す実施例および比較例で使用し
た高周波マグネトロンスパツタ蒸着装置およびＸ
線回折装置は上記のものを使用した。 In addition, the high frequency magnetron sputter evaporation equipment and X used in the examples and comparative examples shown below.
The above-mentioned line diffraction device was used.
比較例 １
実施例１において、Ga・As単結晶基板をガラ
ス基板（商品名：コーニング＃7059）に代えた以
外は同様にしてガラス基板上にチタン酸鉛の薄膜
を形成させた。Comparative Example 1 A thin film of lead titanate was formed on a glass substrate in the same manner as in Example 1, except that the Ga.As single crystal substrate was replaced with a glass substrate (trade name: Corning #7059).
この反応性スパツタ蒸着により形成された薄膜
はの膜厚は約2.5μｍであつた。 The thickness of the thin film formed by this reactive sputter deposition was about 2.5 μm.
この薄膜の結晶構造をＸ線回折装置により測定
した回折図果を第２図に示す。第２図よりガラス
基板上に、形成されたチタン酸鉛の結晶構造は、
通常のチタン酸鉛焼結体をＸ線回折した際に得ら
れる回折パターンと類似しており、結晶の成長方
向は無秩序に近いものであることが判明した。 FIG. 2 shows a diffraction pattern of the crystal structure of this thin film measured using an X-ray diffractometer. From Figure 2, the crystal structure of lead titanate formed on the glass substrate is as follows:
The diffraction pattern was similar to that obtained when a normal lead titanate sintered body was subjected to X-ray diffraction, and the crystal growth direction was found to be nearly disordered.
なお、得られた薄膜のガラス面に平行なチタン
酸鉛のペロブスカイト構造の結晶の［111］面は
31％であつた。 The [111] plane of the perovskite structure crystal of lead titanate parallel to the glass surface of the obtained thin film is
It was 31%.
実施例 ２
実施例１において、ターゲツトとして直径が80
mmのPb／Zr／Ti原子比が1.05／0.5／0.5のチタン
酸ジルコン酸鉛の焼成体と長さ15mm、直径が2.2
mmのランタン棒４本用いた以外は同様の操作を行
ないGa・As単結晶の［100］面に薄膜を形成さ
せた。Example 2 In Example 1, the target was 80 mm in diameter.
A fired body of lead zirconate titanate with a Pb/Zr/Ti atomic ratio of 1.05/0.5/0.5 and a length of 15 mm and a diameter of 2.2 mm.
A thin film was formed on the [100] plane of a Ga.As single crystal by performing the same operation except that four lanthanum rods of mm diameter were used.
Ga・As単結晶の［100］面に反応性スパツタ
蒸着により形成された薄膜の膜厚は、約2.5μｍで
あつた。 The thickness of the thin film formed by reactive sputter deposition on the [100] plane of the Ga.As single crystal was approximately 2.5 μm.
この薄膜の結晶構造をＸ線回折装置により測定
した回折図を第３図に示す。第３図よりGa・As
単結晶基板の［100］面上に、この面と平行に、
チタン酸ジルコン酸ランタン鉛のペロブスカイト
構造の結晶の［111］面が43％と優位に成長して
いることが判明した。 A diffraction diagram of the crystal structure of this thin film measured using an X-ray diffraction apparatus is shown in FIG. From Figure 3, Ga・As
On the [100] plane of the single crystal substrate, parallel to this plane,
It was found that the [111] plane of the perovskite structure crystal of lead lanthanum zirconate titanate grows predominantly at 43%.
比較例 ２
実施例２において、Ga・As単結晶基板をガラ
ス基板（商品名：コーニング＃7059）に代えた以
外は同様にしてガラス基板上にチタン酸ジルコン
酸ランタン鉛の薄膜を形成させた。Comparative Example 2 A thin film of lanthanum lead zirconate titanate was formed on a glass substrate in the same manner as in Example 2, except that the Ga.As single crystal substrate was replaced with a glass substrate (trade name: Corning #7059).
この反応性スパツタ蒸着により形成された薄膜
の膜厚は約2.5μｍであつた。 The thickness of the thin film formed by this reactive sputter deposition was about 2.5 μm.
この薄膜の結晶構造をＸ線回折装置により測定
した回折図を第４図に示す。第４図より明らかな
ように、チタン酸ジルコン酸ランタン鉛のペロブ
スカイト構造の結晶の［111］面は８％であつた。 FIG. 4 shows a diffraction diagram of the crystal structure of this thin film measured using an X-ray diffraction apparatus. As is clear from FIG. 4, the [111] plane of the perovskite structure crystal of lead lanthanum zirconate titanate was 8%.
第１図は、Ga・As単結晶基板の［100］結晶
表面に形成されたチタン酸鉛の示すＸ線回折図の
例である。第２図は、ガラス基板の表面に形成さ
れたチタン酸鉛のＸ線回折図の例である。第３図
は、Ga・As単結晶基板の［100］結晶面に形成
されたチタン酸ジルコン酸ランタン鉛のＸ線回折
図の例である。第４図は、ガラス基板の表面に形
成されたチタン酸ジルコン酸ランタン鉛のＸ線回
折図の例である。
FIG. 1 is an example of an X-ray diffraction diagram of lead titanate formed on the [100] crystal surface of a Ga.As single crystal substrate. FIG. 2 is an example of an X-ray diffraction diagram of lead titanate formed on the surface of a glass substrate. FIG. 3 is an example of an X-ray diffraction diagram of lanthanum lead zirconate titanate formed on the [100] crystal plane of a Ga.As single crystal substrate. FIG. 4 is an example of an X-ray diffraction diagram of lanthanum lead zirconate titanate formed on the surface of a glass substrate.
Claims (1)
たペロブスカイト構造の強誘電体結晶よりなる薄
膜であつて、該基板単結晶の［100］面と平行な
該強誘電体薄膜結晶面の少なくとも40％が［111］
面を示すことを特徴とする強誘電体素子。 ２ 上記ペロブスカイト構造を有する強誘電体が
チタン酸鉛、チタン酸ランタン鉛、チタン酸ジル
コン酸鉛、およびチタン酸ジルコン酸ランタン鉛
からなる群より選ばれた少なくとも一種類の強誘
電体であることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の強誘電体素子。 ３ 上記基板単結晶の［100］面と平行な該強誘
電体薄膜結晶面の少なくとも50％が［111］面を
示すことを特徴とする特許請求の範囲第１項また
は第２項項記載の強誘電体素子。[Claims] 1. A thin film made of a ferroelectric crystal with a perovskite structure grown on the [100] plane of a Ga.As single crystal substrate, the ferroelectric crystal being parallel to the [100] plane of the substrate single crystal. At least 40% of the dielectric thin film crystal planes are [111]
A ferroelectric element characterized by exhibiting a surface. 2. The above ferroelectric material having a perovskite structure is at least one type of ferroelectric material selected from the group consisting of lead titanate, lead lanthanum titanate, lead zirconate titanate, and lead lanthanum zirconate titanate. Characteristic claim 1
Ferroelectric element described in . 3. The method according to claim 1 or 2, wherein at least 50% of the crystal planes of the ferroelectric thin film parallel to the [100] plane of the substrate single crystal exhibit a [111] plane. Ferroelectric element.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59270448A JPS61148810A (en) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | Ferrodielectric element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59270448A JPS61148810A (en) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | Ferrodielectric element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61148810A JPS61148810A (en) | 1986-07-07 |
| JPH0535563B2 true JPH0535563B2 (en) | 1993-05-26 |
Family
ID=17486423
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59270448A Granted JPS61148810A (en) | 1984-12-21 | 1984-12-21 | Ferrodielectric element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61148810A (en) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101062742A (en) * | 2001-11-23 | 2007-10-31 | 因温特奥股份公司 | Elevator system |
| JP2010032198A (en) * | 2008-07-01 | 2010-02-12 | Panasonic Corp | Refrigerator |
-
1984
- 1984-12-21 JP JP59270448A patent/JPS61148810A/en active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS61148810A (en) | 1986-07-07 |
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