JPH05347369A - 電子部品の樹脂封止 - Google Patents
電子部品の樹脂封止Info
- Publication number
- JPH05347369A JPH05347369A JP15507992A JP15507992A JPH05347369A JP H05347369 A JPH05347369 A JP H05347369A JP 15507992 A JP15507992 A JP 15507992A JP 15507992 A JP15507992 A JP 15507992A JP H05347369 A JPH05347369 A JP H05347369A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- diameter
- sealing
- diamond
- epoxy
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Details Of Resistors (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 熱伝導の良好な電子部品の樹脂封止を提供す
る。 【構成】 電子部品の樹脂封止に関し、(1)ダイアモン
ド粒子を混入したエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹
脂により封止する事(2)ダイアモンド粒子にガラス膜を
被覆し、該ガラス膜を融解して球形となした充填材を混
入したエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂により封
止する事(3)石英球またはアルミナ球を充填材として混
入したエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂により一
層目の封止をした後ダイアモンド粒子を混入したエポキ
シ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂により２層目の封止を
する事等である。 【効果】 熱伝導の良好な電子部品の樹脂封止を提供す
る事が出来、電子部品の動作時の熱放散が良好で、温度
上昇に伴う動作特性の変動が少ない電子部品を提供する
事が出来る。
る。 【構成】 電子部品の樹脂封止に関し、(1)ダイアモン
ド粒子を混入したエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹
脂により封止する事(2)ダイアモンド粒子にガラス膜を
被覆し、該ガラス膜を融解して球形となした充填材を混
入したエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂により封
止する事(3)石英球またはアルミナ球を充填材として混
入したエポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂により一
層目の封止をした後ダイアモンド粒子を混入したエポキ
シ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂により２層目の封止を
する事等である。 【効果】 熱伝導の良好な電子部品の樹脂封止を提供す
る事が出来、電子部品の動作時の熱放散が良好で、温度
上昇に伴う動作特性の変動が少ない電子部品を提供する
事が出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子部品の樹脂封止に
関する。
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子部品の樹脂封止は、１ミクロ
ン径から１００ミクロン径程度の石英球またはアルミナ
球を充填材として混入したエポキシ樹脂やシリコーン樹
脂等の樹脂により封止するのが通例であった。
ン径から１００ミクロン径程度の石英球またはアルミナ
球を充填材として混入したエポキシ樹脂やシリコーン樹
脂等の樹脂により封止するのが通例であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来技術
によると、封止樹脂材の熱伝導率が低く、電子部品の動
作時の熱放散が充分で無く、温度上昇に伴い動作特性が
変化すると言う課題があった。
によると、封止樹脂材の熱伝導率が低く、電子部品の動
作時の熱放散が充分で無く、温度上昇に伴い動作特性が
変化すると言う課題があった。
【０００４】本発明は、かかる従来技術の課題を解決
し、熱伝導の良好な電子部品の樹脂封止を提供する事を
目的とする。
し、熱伝導の良好な電子部品の樹脂封止を提供する事を
目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決し、上記
目的を達成する為に、本発明は、電子部品の樹脂封止に
関し、（１） 少なくとも１ミクロン径から１００ミク
ロン径程度のダイアモンド粒子を混入したエポキシ樹脂
やシリコーン樹脂等の樹脂により封止する事、及び、
（２） 少なくとも１ミクロン径から１００ミクロン径
程度のダイアモンド粒子にガラス膜を被覆し、該ガラス
膜を融解して球形となした充填材を混入したエポキシ樹
脂やシリコーン樹脂等の樹脂により封止する事、及び、
（３） １ミクロン径から１００ミクロン径程度の石英
球またはアルミナ球を充填材として混入したエポキシ樹
脂やシリコーン樹脂等の樹脂により一層目の封止をした
後、少なくとも１ミクロン径から１００ミクロン径程度
のダイアモンド粒子を混入したエポキシ樹脂やシリコー
ン樹脂等の樹脂により２層目の封止をする事、等の手段
を取る。
目的を達成する為に、本発明は、電子部品の樹脂封止に
関し、（１） 少なくとも１ミクロン径から１００ミク
ロン径程度のダイアモンド粒子を混入したエポキシ樹脂
やシリコーン樹脂等の樹脂により封止する事、及び、
（２） 少なくとも１ミクロン径から１００ミクロン径
程度のダイアモンド粒子にガラス膜を被覆し、該ガラス
膜を融解して球形となした充填材を混入したエポキシ樹
脂やシリコーン樹脂等の樹脂により封止する事、及び、
（３） １ミクロン径から１００ミクロン径程度の石英
球またはアルミナ球を充填材として混入したエポキシ樹
脂やシリコーン樹脂等の樹脂により一層目の封止をした
後、少なくとも１ミクロン径から１００ミクロン径程度
のダイアモンド粒子を混入したエポキシ樹脂やシリコー
ン樹脂等の樹脂により２層目の封止をする事、等の手段
を取る。
【０００６】
【実施例】以下、実施例により本発明を詳述する。
【０００７】いま、５ミリメートル角で２ワットの消費
電力を要するシリコン半導体集積回路チップをデユアル
インライン型のリードフレームに組立て後、トランスフ
ァーモールド或はインジェクションモールドにより樹脂
封止するに際し、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹
脂材中に少なくとも１ミクロン径から１００ミクロン径
程度のダイアモンド粒子を充填材として混入する事によ
りダイアモンドの熱伝導率が１０００Ｗ／ｍ・Ｋ程度以
上と極めて大きい為に封止樹脂の熱伝導とそれに伴う熱
放散が良好と成り、もし従来の如く石英またはアルミナ
の充填材を用いた場合にはジャンクション温度は１２５
度以上と成り動作特性が変動するのに対し、ジャンクシ
ョン温度は１２５度以下に保って安定に動作させる事が
出来る。
電力を要するシリコン半導体集積回路チップをデユアル
インライン型のリードフレームに組立て後、トランスフ
ァーモールド或はインジェクションモールドにより樹脂
封止するに際し、エポキシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹
脂材中に少なくとも１ミクロン径から１００ミクロン径
程度のダイアモンド粒子を充填材として混入する事によ
りダイアモンドの熱伝導率が１０００Ｗ／ｍ・Ｋ程度以
上と極めて大きい為に封止樹脂の熱伝導とそれに伴う熱
放散が良好と成り、もし従来の如く石英またはアルミナ
の充填材を用いた場合にはジャンクション温度は１２５
度以上と成り動作特性が変動するのに対し、ジャンクシ
ョン温度は１２５度以下に保って安定に動作させる事が
出来る。
【０００８】次に、５ミリメートル角で２ワットの消費
電力を要するシリコン半導体集積回路チップをデユアル
インライン型のリードフレームに組立て後、トランスフ
ァーモールド或はインジェクションモールドにより樹脂
封止するに際し、樹脂材中に少なくとも１ミクロン径か
ら１００ミクロン径程度のダイアモンド粒子にＣＶＤ法
やスパッタ法等により鉛ガラスや亜鉛ガラス等の低融点
のガラス膜を０．１ミクロン程度被覆し、該ガラス膜を
融解して球形となした充填材を混入したエポキシ樹脂等
の樹脂により封止する事により、シリコンチップ表面を
ダイアモンド粒子の角部で傷付ける事も無く、且つ、ジ
ャンクション温度は１２５度以下に保って安定に動作さ
せる事が出来る。
電力を要するシリコン半導体集積回路チップをデユアル
インライン型のリードフレームに組立て後、トランスフ
ァーモールド或はインジェクションモールドにより樹脂
封止するに際し、樹脂材中に少なくとも１ミクロン径か
ら１００ミクロン径程度のダイアモンド粒子にＣＶＤ法
やスパッタ法等により鉛ガラスや亜鉛ガラス等の低融点
のガラス膜を０．１ミクロン程度被覆し、該ガラス膜を
融解して球形となした充填材を混入したエポキシ樹脂等
の樹脂により封止する事により、シリコンチップ表面を
ダイアモンド粒子の角部で傷付ける事も無く、且つ、ジ
ャンクション温度は１２５度以下に保って安定に動作さ
せる事が出来る。
【０００９】次に、５ミリメートル角で２ワットの消費
電力を要するシリコン半導体集積回路チップをデユアル
インライン型のリードフレームに組立て後、１ミクロン
径から１００ミクロン径程度の石英球またはアルミナ球
を充填材として混入したエポキシ樹脂等の樹脂をポッテ
イング法や塗布法等により一層目の封止をした後、少な
くとも１ミクロン径から１００ミクロン径程度のダイア
モンド粒子を混入したエポキシ樹脂等の樹脂により２層
目の封止をトランスファーモールド或はインジェクショ
ンモールドにより樹脂封止する事により、シリコンチッ
プ表面をダイアモンド粒子の角部で傷付ける事も無く、
且つ、ジャンクション温度は１２５度以下に保って安定
に動作させる事が出来る。
電力を要するシリコン半導体集積回路チップをデユアル
インライン型のリードフレームに組立て後、１ミクロン
径から１００ミクロン径程度の石英球またはアルミナ球
を充填材として混入したエポキシ樹脂等の樹脂をポッテ
イング法や塗布法等により一層目の封止をした後、少な
くとも１ミクロン径から１００ミクロン径程度のダイア
モンド粒子を混入したエポキシ樹脂等の樹脂により２層
目の封止をトランスファーモールド或はインジェクショ
ンモールドにより樹脂封止する事により、シリコンチッ
プ表面をダイアモンド粒子の角部で傷付ける事も無く、
且つ、ジャンクション温度は１２５度以下に保って安定
に動作させる事が出来る。
【００１０】尚、上記実施例は電子部品としてシリコン
半導体集積回路チップを示したが、その他の電子部品、
例えばその他のシリコン半導体装置や化合物半導体装
置、あるいは超伝導体装置やその他の受動素子、例えば
抵抗体やコンデンサー等の樹脂封止やマルチチップ・モ
ジュール等の樹脂封止等にも適用出来る事は言う迄も無
い。
半導体集積回路チップを示したが、その他の電子部品、
例えばその他のシリコン半導体装置や化合物半導体装
置、あるいは超伝導体装置やその他の受動素子、例えば
抵抗体やコンデンサー等の樹脂封止やマルチチップ・モ
ジュール等の樹脂封止等にも適用出来る事は言う迄も無
い。
【００１１】
【発明の効果】本発明により、熱伝導の良好な電子部品
の樹脂封止を提供する事が出来、電子部品の動作時の熱
放散が良好で、温度上昇に伴う動作特性の変動が少ない
電子部品を提供する事が出来る効果がある。
の樹脂封止を提供する事が出来、電子部品の動作時の熱
放散が良好で、温度上昇に伴う動作特性の変動が少ない
電子部品を提供する事が出来る効果がある。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.5 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 21/56 Ｒ 8617−4Ｍ
Claims (3)
- 【請求項１】 少なくとも１ミクロン径から１００ミク
ロン径程度のダイアモンド粒子を混入したエポキシ樹脂
やシリコーン樹脂等の樹脂により封止した事を特徴とす
る電子部品の樹脂封止。 - 【請求項２】 少なくとも１ミクロン径から１００ミク
ロン径程度のダイアモンド粒子にガラス膜を被覆し、該
ガラス膜を融解して球形となした充填材を混入したエポ
キシ樹脂やシリコーン樹脂等の樹脂により封止した事を
特徴とする電子部品の樹脂封止。 - 【請求項３】 １ミクロン径から１００ミクロン径程度
の石英球またはアルミナ球を充填材として混入したエポ
キシ樹脂等の樹脂により一層目の封止をした後、 少なくとも１ミクロン径から１００ミクロン径程度のダ
イアモンド粒子を混入したエポキシ樹脂やシリコーン樹
脂等の樹脂により２層目の封止をした事を特徴とする電
子部品の樹脂封止。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15507992A JPH05347369A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 電子部品の樹脂封止 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15507992A JPH05347369A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 電子部品の樹脂封止 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05347369A true JPH05347369A (ja) | 1993-12-27 |
Family
ID=15598201
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15507992A Pending JPH05347369A (ja) | 1992-06-15 | 1992-06-15 | 電子部品の樹脂封止 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05347369A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100401006C (zh) * | 2003-05-12 | 2008-07-09 | 宋健民 | 含钻石粉末的散热体 |
| EP2133625A1 (en) | 2008-06-09 | 2009-12-16 | Hon-Wen Chen | Light emitting diode lamp high heat-dissipation capacity |
| CN106876352A (zh) * | 2017-03-27 | 2017-06-20 | 广东美的制冷设备有限公司 | 智能功率模块、智能功率模块的制备方法和电力电子设备 |
-
1992
- 1992-06-15 JP JP15507992A patent/JPH05347369A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100401006C (zh) * | 2003-05-12 | 2008-07-09 | 宋健民 | 含钻石粉末的散热体 |
| EP2133625A1 (en) | 2008-06-09 | 2009-12-16 | Hon-Wen Chen | Light emitting diode lamp high heat-dissipation capacity |
| CN106876352A (zh) * | 2017-03-27 | 2017-06-20 | 广东美的制冷设备有限公司 | 智能功率模块、智能功率模块的制备方法和电力电子设备 |
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