JPH0534527A - Formation of optical waveguide - Google Patents

Formation of optical waveguide

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JPH0534527A
JPH0534527A JP19167991A JP19167991A JPH0534527A JP H0534527 A JPH0534527 A JP H0534527A JP 19167991 A JP19167991 A JP 19167991A JP 19167991 A JP19167991 A JP 19167991A JP H0534527 A JPH0534527 A JP H0534527A
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JP
Japan
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optical waveguide
glass
forming
control
sol
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JP19167991A
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Japanese (ja)
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Masumi Ito
真澄 伊藤
Sumio Hoshino
寿美夫 星野
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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Sumitomo Electric Industries Ltd
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B19/00Other methods of shaping glass
    • C03B19/12Other methods of shaping glass by liquid-phase reaction processes

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  • Manufacturing & Machinery (AREA)
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  • Surface Treatment Of Glass (AREA)

Abstract

PURPOSE:To provide the method for forming the optical waveguide which facilitates the control of the amts. of additive and the control of the regions for addition. CONSTITUTION:This method for forming the optical waveguide has a stage for forming a protective mask pattern consisting of a metallic film on silica glass added with a functional compd. produced by a sol-gel method and a stage for forming the optical waveguide by subjecting the silica glass formed with this protective mask pattern to anisotropic etching by reactive gases. The more particularly preferable embodiemnt includes the use of >=1 selected from rare earth element ions, semiconductor particles and org. compds. having a nonlinear optical effect as the functional compd. The control of the amts. of the additives and the control of the regions for addition are easy and the control of the core diameter at 0.1mum order and a refractive index difference at 0.01% level is possible. The optical waveguide having the precise structure is thus formed.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は新規な光導波路形成方法
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a novel optical waveguide forming method.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、ゾルゲル法を用いて作製された光
導波路としては、例えば特開昭61−156007号公
報に提案された方法が良く知られている。すなわち、金
属アルコキシド溶液をゲル化、乾燥させて多孔質ガラス
体を形成せしめると共に、この多孔質ガラス体にマスク
を装着した後、ガラスの屈折率を変化させ得る原子を含
む雰囲気に前記多孔質ガラス体を浸漬して、マスクされ
ていないドープ部にガラスの屈折率を変化させ得る原子
を拡散させるという方法である。この方法によれば添加
する原子は溶液状あるいは気相状であり、多孔質ガラス
体への拡散現象により多孔質ガラス体内に屈折率分布を
形成することができる。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an optical waveguide manufactured by using the sol-gel method, for example, the method proposed in Japanese Patent Laid-Open No. 61-156007 is well known. That is, the metal alkoxide solution is gelled and dried to form a porous glass body, and after the mask is attached to the porous glass body, the porous glass body is placed in an atmosphere containing atoms that can change the refractive index of the glass. It is a method of immersing the body and diffusing atoms that can change the refractive index of glass into the unmasked doped portion. According to this method, the atoms to be added are in a solution state or in a gas phase state, and a refractive index distribution can be formed in the porous glass body by the diffusion phenomenon into the porous glass body.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】光導波路を形成するた
めの屈折率分布は、高い精度を要求され、シングルモー
ド用導波路の場合、コア径は8±0.1μm、屈折率差
は0.33±0.05%程度である。従来法による場
合、拡散原子の濃度、拡散温度および拡散時間をコント
ロールすることにより、添加量および添加領域を制御し
ている。しかし、この方法ではコア径を0.1μmオー
ダー、屈折率差を0.01%のレベルで制御することは
困難である。以上の現状に鑑み、本発明の目的は添加物
の量の制御や添加領域の制御が容易な光導波路形成方法
を提供することにある。
The refractive index distribution for forming an optical waveguide is required to have high accuracy. In the case of a single mode waveguide, the core diameter is 8 ± 0.1 μm and the refractive index difference is 0. It is about 33 ± 0.05%. In the case of the conventional method, the addition amount and the addition region are controlled by controlling the concentration of diffusion atoms, the diffusion temperature and the diffusion time. However, with this method, it is difficult to control the core diameter on the order of 0.1 μm and the refractive index difference at the level of 0.01%. In view of the above situation, an object of the present invention is to provide an optical waveguide forming method in which it is easy to control the amount of an additive and the region of addition.

【0004】上記目的を達成する本発明は、ゾルゲル法
により作製した機能性化合物を添加したシリカ系ガラス
に金属膜からなる保護マスクパターンを形成する工程
と、上記保護マスクパターンが形成されたシリカ系ガラ
スに対し反応性ガスによる異方性エッチングを行うこと
により光導波路を形成する工程とを有することを特徴と
する。ゾルゲル法により作製したシリカ系ガラスには、
希土類イオン、半導体微粒子、非線形光学効果を有する
有機化合物(以下、非線形有機化合物と略す)等のいず
れか1以上を添加することにより、光スイッチ、光アン
プなどの機能性光デバイスの作製が可能となる。
The present invention which achieves the above-mentioned object comprises a step of forming a protective mask pattern made of a metal film on a silica-based glass containing a functional compound prepared by a sol-gel method, and a silica-based glass on which the protective mask pattern is formed. And forming an optical waveguide by anisotropically etching glass with a reactive gas. The silica glass produced by the sol-gel method,
It is possible to fabricate functional optical devices such as optical switches and optical amplifiers by adding at least one of rare earth ions, semiconductor fine particles, organic compounds having a nonlinear optical effect (hereinafter abbreviated as nonlinear organic compounds), and the like. Become.

【0005】[0005]

【作用】ゾルゲル法は、金属アルコキシドをアルコール
溶液中で加水分解させ、シリカ結合を縮合させることに
よりガラスを合成するプロセスである。このプロセスは
液相反応であることおよび1000℃程度の低温でガラ
ス化できることなどの特徴を有する。そのため、希土類
元素イオン、半導体微粒子、非線形有機化合物などの光
機能性材料を添加することが容易である。これらの光機
能性化合物を添加したガラスは、機能性ガラスとして非
常に有用である。例えば希土類元素イオンをドープした
ガラスは、レーザガラスや光増幅器として、半導体微粒
子や非線形有機化合物をを添加したガラスは大きな非線
形光学効果を示し、非線形スイッチなどに応用される。
これらのデバイスのために、光導波路形成技術は非常に
重要である。
The sol-gel method is a process for synthesizing glass by hydrolyzing a metal alkoxide in an alcohol solution and condensing silica bonds. This process is characterized in that it is a liquid phase reaction and that it can be vitrified at a low temperature of about 1000 ° C. Therefore, it is easy to add optical functional materials such as rare earth element ions, semiconductor fine particles, and non-linear organic compounds. The glass to which these photofunctional compounds are added is very useful as a functional glass. For example, glass doped with rare earth element ions is used as a laser glass or an optical amplifier, and glass added with semiconductor fine particles or a nonlinear organic compound exhibits a large nonlinear optical effect, and is applied to a nonlinear switch or the like.
Optical waveguide forming technology is very important for these devices.

【0006】本発明の光導波形成法を詳細に説明する。
まずゾルゲル法によりシリカ系ガラスを作製するが、こ
の工程はこの種の分野の公知技術によればよく、例え
ば、シリコンメトキシド,エトキシド等のシリコンアル
コキシド、水、メタノール,エタノール,プロパノール
等のアルコール及び要すれば酸もしくはアルカリ触媒を
混合して加水分解溶液を調製し、適当な条件下で加水分
解反応を進行させてゲル化させ、得られたゲルを乾燥さ
せた後、または乾燥、加熱して多孔質ガラスとした後、
更には焼結して透明ガラスとした後、後記するエッチン
グ工程によりガラスパターンを形成して光導波路とす
る。ゾルゲル法によるガラス中に機能性化合物を添加す
るには、該機能性化合物又はその塩を水溶液又はアルコ
ール溶液としてゾルゲル液中に単に添加する(希土類元
素イオンや有機化合物の場合)、あるいは機能性化合物
の塩の水溶液又はアルコール溶液を添加して化学反応に
より粒子化させる(半導体微粒子の場合)その他各種の
手段を採用できる。上記希土類元素イオンとしては、例
えばPr,Nd,Sm,Er,Ybなどのランタノイド
系希土類元素イオンが挙げられ、これらの添加量は特に
限定されるところはないが10ppmから5重量%程度
が一般的である。上記半導体微粒子としては、例えばS
i,Ge,PbS,CdS,CdSSe,CdSe,C
uCl,CuBr,GaAs等が挙げられ、これらの添
加量は特に限定されるところはないが1〜20重量%が
一般的である。上記有機化合物としては、例えばキリザ
ニン、パラニトロアニリン、2−メチル−4−ニトロア
ニリンその他各種の機能性有機化合物が挙げられ、これ
らの添加量は特に限定されるところはないが1〜20重
量%が一般的である。
The optical waveguide forming method of the present invention will be described in detail.
First, a silica-based glass is produced by a sol-gel method, and this step may be performed by a known technique in this field, for example, silicon alkoxide such as silicon methoxide and ethoxide, alcohol such as water, methanol, ethanol and propanol, and the like. If necessary, an acid or alkali catalyst is mixed to prepare a hydrolysis solution, the hydrolysis reaction is allowed to proceed under appropriate conditions to cause gelation, and the obtained gel is dried, or dried and heated. After making porous glass,
Further, after sintering to make transparent glass, a glass pattern is formed by an etching process described later to form an optical waveguide. To add the functional compound to the glass by the sol-gel method, the functional compound or a salt thereof is simply added to the sol-gel solution as an aqueous solution or an alcohol solution (in the case of rare earth element ions or organic compounds), or the functional compound. Various other means can be adopted, such as adding an aqueous salt solution or alcohol solution of (1) to make particles by a chemical reaction (in the case of semiconductor fine particles). Examples of the above-mentioned rare earth element ions include lanthanoid rare earth element ions such as Pr, Nd, Sm, Er and Yb. The addition amount of these is not particularly limited, but is generally about 10 ppm to 5% by weight. Is. Examples of the semiconductor fine particles include S
i, Ge, PbS, CdS, CdSSe, CdSe, C
uCl, CuBr, GaAs, etc. may be mentioned. The addition amount of these is not particularly limited, but is generally 1 to 20% by weight. Examples of the organic compound include xylizanin, para-nitroaniline, 2-methyl-4-nitroaniline and various other functional organic compounds, and the addition amount thereof is not particularly limited, but is 1 to 20% by weight. Is common.

【0007】次に、図1に示す工程により上記で得たガ
ラス(乾燥ゲル又は透明ガラス)を導波路に加工する。
まず上記により得た機能性化合物を添加したシリカ系ガ
ラス1に金属膜からなる保護マスクパターンを形成す
る。具体的にはゾルゲル法で作製したシリカガラス1に
スパッタ法、真空蒸着法、CVD法等によりアモルファ
スSi,Si3 4 ,Al,Moなどの金属膜2を形成
する。図には金属の代表としてAlの場合を示す。次に
金属膜2上にフォトプロセス技術を用いて、フォトレジ
ストパターンを形成する。金属膜2上にレジスト膜3を
塗布し、乾燥後導波路形状のマスクを密着させ紫外線を
照射する。レジストはネガ型、ポジ型のどちらでもよ
い。その後現像液に浸漬することにより、不要部分を除
去しレジストパターン4を形成する。これをエッチング
装置内に入れエッチングガスでフォトレジストパターン
をマスクとして金属膜をエッチングすることによりレジ
スト膜のない部分の金属膜がエッチングされ、金属パタ
ーン(図1ではAlパターン5)が形成できる。次に金
属膜を保護マスクとしてシリカ系ガラスをエッチングガ
スで化学エッチングしてガラスパターン6を形成する。
特に好ましくは異方性エッチングを行なう。CF 4 など
の反応性ガスを用いてプラズマを作るとフッ素ラジカル
が発生する。これは化学的に極めて活性で、シリカガラ
スと反応しエッチングする。この時、シリカガラスに対
し垂直の電場を形成するとフッ素ラジカルが試料に垂直
入射し、垂直方向にのみエッチングが進む。これを異方
性エッチングという。続いてフォトレジストパターン、
金属膜を除去する。このようにして幅2〜10μm、深
さ1〜10μmの範囲内で任意の形状を有する光導波路
を作製できる。図2に本発明により形成される光導波路
の具体例を示す。なお、機能性化合物を添加したシリカ
系ガラスの厚みは特に限定されないが1〜2mm程度、
金属膜の厚みは1〜2μm程度である。反応性イオンエ
ッチングの際、エッチングガスの種類を変えることによ
り、金属とシリカのエッチング速度を大きく変えること
ができるので、金属膜を保護マスクとして用いる。シリ
カを8μm程度エッチングすることができるマスクは金
属が一般的である。例えばエッチングガスがCF4 の場
合、シリカとAlではそのエッチング速度は相対比で8
0:1であり、エッチングガスがBCl3 の場合には
1:15である。従って、CF4 を用いればシリカのみ
がエッチングされ、BCl3 を用いればAlのみがエッ
チングされる。ここでエッチングガスとしてはCC
4 ,BCl3 ,CF4 ,C2 6 などの塩素系ガスお
よびフッ素系ガスを用い、金属膜の種類により適当なも
のを選べばよい。一般に塩素系ガスは金属のエッチング
に用い、フッ素系ガスはガラス用に用いられる。エッチ
ングガス濃度は通常100%のものを使用する。
Next, the gas obtained as described above is subjected to the steps shown in FIG.
Lath (dry gel or transparent glass) is processed into a waveguide.
First, the silica-based gas containing the functional compound obtained above is added.
A protective mask pattern made of a metal film is formed on the lath 1.
It Specifically, for silica glass 1 produced by the sol-gel method
Amorpha is formed by sputtering, vacuum deposition, CVD, etc.
Si, Si3NFourA metal film 2 of Al, Al, Mo, etc.
To do. The figure shows the case of Al as a representative of metals. next
A photo resist is formed on the metal film 2 by using a photo process technology.
Forming a strike pattern. Resist film 3 on metal film 2
After coating and drying, attach a waveguide-shaped mask to it and
Irradiate. Resist can be either negative or positive.
Yes. Then, dip it in the developer to remove unnecessary parts.
Then, the resist pattern 4 is formed. Etching this
Put it in the equipment and use the etching gas as a photoresist pattern
The metal film is used as a mask to etch the metal film
The metal film in the area without the strike film is etched and the metal pattern
A layer (Al pattern 5 in FIG. 1) can be formed. Then money
Silica-based glass is etched using the metal film as a protective mask.
The glass pattern 6 is formed by chemical etching with a glass.
Particularly preferably, anisotropic etching is performed. CF FourSuch
Fluorine radicals when plasma is generated using the reactive gas
Occurs. It is chemically very active and can
Reacts with the gas and etches. At this time,
Then, when a vertical electric field is formed, the fluorine radicals are perpendicular to the sample.
It is incident and the etching proceeds only in the vertical direction. This is anisotropic
This is referred to as property etching. Then the photoresist pattern,
The metal film is removed. In this way, width 2-10 μm, depth
Optical waveguide having an arbitrary shape within the range of 1 to 10 μm
Can be produced. FIG. 2 shows an optical waveguide formed by the present invention.
A specific example of In addition, silica added with a functional compound
The thickness of the system glass is not particularly limited, but is about 1 to 2 mm,
The thickness of the metal film is about 1 to 2 μm. Reactive ion
By changing the type of etching gas during
Greatly change the etching rate of metal and silica
Therefore, the metal film is used as a protective mask. Siri
The mask that can etch the mosquito around 8 μm is gold
Genus is common. For example, the etching gas is CFFourPlace
In the case of silica and Al, the relative etching rate is 8
0: 1 and etching gas is BCl3In Case of
It is 1:15. Therefore, CFFourSilica only
Is etched and BCl3If you use
Be ching. Here, the etching gas is CC
lFour, BCl3, CFFour, C2F6Chlorine gas such as
And fluorine gas, depending on the type of metal film
You can choose. Generally chlorine-based gas etches metal
The fluorine-based gas is used for glass. Etch
The ing gas concentration is usually 100%.

【0008】[0008]

【実施例】以下に本発明を実施例を挙げて具体的に説明
するが、本発明はこれに限定されるものではない。 実施例1 ガラス原料としてシリコンメトキシド30mlと水30
mlにエチルアルコール60mlを加えて混合し、均一
なゾルゲル溶液を調製する。次にこのゾルゲル溶液に機
能性化合物として塩化エルビウム0.28gを添加し、
溶解させる。円板状のコンテナに該ゾルゲル溶液を流し
込み、アルミシートで密封し、80℃で2日間保持して
ゲル化させる。次にアルミシートに1mmφの穴を数個
明けて、150℃で1週間乾燥する。得られたゲルを1
200℃に昇温し、透明ガラス化させた。このガラスは
レーザ発振特性を有するエルビウム(Er)を1重量%
含んでいる。次にこのガラスを基板としてAlをスパッ
タ法で1μm厚さに蒸着し、フォトレジストによりパタ
ーニングを行った。この試料を反応性イオンエッチング
装置を用い、CCl4 ガスによってエッチングしてガラ
ス上にパターン形成したAl層を設けた。次にパターニ
ングされたAlをマスクとしてCF4 ガスによって下地
のErドープガラスを約8μmエッチングした。その結
果、Erガラス上に8μm角の導波路が形成できた。
EXAMPLES The present invention will be specifically described below with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. Example 1 30 ml of silicon methoxide and 30 water as glass raw materials
60 ml of ethyl alcohol is added to and mixed with ml to prepare a uniform sol-gel solution. Next, 0.28 g of erbium chloride as a functional compound was added to this sol-gel solution,
Dissolve. The sol-gel solution is poured into a disk-shaped container, sealed with an aluminum sheet, and kept at 80 ° C. for 2 days for gelation. Next, several 1 mmφ holes are made in the aluminum sheet and dried at 150 ° C. for 1 week. 1 for the obtained gel
The temperature was raised to 200 ° C. to make transparent glass. This glass contains 1% by weight of erbium (Er), which has laser oscillation characteristics.
Contains. Next, using this glass as a substrate, Al was vapor-deposited to a thickness of 1 μm by a sputtering method and patterned by a photoresist. This sample was etched with CCl 4 gas using a reactive ion etching apparatus to provide a patterned Al layer on glass. Next, the underlying Er-doped glass was etched by about 8 μm with CF 4 gas using the patterned Al as a mask. As a result, an 8 μm square waveguide could be formed on the Er glass.

【0009】実施例2 ガラス原料としてシリコンメトキシド30ml、水30
mlにエチルアルコール60mlを加えて混合し、塩化
鉛を1.5g溶解させた。コンテナに上記で調製した溶
液を流し込みアルミシートで密封し、80℃で2日間保
持してゲル化させた。アルミシートに1mmφの穴を数
個明けて乾燥を行い、100時間かけて150℃まで昇
温し30時間保持する。得られた乾燥ゲルを真空焼結炉
において5時間かけて300℃に昇温し1時間保持した
後、10時間かけて800℃に昇温し1時間保持する。
得られた多孔質ガラスを硫化ナトリウム水溶液に浸漬さ
せ、多孔質ガラス内に硫化鉛の微粒子を生成させる。こ
のガラスは非線形光学効果を有する硫化鉛を1重量%含
んでいる。次に、このガラスを基板とし、アモルファス
・シリコンをPCVD法により形成し、その上にフォト
リソグラフィ法によりレジストパターンを形成した。C
BrF3 をエッチングガスに用い、反応性イオンエッチ
ングによりアモルファス・シリコンをパターニングす
る。次にアモルファス・シリコンをマスクとし、CHF
3 をエッチングガスとし、反応性イオンエッチングによ
り硫化鉛添加ガラスをパターニングする。その後、酸素
プラズマによりレジストを除去し、CBrF3 をエッチ
ングガスとして、アモルファス・シリコンのマスクを除
去する。その結果、硫化鉛添加ガラス上に導波路が形成
された。
Example 2 30 ml of silicon methoxide and 30 parts of water as glass raw materials
60 ml of ethyl alcohol was added to and mixed with 1.5 ml of lead chloride. The solution prepared above was poured into a container, sealed with an aluminum sheet, and kept at 80 ° C. for 2 days for gelation. The aluminum sheet is perforated with several 1 mmφ holes for drying, the temperature is raised to 150 ° C. over 100 hours, and the temperature is maintained for 30 hours. The obtained dried gel is heated in a vacuum sintering furnace to 300 ° C. for 5 hours and kept for 1 hour, and then heated to 800 ° C. for 10 hours and kept for 1 hour.
The obtained porous glass is dipped in a sodium sulfide aqueous solution to generate fine particles of lead sulfide in the porous glass. This glass contains 1% by weight of lead sulfide having a nonlinear optical effect. Next, using this glass as a substrate, amorphous silicon was formed by the PCVD method, and a resist pattern was formed thereon by the photolithography method. C
BrF 3 is used as an etching gas to pattern the amorphous silicon by reactive ion etching. Next, using amorphous silicon as a mask, CHF
The lead sulfide-added glass is patterned by reactive ion etching using 3 as an etching gas. After that, the resist is removed by oxygen plasma, and the mask of amorphous silicon is removed using CBrF 3 as an etching gas. As a result, a waveguide was formed on the glass containing lead sulfide.

【0010】実施例3 ガラス原料として、シリコンメトキシド30ml、水2
0ml、エチルアルコール60mlを加えて混合し、2
−メチル−4−ニトロアニリンを1.2g添加し、均一
な溶液とする。コンテナに移した後、アルミシートで密
封し、80℃で2日間保持してゲル化させた。アルミシ
ートに1mmφの穴を数個明けて乾燥し、100時間か
けて150℃まで昇温し30時間保持し、乾燥ゲルを得
る。この乾燥ゲルの上にスパッタ法によりタングステン
シリサイドを堆積し、フォトレジストによりパターニン
グする。NF3 ガスを用いて反応性イオンエッチングに
より、タングステンシリサイドをエッチングする。次
に、パターニングされたタングステンシリサイドをマス
クとし、C3 8 を用いて、2−メチル−4−ニトロア
ニリン添加ゲルをエッチングする。その後酸素プラズマ
によりレジストを除去し、NF3 ガスによりタングステ
ンシリサイドをエッチング除去する。その結果、2−メ
チル−4−ニトロアニリンをドープしたゲル上に導波路
が形成された。
Example 3 As a glass raw material, 30 ml of silicon methoxide and 2 parts of water were used.
Add 0 ml and 60 ml of ethyl alcohol, mix, and mix.
Add 1.2 g of -methyl-4-nitroaniline to make a homogeneous solution. After transferring to a container, it was sealed with an aluminum sheet and kept at 80 ° C. for 2 days for gelation. A few 1 mmφ holes are opened in an aluminum sheet and dried, and the temperature is raised to 150 ° C. over 100 hours and kept for 30 hours to obtain a dried gel. Tungsten silicide is deposited on the dried gel by a sputtering method and patterned by a photoresist. The tungsten silicide is etched by reactive ion etching using NF 3 gas. Next, using the patterned tungsten silicide as a mask, the 2-methyl-4-nitroaniline-added gel is etched using C 3 F 8 . After that, the resist is removed by oxygen plasma, and the tungsten silicide is removed by etching with NF 3 gas. As a result, a waveguide was formed on the gel doped with 2-methyl-4-nitroaniline.

【0011】[0011]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によればゾ
ルゲル法で作製した、乾燥ゲル、多孔質体、透明ガラス
の各段階の機能性ガラスに高度の微細加工を施すことが
可能となり、コア径を0.1μmオーダー、屈折率差を
0.01%のレベルで制御できた優れた光導波路を作製
することができる。
As described above, according to the present invention, it is possible to perform a high degree of fine processing on a functional glass produced by the sol-gel method at each stage of dry gel, porous body and transparent glass. It is possible to produce an excellent optical waveguide in which the core diameter can be controlled in the order of 0.1 μm and the refractive index difference can be controlled at the level of 0.01%.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の光導波路形成工程を説明する概略図で
ある。
FIG. 1 is a schematic diagram illustrating an optical waveguide forming step of the present invention.

【図2】本発明により作成された光導波路の具体例を示
す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a specific example of an optical waveguide produced by the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 Erドープガラス 2 Al 3 レジスト 4 レジストパターン 5 Alパターン 6 ガラスパターン 1 Er-doped glass 2 Al 3 resist 4 Resist pattern 5 Al pattern 6 glass patterns

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ゾルゲル法により作製した機能性化合物
を添加したシリカ系ガラスに金属膜からなる保護マスク
パターンを形成する工程と、上記保護マスクパターンが
形成されたシリカ系ガラスに対し反応性ガスによる異方
性エッチングを行うことにより光導波路を形成する工程
とを有することを特徴とする光導波路の形成方法。
1. A step of forming a protective mask pattern made of a metal film on silica-based glass containing a functional compound added by a sol-gel method, and a step of reacting the silica-based glass on which the protective mask pattern is formed with a reactive gas. And a step of forming an optical waveguide by performing anisotropic etching.
【請求項2】 上記機能性化合物が、希土類元素イオ
ン、半導体微粒子および非線形光学効果を有する有機化
合物から選ばれる1以上であることを特徴とする請求項
1の光導波路の形成方法。
2. The method for forming an optical waveguide according to claim 1, wherein the functional compound is one or more selected from rare earth element ions, semiconductor fine particles, and organic compounds having a nonlinear optical effect.
JP19167991A 1991-07-31 1991-07-31 Formation of optical waveguide Pending JPH0534527A (en)

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JPH0534527A true JPH0534527A (en) 1993-02-12

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JP19167991A Pending JPH0534527A (en) 1991-07-31 1991-07-31 Formation of optical waveguide

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010500738A (en) * 2006-04-14 2010-01-07 レイセオン カンパニー Solid state laser and method with spatially tuned active ion concentration using valence conversion by surface masking

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2010500738A (en) * 2006-04-14 2010-01-07 レイセオン カンパニー Solid state laser and method with spatially tuned active ion concentration using valence conversion by surface masking

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