JPH05343016A

JPH05343016A - 撮像管及びその動作方法

Info

Publication number: JPH05343016A
Application number: JP14244092A
Authority: JP
Inventors: Tatsuo Makishima; 達男牧島; Kazutaka Tsuji; 和隆辻; Kazuyuki Nagatsuma; 一之長妻; Tadaaki Hirai; 忠明平井; Tsutomu Kato; 務加藤; Shiro Suzuki; 四郎鈴木; Kenkichi Tanioka; 健吉谷岡
Original assignee: Hitachi Ltd; Nippon Hoso Kyokai NHK; Japan Broadcasting Corp
Current assignee: Hitachi Ltd; Japan Broadcasting Corp
Priority date: 1992-06-03
Filing date: 1992-06-03
Publication date: 1993-12-24

Abstract

(57)【要約】【目的】撮像管を高いターゲット電圧で使用する時に発
生しやすい画像歪，シェーディング，さざ波現象，像反
転現象等を抑制し、これにより高感度化を実現する。【構成】撮像管ターゲット部２の円形状光導電膜３とイ
ンジウムリング１０との間に存在する基板露出部を導電
層６でカバーし、導電層６をカソード電位より低い電位
にして用いる。【効果】さざ波現象や反転現象等の画像不良現象を伴う
ことなしに、高解像度，高感度特性を有する撮像管が実
現できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、光導電型撮像管に係
り、特に、ターゲット電圧を高めて使用する高感度、高
解像度の撮像管、および該撮像管の動作方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】一般に、光導電型撮像管ないしＸ線用撮
像管（以下これらを総称して撮像管と呼ぶ）は、入射し
た光又はＸ線（以下これらを総称して単に光と呼ぶ）の
像を電荷パターンに変換してこれを蓄積するためのター
ゲット部と、蓄積された電荷パターンを信号電流として
読み取るための走査電子ビーム発生部とを備えており、
ターゲット部の光導電膜が電子ビームの走査を受けた直
後は、走査領域の表面電位がカソード電位に平衡するよ
うに動作する。

【０００３】このような撮像管では、ターゲット部の走
査側表面が電子ビームの走査を受けた時に、過剰の２次
電子を放出すると、走査直後の表面電位がカソード電位
になりえず、正常な撮像管動作ができなくなる。特開昭
48−102919号公報には、この２次電子放出比を低く抑え
るために、ターゲット部の走査側表面に多孔質三硫化ア
ンチモン（Ｓｂ₂Ｓ₃）からなる電子ビームランディング
層を設けることが開示されている。

【０００４】また、ターゲット部で反射された余剰の電
子ビームが管内の電極で反射され、再び、ターゲット部
に入射し、これが偽信号となって映像信号に重畳する場
合がある。このような現象を抑制するために、(1）特開
昭61−131349号公報には、ターゲット部の光導電膜表面
の非走査領域に新たな導電膜を設けることが、また、
(2）特開昭63−72037 号公報には、ターゲット部の透光
性導電膜を基板上で有効走査領域の透光性導電膜と非走
査領域の透光性導電膜とに分割し、それぞれ異なる電源
に接続して制御することが開示されている。

【０００５】さらに、撮像管の感度向上や容量性残像の
低減を図るために、光導電膜を厚くしたり、また、更な
る高感度化を実現するために、光導電膜内でのアバラン
シェ増倍現象を利用する方法が知られている。これらに
ついては、例えば、河村他：テレビジョン学会全国大会
講演予稿集（昭５７年）第８１頁から第８２頁、アイ・
イー・イー・イーエレクトロンデバイスレター
ズ，イーデイーエル８，ナンバー９(IEEE Electron d
evice letters ＥＤＬ８，Ｎｏ.９）（1987年)第３９２
頁から第３９４頁に記載されている。このような撮像管
では、高感度化を図るためにターゲット電極とカソード
電極間の電圧（以下、単にターゲット電圧と呼ぶ）を高
く設定して使用することが必要となる。

【０００６】しかし、ターゲット電圧を高めて撮像管を
使用すると、再生画像に図形歪やシェーディングが発生
したり、さざ波状に変化する異常パターンが再生画像の
周辺部分に発生する現象（以下、単にさざ波現象と呼
ぶ）や、再生画像の一部、特に周辺領域に対応する映像
信号のレベルが異常に低下したり、ないしは信号の極性
が反転する現象（以下、単に反転現象と呼ぶ）が生じや
すくなる。

【０００７】これらの不良現象の発生を抑制するため
に、(3）特開平１−298630号公報には、ターゲット部走
査側表面の非走査領域の二次電子放出比を、有効走査領
域内の二次電子放出比より小さくすることが、また、
(4）特開平2−204944 号公報には、ターゲット部の有効
走査領域外に絶縁性薄膜を設けることが、更にまた、
(5）特開平2−131300 号公報には、ターゲット部の有効
走査領域外に真空ないしは絶縁層を介して絶縁された第
3の電極を設けることが開示されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上記従来技術(3）や
(4）を用いて製造された撮像管は、ターゲット電圧があ
る程度の高電圧域まではそれぞれ前述のさざ波現象や反
転現象等の不良現象を抑制する効果がある。しかし、更
に高感度化を図るために、ターゲット電圧を更に高めて
使用すると前述したさざ波現象や反転現象等の不良が再
び発生するという問題が生じる。

【０００９】また、従来技術(5）を用いて製造された撮
像管は、前述のさざ波現象や反転現象等の不良現象を抑
制する効果は顕著であるが、第３の新たな電極を光導電
膜とメッシュ電極の間に設けているために、ターゲット
〜メッシュ間の平行電界が乱れて、図形歪が生じやす
い。

【００１０】さらに、従来技術(1）を用いて製造された
撮像管は、光導電膜表面の非走査領域に設けられた新た
な導電膜が光導電膜を介してターゲット電極と短絡し易
い構成を有している。即ち、光導電膜は、光の入射によ
り抵抗が下がるため、ターゲット電圧が高いと、ターゲ
ット電極と該導電膜との間で放電が生じて短絡し、それ
によって光導電膜が破損するという問題があり、ターゲ
ット電圧を高めることができない。

【００１１】さらにまた、従来技術(2）を用いて製造さ
れた撮像管は、ターゲット部の透光性導電膜が光導電膜
を介して基板上で有効走査領域の透光性導電膜と非走査
領域の透光性導電膜とに分割された構成を有している。
したがって、この場合にも、従来技術(1）を用いて製造
された撮像管と同じ問題があり、ターゲット電圧を高め
ることができない。また、ターゲット部の製造工程が複
雑で、製造工程中にターゲット部にごみの付着や微小欠
陥が生じやすく、そのために局所的な画像欠陥が発生し
やすい欠点があり、歩留まりが低下するという問題があ
った。

【００１２】上述により、これまで高感度，高画質の撮
像装置やカメラを実現することが困難であった。

【００１３】本発明の目的は、さざ波現象や反転現象等
の不良のない高感度の撮像管及びその動作方法を提供す
ることにある。

【００１４】本発明の他の目的は、ターゲット部の光導
電膜内でのアバランシェ増倍を起こしうる程の高電圧下
で、さざ波現象や反転現象等の不良のない良好な画質が
安定かつ容易に得られる撮像管及びその動作方法を提供
することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】上記目的は、撮像管ター
ゲット部が、絶縁性の基板と、前記基板を貫通して植設
された信号電極ピンと、前記基板上の電子ビーム走査領
域に相当する部分に限定して設けたターゲット電極と、
前記ターゲット電極と前記信号電極ピンを電気的に接続
するための電極接続部と、前記ターゲット電極，前記信
号電極ピン、ならびに電極接続部をカバーするように設
けられた円形状の光導電膜と、リング状の導電層ないし
は多孔質層とを含み、かつ前記リング状導電層ないしは
多孔質層の内周部が前記光導電膜の外周部に接触し、か
つ前記リング状導電層ないしは多孔質層の外周部がイン
ジウムリングに接触して成る撮像管により達成される。

【００１６】また、前記目的は、上記撮像管のインジウ
ムリングの電位をカソード電位もしくはそれ以下の電位
にして動作させることにより達成される。

【００１７】

【作用】光導電撮像管において、ターゲット電極を基板
上の電子ビーム走査領域に相当する部分に限定して設け
ると、ターゲット電極の浮遊容量が減るので、アンプノ
イズが減少し、Ｓ／Ｎが向上して高画質の映像が得られ
ることが一般に知られている。また、インジウムリング
を加圧して撮像管筐体にターゲット部を封止する際、基
板内面に延伸されたインジウムにより光導電膜が損傷す
るのを防ぐために、通常は光導電膜が延伸されたインジ
ウムの内径より小さくなるように構成されている。その
結果必然的に、光導電膜とインジウムリングの間に基板
表面が露出した領域が存在する。

【００１８】上記したような従来技術による撮像管で
は、先に述べたように、高感度化を図るためにターゲッ
ト印加電界を高めて使用したり、また、高解像度特性を
得るためにメッシュ電極を高めて使用すると、前記基板
露出部が、管内で発生する二次電子や電極壁で反射され
た散乱電子等の管内を迷走する電子の突入を受けて二次
電子を放出してプラスに帯電し、基板露出部の表面電位
が上昇するようになる。このように表面電位が上昇し始
めると、この露出部に引き込まれる迷走電子等の突入エ
ネルギが増すために二次電子の放出が増々活発になり、
前記基板露出部の表面電位は加速的に上昇してメッシュ
電極の電位に近づこうとする。このような状況下では、
前記基板露出部の高電位の領域が光導電膜内に侵入して
遂には有効走査領域内に達し、その結果、画像歪，シェ
ーヂィング，反転現象，さざなみ現象を引き起こすよう
になる。

【００１９】本発明では、前記基板露出部にインジウム
リングと電気的に導通した導電層、ないしは表面が凸凹
した多孔質層を形成し、撮像管の動作時に、前記インジ
ウムリングをカソード電位もしくはそれ以下の電位で使
用する。そのために、導電層、ないしは多孔質層に管内
の迷走電子が突入しても二次電子の放出が抑止され、そ
の結果、前述の画像歪，シェーヂィング，さざ波現象，
反転現象等の画像不良現象の発生が抑制されることにな
る。

【００２０】

【実施例】

〈実施例１〉図１は、本発明による撮像管の基本的な一
実施例を示し、図１（ａ）は撮像管ターゲット部を電子
ビーム走査側から見た平面図、図１（ｂ）は撮像管ター
ゲット部近傍の主要部分を示す断面図である。１は透光
性ガラス基板、２はターゲット電極、３は光導電膜、４
は電子ビーム走査側の表面層、５は基板を貫通して移植
された信号電極ピン、６は導電層、７の破線は有効走査
領域を示す境界線で、この内側が電子ビームにより走査
される。８は撮像管の外管、９はメッシュ電極、１０は
基板１を外管８に真空封着するためのインジウムリング
で、電気的には導電層６と接触させる。１１は走査電子
ビームである。

【００２１】ターゲット電極２と導電層６は同一材料で
形成してもよい。たとえば、酸化インジウム焼結体をス
パッタリング蒸着して得られる透明導電膜や、また酸素
雰囲気中でインジウムを抵抗加熱蒸着して得られる透明
導電膜をエッチング等の通常の方法で所望の形状に加工
して得ることが出来る。また、膜形成時に所定のマスク
を用いて蒸着を行うことにより所望の形状のターゲット
電極ならびに導電層を得ることもできる。更にまた、導
電層６は、必ずしも透明導電膜である必要はなく、金属
を蒸着して形成しても良い。この場合は、導電層が不透
明となり、外光を遮光する利点もある。これに加えて、
光導電膜の非走査領域に、二次電子放出比が有効走査域
の放出比より小さくなるような物質を設けると本発明の
効果は更に顕著となる。上記物質は、例えば、三硫化ア
ンチモンを窒素やアルゴン等の不活性ガス雰囲気中で蒸
着することにより得ることが出来る。

【００２２】また、図１において、導電層６の代わり
に、表面が凸凹した多孔質層を用いても良い。多孔質層
は、例えば上記と同様、三硫化アンチモンを窒素やアル
ゴン等の不活性ガス雰囲気中で蒸着することにより得る
ことが出来る。

【００２３】本発明は、撮像管の光導電膜に何らの制約
を付すものではなく、種々の光導電膜を有する撮像管に
適用し得る。中でも、光導電膜の少なくとも一部がＳｅ
ないしはＳｉを主体とする非晶質半導体からなる阻止型
構造の撮像管に本発明を実施すると、先に述べた画像不
良現象の発生を抑止した状態で高感度，高解像度，低残
像の極めて優れた画像が実現される。

【００２４】更に、光導電膜の内部で電荷のアバランシ
ェ増倍が起こる度にターゲット電圧を高めて使用する電
荷増倍型撮像管に本発明を適用すれば、動作時の画像
歪，シェーディング，さざ波現象，反転現象等の画像不
良現象の発生を抑止した状態で量子効率１を越える高い
感度が実現できる。

【００２５】以上、光導電型撮像管を例にとって本発明
を説明したが、基板としてＸ線に対する透過率の高いＢ
Ｎ基板等を用いれば、本発明をＸ線用撮像管にも適用す
ることができる。一般に、Ｘ線用撮像管では、入射Ｘ線
の吸収量を高めるために、Ｘ線導電膜（以下、特に区別
せず、総称して単に光導電膜と呼ぶ）の厚みを増し、タ
ーゲット電圧を高くして動作させる。そのため、先に述
べた画像不良現象が発生しやすくなるが、本発明によ
り、これを大幅に抑制することができる。

【００２６】〈実施例２〉図２により、本発明の第２の
実施例を説明する。図２（ａ）は撮像管ターゲット部を
電子ビーム走査側から見た平面図、図２（ｂ）は撮像管
ターゲット部の断面図である。

【００２７】１吋サイズの透光性ガラスからなる基板１
に穴をあけ信号電極ピン５を溶着する。次に、ガラス基
板１の片側全面に酸素ガス雰囲気中の活性蒸着法により
酸化インジュウムを主体とする透光性導電膜を２０ｎｍ
の膜厚に形成する。次に、アルゴンガス雰囲気中で、金
属マスクを用いてスパッタエッチングを行ない、有効走
査領域（９.５×１２.７mm）よりわずかに大きなターゲ
ット電極２，電極接続部ならびに内径２０mm，外径２４
mmのリング状の導電層６を同時に加工する。

【００２８】本実施例では、基板１を撮像管筺体８にイ
ンジウムリング１０で圧着する際の管内の機密性をより
高めるために、リング状の導電層６の外周を基板１の外
周より１mm程度小さくしている。

【００２９】次に、真空蒸着法により、ターゲット電極
２の上にφ２０mm，膜厚１０〜３０ｎｍの酸化セリウム
からなる正孔注入阻止層を形成し、更にその上に真空蒸
着法によりφ２０mm，膜厚１〜３０μｍのＳｅを主体と
する非晶質半導体からなる光導電膜３を形成する。次に
圧力０.１〜０.４Torrのアルゴンガス雰囲気中で三硫化
アンチモンを蒸着し、φ２０mm，膜厚０.１μｍの多孔
質性表面層４を形成し、撮像管ターゲット部を得る。

【００３０】以上のようにして得られた撮像管ターゲッ
ト部を撮像管筐体８にインジュウムリング１０でシール
し、内部を真空封止して、本実施例１の撮像管を得る。

【００３１】〈実施例３〉図３により、本発明の第３の
実施例を説明する。

【００３２】図３（ａ）は撮像管ターゲット部を電子ビ
ーム走査側から見た平面図、図３(ｂ)は撮像管ターゲッ
ト部の断面図である。

【００３３】１吋サイズの透光性ガラスからなる基板１
に穴をあけ信号電極ピン５を溶着する。次に、ガラス基
板１の片面の有効走査領域（９.５×１２.７mm）よりわ
ずかに大きな領域に、蒸着マスクを用いて、酸素ガス雰
囲気中の活性蒸着法により酸化インジュウムを主体とす
る膜厚２０ｎｍの透光性導電膜をターゲット電極２とし
て形成する。次に真空蒸着法により、金属マスクを用い
て内径１９mm，外径２４mm，膜厚５０ｎｍのＣｒからな
る導電層６を形成する。次に、実施例１と同様にして、
ターゲット電極２の上にφ２０mm，膜厚１０〜３０ｎｍ
の酸化セリュウムからなる正孔注入阻止層を形成し、更
に、その上に真空蒸着法によりφ２０mm，膜厚１〜３０
μｍのＳｅを主体とする非晶質半導体からなる光導電膜
３を形成する。次に圧力０.１〜０.４Torrのアルゴンガ
ス雰囲気中で三硫化アンチモンを蒸着し、φ２０mm，膜
厚０.１μｍの多孔質性表面層４を形成し、撮像管ター
ゲット部を得る。

【００３４】以上のようにして得られた撮像管ターゲッ
ト部を撮像管筐体８にインジュウム１０でシールし、内
部を真空封止して、本発明の撮像管を得る。

【００３５】本実施例の撮像管では、導電層６をＣｒ蒸
着膜で形成しているため、撮像管ターゲット部の光導電
膜外から入射する迷光を遮蔽できる。その結果、迷光が
メッシュ電極等で反射されて光導電膜の有効走査域に入
り、偽信号となって現われるフレア現象を防止する効果
もある。

【００３６】〈実施例４〉図４により、本発明の第４の
実施例を説明する。

【００３７】図４（ａ）は撮像管ターゲット部を電子ビ
ーム走査側から見た平面図、図４(ｂ)は撮像管ターゲッ
ト部の断面図である。

【００３８】１吋サイズの透光性ガラスからなる基板１
に穴をあけ信号電極ピン５を溶着する。次に、ガラス基
板１の片面の有効走査領域（９.５×１２.７mm）よりわ
ずかに大きな領域に、蒸着マスクを用いて、酸素ガス雰
囲気中の活性蒸着法により酸化インジュウムを主体とす
る膜厚２０ｎｍの透光性導電膜をターゲット電極２とし
て形成する。次に、実施例１と同様にして、ターゲット
電極２の上にφ２０mm，膜厚１０〜３０ｎｍの酸化セリ
ュウムからなる正孔注入阻止層を形成し、更にその上に
真空蒸着法によりφ２０mm，膜厚１〜３０μｍのＳｅを
主体とする非晶質半導体からなる光導電膜３を形成す
る。次に圧力０.１〜０.４Torrのアルゴンガス雰囲気中
で三硫化アンチモンを蒸着し、φ２０mm，膜厚０.１μ
ｍの多孔質性表面層４を形成する。さらに、圧力０.１
〜１.０Torrのアルゴンガス雰囲気中で三硫化アンチモ
ンを、金属マスクを用いて蒸着し、内径２０mm，外径２
４mm，膜厚０.２μｍのリング状の多孔質層を形成し、
撮像管ターゲット部を得る。

【００３９】このようにして得られた撮像管ターゲット
部を撮像管筐体８にインジュウム１０でシールし、内部
を真空封止して、本実施例の撮像管を得る。

【００４０】〈実施例５〉図５により、本発明の第５の
実施例を説明する。

【００４１】図５（ａ）は撮像管ターゲットを電子ビー
ム走査側から見た平面図、図５(ｂ)は撮像管ターゲット
の断面図である。

【００４２】厚み２mmの１吋サイズの絶縁性ＢＮ基板１
の有効走査領域に相当する部分に、Ｘ線に対する基板の
吸収をできるだけ少なくするために、広さ、１１mm×１
４mm，深さ１.５mm の穴を、機械切削により形成する。
次に、基板に穴をあけ信号電極ピン５をエポキシ系接着
剤により固定する。さらに、ＢＮ基板１の片面の有効走
査領域（９.５×１２.７mm）よりわずかに大きな領域
に、蒸着マスクを用いて、真空蒸着法により、Ａｌから
なる膜厚５０ｎｍの導電膜をターゲット電極２として形
成する。次に実施例２と同様にして導電層６，正孔注入
阻止層，膜厚４〜３０μｍのＳｅを主体とする非晶質半
導体からなる光導電膜３、ならびに多孔質性表面層４を
順次、形成し、Ｘ線用撮像管ターゲット部を得る。

【００４３】このようにして得られたＸ線用撮像管ター
ゲット部を撮像管筐体８にインジウムリング１０でシー
ルし、内部を真空封止して、本実施例のＸ線用撮像管を
得る。

【００４４】実施例１から４によって得られた撮像管を
テレビカメラに実装し、光導電膜の電界強度が約１×１
０⁸Ｖ／ｍになるような電圧をターゲット電極に印加
し、インジウムリングをカソード電位、もしくはそれ以
下の電位にして動作させたところ、いずれの撮像管を使
用したテレビカメラでも、前述のシェーディング等の不
良現象は全く認められなかった。特に、膜厚３０μｍの
Ｓｅを主体とする非晶質半導体からなる光導電膜を有す
る実施例の撮像管では、３０００Ｖ以上のターゲット電
圧を印加して使用しても、前述のシェーディング等の不
良現象は全く認められなかった。

【００４５】

【発明の効果】本発明によれば、画像歪，シェーディン
グ，さざ波現象，反転現象の発生を伴うことなしに、タ
ーゲット電極ないしはメッッシュ電極の電圧を高めて動
作しうる撮像管が得られるので、これによって、撮像管
の感度，解像度，残像等の諸特性が大幅に改善でき、高
品質の撮像システムが実現できる。

【００４６】本発明による撮像管は、高画質が要求され
るテレビジョンカメラ、特にハイビジョン用カメラに最
適であり、またＸ線像解析システムに適用すれば、高Ｓ
／Ｎの信号処理が可能になる等の効果が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る撮像管ターゲット部近傍の平面図
（ａ）および断面図（ｂ）。

【図２】本発明に係る撮像管ターゲット部の平面図
（ａ）および断面図（ｂ）。

【図３】本発明に係る撮像管ターゲット部の平面図
（ａ）および断面図（ｂ）。

【図４】本発明に係る撮像管ターゲット部の平面図
（ａ）および断面図（ｂ）。

【図５】本発明に係るＸ線用撮像管ターゲット部の平面
図（ａ）および断面図（ｂ）。

【符号の説明】

１…基板、２…ターゲット電極、３…光導電膜、４…電
子ビーム走査側の表面層、５…信号電極ピン、６…導電
層、７…電子ビームの有効走査領域を示す境界線、８…
撮像管の外管、９…メッシュ電極、１０…インジウムリ
ング、１１…走査電子ビーム。

フロントページの続き (72)発明者長妻一之東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者平井忠明東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者加藤務東京都世田谷区砧一丁目10番11号日本放送協会放送技術研究所内 (72)発明者鈴木四郎東京都世田谷区砧一丁目10番11号日本放送協会放送技術研究所内 (72)発明者谷岡健吉東京都世田谷区砧一丁目10番11号日本放送協会放送技術研究所内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】撮像管ターゲット部を、走査電子ビームを
発射させるための電子銃を内蔵した撮像管筐体にインジ
ウムリングを介して封着して成る撮像管において、前記
撮像管ターゲット部が、絶縁性の基板と、前記基板を貫
通して植設された信号電極ピンと、前記基板上の電子ビ
ーム走査領域に相当する部分に限定して設けたターゲッ
ト電極と、前記ターゲット電極と前記信号電極ピンを電
気的に接続するための電極接続部と、前記ターゲット電
極，前記信号電極ピン，前記電極接続部をカバーするよ
うに設けられた円形状の光導電膜と、リング状の導電層
とを含み、前記導電層の内周部が前記光導電膜の外周部
に接触し、前記導電層の外周部がインジウムリングに接
触してなることを特徴とする撮像管。
【請求項２】請求項１において、前記ターゲット電極な
らびに前記導電層が、酸化インジウムを主体とする透明
導電膜からなる撮像管。
【請求項３】請求項１において、前記導電層が、金属薄
膜からなる撮像管。
【請求項４】請求項１において、前記導電層が、Ａｌ，
Ａｕ，Ｐｔ，Ｃｒの中のいずれかを主成分とする蒸着膜
からなる撮像管。
【請求項５】撮像管ターゲット部を、走査電子ビームを
発射させるための電子銃を内蔵した撮像管筐体にインジ
ウムリングを介して封着して成る撮像管において、前記
撮像管ターゲット部が、絶縁性の基板と、前記基板を貫
通して植設された信号電極ピンと、前記基板上の電子ビ
ーム走査領域に相当する部分に限定して設けたターゲッ
ト電極と、前記ターゲット電極と前記信号電極ピンを電
気的に接続するための電極接続部と、前記ターゲット電
極，信号電極ピン、ならびに電極接続部をカバーするよ
うに設けられた円形状の光導電膜と、リング状の多孔質
層とを含み、前記リング状多孔質層の内周部が前記光導
電膜の外周部に接触し、前記リング状多孔質層の外周部
がインジウムリングに接触してなることを特徴とする撮
像管。
【請求項６】請求項１において、前記リング状多孔質層
が、三硫化アンチモンを主体とする薄膜からなる撮像
管。
【請求項７】請求項１，２，３，４，５または６におい
て、前記光導電膜の表面の非走査領域に、有効走査域内
の二次電子放出比より小さな二次電子放出比を有する多
孔質層を設ける撮像管。
【請求項８】請求項７において、前記多孔質層が、三硫
化アンチモンを主体とする薄膜からなる撮像管。
【請求項９】請求項１，２，３，４，５，６，７または
８において、前記光導電膜の少なくとも一部が、Ｓｅを
主体とする非晶質半導体からなる撮像管。
【請求項１０】請求項１，２，３，４，５，６，７，８
または９において、前記導電層を電子銃のカソード電極
と同電位もしくはそれ以下の電位にして使用する撮像管
の動作方法。
【請求項１１】請求項９または１０において、前記光導
電膜に、Ｓｅを主体とする非晶質半導層内で電荷のアバ
ランシェ増倍が生じるほどの電界を印加して使用する撮
像管の動作方法。