JPH05340807A - Infrared detector - Google Patents

Infrared detector

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JPH05340807A
JPH05340807A JP4153712A JP15371292A JPH05340807A JP H05340807 A JPH05340807 A JP H05340807A JP 4153712 A JP4153712 A JP 4153712A JP 15371292 A JP15371292 A JP 15371292A JP H05340807 A JPH05340807 A JP H05340807A
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JP
Japan
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circuit
fet
infrared detection
detection element
voltage
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Application number
JP4153712A
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Japanese (ja)
Inventor
Akira Kumada
明 久万田
Shogo Yoshino
彰吾 吉野
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Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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  • Radiation Pyrometers (AREA)

Abstract

PURPOSE:To stabilize the characteristics of an infrared detector and, at the same time, to improve the noise resistance of the detector and reduce the cost of the detector. CONSTITUTION:A power supply voltage is supplied to a pyroelectric infrared detection element 40 from a constant-voltage circuit 44 through a resistor 42 by using the FET 14 of the element 40 for source earthing. Because of the amplifying action of the FET 14, the amplification degree of an AC amplifier circuit 46 and the resistance of a feedback resistor 28 can be reduced and the stability and noise resistance of the circuit 46 can be improved. In addition, the cost of this infrared detector can be reduced.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、焦電型赤外線検出素子
を用いた赤外線検出装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an infrared detecting device using a pyroelectric infrared detecting element.

【0002】[0002]

【従来の技術】焦電型赤外線検出素子は微分型の赤外線
検出素子であり、赤外線入射量の変化を検出して電気信
号を出力する。焦電型赤外線検出素子は、高感度・安価
で常温動作が可能な赤外線検出素子であるため、防犯機
器・家電機器等の分野において人体検出装置として広く
用いられている。また、焦電型赤外線検出素子は微分型
であるため比較的簡単な回路構成により移動人体を検出
することができる。
2. Description of the Related Art A pyroelectric infrared detecting element is a differential type infrared detecting element, which detects a change in the incident amount of infrared rays and outputs an electric signal. Pyroelectric infrared detectors are infrared detectors that are highly sensitive, inexpensive, and capable of operating at room temperature, and are therefore widely used as human body detectors in the fields of crime prevention equipment and home appliances. Further, since the pyroelectric infrared detection element is a differential type, it is possible to detect a moving human body with a relatively simple circuit configuration.

【0003】焦電型赤外線検出素子は、図5に示される
ように、赤外線検出用の焦電体10を備えている。2個
の焦電体10は直列接続されており、入射される赤外線
の強度変化に応じて電荷を発生させる。この電荷は、焦
電体10と直列接続されている抵抗素子12によって電
圧に変換される。抵抗素子12の一端はFET14のゲ
ートに接続されており、このFET14は抵抗素子12
の両端に発生した電圧信号をインピーダンス変換する。
これら焦電体10、抵抗素子12及びFET14により
焦電型赤外線検出素子16が構成される。なお、図示し
ないが、焦電型赤外線検出素子16は、焦電体10、抵
抗素子12、FET14等を搭載するための基板を有し
ており、さらにこれらは赤外線を選択的に透過させるた
めの窓を有する筐体に収納される。
As shown in FIG. 5, the pyroelectric infrared detecting element has a pyroelectric body 10 for infrared detection. The two pyroelectric bodies 10 are connected in series and generate an electric charge according to the intensity change of the incident infrared rays. This electric charge is converted into a voltage by the resistance element 12 connected in series with the pyroelectric body 10. One end of the resistance element 12 is connected to the gate of the FET 14, and the FET 14 is
Impedance conversion of the voltage signal generated at both ends of the.
A pyroelectric infrared detection element 16 is composed of the pyroelectric body 10, the resistance element 12, and the FET 14. Although not shown, the pyroelectric infrared detection element 16 has a substrate on which the pyroelectric body 10, the resistance element 12, the FET 14 and the like are mounted, and these are for selectively transmitting infrared rays. It is housed in a housing having a window.

【0004】焦電型赤外線検出素子16は、交流増幅回
路18に接続される。交流増幅回路18は、図5に示さ
れるようにOPアンプ20を有している。FET14の
ドレインは電源に接続されており、交流増幅回路18に
はFET14のソースが接続される。FET14のソー
ス接地間には抵抗22が接続され、ソースに現れる信号
はコンデンサ24及び入力抵抗26を介してOPアンプ
20の反転入力端子に入力される。このように、FET
14はソースフォロワで使用されているため、ソース電
位はゲート電位の変化に応じて変化する。なお、ソース
電位はドレイン電位によっては変化しない。OPアンプ
20の反転入力端子には、抵抗22及びコンデンサ24
から構成される微分回路が接続されているため、このソ
ース電位は微分回路により微分され、OPアンプ20に
より増幅される。なお、OPアンプ20の出力は、抵抗
28及びコンデンサ30により反転入力端子に帰還され
ており、この抵抗28により増幅利得が設定される。
The pyroelectric infrared detection element 16 is connected to an AC amplification circuit 18. The AC amplifier circuit 18 has an OP amplifier 20 as shown in FIG. The drain of the FET 14 is connected to the power supply, and the source of the FET 14 is connected to the AC amplification circuit 18. A resistor 22 is connected between the sources of the FET 14 and the ground, and a signal appearing at the source is input to the inverting input terminal of the OP amplifier 20 via the capacitor 24 and the input resistor 26. In this way, FET
Since 14 is used as a source follower, the source potential changes according to the change of the gate potential. The source potential does not change depending on the drain potential. The inverting input terminal of the OP amplifier 20 has a resistor 22 and a capacitor 24.
Since the differentiating circuit composed of is connected, this source potential is differentiated by the differentiating circuit and amplified by the OP amplifier 20. The output of the OP amplifier 20 is fed back to the inverting input terminal by the resistor 28 and the capacitor 30, and the amplification gain is set by the resistor 28.

【0005】図6には、この従来例の全体回路構成が示
されている。この図に示されるように、焦電型赤外線検
出素子16は、筐体32に設けられた窓34を介して入
射される赤外線を受光し、赤外線入射量の変化に応じた
電圧を出力する。この電圧は、図5に示されるような構
成を有する交流増幅回路18によって60〜70dB程
度増幅され、後段の比較回路36によって所定の基準電
圧と比較される。交流増幅回路18の出力が基準電圧よ
り高い場合、焦電型赤外線検出素子16により移動人体
が検出されていると看做すことができるため、これに応
じてタイマ回路38が起動され、一定時間幅の検出パル
スが出力される。
FIG. 6 shows the entire circuit configuration of this conventional example. As shown in this figure, the pyroelectric infrared detection element 16 receives the infrared light incident through the window 34 provided in the housing 32, and outputs a voltage according to the change in the infrared incident amount. This voltage is amplified by about 60 to 70 dB by the AC amplification circuit 18 having the configuration shown in FIG. 5, and compared with a predetermined reference voltage by the comparison circuit 36 in the subsequent stage. When the output of the AC amplification circuit 18 is higher than the reference voltage, it can be considered that the moving human body is detected by the pyroelectric infrared detection element 16, and accordingly, the timer circuit 38 is activated for a certain period of time. The width detection pulse is output.

【0006】このように、焦電型赤外線検出素子16を
用いることにより、移動人体を好適に検出することがで
き、かつ当該検出装置を比較的容易に構成することがで
きる。
As described above, by using the pyroelectric infrared detecting element 16, the moving human body can be suitably detected, and the detecting device can be constructed relatively easily.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、焦電型
赤外線検出素子の出力振幅が微小であるために、従来に
おいては、交流増幅回路の増幅率として60〜70dB
程度の高い値が必要であった。すなわち、素子出力段の
FETは、電源電圧の変動による誤動作等を排除・防止
すべく、ソースフォロワで用いられ、出力電圧の変動が
生じないようドレインに電源電圧が印加されるようにし
ていた。反面、ソースフォロワの増幅率は1以下である
ため、出力振幅は小さくなり、後段の交流増幅回路の増
幅率を大きくしなければならなくなる。
However, since the output amplitude of the pyroelectric infrared detection element is very small, the amplification factor of the AC amplification circuit is conventionally 60 to 70 dB.
A high value was needed. That is, the FET in the element output stage is used as a source follower in order to eliminate or prevent malfunctions and the like due to fluctuations in the power supply voltage, and the power supply voltage is applied to the drain so that fluctuations in the output voltage do not occur. On the other hand, since the amplification factor of the source follower is 1 or less, the output amplitude becomes small and the amplification factor of the AC amplification circuit in the subsequent stage must be increased.

【0008】交流増幅回路の増幅率を上げるには、交流
増幅回路の帰還抵抗に高抵抗を用いざるを得ない。帰還
抵抗に高抵抗を用いた場合、この高抵抗と、この抵抗を
流れるOPアンプのバイアス電流とによって発生するオ
フセット電圧が大きくなり、交流増幅回路の安定性が低
下する原因となる。さらに、増幅率が高いために、交流
増幅回路が装置外部からの電池ノイズに敏感となってし
まい、誤動作の危険がある。誤動作の発生を防止するた
めには各種回路を付加する必要があり、このようなノイ
ズ対策により価格が上昇してしまう。
In order to increase the amplification factor of the AC amplifier circuit, a high resistance has to be used as the feedback resistor of the AC amplifier circuit. When a high resistance is used as the feedback resistance, the offset voltage generated by this high resistance and the bias current of the OP amplifier flowing through this resistance becomes large, which causes the stability of the AC amplification circuit to deteriorate. Furthermore, since the amplification factor is high, the AC amplifier circuit becomes sensitive to battery noise from the outside of the device, which may cause malfunction. It is necessary to add various circuits in order to prevent the occurrence of malfunction, and such measures against noise increase the price.

【0009】本発明は、このような問題点を解決するこ
とを課題としてなされたものであり、焦電型赤外線検出
素子から出力される信号の振幅を増大させることにより
交流増幅回路の増幅率を低下させ、安定性が良く、外部
からの電磁ノイズにも強い赤外線検出装置を提供するこ
とを目的とする。
The present invention has been made to solve the above problems, and increases the amplification factor of an AC amplifier circuit by increasing the amplitude of a signal output from a pyroelectric infrared detecting element. It is an object of the present invention to provide an infrared detection device that is reduced in stability, has good stability, and is resistant to electromagnetic noise from the outside.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明は、焦電型赤外線検出素子に電圧を印
加する電源が、当該印加電圧を定電圧化する手段を有
し、FETのドレインを交流増幅回路に接続すると共
に、抵抗を介して、電源に接続したこを特徴とする。
In order to achieve such an object, the present invention has a power source for applying a voltage to a pyroelectric infrared detecting element, which has means for making the applied voltage a constant voltage. It is characterized in that the drain of the FET is connected to an AC amplifier circuit and also connected to a power source through a resistor.

【0011】[0011]

【作用】本発明においては、焦電型赤外線検出素子に内
蔵されるFETと交流増幅回路の接続方法がソースフォ
ロワからソース接地に変更される。この結果、FETの
増幅率が増大し、焦電型赤外線検出素子の出力信号の振
幅が増大する。これにより、交流増幅回路の帰還抵抗の
値を小さくし、回路の安定度を向上させると共にノイズ
対策が実現される。また、FETの電源電圧は安定化さ
れており、ゲート電位の変化によるドレイン電位の変化
が生じても、抵抗があるためFETは安定的に動作す
る。
In the present invention, the method of connecting the FET and the AC amplifier circuit incorporated in the pyroelectric infrared detecting element is changed from the source follower to the source ground. As a result, the amplification factor of the FET increases and the amplitude of the output signal of the pyroelectric infrared detection element increases. As a result, the value of the feedback resistance of the AC amplifier circuit is reduced, the stability of the circuit is improved, and noise countermeasures are realized. Further, the power supply voltage of the FET is stabilized, and even if the drain potential changes due to the gate potential change, the FET operates stably because of the resistance.

【0012】[0012]

【実施例】以下、本発明の好適な実施例について図面に
基づき説明する。なお、図5及び図6に示される従来例
と同様の構成には同一の符号を付し説明を省略する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENT A preferred embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The same components as those in the conventional example shown in FIGS. 5 and 6 are designated by the same reference numerals and the description thereof will be omitted.

【0013】図1及び図2には、本発明の一実施例に係
る赤外線検出素子の構成が示されている。特に、図1に
は本実施例における焦電型赤外線検出素子及び交流増幅
回路の構成が、図2には全体回路構成が、それぞれ示さ
れている。
1 and 2 show the structure of an infrared detecting element according to an embodiment of the present invention. In particular, FIG. 1 shows the configuration of the pyroelectric infrared detection element and the AC amplification circuit in this embodiment, and FIG. 2 shows the overall circuit configuration.

【0014】まず、図1に示されるように、本実施例の
焦電型赤外線検出素子40は、2個の焦電体10、抵抗
素子12及びFET14から構成されている。この焦電
型赤外線検出素子40が従来例における焦電型赤外線検
出素子16と異なる点は、ソースフォロワではソース接
地で用いられている点である。すなわち、FET14の
ソースは抵抗22を介して接地されており、ドレインは
抵抗42を介して定電圧回路44に接続されている。
First, as shown in FIG. 1, the pyroelectric infrared detection element 40 of the present embodiment is composed of two pyroelectric bodies 10, a resistance element 12 and a FET 14. The pyroelectric infrared detection element 40 is different from the pyroelectric infrared detection element 16 in the conventional example in that the source follower is used with the source grounded. That is, the source of the FET 14 is grounded via the resistor 22, and the drain is connected to the constant voltage circuit 44 via the resistor 42.

【0015】さらに、この実施例における交流増幅回路
46は、図5に示される従来例の交流増幅回路18とほ
ぼ同様の構成を有しており、但し、OPアンプ20の非
反転入力端子への入力電圧をFETのドレインから得て
いる点と、抵抗22及びコンデンサ24の接続端を接地
している点が異なっている。
Further, the AC amplifier circuit 46 in this embodiment has substantially the same configuration as the AC amplifier circuit 18 of the conventional example shown in FIG. 5, except that the non-inverting input terminal of the OP amplifier 20 is connected to the AC amplifier circuit. The difference is that the input voltage is obtained from the drain of the FET and the connection end of the resistor 22 and the capacitor 24 is grounded.

【0016】図3及び図4には、この実施例の動作が示
されている。まず、図3(a)に示されるようなステッ
プ状の赤外線が焦電型赤外線検出素子の焦電体10に入
射されると、焦電体10は、図3(b)に示されるよう
に、入射赤外線量の変化に応じた電荷を発生させる。抵
抗素子12は、この電荷を電圧に変換し、FET14は
これをインピーダンス変換する。具体的には、焦電体1
0において発生した電荷によってFET14のゲート電
圧が変化し(図3(c))、この結果、FET14のド
レイン電流が変化する。ドレイン電流が変化すると、ド
レインと抵抗42の接続点の電位が変化する。この電位
は、交流増幅回路46の入力となる。このように、FE
T14をソース接地で用いているため、抵抗42の値を
適当な値と設定することにより、FET14により10
〜14dB程度信号を増幅することが可能となる。
The operation of this embodiment is shown in FIGS. First, when stepwise infrared rays as shown in FIG. 3 (a) are incident on the pyroelectric body 10 of the pyroelectric infrared detection element, the pyroelectric body 10 moves as shown in FIG. 3 (b). , Generate electric charges according to changes in the amount of incident infrared rays. The resistance element 12 converts this charge into a voltage, and the FET 14 converts this into impedance. Specifically, the pyroelectric body 1
The charge generated at 0 changes the gate voltage of the FET 14 (FIG. 3C), and as a result, the drain current of the FET 14 changes. When the drain current changes, the potential at the connection point between the drain and the resistor 42 changes. This potential becomes an input to the AC amplifier circuit 46. In this way, FE
Since T14 is used with the source grounded, by setting the value of the resistor 42 to an appropriate value,
It is possible to amplify the signal by about 14 dB.

【0017】このように、FET14により既に10〜
14dB程度増幅されている結果、交流増幅回路46の
増幅度は従来より低くてよくなる。すなわち、約60〜
70dB程度の合計の増幅度を確保しようとする場合、
交流増幅回路46は最大でも60dB程度の増幅度を有
していれば良い。
As described above, the FET 14 has already set 10 to 10.
As a result of being amplified by about 14 dB, the amplification degree of the AC amplification circuit 46 can be lower than in the conventional case. That is, about 60-
When trying to secure the total amplification of about 70 dB,
The AC amplifier circuit 46 may have an amplification degree of about 60 dB at the maximum.

【0018】発明者の実験結果では、抵抗42の抵抗値
を56kΩ、定電圧回路44の出力電圧を3.0Vとし
た場合、FET14における増幅度は13.9dB、交
流増幅回路46の増幅度は49.5dBとなった。従っ
て、この実施例によれば、交流増幅回路46の増幅度は
従来例に比較して約14〜20dB程度低下する。すな
わち、図4(b)と(c)の比較で示されるように、F
ET14のゲート電圧が同一でも、より大きな出力信号
が得られる。この結果、交流増幅回路46における帰還
抵抗28の抵抗値を従来に比べ1/5〜1/10に設定
することが可能になり、OPアンプ20におけるオフセ
ットを低減し、かつ回路の安定性を向上させることがで
きる。
According to the results of experiments by the inventor, when the resistance value of the resistor 42 is 56 kΩ and the output voltage of the constant voltage circuit 44 is 3.0 V, the amplification degree in the FET 14 is 13.9 dB and the amplification degree in the AC amplification circuit 46 is It became 49.5 dB. Therefore, according to this embodiment, the amplification degree of the AC amplifier circuit 46 is reduced by about 14 to 20 dB as compared with the conventional example. That is, as shown in the comparison between FIG. 4B and FIG.
Even with the same gate voltage of ET14, a larger output signal can be obtained. As a result, the resistance value of the feedback resistor 28 in the AC amplifier circuit 46 can be set to 1/5 to 1/10 of that in the conventional case, the offset in the OP amplifier 20 is reduced, and the stability of the circuit is improved. Can be made

【0019】また、この実施例においては、FET14
等に電源電圧を供給するため定電圧回路44が用いられ
ている。この定電圧回路44は、近年では、ICとして
安価に入手可能となっている。従って、この実施例の装
置を安価に製造することは比較的容易である。
In this embodiment, the FET 14
A constant voltage circuit 44 is used to supply a power supply voltage to the above. In recent years, the constant voltage circuit 44 has become available as an IC at low cost. Therefore, it is relatively easy to manufacture the device of this embodiment at low cost.

【0020】[0020]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
定電圧化された電源電圧を焦電型赤外線検出素子に印加
すると共に、焦電型赤外線検出素子に内蔵されるFET
をソース接地で用いることとしたため、焦電型赤外線検
出素子に内蔵されるFETの増幅動作により交流増幅回
路の増幅度の低減が可能となり、回路の安定性と対ノイ
ズ性が向上する。さらに、交流増幅回路の帰還抵抗の値
を低減することができるため、従来よりも特性は低いが
安価なOPアンプを用いて交流増幅回路を構成すること
が可能になり、安価な赤外線検出装置が実現される。
As described above, according to the present invention,
A FET incorporated in the pyroelectric infrared detection element while applying a constant power supply voltage to the pyroelectric infrared detection element
Since it is used with the source grounded, the amplification factor of the FET incorporated in the pyroelectric infrared detection element can reduce the amplification degree of the AC amplification circuit, and the stability and noise resistance of the circuit are improved. Further, since the value of the feedback resistance of the AC amplification circuit can be reduced, it becomes possible to configure the AC amplification circuit using an OP amplifier which has a characteristic lower than that of the conventional one but is inexpensive, and an inexpensive infrared detection device is provided. Will be realized.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る赤外線検出装置におけ
る焦電型赤外線検出素子及び交流増幅回路の構成を示す
回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a configuration of a pyroelectric infrared detection element and an AC amplification circuit in an infrared detection device according to an embodiment of the present invention.

【図2】この実施例の全体回路構成を示すブロック図で
ある。
FIG. 2 is a block diagram showing the overall circuit configuration of this embodiment.

【図3】この実施例における焦電型赤外線検出素子の動
作を示す図であり、図3(a)は入射赤外線を、図3
(b)は発生電荷を、図3(c)はゲート電圧を、それ
ぞれ示す波形図である。
FIG. 3 is a diagram showing the operation of the pyroelectric infrared detection element in this example, and FIG. 3 (a) shows incident infrared rays.
FIG. 3B is a waveform diagram showing the generated charge, and FIG. 3C is a waveform diagram showing the gate voltage.

【図4】この実施例の効果を示す図であり、図4(a)
はゲート電圧を、図4(b)は本実施例における出力信
号を、図4(c)は図5の従来例における出力信号を、
それぞれ示す波形図である。
FIG. 4 is a diagram showing an effect of this embodiment, and FIG.
Is the gate voltage, FIG. 4 (b) is the output signal in this embodiment, and FIG. 4 (c) is the output signal in the conventional example of FIG.
It is a waveform diagram respectively shown.

【図5】一従来例に係る赤外線検出装置、特にその焦電
型赤外線検出素子及び交流増幅回路の構成を示す回路図
である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a configuration of an infrared detection device according to a conventional example, particularly a pyroelectric infrared detection element and an AC amplification circuit thereof.

【図6】この従来例の全体回路構成を示すブロック図で
ある。
FIG. 6 is a block diagram showing the overall circuit configuration of this conventional example.

【符号の説明】 10 焦電体 12 抵抗素子 14 FET 20 OPアンプ 28 帰還抵抗 42 抵抗 44 定電圧回路 46 交流増幅回路[Explanation of reference numerals] 10 Pyroelectric body 12 Resistance element 14 FET 20 OP amplifier 28 Feedback resistance 42 Resistance 44 Constant voltage circuit 46 AC amplification circuit

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 赤外線入射量の変化を検出する焦電型赤
外線検出素子と、焦電型赤外線検出素子に電圧を印加す
る電源と、ゲートに焦電型赤外線検出素子が接続され当
該焦電型赤外線検出素子の出力をインピーダンス変換す
るFETと、FETの出力を増幅する交流増幅回路と、
を備える赤外線検出装置において、 電源が、焦電型赤外線検出素子に印加する電圧を定電圧
化する手段を有し、 FETのドレインを交流増幅回路に接続すると共に、抵
抗を介して電源に接続したことを特徴とする赤外線検出
装置。
1. A pyroelectric infrared detection element for detecting a change in an incident amount of infrared radiation, a power supply for applying a voltage to the pyroelectric infrared detection element, and a pyroelectric infrared detection element connected to a gate. An FET that impedance-converts the output of the infrared detection element, an AC amplifier circuit that amplifies the output of the FET,
In the infrared detection device including, the power supply has means for making the voltage applied to the pyroelectric infrared detection element a constant voltage, and the drain of the FET is connected to the AC amplification circuit and connected to the power supply via a resistor. An infrared detection device characterized by the above.
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