JPH05333090A - 光半導体素子の異常検出装置 - Google Patents
光半導体素子の異常検出装置Info
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- JPH05333090A JPH05333090A JP13694892A JP13694892A JPH05333090A JP H05333090 A JPH05333090 A JP H05333090A JP 13694892 A JP13694892 A JP 13694892A JP 13694892 A JP13694892 A JP 13694892A JP H05333090 A JPH05333090 A JP H05333090A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 光半導体素子の恒久的な異常だけでなく、一
時的な異常をも検出可能とした光半導体素子の異常検出
装置を提供する。 【構成】 光半導体素子の異常検出装置は、検出部１０
０と、記憶部となるＲＳフリップフロップ回路１０４
と、表示部となる異常光半導体素子識別用発光ダイオー
ド１０６とを有したものである。検出部１００は、被試
験光半導体素子１０３の駆動電流の変動、すなわち順方
向電流ＩF の遮断を検知し検知信号１００ａとしてハイ
レベルの電圧信号をＲＳフリップフロップ回路１０４に
出力する。ＲＳフリップフロップ回路１０４は、検出部
１００から検知信号１００ａが出力されたことを記憶
し、この記憶内容、すなわち被試験光半導体素子１０３
の順方向電流ＩF の遮断を示す表示信号１０４ａとして
ハイレベルの電圧信号を異常光半導体素子識別用発光ダ
イオード１０６に出力する。
時的な異常をも検出可能とした光半導体素子の異常検出
装置を提供する。 【構成】 光半導体素子の異常検出装置は、検出部１０
０と、記憶部となるＲＳフリップフロップ回路１０４
と、表示部となる異常光半導体素子識別用発光ダイオー
ド１０６とを有したものである。検出部１００は、被試
験光半導体素子１０３の駆動電流の変動、すなわち順方
向電流ＩF の遮断を検知し検知信号１００ａとしてハイ
レベルの電圧信号をＲＳフリップフロップ回路１０４に
出力する。ＲＳフリップフロップ回路１０４は、検出部
１００から検知信号１００ａが出力されたことを記憶
し、この記憶内容、すなわち被試験光半導体素子１０３
の順方向電流ＩF の遮断を示す表示信号１０４ａとして
ハイレベルの電圧信号を異常光半導体素子識別用発光ダ
イオード１０６に出力する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、フォトダイオード等
の光半導体素子の異常動作を検出するための光半導体素
子の異常検出装置に関するものである。
の光半導体素子の異常動作を検出するための光半導体素
子の異常検出装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来の光半導体素子の異常検出装
置の構成を示す回路図である。図２において、１ａは定
電流源、２ａは被試験対象となる光半導体素子（以下
「被試験光半導体素子」という。）、３ａは可視発光ダ
イオード３１ａおよびダイオード３２ａを直列に接続し
た被試験光半導体素子保護用バイパス回路である。
置の構成を示す回路図である。図２において、１ａは定
電流源、２ａは被試験対象となる光半導体素子（以下
「被試験光半導体素子」という。）、３ａは可視発光ダ
イオード３１ａおよびダイオード３２ａを直列に接続し
た被試験光半導体素子保護用バイパス回路である。
【０００３】図２に示すように、従来の光半導体素子の
異常検出装置は、並列接続した被試験光半導体素子２ａ
および被試験光半導体素子保護用バイパス回路３ａを定
電流源１ａに接続したものである。このように構成され
た従来の光半導体素子の異常検出装置は、被試験光半導
体素子２ａおよび被試験光半導体素子保護用バイパス回
路３ａのそれぞれに同じ値の順方向電流ＩF を流したと
き、被試験光半導体素子２ａの順方向電圧をＶF1とし、
可視発光ダイオード３１ａの順方向電圧のＶF2とし、ダ
イオード３２ａの順方向電圧をＶF3 とすると、
異常検出装置は、並列接続した被試験光半導体素子２ａ
および被試験光半導体素子保護用バイパス回路３ａを定
電流源１ａに接続したものである。このように構成され
た従来の光半導体素子の異常検出装置は、被試験光半導
体素子２ａおよび被試験光半導体素子保護用バイパス回
路３ａのそれぞれに同じ値の順方向電流ＩF を流したと
き、被試験光半導体素子２ａの順方向電圧をＶF1とし、
可視発光ダイオード３１ａの順方向電圧のＶF2とし、ダ
イオード３２ａの順方向電圧をＶF3 とすると、
【０００４】
【数１】ＶF1＜ＶF2＋ＶF3 の関係を満たすように構成されている。また、被試験光
半導体素子２ａおよび被試験光半導体素子保護用バイパ
ス回路３ａに同じ値の電圧を印加したとき、被試験光半
導体素子２ａの順方向電流をＩ F1とし、被試験光半導体
素子保護用バイパス回路３ａに流れる電流をＩF(D2+D3)
とした場合には〔数２〕の関係が成り立つ。
半導体素子２ａおよび被試験光半導体素子保護用バイパ
ス回路３ａに同じ値の電圧を印加したとき、被試験光半
導体素子２ａの順方向電流をＩ F1とし、被試験光半導体
素子保護用バイパス回路３ａに流れる電流をＩF(D2+D3)
とした場合には〔数２〕の関係が成り立つ。
【０００５】
【数２】ＩF1＞ＩF(D2+D3)≒０ このように構成された従来の光半導体素子の異常検出装
置を用いて、被試験光半導体素子２ａをスクリーニング
した場合、〔数２〕の関係より、定常状態では被試験光
半導体素子保護用バイパス回路３ａに電流がほとんど流
れず、被試験光半導体素子２ａのみに順方向電流ＩF1が
流れる。
置を用いて、被試験光半導体素子２ａをスクリーニング
した場合、〔数２〕の関係より、定常状態では被試験光
半導体素子保護用バイパス回路３ａに電流がほとんど流
れず、被試験光半導体素子２ａのみに順方向電流ＩF1が
流れる。
【０００６】一方、動作試験（バーン・イン）中に、順
方向電流ＩF1＝０となるような異常が被試験光半導体素
子２ａに発生して非定常状態になると、被試験光半導体
素子保護用バイパス回路３ａのみに電流が流れ、可視発
光ダイオード３１ａが点灯する。これにより、被試験光
半導体素子２ａの異常発生を検出することができる。な
お、被試験光半導体素子２ａが赤外波長発光ダイオード
の場合でも同様に異常発生の認識を行うことができる。
方向電流ＩF1＝０となるような異常が被試験光半導体素
子２ａに発生して非定常状態になると、被試験光半導体
素子保護用バイパス回路３ａのみに電流が流れ、可視発
光ダイオード３１ａが点灯する。これにより、被試験光
半導体素子２ａの異常発生を検出することができる。な
お、被試験光半導体素子２ａが赤外波長発光ダイオード
の場合でも同様に異常発生の認識を行うことができる。
【０００７】図２に示した被試験光半導体素子２および
被試験光半導体素子保護用バイパス回路３ａの並列回路
を複数段直列に接続することで、定常状態においては、
各被試験光半導体素子２ａに同じ値の順方向電流ＩF1を
流すことが可能であり、また、各被試験光半導体素子２
ａのうちのいずれかに順方向電流ＩF1＝０となる異常が
発生する非定常状態においては、この異常の発生した被
試験光半導体素子２ａａ並列接続した被試験光半導体素
子保護用バイパス回路３ａに電流を流すことにより、直
列接続した他の各被試験光半導体素子２ａには、影響を
与えることなく順方向電流ＩF1を流すことができる。こ
れにより、多数の光半導体素子を同一条件で容易に試験
することができる。
被試験光半導体素子保護用バイパス回路３ａの並列回路
を複数段直列に接続することで、定常状態においては、
各被試験光半導体素子２ａに同じ値の順方向電流ＩF1を
流すことが可能であり、また、各被試験光半導体素子２
ａのうちのいずれかに順方向電流ＩF1＝０となる異常が
発生する非定常状態においては、この異常の発生した被
試験光半導体素子２ａａ並列接続した被試験光半導体素
子保護用バイパス回路３ａに電流を流すことにより、直
列接続した他の各被試験光半導体素子２ａには、影響を
与えることなく順方向電流ＩF1を流すことができる。こ
れにより、多数の光半導体素子を同一条件で容易に試験
することができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うに構成された従来の光半導体素子の異常検出装置で
は、被試験光半導体素子２ａのワイヤーボンドの半断線
等に起因して、一時的に順方向電流ＩF1が遮断されるよ
うな異常を検出することができない。すなわち、一時的
に被試験光半導体素子２ａの順方向電流ＩF1が遮断さ
れ、再び正常な順方向電流ＩF1が流れるような場合に
は、一時的に可視発光ダイオード３１ａが点灯した後に
再び消灯することとなり、異常を認識することができな
いという問題があった。
うに構成された従来の光半導体素子の異常検出装置で
は、被試験光半導体素子２ａのワイヤーボンドの半断線
等に起因して、一時的に順方向電流ＩF1が遮断されるよ
うな異常を検出することができない。すなわち、一時的
に被試験光半導体素子２ａの順方向電流ＩF1が遮断さ
れ、再び正常な順方向電流ＩF1が流れるような場合に
は、一時的に可視発光ダイオード３１ａが点灯した後に
再び消灯することとなり、異常を認識することができな
いという問題があった。
【０００９】この発明の目的は、上記課題を解決するも
ので、光半導体素子の恒久的な異常だけでなく、一時的
な異常をも検出可能とした光半導体素子の異常検出装置
を提供することである。
ので、光半導体素子の恒久的な異常だけでなく、一時的
な異常をも検出可能とした光半導体素子の異常検出装置
を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明の光半導体素子
の異常検出装置は、光半導体素子の駆動電流の変動を検
知して検知信号を出力する検出部と、この検出部から検
知信号が出力されたことを記憶するとともに、この記憶
内容に基づいた表示信号を出力する記憶部と、この記憶
部から出力された表示信号に基づいて記憶部の記憶内容
を表示する表示部とを備えたものである。
の異常検出装置は、光半導体素子の駆動電流の変動を検
知して検知信号を出力する検出部と、この検出部から検
知信号が出力されたことを記憶するとともに、この記憶
内容に基づいた表示信号を出力する記憶部と、この記憶
部から出力された表示信号に基づいて記憶部の記憶内容
を表示する表示部とを備えたものである。
【００１１】
【作用】この発明の構成によれば、検出部により、被試
験対象となる光半導体素子の駆動電流の変動を検出して
検知信号を記憶部に出力する。記憶部では、検出部が検
知信号を出力したことを記憶するとともに、この記憶内
容に基づいた表示信号を表示部に出力する。これによ
り、一旦、検出部が記憶部に光半導体素子の駆動電流が
変動したことを示す検知信号を出力すると、その後の検
出部からの検知信号の出力の有無に関係なく、表示部に
より、光半導体素子に異常が起こったことを示す表示を
行うことができる。
験対象となる光半導体素子の駆動電流の変動を検出して
検知信号を記憶部に出力する。記憶部では、検出部が検
知信号を出力したことを記憶するとともに、この記憶内
容に基づいた表示信号を表示部に出力する。これによ
り、一旦、検出部が記憶部に光半導体素子の駆動電流が
変動したことを示す検知信号を出力すると、その後の検
出部からの検知信号の出力の有無に関係なく、表示部に
より、光半導体素子に異常が起こったことを示す表示を
行うことができる。
【００１２】
【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照しながら説明する。図１はこの発明の一実施例の光半
導体素子の異常検出装置の構成を示す回路図である。図
１において、１０１は定電流源、１０２はフォトダイオ
ードからなる発光部およびフォトトランジスタからなる
受光部を有したフォトカプラ、１０３は被試験対象とな
る光半導体素子（以下「被試験光半導体素子」とい
う。）であり、定電流源１０１および接地間に接続した
ものである。また、１０４は記憶部となるＲＳフリップ
フロップ回路、１０５はＲＳフリップフロップ回路１０
４のＳ入力およびフォトカプラ１０２の受光部に接続し
た抵抗、１０６はＲＳフリップフロップ回路１０４の出
力Ｑに接続した異常光半導体素子識別用発光ダイオード
である。
照しながら説明する。図１はこの発明の一実施例の光半
導体素子の異常検出装置の構成を示す回路図である。図
１において、１０１は定電流源、１０２はフォトダイオ
ードからなる発光部およびフォトトランジスタからなる
受光部を有したフォトカプラ、１０３は被試験対象とな
る光半導体素子（以下「被試験光半導体素子」とい
う。）であり、定電流源１０１および接地間に接続した
ものである。また、１０４は記憶部となるＲＳフリップ
フロップ回路、１０５はＲＳフリップフロップ回路１０
４のＳ入力およびフォトカプラ１０２の受光部に接続し
た抵抗、１０６はＲＳフリップフロップ回路１０４の出
力Ｑに接続した異常光半導体素子識別用発光ダイオード
である。
【００１３】また、１０７はダイオードであり、同じ値
の順方向電流ＩF が流れるとき、被試験光半導体素子１
０３の順方向電圧をＶF103とし、フォトカプラ１０２の
発光部の順方向電圧をＶF102とし、ダイオード１０７の
順方向電圧をＶF107とすると、
の順方向電流ＩF が流れるとき、被試験光半導体素子１
０３の順方向電圧をＶF103とし、フォトカプラ１０２の
発光部の順方向電圧をＶF102とし、ダイオード１０７の
順方向電圧をＶF107とすると、
【００１４】
【数３】ＶF103＜ＶF102＋ＶF107 になるように構成される。また、１０８はＲＳフリップ
フロップ回路１０４のＲ入力および駆動用電源１０９間
に介挿したリセットスイッチ、１０９はＲＳフリップフ
ロップ回路１０４および異常光半導体素子識別用発光ダ
イオード１０６の駆動用電源である。
フロップ回路１０４のＲ入力および駆動用電源１０９間
に介挿したリセットスイッチ、１０９はＲＳフリップフ
ロップ回路１０４および異常光半導体素子識別用発光ダ
イオード１０６の駆動用電源である。
【００１５】図１に示すように、光半導体素子の異常検
出装置は、フォトカプラ１０２，ダイオード１０７およ
び抵抗１０５からなる検出部１００と、記憶部となるＲ
Ｓフリップフロップ回路１０４と、表示部となる異常光
半導体素子識別用発光ダイオード１０６とを有したもの
である。検出部１００は、定電流源１０１による被試験
光半導体素子１０３の駆動電流の変動、すなわち順方向
電流ＩF の遮断を検知し検知信号１００ａとしてハイレ
ベルの電圧信号をＲＳフリップフロップ回路１０４のＳ
入力に出力するものである。ＲＳフリップフロップ回路
１０４は、検出部１００から検知信号１００ａが出力さ
れたことを記憶し、この記憶内容、すなわち被試験光半
導体素子１０３の順方向電流ＩF が遮断されたことを示
す表示信号１０４ａとしてハイレベルの電圧信号を異常
光半導体素子識別用発光ダイオード１０６に出力するも
のである。これにより、異常光半導体素子識別用発光ダ
イオード１０６はオン状態となって点灯する。
出装置は、フォトカプラ１０２，ダイオード１０７およ
び抵抗１０５からなる検出部１００と、記憶部となるＲ
Ｓフリップフロップ回路１０４と、表示部となる異常光
半導体素子識別用発光ダイオード１０６とを有したもの
である。検出部１００は、定電流源１０１による被試験
光半導体素子１０３の駆動電流の変動、すなわち順方向
電流ＩF の遮断を検知し検知信号１００ａとしてハイレ
ベルの電圧信号をＲＳフリップフロップ回路１０４のＳ
入力に出力するものである。ＲＳフリップフロップ回路
１０４は、検出部１００から検知信号１００ａが出力さ
れたことを記憶し、この記憶内容、すなわち被試験光半
導体素子１０３の順方向電流ＩF が遮断されたことを示
す表示信号１０４ａとしてハイレベルの電圧信号を異常
光半導体素子識別用発光ダイオード１０６に出力するも
のである。これにより、異常光半導体素子識別用発光ダ
イオード１０６はオン状態となって点灯する。
【００１６】ＲＳフリップフロップ回路１０４の記憶内
容は、リセットスイッチ１０８を操作してＲＳフリップ
フロップ回路１０４のＲ入力にハイレベル電圧を印加す
るまで、変わることがなく、ＲＳフリップフロップ回路
１０４はＱ出力から表示信号１０４ａとしてハイレベル
の電圧信号を出力し続ける。以下、このように構成した
光半導体素子の異常検出装置の動作を図１および〔表
１〕を参照しながら説明する。なお、〔表１〕は、ＲＳ
フリップフロップ回路１０４のＳ入力，Ｒ入力およびＱ
出力の状態を示す真理値表であり、Ｌはローレベル電
圧、Ｈはハイレベル電圧を示している。
容は、リセットスイッチ１０８を操作してＲＳフリップ
フロップ回路１０４のＲ入力にハイレベル電圧を印加す
るまで、変わることがなく、ＲＳフリップフロップ回路
１０４はＱ出力から表示信号１０４ａとしてハイレベル
の電圧信号を出力し続ける。以下、このように構成した
光半導体素子の異常検出装置の動作を図１および〔表
１〕を参照しながら説明する。なお、〔表１〕は、ＲＳ
フリップフロップ回路１０４のＳ入力，Ｒ入力およびＱ
出力の状態を示す真理値表であり、Ｌはローレベル電
圧、Ｈはハイレベル電圧を示している。
【００１７】
【表１】 定常状態では、定電流源１０１から供給される電流は、
〔数３〕の関係によりほとんど被試験光半導体素子１０
３のみに流れる。これにより、フォトカプラ１０２はオ
フ状態となり、また、フォトカプラ１０２から抵抗１０
５に供給される電流はほぼ０になる。したがって、抵抗
１０５によりＲＳフリップフロップ回路１０４のＳ入力
にローレベル電圧が印加される。すなわち、検出部１０
０により検知信号１００ａは出力されない。
〔数３〕の関係によりほとんど被試験光半導体素子１０
３のみに流れる。これにより、フォトカプラ１０２はオ
フ状態となり、また、フォトカプラ１０２から抵抗１０
５に供給される電流はほぼ０になる。したがって、抵抗
１０５によりＲＳフリップフロップ回路１０４のＳ入力
にローレベル電圧が印加される。すなわち、検出部１０
０により検知信号１００ａは出力されない。
【００１８】この際、ＲＳフリップフロップ回路１０４
のＲ入力にローレベル電圧を印加しておけば、Ｑ出力は
ホールド状態となる（状態）。したがって、スクリー
ニング開始時において、リセットスイッチ１０８をオン
状態とし、ＲＳフリップフロップ回路１０４のＲ入力に
ハイレベル電圧を印加することで、Ｑ出力はローレベル
出力となり（状態）、その後、リセットスイッチ１０
８をオフ状態とし、Ｒ入力にローレベル電圧を印加して
も（状態）、ＲＳフリップフロップ回路１０４のＳ入
力にローレベル電圧を印加する限り、ＲＳフリップフロ
ップ回路１０４のＱ出力はローレベル出力にホールドさ
れる。これにより、被試験光半導体素子１０３に順方向
電流ＩF が流れる定常状態では、異常光半導体素子識別
用発光ダイオード１０６に電流が流れることがなく、オ
フ状態となり点灯することがない。
のＲ入力にローレベル電圧を印加しておけば、Ｑ出力は
ホールド状態となる（状態）。したがって、スクリー
ニング開始時において、リセットスイッチ１０８をオン
状態とし、ＲＳフリップフロップ回路１０４のＲ入力に
ハイレベル電圧を印加することで、Ｑ出力はローレベル
出力となり（状態）、その後、リセットスイッチ１０
８をオフ状態とし、Ｒ入力にローレベル電圧を印加して
も（状態）、ＲＳフリップフロップ回路１０４のＳ入
力にローレベル電圧を印加する限り、ＲＳフリップフロ
ップ回路１０４のＱ出力はローレベル出力にホールドさ
れる。これにより、被試験光半導体素子１０３に順方向
電流ＩF が流れる定常状態では、異常光半導体素子識別
用発光ダイオード１０６に電流が流れることがなく、オ
フ状態となり点灯することがない。
【００１９】一方、スクリーニング中に被試験光半導体
素子１０３が異常を起こし、被試験光半導体素子１０３
の順方向電流ＩF が遮断されて非定常状態になったとす
ると、フォトカプラ１０２の発光部およびダイオード１
０７に電流が流れ、フォトカプラ１０２の受光部がオン
状態となる。これにより、電源１０９からフォトカプラ
１０２の受光部を介して抵抗１０５に電流が流れ、ＲＳ
フリップフロップ回路１０４のＳ入力はローレベル電圧
からハイレベル電圧に変化する（状態）。すなわち、
非定常状態となると、これを検出部１００が検知して検
知信号１００ａとなるハイレベルの電圧信号をＲＳフリ
ップフロップ回路１０４のＳ入力に出力する。
素子１０３が異常を起こし、被試験光半導体素子１０３
の順方向電流ＩF が遮断されて非定常状態になったとす
ると、フォトカプラ１０２の発光部およびダイオード１
０７に電流が流れ、フォトカプラ１０２の受光部がオン
状態となる。これにより、電源１０９からフォトカプラ
１０２の受光部を介して抵抗１０５に電流が流れ、ＲＳ
フリップフロップ回路１０４のＳ入力はローレベル電圧
からハイレベル電圧に変化する（状態）。すなわち、
非定常状態となると、これを検出部１００が検知して検
知信号１００ａとなるハイレベルの電圧信号をＲＳフリ
ップフロップ回路１０４のＳ入力に出力する。
【００２０】ＲＳフリップフロップ回路１０４では、Ｓ
入力にハイレベル電圧が印加されたことで、表示信号１
０４ａとなるＱ出力をハイレベル出力とする（状態
）。これにより、異常光半導体素子識別用発光ダイオ
ード１０６に電流が流れてオン状態となって点灯する。
このように、スクリーニング中に被試験光半導体素子１
０３が異常を起こして順方向電流ＩF が流れなくなる
と、異常光半導体素子識別用発光ダイオード１０６が点
灯する。これにより、被試験光半導体素子１０３の異常
を検出することができる。
入力にハイレベル電圧が印加されたことで、表示信号１
０４ａとなるＱ出力をハイレベル出力とする（状態
）。これにより、異常光半導体素子識別用発光ダイオ
ード１０６に電流が流れてオン状態となって点灯する。
このように、スクリーニング中に被試験光半導体素子１
０３が異常を起こして順方向電流ＩF が流れなくなる
と、異常光半導体素子識別用発光ダイオード１０６が点
灯する。これにより、被試験光半導体素子１０３の異常
を検出することができる。
【００２１】ここで、被試験光半導体素子１０３が一時
的に異常を起こすものであり、一旦遮断された被試験光
半導体素子１０３の順方向電流ＩF がスクリーニング中
に再び正常に流れたとする。被試験光半導体素子１０３
に順方向電流ＩF が流れると、フォトカプラ１０２の受
光部はオフ状態となり、ＲＳフリップフロップ回路１０
４のＳ入力には、ローレベル電圧が印加されることとな
る。しかし、リセットスイッチ１０８はオフ状態である
ため、ＲＳフリップフロップ回路１０４のＲ入力にはロ
ーレベル電圧が入力されたままであり（状態）、これ
により、ＲＳフリップフロップ回路１０４のＱ出力は、
ホールド状態となり、ハイレベル出力のままとなる。
的に異常を起こすものであり、一旦遮断された被試験光
半導体素子１０３の順方向電流ＩF がスクリーニング中
に再び正常に流れたとする。被試験光半導体素子１０３
に順方向電流ＩF が流れると、フォトカプラ１０２の受
光部はオフ状態となり、ＲＳフリップフロップ回路１０
４のＳ入力には、ローレベル電圧が印加されることとな
る。しかし、リセットスイッチ１０８はオフ状態である
ため、ＲＳフリップフロップ回路１０４のＲ入力にはロ
ーレベル電圧が入力されたままであり（状態）、これ
により、ＲＳフリップフロップ回路１０４のＱ出力は、
ホールド状態となり、ハイレベル出力のままとなる。
【００２２】その結果、異常光半導体素子識別用発光ダ
イオード１０６はオン状態のままとなり、点灯し続け
る。このように一旦、被試験光半導体素子１０３に順方
向電流ＩF が流れなくなると、その後、再び順方向電流
ＩF が正常に流れても、異常光半導体素子識別用発光ダ
イオード１０６はオン状態のままとなり、点灯し続け
る。
イオード１０６はオン状態のままとなり、点灯し続け
る。このように一旦、被試験光半導体素子１０３に順方
向電流ＩF が流れなくなると、その後、再び順方向電流
ＩF が正常に流れても、異常光半導体素子識別用発光ダ
イオード１０６はオン状態のままとなり、点灯し続け
る。
【００２３】したがって、被試験光半導体素子１０３の
恒久的な異常は言うまでもなく、一時的に順方向電流Ｉ
F が遮断されるという一時的な異常をも検出することが
できる。なお、異常光半導体素子識別用発光ダイオード
１０６は、リセットスイッチ１０８をオン状態とし、Ｒ
Ｓフリップフロップ回路１０４のＲ入力をハイレベル電
圧することで（状態）、消灯させることができる。
恒久的な異常は言うまでもなく、一時的に順方向電流Ｉ
F が遮断されるという一時的な異常をも検出することが
できる。なお、異常光半導体素子識別用発光ダイオード
１０６は、リセットスイッチ１０８をオン状態とし、Ｒ
Ｓフリップフロップ回路１０４のＲ入力をハイレベル電
圧することで（状態）、消灯させることができる。
【００２４】このように実施例によれば、被試験光半導
体素子１０３に異常が起こり、順方向電流ＩF が遮断さ
れると、検出部１００を構成するフォトカプラ１０２の
発光部に電流が流れ、これにより、フォトカプラ１０２
の受光部がオン状態となり、検知信号１００ａとして、
ＲＳフリップフロップ回路１０４のＳ入力にハイレベル
電圧を印加することによって、ＲＳフリップフロップ回
路１０４は、表示信号１０４ａとしてＱ出力をハイレベ
ル出力とする。これにより、異常光半導体素子識別用発
光ダイオード１０６はオン状態となって点灯する。そし
て、ＲＳフリップフロップ回路１０４のＱ出力は、一
旦、ハイレベル出力となると、リセットスイッチ１０８
を操作することでＲ入力にハイレベル電圧を印加しない
限り、Ｓ入力の状態、すなわち検出部１００による検知
信号１００ａの出力の有無に関係なく、ハイレベル出力
となる。したがって、被試験光半導体素子１０３の恒久
的な異常は言うまでもなく、一時的に順方向電流ＩF が
遮断されるという一時的な異常をも検出することができ
る。
体素子１０３に異常が起こり、順方向電流ＩF が遮断さ
れると、検出部１００を構成するフォトカプラ１０２の
発光部に電流が流れ、これにより、フォトカプラ１０２
の受光部がオン状態となり、検知信号１００ａとして、
ＲＳフリップフロップ回路１０４のＳ入力にハイレベル
電圧を印加することによって、ＲＳフリップフロップ回
路１０４は、表示信号１０４ａとしてＱ出力をハイレベ
ル出力とする。これにより、異常光半導体素子識別用発
光ダイオード１０６はオン状態となって点灯する。そし
て、ＲＳフリップフロップ回路１０４のＱ出力は、一
旦、ハイレベル出力となると、リセットスイッチ１０８
を操作することでＲ入力にハイレベル電圧を印加しない
限り、Ｓ入力の状態、すなわち検出部１００による検知
信号１００ａの出力の有無に関係なく、ハイレベル出力
となる。したがって、被試験光半導体素子１０３の恒久
的な異常は言うまでもなく、一時的に順方向電流ＩF が
遮断されるという一時的な異常をも検出することができ
る。
【００２５】なお、複数の光半導体素子を直列に接続
し、各光半導体素子に対して図１に示した検出部１０
０，ＲＳフリップフロップ回路１０４，リセットスイッ
チ１０８および異常光半導体素子識別用発光ダイオード
１０６を設けることで、１つの定電流源１０１で多数の
光半導体素子を同一の条件で試験することが可能とな
る。
し、各光半導体素子に対して図１に示した検出部１０
０，ＲＳフリップフロップ回路１０４，リセットスイッ
チ１０８および異常光半導体素子識別用発光ダイオード
１０６を設けることで、１つの定電流源１０１で多数の
光半導体素子を同一の条件で試験することが可能とな
る。
【００２６】
【発明の効果】この発明の光半導体素子の異常検出装置
によれば、検出部により、被試験対象となる光半導体素
子の駆動電流の変動を検出して検知信号を記憶部に出力
する。記憶部では、検出部が検知信号を出力したことを
記憶するとともに、この記憶内容に基づいた表示信号を
表示部に出力する。これにより、一旦、検出部が記憶部
に光半導体素子の駆動電流が変動したことを示す検知信
号を出力すると、その後の検出部からの検知信号の出力
の有無に関係なく、表示部により、光半導体素子に異常
が起こったことを示す表示を行うことができる。
によれば、検出部により、被試験対象となる光半導体素
子の駆動電流の変動を検出して検知信号を記憶部に出力
する。記憶部では、検出部が検知信号を出力したことを
記憶するとともに、この記憶内容に基づいた表示信号を
表示部に出力する。これにより、一旦、検出部が記憶部
に光半導体素子の駆動電流が変動したことを示す検知信
号を出力すると、その後の検出部からの検知信号の出力
の有無に関係なく、表示部により、光半導体素子に異常
が起こったことを示す表示を行うことができる。
【００２７】その結果、光半導体素子の恒久的な異常だ
けでなく、一時的に駆動電流が変動するという光半導体
素子の一時的な異常をも検出可能とした光半導体素子の
異常検出装置を得ることができる。
けでなく、一時的に駆動電流が変動するという光半導体
素子の一時的な異常をも検出可能とした光半導体素子の
異常検出装置を得ることができる。
【図１】この発明の一実施例の光半導体素子の異常検出
装置の構成を示す回路図である。
装置の構成を示す回路図である。
【図２】従来の光半導体素子の異常検出装置の構成を示
す回路図である。
す回路図である。
100 検出部 100a 検知信号 103 被試験光半導体素子（光半導体素子） 104 ＲＳフリップフロップ回路（記憶部） 104a 表示信号 106 異常光半導体素子識別用発光ダイオード（表示
部）
部）
Claims (1)
- 【請求項１】 光半導体素子の駆動電流の変動を検知し
て検知信号を出力する検出部と、この検出部から検知信
号が出力されたことを記憶するとともに、この記憶内容
に基づいた表示信号を出力する記憶部と、この記憶部か
ら出力された表示信号に基づいて前記記憶部の記憶内容
を表示する表示部とを備えた光半導体素子の異常検出装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13694892A JPH05333090A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 光半導体素子の異常検出装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13694892A JPH05333090A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 光半導体素子の異常検出装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05333090A true JPH05333090A (ja) | 1993-12-17 |
Family
ID=15187262
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13694892A Pending JPH05333090A (ja) | 1992-05-28 | 1992-05-28 | 光半導体素子の異常検出装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05333090A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006329892A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Mitsumi Electric Co Ltd | 受光装置 |
| JP2021121791A (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-26 | 富士通株式会社 | リセット制御回路およびリセット制御回路によるリセット方法 |
-
1992
- 1992-05-28 JP JP13694892A patent/JPH05333090A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006329892A (ja) * | 2005-05-27 | 2006-12-07 | Mitsumi Electric Co Ltd | 受光装置 |
| JP2021121791A (ja) * | 2020-01-31 | 2021-08-26 | 富士通株式会社 | リセット制御回路およびリセット制御回路によるリセット方法 |
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