JPH0532927B2 - - Google Patents

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JPH0532927B2
JPH0532927B2 JP685484A JP685484A JPH0532927B2 JP H0532927 B2 JPH0532927 B2 JP H0532927B2 JP 685484 A JP685484 A JP 685484A JP 685484 A JP685484 A JP 685484A JP H0532927 B2 JPH0532927 B2 JP H0532927B2
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JP
Japan
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ceramic
thickness direction
bulk
piezoelectric device
bulk wave
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Japanese (ja)
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JPS60150311A (en
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Toshio Ogawa
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Murata Manufacturing Co Ltd
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Priority to US06/645,301 priority patent/US4564782A/en
Priority to DE3432133A priority patent/DE3432133A1/en
Publication of JPS60150311A publication Critical patent/JPS60150311A/en
Publication of JPH0532927B2 publication Critical patent/JPH0532927B2/ja
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/54Filters comprising resonators of piezo-electric or electrostrictive material
    • H03H9/56Monolithic crystal filters
    • H03H9/562Monolithic crystal filters comprising a ceramic piezoelectric layer

Description

【発明の詳細な説明】 発明の分野 この発明は、セラミツクスの厚み方向に相互に
重なり合うように配置された複数個の内部電極を
備え、厚み方向に伝播するバルク波を利用した圧
電装置、たとえばセラミツク共振子またはセラミ
ツクフイルタなどの構造の改良に関する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Field of the Invention The present invention relates to a piezoelectric device, such as a ceramic piezoelectric device, which includes a plurality of internal electrodes arranged so as to overlap each other in the thickness direction of ceramics and utilizes bulk waves propagating in the thickness direction. This invention relates to improvements in structures such as resonators or ceramic filters.

発明の背景 第1図は、未だ公知ではないが、本願発明をな
す契機となつたセラミツクフイルタの一例を示す
斜視図である。セラミツクフイルタ1は、セラミ
ツクス2と、セラミツクス2内で厚み方向に相互
に重なり合うように平行に配置された複数個まの
内部電極3a…3j,4a…4jを有する。複数
個の内部電極3a…4jのうち、内部電極3a…
3jが一方の電極群を構成し、内部電極4a…4
jが他方の電極群を構成しており、各内部電極3
a…4jは、交互に図面上左右側面に引出されて
おり、電極群ごとに、外部電極13a,13b,
14a,14bに接続されている。セラミツクス
2は、図示のように矢印P方向に分極処理されて
おり、したがつて外部電極13a,13b(14
a,14b)を入力側外部電極として電圧を印加
すれば、内部電極間の距離に応じたバルク波が励
振され、該バルク波は矢印Aで示す実線のように
セラミツクス2の厚み方向に伝播し、他方の電極
群に伝わり、該バルク波の振動に基づき、他方の
外部電極14a,14b(13a,13b)より
出力が取出される。
BACKGROUND OF THE INVENTION FIG. 1 is a perspective view showing an example of a ceramic filter, which is not yet publicly known, but which led to the invention of the present application. The ceramic filter 1 includes a ceramic 2 and a plurality of internal electrodes 3a...3j, 4a...4j arranged in parallel so as to overlap each other in the thickness direction within the ceramic 2. Among the plurality of internal electrodes 3a...4j, internal electrodes 3a...
3j constitutes one electrode group, and internal electrodes 4a...4
j constitutes the other electrode group, and each internal electrode 3
a...4j are drawn out alternately to the left and right sides in the drawing, and for each electrode group, external electrodes 13a, 13b,
14a and 14b. Ceramics 2 is polarized in the direction of arrow P as shown in the figure, and therefore external electrodes 13a, 13b (14
a, 14b) as input-side external electrodes and apply a voltage, a bulk wave corresponding to the distance between the internal electrodes is excited, and the bulk wave propagates in the thickness direction of the ceramic 2 as shown by the solid line indicated by arrow A. , is transmitted to the other electrode group, and output is extracted from the other external electrodes 14a, 14b (13a, 13b) based on the vibration of the bulk wave.

第1図に示したようなセラミツクス内に複数個
の内部電極が平行に重なり合う構成を有する圧電
装置にあつては、多数のセラミツクシートおよび
内部電極となる電極パターンを積層した後焼結し
て作成されるため、極めて小型の圧電装置を構成
することができ、また内部電極の形成方法および
分極処理の方法を変更することにより、様々なイ
ンピーダンスの圧電装置を得ることができるとい
う、大きな利点を有する。
A piezoelectric device having a configuration in which a plurality of internal electrodes are stacked in parallel in ceramics as shown in Fig. 1 is manufactured by laminating and sintering a large number of ceramic sheets and electrode patterns that become internal electrodes. Therefore, it has the great advantage that it is possible to construct an extremely small piezoelectric device, and piezoelectric devices with various impedances can be obtained by changing the method of forming the internal electrodes and the method of polarization treatment. .

しかしながら、セラミツクス2と空気とは密度
差が極めて大きいため、第2図に略図的正面図で
示すようにバルク波Aが伝播するだけでなく、セ
ラミツクス2の厚み方向端部2a,2bで極めて
容易に反射されやすく、したがつてトリプル・ト
ランジツト・エコー(T.T.E.)と呼ばれる反射
波Bもまた伝播する。それゆえに、目的周波数の
バルク波以外のバルク波の伝播により、振幅特性
が大きく影響され、設計通りの特性を得られない
という欠点があつた。
However, since the density difference between the ceramic 2 and air is extremely large, the bulk wave A not only propagates as shown in the schematic front view in FIG. A reflected wave B, which is likely to be reflected by and is therefore called a triple transit echo (TTE), also propagates. Therefore, the amplitude characteristics are greatly affected by the propagation of bulk waves other than the bulk waves of the target frequency, resulting in a disadvantage that the characteristics as designed cannot be obtained.

上述のような問題点は、第1図に示したような
セラミツクフイルタ1に限らず、同様にセラミツ
クス2内に多数の内部電極を厚み方向に平行に重
なり合うように配置した構造の共振子あるいは遅
延素子においても存在し、したがつて上記のよう
な不要バルク波の除去が要望されていた。また、
このほかに、厚みすべり振動を利用したフイル
タ、共振子、遅延線などについても、厚み方向に
バルク波が伝搬するため、このようなものについ
ても同様に不要バルク波の除去が要望されてい
た。
The above-mentioned problem is not limited to the ceramic filter 1 shown in FIG. 1, but also applies to resonators or delay structures that have a structure in which a large number of internal electrodes are arranged in the ceramic 2 so as to overlap in parallel in the thickness direction. They also exist in devices, and therefore there has been a demand for the removal of unnecessary bulk waves as described above. Also,
In addition, since bulk waves propagate in the thickness direction of filters, resonators, delay lines, etc. that utilize thickness-shear vibration, there has also been a desire to remove unnecessary bulk waves from such devices as well.

発明の目的 この発明の目的は、上記欠点を解消し、スプリ
アスとなる不要バルク波の除去を可能とし、設計
通りの特性が得られる、圧電装置を提供すること
にある。
OBJECTS OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a piezoelectric device that eliminates the above-mentioned drawbacks, makes it possible to remove unnecessary bulk waves that become spurious, and provides characteristics as designed.

発明の構成 この発明は、要約すれば、少なくとも一部が分
極されたセラミツクスと、該セラミツクス内で厚
み方向に平行に重なり合う複数個の内部電極とを
備え、該セラミツクス内で厚み方向に伝播するバ
ルク波を利用する圧電装置において、セラミツク
スの厚み方向端面の少なくとも一方に、利用バル
ク波以外のスプリアスを発生させるバルク波を除
去するためのバルク波除去手段が設けられている
ことを特徴とする、圧電装置である。
Composition of the Invention In summary, the present invention includes a ceramic whose at least a portion is polarized, a plurality of internal electrodes that overlap in parallel in the thickness direction within the ceramic, and a bulk that propagates in the thickness direction within the ceramic. A piezoelectric device that uses waves, characterized in that at least one end face in the thickness direction of the ceramic is provided with a bulk wave removal means for removing bulk waves that generate spurious waves other than the utilized bulk waves. It is a device.

以下、この発明の実施例を図面を参照しつつ説
明することにより、この発明の特徴を明らかにす
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The features of the present invention will be clarified by describing embodiments of the present invention with reference to the drawings.

実施例の説明 第3図は、この発明の第1の実施例を説明する
ための部分切欠き断面図であり、第4図はセラミ
ツクスの厚み方向端面を示す底面図である。第3
図および第4図から明らかなように、この実施例
では、第1図に示したセラミツクフイルタ1のセ
ラミツクス2の厚み方向一方端面2bに、不要バ
ルク波除去手段として複数個の溝21が形成され
ている。溝21の底部22は、図示のように端面
2bと平行にされており、かつ溝21の深さd
は、バルク波の波長をλとしたとき、 2d=(n+1/2)λ (但し、n=0、1、2…)の関係を満足するよ
うに溝21が形成されている。したがつて、端面
2dで反射されたバルク波Cと、溝21の底部2
2で反射されたバルク波Dとは、位相が半波長ず
れるため、お互いに打ち消し合うことになる。よ
つて、反射バルク波を効果的に除去し得ることが
わかる。
DESCRIPTION OF EMBODIMENTS FIG. 3 is a partially cutaway sectional view for explaining a first embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a bottom view showing an end face in the thickness direction of ceramics. Third
As is clear from the figures and FIG. 4, in this embodiment, a plurality of grooves 21 are formed in one end surface 2b in the thickness direction of the ceramic 2 of the ceramic filter 1 shown in FIG. 1 as means for removing unnecessary bulk waves. ing. The bottom 22 of the groove 21 is parallel to the end surface 2b as shown, and the depth d of the groove 21 is
The grooves 21 are formed so as to satisfy the relationship 2d=(n+1/2)λ (where n=0, 1, 2, . . . ), where λ is the wavelength of the bulk wave. Therefore, the bulk wave C reflected by the end face 2d and the bottom 2 of the groove 21
Since the phase of the bulk wave D reflected by the wave D is shifted by half a wavelength, they cancel each other out. Therefore, it can be seen that reflected bulk waves can be effectively removed.

なお、第3図および第4図に示した実施例で
は、溝21が図示のように形成されていたが、好
ましくは、複数個の溝21の底部22の総面積を
端面2bの残りの面積と等しくすることにより、
端面2bと溝21の底部22とにより反射される
各バルク波を等しくすることができ、したがつて
効果的に不要バルク波の除去を果たすことが可能
となる。もつとも、バルク波が厚み方向に伝播す
るのは内部電極が相互に重なり合つた部分のセラ
ミツクスのみであるから、内部電極が相互に重な
り合つた部分に相当する部分内にのみ溝21を形
成してもよい。なお、溝21の形状および分散の
させ方についても、図示のものに限らず、任意の
定め得ることを指摘しておく。
In the embodiment shown in FIGS. 3 and 4, the grooves 21 are formed as shown, but preferably the total area of the bottoms 22 of the plurality of grooves 21 is the remaining area of the end surface 2b. By making it equal to
The bulk waves reflected by the end face 2b and the bottom 22 of the groove 21 can be made equal, and therefore unnecessary bulk waves can be effectively removed. However, since bulk waves propagate in the thickness direction only in the ceramic parts where the internal electrodes overlap each other, the grooves 21 are formed only in the parts corresponding to the parts where the internal electrodes overlap each other. Good too. It should be noted that the shape of the grooves 21 and the method of dispersion thereof are not limited to those shown in the drawings, and may be arbitrarily determined.

第5図は、この発明の第2の実施例を説明する
ための略図的正面図である。第5図から明らかな
ように、ここではバルク波除去手段として、セラ
ミツクス2の厚み方向一方端面2bが内部電極4
i,4j(想像線で示す)に平行でない平面に形
成されている。したがつて、バルク波Eは端面2
bで図示のように反射され、内部電極4i,4j
の存在しない方向に反射される。よつて、反射バ
ルク波によるスプリアスを効果的に低減し得るこ
とがわかる。
FIG. 5 is a schematic front view for explaining a second embodiment of the invention. As is clear from FIG. 5, one end surface 2b in the thickness direction of the ceramic 2 is used as a bulk wave removing means here to form an internal electrode 4.
It is formed on a plane that is not parallel to i and 4j (shown by imaginary lines). Therefore, the bulk wave E is the end face 2
b as shown in the figure, and the internal electrodes 4i, 4j
reflected in a direction that does not exist. Therefore, it can be seen that spurious caused by reflected bulk waves can be effectively reduced.

なお、第5図に示した実施例においてθで示す
角度すなわち端面2bの傾斜角度θと、反射係数
とには、第6図にグラフで示すような関係があ
る。したがつて、θ≧10°とすれば反射係数はθ
=0°に比べて80%小さくなることがわかる。よつ
て、傾斜角度θは、10°以上であることが好まし
い。
In the embodiment shown in FIG. 5, the angle indicated by θ, that is, the inclination angle θ of the end face 2b, and the reflection coefficient have a relationship as shown in the graph in FIG. Therefore, if θ≧10°, the reflection coefficient is θ
= 80% smaller than 0°. Therefore, it is preferable that the inclination angle θ is 10° or more.

なお、この発明の第2の実施例では、第5図に
示したように端面2bを単に傾斜させるだけでな
く、バルク波を内部電極の存在しない方向に反射
することさえ可能であれば、様々に端面2bを形
成し得る。たとえば、第7図に示すように端面2
bを円筒の側面のような曲面に形成してもよく、
あるいは球面のように処理してもよい。
In addition, in the second embodiment of the present invention, in addition to simply tilting the end surface 2b as shown in FIG. The end surface 2b can be formed at the end surface 2b. For example, as shown in FIG.
b may be formed into a curved surface like the side surface of a cylinder,
Alternatively, it may be treated like a spherical surface.

第8図は、この発明の第3の実施例を説明する
ための略図的正面図である。第8図に示した実施
例では、不要バルク波除去手段として、セラミツ
クス2の厚み方向一方端面2bに無秩序に凹部3
1が形成されている。複数個の凹部31の平均深
さxは、バルク波の波長をλとしたとき、x≧
λ/2程度に選ばれる。平均深さxを、上記関係
を満たすように溝31を形成することにより、端
面2bに直進してきたバルク波は、複数個の溝3
1により無秩序に反射され散乱することになる。
したがつて、内部電極方向に反射されるバルク波
を効果的に除去し得ることがわかる。
FIG. 8 is a schematic front view for explaining a third embodiment of the invention. In the embodiment shown in FIG. 8, as unnecessary bulk wave removal means, recesses 3 are formed randomly on one end surface 2b of the ceramic 2 in the thickness direction.
1 is formed. The average depth x of the plurality of recesses 31 is x≧, where λ is the wavelength of the bulk wave.
It is selected to be about λ/2. By forming the grooves 31 so that the average depth x satisfies the above relationship, the bulk waves that have proceeded straight to the end surface 2b are transmitted through the plurality of grooves 3.
1, the light is reflected and scattered in a disorderly manner.
Therefore, it can be seen that bulk waves reflected toward the internal electrodes can be effectively removed.

なお、溝31は、セラミツクス2の焼結後に加
工してもよく、あるいは焼結前のセラミツクスグ
リーンシートの積層・圧着時に同時に形成しても
よい。
Note that the grooves 31 may be formed after the ceramics 2 are sintered, or may be formed simultaneously when the ceramic green sheets are laminated and pressed before sintering.

第9図は、この発明の第4の実施例を説明する
ための略図的正面図である。第9図に示した実施
例では、バルク波除去手段として、セラミツクス
2と同程度の音響インピーダンスを有する吸音層
41がセラミツクス2の厚み方向一方端面2bに
付着されている。吸音層41としては、PZT型
セラミツクス2の場合には、比重が約8であるた
め、PZT粉末や鉛などの比重の比較的大きな金
属粉末、または、たとえばPbO、Nb2O5などの酸
化物等を混入した吸音材を用いることにより、セ
ラミツクス2と同程度の音響インピーダンスとす
ることができる。この実施例では、セラミツクス
と同等の音響インピーダンスを有する吸音層41
が、セラミツクス2の厚み方向一方端面2bに付
着されているため、厚み方向一方端面2bに向か
つて伝播してきたバルク波は吸音層41により効
果的に吸収される。したがつて、不要バルク波の
発生を効果的に防止することができる。
FIG. 9 is a schematic front view for explaining a fourth embodiment of the invention. In the embodiment shown in FIG. 9, a sound absorbing layer 41 having an acoustic impedance comparable to that of the ceramic 2 is attached to one end surface 2b of the ceramic 2 in the thickness direction as a bulk wave removing means. In the case of PZT type ceramics 2, the sound absorption layer 41 has a specific gravity of about 8, so a metal powder with a relatively high specific gravity such as PZT powder or lead, or an oxide such as PbO or Nb 2 O 5 is used as the sound absorbing layer 41. By using a sound absorbing material mixed with the like, it is possible to achieve an acoustic impedance comparable to that of the ceramics 2. In this embodiment, a sound absorbing layer 41 having an acoustic impedance equivalent to that of ceramics is used.
is attached to one end surface 2b in the thickness direction of the ceramics 2, so that the bulk waves propagating toward the one end surface 2b in the thickness direction are effectively absorbed by the sound absorbing layer 41. Therefore, generation of unnecessary bulk waves can be effectively prevented.

なお、第9図に示した実施例において、吸音層
41は図示のように厚み方向端面2b全面にわた
り付着されずともよく、バルク波の伝播する可能
性のある部分にのみ付着してもよい。
In the embodiment shown in FIG. 9, the sound absorbing layer 41 does not need to be attached over the entire thickness direction end face 2b as shown in the figure, but may be attached only to a portion where bulk waves may propagate.

この発明は、以上のように、4種類のバルク波
除去手段を含むものであるが、各実施例において
説明されたバルク波除去手段を適宜組合わせても
よく、それによつて、より効果的に反射バルク波
を除去することができる。一例として、第8図に
示した実施例と第9図に示した実施例とにおける
バルク波除去手段を組合わせた場合の具体的実験
例を説明する。
As described above, this invention includes four types of bulk wave removing means, but the bulk wave removing means explained in each embodiment may be combined as appropriate, thereby more effectively removing reflected bulk waves. Waves can be removed. As an example, a specific experimental example will be described in which the bulk wave removal means in the embodiment shown in FIG. 8 and the embodiment shown in FIG. 9 are combined.

チタン酸鉛系セラミツクス2を用い、直径1mm
の複数の内部電極を該セラミツクス2内に電極間
間隔100μm、伝播距離200μm、電極対数4.5対と
なるように配置したセラミツクフイルタを作成
し、セラミツクス2の厚み方向一方端面2bに平
均深さxがλ/2より大きな凹部を無秩序に形成
し、かつさらに吸音層41を付着したところ、第
10図に実線で示すような出力周波数特性を得る
ことができた。なお、比較のために、処理前の特
性を破線で第10図に示す。両特性曲線の比較か
ら明らかなように、処理前のセラミツクフイルタ
では多数のスプリアスが発生しているのに対し、
この発明のセラミツクフイルタではほぼ設計通り
の特性曲線が得られていることがわかる。
Made of lead titanate ceramics 2, diameter 1mm
A ceramic filter was prepared in which a plurality of internal electrodes were arranged in the ceramic 2 so that the inter-electrode spacing was 100 μm, the propagation distance was 200 μm, and the number of electrode pairs was 4.5. When recesses larger than λ/2 were formed randomly and a sound absorbing layer 41 was further attached, an output frequency characteristic as shown by the solid line in FIG. 10 could be obtained. For comparison, the characteristics before treatment are shown in FIG. 10 by broken lines. As is clear from the comparison of both characteristic curves, the ceramic filter before treatment generates a large number of spurious signals, whereas
It can be seen that the ceramic filter of this invention has a characteristic curve almost as designed.

発明の効果 以上のように、この発明によれば、少なくとも
一部が分極処理されたセラミツクスと、該セラミ
ツクス内で厚み方向に平行に重なり合う複数個の
内部電極とを備え、セラミツクス内で厚み方向に
伝播するバルク波を利用する圧電装置において、
セラミツクスの厚み方向端面の少なくとも一方
に、利用バルク波以外のスプリアスを発生させる
バルク波を除去するためのバルク波除去手段が設
けられているため、不要バルク波の影響を効果的
に解消することができ、したがつて説明通りの特
性を有する圧電装置を得ることができる。
Effects of the Invention As described above, according to the present invention, the ceramic is provided with a ceramic at least partially polarized, and a plurality of internal electrodes that overlap in parallel in the thickness direction within the ceramic. In piezoelectric devices that utilize propagating bulk waves,
At least one end face in the thickness direction of the ceramic is provided with a bulk wave removal means for removing bulk waves that generate spurious waves other than the utilized bulk waves, so that the influence of unnecessary bulk waves can be effectively eliminated. , and thus a piezoelectric device having the properties as described can be obtained.

この発明は、フイルタに限らず、共振子あるい
は遅延素子など様々な圧電装置に適用し得るもの
であることを指摘しておく。
It should be pointed out that the present invention is applicable not only to filters but also to various piezoelectric devices such as resonators and delay elements.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は、この発明をなす契機となつたセラミ
ツクフイルタの一例を示す斜視図である。第2図
は、第1図に示したセラミツクフイルタの問題点
を説明するための略図的正面図である。第3図お
よび第4図は、この発明の第1の実施例を説明す
るための部分切欠き断面図および底面図を示す。
第5図は、この発明の第2の実施例を説明するた
めの部分切欠き正面図である。第6図は、第5図
に示した実施例における傾斜角度θと反射係数の
関係を示す図である。第7図は、第5図に示した
実施例の変形を示す略図的正面図である。第8図
は、この発明の第3の実施例を説明するための部
分切欠き正面図である。第9図は、この発明の第
4の実施例を説明するための部分切欠き正面図で
ある。第10図は、第8図に示した実施例と第9
図に示した実施例とを組合わせた形式のセラミツ
クフイルタの特性を説明するための図である。 図において、2はセラミツクス、2a,2bは
セラミツクスの厚み方向端面、3a…3j、4a
…4jは内部電極、21はバルク波除去手段とし
ての溝、22は溝の底部、31はバルク波除去手
段としての凹部、41はバルク波除去手段として
の吸音層を示す。
FIG. 1 is a perspective view showing an example of the ceramic filter that led to the invention. FIG. 2 is a schematic front view for explaining the problems of the ceramic filter shown in FIG. 1. 3 and 4 show a partially cutaway sectional view and a bottom view for explaining the first embodiment of the present invention.
FIG. 5 is a partially cutaway front view for explaining a second embodiment of the invention. FIG. 6 is a diagram showing the relationship between the inclination angle θ and the reflection coefficient in the embodiment shown in FIG. 7 is a schematic front view showing a modification of the embodiment shown in FIG. 5. FIG. FIG. 8 is a partially cutaway front view for explaining a third embodiment of the present invention. FIG. 9 is a partially cutaway front view for explaining a fourth embodiment of the present invention. FIG. 10 shows the embodiment shown in FIG. 8 and the embodiment shown in FIG.
FIG. 2 is a diagram for explaining the characteristics of a ceramic filter that is a combination of the embodiment shown in the figure. In the figure, 2 is a ceramic, 2a, 2b are end faces of the ceramic in the thickness direction, 3a...3j, 4a
...4j is an internal electrode, 21 is a groove as a bulk wave removing means, 22 is a bottom of the groove, 31 is a recessed portion as a bulk wave removing means, and 41 is a sound absorbing layer as a bulk wave removing means.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 少なくとも一部が分極処理されたセラミツク
スと、該セラミツクス内で厚み方向に平行に重な
り合う複数個の内部電極とを備え、前記セラミツ
クス内で厚み方向に伝播するバルク波を利用する
圧電装置において、 前記セラミツクスの厚み方向端面の少なくとも
一方に、利用バルク波以外のスプリアスを発生さ
せるバルク波を除去するためのバルク波除去手段
が設けられていることを特徴とする、圧電装置。 2 前記バルク波除去手段は、前記セラミツクス
の厚み方向端面に平行な底部を有する複数個の溝
であり、該溝の深さdは、2d=(n+1/2)λ
(但し、nは0または整数、λはバルク波の波長)
を満たすように選ばれている、特許請求の範囲第
1項記載の圧電装置。 3 前記複数個の溝の底部の総面積は、溝の形成
された端面の残りの部分の総面積と等しくされて
いる、特許請求の範囲第2項記載の圧電装置。 4 前記バルク波除去手段は、前記セラミツクス
の厚み方向端面に形成された曲面または前記内部
電極に平行でない平面である、特許請求の範囲第
1項記載の圧電装置。 5 前記バルク波除去手段は、前記セラミツクス
の厚み方向端面に無秩序に形成された複数個の凹
部であり、該凹部の平均深さxは、x≧λ/2
(λは、バルク波の波長)を満たすように選ばれ
ている、特許請求の範囲第1項記載の圧電装置。 6 前記バルク波除去手段は、前記セラミツクス
の厚み方向端面に付着された吸音層からなり、該
吸音層はセラミツクスと同程度の音響インピーダ
ンスを有するものである、特許請求の範囲第1項
記載の圧電装置。
[Claims] 1. Comprising a ceramic at least partially polarized and a plurality of internal electrodes overlapping in parallel in the thickness direction within the ceramic, utilizing bulk waves propagating in the thickness direction within the ceramic. A piezoelectric device, characterized in that at least one of the end faces in the thickness direction of the ceramic is provided with a bulk wave removing means for removing bulk waves that generate spurious waves other than the utilized bulk waves. 2. The bulk wave removing means is a plurality of grooves having bottoms parallel to the end face in the thickness direction of the ceramic, and the depth d of the grooves is 2d=(n+1/2)λ.
(However, n is 0 or an integer, and λ is the wavelength of the bulk wave)
The piezoelectric device according to claim 1, which is selected so as to satisfy the following. 3. The piezoelectric device according to claim 2, wherein the total area of the bottoms of the plurality of grooves is equal to the total area of the remaining portion of the end face where the grooves are formed. 4. The piezoelectric device according to claim 1, wherein the bulk wave removing means is a curved surface formed on an end face in the thickness direction of the ceramic or a plane that is not parallel to the internal electrode. 5. The bulk wave removing means is a plurality of recesses randomly formed on the end face in the thickness direction of the ceramic, and the average depth x of the recesses satisfies x≧λ/2.
The piezoelectric device according to claim 1, wherein the piezoelectric device is selected so as to satisfy (λ is the wavelength of the bulk wave). 6. The piezoelectric device according to claim 1, wherein the bulk wave removing means comprises a sound absorbing layer attached to the end face in the thickness direction of the ceramic, and the sound absorbing layer has an acoustic impedance comparable to that of the ceramic. Device.
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