JPH05291869A - Surface acoustic wave device - Google Patents

Surface acoustic wave device

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JPH05291869A
JPH05291869A JP8894492A JP8894492A JPH05291869A JP H05291869 A JPH05291869 A JP H05291869A JP 8894492 A JP8894492 A JP 8894492A JP 8894492 A JP8894492 A JP 8894492A JP H05291869 A JPH05291869 A JP H05291869A
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comb
acoustic wave
electrode
surface acoustic
electrode fingers
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Michio Kadota
道雄 門田
Kazuhiko Morozumi
和彦 諸角
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Abstract

PURPOSE:To obtain the surface acoustic wave device with a structure able to suppress effectively spurious radiation resulting from the high order mode utilizing an SH type surface acoustic wave having a structure in which the static capacitance is reduced by dividing one side of interdigital electrodes. CONSTITUTION:An interdigital transducer is configured by forming an interdigital electrode 13 and 2-division type interdigital electrodes divided into 1st and 2nd interdigital electrodes 14,15 are formed on a piezoelectric substrate 12 so as to arrange plural vibration sources whose vibration source number is (a) at both sides of a zero vibration source along the propagation direction of a surface acoustic wave and the surface acoustic wave device is a surface acoustic wave device 11 in which a pair number N of the electrode fingers of the interdigital transducer is selected in a range of 8.5-45 and the surface acoustic wave of SH type is utilized.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、SHタイプの表面波を
利用した端面反射型の表面波装置に関し、特に、インタ
ーデジタルトランスデューサの構造が改良された表面波
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an end surface reflection type surface wave device using SH type surface waves, and more particularly to a surface wave device having an improved interdigital transducer structure.

【0002】[0002]

【従来の技術】変位が表面波伝播方向と垂直な方向の変
位を主体とするSHタイプの表面波としては、BGS波
やラブ波等が知られている。BGS波を利用した端面反
射型の表面波共振子が従来より知られている。図2に平
面図で示すように、BGS波を利用した端面反射型の表
面波共振子1は、圧電基板2上に互いに間挿し合う複数
本の電極指3a,4aを有する一対のくし歯電極3,4
からなるインターデジタルトランスデューサを形成した
構造を有する。この表面波共振子1では、励振された表
面波が圧電基板2の対向されている両端面2a,2b間
で完全に反射される。上記端面反射型のBGS波を利用
した表面波共振子1では、レーリー波を利用した表面波
共振子では得られない高周波領域で使用し得る共振子を
提供することができる。
2. Description of the Related Art BGS waves, Love waves, etc. are known as SH type surface waves whose displacement is mainly in the direction perpendicular to the surface wave propagation direction. An end surface reflection type surface acoustic wave resonator utilizing BGS waves has been conventionally known. As shown in a plan view in FIG. 2, an end surface reflection type surface acoustic wave resonator 1 utilizing a BGS wave is a pair of comb-teeth electrodes having a plurality of electrode fingers 3a and 4a which are interleaved on a piezoelectric substrate 2. 3,4
And has a structure in which an interdigital transducer is formed. In this surface wave resonator 1, the excited surface wave is completely reflected between the opposite end surfaces 2a and 2b of the piezoelectric substrate 2. The surface wave resonator 1 using the edge reflection type BGS wave can provide a resonator that can be used in a high frequency region that cannot be obtained by the surface wave resonator using Rayleigh waves.

【0003】ところで、上記BGS波等のSH波を利用
した表面波共振子としては、LiNbO3 、LiTaO
3 及びPb(Ti1-x Zrx )O3 等の材料からなる圧
電基板を用いたものが報告されている。これらの圧電基
板材料では、コスト及び電気機械結合係数等を考慮する
と、LiNbO3 及びLiTaO3 に比べてPb(Ti
1-x Zrx )O3 やチタン酸鉛等の圧電セラミックを用
いることが好ましい。
By the way, as surface acoustic wave resonators utilizing SH waves such as BGS waves, LiNbO 3 and LiTaO are available.
It has been reported that a piezoelectric substrate made of a material such as 3 and Pb (Ti 1-x Zr x ) O 3 is used. In consideration of cost and electromechanical coupling coefficient, these piezoelectric substrate materials have Pb (Ti) compared to LiNbO 3 and LiTaO 3.
It is preferable to use a piezoelectric ceramic such as 1-x Zr x ) O 3 or lead titanate.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Pb
(Ti1-x Zrx )O3 等は比誘電率εが大きいため、
正規型インターデジタルトランスデューサを形成して表
面波装置を構成した場合、現実には使用できない程度に
表面波装置の容量Cが大きくなるという問題があり、容
量の低減が求められている。表面波共振子1において容
量を低減するには、インターデジタルトランスデューサ
の交差幅を小さくしたり、あるいは電極指2a,3aの
対数を少なくしたりすることが考えられるが、これらの
方法では容量を低減するにも限度があった。
However, Pb
Since (Ti 1-x Zr x ) O 3 has a large relative permittivity ε,
When the surface acoustic wave device is formed by forming the normal type interdigital transducer, there is a problem that the capacitance C of the surface acoustic wave device becomes so large that it cannot be actually used, and it is required to reduce the capacitance. In order to reduce the capacitance in the surface acoustic wave resonator 1, it is conceivable to reduce the cross width of the interdigital transducers or reduce the number of pairs of the electrode fingers 2a and 3a, but these methods reduce the capacitance. There was a limit to what I could do.

【0005】他方、インターデジタルトランスデューサ
を構成している一方のくし歯電極を複数のくし歯電極に
分割し、その分割された電極を電気的に直列接続するこ
とによって容量を低減する方法も考えられる。例えば、
一方のくし歯電極を2分割した場合には、表面波装置の
容量は1/4と大きく低減される。しかしながら、単に
一方のくし歯電極を複数のくし歯電極に分割した場合に
は、図3に示すように、インピーダンス−周波数特性上
において、電極指の対数をNとした場合に、2N±n
(nは偶数)の位置に、高次モードに起因するスプリア
ス振動(図3の矢印Aで示す波形の乱れ)が生じるとい
う問題があった。
On the other hand, it is also possible to divide one of the comb-teeth electrodes forming the interdigital transducer into a plurality of comb-teeth electrodes, and electrically connect the divided electrodes in series to reduce the capacitance. .. For example,
When one of the comb-teeth electrodes is divided into two, the capacitance of the surface acoustic wave device is greatly reduced to 1/4. However, when one of the comb-teeth electrodes is simply divided into a plurality of comb-teeth electrodes, as shown in FIG. 3, when the number of electrode finger pairs is N, 2N ± n in terms of impedance-frequency characteristics.
There is a problem that spurious vibration (disturbance of the waveform shown by arrow A in FIG. 3) due to a higher-order mode occurs at a position (n is an even number).

【0006】よって、本発明の目的は、インターデジタ
ルトランスデューサの一方のくし歯電極を複数に分割し
て容量を低減した構造を有するSHタイプの表面波を利
用した表面波装置において、高次モードに起因するスプ
リアス振動を効果的に抑圧し得る構成を備えた表面波装
置を提供することにある。
Accordingly, an object of the present invention is to provide a surface acoustic wave device utilizing an SH type surface wave having a structure in which one of the interdigital transducers of an interdigital transducer is divided into a plurality of parts to reduce the capacitance, and the surface acoustic wave device is set to a higher mode. It is an object of the present invention to provide a surface acoustic wave device having a configuration capable of effectively suppressing spurious vibrations caused by it.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本願の請求項1〜4に記
載の各発明は、SHタイプの表面波を利用した端面反射
型の表面波装置であって、圧電基板と、前記圧電基板上
に形成されており、互いに間挿し合う複数の電極指を有
する一対のくし歯電極よりなるインターデジタルトラン
スデューサとを備える。そして、請求項1に記載の発明
では、表面波伝播方向において、零震源を中心として、
その両側に震源数aの複数の震源が配置されるように、
前記インターデジタルトランスデューサの一方のくし歯
電極が、互いに接続されていない第1,第2のくし歯電
極に分割されており、かつインターデジタルトランスデ
ューサの電極指の対数Nが8.5以上、45以下の範囲
とされている。
Each of the inventions described in claims 1 to 4 of the present application is an end-face reflection type surface acoustic wave device using an SH type surface wave, comprising a piezoelectric substrate and a piezoelectric substrate. And an interdigital transducer including a pair of interdigital electrodes having a plurality of electrode fingers that are interleaved with each other. In the invention according to claim 1, in the surface wave propagation direction, with the zero epicenter as the center,
So that multiple epicenters with epicenter number a are placed on both sides of it,
One interdigital electrode of the interdigital transducer is divided into first and second interdigital electrodes that are not connected to each other, and the number N of electrode fingers of the interdigital transducer is 8.5 or more and 45 or less. It is considered to be the range.

【0008】また、請求項2に記載の発明では、表面波
伝播方向において、残りの震源の2倍の電圧が印加され
る震源*を中心として、その両側に震源数aの複数の震
源が配置されるように、前記インターデジタルトランス
デューサの一方のくし歯電極が、互いに接続されていな
い第1,第2のくし歯電極に分割されており、かつイン
ターデジタルトランスデューサの電極指の対数Nが7.
5以上、45以下の範囲にある。
According to the second aspect of the invention, in the surface wave propagation direction, a plurality of epicenters of the epicenter number a are arranged on both sides of the epicenter * to which a voltage twice that of the remaining epicenter is applied. As described above, one interdigital electrode of the interdigital transducer is divided into first and second interdigital electrodes that are not connected to each other, and the number N of electrode fingers of the interdigital transducer is 7.
It is in the range of 5 or more and 45 or less.

【0009】請求項3に記載の発明では、表面波伝播方
向において、震源数bの複数の震源を中心として、その
両側に零震源を挟んで震源数bの震源が配置されるよう
に、前記インターデジタルトランスデューサの一方のく
し歯電極が互いに接続されていない第1〜第3のくし歯
電極に分割されており、かつ前記インターデジタルトラ
ンスデューサの電極指の対数Nが7.0以上、60以下
の範囲とされている。
According to the third aspect of the present invention, in the surface wave propagation direction, a plurality of hypocenters b are centered, and zero hypocenters are sandwiched on both sides of the hypocenters so that the hypocenters b are arranged. One interdigital electrode of the interdigital transducer is divided into first to third interdigital electrodes that are not connected to each other, and the number N of electrode fingers of the interdigital transducer is 7.0 or more and 60 or less. It is considered to be a range.

【0010】さらに、請求項4に記載の発明では、表面
波伝播方向において、震源数bの複数の震源を中心とし
て、その両側に震源数bの各震源の2倍の電圧が印加さ
れる震源*を挟んで震源数bの震源が配置されるよう
に、前記インターデジタルトランスデューサの一方のく
し歯電極が互いに接続されていない第1〜第3のくし歯
電極を有するように3分割されており、かつインターデ
ジタルトランスデューサの電極指の対数Nが7.0以
上、60以下とされている。
Further, in the invention described in claim 4, in the surface wave propagating direction, a plurality of hypocenters of the epicenter number b is centered, and a double voltage is applied to both sides of each of the hypocenters of the epicenter number b. One of the interdigital transducers of the interdigital transducer is divided into three so as to have first to third comb-teeth electrodes which are not connected to each other so that epicenters of epicenter number b are arranged across the * The number N of pairs of electrode fingers of the interdigital transducer is 7.0 or more and 60 or less.

【0011】[0011]

【作用及び発明の効果】本願発明者らは、上記SHタイ
プの表面波を利用した表面波装置であって、インターデ
ジタルトランスデューサを構成しているくし歯電極のう
ちの一方のくし歯電極を複数個のくし歯電極に分割して
なる構造において、高次モードに起因するスプリアス振
動を抑圧すべく検討した結果、くし歯電極の分割方法を
工夫し、かつ該分割方法に応じて電極指の対数を特定の
範囲に選択すれば、上記課題を達成し得ることを見出し
た。すなわち、後述の実施例から明らかなように、請求
項1に記載の発明では、一方のくし歯電極が2分割され
ており、零震源を挟んでその両側に等しい数の震源を配
置した構造とされており、その場合には、インターデジ
タルトランスデューサの電極指の対数Nを8.5以上、
45以下とすることにより、高次モードに起因するスプ
リアス振動を24dB以上抑圧することが可能とされて
いる。
The present inventors have proposed a surface acoustic wave device utilizing the SH type surface acoustic wave, in which one of the comb tooth electrodes constituting the interdigital transducer is provided with a plurality of comb tooth electrodes. As a result of investigating to suppress the spurious vibration due to the higher-order mode in the structure formed by dividing the comb-teeth electrode, the method of dividing the comb-teeth electrode was devised, and the logarithm of the electrode fingers was changed according to the division method. It has been found that the above-mentioned problems can be achieved by selecting in a specific range. That is, as is apparent from the examples described below, in the invention according to claim 1, one of the comb-teeth electrodes is divided into two, and a structure in which an equal number of seismic sources are arranged on both sides of the zero seismic source is provided. In that case, the logarithm N of the electrode fingers of the interdigital transducer is 8.5 or more,
By setting it to 45 or less, it is possible to suppress spurious vibrations due to the higher-order modes by 24 dB or more.

【0012】また、請求項2に記載の発明のように、一
方のくし歯電極を2分割し、残りの震源の2倍の電圧が
印加される震源*を中心としてその両側に震源数aの震
源を配置した構造では、インターデジタルトランスデュ
ーサの電極指の対数Nを7.5以上、45以下とするこ
とにより高次モードに起因するスプリアス振動を24d
B以上抑圧することができる。
Further, as in the invention described in claim 2, one of the comb-teeth electrodes is divided into two, and the center of the epicenter * to which a voltage twice that of the remaining epicenter is applied is the center of the epicenter a. In the structure where the epicenter is arranged, the spurious vibration due to the higher-order mode is set to 24 d by setting the number N of electrode fingers of the interdigital transducer to be 7.5 or more and 45 or less.
B or more can be suppressed.

【0013】さらに、請求項3に記載の発明のように、
一方のくし歯電極を3分割した構造において、震源の配
置を表面波伝播方向に沿って、震源数bの震源−零震源
−震源数bの震源−零震源−震源数bの複数の震源とし
た場合には、インターデジタルトランスデューサの電極
指の対数を7.0以上、60以下とすることにより高次
モードに起因するスプリアス振動を24dB以上抑圧す
ることが可能となる。
Further, as in the invention described in claim 3,
In the structure in which one of the comb-shaped electrodes is divided into three parts, the epicenters are arranged along the surface wave propagation direction with a hypocenter of the number b of hypocenters-zero epicenter-a hypocenter of the epicenter b, a zero epicenter, and a plurality of epicenters of the epicenter b. In this case, by setting the number of pairs of electrode fingers of the interdigital transducer to be 7.0 or more and 60 or less, it is possible to suppress spurious vibrations caused by the higher-order mode by 24 dB or more.

【0014】請求項4に記載の発明のように、一方のく
し歯電極を3分割してなる構造において、震源の配置を
表面波伝播方向に沿って、震源数bの複数の震源−震源
数bの各震源の2倍の電圧が印加される震源*−震源数
bの複数の震源−震源*−震源数bの複数の震源とした
場合には、インターデジタルトランスデューサの電極指
の対数を7.0以上、60以下とすれば、高次モードに
起因するスプリアス振動を24dB以上抑圧し得ること
ができる。
According to the invention as set forth in claim 4, in a structure in which one of the comb-teeth electrodes is divided into three, the epicenters are arranged along the surface wave propagation direction, and a plurality of epicenters of the epicenter number b-the epicenter number. A hypothesis to which a voltage twice that of each epicenter of b is applied * -Multiple hypocenters of epicenter b-episodes * -When multiple epicenters of epicenter b are used, the logarithm of the electrode fingers of the interdigital transducer is 7 If it is 0.0 or more and 60 or less, it is possible to suppress spurious vibrations caused by the higher-order modes by 24 dB or more.

【0015】すなわち、請求項1〜4に記載の発明によ
れば、インターデジタルトランスデューサを構成する一
方のくし歯電極を2分割あるいは3分割した構成におい
て、上記震源の配置に応じて電極指の対数Nを上記特定
の範囲に選択すれば、高次モードに起因するスプリアス
振動を24dB以上抑圧することができ、しかもインタ
ーデジタルトランスデューサの一方のくし歯電極が上記
のような複数のくし歯電極に分割されているため表面波
装置の容量も効果的に低減される。よって、電気機械結
合係数やコストの点で有利なチタン酸ジルコン酸鉛系セ
ラミックス等の圧電セラミックを用いて高周波帯で使用
し得る表面波装置を提供することが可能となる。
That is, according to the first to fourth aspects of the invention, in one of the interdigital transducers, one of the comb-teeth electrodes is divided into two or three, and the number of electrode finger pairs depends on the arrangement of the epicenter. If N is selected in the above specific range, spurious vibrations due to higher-order modes can be suppressed by 24 dB or more, and one interdigital electrode of the interdigital transducer is divided into a plurality of interdigital electrodes as described above. Therefore, the capacity of the surface acoustic wave device is effectively reduced. Therefore, it is possible to provide a surface acoustic wave device that can be used in a high frequency band by using a piezoelectric ceramic such as lead zirconate titanate-based ceramics, which is advantageous in terms of electromechanical coupling coefficient and cost.

【0016】[0016]

【実施例の説明】図1(a)及び(b)は、請求項1に
記載の発明にかかる表面波装置の一実施例を示す平面図
及び断面図である。表面波装置11は、矩形の圧電基板
12上にくし歯電極13〜15を形成した構造を有す
る。くし歯電極13は、複数本の電極指13aを有し、
圧電基板12の端面12aから12bに到る領域に形成
されている。他方、くし歯電極14,15は、本発明の
第1,第2のくし歯電極に相当し、それぞれ、くし歯電
極13の電極指13aと間挿し合う複数本の電極指14
a,15aを有する。くし歯電極13〜15の各電極指
13a〜15aは、表面波の波長をλとしたときに、く
し歯電極13の両端の電極指がλ/8の幅とされている
ことを除いては、残りの電極指の幅は全てλ/4とされ
ており、かつ複数本の電極指間の間の間隙の幅もλ/4
とされている。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIGS. 1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view showing an embodiment of a surface acoustic wave device according to the invention described in claim 1. The surface acoustic wave device 11 has a structure in which comb electrodes 13 to 15 are formed on a rectangular piezoelectric substrate 12. The comb electrode 13 has a plurality of electrode fingers 13a,
It is formed in a region extending from the end faces 12a to 12b of the piezoelectric substrate 12. On the other hand, the comb-teeth electrodes 14 and 15 correspond to the first and second comb-teeth electrodes of the present invention, and each of the plurality of electrode fingers 14 interposes with the electrode finger 13a of the comb-teeth electrode 13.
a and 15a. Each of the electrode fingers 13a to 15a of the comb-teeth electrodes 13 to 15 except that the electrode fingers at both ends of the comb-teeth electrode 13 have a width of λ / 8 when the wavelength of the surface wave is λ. , The widths of the remaining electrode fingers are all λ / 4, and the width of the gap between the plurality of electrode fingers is also λ / 4.
It is said that.

【0017】第1の実施例の表面波装置11では、図示
のように、一方のくし歯電極13の中央に配置された2
本の電極指13a1 ,13a2 が隣接配置されているた
め、図4に示すように、くし歯電極13を仮想的に接地
電位とし、くし歯電極14,15間に交流電圧を印加し
た場合、励起される表面波の震源の配置は、次の通りと
なる。すなわち、くし歯電極14,15の電極指の合計
をn1 本としたとき(電極14,15が左右対称のため
1 は偶数になる)、表面波伝播方向に沿って、(n1
/2−1の数の震源)−(零震源)−(n1 /2−1の
数の震源)が配置されることになる。すなわち、上記く
し歯電極14,15が構成されている部分における震源
数(n1 /2−1)をaとしたとき、表面波伝播方向に
沿って(aの数の震源)−(零震源)−(aの数の震
源)が配置されることになる。
In the surface acoustic wave device 11 of the first embodiment, as shown in FIG.
Since the electrode fingers 13a 1 and 13a 2 of the book are arranged adjacent to each other, as shown in FIG. 4, when the comb electrode 13 is virtually set to the ground potential and an AC voltage is applied between the comb electrodes 14 and 15. , The location of the source of the excited surface wave is as follows. That is, when the total number of electrode fingers of the comb-teeth electrodes 14 and 15 is n 1 (n 1 is an even number because the electrodes 14 and 15 are symmetrical), along the surface wave propagation direction (n 1
/ 2-1 Number of epicenter) - it becomes (number of source of n 1 / 2-1) that is disposed - (zero epicenter). That is, when the number of epicenters (n 1 / 2-1) in the portion where the comb-teeth electrodes 14 and 15 are formed is a, along the surface wave propagation direction (the number of epicenters of a) − (zero epicenter) )-(A number of epicenters) will be placed.

【0018】第1の実施例では、上記のように複数の震
源が配置された構造の表面波装置11において、インタ
ーデジタルトランスデューサの電極指の対数Nが8.5
以上、45以下の範囲に選択され、それによって前述し
たように高次モードに起因するスプリアス振動が抑制さ
れる。これを、図5〜図7を参照して説明する。図1に
示した表面波装置11において、インターデジタルトラ
ンスデューサの電極指の対数N=4.5とした場合の減
衰量−周波数曲線を図5に、N=15.5とした場合の
減衰量−周波数曲線を図6に示す。
In the first embodiment, in the surface acoustic wave device 11 having a structure in which a plurality of epicenters are arranged as described above, the number N of electrode fingers of the interdigital transducer is 8.5.
As described above, the range is selected to be 45 or less, and as a result, the spurious vibration due to the higher order mode is suppressed as described above. This will be described with reference to FIGS. In the surface acoustic wave device 11 shown in FIG. 1, the attenuation amount in the case where the logarithm of the electrode fingers of the interdigital transducer is N = 4.5-the frequency curve is shown in FIG. 5 and the attenuation amount in the case of N = 15.5- The frequency curve is shown in FIG.

【0019】図5から明らかなように、電極指の対数=
4.5の場合には、圧電基板12の長さで決まる2N±
n(nは偶数)の高次モードの周波数位置に、減衰極が
一致していない。例えば、図5の2N−2の周波数位置
から上方に延ばした仮想直線と減衰量−周波数曲線との
交点Bよりも減衰極が高周波数領域側に位置しているこ
とがわかる。言い換えれば、2N−2の高次モードにお
いて減衰量が20dB以下と小さいため、該2N−2モ
ードの共振がスプリアス振動として現れることがわか
る。同様に、2±nの他の高次モードにおいても点
1 ,B2 ,B3 ,B 4 ,B5 が、減衰極とずれた周波
数位置に位置しており、従って、減衰量が20dB以下
と小さいことがわかる。
As is apparent from FIG. 5, the number of pairs of electrode fingers =
In the case of 4.5, 2N ± determined by the length of the piezoelectric substrate 12.
At the frequency position of n (n is an even number) higher-order mode, the attenuation pole is
Do not match. For example, the frequency position of 2N-2 in FIG.
Between the virtual straight line and the attenuation-frequency curve
Make sure that the attenuation pole is located on the high frequency range side of the intersection B.
I understand. In other words, in the 2N-2 high-order mode
Since the amount of attenuation is as small as 20 dB or less,
Do you know that the resonance of the cord appears as spurious vibration?
It Similarly, in other high-order modes of 2 ± n, points
B1, B2, B3, B Four, BFiveBut the frequency deviated from the attenuation pole
It is located at several positions, so the attenuation is 20 dB or less.
I understand that it is small.

【0020】これに対して、図6から明らかなように、
電極指の対数N=15.5の場合には、2N−2の周波
数位置から上方に延ばした仮想直線と減衰量−周波数曲
線とが交差する点Cが減衰極のほぼ近傍に位置されてい
る。従って、2N−2の周波数位置における減衰量が2
9dB以上と大きいことがわかる。同様に、他の高次モ
ードの周波数位置においても、点C1 〜C5 から明らか
なように減衰量が29dB以上と大きいことがわかる。
上記のように、表面波の高次モードに起因するスプリア
ス振動は、インターデジタルトランスデューサの電極指
の対数Nを変化させることにより抑圧し得ることがわか
る。そこで、本願発明者らは、電極指の対数Nを4.5
から15.5の範囲で変化させ、2N±2、2N±4及
び2N±6の高次モードの共振点の周波数位置における
減衰量を測定した。結果を、表1及び図7に示す。
On the other hand, as is clear from FIG.
In the case of the logarithm of electrode fingers N = 15.5, the point C where the virtual straight line extending upward from the frequency position of 2N−2 and the attenuation-frequency curve intersect is located near the attenuation pole. .. Therefore, the attenuation amount at the frequency position of 2N-2 is 2
It turns out that it is as large as 9 dB or more. Similarly, also at the frequency positions of other higher-order modes, it is understood that the attenuation amount is as large as 29 dB or more, as is clear from the points C 1 to C 5 .
As described above, it is understood that the spurious vibration caused by the higher order mode of the surface wave can be suppressed by changing the logarithm N of the electrode fingers of the interdigital transducer. Therefore, the inventors of the present invention set the logarithm N of the electrode fingers to 4.5.
From 1 to 15.5, the amount of attenuation at the frequency position of the resonance points of the higher order modes of 2N ± 2, 2N ± 4 and 2N ± 6 was measured. The results are shown in Table 1 and FIG. 7.

【0021】[0021]

【表1】 [Table 1]

【0022】表1及び図7から明らかなように、震源数
a−零震源−震源数aの配置を有する2分割型のインタ
ーデジタルトランスデューサを有する表面波装置では、
電極指の対数Nが7.5から8.5に変わると、もっと
も大きなスプリアス振動を発生する2N±2の周波数位
置における減衰量が大きくなり、25dBを超えること
がわかった。従って、請求項1に記載の発明では、電極
指の対数Nは8.5以上とすることが必要であることが
わかる。
As is clear from Table 1 and FIG. 7, in the surface wave device having the two-division type interdigital transducer having the arrangement of the number of sources a-zero source-the number of sources a,
It was found that when the logarithm N of the electrode fingers was changed from 7.5 to 8.5, the amount of attenuation at the frequency position of 2N ± 2 at which the largest spurious vibration was generated became large and exceeded 25 dB. Therefore, in the invention described in claim 1, it is understood that the number N of pairs of electrode fingers needs to be 8.5 or more.

【0023】なお、電極指の対数Nが大きくなればなる
程高次モードに起因するスプリアス振動を抑圧し得る
が、N=45を超えると容量が増加し、2分割型のくし
歯電極を有するインターデジタルトランスデューサを構
成した場合の容量低減効果が失われてしまう。従って、
請求項1に記載の発明では、電極指の対数Nを8.5〜
45の範囲で選ぶことが必要であり、それによって容量
の低減を図りつつ、高次モードに起因するスプリアス振
動を効果的に抑制することができる。
It should be noted that as the number N of electrode fingers increases, spurious vibrations due to higher-order modes can be suppressed, but when N = 45 is exceeded, the capacitance increases and a two-division comb electrode is provided. The capacity reduction effect of the interdigital transducer is lost. Therefore,
In the invention according to claim 1, the logarithm N of the electrode fingers is 8.5 to
It is necessary to select in the range of 45, and it is possible to effectively suppress spurious vibrations caused by higher-order modes while reducing the capacity.

【0024】第2の実施例 図8は、請求項2に記載の発明にかかる実施例の表面波
装置を示す平面図である。表面波装置21は、矩形の圧
電基板22上にくし歯電極23,24,25を形成した
構造を有する。くし歯電極23の複数本の電極指23a
と、くし歯電極23と間挿し合うくし歯電極を2分割し
てなる第1,第2のくし歯電極24,25の複数本の電
極指24a,25aは交互に間挿し合うように配置され
ている。そして、第2の実施例では、くし歯電極24の
電極指24aのうちくし歯電極25側の端部に配置され
た電極指24a1 と、くし歯電極25のくし歯電極24
側の端部に位置された電極指25a1 とが4/λの間隙
を隔てて隣接配置されている。
Second Embodiment FIG. 8 is a plan view showing a surface acoustic wave device according to a second embodiment of the invention. The surface acoustic wave device 21 has a structure in which comb-teeth electrodes 23, 24, 25 are formed on a rectangular piezoelectric substrate 22. A plurality of electrode fingers 23a of the comb electrode 23
And the plurality of electrode fingers 24a and 25a of the first and second comb-teeth electrodes 24 and 25, which are formed by dividing the comb-teeth electrode to be interleaved with the comb-teeth electrode 23, are arranged so as to be alternately interleaved. ing. Then, in the second embodiment, the electrode fingers 24a 1 located at the end of the comb electrode 25 side of the electrode fingers 24a of the comb-shaped electrodes 24, comb-shaped electrodes of the comb electrode 25 24
The electrode finger 25a 1 located at the end on the side is adjacently arranged with a gap of 4 / λ.

【0025】従って、第2の実施例の表面波装置21で
は、くし歯電極23と、第1,第2のくし歯電極24,
25とで構成される震源の数をそれぞれaとしたとき、
表面波伝播方向に沿って、aの数の震源−電極指24a
1 と電極指25a1 とで構成される震源*−aの数の震
源が配置されることになる。震源*は、電極指24a 1
と電極指25a1 とにより構成されるものであるため、
くし歯電極24,25間に異なる極性の電圧を印加した
場合、残りの震源に比べて2倍の電圧が印加される震源
となる。第2の実施例の表面波装置21において、イン
ターデジタルトランスデューサの全電極指の対数Nを、
第1の実施例の場合と同様に、4.5〜15.5の範囲
で変化させ、スプリアスが発生する周波数位置である2
N±n(nは偶数)の高次モードの共振点における減衰
量を測定した。結果を表2及び図9に示す。
Therefore, in the surface acoustic wave device 21 of the second embodiment,
Is a comb-teeth electrode 23 and first and second comb-teeth electrodes 24,
When the number of hypocenters composed of 25 and is respectively a,
A number of source-electrode fingers 24a along the surface wave propagation direction
1And electrode finger 25a1The number of seismic sources * -a composed of
The source will be deployed. The epicenter * is the electrode finger 24a 1
And electrode finger 25a1Since it is composed of and,
Voltages of different polarities were applied between the comb electrodes 24, 25
In this case, a hypocenter with twice the voltage applied to the remaining hypocenters
Becomes In the surface acoustic wave device 21 of the second embodiment,
The logarithm N of all electrode fingers of the digital converter is
As in the case of the first embodiment, the range of 4.5 to 15.5
2 is the frequency position where spurious is generated by changing
Attenuation at N ± n (n is an even number) high-order mode resonance point
The quantity was measured. The results are shown in Table 2 and FIG.

【0026】[0026]

【表2】 [Table 2]

【0027】表2及び図9から明らかなように、第2の
実施例の表面波装置21では、電極指の対数N=7.5
以上で減衰量が急激に増大し、2N±2,2N±4にお
いて25dBを超えることがわかる。従って、表面波伝
播方向に沿って震源数aの震源−震源*−震源数aの震
源が配置された表面波装置21では、電極指の対数Nを
7.5以上とすることが必要である。他方、第1の実施
例の場合と同様に、電極指の対数が45を超えると表面
波装置21の容量が増大し、分割タイプのくし歯電極を
形成した容量低減効果が損なわれる。よって、請求項2
に記載の発明では、電極指の対数Nは7.5〜45の範
囲とすることが必要である。
As is clear from Table 2 and FIG. 9, in the surface acoustic wave device 21 of the second embodiment, the number of pairs of electrode fingers N = 7.5.
From the above, it can be seen that the amount of attenuation sharply increases and exceeds 25 dB at 2N ± 2 and 2N ± 4. Therefore, in the surface acoustic wave device 21 in which the epicenters of epicenter number-a epicenter * -episodes of epicenter number a are arranged along the surface wave propagation direction, it is necessary to set the logarithm N of the electrode fingers to 7.5 or more. .. On the other hand, as in the case of the first embodiment, when the number of pairs of electrode fingers exceeds 45, the capacitance of the surface acoustic wave device 21 increases and the capacitance reducing effect of forming the split-type comb-teeth electrode is impaired. Therefore, claim 2
In the invention described in (3), it is necessary that the number N of pairs of electrode fingers is in the range of 7.5 to 45.

【0028】第3の実施例 図10は、請求項3に記載の発明にかかる実施例の表面
波装置31におけるインターデジタルトランスデューサ
の構造を説明するための模式的平面図である。本実施例
の表面波装置31では、図示しない矩形の圧電基板上
に、くし歯電極33〜36が形成されてインターデジタ
ルトランスデューサが構成されている。くし歯電極33
の複数本の電極指33aは、第1〜第3のくし歯電極3
4〜36の複数本の電極指34a,35a,36aと間
挿し合うように配置されている。また、くし歯電極33
の両端の電極指33a1 ,33a2 は、それぞれ、表面
波の波長をλとしたときに8/λの幅とされており、残
りの全電極指は4/λの幅とされている。また、全ての
電極指間の間隙の幅は4/λとされている。さらに、端
面反射型の表面波装置であるため、両端の電極指33a
1 ,33a2 は圧電基板の端縁に沿うように形成されて
いる。
Third Embodiment FIG. 10 is a schematic plan view for explaining the structure of the interdigital transducer in the surface acoustic wave device 31 of the third embodiment of the invention. In the surface acoustic wave device 31 of the present embodiment, the interdigital transducers are formed by forming the comb-teeth electrodes 33 to 36 on a rectangular piezoelectric substrate (not shown). Comb tooth electrode 33
The plurality of electrode fingers 33 a of the first to third comb-teeth electrodes 3
It is arranged so as to be interleaved with the plurality of electrode fingers 34a, 35a, 36a of 4 to 36. In addition, the comb electrode 33
The electrode fingers 33a 1 and 33a 2 on both ends of the electrode have a width of 8 / λ, where λ is the wavelength of the surface wave, and the remaining electrode fingers have a width of 4 / λ. The width of the gap between all the electrode fingers is 4 / λ. Further, since the end face reflection type surface acoustic wave device is used, the electrode fingers 33a at both ends are
1 , 33a 2 are formed along the edge of the piezoelectric substrate.

【0029】第3の実施例では、第1〜第3のくし歯電
極34〜36とくし歯電極33とで構成される震源の数
が、それぞれ、等しくされており、この震源数をbとす
る。また、くし歯電極33と第1のくし歯電極34とで
構成される震源と、くし歯電極33と第2のくし歯電極
35とで構成される震源との間には電極指33a3 及び
33a4 とで構成される零震源が配置されている。同様
に、くし歯電極35,36間にも電極指33a5 ,33
6 で構成される零震源が配置されている。よって、表
面波伝播方向に沿って、bの震源数の震源−零震源−b
の震源数の震源−零震源−bの震源数の震源が配置され
ることになる。表面波装置31においても、上記のよう
にくし歯電極33と間挿し合う他方のくし歯電極が、第
1〜第3のくし歯電極34〜36に分割されているた
め、表面波装置の容量が効果的に低減される。そして、
上記表面波装置31において、電極指の対数Nを4から
11.5の範囲で変化させて2N±n(nは偶数)の高
次モードの共振点の周波数位置における減衰量を測定し
た。結果を表3及び図11に示す。
In the third embodiment, the number of seismic sources composed of the first to third comb-teeth electrodes 34 to 36 and the comb-teeth electrode 33 is equal, and the number of seismic centers is b. .. In addition, an electrode finger 33a 3 and an epicenter composed of the comb-teeth electrode 33 and the first comb-teeth electrode 34 and an epicenter composed of the comb-teeth electrode 33 and the second comb-teeth electrode 35 are provided. A zero epicenter composed of 33a 4 and 33a 4 is arranged. Similarly, the electrode fingers 33a 5 , 33 are also provided between the comb electrodes 35, 36.
The zero epicenter composed of a 6 is located. Therefore, along the surface wave propagation direction, the epicenter of the epicenter number of b-zero epicenter-b
The number of hypocenters of the number of hypocenters-the zero number of hypocenters-the number of hypocenters of b will be allocated. Also in the surface acoustic wave device 31, since the other comb tooth electrode to be interleaved with the comb tooth electrode 33 as described above is divided into the first to third comb tooth electrodes 34 to 36, the capacitance of the surface acoustic wave device is increased. Is effectively reduced. And
In the surface acoustic wave device 31, the number N of pairs of electrode fingers was changed in the range of 4 to 11.5 to measure the attenuation amount at the frequency position of the resonance point of the higher mode of 2N ± n (n is an even number). The results are shown in Table 3 and FIG.

【0030】[0030]

【表3】 [Table 3]

【0031】表3及び図11から明らかなように、電極
指の対数Nを7.0以上とすることにより、もっとも大き
なスプリアス振動である2N±2の周波数位置に現れる
スプリアス振動を24dB以上抑圧し得ることがわか
る。従って、第3の実施例では、電極指の対数Nを7.0
以上とすることが必要である。他方、表面波装置31に
おいて電極指の対数Nが60を超えると容量が大きくな
り、3分割型のくし歯電極を用いた容量低減効果が損な
われる。従って、請求項3に記載の発明では、電極指の
対数Nを7.0〜60の範囲とすることが必要である。
As is clear from Table 3 and FIG. 11, by setting the logarithm N of the electrode fingers to be 7.0 or more, the spurious vibration appearing at the frequency position of 2N ± 2 which is the largest spurious vibration is suppressed by 24 dB or more. You know you will get. Therefore, in the third embodiment, the logarithm N of the electrode fingers is set to 7.0.
It is necessary to do the above. On the other hand, in the surface acoustic wave device 31, when the number N of pairs of electrode fingers exceeds 60, the capacitance becomes large, and the capacitance reduction effect using the three-division comb electrode is impaired. Therefore, in the invention described in claim 3, it is necessary to set the logarithm N of the electrode fingers in the range of 7.0 to 60.

【0032】第4の実施例 図12は、請求項4に記載の発明にかかる実施例の表面
波装置41のインターデジタルトランスデューサの構造
を示す模式的平面図である。図示しない矩形の圧電基板
上に、くし歯電極43及び第1〜第3のくし歯電極44
〜46が形成されている。くし歯電極43の複数本の電
極指43aは、くし歯電極44〜46のそれぞれの複数
本の電極指44a〜46aと互いに間挿し合うように配
置されている。第4の実施例の表面波装置41では、第
1のくし歯電極44の内側端の電極指44a1 と、第2
のくし歯電極45の第1のくし歯電極44側の端部の電
極指45a1 とが4/λの間隙を隔てて隣接配置されて
いる。同様に、第2のくし歯電極45の第3のくし歯電
極46側の端部に配置された電極指45a2 と、第3の
くし歯電極46の内側端の電極指46a1 とが4/λの
幅の間隙を隔てて配置されている。
Fourth Embodiment FIG. 12 is a schematic plan view showing the structure of the interdigital transducer of the surface acoustic wave device 41 of the fourth embodiment of the invention. A comb-shaped electrode 43 and first to third comb-shaped electrodes 44 are formed on a rectangular piezoelectric substrate (not shown).
To 46 are formed. The plurality of electrode fingers 43a of the comb-teeth electrode 43 are arranged so as to be interleaved with the plurality of electrode fingers 44a-46a of the comb-teeth electrodes 44-46, respectively. In the surface acoustic wave device 41 of the fourth embodiment, the electrode finger 44a 1 at the inner end of the first comb tooth electrode 44 and the second
The electrode fingers 45a 1 at the ends of the comb-teeth electrode 45 on the first comb-teeth electrode 44 side are arranged adjacent to each other with a gap of 4 / λ. Similarly, the electrode finger 45a 2 arranged at the end of the second comb-teeth electrode 45 on the side of the third comb-teeth electrode 46 and the electrode finger 46a 1 at the inner end of the third comb-teeth electrode 46 are 4 They are arranged with a gap having a width of / λ.

【0033】よって、電極指44a1 ,45a1 間及び
電極指45a2 ,46a1 間の震源では、それぞれ残り
の電極指で構成されている震源に比べて2倍の電圧が印
加される。この電極指44a1 ,45a1 間及び45a
2 ,46a1 間で構成される震源を震源*とし、第1〜
第3のくし歯電極44〜46のそれぞれがくし歯電極4
3と震源数bの震源を構成しているとすると、本実施例
の表面波装置41では、表面波伝播方向に沿ってbの震
源数の震源−震源*−bの震源数の震源−震源*−bの
震源数の震源が配置されていることになる。第4の実施
例の表面波装置41において、電極指の対数Nを4から
11.5の範囲で変化させて、2N±n(nは偶数)の
共振点の周波数位置における減衰量を測定した。結果を
表4及び図13に示す。
Therefore, at the epicenter between the electrode fingers 44a 1 and 45a 1 and between the electrode fingers 45a 2 and 46a 1 , twice the voltage is applied as compared with the epicenter composed of the remaining electrode fingers. Between the electrode fingers 44a 1 and 45a 1 and 45a
The epicenter composed of 2 and 46a 1 is the epicenter *
Each of the third comb-teeth electrodes 44 to 46 is a comb-teeth electrode 4
Assuming that 3 and the number of hypocenters b are configured, in the surface acoustic wave device 41 of the present embodiment, the number of hypocenters of the number of hypocenters b—the hypocenter of the number of hypocenters of b—the epicenter of the surface wave device 41 in the propagation direction of the surface wave. * -B epicenters are allocated. In the surface acoustic wave device 41 of the fourth embodiment, the number N of pairs of electrode fingers was changed in the range of 4 to 11.5, and the attenuation amount at the frequency position of the resonance point of 2N ± n (n is an even number) was measured. .. The results are shown in Table 4 and FIG.

【0034】[0034]

【表4】 [Table 4]

【0035】表4及び図13から明らかなように、電極
指の対数N=7.0以上において、もっとも大きなスプ
リアス振動となる2N±2の周波数位置における減衰量
が24dBを超えることがわかる。他方、第4の実施例
においても、電極指の対数Nが60を超えると容量が増
大し、一方のくし歯電極を第1〜第3のくし歯電極34
〜36に分割したことによる容量低減効果が損なわれ
る。よって、電極指の対数Nは、7.0〜60の範囲と
することが必要であることがわかる。
As is clear from Table 4 and FIG. 13, it is understood that the attenuation amount at the frequency position of 2N ± 2, which is the largest spurious vibration, exceeds 24 dB when the number of pairs of electrode fingers N = 7.0 or more. On the other hand, also in the fourth embodiment, when the number N of pairs of electrode fingers exceeds 60, the capacity increases, and one of the comb-teeth electrodes becomes the first to third comb-teeth electrodes 34.
The capacity reduction effect due to the division into ~ 36 is impaired. Therefore, it can be seen that the number N of pairs of electrode fingers needs to be in the range of 7.0 to 60.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(a)及び(b)は、それぞれ、請求項1に記
載の発明にかかる実施例の表面波装置を説明するための
平面図及びB−B線に沿う断面図。
1A and 1B are a plan view and a cross-sectional view taken along the line BB, respectively, for explaining a surface acoustic wave device according to an embodiment of the present invention.

【図2】従来の表面波装置を説明するための平面図。FIG. 2 is a plan view for explaining a conventional surface acoustic wave device.

【図3】従来の表面波装置におけるインピーダンス−周
波数特性を示す図。
FIG. 3 is a diagram showing impedance-frequency characteristics in a conventional surface acoustic wave device.

【図4】第1の実施例の表面波装置におけるインターデ
ジタルトランスデューサを説明するための模式的平面
図。
FIG. 4 is a schematic plan view for explaining an interdigital transducer in the surface acoustic wave device according to the first embodiment.

【図5】電極指の対数N=4.5の場合の減衰量−周波
数特性を示す図。
FIG. 5 is a diagram showing attenuation-frequency characteristics when the number of pairs of electrode fingers N = 4.5.

【図6】電極指の対数N=15.5の場合の減衰量−周
波数特性を示す図。
FIG. 6 is a diagram showing attenuation-frequency characteristics when the number of pairs of electrode fingers N = 15.5.

【図7】第1の実施例において電極指の対数Nを変化さ
せた場合の減衰量の変化を示す図。
FIG. 7 is a diagram showing a change in attenuation amount when the number N of electrode fingers is changed in the first embodiment.

【図8】第2の実施例の表面波装置を説明するための平
面図。
FIG. 8 is a plan view for explaining a surface acoustic wave device according to a second embodiment.

【図9】第2の実施例において電極指の対数Nを変化さ
せた場合の減衰量の変化を示す図。
FIG. 9 is a diagram showing changes in the amount of attenuation when the number N of electrode fingers is changed in the second embodiment.

【図10】第3の実施例の表面波装置のインターデジタ
ルトランスデューサの構造を示す図。
FIG. 10 is a diagram showing a structure of an interdigital transducer of a surface acoustic wave device according to a third embodiment.

【図11】第3の実施例において電極指の対数を変化さ
せた場合の減衰量の変化を示す図。
FIG. 11 is a diagram showing changes in the attenuation amount when the number of pairs of electrode fingers is changed in the third embodiment.

【図12】第4の実施例の表面波装置におけるインター
デジタルトランスデューサの構造を示す模式的平面図。
FIG. 12 is a schematic plan view showing the structure of an interdigital transducer in a surface acoustic wave device according to a fourth embodiment.

【図13】第4の実施例において電極指の対数Nを変化
させた場合の減衰量の変化を示す図。
FIG. 13 is a diagram showing changes in the amount of attenuation when the number N of electrode fingers is changed in the fourth embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11…表面波装置 12…圧電基板 12a,12b…端面 13…くし歯電極 14…第1のくし歯電極 15…第2のくし歯電極 11 ... Surface wave device 12 ... Piezoelectric substrate 12a, 12b ... End surface 13 ... Comb-tooth electrode 14 ... First comb-tooth electrode 15 ... Second comb-tooth electrode

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 SHタイプの表面波を利用した端面反射
型の表面波装置であって、 圧電基板と、 前記圧電基板上に形成されており、互いに間挿し合う複
数の電極指を有する一対のくし歯電極よりなるインター
デジタルトランスデューサとを備え、 表面波伝播方向において、零震源を中心としてその両側
に震源数aの複数の震源が配置されるように、前記イン
ターデジタルトランスデューサの一方のくし歯電極が、
互いに接続されていない第1,第2のくし歯電極に分割
されており、かつ 前記インターデジタルトランスデュ
ーサの電極指の対数Nが8.5以上、45以下の範囲に
あることを特徴とする、表面波装置。
1. An end surface reflection type surface acoustic wave device using SH type surface waves, comprising: a piezoelectric substrate; and a pair of electrode fingers formed on the piezoelectric substrate and interposing each other. An interdigital transducer formed of a comb electrode, wherein one of the interdigital transducers of the interdigital transducer is arranged so that a plurality of hypocenters a having a hypocenter a are arranged on both sides of the zero epicenter in the surface wave propagation direction. But,
A surface which is divided into first and second comb-teeth electrodes which are not connected to each other, and in which the number N of pairs of electrode fingers of the interdigital transducer is in the range of 8.5 or more and 45 or less. Wave device.
【請求項2】 SHタイプの表面波を利用した端面反射
型の表面波装置であって、 圧電基板と、 前記圧電基板上に形成されており、互いに間挿し合う複
数の電極指を有する一対のくし歯電極よりなるインター
デジタルトランスデューサとを備え、 表面波伝播方向において、残りの震源の2倍の電圧が印
加される震源*を中心として、その両側に震源数aの複
数の震源が配置されるように、前記インターデジタルト
ランスデューサの一方のくし歯電極が、互いに接続され
ていない第1,第2のくし歯電極に分割されており、か
つ前記インターデジタルトランスデューサの電極指の対
数Nが7.5以上、45以下の範囲にあることを特徴と
する、表面波装置。
2. An end surface reflection type surface acoustic wave device using an SH type surface wave, comprising: a piezoelectric substrate; and a pair of electrode fingers formed on the piezoelectric substrate, the electrode fingers interposing each other. It has an interdigital transducer consisting of a comb-teeth electrode, and in the surface wave propagation direction, a plurality of epicenters a with a hypocenter number a are arranged on both sides of the epicenter * to which a voltage twice that of the remaining epicenter is applied. Thus, one interdigital electrode of the interdigital transducer is divided into first and second interdigital electrodes that are not connected to each other, and the number N of electrode fingers of the interdigital transducer is 7.5. The surface acoustic wave device is in the range of 45 or less.
【請求項3】 SHタイプの表面波を利用した端面反射
型の表面波装置であって、 圧電基板と、 前記圧電基板上に形成されており、互いに間挿し合う複
数本の電極指を有する一対のくし歯電極よりなるインタ
ーデジタルトランスデューサとを備え、 表面波伝播方向において、震源数bの複数の震源を中心
として、その両側に零震源を挟んで震源数bの複数の震
源が配置されるように、前記インターデジタルトランス
デューサのくし歯電極の一方が、互いに接続されていな
い第1〜第3のくし歯電極を有するように3分割されて
おり、かつ前記インターデジタルトランスデューサの電
極指の対数Nが7.0以上、60以下にあることを特徴
とする、表面波装置。
3. An end surface reflection type surface acoustic wave device using an SH type surface wave, comprising a piezoelectric substrate and a pair of electrode fingers formed on the piezoelectric substrate and interleaved with each other. It is equipped with an interdigital transducer consisting of a comb tooth electrode, and in the surface wave propagation direction, a plurality of epicenters b are arranged with a zero epicenter on either side of the epicenters b of the epicenter b. In addition, one of the comb-teeth electrodes of the interdigital transducer is divided into three so as to have first to third comb-teeth electrodes that are not connected to each other, and the number N of electrode fingers of the interdigital transducer is N. A surface acoustic wave device characterized by being in a range of 7.0 to 60.
【請求項4】 SHタイプの表面波を利用した端面反射
型の表面波装置であって、 圧電基板と、 前記圧電基板上に形成されており、互いに間挿し合う複
数の電極指を有する一対のくし歯電極よりなるインター
デジタルトランスデューサとを備え、 表面波伝播方向において、震源数bの複数の震源を中心
として、その両側に震源数bの各震源の2倍の電圧が印
加される震源*を挟んで震源数bの複数の震源が配置さ
れるように、前記インターデジタルトランスデューサの
一方のくし歯電極が、互いに接続されていない第1〜第
3のくし歯電極を有するように分割されており、かつ前
記インターデジタルトランスデューサの電極指の対数N
が7.0以上、60以下の範囲にあることを特徴とす
る、表面波装置。
4. An end surface reflection type surface acoustic wave device using an SH type surface wave, comprising: a piezoelectric substrate; and a pair of electrode fingers formed on the piezoelectric substrate, the electrode fingers interposing each other. An interdigital transducer consisting of a comb-teeth electrode is provided, and in the surface wave propagation direction, a hypocenter * is applied to both sides of which there are twice the voltage of each hypocenter with the hypocenter b as the center. One of the interdigital transducers of the interdigital transducer is divided so as to have first to third comb electrodes that are not connected to each other so that a plurality of hypocenters b having the number of epicenters are arranged between them. And the number N of electrode fingers of the interdigital transducer
Is in the range of 7.0 or more and 60 or less, a surface acoustic wave device.
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