JPH0532898B2 - - Google Patents

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JPH0532898B2
JPH0532898B2 JP63240498A JP24049888A JPH0532898B2 JP H0532898 B2 JPH0532898 B2 JP H0532898B2 JP 63240498 A JP63240498 A JP 63240498A JP 24049888 A JP24049888 A JP 24049888A JP H0532898 B2 JPH0532898 B2 JP H0532898B2
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JP
Japan
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pattern
drawn
positional
resist film
positional accuracy
Prior art date
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Expired - Lifetime
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JP63240498A
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Japanese (ja)
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JPH0287614A (en
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Yasuo Matsuoka
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Toshiba Corp
Original Assignee
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の目的〕 (産業上の利用分野) 本発明は導電体基板上に形成されたレジスト膜
上に描画されるパターンの位置精度を診断するパ
ターン位置精度診断方法および装置に関する。
[Detailed Description of the Invention] [Object of the Invention] (Industrial Application Field) The present invention provides a pattern position accuracy diagnosis method for diagnosing the position accuracy of a pattern drawn on a resist film formed on a conductive substrate, and Regarding equipment.

(従来の技術) 従来、導電体基板上に形成されたレジスト膜上
に描画されるパターンの位置精度を診断する方法
としては、パターン位置精度マークを、主パター
ン領域外のレジスト膜上に形成し、顕微鏡等を用
いてそのズレ量を判断する方法(特開昭61−
11461号公報参照)が知られている。
(Prior Art) Conventionally, as a method for diagnosing the positional accuracy of a pattern drawn on a resist film formed on a conductive substrate, a pattern position accuracy mark is formed on the resist film outside the main pattern area. , a method of determining the amount of deviation using a microscope, etc.
11461) is known.

(発明が解決しようとする課題) このような従来の方法においては、パターンの
位置精度はパターンが形成された後すなわち、描
画され、現像された後でないと判断できないばか
りでなく、人間が顕微鏡を用いて位置精度マーク
を測定することが必要であり、不良品の早期発見
ができないという問題があつた。
(Problems to be Solved by the Invention) In such conventional methods, not only can the positional accuracy of the pattern be determined only after the pattern is formed, that is, after it has been drawn and developed, but it is also difficult for humans to use a microscope. It is necessary to measure the position accuracy mark using a conventional method, which poses the problem that defective products cannot be detected early.

本発明は上記問題点を考慮してなされたもので
あつて、描画されたパターンの良否を早期に診断
することのできるパターン位置精度診断方法およ
び装置を提供することを目的とする。
The present invention has been made in consideration of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a method and apparatus for diagnosing pattern position accuracy that can quickly diagnose the quality of a drawn pattern.

〔発明の構成〕[Structure of the invention]

(課題を解決するための手段) 本発明は、導電体基板上に積層されたレジスト
膜上に形成されるパターンの位置精度を診断する
パターン位置精度診断方法において、パターンを
レジスト膜上に描画する前に、パターンが描画さ
れる領域以外の領域のレジスト膜上に第1の位置
精度モニタパターンを描画する工程と、パターン
がレジスト膜上に描画された後、パターンに位置
ズレが有る場合に第1の位置精度モニタパターン
と重なる部分が生じる第2の位置精度モニタパタ
ーンを描画する工程と、第1および第2の位置精
度モニタパターンが描画された導電体基板を現像
液に浸漬する工程と、電極を現像液に浸漬し、こ
の電極と導電体基板との間に流れる電流に基づい
てパターンの位置ズレ量を決定する工程とを備え
ていることを特徴とする。
(Means for Solving the Problems) The present invention provides a pattern position accuracy diagnosis method for diagnosing the position accuracy of a pattern formed on a resist film laminated on a conductive substrate, in which a pattern is drawn on the resist film. Beforehand, there is a step of drawing a first positional accuracy monitor pattern on the resist film in an area other than the area where the pattern is drawn, and a step of drawing a first positional accuracy monitor pattern on the resist film after the pattern is drawn on the resist film, if there is a positional shift in the pattern. a step of drawing a second positional accuracy monitor pattern in which a portion overlaps with the first positional accuracy monitor pattern; a step of immersing the conductive substrate on which the first and second positional accuracy monitor patterns are drawn in a developer; The method is characterized by the step of immersing the electrode in a developer and determining the amount of positional shift of the pattern based on the current flowing between the electrode and the conductive substrate.

本発明は、導電体基板上に形成されたレジスト
膜上に描画されるパターンの位置精度を診断する
パターン位置精度診断装置において、パターンを
レジスト膜上に描画する前に、パターンが描画さ
れる領域以外の領域のレジスト膜上に第1の位置
精度モニタパターンを描画する手段と、パターン
がレジスト膜上に描画された後、パターンに位置
ズレが有る場合に第1の位置精度モニタパターン
と重なる部分が生じる第2の位置精度モニタパタ
ーンを描画する手段と、第1および第2の位置精
度モニタパターンが描された導電体基板を現像液
に浸漬するとともに、電極を現像液に浸漬し、こ
の電極と導電体基板との間に流れる電流に基づい
てパターンの位置ズレ量を決定する手段とを備え
ていることを特徴とする。
The present invention provides a pattern position accuracy diagnosis device for diagnosing the positional accuracy of a pattern drawn on a resist film formed on a conductive substrate, in which a pattern is drawn on a region where the pattern is drawn before the pattern is drawn on the resist film. a means for drawing a first positional accuracy monitor pattern on a resist film in an area other than that of the resist film, and a portion that overlaps with the first positional accuracy monitor pattern when there is a positional shift in the pattern after the pattern is drawn on the resist film; a means for drawing a second positional accuracy monitor pattern in which a second positional accuracy monitor pattern is generated; a conductive substrate on which the first and second positional accuracy monitor patterns are drawn are immersed in a developer; and an electrode is immersed in the developer; and means for determining the amount of positional deviation of the pattern based on the current flowing between the conductive substrate and the conductive substrate.

(作用) このように構成された本発明によるパターン位
置精度診断方法によれば、パターンが描画される
前に、このパターンが描画される領域以外の領域
のレジスト膜上に第1の位置精度モニタパターン
が描画される。また、上記パターンが描画された
後、このパターンに位置ズレが有る場合に第1の
位置精度モニタパターンと重なる部分が生じる第
2の位置精度モニタパターンが描画される。そし
て、第1および第2の位置精度モニタパターンが
描画される導電体基板が現像液に浸漬され、この
導電体基板と現像液中に浸漬された電極との間に
流れる電流に基づいて上記パターンの位置ズレ量
が決定される。これにより描画されたパターンの
現像処理前にパターンの良否を診断することがで
きる。
(Function) According to the method for diagnosing pattern position accuracy according to the present invention configured as described above, before a pattern is written, the first position accuracy monitor is placed on the resist film in an area other than the area where the pattern is written. A pattern is drawn. Further, after the pattern is drawn, a second positional accuracy monitor pattern is drawn, in which a portion overlaps with the first positional accuracy monitor pattern when there is a positional shift in this pattern. Then, the conductive substrate on which the first and second positional accuracy monitor patterns are drawn is immersed in a developer, and the pattern is drawn based on the current flowing between the conductive substrate and the electrode immersed in the developer. The amount of positional deviation is determined. Thereby, the quality of the drawn pattern can be diagnosed before the pattern is developed.

また、上述のようにして構成された本発明によ
るパターン位置精度診断装置によれば、第1およ
び第2の位置精度モニタパターンが描画された導
電体基板を現像液に浸漬し、この導電体基板と現
像液に浸漬される電極との間に流れる電流に基づ
いてパターン位置ズレ量が決定される。これによ
り描画されたパターンの現像処理前にパターンの
良否を診断することができる。
Further, according to the pattern position accuracy diagnosis apparatus according to the present invention configured as described above, the conductor substrate on which the first and second position accuracy monitor patterns are drawn is immersed in a developer solution, and the conductor substrate is The amount of pattern position shift is determined based on the current flowing between the electrode and the electrode immersed in the developer. Thereby, the quality of the drawn pattern can be diagnosed before the pattern is developed.

(実施例) 本発明の実施例を図面を用いて説明する。(Example) Embodiments of the present invention will be described using the drawings.

本発明によるパターン位置精度診断方法の実施
例の工程を第1図のフローチヤートに示す。この
実施例のパターン位置精度診断方法は、まずステ
ツプF1において導電体基板上にレジストを塗布
し、レジスト膜を形成する。
The steps of an embodiment of the method for diagnosing pattern position accuracy according to the present invention are shown in the flowchart of FIG. In the pattern position accuracy diagnosis method of this embodiment, first, in step F1, a resist is applied onto a conductive substrate to form a resist film.

次にステツプF2において所定のパターン(以
下、メインパターンという)2がレジスト膜が形
成された導電体基板1上に描画される前に、この
メインパターン2が描画される領域以外の領域
に、例えば第2図bに示す第1の位置精度モニタ
パターン3Aを描する(第2図a参照)。なお、
第2図bに示す第1の位置精度モニタパターン3
Aは、縦方向(y方向)に長く、横方向(x方
向)に2μmのピツチで配置されたパターン(斜線
部)からなつており、x方向のズレ量を見出すた
めに使用される。
Next, in step F2, before a predetermined pattern (hereinafter referred to as main pattern) 2 is drawn on the conductive substrate 1 on which the resist film is formed, for example, in an area other than the area where this main pattern 2 is drawn, A first position accuracy monitor pattern 3A shown in FIG. 2b is drawn (see FIG. 2a). In addition,
First positional accuracy monitor pattern 3 shown in FIG. 2b
A consists of patterns (shaded areas) that are long in the vertical direction (y direction) and arranged at a pitch of 2 μm in the horizontal direction (x direction), and are used to find the amount of deviation in the x direction.

ステツプF3において、メインパターン2を描
画し、この後ステツプF4において、例えば第1
位置精度モニタパターン3Aと同形状の第2の位
置精度モニタパターン3B(第2図c参照)を、
第1の位置精度モニタパターン3Aが描画された
位置から2μmだけx方向にずれた位置に描画す
る。この時、メインパターンにx方向の位置ズレ
が生ていなければ第1の位置精度モニタパターン
3Aと第2の位置精度モニタパターン3Bとは重
ならないが、メインパターンにx方向の位置ズレ
が有る場合は、この位置ズレ量だけ第1の位置精
度モニタパターン3Aと第2の位置精度モニタパ
ターン3Bとは重なることになる。そしてこの重
なり部分の露光量は他の部分のそれに比べて高く
なつている。
In step F3, main pattern 2 is drawn, and then in step F4, for example, the first pattern is drawn.
A second positional accuracy monitor pattern 3B (see FIG. 2c) having the same shape as the positional accuracy monitor pattern 3A,
The first positional accuracy monitor pattern 3A is drawn at a position shifted in the x direction by 2 μm from the drawn position. At this time, if the main pattern has no positional deviation in the x direction, the first positional accuracy monitor pattern 3A and the second positional accuracy monitor pattern 3B will not overlap, but if the main pattern has a positional deviation in the x direction The first positional accuracy monitor pattern 3A and the second positional accuracy monitor pattern 3B overlap by this amount of positional deviation. The exposure amount of this overlapping portion is higher than that of other portions.

次にステツプF5において、第1および第2の
位置精度モニタパターン3A,3Bが描画された
部分のみを、第3図に示すようにレジストを選択
的に除去する現像液7中に浸漬する。そしてステ
ツプF6において現像液7中で安定な、例えば白
金(Pt)または銀塩化銀(AgAgCl)等からなる
電極8を現像液7に浸漬するとともに、この電極
8と導電体基板1との間に流れる電流を増幅器9
(第3図参照)を介して検出し、この電流検出値
に基づいて例えば第3図に示す判定回路10によ
つてメインパターンの位置ズレ量を判定する。
Next, in step F5, only the portions where the first and second position accuracy monitor patterns 3A and 3B are drawn are immersed in a developer 7 for selectively removing the resist, as shown in FIG. Then, in step F6, an electrode 8 made of, for example, platinum (Pt) or silver-silver chloride (AgAgCl), which is stable in the developer 7, is immersed in the developer 7, and an electrode 8 is placed between the electrode 8 and the conductive substrate 1. Amplifier 9
(see FIG. 3), and based on this detected current value, the amount of positional deviation of the main pattern is determined by, for example, the determining circuit 10 shown in FIG. 3.

次にこの位置ズレ量の判定方法を説明する。導
電体基板1と電極8と間に流れる電流の変化の様
子を第4図に示す。グラフA(実線)は第1およ
び第の位置精度モニタパターンが重ならない場
合、すなわちメインパターン2に位置ズレが生じ
ていない場合の電流の変化を示し、グラフB(破
線)は、第1および第2の位置精度モニタパター
ンが0.5μm重なつた場合、すなわちメインパター
ン2に0.5μmの位置ズレが生じた場合の電流の変
化を示す。メインパターンに位置ズレが生じてい
る場合の、電流が立上がるまでの時間tB1と、位
置ズレが生じていない場合の電流が立上がるまで
の時間tA1は、tB1<tA1の関係にある。これは位置
ズレが生じていれば第1および第2の位置精度モ
ニタパターン3A,3Bに重なり部分が生じ、こ
の重なり部分の露光量が他の部分の露光量に比べ
て高いためである。
Next, a method for determining the amount of positional deviation will be explained. FIG. 4 shows how the current flowing between the conductive substrate 1 and the electrode 8 changes. Graph A (solid line) shows the change in current when the first and second positional accuracy monitor patterns do not overlap, that is, when there is no positional deviation in main pattern 2, and graph B (broken line) shows the change in current when the first and second positional accuracy monitor patterns do not overlap, that is, when there is no positional deviation in main pattern 2. 2 shows the change in current when the position accuracy monitor patterns No. 2 overlap by 0.5 μm, that is, when a positional deviation of 0.5 μm occurs in the main pattern 2. The time tB1 for the current to rise when there is misalignment in the main pattern and the time tA1 for the current to rise when there is no misalignment are in the relationship tB1 < tA1 . be. This is because if a positional shift occurs, there will be an overlapping portion between the first and second position accuracy monitor patterns 3A and 3B, and the exposure amount of this overlapping portion will be higher than the exposure amount of other portions.

また、電流の立上がり時からピークに達するま
での、位置ズレが生じた場合の時間tB2と、位置
ズレが生じていない場合の時間tA2との関係はtA2
<tB2となる。そしてこれら時間の比、すなわち α=tB1/tA1、β=tB2/tA2 は、現像液7の温度、描画時の露光量等が同一で
あれば、位置ズレ量によつて変化する。したがつ
て、電流が立上がるまでの時間tA1,tB1又は電流
の立上がり時からピークまでの時間tA2,tB2を測
定することによつて位置ズレ量がわかることにな
る。
Also, the relationship between the time t B2 when the current rises until it reaches its peak when there is a position shift and the time t A2 when there is no position shift is t A2
<t B2 . The ratio of these times, i.e., α=t B1 /t A1 and β=t B2 /t A2 , will change depending on the amount of positional deviation if the temperature of the developer 7, the exposure amount during drawing, etc. are the same. . Therefore, by measuring the time t A1 , t B1 until the current rises or the time t A2 , t B2 from the time the current rises to the peak, the amount of positional deviation can be determined.

なお本実施例ではx方向の位置ズレについて説
明したが、第1および第2の位置精度モニタパタ
ーン3A,3Bを90度回転させて、位置ズレが生
じた場合、第1および第2の位置精度モニタパタ
ーンが重なるように描画すればx方向と同様にし
てy方向の位置ズレ量を決定できる。
Although this embodiment has explained the positional deviation in the x direction, if the first and second positional accuracy monitor patterns 3A and 3B are rotated 90 degrees and a positional deviation occurs, the first and second positional accuracy If the monitor patterns are drawn so that they overlap, the amount of positional deviation in the y direction can be determined in the same way as in the x direction.

以上により本実施例によれば、メインパターン
2が形成(現像完了)される前にパターンの良否
を診断でき、これによりスルーコストの低減を計
ることができる。
As described above, according to the present embodiment, the quality of the pattern can be diagnosed before the main pattern 2 is formed (development is completed), and through cost can thereby be reduced.

なお、第1および第2の位置精度モニタパター
ンは、製品毎に定めている位置ズレ誤差以上のズ
レが生じた場合に重なり部分が生じるようなもの
であつても上記実施例と同様の効果を得ることが
できるし、第1の位置精度モニタパターンと第2
の位置精度モニタパターンは互いに逆の関係にあ
るパターンであつても上記実施例と同様の効果を
得ることができる。
Note that the first and second positional accuracy monitor patterns have the same effect as the above embodiment even if they overlap when a positional deviation greater than the positional deviation error determined for each product occurs. The first position accuracy monitor pattern and the second
Even if the positional accuracy monitor patterns are inversely related to each other, the same effects as in the above embodiment can be obtained.

また、上記実施例では第1および第2の位置精
度モニタパターンが描画された部分だけを現像液
に浸漬したが、第1および第2の位置精度モニタ
パターンの描画の露光量をメインパターン2の描
画の露光量よりも高く(例えば2倍以上)し、第
1および第2位置精度モニタパターンならびにメ
インパターンが描画された導電体基板全体を現像
液に浸漬し、導電体基板と電極との間に流れる電
流に基づいてパターンの良否を上記実施例と同様
にして判定できる。この場合の導電体基板と電極
との間に流れる電流を第5図に示す。第5図にお
いて実線で表したグラフCは位置ズレが生じてい
ない場合の電流の変化を示し破線で表したグラフ
Dは位置ズレが有る場合の電流の変化を示す。な
お時刻Tにおけるークはメインパターンの現像が
完了したことによるものである。
In addition, in the above embodiment, only the portions where the first and second positional accuracy monitor patterns were drawn were immersed in the developer, but the exposure amount for drawing the first and second positional accuracy monitor patterns was changed to that of the main pattern 2. The entire conductive substrate on which the first and second positional accuracy monitor patterns and the main pattern have been drawn is immersed in a developer at a higher exposure dose (for example, twice or more) than the exposure amount for drawing, and the area between the conductive substrate and the electrode is immersed in a developer. The quality of the pattern can be determined based on the current flowing through the pattern in the same manner as in the above embodiment. FIG. 5 shows the current flowing between the conductive substrate and the electrode in this case. In FIG. 5, a graph C shown by a solid line shows the change in current when no positional deviation occurs, and a graph D shown by a broken line shows a change in current when there is a positional deviation. Note that the arc at time T is due to completion of development of the main pattern.

また、本発明によるパターン位置精度診断装置
はパターン描画手段と、位置ズレ量決定手段とを
有している。このパターン描画手段は、電子ビー
ムを用いて導電体基板上に形成されたレジスト膜
上に、第1の位置精度モニタパターン(例えば、
第2図aに示すパターン)、およびメインパター
ン、ならびに第2の位置精度モニタパターン(例
えば、第2図bの示すパターン)を描画するのに
用いられる。そしてこれらのパターンを描画する
順序としては、まず第1の位置精度モニタパター
ンを、メインパターンが描画される領域以外の領
域に描画し、次にメインパターンを描画する。そ
の後、メインパターンに位置ズレが有る場合に第
1の位置精度モニタパターンと重なる部分が生じ
る第2の位置精度モニタパターンを描画する。
Further, the pattern position accuracy diagnostic device according to the present invention includes pattern drawing means and positional deviation amount determining means. This pattern drawing means applies a first position accuracy monitor pattern (for example,
The pattern shown in FIG. 2a), the main pattern, and the second positional accuracy monitor pattern (for example, the pattern shown in FIG. 2b) are used for drawing. The order in which these patterns are drawn is that first the first position accuracy monitor pattern is drawn in an area other than the area where the main pattern is drawn, and then the main pattern is drawn. Thereafter, a second positional accuracy monitor pattern is drawn in which a portion overlaps with the first positional accuracy monitor pattern when there is a positional shift in the main pattern.

位置ズレ量決定手段は、上記第1および第2の
位置精度モニタパターンが描画された導電体基板
を、露光されたレジストを選択的に除去する現像
液に浸漬し、この浸漬された導電体基板と現像液
に浸漬される電極との間に流れる電流に基づいて
メインパターンの位置ズレ量を決定する(第3図
参照)。
The positional deviation amount determining means immerses the conductive substrate on which the first and second positional accuracy monitor patterns are drawn in a developer that selectively removes the exposed resist, and removes the immersed conductive substrate. The amount of positional shift of the main pattern is determined based on the current flowing between the electrode and the electrode immersed in the developer (see FIG. 3).

このパターン位置精度診断装置を用いても描画
されたメインパターンの良否を早期に診断するこ
とができる。
The quality of the drawn main pattern can also be diagnosed at an early stage using this pattern position accuracy diagnostic device.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明によればパターンの良否を早期に診断す
ることができ、これによりスルーコストの低減を
計ることができる。
According to the present invention, it is possible to diagnose the quality of a pattern at an early stage, thereby reducing through cost.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明によるパターン位置精度診断方
法の実施例の工程を示すフローチヤート、第2図
は第1および第2位置精度モニタパターンとその
配置を示す図、第3図は導電体基板と電極との間
に流れる電流を測定する装置を示すブロツク図、
第4図および第5図は第3図に示す装置を用いて
測定した場合の電流の変化を示すグラフである。 1……レジスト膜が形成された導電体基板、2
……メインパターン、3A,3B……位置精度モ
ニタパターン、7……現像液、8……電極、9…
…アンプ、10……判定回路。
FIG. 1 is a flowchart showing the steps of an embodiment of the method for diagnosing pattern position accuracy according to the present invention, FIG. 2 is a diagram showing the first and second position accuracy monitor patterns and their arrangement, and FIG. 3 is a diagram showing the conductive substrate and A block diagram showing a device for measuring the current flowing between the electrodes,
4 and 5 are graphs showing changes in current when measured using the apparatus shown in FIG. 3. 1...A conductive substrate on which a resist film is formed, 2
...Main pattern, 3A, 3B...Position accuracy monitor pattern, 7...Developer, 8...Electrode, 9...
...Amplifier, 10...Judgment circuit.

Claims (1)

【特許請求の範囲】 1 導電体基板上に形成されたレジスト膜上に描
画されるパターン位置精度を診断するパターン位
置精度診断方法において、 前記パターンをレジスト膜上に描画する前に、
前記パターンが描画される領域以外の領域のレジ
スト膜上に第1の位置精度モニタパターンを描画
する工程と、 前記パターンがレジスト膜上に描画された後、
前記パターンに位置ズレが有る場合に前記第1の
位置精度モニタパターンと重なる部分が生じる第
2の位置精度モニタパターンを描画する工程と、 前記第1および第2の位置精度モニタパターン
が描画された前記導電体基板を現像液に浸漬する
工程と、 電極を前記現像液に浸漬し、この電極と前記導
電体基板との間に流れる電流に基づいて前記パタ
ーンの位置ズレ量を決定する工程と、 を備えていることを特徴とするパターン位置精度
診断方法。 2 導電体基板上に形成されたレジスト膜上に描
画されるパターンの位置精度を診断するパターン
位置精度診断装置において、 前記パターンをレジスト膜上に描画する前に、
前記パターンが描画される領域以外の領域のレジ
スト膜上に第1の位置精度モニタパターンを描画
する手段と、 前記パターンがレジスト膜上に描画された後、
前記パターンに位置ズレが有る場合に前記第1の
位置精度モニタパターンと重なる部分が生じる第
2の位置精度モニタパターンを描画する手段と、 前記第1および第2の位置精度モニタパターン
が描画された前記導電体基板を現像液に浸漬する
とともに、電極を前記現像液に浸漬し、この電極
と前記導電体基板との間に流れる電流に基づいて
前記パターンの位置ズレ量を決定する手段と、 を備えていることを特徴とするパターン位置精度
診断装置。
[Claims] 1. In a pattern position accuracy diagnosis method for diagnosing the positional accuracy of a pattern drawn on a resist film formed on a conductive substrate, before drawing the pattern on the resist film,
a step of drawing a first positional accuracy monitor pattern on the resist film in an area other than the area where the pattern is drawn, and after the pattern is drawn on the resist film,
drawing a second positional accuracy monitor pattern in which a portion overlaps with the first positional accuracy monitor pattern when the pattern has a positional deviation; and the first and second positional accuracy monitor patterns are drawn. a step of immersing the conductive substrate in a developer; a step of immersing an electrode in the developer and determining an amount of positional shift of the pattern based on a current flowing between the electrode and the conductive substrate; A method for diagnosing pattern position accuracy, comprising: 2. In a pattern position accuracy diagnostic device for diagnosing the positional accuracy of a pattern drawn on a resist film formed on a conductive substrate, before drawing the pattern on the resist film,
means for drawing a first positional accuracy monitor pattern on a resist film in an area other than the area where the pattern is drawn; after the pattern is drawn on the resist film;
means for drawing a second positional accuracy monitor pattern in which a portion overlaps with the first positional accuracy monitor pattern when the pattern has a positional deviation; and the first and second positional accuracy monitor patterns are drawn. means for immersing the conductive substrate in a developer solution and immersing an electrode in the developer solution, and determining the amount of positional shift of the pattern based on the current flowing between the electrode and the conductor substrate; A pattern position accuracy diagnostic device comprising:
JP63240498A 1988-09-26 1988-09-26 Method and apparatus for diagnosing accuracy of pattern position Granted JPH0287614A (en)

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