JPH05326781A - Lead frame and semiconductor provided therewith - Google Patents

Lead frame and semiconductor provided therewith

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JPH05326781A
JPH05326781A JP12464792A JP12464792A JPH05326781A JP H05326781 A JPH05326781 A JP H05326781A JP 12464792 A JP12464792 A JP 12464792A JP 12464792 A JP12464792 A JP 12464792A JP H05326781 A JPH05326781 A JP H05326781A
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JP
Japan
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semiconductor element
lead
lead frame
stress
leads
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JP12464792A
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Japanese (ja)
Inventor
Shigeru Itani
茂 井谷
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To enable a lead frame to absorb stress applied onto a semiconductor element when the semiconductor element is used as sandwiched in between two leads. CONSTITUTION:A semiconductor element 1 is bonded as pinched by the pinching parts 2a and 13a of leads 2 and 13. A hole 10 is bored in a part of the lead 13 so as to make the part where the hole 10 is bored smaller in bending strength than the other part of the lead 13.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はリードフレーム及びそれ
を用いた半導体装置に関するものであり、更に詳しく
は、樹脂モールドタイプの半導体装置に好適なリードフ
レーム及びそれを用いた半導体装置に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a lead frame and a semiconductor device using the same, and more particularly to a lead frame suitable for a resin mold type semiconductor device and a semiconductor device using the same. .

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、半導体装置は、ダイボンディン
グ,樹脂モールド等の工程処理を経て製造されるが、こ
れらの一連の工程は金属薄板を打ち抜いたりエッチング
を施したりして形成されるリードフレームに対して行わ
れる。
2. Description of the Related Art Generally, a semiconductor device is manufactured through a process such as die bonding and resin molding. A series of these processes is applied to a lead frame formed by punching or etching a thin metal plate. It is done against.

【0003】従来のリードフレームの一例として、図5
に特開平2-33956号公報,同2-284436号公報等に開示さ
れたリードフレームを示す。同図に示すリードフレーム
は、ダイオード等の2端子半導体装置の製造に用いられ
るものである。半導体装置とするには、先ずリード2又
は3の先端部に形成されている挟持部2a又は3aに、
半導体素子(図示せず)をダイボンディングした後、同図
中の破線に沿って挟持部2a,3aを切り離す。そし
て、サイドフレーム50及び60を送り孔55及び65
で移動させることにより、挟持部2aを半導体素子1上
に重ねる。
As an example of a conventional lead frame, FIG.
The lead frames disclosed in JP-A-2-33956 and JP-A-2-284436 are shown in FIG. The lead frame shown in the figure is used for manufacturing a two-terminal semiconductor device such as a diode. In order to obtain a semiconductor device, first, the sandwiching portion 2a or 3a formed at the tip of the lead 2 or 3 is
After the semiconductor element (not shown) is die-bonded, the holding portions 2a and 3a are separated along the broken line in the figure. Then, the side frames 50 and 60 are connected to the feed holes 55 and 65.
The sandwiching portion 2a is overlaid on the semiconductor element 1 by moving the sandwiching portion 2a.

【0004】次に、半導体素子上に予め設けられている
バンプを溶かすことにより、素子と挟持部2aとのハン
ダ付けを行う。図6はこのときの要部構成を示す斜視図
であり、図7はその側面図である。図7中の一点鎖線で
示す部分4を樹脂でモールドし、リード2,3を所定位
置で切り離すと、半導体装置が得られる。
Next, the bumps provided in advance on the semiconductor element are melted to solder the element and the sandwiching portion 2a. FIG. 6 is a perspective view showing the configuration of the main part at this time, and FIG. 7 is a side view thereof. A semiconductor device is obtained by molding the portion 4 shown by the one-dot chain line in FIG. 7 with resin and separating the leads 2 and 3 at predetermined positions.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のように
半導体素子を2つのリードで挟むようにしてワイヤレス
ボンディングを行うリードフレームの構成には、リード
フレームに熱ストレス及び/又は機械ストレスが加わっ
たとき、これらのストレスを吸収する部分がないため、
半導体素子が破壊されたり、バンプが外れたりするとい
った問題がある。上記機械ストレスとは、例えば樹脂モ
ールドのための金型でリードフレームをクランプしたと
き、挟持部2a,3aと半導体素子1との間に生じるス
トレスである。また、上記熱ストレスとは、例えばハン
ダ付けに際して加熱を行ったとき、半導体素子とリード
フレームとの熱膨張率の差によって生じるストレスをい
う。
However, in the structure of the lead frame in which the semiconductor element is sandwiched by the two leads and the wireless bonding is performed as described above, when heat stress and / or mechanical stress is applied to the lead frame, Since there is no part that absorbs these stresses,
There are problems that the semiconductor element is destroyed and the bumps come off. The mechanical stress is, for example, a stress generated between the holding portions 2a and 3a and the semiconductor element 1 when the lead frame is clamped by a mold for resin molding. Further, the thermal stress means, for example, a stress caused by a difference in coefficient of thermal expansion between the semiconductor element and the lead frame when heating is performed during soldering.

【0006】本発明はこれらの点に鑑みてなされたもの
であって、2つのリードで半導体素子を挟むようにして
用いるときに半導体素子に加わるストレスを吸収しうる
リードフレームを提供することを目的とする。また、か
かるリードフレームを用いた半導体装置を提供すること
も目的とする。
The present invention has been made in view of these points, and an object of the present invention is to provide a lead frame capable of absorbing stress applied to a semiconductor element when the semiconductor element is sandwiched between two leads. .. Another object is to provide a semiconductor device using such a lead frame.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明のリードフレームは、サイドフレームから延びる
複数のリードを有し、2つのリードで半導体素子を挟む
ようにして用いるリードフレームにおいて、前記2つの
リードのうちの少なくとも一方の一部分が、該リードに
おける他の部分よりも小さい曲げ強度を有することを特
徴としている。
In order to achieve the above object, the lead frame of the present invention has a plurality of leads extending from a side frame and is used in such a manner that a semiconductor element is sandwiched between two leads. At least a portion of at least one of the leads has a bending strength smaller than that of the other portions of the lead.

【0008】上記目的を達成するため本発明の半導体装
置は、前記リードフレームの前記小さい曲げ強度を有す
る部分が、前記半導体素子と共に樹脂でモールドされて
成ることを特徴としている。
To achieve the above object, the semiconductor device of the present invention is characterized in that the portion of the lead frame having the small bending strength is molded with resin together with the semiconductor element.

【0009】[0009]

【作用】このようなリードフレームの構成によると、前
記機械ストレスや熱ストレスが生じても、これらのスト
レスを前記リードの曲げ強度の小さい部分が吸収するた
め、半導体素子に伝わるストレスが緩和される。
According to such a lead frame structure, even if the mechanical stress or the thermal stress occurs, the stress is transmitted to the semiconductor element because the stress is absorbed by the portion of the lead having a small bending strength. ..

【0010】また、上記のような半導体装置の構成によ
ると、前記リードの曲げ強度の小さい部分が樹脂でモー
ルドされるため、使用に際して問題となるような強度の
低下は起こらない。
Further, according to the structure of the semiconductor device as described above, since the portion of the lead having a small bending strength is molded with the resin, there is no reduction in the strength which causes a problem in use.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。尚、図5〜図7に示す従来例の各部と同一の部分
には同一の符号を付して詳しい説明を省略する。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. The same parts as those of the conventional example shown in FIGS. 5 to 7 are designated by the same reference numerals, and detailed description thereof will be omitted.

【0012】図1は本発明の第1実施例に半導体素子1
が搭載された状態を示す斜視図であり、図2は本実施例
の製造工程におけるダイボンディング前の要部構造を示
す平面図である。図1及び図2に示すように、本実施例
は、リード13の一部に孔10が設けられているほか
は、前記従来例(図5〜図7)と同様の構成となってい
る。
FIG. 1 shows a semiconductor device 1 according to a first embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a perspective view showing a state in which is mounted, and FIG. 2 is a plan view showing a main part structure before die bonding in the manufacturing process of this embodiment. As shown in FIGS. 1 and 2, this embodiment has the same structure as that of the conventional example (FIGS. 5 to 7) except that a hole 10 is provided in a part of the lead 13.

【0013】本実施例のリードフレームは、先ず図2に
示すように金属薄板を打ち抜いて形成されるが、このと
きリード13の挟持部13aとなる部分を支持する一部
分(幅W1:0.3mm)に孔(幅W2:0.2mm)10を形成して
おく。そして、挟持部13a上に半導体素子1をダイボ
ンディングし、その上から図1に示すようにリード2の
挟持部2aを重ね、半導体素子1上のバンプ(図示せず)
を溶かしてワイヤレスボンディングを行う。尚、孔10
は貫通孔であるが、この孔10を形成する代わりにリー
ド13の一部分を薄くすることによって凹所を形成して
もよい。
The lead frame of this embodiment is first formed by punching out a thin metal plate as shown in FIG. 2. At this time, a portion (width W1: 0.3 mm) that supports a portion of the lead 13 that serves as a holding portion 13a. A hole (width W2: 0.2 mm) 10 is formed in the hole. Then, the semiconductor element 1 is die-bonded onto the sandwiching portion 13a, and the sandwiching portion 2a of the lead 2 is overlaid on the sandwiching portion 13a as shown in FIG. 1 to form bumps (not shown) on the semiconductor element 1.
Melt and perform wireless bonding. The hole 10
Is a through hole, but instead of forming this hole 10, the recess may be formed by thinning a part of the lead 13.

【0014】孔10が形成された部分は、リード13に
おける他の部分よりも曲げ強度が小さいので、ストレス
が加わると、先ず孔10の部分が変形やたわみ等により
ストレスを吸収することになる。従って、挟持部2aを
半導体素子1上に位置させる際に、金型でサイドフレー
ム50,60(図5)をクランプしたり、その後ハンダ付
け時に加熱したりしても、それによって発生するストレ
スは吸収される。よって、半導体素子1にはストレスは
加わらず、破壊されることがない。また、バンプの外れ
も生じない。尚、本実施例では、孔10をリード13に
設けているが、孔をリード2に設けてもよく、またリー
ド2及び13の両方に設けてもよい。
Since the portion where the hole 10 is formed has a smaller bending strength than the other portions of the lead 13, when stress is applied, the portion of the hole 10 first absorbs the stress due to deformation or bending. Therefore, even if the side frames 50 and 60 (FIG. 5) are clamped with a mold when the sandwiching portion 2a is positioned on the semiconductor element 1 and then the side frames 50 and 60 are heated at the time of soldering, the stress generated by the mold is not generated. Be absorbed. Therefore, the semiconductor element 1 is not stressed and is not destroyed. In addition, the bump does not come off. Although the hole 10 is provided in the lead 13 in the present embodiment, the hole may be provided in the lead 2 or both the leads 2 and 13.

【0015】リード13の曲げ強度を測定したところ、
孔10が形成されていないものと比べて50%低いこと
が判った。これは、半導体素子1へのストレス集中が、
従来よりも50%低下することを意味する。また、孔の
大きさや形状を調整することで、半導体素子1に加わる
ストレスの大きさを調整することができる。
When the bending strength of the lead 13 was measured,
It was found to be 50% lower than that without the holes 10. This is because stress concentration on the semiconductor element 1
This means that it is 50% lower than before. Further, by adjusting the size and shape of the holes, the magnitude of stress applied to the semiconductor element 1 can be adjusted.

【0016】リードフレーム全体を弱くすると、半導体
装置の組立時に問題が発生するが、本実施例のようにリ
ードフレームの構造中に部分的に曲げ強度の弱い箇所を
設ける構造であれば、かかる問題は生じない。また、樹
脂でモールドされる部分4(図7)内に曲げ強度の小さい
部分が封止されてしまうようにすれば、完成された半導
体装置の取扱いに際して問題は生じない。尚、孔10の
一部が、樹脂でモールドされる部分4(図7)から出るよ
うにすれば、モールド樹脂とリードとの密着が良くなる
ので、半導体装置の耐湿性を向上させることができる。
If the entire lead frame is weakened, a problem will occur at the time of assembling the semiconductor device, but if the structure of the lead frame is partially provided with weak bending strength as in this embodiment, such a problem will occur. Does not occur. Further, if the portion having a small bending strength is sealed in the portion 4 (FIG. 7) to be molded with the resin, there will be no problem in handling the completed semiconductor device. Incidentally, if a part of the hole 10 is made to come out from the portion 4 (FIG. 7) to be molded with the resin, the adhesion between the molding resin and the lead is improved, so that the moisture resistance of the semiconductor device can be improved. .

【0017】挟持部2a,13aが上に持ち上がる形状
となっているのは、半導体素子1をパッケージの中心に
位置させるためである。また、モールド樹脂からリード
2,13が抜けないようにするためでもある。
The sandwiching portions 2a and 13a are shaped so as to be lifted up in order to position the semiconductor element 1 at the center of the package. It is also for preventing the leads 2 and 13 from coming off from the molding resin.

【0018】本実施例においては、挟持部13aとなる
部分を支持するリード13の一部分の幅W1よりも、挟
持部13aの幅A1が大きくなっているが、同一サイズ
(W1=A1)であってもよい。挟持部13aが半導体素
子1の搭載部を構成するものであれば、リード13の形
状,大きさ等は、本実施例に限られない。
In the present embodiment, the width A1 of the holding portion 13a is larger than the width W1 of a part of the lead 13 which supports the portion to be the holding portion 13a, but the same size.
It may be (W1 = A1). The shape, size, etc. of the lead 13 are not limited to those in this embodiment as long as the sandwiching portion 13a constitutes the mounting portion of the semiconductor element 1.

【0019】次に、本発明の第2実施例について説明す
る。尚、第1実施例と同一の部分には同一の符号を付し
て詳しい説明を省略する。図3は本発明の第2実施例に
半導体素子1が搭載された状態を示す斜視図であり、図
4は本実施例の製造工程におけるダイボンディング前の
要部構造を示す平面図である。図3及び図4に示すよう
に、本実施例は、孔10(図1,図2)のかわりにくびれ
部分20を設けたほかは、前記第1実施例(図1及び図
2)と同様の構成となっている。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. The same parts as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals and detailed description thereof will be omitted. FIG. 3 is a perspective view showing a state in which the semiconductor element 1 is mounted in the second embodiment of the present invention, and FIG. 4 is a plan view showing a main part structure before die bonding in the manufacturing process of the present embodiment. As shown in FIGS. 3 and 4, this embodiment is the same as the first embodiment (FIGS. 1 and 2) except that a constricted portion 20 is provided instead of the hole 10 (FIGS. 1 and 2). It has a structure of.

【0020】本実施例のリードフレームは、先ず図4に
示すように金属薄板を打ち抜いて形成されるが、このと
きリード23の挟持部23aとなる部分を支持する一部
分(幅W1:0.3mm)が、他の部分よりも細くされること
によって、くびれ部分(幅W3:0.1mm)20が形成され
る。前記ストレスが発生しても、そのストレスをくびれ
部分20が吸収することにより、半導体素子1に加わる
ストレスが吸収される。つまり、このくびれ部分20
は、前記第1実施例の孔10が設けられた部分と同様に
機能する。尚、本実施例では、くびれ部分20をリード
23に設けているが、くびれ部分をリード2に設けても
よく、またリード2及び23の両方に設けてもよい。
The lead frame of this embodiment is first formed by punching out a thin metal plate as shown in FIG. 4. At this time, a portion (width W1: 0.3 mm) that supports the portion of the lead 23 that serves as the holding portion 23a. However, the constricted portion (width W3: 0.1 mm) 20 is formed by making it thinner than the other portions. Even if the stress is generated, the constricted portion 20 absorbs the stress, so that the stress applied to the semiconductor element 1 is absorbed. In other words, this waist 20
Functions in the same manner as the portion provided with the hole 10 of the first embodiment. Although the constricted portion 20 is provided on the lead 23 in this embodiment, the constricted portion may be provided on the lead 2 or may be provided on both the leads 2 and 23.

【0021】本実施例においても、前記第1実施例と同
様に、挟持部23aとなる部分を支持するリード23の
一部分の幅W1よりも、挟持部23aの幅A2が大きく
なっているが、同一サイズ(W1=A2)であってもよ
い。挟持部23aが半導体素子1の搭載部を構成するも
のであれば、リード23の形状,大きさ等は、本実施例
に限られない。
Also in this embodiment, similarly to the first embodiment, the width A2 of the holding portion 23a is larger than the width W1 of a part of the lead 23 supporting the portion to be the holding portion 23a. They may have the same size (W1 = A2). The shape and size of the lead 23 are not limited to those in this embodiment as long as the sandwiching portion 23a constitutes the mounting portion of the semiconductor element 1.

【0022】上記第1,2実施例に限らず、リードとな
る部分の構造中(例えば、挟持部13a,23aにおい
て半導体素子1と直接接していない部分等)に部分的に
曲げ強度の弱い箇所を設けるようにしてもよい。
Not only in the first and second embodiments described above, but in the structure of the portion which becomes the lead (for example, the portions which are not in direct contact with the semiconductor element 1 in the sandwiching portions 13a and 23a), the portions where the bending strength is weak. May be provided.

【0023】また、通常使用されるリードフレームで、
最も細い部分の幅(前記第1実施例においては、穴10
を除く前記支持する一部分の幅の和が相当する)が、約
0.05〜0.15mmの範囲にあるのが好ましい。上記最も細い
部分は、少なくとも一箇所あればよく、例えば孔を複数
設けたりくびれ部分を複数設けたりすることにより、形
成されたものでもよい。また、リードフレーム中、フラ
ットな部分よりもカーブした部分に、前記最も細い部分
を形成する方が好ましい。カーブした部分の方が、スト
レスがより集中しやすく、よってストレスの緩和を効果
的に行いうるからである。
Further, in the lead frame which is usually used,
The width of the thinnest portion (in the first embodiment, the hole 10
Is equivalent to the sum of the widths of the supporting portions excluding
It is preferably in the range of 0.05 to 0.15 mm. The thinnest portion may be at least one place, and may be formed by providing a plurality of holes or a plurality of constricted portions, for example. Further, it is preferable to form the thinnest portion in a curved portion of the lead frame rather than in a flat portion. This is because stress is more likely to be concentrated in the curved portion, so that stress can be effectively relieved.

【0024】[0024]

【発明の効果】以上説明した通り、本発明のリードフレ
ームよれば、サイドフレームから延びる複数のリードを
有し、2つのリードで半導体素子を挟むようにして用い
るリードフレームにおいて、前記2つのリードのうちの
少なくとも一方の一部分が、該リードにおける他の部分
よりも小さい曲げ強度を有するので、ストレスが発生し
ても、この曲げ強度の小さい部分がそのストレスを吸収
する結果、ダイボンディングされた半導体素子に加わる
ストレスを吸収することができる。
As described above, according to the lead frame of the present invention, in the lead frame which has a plurality of leads extending from the side frame and which is used by sandwiching the semiconductor element with the two leads, of the two leads. Since at least one portion has a bending strength smaller than that of the other portion of the lead, even if a stress occurs, the portion having a small bending strength absorbs the stress and, as a result, is added to the die-bonded semiconductor element. Can absorb stress.

【0025】従って、半導体装置の歩留まり向上及び性
能の安定化が可能となる。また、半導体装置組立時の機
械的ストレスを吸収できるので、設備の設計が容易にな
り、ワイヤレス構造の製品を安定製造できるという効果
もある。
Therefore, it is possible to improve the yield and stabilize the performance of the semiconductor device. Further, since mechanical stress at the time of assembling the semiconductor device can be absorbed, there is an effect that facility design can be facilitated and a product having a wireless structure can be stably manufactured.

【0026】また、前記リードフレームの前記小さい曲
げ強度を有する部分を、前記半導体素子と共に樹脂でモ
ールドすることによって、使用に際して問題を生じない
強度を有する半導体装置を実現することができる。
By molding a portion of the lead frame having the small bending strength with a resin together with the semiconductor element, it is possible to realize a semiconductor device having a strength that does not cause a problem in use.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1実施例に半導体素子が搭載された
状態を示す斜視図。
FIG. 1 is a perspective view showing a state in which a semiconductor element is mounted on a first embodiment of the present invention.

【図2】本発明の第1実施例の製造工程におけるダイボ
ンディング前の要部構造を示す平面図。
FIG. 2 is a plan view showing a main structure before die bonding in the manufacturing process of the first embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第2実施例に半導体素子が搭載された
状態を示す斜視図。
FIG. 3 is a perspective view showing a state in which a semiconductor element is mounted on the second embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第2実施例の製造工程におけるダイボ
ンディング前の要部構造を示す平面図。
FIG. 4 is a plan view showing a main part structure before die bonding in a manufacturing process of a second embodiment of the present invention.

【図5】従来例の製造工程におけるダイボンディング前
の要部構造を示す平面図。
FIG. 5 is a plan view showing a main part structure before die bonding in a manufacturing process of a conventional example.

【図6】従来例に半導体素子が搭載された状態を示す斜
視図。
FIG. 6 is a perspective view showing a state in which a semiconductor element is mounted on a conventional example.

【図7】従来例に半導体素子が搭載された状態を示す側
面図。
FIG. 7 is a side view showing a state in which a semiconductor element is mounted on a conventional example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 …半導体素子 2 …リード 2a …挟持部 13,23 …リード 13a,23a …挟持部 10 …孔 20 …くびれ部 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Semiconductor element 2 ... Lead 2a ... Clamping part 13,23 ... Lead 13a, 23a ... Clamping part 10 ... Hole 20 ... Constricted part

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】サイドフレームから延びる複数のリードを
有し、2つのリードで半導体素子を挟むようにして用い
るリードフレームにおいて、 前記2つのリードのうちの少なくとも一方の一部分が、
該リードにおける他の部分よりも小さい曲げ強度を有す
ることを特徴とするリードフレーム。
1. A lead frame having a plurality of leads extending from a side frame, wherein a semiconductor element is sandwiched by two leads, wherein at least one part of the two leads has a part:
A lead frame having a bending strength smaller than that of other portions of the lead.
【請求項2】請求項1に記載のリードフレームの前記小
さい曲げ強度を有する部分が、前記半導体素子と共に樹
脂でモールドされて成ることを特徴とする半導体装置。
2. A semiconductor device, wherein the portion of the lead frame having the small bending strength according to claim 1 is molded with a resin together with the semiconductor element.
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