JPH05326437A - Counting method of implanted amount in ion-implantation apparatus - Google Patents
Counting method of implanted amount in ion-implantation apparatusInfo
- Publication number
- JPH05326437A JPH05326437A JP13035192A JP13035192A JPH05326437A JP H05326437 A JPH05326437 A JP H05326437A JP 13035192 A JP13035192 A JP 13035192A JP 13035192 A JP13035192 A JP 13035192A JP H05326437 A JPH05326437 A JP H05326437A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- amount
- ion
- counting
- ions
- target
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Analysing Materials By The Use Of Radiation (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はイオン注入装置の注入量
カウント方法に関し、特にＸ線分析器を用いた注入量カ
ウント方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for counting an implantation dose in an ion implantation system, and more particularly to a method for counting an implantation dose using an X-ray analyzer.
【０００２】[0002]
【従来の技術】イオン注入装置の従来の注入量カウント
方法を以下に示す。図２の装置構成図に示すように、イ
オン源１で発生し質量分析部２で選択されたイオンビー
ム３は、インプラントディスク４に固定された半導体ウ
ェーハに注入されるわけであるが、その注入量の測定
は、インプラントディスク４に遮られない場合にターゲ
ット５に衝突するイオンの数を、イオンの総電荷量とし
てビーム電流計８で積算することによりカウントしてい
た。2. Description of the Related Art A conventional method of counting the implantation amount of an ion implantation apparatus is shown below. As shown in the apparatus configuration diagram of FIG. 2, the ion beam 3 generated by the ion source 1 and selected by the mass spectrometric section 2 is injected into the semiconductor wafer fixed to the implant disk 4. The amount was measured by integrating the number of ions that collide with the target 5 when the implant disk 4 is not blocked by the beam ammeter 8 as the total charge amount of the ions.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】この従来の注入量カウ
ント方法では、半導体ウェーハへの注入量のカウントを
ターゲットに衝突したイオンのもつ総電荷量を測定する
ことにより行っているため、イオンビームが質量分析さ
れた後に真空チャンバー内の残留ガスとの衝突等により
Ｐ++からＰ+ ，Ｐ+ からＰ等の電荷の移行が生じた場
合、注入量のカウントが実際の注入量からずれてしま
い、目標とする注入量が得られないという問題点があっ
た。In this conventional implantation dose counting method, since the implantation dose to the semiconductor wafer is counted by measuring the total charge amount of the ions colliding with the target, the ion beam P + a P ++ by collision with the residual gas in the vacuum chamber after being mass spectrometry, when the migration of the charge, such as P, from P + occurs, the injection amount of the count is shifted from the actual injection quantity However, there is a problem that the target injection amount cannot be obtained.
【０００４】[0004]
【課題を解決するための手段】本発明の注入量のカウン
ト方法は、イオンビームがターゲットと衝突した際に、
イオンのもつ電荷量に無関係に、衝突したイオンの数に
比例してＸ線が発生することを利用して、発生したＸ線
をＸ線分析器によりカウントすることにより半導体ウェ
ーハへの注入量を間接的に測定する方法である。The method of counting the implantation dose according to the present invention is designed so that when an ion beam collides with a target,
Utilizing the fact that X-rays are generated in proportion to the number of colliding ions, regardless of the charge amount of the ions, by counting the generated X-rays with an X-ray analyzer, This is an indirect measurement method.
【０００５】[0005]
【実施例】次に本発明について図面を参照して説明す
る。図１は本発明の一実施例を説明するための装置構成
図である。本実施例の注入量カウント方法は、注入する
イオンビーム３をターゲット５に衝突させることにより
発生するＸ線をＸ線分析器７でカウントし、インプラン
トディスク４に固定された半導体ウェーハの注入量を間
接的に測定するというものである。The present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a device configuration diagram for explaining one embodiment of the present invention. In the implantation amount counting method of the present embodiment, the X-ray analyzer 7 counts the X-rays generated by colliding the ion beam 3 to be implanted with the target 5 to determine the implantation amount of the semiconductor wafer fixed to the implant disk 4. It is to measure indirectly.
【０００６】ターゲット５にイオンビーム３が衝突する
際に発生するＸ線量は、イオンのもつ電荷量に無関係に
衝突したイオンの数に比例するため、イオンが質量分析
された後に真空チャンバー内の残留ガスとの衝突により
電荷の移行が生じた場合でも、注入量のカウントと実際
の注入量とのずれはなく、安定して目標とする注入量が
得られる。Since the X-ray dose generated when the ion beam 3 collides with the target 5 is proportional to the number of colliding ions regardless of the charge amount of the ions, the ions remain in the vacuum chamber after mass analysis. Even if the charge transfer occurs due to collision with the gas, there is no difference between the count of the injection amount and the actual injection amount, and the target injection amount can be stably obtained.
【０００７】[0007]
【発明の効果】以上説明したように本発明の注入量のカ
ウント方法では、イオンビームがターゲットに衝突した
際に、イオンのもつ電荷量と無関係にターゲットに衝突
したイオンの数に比例して発生するＸ線をＸ線分析器に
よってカウントすることにより、半導体ウェーハに注入
された総注入量を間接的に測定しているため、真空チャ
ンバー内の真空度に無関係に安定した注入量のカウント
が行える。As described above, according to the method of counting the implantation amount of the present invention, when the ion beam collides with the target, it is generated in proportion to the number of ions colliding with the target regardless of the charge amount of the ions. Since the total injection amount injected into the semiconductor wafer is indirectly measured by counting the number of X-rays to be injected by the X-ray analyzer, the stable injection amount can be counted regardless of the degree of vacuum in the vacuum chamber. ..
【図１】本発明の一実施例を説明するための装置の構成
図である。FIG. 1 is a configuration diagram of an apparatus for explaining an embodiment of the present invention.
【図２】従来のカウント方法を説明するための装置の構
成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of an apparatus for explaining a conventional counting method.
１ イオン源 ２ 質量分析部 ３ イオンビーム ４ インプラントディスク ５ ターゲット ６ Ｘ線 ７ Ｘ線分析器 ８ ビーム電流計 1 ion source 2 mass spectrometric section 3 ion beam 4 implant disk 5 target 6 X-ray 7 X-ray analyzer 8 beam ammeter
Claims (1)
るイオン注入装置の注入量カウント方法において、イオ
ンビームをターゲットに衝突させ、イオンの数に比例し
て発生するＸ線をＸ線分析器によりカウントし、半導体
ウェーハへのイオン注入量を間接的に測定することを特
徴とするイオン注入装置の注入量カウント方法。1. A method of counting an implantation amount of an ion implantation apparatus for implanting impurity ions into a semiconductor wafer, wherein an X-ray analyzer counts X-rays generated in proportion to the number of ions by colliding an ion beam with a target. , A method for counting the amount of ion implantation in a semiconductor wafer, which indirectly measures the amount of ion implantation.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13035192A JPH05326437A (en) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | Counting method of implanted amount in ion-implantation apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13035192A JPH05326437A (en) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | Counting method of implanted amount in ion-implantation apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05326437A true JPH05326437A (en) | 1993-12-10 |
Family
ID=15032320
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13035192A Pending JPH05326437A (en) | 1992-05-22 | 1992-05-22 | Counting method of implanted amount in ion-implantation apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05326437A (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7834422B2 (en) * | 2004-05-18 | 2010-11-16 | Qucor Pty. Ltd. | Implanted counted dopant ions |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5376759A (en) * | 1976-12-20 | 1978-07-07 | Ibm | Ion implantation device |
| JPS55159555A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-11 | Fujitsu Ltd | Ion injector |
-
1992
- 1992-05-22 JP JP13035192A patent/JPH05326437A/en active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5376759A (en) * | 1976-12-20 | 1978-07-07 | Ibm | Ion implantation device |
| JPS55159555A (en) * | 1979-05-31 | 1980-12-11 | Fujitsu Ltd | Ion injector |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7834422B2 (en) * | 2004-05-18 | 2010-11-16 | Qucor Pty. Ltd. | Implanted counted dopant ions |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4539217A (en) | Dose control method | |
| US4587433A (en) | Dose control apparatus | |
| US5814823A (en) | System and method for setecing neutral particles in an ion bean | |
| Hammache et al. | Low-Energy Measurement of the B 7 e (p, γ) B 8 Cross Section | |
| McClure | Charge Exchange and Dissociation of H+, H 2+, and H 3+ Ions Incident on H 2 Gas | |
| Gregory et al. | Experimental cross sections for electron-impact ionization of iron ions: Fe 5+, Fe 6+, and Fe 9+ | |
| US6541780B1 (en) | Particle beam current monitoring technique | |
| JP2000100372A (en) | Ion beam implantation system, ion beam energy measuring device and mean ion kinetic energy measuring device | |
| US7071463B2 (en) | Calibration method | |
| Martin et al. | Measurement of electron backscattering in the energy range of neutron β decay | |
| US20060033041A1 (en) | Ion implantation monitor system and method thereof | |
| McKenna | High current dosimetry techniques | |
| Denby et al. | Ground state energy and width of He 7 from Li 8 proton knockout | |
| JPH05326437A (en) | Counting method of implanted amount in ion-implantation apparatus | |
| Seiler et al. | First 10Be measurements at Trondheim 1 MV AMS | |
| Riciputi et al. | Analysis for rare earth elements in silicates by ion microprobe using doubly-charged ions | |
| JPS61227357A (en) | Ion implantation equipment | |
| JP4009013B2 (en) | Ion current detection device and ion implantation device | |
| JPS5887746A (en) | Correction of measured value of amount of incident beams in ion implantation device | |
| US6815689B1 (en) | Mass spectrometry with enhanced particle flux range | |
| JPH11120954A (en) | Ion implanting device | |
| JPS5853469B2 (en) | Ion implantation device | |
| SMITH et al. | Precision and Reproducibility in AMS Radiocarbon Measurements | |
| Lorin | Oxygen-isotope analysis on the Came´ ca® ims-300 | |
| Burnod et al. | Drift speed measurements of the halo in the SPS collider |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980714 |