JPH05314912A - プラズマディスプレイ - Google Patents
プラズマディスプレイInfo
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- JPH05314912A JPH05314912A JP14480392A JP14480392A JPH05314912A JP H05314912 A JPH05314912 A JP H05314912A JP 14480392 A JP14480392 A JP 14480392A JP 14480392 A JP14480392 A JP 14480392A JP H05314912 A JPH05314912 A JP H05314912A
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- Japan
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- discharge
- film
- plasma display
- absorption loss
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高輝度化及び長寿命化を図ること。
【構成】 蛍光体６を紫外線の吸収損失の低いフッ化物
であるＭｇＦ2 膜１０によって覆った。また、紫外線の
吸収損失の低いＭｇＦ2 膜１０の上部にイオン衝撃に強
いＭｇＯ膜５ａを形成した。 【効果】 ＭｇＦ2 膜１０の膜厚を厚めに形成しても紫
外線の透過率が低下しないので、充分な厚みを確保する
ことができ、よってイオン衝撃にも対処することができ
る。また、紫外線の吸収損失の低いＭｇＦ2 膜１０の上
部にイオン衝撃に強いＭｇＯ膜５ａを形成したことによ
り、ＭｇＦ2 膜１０及びＭｇＯ膜５ａを薄く形成するこ
とができ、しかもＭｇＯ膜５ａによって二次電子の放出
の割合の低下を補完することができる。
であるＭｇＦ2 膜１０によって覆った。また、紫外線の
吸収損失の低いＭｇＦ2 膜１０の上部にイオン衝撃に強
いＭｇＯ膜５ａを形成した。 【効果】 ＭｇＦ2 膜１０の膜厚を厚めに形成しても紫
外線の透過率が低下しないので、充分な厚みを確保する
ことができ、よってイオン衝撃にも対処することができ
る。また、紫外線の吸収損失の低いＭｇＦ2 膜１０の上
部にイオン衝撃に強いＭｇＯ膜５ａを形成したことによ
り、ＭｇＦ2 膜１０及びＭｇＯ膜５ａを薄く形成するこ
とができ、しかもＭｇＯ膜５ａによって二次電子の放出
の割合の低下を補完することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ペニング混合ガスから
の紫外線によって発光する蛍光体の劣化を防止するため
の保護膜の最適化を図ることにより、輝度及び発光効率
を高めたプラズマディスプレイに関する。
の紫外線によって発光する蛍光体の劣化を防止するため
の保護膜の最適化を図ることにより、輝度及び発光効率
を高めたプラズマディスプレイに関する。
【０００２】
【従来の技術】プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）
は、ネオンを主体とする希ガスを封入した２枚のガラス
板の間に一対の放電電極（陰極及び陽極）を規則的に配
列させ、両電極の交点に形成した放電セルへの電圧印加
によって発生する放電発光現象を利用した表示パネルで
ある。
は、ネオンを主体とする希ガスを封入した２枚のガラス
板の間に一対の放電電極（陰極及び陽極）を規則的に配
列させ、両電極の交点に形成した放電セルへの電圧印加
によって発生する放電発光現象を利用した表示パネルで
ある。
【０００３】プラズマディスプレイには、低電圧で放電
を開始させるために、放電空間にペニング混合ガスが封
入されている。モノクロ表示では、Ｎe ＋Ｘe （０．１
％）あるいはＮe ＋Ａr （０．１％）が用いられてい
る。
を開始させるために、放電空間にペニング混合ガスが封
入されている。モノクロ表示では、Ｎe ＋Ｘe （０．１
％）あるいはＮe ＋Ａr （０．１％）が用いられてい
る。
【０００４】プラズマディスプレイのカラー化には、放
電に伴う紫外線放射により蛍光体を励起発光させる方式
が採用されている。封入ガスは、主としてＨe ＋Ｘe
（１〜２％）のペニング混合ガスが用いられている。
電に伴う紫外線放射により蛍光体を励起発光させる方式
が採用されている。封入ガスは、主としてＨe ＋Ｘe
（１〜２％）のペニング混合ガスが用いられている。
【０００５】プラズマディスプレイは、その電極の構造
上ＤＣ形とＡＣ形とに分類される。ＤＣ形は電圧印加用
電極が放電空間に露出されており、ＡＣ形は電圧印加用
電極が誘電体層で覆われた構造とされている。ＤＣ形は
厚膜技術を用いて製造され、ＡＣ形は主として薄膜技術
を用いて製造されている。
上ＤＣ形とＡＣ形とに分類される。ＤＣ形は電圧印加用
電極が放電空間に露出されており、ＡＣ形は電圧印加用
電極が誘電体層で覆われた構造とされている。ＤＣ形は
厚膜技術を用いて製造され、ＡＣ形は主として薄膜技術
を用いて製造されている。
【０００６】ＡＣ形を大別すると、対向形、面放電形、
障壁電極形に分けられる。ＡＣ形を更に大別すると、蛍
光体の配設箇所の相違等から透過形と反射形とに分けら
れる。
障壁電極形に分けられる。ＡＣ形を更に大別すると、蛍
光体の配設箇所の相違等から透過形と反射形とに分けら
れる。
【０００７】図１は対向形の基本構造を示すもので、表
面ガラス３ａ及び背面ガラス板３ｂの内面には、誘電体
層１ａ，１ｂによって被覆されたＸ電極２ａ及びＹ電極
２ｂが交差状に配設されている。表面ガラス３ａ及び背
面ガラス板３ｂとによって形成される放電空間４にはネ
オン又はヘリウム混合ガスが封入されている。誘電体層
１ａ，１ｂの表面にはイオン衝撃に強いＭｇＯ膜５ａ，
５ｂが形成されている。誘電体層１ａとＭｇＯ膜５ａと
の間にはネオン又はヘリウム混合ガスの発生する紫外線
により、励起されて発光する蛍光体６が設けられてい
る。
面ガラス３ａ及び背面ガラス板３ｂの内面には、誘電体
層１ａ，１ｂによって被覆されたＸ電極２ａ及びＹ電極
２ｂが交差状に配設されている。表面ガラス３ａ及び背
面ガラス板３ｂとによって形成される放電空間４にはネ
オン又はヘリウム混合ガスが封入されている。誘電体層
１ａ，１ｂの表面にはイオン衝撃に強いＭｇＯ膜５ａ，
５ｂが形成されている。誘電体層１ａとＭｇＯ膜５ａと
の間にはネオン又はヘリウム混合ガスの発生する紫外線
により、励起されて発光する蛍光体６が設けられてい
る。
【０００８】このような対向形では、Ｘ電極２ａとＹ電
極２ｂとの間に放電開始電圧を超えるＡＣ電圧を印加す
ると、両電極の交点で放電が生じる。両電極の放電によ
りネオン又はヘリウム混合ガスのＸe から１４７ｎｍの
紫外線が放射される。放射された紫外線により蛍光体６
が励起されて発光する。
極２ｂとの間に放電開始電圧を超えるＡＣ電圧を印加す
ると、両電極の交点で放電が生じる。両電極の放電によ
りネオン又はヘリウム混合ガスのＸe から１４７ｎｍの
紫外線が放射される。放射された紫外線により蛍光体６
が励起されて発光する。
【０００９】このとき、放電によって発生した電子及び
イオンは電界に沿って移動しそれぞれ誘電体層１ａ，１
ｂの表面に蓄積される。これにより、逆極性の壁電圧を
生ずるので放電は短時間で終了する。
イオンは電界に沿って移動しそれぞれ誘電体層１ａ，１
ｂの表面に蓄積される。これにより、逆極性の壁電圧を
生ずるので放電は短時間で終了する。
【００１０】また誘電体層１ａ，１ｂの表面の電荷は、
印加電圧を取り去っても残留し、壁電荷としてメモリさ
れるので、次に印加される逆極性の外部電圧に対して、
壁電荷分だけ低い電圧で放電が開始される。このメモリ
を消去するには蓄積電荷を消去するための放電をさせれ
ばよい。
印加電圧を取り去っても残留し、壁電荷としてメモリさ
れるので、次に印加される逆極性の外部電圧に対して、
壁電荷分だけ低い電圧で放電が開始される。このメモリ
を消去するには蓄積電荷を消去するための放電をさせれ
ばよい。
【００１１】更に、ＭｇＯ膜５ａ，５ｂによって蛍光体
６を覆うことにより、陽極から発生するイオンの衝撃に
対して蛍光体６が保護されるので、蛍光体６の劣化が防
止され長寿命化が図られる。
６を覆うことにより、陽極から発生するイオンの衝撃に
対して蛍光体６が保護されるので、蛍光体６の劣化が防
止され長寿命化が図られる。
【００１２】図２は、面放電形の基本構造を示すもので
ある。この構造では、Ｘ電極２ａ及びＹ電極２ｂがとも
に背面ガラス板３ｂ側に配設されている。蛍光体６は表
面ガラス３ａ側に配設されている。これにより、蛍光体
６が放電経路から切り離されることから、イオン衝撃に
よる蛍光体６の劣化が少ないという利点がある。
ある。この構造では、Ｘ電極２ａ及びＹ電極２ｂがとも
に背面ガラス板３ｂ側に配設されている。蛍光体６は表
面ガラス３ａ側に配設されている。これにより、蛍光体
６が放電経路から切り離されることから、イオン衝撃に
よる蛍光体６の劣化が少ないという利点がある。
【００１３】図３は、障壁電極形であり且つ反射形の基
本構造を示すもので、背面ガラス板３ｂの上部には下部
電極２Ｂ及び誘電体層７ｂが形成されている。
本構造を示すもので、背面ガラス板３ｂの上部には下部
電極２Ｂ及び誘電体層７ｂが形成されている。
【００１４】誘電体層７ｂの上部には、光学的なクロス
トーク等を阻止するための高さ約１００μｍの障壁８が
設けられている。誘電体層７ｂ及び障壁８の上部には、
上部電極２Ａ、誘電体層７ａ、蛍光体６及びＭｇＯ膜５
ｂが形成されている。
トーク等を阻止するための高さ約１００μｍの障壁８が
設けられている。誘電体層７ｂ及び障壁８の上部には、
上部電極２Ａ、誘電体層７ａ、蛍光体６及びＭｇＯ膜５
ｂが形成されている。
【００１５】表面ガラス３ａには、蛍光体６が配設され
ている。放電空間４内には、Ｈe ＋Ｘe （１〜２％）の
ペニング混合ガスが封入されている。
ている。放電空間４内には、Ｈe ＋Ｘe （１〜２％）の
ペニング混合ガスが封入されている。
【００１６】このような障壁電極形のものでは、上部電
極２Ａと下部電極２Ｂとの間に駆動電圧を印加すると、
上部電極２Ａと下部電極２Ｂとの間に放電が生じて複数
の放電領域が形成される。
極２Ａと下部電極２Ｂとの間に駆動電圧を印加すると、
上部電極２Ａと下部電極２Ｂとの間に放電が生じて複数
の放電領域が形成される。
【００１７】これにより、放電空間４内部で発生したプ
ラズマ放電によりペニング混合ガスのＸe から１４７ｎ
ｍの紫外線が放射される。放射された紫外線により蛍光
体６が励起されて発光する。
ラズマ放電によりペニング混合ガスのＸe から１４７ｎ
ｍの紫外線が放射される。放射された紫外線により蛍光
体６が励起されて発光する。
【００１８】このような反射形によるものでは、表面ガ
ラス３ａに塗布された蛍光体６による発光に障壁８及び
背面ガラス３ｂ側に塗布された蛍光体６による発光が加
わるため、透過形に比して輝度及び発光効率が高い。
ラス３ａに塗布された蛍光体６による発光に障壁８及び
背面ガラス３ｂ側に塗布された蛍光体６による発光が加
わるため、透過形に比して輝度及び発光効率が高い。
【００１９】
【発明が解決しようとする課題】このように、上述した
各種のプラズマディスプレイでは、イオン衝撃による劣
化を防止するために蛍光体６をＭｇＯ膜５ａ，５ｂによ
って覆う構造が採用されている。
各種のプラズマディスプレイでは、イオン衝撃による劣
化を防止するために蛍光体６をＭｇＯ膜５ａ，５ｂによ
って覆う構造が採用されている。
【００２０】ところで、ＭｇＯ膜はペニング混合ガスが
発生する１４７ｎｍの紫外線の吸収損失が高いので、蛍
光体６を効率よく励起発光させるためにはＭｇＯ膜を薄
くする必要がある。
発生する１４７ｎｍの紫外線の吸収損失が高いので、蛍
光体６を効率よく励起発光させるためにはＭｇＯ膜を薄
くする必要がある。
【００２１】しかしながら、ＭｇＯ膜を薄くすると、イ
オン衝撃に対する保護及びＭｇＯ膜の二次電子放出によ
るプラズマ点火電圧の低減といった役割を十分に果たせ
なくなるという不具合を生じてしまう。
オン衝撃に対する保護及びＭｇＯ膜の二次電子放出によ
るプラズマ点火電圧の低減といった役割を十分に果たせ
なくなるという不具合を生じてしまう。
【００２２】本発明は、このような事情に対処してなさ
れたもので、蛍光体の保護及び発光効率の向上を共に図
り、高輝度化及び長寿命化を図ることができるプラズマ
ディスプレイを提供することを目的とする。
れたもので、蛍光体の保護及び発光効率の向上を共に図
り、高輝度化及び長寿命化を図ることができるプラズマ
ディスプレイを提供することを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、表面ガラス又は背面ガラスの少なくとも
一方に外部より電圧を印加するための電極が設けられ、
更に前記表面ガラスと背面ガラスとの間に形成される放
電空間にペニング混合ガスが充填されてなるプラズマデ
ィスプレイにおいて、前記表面ガラス又は背面ガラスの
少なくとも一方に前記ペニング混合ガスからの紫外線に
よって発光する蛍光体が形成されているとともに、この
蛍光体が前記紫外線の吸収損失の低い誘電体によって覆
われてなることを特徴とする。
成するために、表面ガラス又は背面ガラスの少なくとも
一方に外部より電圧を印加するための電極が設けられ、
更に前記表面ガラスと背面ガラスとの間に形成される放
電空間にペニング混合ガスが充填されてなるプラズマデ
ィスプレイにおいて、前記表面ガラス又は背面ガラスの
少なくとも一方に前記ペニング混合ガスからの紫外線に
よって発光する蛍光体が形成されているとともに、この
蛍光体が前記紫外線の吸収損失の低い誘電体によって覆
われてなることを特徴とする。
【００２４】また、本発明は、紫外線の吸収損失の低い
誘電体の上部に二次電子放出の高い誘電体が形成されて
いることを特徴とする。
誘電体の上部に二次電子放出の高い誘電体が形成されて
いることを特徴とする。
【００２５】
【作用】本発明のプラズマディスプレイでは、蛍光体を
紫外線の吸収損失の低い誘電体によって覆ったものであ
り、この誘電体の膜厚を厚めに形成しても紫外線の透過
率が低下せず、しかも充分な厚みによってイオン衝撃に
も対処することができる。
紫外線の吸収損失の低い誘電体によって覆ったものであ
り、この誘電体の膜厚を厚めに形成しても紫外線の透過
率が低下せず、しかも充分な厚みによってイオン衝撃に
も対処することができる。
【００２６】また、紫外線の吸収損失の低い誘電体の上
部に二次電子放出の高いイオン衝撃に強い誘電体を形成
したことにより、紫外線の吸収損失の低い誘電体による
二次電子の放出の割合の低下を補完することができる。
部に二次電子放出の高いイオン衝撃に強い誘電体を形成
したことにより、紫外線の吸収損失の低い誘電体による
二次電子の放出の割合の低下を補完することができる。
【００２７】
【実施例】以下、本発明の実施例の詳細を図面に基づい
て説明する。なお、以下に説明する図において、図３と
共通する部分には同一符号を付し重複する説明を省略す
る。
て説明する。なお、以下に説明する図において、図３と
共通する部分には同一符号を付し重複する説明を省略す
る。
【００２８】図４は、本発明のプラズマディスプレイの
一実施例を示すもので、背面ガラス板３ｂの上部には下
部電極２Ｂ及び誘電体層７ｂが形成されている。
一実施例を示すもので、背面ガラス板３ｂの上部には下
部電極２Ｂ及び誘電体層７ｂが形成されている。
【００２９】誘電体層７ｂの上部には、障壁８が設けら
れている。誘電体層７ｂ及び障壁８の上部には、上部電
極２Ａ、誘電体層７ａ、蛍光体６が形成されている。
れている。誘電体層７ｂ及び障壁８の上部には、上部電
極２Ａ、誘電体層７ａ、蛍光体６が形成されている。
【００３０】蛍光体６の上部には、アルカリ金属又はア
ルカリ土類金属のフッ化物であるＭｇＦ2 膜１０が１０
００〜５０００Åの厚さで形成されている。このＭｇＦ
2 膜１０は、紫外線の吸収損失の低い透明な膜である。
なお、フッ化物であるＭｇＦ2 に変えて、ＬｉＦ又はＣ
ａＦ2 等の他のフッ化物を用いてもよい。
ルカリ土類金属のフッ化物であるＭｇＦ2 膜１０が１０
００〜５０００Åの厚さで形成されている。このＭｇＦ
2 膜１０は、紫外線の吸収損失の低い透明な膜である。
なお、フッ化物であるＭｇＦ2 に変えて、ＬｉＦ又はＣ
ａＦ2 等の他のフッ化物を用いてもよい。
【００３１】表面ガラス３ａには、蛍光体６が配設され
ている。放電空間４内には、Ｈe ＋Ｘe （１〜２％）の
ペニング混合ガスが封入されている。
ている。放電空間４内には、Ｈe ＋Ｘe （１〜２％）の
ペニング混合ガスが封入されている。
【００３２】このような構成では、上部電極２Ａと下部
電極２Ｂとの間に駆動電圧を印加すると、上部電極２Ａ
と下部電極２Ｂとの間に放電が生じて複数の放電領域が
形成される。
電極２Ｂとの間に駆動電圧を印加すると、上部電極２Ａ
と下部電極２Ｂとの間に放電が生じて複数の放電領域が
形成される。
【００３３】これにより、放電空間４内部に発生したプ
ラズマ放電によりペニング混合ガスのＸe から１４７ｎ
ｍの紫外線が放射される。放射された紫外線は吸収損失
の低いＭｇＦ2 膜１０を透過し蛍光体６に到達する。蛍
光体６は紫外線を受けることによって発光を行う。発光
による可視光は蛍光体６によって反射され、表面ガラス
３ａを通して見られる。
ラズマ放電によりペニング混合ガスのＸe から１４７ｎ
ｍの紫外線が放射される。放射された紫外線は吸収損失
の低いＭｇＦ2 膜１０を透過し蛍光体６に到達する。蛍
光体６は紫外線を受けることによって発光を行う。発光
による可視光は蛍光体６によって反射され、表面ガラス
３ａを通して見られる。
【００３４】なお、ＭｇＦ2 膜１０はその膜厚を厚めに
形成しても紫外線の透過率を低下させることが少なくな
るので、充分な厚みを確保することができイオン衝撃に
対しての蛍光体６の劣化防止を充分に図ることができ
る。
形成しても紫外線の透過率を低下させることが少なくな
るので、充分な厚みを確保することができイオン衝撃に
対しての蛍光体６の劣化防止を充分に図ることができ
る。
【００３５】図５は、図４のプラズマディスプレイの構
成を変えた他の実施例を示すもので、厚さ５０００Åの
ＭｇＦ2 膜１０の上部に厚さ１００〜１０００ÅのＭｇ
Ｏ膜５ｂが形成されている。
成を変えた他の実施例を示すもので、厚さ５０００Åの
ＭｇＦ2 膜１０の上部に厚さ１００〜１０００ÅのＭｇ
Ｏ膜５ｂが形成されている。
【００３６】ＭｇＦ2 膜１０の二次電子放出の割合がＭ
ｇＯ膜に比して低いのでそれを補完するために薄いＭｇ
Ｏ膜を設けることにより、紫外線の吸収損失を低減する
ことに加えて二次電子放出の割合を高め、プラズマ点火
電圧の低減を図っている。
ｇＯ膜に比して低いのでそれを補完するために薄いＭｇ
Ｏ膜を設けることにより、紫外線の吸収損失を低減する
ことに加えて二次電子放出の割合を高め、プラズマ点火
電圧の低減を図っている。
【００３７】図６は、図４のプラズマディスプレイの構
成を変えた他の実施例を示すもので、この例では表面ガ
ラス３ａ側に蛍光体６及びＭｇＦ2 膜１０が形成されて
いる。
成を変えた他の実施例を示すもので、この例では表面ガ
ラス３ａ側に蛍光体６及びＭｇＦ2 膜１０が形成されて
いる。
【００３８】図７は、図６のプラズマディスプレイの構
成を変えた他の実施例を示すもので、この例ではＭｇＦ
2 膜１０の上部にＭｇＯ膜５ａが形成されている。
成を変えた他の実施例を示すもので、この例ではＭｇＦ
2 膜１０の上部にＭｇＯ膜５ａが形成されている。
【００３９】以上のように、上述した各実施例において
は、蛍光体６を紫外線の吸収損失の低いフッ化物である
ＭｇＦ2 膜１０によって覆うことにより、このＭｇＦ2
膜１０の膜厚を厚めに形成しても紫外線の透過率が低下
しないので、充分な厚みを確保することができ、よって
イオン衝撃にも対処することができる。
は、蛍光体６を紫外線の吸収損失の低いフッ化物である
ＭｇＦ2 膜１０によって覆うことにより、このＭｇＦ2
膜１０の膜厚を厚めに形成しても紫外線の透過率が低下
しないので、充分な厚みを確保することができ、よって
イオン衝撃にも対処することができる。
【００４０】また、紫外線の吸収損失の低いＭｇＦ2 膜
１０の上部に薄くＭｇＯ膜５ａを形成したことにより、
発光効率を向上させると共に、二次電子の放出の割合の
低下を補完することができる。
１０の上部に薄くＭｇＯ膜５ａを形成したことにより、
発光効率を向上させると共に、二次電子の放出の割合の
低下を補完することができる。
【００４１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のプラズマ
ディスプレイでは、蛍光体を紫外線の吸収損失の低い誘
電体によって覆うことにより、この誘電体の膜厚を厚め
に形成しても紫外線の透過率を低下させるこもなく、し
かも充分な厚みによってイオン衝撃にも対処することが
できる。
ディスプレイでは、蛍光体を紫外線の吸収損失の低い誘
電体によって覆うことにより、この誘電体の膜厚を厚め
に形成しても紫外線の透過率を低下させるこもなく、し
かも充分な厚みによってイオン衝撃にも対処することが
できる。
【００４２】また、紫外線の吸収損失の低い誘電体の上
部にイオン衝撃に強い誘電体を形成したことにより、紫
外線の吸収損失の低い誘電体による二次電子の放出の割
合の低下を補完することができる。
部にイオン衝撃に強い誘電体を形成したことにより、紫
外線の吸収損失の低い誘電体による二次電子の放出の割
合の低下を補完することができる。
【００４３】その結果、蛍光体の保護及び発光効率の向
上を共に図ることができ、高輝度化及び長寿命化を図る
ことができる。
上を共に図ることができ、高輝度化及び長寿命化を図る
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】従来の対向形のプラズマディスプレイの基本構
造を示す斜視図である。
造を示す斜視図である。
【図２】従来の面放電形のプラズマディスプレイの基本
構造を示す斜視図である。
構造を示す斜視図である。
【図３】従来の障壁電極形のプラズマディスプレイの基
本構造を示す斜視図である。
本構造を示す斜視図である。
【図４】本発明の障壁電極形のプラズマディスプレイの
基本構造を示す斜視図である。
基本構造を示す斜視図である。
【図５】図４の障壁電極形のプラズマディスプレイの基
本構造の構成を変えた場合の他の実施例を示す斜視図で
ある。
本構造の構成を変えた場合の他の実施例を示す斜視図で
ある。
【図６】図４の障壁電極形のプラズマディスプレイの基
本構造の構成を変えた場合の他の実施例を示す斜視図で
ある。
本構造の構成を変えた場合の他の実施例を示す斜視図で
ある。
【図７】図６の障壁電極形のプラズマディスプレイの基
本構造の構成を変えた場合の他の実施例を示す斜視図で
ある。
本構造の構成を変えた場合の他の実施例を示す斜視図で
ある。
２Ａ 上部電極 ２Ｂ 下部電極 ３ａ 表面ガラス ３ｂ 背面ガラス ４ 放電空間 ５ａ，５ｂ ＭｇＯ膜 ６ 蛍光体層 ７ａ，７ｂ 誘電体膜 ８ 障壁 １０ ＭｇＦ2 膜
Claims (3)
- 【請求項１】 表面ガラス又は背面ガラスの少なくとも
一方に外部より電圧を印加するための電極が設けられ、
更に前記表面ガラスと背面ガラスとの間に形成される放
電空間にペニング混合ガスが充填されてなるプラズマデ
ィスプレイにおいて、 前記表面ガラス又は背面ガラスの少なくとも一方に前記
ペニング混合ガスからの紫外線によって発光する蛍光体
が形成されているとともに、この蛍光体が前記紫外線の
吸収損失の低い誘電体によって覆われてなることを特徴
とするプラズマディスプレイ。 - 【請求項２】 前記紫外線の吸収損失の低い誘電体の上
部には二次電子放出の高い誘電体が形成されていること
を特徴とする請求項１記載のプラズマディスプレイ。 - 【請求項３】 前記紫外線の吸収損失の低い誘電体は、
アルカリ金属又はアルカリ土類金属のフッ化物によって
構成されていることを特徴とする請求項１又は２のプラ
ズマディスプレイ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14480392A JP3220514B2 (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | プラズマディスプレイ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14480392A JP3220514B2 (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | プラズマディスプレイ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05314912A true JPH05314912A (ja) | 1993-11-26 |
| JP3220514B2 JP3220514B2 (ja) | 2001-10-22 |
Family
ID=15370832
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14480392A Expired - Fee Related JP3220514B2 (ja) | 1992-05-11 | 1992-05-11 | プラズマディスプレイ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3220514B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07312177A (ja) * | 1994-05-13 | 1995-11-28 | Nec Corp | ガス放電表示素子及びガス放電表示パネル |
| KR19990043635A (ko) * | 1997-11-29 | 1999-06-15 | 김영남 | 교류형 플라즈마 표시소자의 보호층 형성방법 |
| JP2002056779A (ja) * | 2000-06-01 | 2002-02-22 | Pioneer Electronic Corp | プラズマディスプレイパネル |
| JP2005100954A (ja) * | 2003-08-22 | 2005-04-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法ならびに薄膜 |
-
1992
- 1992-05-11 JP JP14480392A patent/JP3220514B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US7690961B2 (en) | 2003-08-22 | 2010-04-06 | Panasonic Corporation | Plasma display panel and process for producing the plasma display panel |
| JP4516793B2 (ja) * | 2003-08-22 | 2010-08-04 | パナソニック株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
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