JPH05312746A - 臭気センサー - Google Patents
臭気センサーInfo
- Publication number
- JPH05312746A JPH05312746A JP4113470A JP11347092A JPH05312746A JP H05312746 A JPH05312746 A JP H05312746A JP 4113470 A JP4113470 A JP 4113470A JP 11347092 A JP11347092 A JP 11347092A JP H05312746 A JPH05312746 A JP H05312746A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- bad
- conductive polymer
- smell
- cyclodextrin
- sensor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 空気中でも測定できる臭気センサーを得るこ
とができる。 【構成】 臭気センサーは、電界効果型トランジスタの
半導体4を、臭気物質を吸着することにより電位が変化
する導電性ポリマー4で形成したものである。臭気物質
が存在すると、導電性ポリマー4に電位が発生し、その
電位を電界効果型トランジスタ電極で測定する。
とができる。 【構成】 臭気センサーは、電界効果型トランジスタの
半導体4を、臭気物質を吸着することにより電位が変化
する導電性ポリマー4で形成したものである。臭気物質
が存在すると、導電性ポリマー4に電位が発生し、その
電位を電界効果型トランジスタ電極で測定する。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は環境の臭気を測定するの
に用いる臭気センサーに関するものである。
に用いる臭気センサーに関するものである。
【0002】
【従来の技術】高感度な臭気サンサーの例として、図3
および図4は、各々例えば刊行物{サイエンス誌、vo
l.1990,No.1,p58(1990年刊)}に
示された従来の蛍光色素をプローブとする臭気濃度測定
に係わる従来のリポソームの概念的な構造図および臭気
測定装置の構成図である。図において、21は脂質、2
2は蛍光色素、24は蛍光測定用セルでリポソームを含
有し、25はモノクロメーター、26は光源、27は光
電子倍増管である。即ち、臭気物質を蛍光測定用セル2
4に注入すると、リポソームの膜電位が変わり、その結
果蛍光色素22の蛍光強度が変わる。その変化をモノク
ロメータ25を通して光電子倍増管27で検出するので
ある。
および図4は、各々例えば刊行物{サイエンス誌、vo
l.1990,No.1,p58(1990年刊)}に
示された従来の蛍光色素をプローブとする臭気濃度測定
に係わる従来のリポソームの概念的な構造図および臭気
測定装置の構成図である。図において、21は脂質、2
2は蛍光色素、24は蛍光測定用セルでリポソームを含
有し、25はモノクロメーター、26は光源、27は光
電子倍増管である。即ち、臭気物質を蛍光測定用セル2
4に注入すると、リポソームの膜電位が変わり、その結
果蛍光色素22の蛍光強度が変わる。その変化をモノク
ロメータ25を通して光電子倍増管27で検出するので
ある。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】上記臭気濃度測定法は
高感度ではあるが、リポソームを使用するので本質的に
溶液系での測定であって簡便性に欠けるところがあっ
た。
高感度ではあるが、リポソームを使用するので本質的に
溶液系での測定であって簡便性に欠けるところがあっ
た。
【0004】本発明は、かかる課題を解決するためにな
されたもので、気体中例えば空気中の臭気をも測定する
ことのできる臭気センサーを得ることを目的とする。
されたもので、気体中例えば空気中の臭気をも測定する
ことのできる臭気センサーを得ることを目的とする。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の臭気センサー
は、臭気物質を吸着することにより電位が変化する導電
性ポリマーを、半導体とする電界効果型トランジスタで
構成されるものである。
は、臭気物質を吸着することにより電位が変化する導電
性ポリマーを、半導体とする電界効果型トランジスタで
構成されるものである。
【0006】本発明の別の発明の臭気センサーは、上記
発明において、導電性ポリマーがシクロデキストリンお
よび金属ポルフィリンの内の少なくとも一種を含有する
ものである。
発明において、導電性ポリマーがシクロデキストリンお
よび金属ポルフィリンの内の少なくとも一種を含有する
ものである。
【0007】本発明のさらに別の発明の臭気センサー
は、金属、並びにこの金属とショットキー接合し、シク
ロデキストリンおよび金属ポルフィリンの内の少なくと
も一種を含有する導電性ポリマーを備えたものである。
は、金属、並びにこの金属とショットキー接合し、シク
ロデキストリンおよび金属ポルフィリンの内の少なくと
も一種を含有する導電性ポリマーを備えたものである。
【0008】
【作用】本発明において、臭気物質がセンサーに吸着す
ると導電性ポリマー上に電位が発生し、その電位を電界
効果型トランジスタで測定するのである。本発明の別の
発明において、導電性ポリマー中にシクロデキストリン
および金属ポルフィリンの内の少なくとも一種を添加す
ると、シクロデキストリンおよび金属ポルフィリンと臭
気物質が強く結合し、低い臭気濃度でも感度を持つこと
が可能となる。
ると導電性ポリマー上に電位が発生し、その電位を電界
効果型トランジスタで測定するのである。本発明の別の
発明において、導電性ポリマー中にシクロデキストリン
および金属ポルフィリンの内の少なくとも一種を添加す
ると、シクロデキストリンおよび金属ポルフィリンと臭
気物質が強く結合し、低い臭気濃度でも感度を持つこと
が可能となる。
【0009】
【実施例】本発明に係わる臭気物質を吸着することによ
り電位が変化する導電性ポリマーとしては、例えばポリ
チオフェン、ポリピロールおよびポリアセチレン等を用
いることができる。
り電位が変化する導電性ポリマーとしては、例えばポリ
チオフェン、ポリピロールおよびポリアセチレン等を用
いることができる。
【0010】本発明に係わるシクロデキストリンとして
は例えばα、β、γ−シクロデキストリン、ジメチル−
β−シクロデキストリン、ハイドロキシプロピル−β−
シクロデキストリン、トリ−o−メチル−β−シクロデ
キストリンおよびβ−シクロデキストリンポリマー等を
用いることができる。
は例えばα、β、γ−シクロデキストリン、ジメチル−
β−シクロデキストリン、ハイドロキシプロピル−β−
シクロデキストリン、トリ−o−メチル−β−シクロデ
キストリンおよびβ−シクロデキストリンポリマー等を
用いることができる。
【0011】本発明に係わる金属ポルフィリンとしては
例えばクロロフィルa、クロロフィルb、銅クロロフィ
ル、銅クロロフィリン、鉄クロロフィリンおよびビタミ
ンB12等を用いることができる。
例えばクロロフィルa、クロロフィルb、銅クロロフィ
ル、銅クロロフィリン、鉄クロロフィリンおよびビタミ
ンB12等を用いることができる。
【0012】実施例1.図1は本発明の一実施例の臭気
センサーを用いた臭気測定の構成図であり、1は基盤兼
ゲート電極、2はオーミック電極、3は絶縁膜、4は半
導体の導電性ポリマー膜、5はソース電極、6はドレイ
ン電極、10、11は金属膜、9はオペアンプ、7は電
圧計、8は定電流電源である。なお、導電性ポリマー膜
4としてポリチオフェン膜を、πー共役系ブロック共重
合体により形成する方法、例えばCVD法、プラズマ重
合法、蒸着法、クラスターイオンビーム蒸着法、エピタ
キシャル成長法、スピンコーティング法、LB法等によ
り製膜した。図1に示した本発明の一実施例の臭気セン
サーにd−リモネン1ppmを暴露すると、電圧が47
mVマイナス側に振れた。
センサーを用いた臭気測定の構成図であり、1は基盤兼
ゲート電極、2はオーミック電極、3は絶縁膜、4は半
導体の導電性ポリマー膜、5はソース電極、6はドレイ
ン電極、10、11は金属膜、9はオペアンプ、7は電
圧計、8は定電流電源である。なお、導電性ポリマー膜
4としてポリチオフェン膜を、πー共役系ブロック共重
合体により形成する方法、例えばCVD法、プラズマ重
合法、蒸着法、クラスターイオンビーム蒸着法、エピタ
キシャル成長法、スピンコーティング法、LB法等によ
り製膜した。図1に示した本発明の一実施例の臭気セン
サーにd−リモネン1ppmを暴露すると、電圧が47
mVマイナス側に振れた。
【0013】実施例2.図2は本発明のさらに別の発明
の一実施例の臭気センサーを用いた臭気測定のの構成図
であり、16はN型半導体、17はP型半導体となる導
電性ポリマー、18はシクロデキストリンである。図2
に示した本発明の別の発明の一実施例の臭気センサーに
1ppmのd−リモネンを暴露すると電圧が−2V印加
の時5nAの電流が流れた。
の一実施例の臭気センサーを用いた臭気測定のの構成図
であり、16はN型半導体、17はP型半導体となる導
電性ポリマー、18はシクロデキストリンである。図2
に示した本発明の別の発明の一実施例の臭気センサーに
1ppmのd−リモネンを暴露すると電圧が−2V印加
の時5nAの電流が流れた。
【0014】比較例1.シクロデキストリン18を除く
以外は実施例2と同様の臭気センサーに、d−リモネン
を暴露しても電圧−2V印加に対して1nAの電流しか
流れず、これは空気中の電流値と変わらなかった。
以外は実施例2と同様の臭気センサーに、d−リモネン
を暴露しても電圧−2V印加に対して1nAの電流しか
流れず、これは空気中の電流値と変わらなかった。
【0015】
【発明の効果】本発明は、以上説明した通り、臭気物質
を吸着することにより電位が変化する導電性ポリマー
を、半導体とする電界効果型トランジスタで構成される
ものを用いることにより、本発明の別の発明は、上記導
電性ポリマーがシクロデキストリンおよび金属ポルフィ
リンの内の少なくとも一種を含有することを特徴とする
ものを用いることにより、本発明のさらに別の発明は、
金属、並びにこの金属とショットキー接合し、シクロデ
キストリンおよび金属ポルフィリンの内の少なくとも一
種を含有する導電性ポリマーを備えたものを用いること
により、気体中例えば空気中の臭気をも測定することの
できる臭気センサーを得ることができる。
を吸着することにより電位が変化する導電性ポリマー
を、半導体とする電界効果型トランジスタで構成される
ものを用いることにより、本発明の別の発明は、上記導
電性ポリマーがシクロデキストリンおよび金属ポルフィ
リンの内の少なくとも一種を含有することを特徴とする
ものを用いることにより、本発明のさらに別の発明は、
金属、並びにこの金属とショットキー接合し、シクロデ
キストリンおよび金属ポルフィリンの内の少なくとも一
種を含有する導電性ポリマーを備えたものを用いること
により、気体中例えば空気中の臭気をも測定することの
できる臭気センサーを得ることができる。
【図1】本発明の一実施例の臭気センサーを用いた臭気
測定の構成図である。
測定の構成図である。
【図2】本発明の別の発明の一実施例の臭気センサーを
用いた臭気測定の構成図である。
用いた臭気測定の構成図である。
【図3】従来の蛍光色素をプローブとする臭気濃度測定
に係わる従来のリポソームの概念的な構造図である。
に係わる従来のリポソームの概念的な構造図である。
【図4】従来の臭気測定装置の構成図である。
1 基盤兼ゲート電極 3 絶縁膜 4 導電性ポリマー膜 5 ソース電極 6 ドレイン電極 16 N型半導体 17 P型半導体 18 シクロデキストリン
Claims (3)
- 【請求項1】 臭気物質を吸着することにより電位が変
化する導電性ポリマーを、半導体とする電界効果型トラ
ンジスタで構成される臭気センサー。 - 【請求項2】 請求項第1項記載のものにおいて、導電
性ポリマーがシクロデキストリンおよび金属ポルフィリ
ンの内の少なくとも一種を含有することを特徴とする臭
気センサー。 - 【請求項3】 金属、並びにこの金属とショットキー接
合し、シクロデキストリンおよび金属ポルフィリンの内
の少なくとも一種を含有する導電性ポリマーを備えた臭
気センサー。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4113470A JPH05312746A (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | 臭気センサー |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4113470A JPH05312746A (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | 臭気センサー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05312746A true JPH05312746A (ja) | 1993-11-22 |
Family
ID=14613071
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4113470A Pending JPH05312746A (ja) | 1992-05-06 | 1992-05-06 | 臭気センサー |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05312746A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1235070A1 (en) * | 2001-02-26 | 2002-08-28 | Lucent Technologies Inc. | Electronic odor sensor |
US6582583B1 (en) | 1998-11-30 | 2003-06-24 | The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services | Amperometric biomimetic enzyme sensors based on modified cyclodextrin as electrocatalysts |
EP1464953A1 (en) * | 2003-04-02 | 2004-10-06 | Lucent Technologies Inc. | Biosensor comprising an organic field effect transistor and method for the fabrication of the sensor |
US8511142B2 (en) | 2009-01-13 | 2013-08-20 | Nitto Denko Corporation | Substance detection sensor |
-
1992
- 1992-05-06 JP JP4113470A patent/JPH05312746A/ja active Pending
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6582583B1 (en) | 1998-11-30 | 2003-06-24 | The United States Of America As Represented By The Department Of Health And Human Services | Amperometric biomimetic enzyme sensors based on modified cyclodextrin as electrocatalysts |
EP1235070A1 (en) * | 2001-02-26 | 2002-08-28 | Lucent Technologies Inc. | Electronic odor sensor |
EP1464953A1 (en) * | 2003-04-02 | 2004-10-06 | Lucent Technologies Inc. | Biosensor comprising an organic field effect transistor and method for the fabrication of the sensor |
US7189987B2 (en) | 2003-04-02 | 2007-03-13 | Lucent Technologies Inc. | Electrical detection of selected species |
US7534646B2 (en) | 2003-04-02 | 2009-05-19 | Alcatel-Lucent Usa Inc. | Method of fabricating an organic field transistor |
US8511142B2 (en) | 2009-01-13 | 2013-08-20 | Nitto Denko Corporation | Substance detection sensor |
US8776579B2 (en) | 2009-01-13 | 2014-07-15 | Nitto Denko Corporation | Substance detection sensor |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6433356B1 (en) | Hybrid organic-inorganic semiconductor structures and sensors based thereon | |
US9518953B2 (en) | Ion sensitive detector | |
Foucaran et al. | Porous silicon layers used for gas sensor applications | |
Bartic et al. | Monitoring pH with organic-based field-effect transistors | |
US9678036B2 (en) | Graphene-based gas and bio sensor with high sensitivity and selectivity | |
Bedner et al. | Investigation of the dominant 1/f noise source in silicon nanowire sensors | |
Vuillaume et al. | Electron transfer through a monolayer of hexadecylquinolinium tricyanoquinodimethanide | |
US20100039126A1 (en) | Nanochannel-based sensor system for use in detecting chemical or biological species | |
Stoop et al. | Charge noise in organic electrochemical transistors | |
Srinives et al. | Nanothin polyaniline film for highly sensitive chemiresistive gas sensing | |
US20090224820A1 (en) | Molecular controlled semiconductor device | |
BR112015008206B1 (pt) | Circuito sensor integrado, aparelho sensor e método de medição de uma substância de interesse a ser analisada em um meio | |
JPH05312746A (ja) | 臭気センサー | |
Lee et al. | 100 nm scale low-noise sensors based on aligned carbon nanotube networks: overcoming the fundamental limitation of network-based sensors | |
Cho et al. | Optimization of signal to noise ratio in silicon nanowire ISFET sensors | |
Tzouvadaki et al. | Bio-functionalization study of memristive-biosensors for early detection of prostate cancer | |
Fink et al. | Ion track-based electronic elements | |
KR930002816A (ko) | 전기용량에 의해 화합물질을 측정하는 감지장치 | |
Sell et al. | Electrochemical capacitance-voltage profiling of heterostructures using small contact areas | |
Elfström et al. | Biomolecule detection using a silicon nanoribbon: accumulation mode versus inversion mode | |
Vimala et al. | Performance and Characteristic Analysis of Graphene Field Effect Transistor with Different Channel Widths | |
Shaposhnik et al. | BTBT-based organic semiconducting materials for EGOFETs with prolonged shelf-life stability | |
Sugiyama et al. | S/N study of micro-Hall sensors made of single crystal InSb and GaAs | |
JPS5928648A (ja) | 免疫濃度測定装置 | |
Chen et al. | Vertically-oriented graphene for sensing and environmental applications |