JPH05304321A - Power supply for josephson circuit - Google Patents

Power supply for josephson circuit

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JPH05304321A
JPH05304321A JP4109767A JP10976792A JPH05304321A JP H05304321 A JPH05304321 A JP H05304321A JP 4109767 A JP4109767 A JP 4109767A JP 10976792 A JP10976792 A JP 10976792A JP H05304321 A JPH05304321 A JP H05304321A
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JP
Japan
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wiring pattern
current
power supply
josephson
circuit
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Withdrawn
Application number
JP4109767A
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Japanese (ja)
Inventor
Masatake Kotani
誠剛 小谷
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To realize a power supply for Josephson circuit in which power consumption can be suppressed and heat design is facilitated. CONSTITUTION:High frequency current is fed from a current source through a line having predetermined characteristic impedance to the primary winding of a matching transformer and AC current induced in the secondary winding thereof is fed through first and second wiring patterns, formed on a same chip while being coupled capacitively, to a Josephson circuit which is also fed with a predetermined DC bias current through the second wiring pattern.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ジョセフソン回路の電
源装置、特に、熱設計の容易なジョセフソン回路の電源
装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a power supply device for a Josephson circuit, and more particularly to a power supply device for a Josephson circuit whose thermal design is easy.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、ジョセフソン素子を用いた超伝
導論理回路は電流駆動であり、通常はラッチングモード
(電源電流を切断しない限りスイッチ状態をそのまま保
持するモード)で動作する。このため、各サイクルごと
に電源電流を切断して回路をリセットする。図9に電源
電流波形の一例を示す。この例では、チップに供給され
た正弦波状の電流波形を元に、回路リセット区間を含む
略矩形状の実際の電流波形を生成し、これを電源電流と
して超伝導ゲートに供給する。なお、図9の例では、単
相双極性の波形を示しているが、これ以外にも二相、三
相あるいは直流オフセット付き単極性など種々の電源電
流波形が提案されている。全ての波形において電源波形
が0(ゼロ)のところでリセットする点は同じである。
2. Description of the Related Art Generally, a superconducting logic circuit using a Josephson element is current driven and normally operates in a latching mode (a mode in which a switch state is maintained as it is unless the power supply current is cut off). Therefore, the power supply current is cut off and the circuit is reset every cycle. FIG. 9 shows an example of the power supply current waveform. In this example, a substantially rectangular actual current waveform including a circuit reset section is generated based on the sinusoidal current waveform supplied to the chip, and this is supplied to the superconducting gate as a power supply current. Note that the example of FIG. 9 shows a single-phase bipolar waveform, but other than this, various power supply current waveforms such as two-phase, three-phase, or unipolar with a DC offset are proposed. All the waveforms are the same in that they are reset when the power supply waveform is 0 (zero).

【0003】図10において、電流源1で発生した正弦
波状の高周波電流iは、同軸ケーブル2、パッケージ3
内のストリップ線路4、及び終端抵抗5を通してジョセ
フソン回路6に供給され、ジョセフソン回路6内の図示
を略した波形整形回路によって、実際の電流波形に整形
された後、同ジョセフソン回路6内の超伝導論理回路に
供給される。
In FIG. 10, a sinusoidal high frequency current i generated by a current source 1 is a coaxial cable 2 and a package 3.
Is supplied to the Josephson circuit 6 through the strip line 4 and the terminating resistor 5 inside, and after being shaped into an actual current waveform by a waveform shaping circuit (not shown) in the Josephson circuit 6, the inside of the Josephson circuit 6 Is supplied to the superconducting logic circuit.

【0004】ここで、終端抵抗5は、電流源1や同軸ケ
ーブル2などの特性インピーダンスZO 系(一般にZO
は50Ω:以下、この系を50Ωインピーダンス系と言
う)と、ジョセフソン回路のインピーダンスZJ 系(一
般にZJ は0.01〜0.1Ω程度:以下、この系を極
小インピーダンス系と言う)との整合をとるためのもの
で、50Ωインピーダンス系と同じ抵抗値を有してい
る。
Here, the terminating resistor 5 is a characteristic impedance Z O system (generally Z O) of the current source 1 and the coaxial cable 2.
Is 50Ω: hereinafter, this system is referred to as a 50Ω impedance system) and the impedance Z J system of the Josephson circuit (generally Z J is about 0.01 to 0.1Ω: hereinafter, this system is referred to as a minimum impedance system). And has the same resistance value as the 50Ω impedance system.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、かかる
従来のジョセフソン回路の電源装置にあっては、終端抵
抗5を通してジョセフソン回路6に高周波電流iを流し
込む構成となっていたため、この終端抵抗5により、
「i2 ×50Ω」に相当する無駄な電力が発生し、熱と
して消費される。
However, in such a conventional power supply device for the Josephson circuit, since the high frequency current i is made to flow into the Josephson circuit 6 through the terminating resistor 5, the terminating resistor 5 is used. ,
Wasted power corresponding to “i 2 × 50Ω” is generated and consumed as heat.

【0006】従って、電流源1が大型化したり、ジョセ
フソン回路6の低温動作を維持するための熱設計が複雑
化したりするといった問題点があった。 [目的]そこで、本発明の目的は、電力消費を抑えるこ
とができ、熱設計の容易なジョセフソン回路の電源装置
を実現することにある。
Therefore, there are problems that the current source 1 becomes large and the thermal design for maintaining the low temperature operation of the Josephson circuit 6 becomes complicated. [Purpose] Therefore, an object of the present invention is to realize a power supply device for a Josephson circuit that can suppress power consumption and that can be easily thermal-designed.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するためその原理図を図1に示すように、電流源で発
生した高周波電流を、所定の特性インピーダンスを有す
る線路を通して整合トランスの1次側巻線に導き、該整
合トランスの2次側巻線に誘起した交流電流を、チップ
上の第1の配線パターン及び該第1の配線パターンと容
量結合する同チップ上の第2の配線パターンを通してジ
ョセフソン回路に供給し、且つ、所定の直流バイアス電
流を、前記第2の配線パターンを通して前記ジョセフソ
ン回路に供給することを特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides a matching transformer of a high frequency current generated by a current source through a line having a predetermined characteristic impedance as shown in the principle diagram of FIG. The alternating current induced in the secondary winding of the matching transformer and induced in the secondary winding of the matching transformer is capacitively coupled with the first wiring pattern on the chip and the second wiring pattern on the same chip. It is characterized in that it is supplied to the Josephson circuit through a wiring pattern and a predetermined DC bias current is supplied to the Josephson circuit through the second wiring pattern.

【0008】[0008]

【作用】本発明では、インピーダンスマッチング用の整
合トランスの2次側巻線に誘起した交流電流が、第1の
配線パターンから第2の配線パターンへと容量結合さ
れ、第2の配線パターン上の直流バイアス電流と合成さ
れてジョセフソン回路に供給される。
According to the present invention, the alternating current induced in the secondary winding of the matching transformer for impedance matching is capacitively coupled from the first wiring pattern to the second wiring pattern, and the alternating current on the second wiring pattern is formed. It is combined with the DC bias current and supplied to the Josephson circuit.

【0009】従って、終端抵抗を用いなくてもよいか
ら、無駄な電力(すなわち発熱)を抑えることができ、
熱設計の容易なジョセフソン回路の電源装置を実現でき
る。また、第1の配線パターンと第2の配線パターンに
よって、直流系と交流系を分離する容量を等価的に形成
しているので、容量デバイス(コンデンサ等)を独立に
作り込む必要がなく、チップ製作の容易化を図ることが
できる。
Therefore, since it is not necessary to use the terminating resistor, it is possible to suppress wasteful power (that is, heat generation),
It is possible to realize a Josephson circuit power supply device with easy thermal design. Further, the first wiring pattern and the second wiring pattern form equivalent capacitances for separating the direct current system and the alternating current system, so that it is not necessary to independently form a capacitive device (capacitor, etc.) The production can be facilitated.

【0010】[0010]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。 [第1実施例]図2、図3は本発明に係るジョセフソン
回路の電源装置の第1実施例を示す図である。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. [First Embodiment] FIGS. 2 and 3 are views showing a first embodiment of a power supply device for a Josephson circuit according to the present invention.

【0011】図2において、10は正弦波状の高周波電
流iを発生する電流源、11は50Ωの特性インピーダ
ンスZO を持つ例えば同軸ケーブルなどの線路、12は
超伝導集積回路チップ(以下、単にチップと言う)、1
3は所定巻線比の1次巻線13aと2次巻線13bを有
する整合トランス、14は第1の配線パターン、15は
第2の配線パターン、J1 〜Jn はジョセフソン回路、
16はバイアス発生回路である。図では、整合トランス
13をチップ12内に設けているが外部に設置しても構
わない。なお、ジョセフソン回路J1 〜Jn 内のRは負
荷抵抗、Gはジョセフソン素子を使用した超伝導論理ゲ
ート(入出力は省略している)である。また、バイアス
発生回路16のVR は電流量調節用の可変抵抗、Eは直
流電源である。
In FIG. 2, 10 is a current source for generating a sinusoidal high-frequency current i, 11 is a line such as a coaxial cable having a characteristic impedance Z O of 50Ω, and 12 is a superconducting integrated circuit chip (hereinafter simply referred to as a chip). Say) 1
3 is a matching transformer having a primary winding 13a and a secondary winding 13b having a predetermined winding ratio, 14 is a first wiring pattern, 15 is a second wiring pattern, J 1 to J n are Josephson circuits,
Reference numeral 16 is a bias generation circuit. Although the matching transformer 13 is provided in the chip 12 in the figure, it may be provided outside. In the Josephson circuits J 1 to J n , R is a load resistance, and G is a superconducting logic gate using a Josephson element (input and output are omitted). Further, V R of the bias generation circuit 16 is a variable resistor for adjusting the amount of current, and E is a DC power supply.

【0012】ここで、チップ12に形成された第1の配
線パターン14と第2の配線パターン15は、所定の幅
と長さで互いに対向する部分を有しており、その対向部
分に容量C、すなわち、対向面積(幅×長さ)や、対向
間隔、及びパターン間に介在する絶縁材料の誘電率等に
よって決まる等価的な容量Cを形成している。図3は、
第1の配線パターン14と第2の配線パターン15の対
向部分付近を詳細に示すチップ構造図である。この図に
おいて、20はシリコン基板(以下、基板)であり、基
板20には、第1の配線パターン14(例えばNb)が
形成されると共に、所定の誘電体層21(例えばNb2
5)を間に挟んで対向する第2の配線パターン15
(例えばNb)が形成されている。第2の配線パターン
15の上部には、第1の絶縁層22(例えばSi2)、
超伝導接地面23(例えばNb)、及び第2の絶縁層2
4(例えばSi2)が順次に積層され、これら各層22
〜24を貫通するホール25を介して、前記第2の配線
パターン15とジョセフソン回路群26との間が電気的
に接続されている。idcはバイアス発生源(図2の符号
16参照)からの直流バイアス電流、iacは整合トラン
スの2次側巻線(図2の符号13b参照)に誘起する交
流電流である。
Here, the first wiring pattern 14 and the second wiring pattern 15 formed on the chip 12 have portions facing each other with a predetermined width and length, and the capacitance C is provided at the facing portion. That is, the equivalent capacitance C determined by the facing area (width × length), the facing distance, the dielectric constant of the insulating material interposed between the patterns, and the like is formed. Figure 3
FIG. 6 is a chip structure diagram showing in detail the vicinity of a facing portion of a first wiring pattern 14 and a second wiring pattern 15. In this figure, reference numeral 20 denotes a silicon substrate (hereinafter referred to as a substrate), on which a first wiring pattern 14 (for example, Nb) is formed and a predetermined dielectric layer 21 (for example, Nb 2).
Second wiring pattern 15 facing each other with O 5 ) interposed therebetween
(For example, Nb) is formed. The upper portion of the second wiring pattern 15, the first insulating layer 22 (e.g., S i O 2),
Superconducting ground plane 23 (eg Nb) and second insulating layer 2
4 (e.g., S i O 2) are sequentially laminated, these layers 22
The second wiring pattern 15 and the Josephson circuit group 26 are electrically connected to each other through a hole 25 penetrating through .about.24. i dc is a DC bias current from the bias generation source (see reference numeral 16 in FIG. 2), and i ac is an alternating current induced in the secondary winding (see reference numeral 13b in FIG. 2) of the matching transformer.

【0013】このような構成において、整合トランス1
3の1次側巻線13aに高周波電流iを流し込むと、整
合トランス13の2次側巻線13bに上記高周波電流i
に応じた大きさの交流電流iacが誘起し、この交流電流
acが、第1の配線パターン14及び容量Cを介して第
2の配線パターン15へ流れ込む。第2の配線パターン
15には、バイアス発生回路16から直流バイアス電流
dcが流し込まれており、ジョセフソン回路J1 〜Jn
(図3にあっては、ジョセフソン回路群26)には、交
流電流iacと直流バイアス電流idcの合成電流が供給さ
れることになる。
In such a configuration, the matching transformer 1
When a high-frequency current i is flown into the primary winding 13a of No. 3, the above high-frequency current i
An alternating current i ac having a magnitude corresponding to is induced, and this alternating current i ac flows into the second wiring pattern 15 via the first wiring pattern 14 and the capacitor C. A DC bias current i dc is supplied from the bias generation circuit 16 to the second wiring pattern 15, and the Josephson circuits J 1 to J n.
(In FIG. 3, the Josephson circuit group 26) is supplied with a combined current of the alternating current i ac and the direct current bias current i dc .

【0014】以上のように、本実施例によれば、整合ト
ランス13によってインピーダンスマッチングを行うの
で、電力消費の面で不利な終端抵抗を不要にすることが
できる。従って、電流源10を小型化できると共に、ジ
ョセフソン回路J1 〜Jn の低温動作を維持するための
熱設計を単純化することができる。また、第1の配線パ
ターン14と第2の配線パターン15の間に形成される
等価的な容量C(実体的な容量デバイスではないことに
留意)によって、直流系と交流系とを分離することがで
き、大面積を必要とするコンデンサ等を独立に作り込む
必要がない。
As described above, according to the present embodiment, impedance matching is performed by the matching transformer 13, so that a terminating resistor, which is disadvantageous in terms of power consumption, can be eliminated. Therefore, it is possible to simplify together, the thermal design for maintaining the low temperature operation of the Josephson circuit J 1 through J n can be miniaturized current source 10. Further, the direct current system and the alternating current system are separated by an equivalent capacitance C (not a substantial capacitance device) formed between the first wiring pattern 14 and the second wiring pattern 15. Therefore, it is not necessary to separately form a capacitor or the like that requires a large area.

【0015】ここで、例えば高周波電流iの周波数を1
00MHz、ジョセフソン回路のインピーダンスを0.
1Ωとした場合には、計算上、およそ100nFもの大
きな容量分(従って大面積)を必要とする。これを実体
的な容量デバイス(例えばコンデンサ)で実現しようと
すると、その電極サイズに対応した大きな面積をチップ
上に確保しなければないか、あるいは確保困難の場合に
は別のチップに作り込まなければならない。これに対
し、本実施例では、電流経路として元々必要であった配
線パターンの幅や長さを拡大して等価的な容量Cを形成
するので、その拡大分に相当する面積だけを新たに確保
すればよい。従って、実体的な容量デバイスを作り込む
のに比べ、チップ上の占有面積を減少させることがで
き、チップ製作を容易化できるという特有のメリットが
ある。
Here, for example, the frequency of the high frequency current i is set to 1
00MHz, the Josephson circuit impedance to 0.
If it is set to 1Ω, a large capacitance (thus a large area) of about 100 nF is required in calculation. If this is to be realized with an actual capacitance device (eg, capacitor), a large area corresponding to the electrode size must be secured on the chip, or if it is difficult to secure it, it must be built on another chip. I have to. On the other hand, in the present embodiment, since the width and length of the wiring pattern originally required as the current path are expanded to form the equivalent capacitance C, only the area corresponding to the expansion is newly secured. do it. Therefore, there is a unique merit that the occupied area on the chip can be reduced and the chip can be easily manufactured, as compared with the case where a substantial capacitance device is built.

【0016】本発明は、上記実施例に限るものではな
く、その意図する範囲において種々の変形例が考えられ
る。以下、その好ましい他の実施例について列挙する。
なお、以下の各実施例においては、上記第1実施例と共
通の構成要素に同一の符号を付し、その説明を省略す
る。 [第2実施例]図4において、30〜33は、ジョセフ
ソン回路J1 〜Jn ごとに設けられた分割配線パターン
であり、これらは一体として第2の配線パターン34を
構成する。それぞれの分割配線パターン30〜33は、
第1の配線パターン14と所定の幅と長さで互いに対向
する小部分を有し、各々の対向部分に、対向面積(幅×
長さ)や、対向間隔、及びパターン間に介在する絶縁材
料の誘電率等によって決まる分割容量C30〜C33が形成
される。従って、第1の配線パターン14と第2の配線
パターン34の間に、分割容量C30〜C33の加算合成容
量Cが等価的に形成される。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be considered within the intended range. Other preferable examples will be listed below.
In each of the following embodiments, the same components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals, and the description thereof will be omitted. [Second Embodiment] In FIG. 4, reference numerals 30 to 33 denote divided wiring patterns provided for each of the Josephson circuits J 1 to J n , which together form a second wiring pattern 34. Each of the divided wiring patterns 30 to 33 is
The first wiring pattern 14 has small portions facing each other with a predetermined width and length, and each facing portion has a facing area (width × width).
The division capacitors C 30 to C 33 that are determined by the length), the facing distance, the dielectric constant of the insulating material interposed between the patterns, and the like are formed. Therefore, the additive combined capacitance C of the division capacitors C 30 to C 33 is equivalently formed between the first wiring pattern 14 and the second wiring pattern 34.

【0017】本実施例によっても、第1実施例と同様の
効果が得られる他、容量分を複数個に分けているので、
作成プロセス中や、パッケージング中に発生する静電気
等のノイズに対して耐性を向上できるという効果が得ら
れる。 [第3実施例]この実施例は、第1実施例の第1の配線
パターンと第2の配線パターンの上下関係を入れ替えた
ものである。すなわち、図5に示すように、交流電流i
acを供給するための第1の配線パターン35を、直流バ
イアス電流idcを供給するための第2の配線パターン3
6の上側の層に形成したものである。 [第4実施例]この実施例は、第2実施例の第1の配線
パターンと第2の配線パターンの上下関係を入れ替えた
ものである。すなわち、図6に示すように、交流電流i
acを供給するための第1の配線パターン37を、直流バ
イアス電流idcを供給するための第2の配線パターン3
8(複数の分割配線パターン39〜42から構成される
もの)の上側の層に形成したものである。 [第5実施例]この実施例は、図7に示すように、第2
の配線パターン43を2重化して第1の配線パターン4
4に沿わせたものである。すなわち、第2の配線パター
ン43は、第1の配線パターン44の上側の層に形成さ
れる複数の配線パターン45〜48と、同第1の配線パ
ターン44の下側の層に形成される1つの配線パターン
49とから構成されている。このような構成によれば、
第1の配線パターン44と、第2の配線パターン43を
構成するそれぞれの配線パターン45〜49の間に、数
多くの容量が形成されるから、配線パターンの占有面積
に対して大きな合成容量を確保することができる。 [第6実施例]この実施例は、第5実施例の第1の配線
パターンと第2の配線パターンの上下関係を入れ替えた
ものである。すなわち、図8に示すように、第1の配線
パターン50の上側の層に1つの配線パターン51を形
成すると共に、同第1の配線パターン50の下側の層に
複数の配線パターン52〜55を形成し、これら1つの
配線パターン51と複数の配線パターン52〜55によ
って第2の配線パターン56を構成するものである。
According to this embodiment as well, the same effect as that of the first embodiment can be obtained, and since the capacitance is divided into a plurality of parts,
It is possible to improve the resistance to noise such as static electricity generated during the manufacturing process or during packaging. [Third Embodiment] In this embodiment, the upper and lower relations of the first wiring pattern and the second wiring pattern of the first embodiment are interchanged. That is, as shown in FIG.
The first wiring pattern 35 for supplying ac and the second wiring pattern 3 for supplying DC bias current i dc
6 is formed on the upper layer. [Fourth Embodiment] In this embodiment, the upper and lower positions of the first wiring pattern and the second wiring pattern of the second embodiment are interchanged. That is, as shown in FIG.
The first wiring pattern 37 for supplying ac and the second wiring pattern 3 for supplying DC bias current i dc
8 (formed by a plurality of divided wiring patterns 39 to 42). [Fifth Embodiment] This embodiment, as shown in FIG.
Of the first wiring pattern 4 by duplicating the wiring pattern 43 of
It is in line with 4. That is, the second wiring pattern 43 is formed on the lower layer of the first wiring pattern 44 and the plurality of wiring patterns 45 to 48 formed on the upper layer of the first wiring pattern 44. And one wiring pattern 49. According to such a configuration,
Since a large number of capacitors are formed between the first wiring pattern 44 and the respective wiring patterns 45 to 49 that form the second wiring pattern 43, a large combined capacitance is secured for the area occupied by the wiring patterns. can do. [Sixth Embodiment] In this embodiment, the upper and lower relations of the first wiring pattern and the second wiring pattern of the fifth embodiment are interchanged. That is, as shown in FIG. 8, one wiring pattern 51 is formed in the upper layer of the first wiring pattern 50, and a plurality of wiring patterns 52 to 55 are formed in the lower layer of the first wiring pattern 50. Are formed, and the one wiring pattern 51 and the plurality of wiring patterns 52 to 55 form a second wiring pattern 56.

【0018】[0018]

【発明の効果】本発明によれば、整合トランスによって
インピーダンスマッチングを行うので、終端抵抗を不要
にすることができる。従って、無駄な電力(すなわち発
熱)を抑えることができ、熱設計の容易なジョセフソン
回路の電源装置を実現できる。また、第1の配線パター
ンと第2の配線パターンによって、直流系と交流系を分
離する容量を等価的に形成しているので、容量デバイス
(コンデンサ等)を独立に作り込む必要がなく、チップ
製作の容易化を図ることができる。
According to the present invention, since impedance matching is performed by the matching transformer, the terminating resistor can be eliminated. Therefore, it is possible to suppress wasteful power (that is, heat generation), and it is possible to realize a power supply device of a Josephson circuit whose thermal design is easy. Further, the first wiring pattern and the second wiring pattern form equivalent capacitances for separating the direct current system and the alternating current system, so that it is not necessary to independently form a capacitive device (capacitor, etc.) The production can be facilitated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の原理構成図である。FIG. 1 is a principle configuration diagram of the present invention.

【図2】第1実施例の構成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of a first embodiment.

【図3】第1の配線パターンと第2の配線パターンの対
向部分付近を詳細に示すチップ構造図である。
FIG. 3 is a chip structure diagram showing in detail the vicinity of a facing portion of a first wiring pattern and a second wiring pattern.

【図4】第2実施例の構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a second embodiment.

【図5】第3実施例の構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of a third embodiment.

【図6】第4実施例の構成図である。FIG. 6 is a configuration diagram of a fourth embodiment.

【図7】第5実施例の構成図である。FIG. 7 is a configuration diagram of a fifth embodiment.

【図8】第6実施例の構成図である。FIG. 8 is a configuration diagram of a sixth embodiment.

【図9】電源電流の波形図である。FIG. 9 is a waveform diagram of a power supply current.

【図10】従来の概念構成図である。FIG. 10 is a conventional conceptual configuration diagram.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

i:高周波電流 iac:交流電流 idc:直流バイアス電流 J1 〜Jn :ジョセフソン回路 10:電流源 11:線路 13整合トランス 13a:1次側巻線 13b:2次側巻線 12:チップ 14:第1の配線パターン 15:第2の配線パターン 34:第2の配線パターン 35:第1の配線パターン 36:第2の配線パターン 37:第1の配線パターン 38:第2の配線パターン 43:第2の配線パターン 44:第1の配線パターン 50:第1の配線パターン 56:第2の配線パターンi: high frequency current i ac : alternating current i dc : direct current bias current J 1 to J n : Josephson circuit 10: current source 11: line 13 matching transformer 13 a: primary side winding 13 b: secondary side winding 12: Chip 14: First wiring pattern 15: Second wiring pattern 34: Second wiring pattern 35: First wiring pattern 36: Second wiring pattern 37: First wiring pattern 38: Second wiring pattern 43: second wiring pattern 44: first wiring pattern 50: first wiring pattern 56: second wiring pattern

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】電流源で発生した高周波電流を、所定の特
性インピーダンスを有する線路を通して整合トランスの
1次側巻線に導き、 該整合トランスの2次側巻線に誘起した交流電流を、チ
ップ上の第1の配線パターン及び該第1の配線パターン
と容量結合する同チップ上の第2の配線パターンを通し
てジョセフソン回路に供給し、 且つ、所定の直流バイアス電流を、前記第2の配線パタ
ーンを通して前記ジョセフソン回路に供給することを特
徴とするジョセフソン回路の電源装置。
1. A high frequency current generated by a current source is led to a primary winding of a matching transformer through a line having a predetermined characteristic impedance, and an alternating current induced in a secondary winding of the matching transformer is supplied to a chip. The above first wiring pattern and the second wiring pattern on the same chip that is capacitively coupled to the first wiring pattern are supplied to the Josephson circuit, and a predetermined DC bias current is supplied to the second wiring pattern. A power supply device for the Josephson circuit, characterized in that the power is supplied to the Josephson circuit through the power supply device.
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