JPH05299625A - Solid-state image sensing element and manufacture thereof - Google Patents
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- JPH05299625A JPH05299625A JP4129467A JP12946792A JPH05299625A JP H05299625 A JPH05299625 A JP H05299625A JP 4129467 A JP4129467 A JP 4129467A JP 12946792 A JP12946792 A JP 12946792A JP H05299625 A JPH05299625 A JP H05299625A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は固体撮像素子およびそ
の製造方法に関し、特に、光電変換素子が実装された半
導体基板の表面に反射防止膜が形成された固体撮像素子
およびその製造方法に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solid-state image sensor and a method for manufacturing the same, and more particularly to a solid-state image sensor having an antireflection film formed on the surface of a semiconductor substrate on which a photoelectric conversion element is mounted and a method for manufacturing the same. is there.
【0002】[0002]
【従来の技術】図4は、例えばその表面に反射防止膜を
形成した従来の固体撮像素子の構成を示す模式図であ
り、図4(a) は上面から見た該素子の平面図、図4(b)
は受光領域の横方向の断面図である。また、図4(c) は
受光領域ではない領域、すなわち、基板の周辺部領域の
横方向の断面図であり、ここでは図4(a) のA−B断面
を示している。なお、図4(a) では、反射防止膜7,保
護膜8,受光領域6の内部構造は省略して示している。
図4において、1は光電変換素子が実装された半導体基
板であり、光電変換部10や転送部12などが形成され
た受光領域6と、該受光領域6が形成されていない領域
(以下、周辺部領域20と称す)とに分けられる。2は
周辺部領域20に混在して形成されている周辺回路部で
あり、例えば信号増幅回路などの該固体撮像素子の動作
に必要な回路や、ウエハの製造プロセスで必要とされる
テストパターンなどの各種パターンで構成されている。
3はボンディングパッド、5はボンディングパッド3や
周辺回路部2とチップ内部とを結線するAl配線、4は
複数のAl配線5が交差してなる立体配線部である。2. Description of the Related Art FIG. 4 is a schematic view showing the structure of a conventional solid-state image pickup device having an antireflection film formed on the surface thereof, and FIG. 4 (a) is a plan view of the device as seen from above. 4 (b)
FIG. 4 is a lateral cross-sectional view of a light receiving region. Further, FIG. 4C is a lateral cross-sectional view of a region other than the light receiving region, that is, a peripheral region of the substrate, and shows a cross section AB of FIG. 4A. In FIG. 4A, the internal structures of the antireflection film 7, the protective film 8 and the light receiving region 6 are omitted.
In FIG. 4, reference numeral 1 denotes a semiconductor substrate on which a photoelectric conversion element is mounted, and a light receiving region 6 in which the photoelectric conversion unit 10 and the transfer unit 12 are formed, and a region in which the light receiving region 6 is not formed (hereinafter referred to as a peripheral region). (Referred to as a partial region 20). Reference numeral 2 denotes a peripheral circuit portion that is formed in a mixed manner in the peripheral region 20, and includes, for example, a circuit necessary for the operation of the solid-state imaging device such as a signal amplifier circuit, a test pattern required in a wafer manufacturing process, and the like. It is composed of various patterns.
3 is a bonding pad, 5 is an Al wiring for connecting the bonding pad 3 and the peripheral circuit section 2 to the inside of the chip, and 4 is a three-dimensional wiring section formed by a plurality of Al wirings 5 crossing each other.
【0003】また、8は該固体撮像素子を保護するため
に、その表面を覆うように形成された保護膜であり、例
えばボンディングパッド3上などの不要な部分は開孔さ
れている。7は保護膜8上に形成された反射防止膜であ
り、不要部分は開孔されている。9は周辺部領域20に
おいて半導体基板1上に形成された膜厚の厚い絶縁膜、
14は受光領域6において半導体基板1上に形成された
膜厚の薄い絶縁膜、10は受光領域6に入射した光を電
気信号に変換する光電変換部、11は各画素領域を分離
する分離部、12は転送部であり、光電変換部10で電
気信号に変換された光電変換信号はここを通って転送さ
れる。15は薄い絶縁膜14を介して転送部12と対向
して形成されたポリシリコンゲートである。13はポリ
シリコンゲート15を覆うようにして、Alやその合金
などの金属で形成された遮光膜である。A protective film 8 is formed so as to cover the surface of the solid-state image pickup device so as to protect the solid-state image pickup device. For example, an unnecessary portion such as the bonding pad 3 is opened. Reference numeral 7 is an antireflection film formed on the protective film 8, and unnecessary portions are opened. Reference numeral 9 denotes a thick insulating film formed on the semiconductor substrate 1 in the peripheral region 20,
Reference numeral 14 is a thin insulating film formed on the semiconductor substrate 1 in the light receiving region 6, 10 is a photoelectric conversion unit for converting light incident on the light receiving region 6 into an electric signal, and 11 is a separation unit for separating each pixel region. , 12 are transfer units, through which the photoelectric conversion signals converted into electric signals by the photoelectric conversion unit 10 are transferred. Reference numeral 15 is a polysilicon gate formed to face the transfer portion 12 with a thin insulating film 14 interposed therebetween. Reference numeral 13 is a light-shielding film formed of a metal such as Al or its alloy so as to cover the polysilicon gate 15.
【0004】上記図に示すように、受光領域6では、半
導体基板1内に光電変換部10,分離部11,転送部1
2が埋設され、薄い絶縁膜14を介して、該基板1上に
ポリシリコンゲート15,遮光膜13が形成されてい
る。また、周辺部領域20では、半導体基板1上に厚い
絶縁膜9を介して、Al配線5やボンディングパッド3
が形成されでいる。さらに、これらの表面には保護膜8
が必要に応じて所要の部位で開孔されて形成され、ま
た、該保護膜8上には反射防止膜7が不要部分を開孔し
て形成されている。As shown in the above figure, in the light receiving region 6, the photoelectric conversion portion 10, the separation portion 11 and the transfer portion 1 are provided in the semiconductor substrate 1.
2, a polysilicon gate 15 and a light shielding film 13 are formed on the substrate 1 with a thin insulating film 14 interposed therebetween. In the peripheral region 20, the Al wiring 5 and the bonding pad 3 are formed on the semiconductor substrate 1 with the thick insulating film 9 interposed therebetween.
Has been formed. Furthermore, a protective film 8 is formed on these surfaces.
Are formed by opening holes at required portions as necessary, and an antireflection film 7 is formed on the protective film 8 by opening unnecessary portions.
【0005】次に動作について説明する。該素子に入射
した光は受光領域6の光電変換部10で電気信号に変換
され、転送部12を通って読み出される。周辺部領域2
0には、ボンディングパッド3や該ボンディングパッド
3とチップ内部とを結線するAl配線5があるので、転
送部12上にあるポリシリコンゲート15の駆動信号や
出力信号は、これらボンディングパッド3にボンディン
グされたワイヤを通じて外部とやりとりするようになっ
ている。Next, the operation will be described. The light incident on the element is converted into an electric signal by the photoelectric conversion unit 10 in the light receiving region 6 and read out through the transfer unit 12. Peripheral area 2
At 0, there is the bonding pad 3 and the Al wiring 5 that connects the bonding pad 3 and the inside of the chip. Therefore, the drive signal and the output signal of the polysilicon gate 15 on the transfer unit 12 are bonded to these bonding pads 3. It is designed to communicate with the outside through the wire.
【0006】ここで、ポリシリコンゲート15の上に形
成される遮光膜13は、転送部12に光が入射して発生
するスミアと呼ばれる偽信号を抑えるために必要なもの
である。該遮光膜13には、通常、Alやその合金など
の金属が使用され、高い光遮蔽効果が得られている。し
かし、一方で遮光膜13が金属であることにより、該遮
光膜13の表面で光の反射が起こり、これに起因する種
々の問題、例えば該固体撮像素子上に直付けカラーフィ
ルタを写真製版により形成する際、該カラーフィルタの
もととなる被染色層のパターンが光の反射により荒れた
り、フォトマスク設計寸法との誤差が拡大してしまった
り、あるいは、カメラに該素子を取付けた後、該カメラ
で高輝度の被写体を撮像した際に、その撮影像のぼやけ
る原因となるハレーションなどの原因となるなどの問題
が生じている。これらの問題を防止,解決するために、
素子表面上に反射防止膜7を設けて遮光膜13表面での
光の反射を防いでいる。Here, the light-shielding film 13 formed on the polysilicon gate 15 is necessary for suppressing a false signal called smear which occurs when light enters the transfer section 12. A metal such as Al or an alloy thereof is usually used for the light shielding film 13, and a high light shielding effect is obtained. On the other hand, however, since the light-shielding film 13 is made of metal, light is reflected on the surface of the light-shielding film 13, and various problems caused by this are caused, for example, by directly mounting a color filter on the solid-state image sensor by photolithography. When forming, the pattern of the layer to be dyed that is the source of the color filter becomes rough due to the reflection of light, or the error with the design dimension of the photomask expands, or after attaching the element to the camera, When a high-brightness subject is imaged by the camera, problems such as halation that causes blurring of the captured image occur. To prevent and solve these problems,
An antireflection film 7 is provided on the element surface to prevent light reflection on the surface of the light shielding film 13.
【0007】次に、反射防止膜7の形成方法について説
明する。反射防止膜7の材料および形成方法としては種
々のものが考えられるが、一般的には直付け型カラーフ
ィルタと同じような写真製版などの製造方法で得られる
ものを用いることが多い。具体的には、例えば、重クロ
ム酸などを加えたゼラチン,カゼインなどの被染色性感
光性水溶液を、該固体撮像素子表面上(保護膜8の形成
された半導体基板1上)に塗布して被染色材料層を形成
し、該被染色材料層を写真製版の手法によってパターニ
ングして所定のパターンを形成した後、パターンの形成
された基板を所定の条件に調整された染色液に浸漬し
て、該パターンを黒色などに染色し、これを反射防止膜
7として用いる。該反射防止膜7の膜厚としては、1μ
m前後が一般的によく用いられている。Next, a method of forming the antireflection film 7 will be described. Although various materials and forming methods for the antireflection film 7 can be considered, generally, those obtained by a manufacturing method such as photolithography similar to the direct-attaching type color filter are often used. Specifically, for example, a dyeable photosensitive aqueous solution such as gelatin and casein to which dichromic acid is added is applied onto the surface of the solid-state image pickup device (on the semiconductor substrate 1 on which the protective film 8 is formed). After forming a material layer to be dyed and patterning the material layer to be dyed by a photoengraving method to form a predetermined pattern, the substrate on which the pattern is formed is immersed in a dyeing solution adjusted to a predetermined condition. The pattern is dyed in black or the like and used as the antireflection film 7. The thickness of the antireflection film 7 is 1 μm.
Around m is commonly used.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】従来の固体撮像素子お
よびその製造方法は以上のように構成されているので、
図4(b) ,(c) に示すように基板表面には段差があり、
反射防止膜7の形成後、素子表面上に形成するカラーフ
ィルタ層、あるいはそのさらに上面に形成するマイクロ
レンズ層などを形成する際、それらの形成工程に用いる
材料を該基板表面上にスピン塗布すると、基板表面の段
差、特に凸部に起因するすじ状の塗布むらが生じ、これ
によって、該固体撮像素子を取り付けたカメラにFPN
(固定パターンノイズ)が発生することとなり、品質の
性能低下を招くなどの問題点があった。Since the conventional solid-state image pickup device and its manufacturing method are configured as described above,
As shown in Figs. 4 (b) and 4 (c), there is a step on the substrate surface,
After forming the antireflection film 7, when forming a color filter layer formed on the element surface, or a microlens layer formed on the upper surface thereof, etc., a material used in the forming step may be spin-coated on the substrate surface. , The unevenness of streak-like coating caused by the step on the surface of the substrate, especially the convex portion causes the FPN on the camera to which the solid-state imaging device is attached.
Since (fixed pattern noise) is generated, there is a problem that quality performance is deteriorated.
【0009】図5は従来の固体撮像素子およびその製造
方法における問題点を説明するための図であり、図にお
いて、17は半導体ウエハ、16は該半導体ウエハ17
上に形成されたチップである。該図5に示すように、基
板表面の段差に起因するすじ状の塗布むらが受光領域6
あるいは周辺部領域20に存在すると、撮像時、感度む
らに起因するFPN(固定パターンノイズ)の原因とな
り、大きな問題となっていた。ここで、受光領域6内の
塗布むらの問題を解決する方法はすでに特願平3−27
2577号にて出願しており、この場合は、上記従来例
において被染色材料層を染色する工程の前に、可視光に
対し透明で且つ染料で染色されず、また、下地の平坦性
の良い材料を被染色材料層上に塗布して硬化させること
により防染材料層を形成し、続いて、基板表面上の凹部
にのみ該防染材料層が残るようにこれをパターニングし
た後、該基板を染色液に浸漬することによって、防染材
料層が除去されて被染色材料層が露出した部分のみ染色
されることとなり、これによって反射防止膜7を得てい
る。このように、受光領域6では、凹部に透明樹脂層
(防染材料層)を埋め込むことによって、反射防止膜7
を形成するとともに基板表面の平坦化を実現している。FIG. 5 is a diagram for explaining the problems in the conventional solid-state image pickup device and the manufacturing method thereof, in which 17 is a semiconductor wafer and 16 is the semiconductor wafer 17.
It is a chip formed on the top. As shown in FIG. 5, streak-shaped coating unevenness caused by a step on the substrate surface causes light-receiving region 6 to appear.
Alternatively, if it exists in the peripheral area 20, it causes FPN (fixed pattern noise) due to uneven sensitivity at the time of imaging, which is a serious problem. Here, a method for solving the problem of uneven coating in the light receiving region 6 has already been disclosed in Japanese Patent Application No. 3-27.
No. 2577, and in this case, before the step of dyeing the material layer to be dyed in the above-mentioned conventional example, it is transparent to visible light and is not dyed with a dye, and the flatness of the base is good. A dye-resisting material layer is formed by applying a material on the material-to-be-dyed layer and curing it, and subsequently, the dye-resisting material layer is patterned so that the dye-resisting material layer remains only in the recesses on the surface of the substrate. By immersing the dye in a dyeing solution, the dye-proof material layer is removed, and only the exposed portion of the material layer to be dyed is dyed, whereby the antireflection film 7 is obtained. As described above, in the light receiving region 6, the antireflection film 7 is formed by embedding the transparent resin layer (resisting material layer) in the recess.
And the flatness of the substrate surface is realized.
【0010】しかし、受光領域6のみで基板表面の平坦
化を行っても、周辺部領域20での段差に起因する塗布
むらは防止できず、やはり、撮像時の感度むらを生ず
る。図6は従来の固体撮像素子およびその製造方法にお
ける問題点を説明するための図であり、図中、図4と同
一符号は同一または相当部分を示し、該図において、1
8は透明樹脂膜であり、後の工程で反射防止膜7上に形
成する層の一例としてあげている。周辺部領域20にお
いて、反射防止膜7は通常ボンディングパッド3上には
形成しないので、図6に示すように、反射防止膜7を形
成した後に該素子表面上に透明樹脂膜18を形成して
も、ボンディングパッド3の領域では該ボンディングパ
ッド3に起因する塗布むらは抑えられる。しかし、その
他のAl配線5などに起因する凸部分の上は反射防止膜
7が形成されており、該反射防止膜7はこの下地の凸部
の形状を反映するため、結局、その後に透明樹脂膜18
を形成する際、塗布むらは防止できないなどの問題点が
あった。However, even if the substrate surface is flattened only in the light receiving region 6, the coating unevenness due to the step in the peripheral region 20 cannot be prevented, and the sensitivity unevenness at the time of image pickup also occurs. FIG. 6 is a diagram for explaining problems in the conventional solid-state image pickup device and the manufacturing method thereof. In the figure, the same reference numerals as those in FIG.
A transparent resin film 8 is given as an example of a layer formed on the antireflection film 7 in a later step. In the peripheral region 20, the antireflection film 7 is usually not formed on the bonding pad 3. Therefore, as shown in FIG. 6, after forming the antireflection film 7, a transparent resin film 18 is formed on the surface of the element. However, in the area of the bonding pad 3, uneven coating caused by the bonding pad 3 can be suppressed. However, since the antireflection film 7 is formed on the convex portion caused by the other Al wiring 5 and the like, and the antireflection film 7 reflects the shape of the convex portion of the base, after all, the transparent resin is formed after that. Membrane 18
There was a problem that coating unevenness could not be prevented when forming the film.
【0011】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、反射防止膜の形成方法を改良す
ることにより、素子表面の段差を低減して、その後の工
程で該素子表面上に形成する層の材料をスピン塗布する
際に、塗布むらが発生することを防ぎ、該塗布むらに起
因する歩留り低下を防止することのできる固体撮像素子
を得ることを目的としており、さらに、この固体撮像素
子に適した製造方法を提供することを目的とする。The present invention has been made to solve the above-mentioned problems. By improving the method of forming an antireflection film, the step difference on the element surface can be reduced, and the element surface can be formed in the subsequent steps. When spin-coating the material of the layer to be formed on top, it is intended to obtain a solid-state imaging device capable of preventing coating unevenness and preventing the yield decrease due to the coating unevenness. It is an object of the present invention to provide a manufacturing method suitable for this solid-state imaging device.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】この発明に係る固体撮像
素子は、金属性遮光層がその上に形成された電荷転送素
子と光電変換素子とからなり、その表面の所定の領域に
保護膜および第1の反射防止膜が形成されている受光領
域と、周辺回路とボンディングパッドとからなる周辺領
域とで構成される半導体基板上の所定の領域に保護膜が
形成された固体撮像素子において、上記周辺回路および
ボンディングパッドに起因する凸部に開孔部を有し、上
記周辺領域の保護膜上に形成され、黒色に染色された有
機化合物からなる第2の反射防止膜を有するものであ
る。A solid-state image pickup device according to the present invention comprises a charge transfer device having a metallic light-shielding layer formed thereon and a photoelectric conversion device, and a protective film and a photoelectric conversion device formed on a predetermined region of the surface thereof. A solid-state imaging device having a protective film formed in a predetermined region on a semiconductor substrate, which includes a light receiving region having a first antireflection film formed thereon and a peripheral region having a peripheral circuit and a bonding pad. The second antireflection film is formed on the protective film in the peripheral region and has a second antireflection film made of an organic compound that is dyed black, and has an opening portion in a convex portion caused by the peripheral circuit and the bonding pad.
【0013】また、この発明に係る固体撮像素子の製造
方法は、周辺回路とボンディングパッドとからなる周辺
領域の素子表面上に感光性の有機化合物溶液を塗布して
感光性の有機化合物膜を形成し、上記周辺回路とボンデ
ィングパッドの領域が開孔するようなパターンのマスク
を用いて上記感光性の有機化合物膜をパターニングした
後、パターニングされた感光性の有機化合物膜を染色液
に浸して染色するものである。Also, in the method for manufacturing a solid-state image pickup device according to the present invention, a photosensitive organic compound solution is applied to the surface of the device in the peripheral region consisting of the peripheral circuit and the bonding pad to form a photosensitive organic compound film. Then, after patterning the photosensitive organic compound film using a mask having a pattern such that the peripheral circuit and the area of the bonding pad are opened, the patterned photosensitive organic compound film is dipped in a dyeing solution for dyeing. To do.
【0014】さらに、この発明に係る固体撮像素子の製
造方法は、周辺領域の素子表面上に有機化合物溶液を塗
布して有機化合物膜を形成し、上記周辺回路とボンディ
ングパッドの領域が開孔するようなパターンのマスクを
用いて上記有機化合物膜を写真製版およびエッチングに
よりパターニングした後、パターニングされた有機化合
物膜を染色液に浸して染色するものである。Further, in the method for manufacturing a solid-state image pickup device according to the present invention, an organic compound solution is applied onto the device surface in the peripheral region to form an organic compound film, and the peripheral circuit and the region of the bonding pad are opened. The organic compound film is patterned by photolithography and etching using a mask having such a pattern, and then the patterned organic compound film is immersed in a dyeing solution for dyeing.
【0015】[0015]
【作用】この発明における固体撮像素子は、基板上の凹
部にのみ反射防止膜が形成された構造としたので、素子
表面の段差はほとんど無く、このため、その後の工程で
形成する層も塗布むらを生ずることなく形成でき、該塗
布むらに起因する感度低下や歩留り低下を防止すること
ができる。Since the solid-state image pickup device according to the present invention has the structure in which the antireflection film is formed only in the concave portion on the substrate, there is almost no step on the device surface, and therefore, the layer formed in the subsequent step has uneven coating. It can be formed without causing the occurrence of deterioration of sensitivity and a decrease in yield due to the uneven coating.
【0016】この発明における固体撮像素子の製造方法
は、Al配線およびボンディングパッドなどのように凸
部となる領域には反射防止膜7を形成しないように、す
なわち、凹部にのみ反射防止膜7を形成するようにした
ので、反射防止膜の形成と同時に基板の平坦化を行え、
さらに、該平坦化は複雑な工程を用いることなく、か
つ、工程を短縮して行うことができ、また、後工程にお
いて形成する層の材料を該基板表面に塗布する際の塗布
むらを防ぐことができるので、塗布むらに起因するFP
Nを大幅に低減した、高性能の固体撮像素子を安価に得
ることができる。In the method of manufacturing a solid-state image pickup device according to the present invention, the antireflection film 7 is not formed in a region which becomes a convex portion such as an Al wiring and a bonding pad, that is, the antireflection film 7 is formed only in the concave portion. Since it is formed, the substrate can be planarized at the same time when the antireflection film is formed,
Further, the flattening can be performed without using complicated steps and shortening the steps, and prevent uneven coating when the material of the layer formed in a later step is applied to the surface of the substrate. FP caused by uneven coating
It is possible to inexpensively obtain a high-performance solid-state imaging device in which N is greatly reduced.
【0017】[0017]
【実施例】実施例1.以下、この発明の第1の実施例を
図について説明する。図1は、この発明の第1の実施例
による固体撮像素子の構成を示す模式図であり、図中、
図4と同一符号は同一または相当部分を示す。なお、図
1(a) は上面から見た該素子の平面図、図1(b) は図1
(a) のA−B断面を示す周辺部領域20の横方向の断面
模式図、図1(c) は図1(a) のcで囲まれた領域を拡大
して示した拡大平面図である。また、図1(a) では反射
防止膜7,保護膜8,受光領域6の内部構造は省略して
示している。EXAMPLES Example 1. Hereinafter, a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing the configuration of a solid-state image sensor according to the first embodiment of the present invention.
The same reference numerals as those in FIG. 4 indicate the same or corresponding portions. 1 (a) is a plan view of the device viewed from above, and FIG. 1 (b) is a plan view of FIG.
(a) is a schematic lateral cross-sectional view of the peripheral region 20 showing an AB cross section, and FIG. 1 (c) is an enlarged plan view showing an enlarged region surrounded by c in FIG. 1 (a). is there. Further, in FIG. 1A, the internal structures of the antireflection film 7, the protective film 8 and the light receiving region 6 are omitted.
【0018】周辺部領域20において生ずる凸部は、大
部分がAlなどによる配線5およびボンディングパッド
3によるものであるので、表面段差を無くすためには、
これらの上に反射防止膜7を形成しないようにすれば良
い。本実施例では、図1(c)に示すようにAl配線5お
よびボンディングパッド3などのように凸部となる領域
には反射防止膜7を形成しないように、すなわち、凹部
にのみ反射防止膜7を形成するようにしており、これに
よって、図1(b) に示すように表面段差を防いでいる。Most of the protrusions formed in the peripheral region 20 are the wiring 5 and the bonding pad 3 made of Al or the like.
The antireflection film 7 may not be formed on these. In this embodiment, as shown in FIG. 1 (c), the antireflection film 7 is not formed in a region that becomes a convex portion such as the Al wiring 5 and the bonding pad 3, that is, the antireflection film 7 is formed only in the concave portion. 7 are formed to prevent the surface step difference as shown in FIG. 1 (b).
【0019】図3はこの発明の第1の実施例による固体
撮像素子の構造を説明するための断面図であり、図中、
図6と同一符号は同一または相当部分を示す。上記図1
に示すような構造の素子上に、透明樹脂膜18をスピン
塗布して形成すると、図3に示すように、図6に示す素
子構造と比べると、表面段差をほとんど無くして形成す
ることができるので、例えば、カラーフィルタあるいは
マイクロレンズを形成するために、その後の工程で形成
する層の材料を塗布する際も、その塗布むらを防ぐこと
ができるので、撮像時の感度を良好に保つことができ
る。FIG. 3 is a sectional view for explaining the structure of the solid-state image pickup device according to the first embodiment of the present invention.
The same reference numerals as those in FIG. 6 indicate the same or corresponding parts. Figure 1 above
When the transparent resin film 18 is formed by spin coating on the element having the structure shown in FIG. 3, it can be formed with almost no surface step difference as compared with the element structure shown in FIG. 6, as shown in FIG. Therefore, for example, even when applying the material of the layer to be formed in a subsequent step to form a color filter or a microlens, it is possible to prevent uneven application, so that it is possible to maintain good sensitivity during imaging. it can.
【0020】次に、本実施例による固体撮像素子の製造
方法について説明する。なお、ここでは、反射防止膜7
の材料として感光性のカゼインを用いた場合を例にとっ
て説明する。図2はこの発明の第1の実施例による固体
撮像素子の製造方法の工程フローを示す断面図であり、
図中、図1あるいは図4と同一符号は同一または相当部
分を示す。該図2において、19は被染色材料層である
カゼイン感光膜であり、これはパターニングされて、染
色液で染色され、膨張されることにより反射防止膜7と
なる。Next, a method of manufacturing the solid-state image sensor according to this embodiment will be described. Incidentally, here, the antireflection film 7
A case where photosensitive casein is used as the material will be described as an example. FIG. 2 is a sectional view showing a process flow of a method of manufacturing a solid-state image sensor according to the first embodiment of the present invention.
In the figure, the same reference numerals as those in FIG. 1 or 4 indicate the same or corresponding parts. In FIG. 2, reference numeral 19 denotes a casein photosensitive film which is a material layer to be dyed, which is patterned, dyed with a dyeing solution, and expanded to form the antireflection film 7.
【0021】まず、固体撮像素子表面にカゼイン感光液
をスピン塗布し、続いて硬化させて図2(a) に示すよう
なカゼイン感光膜19を形成する。このとき、上記のよ
うに素子表面にカゼイン感光液を直接塗布する方法が一
般的であるが、カゼインの基板に対する密着性を向上さ
せるために、カゼイン塗布前に素子表面上に有機透明樹
脂を0.5μm程度の厚さで予め塗布しておき、これが
硬化した後、カゼイン感光液を塗布する方法もある。First, a casein photosensitive solution is spin-coated on the surface of the solid-state image pickup device and then cured to form a casein photosensitive film 19 as shown in FIG. 2 (a). At this time, a method of directly applying a casein photosensitive liquid to the device surface as described above is generally used. However, in order to improve the adhesion of casein to the substrate, an organic transparent resin is applied to the device surface before applying casein. There is also a method in which a casein photosensitive solution is applied after it is applied in a thickness of about 0.5 μm in advance.
【0022】なお、ここで用いるカゼイン感光液として
は、10〜15重量%のカゼイン水溶液に、重クロム酸
塩をカゼインに対して10〜15重量%程度加えて感光
性を持たせたものが有効である。また、該カゼイン感光
膜19はこの後の工程で染色液に浸されるが、カゼイン
の特性としてその染色工程の際に膨張し、特に垂直方向
には1割程度膨張するため、カゼイン感光液を塗布する
際は、該膨張を考慮してAl配線5の膜厚より1割程度
薄く塗布することが望ましい。例えばAl配線5の膜厚
が7000オングストロームであれば、カゼイン感光膜
19の膜厚が6000〜6500オングストロームとな
るようカゼイン感光液を塗布することが理想的である。
しかし、実際には凹部より凸部の方が塗布むらの原因と
なりやすいので、若干厚めに塗布しておく方が良好な場
合が多い。The casein photosensitizing solution used here is a casein aqueous solution containing 10 to 15% by weight of dichromate added to the casein in an amount of about 10 to 15% by weight so as to have photosensitivity. Is. Further, the casein photosensitive film 19 is immersed in the dyeing solution in the subsequent step, but it expands during the dyeing step as a characteristic of casein, and in particular, it expands about 10% in the vertical direction. At the time of application, it is desirable that the film thickness is about 10% thinner than the film thickness of the Al wiring 5 in consideration of the expansion. For example, if the film thickness of the Al wiring 5 is 7,000 Å, it is ideal that the casein photosensitive solution is applied so that the film thickness of the casein photosensitive film 19 becomes 6000 to 6500 Å.
However, in practice, the convex portions are more likely to cause uneven coating than the concave portions, and therefore it is often preferable to apply the coating slightly thicker.
【0023】次に、写真製版の手法を用いてカゼイン感
光膜19をパターニングする。この際のパターニング
は、カゼイン感光膜19、すなわち、反射防止膜7が後
の染色工程時の膨張によって、凸部上にその端部が盛り
上がらないようにするため、該染色時の膨張を考慮して
おく必要があるが、水平方向の膨張は垂直方向に比べて
その膨張が緩やかなので、Al配線5のパターンの端と
カゼイン感光膜19のパターンの端との間は5〜10μ
m程度開けておくようにすれば充分である。Next, the casein photosensitive film 19 is patterned by using a photolithography technique. The patterning at this time is performed in consideration of the expansion at the time of dyeing in order to prevent the casein photosensitive film 19, that is, the antireflection film 7 from being raised at the end portion on the convex portion due to the expansion at the subsequent dyeing step. However, since the expansion in the horizontal direction is slower than that in the vertical direction, the distance between the edge of the pattern of the Al wiring 5 and the edge of the pattern of the casein photosensitive film 19 is 5 to 10 μm.
It is enough to leave it open about m.
【0024】最後にこのカゼイン感光膜19を染色液に
浸して染色する。このとき用いる染料としては、反射防
止という効果を考えた上では黒染料が好ましい。また、
染色条件としては、用いる染料により一定ではないが、
一般的には染料濃度0.5〜1g/l,pH3.0〜
4.5,温度50〜80℃,染色時間5〜20分程度で
行う。これによって、カゼイン感光膜19は染色される
とともに膨張し、図2(c) に示すような反射防止膜7と
なる。Finally, the casein photosensitive film 19 is dipped in a dyeing solution for dyeing. As the dye used at this time, a black dye is preferable from the viewpoint of antireflection effect. Also,
The dyeing conditions are not constant depending on the dye used,
Generally, dye concentration is 0.5-1g / l, pH is 3.0-
4.5, temperature 50 to 80 ° C., dyeing time 5 to 20 minutes. As a result, the casein photosensitive film 19 is dyed and swelled to become the antireflection film 7 as shown in FIG. 2 (c).
【0025】このように、上記実施例では、反射防止膜
7を素子表面の凸部上には形成されないようにしたの
で、該反射防止膜7の形成と同時に素子表面の平坦化を
行うことができ、これによって、複雑な工程を用いるこ
となく容易に、かつ、工程を短縮して該素子を得ること
ができる。また、その後の工程で形成する層も塗布むら
を生ずることなく形成でき、該塗布むらに起因する感度
低下を防ぐことができる。As described above, in the above-described embodiment, the antireflection film 7 is not formed on the convex portion of the element surface. Therefore, the element surface can be planarized simultaneously with the formation of the antireflection film 7. This makes it possible to obtain the device easily without using complicated steps and by shortening the steps. Further, the layer formed in the subsequent step can also be formed without causing coating unevenness, and it is possible to prevent a decrease in sensitivity due to the coating unevenness.
【0026】実施例2.上記第1の実施例では、被染色
材料層を、パターニングする工程を簡単にするため、感
光性のカゼインを用いて反射防止膜7を形成していた
が、該反射防止膜7の微細加工において、感光性は必ず
しも必要ではなく、例えば、非感光性のカゼインを用い
る場合、該カゼイン膜を素子表面上に形成した後、その
上面に一般的なフォトレジストを塗布し、これを写真製
版の手法でパターニングし、続いて該レジストをマスク
としてカゼイン膜をエッチングなどの手法によりパター
ニングし、最後に染色加工すれば、上記第1の実施例と
同様のものが得られる。Example 2. In the first embodiment, the antireflection film 7 was formed using photosensitive casein in order to simplify the step of patterning the material layer to be dyed. However, in the fine processing of the antireflection film 7, However, photosensitivity is not always necessary. For example, in the case of using non-photosensitive casein, after forming the casein film on the element surface, a general photoresist is applied on the upper surface, and this is used as a method of photoengraving. Then, the casein film is patterned by a method such as etching using the resist as a mask, and the dyeing process is finally performed, so that the same as the first embodiment is obtained.
【0027】実施例3.さらに、上記第1および第2の
実施例において、カゼイン膜の基板1に対する密着性を
向上するために有機透明樹脂を用いる場合、この樹脂中
に黒あるいはその他必要とされる色の染料を分散させて
使用する方法もある。まず、その中に染料を分散させた
有機透明樹脂膜を素子表面上に形成した後、該樹脂膜上
にカゼイン膜を形成する。その後、該樹脂膜およびカゼ
イン膜をパターニングすれば、上記第1および第2の実
施例と同様の効果を奏するものが得られる。本実施例の
場合も、有機透明樹脂およびカゼイン膜が感光性を有す
るかどうかは無関係である。また、本実施例の製造方法
では染色という工程が省略されることは言うまでもな
い。Example 3. Furthermore, in the above-mentioned first and second embodiments, when an organic transparent resin is used to improve the adhesion of the casein film to the substrate 1, a dye of black or other required color is dispersed in this resin. There is also a method to use. First, an organic transparent resin film having a dye dispersed therein is formed on the surface of the device, and then a casein film is formed on the resin film. Then, if the resin film and the casein film are patterned, the same effects as those of the first and second embodiments can be obtained. Also in this example, it is irrelevant whether the organic transparent resin and the casein film have photosensitivity. Needless to say, the step of dyeing is omitted in the manufacturing method of this embodiment.
【0028】なお、上記実施例1ないし3においては、
反射防止膜7の材料としてカゼインを用いた場合を示し
たが、ゼラチンあるいはポリビニルアルコールなど、染
料で染色できる材料で、かつ薄膜化でき、例えば加熱,
紫外線照射といったような適当な方法で硬化できるもの
なら、どういうものでも用いることができる。In the first to third embodiments,
Although the case where casein is used as the material of the antireflection film 7 is shown, it is a material that can be dyed with a dye such as gelatin or polyvinyl alcohol and can be made into a thin film.
Any material can be used as long as it can be cured by an appropriate method such as UV irradiation.
【0029】また、使用する染料も黒色に限るものでは
なく、目的に応じて赤や黄など他の色を用いることもで
きる。これは主として固体撮像素子の使用状況に応じて
選択されるものである。The dye used is not limited to black, and other colors such as red and yellow can be used depending on the purpose. This is mainly selected according to the usage of the solid-state image sensor.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上のように、この発明に係る固体撮像
素子によれば、基板上の凹部にのみ反射防止膜が形成さ
れた構造としたので、素子表面の段差はほとんど無く、
このため、その後の工程で形成する層も塗布むらを生ず
ることなく形成でき、該塗布むらに起因する感度低下や
歩留り低下を防止することができる効果がある。As described above, according to the solid-state image pickup device of the present invention, since the antireflection film is formed only in the concave portion on the substrate, there is almost no step on the device surface.
Therefore, a layer formed in a subsequent step can be formed without causing coating unevenness, and there is an effect that it is possible to prevent a decrease in sensitivity and a reduction in yield due to the coating unevenness.
【0031】また、この発明に係る固体撮像素子の製造
方法によれば、Al配線およびボンディングパッドなど
のように凸部となる領域には反射防止膜7を形成しない
ように、すなわち、凹部にのみ反射防止膜7を形成する
ようにしたので、反射防止膜の形成と同時に基板の平坦
化を行え、さらに、該平坦化は複雑な工程を用いること
なく、かつ、工程を短縮して行うことができ、また、後
工程において形成する層の材料を該基板表面に塗布する
際の塗布むらを防ぐことができるので、塗布むらに起因
するFPNを大幅に低減した、高性能の固体撮像素子を
安価に得ることができる効果がある。Further, according to the method of manufacturing a solid-state image pickup device according to the present invention, the antireflection film 7 is not formed in a region which becomes a convex portion such as an Al wiring and a bonding pad, that is, only in the concave portion. Since the antireflection film 7 is formed, the substrate can be planarized at the same time when the antireflection film is formed. Further, the planarization can be performed without using complicated steps and with shortening the steps. In addition, since it is possible to prevent uneven coating when the material of the layer formed in the subsequent step is applied to the surface of the substrate, it is possible to obtain a high-performance solid-state imaging device in which FPN caused by uneven coating is significantly reduced. There is an effect that can be obtained.
【図1】この発明の第1の実施例による固体撮像素子の
構造を示す上面図,断面図,部分拡大図である。FIG. 1 is a top view, a sectional view, and a partially enlarged view showing the structure of a solid-state image sensor according to a first embodiment of the present invention.
【図2】この発明の第1の実施例による固体撮像素子の
製造方法を説明するための工程フロー断面図である。FIG. 2 is a process flow cross-sectional view for explaining the method of manufacturing the solid-state imaging device according to the first embodiment of the present invention.
【図3】この発明の第1の実施例による固体撮像素子の
構造を説明するための断面図である。FIG. 3 is a sectional view for explaining the structure of the solid-state image sensor according to the first embodiment of the present invention.
【図4】従来の固体撮像素子の構造を示す上面図および
断面図である。4A and 4B are a top view and a cross-sectional view showing a structure of a conventional solid-state imaging device.
【図5】従来の固体撮像素子の問題点を説明するための
図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a problem of a conventional solid-state imaging device.
【図6】従来の固体撮像素子の問題点を説明するための
図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a problem of a conventional solid-state image sensor.
1 半導体基板 2 周辺回路部 3 ボンディングパッド 4 立体配線部 5 Al配線 6 受光領域 7 反射防止膜 8 保護膜 9 厚い絶縁膜 10 光電変換部 11 分離部 12 転送部 13 遮光膜 14 薄い絶縁膜 15 ポリシリコンゲート 16 チップ 17 半導体ウエハ 18 透明樹脂膜 19 カゼイン感光膜 20 周辺部領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor substrate 2 Peripheral circuit part 3 Bonding pad 4 Three-dimensional wiring part 5 Al wiring 6 Light receiving area 7 Antireflection film 8 Protective film 9 Thick insulating film 10 Photoelectric conversion part 11 Separation part 12 Transfer part 13 Light-shielding film 14 Thin insulating film 15 Poly Silicon gate 16 Chip 17 Semiconductor wafer 18 Transparent resin film 19 Casein photosensitive film 20 Peripheral area
─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成5年7月21日[Submission date] July 21, 1993
【手続補正1】[Procedure Amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】請求項2[Name of item to be corrected] Claim 2
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【手続補正2】[Procedure Amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】請求項3[Name of item to be corrected] Claim 3
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【手続補正3】[Procedure 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】請求項10[Name of item to be corrected] Claim 10
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【手続補正4】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0018[Correction target item name] 0018
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0018】周辺部領域20において生ずる凸部は、大
部分がAlなどによる配線5およびボンディングパッド
3によるものであるので、表面段差を無くすためには、
これらの上に反射防止膜7を形成しないようにすれば良
い。本実施例では、図1(c)に示すようにAl配線5お
よびボンディングパッド3などのように凸部となる領域
には該反射防止膜7を形成しないように、すなわち、凹
部にのみ反射防止膜7を形成するようにしており、これ
によって、図1(b) に示すように表面段差を防いでい
る。Most of the protrusions formed in the peripheral region 20 are the wiring 5 and the bonding pad 3 made of Al or the like.
The antireflection film 7 may not be formed on these. In this embodiment, so as not to form the anti-reflection film 7 is in a region to be a convex portion such as Al wiring 5 and the bonding pads 3, as shown in FIG. 1 (c), i.e., preventing reflection only in the recess The film 7 is formed so that the surface step is prevented as shown in FIG. 1 (b).
【手続補正5】[Procedure Amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】0026[Correction target item name] 0026
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction content]
【0026】実施例2.上記第1の実施例では、被染色
材料層を、パターニングする工程を簡単にするため、感
光性のカゼインを用いて反射防止膜7を形成していた
が、該反射防止膜7の微細加工において、感光性は必ず
しも必要ではなく、例えば、非感光性のカゼインを用い
る場合、該カゼイン膜を素子表面上に形成した後、その
上面に一般的なフォトレジストを塗布し、これを写真製
版の手法でパターニングし、続いて該レジストをマスク
としてカゼイン膜をエッチングなどの手法によりパター
ニングして、適当な手段で硬化させた後、最後に染色加
工すれば、上記第1の実施例と同様のものが得られる。Example 2. In the first embodiment, the antireflection film 7 was formed using photosensitive casein in order to simplify the step of patterning the material layer to be dyed. However, in the fine processing of the antireflection film 7, However, photosensitivity is not always necessary. For example, in the case of using non-photosensitive casein, after forming the casein film on the element surface, a general photoresist is applied on the upper surface, and this is used as a method of photoengraving. Then, the casein film is patterned by a method such as etching using the resist as a mask , cured by an appropriate means, and finally dyed to obtain a product similar to that of the first embodiment. can get.
Claims (10)
転送素子と光電変換素子とからなり、その表面の所定の
領域に保護膜および第1の反射防止膜が形成されている
受光領域と、周辺回路とボンディングパッドとからなる
周辺領域とで構成される半導体基板上の所定の領域に保
護膜が形成された固体撮像素子において、 上記周辺回路およびボンディングパッドに起因する凸部
に開孔部を有し、上記周辺領域の保護膜上に形成され、
黒色に染色された有機化合物からなる第2の反射防止膜
を有することを特徴とする固体撮像素子。1. A light-receiving region comprising a charge-transfer element and a photoelectric conversion element on which a metallic light-shielding layer is formed, and a protective film and a first antireflection film are formed on a predetermined region of the surface thereof. In a solid-state imaging device in which a protective film is formed in a predetermined region on a semiconductor substrate composed of a peripheral region including a peripheral circuit and a bonding pad, an opening is formed in a convex portion caused by the peripheral circuit and the bonding pad. And formed on the protective film in the peripheral region,
A solid-state image pickup device comprising a second antireflection film made of an organic compound dyed black.
転送素子と光電変換素子とからなり、その表面の所定の
領域に保護膜および第1の反射防止膜が形成されている
受光領域と、周辺回路とボンディングパッドとからなる
周辺領域とで構成される半導体基板上の所定の領域に保
護膜が形成された固体撮像素子を製造する方法におい
て、 上記周辺領域の素子表面上に感光性の有機化合物溶液を
塗布して感光性の有機化合物膜を形成する第1の工程
と、 上記周辺回路とボンディングパッドの領域が開孔するよ
うなパターンのマスクを用いて上記感光性の有機化合物
膜をパターニングする第2の工程と、 上記パターニングされた感光性の有機化合物膜を染色液
に浸して染色する第3の工程とを有することを特徴とす
る固体撮像素子の製造方法。2. A light-receiving region having a metallic light-shielding layer composed of a charge transfer element and a photoelectric conversion element formed thereon, and a protective film and a first antireflection film formed on a predetermined region of the surface thereof. And a peripheral region including a peripheral circuit and a bonding pad, a method for manufacturing a solid-state imaging device in which a protective film is formed in a predetermined region on a semiconductor substrate. The first step of applying the organic compound solution to form a photosensitive organic compound film, and the photosensitive organic compound film using a mask having a pattern in which the peripheral circuit and bonding pad regions are opened. And a third step of immersing the patterned photosensitive organic compound film in a dyeing solution for dyeing.
転送素子と光電変換素子とからなり、その表面の所定の
領域に保護膜および第1の反射防止膜が形成されている
受光領域と、周辺回路とボンディングパッドとからなる
周辺領域とで構成される半導体基板上の所定の領域に保
護膜が形成された固体撮像素子を製造する方法におい
て、 上記周辺領域の素子表面上に有機化合物溶液を塗布して
有機化合物膜を形成する第1の工程と、 上記周辺回路とボンディングパッドの領域が開孔するよ
うなパターンのマスクを用いて上記有機化合物膜を写真
製版およびエッチングによりパターニングする第2の工
程と、 上記パターニングされた有機化合物膜を染色液に浸して
染色する第3の工程とを有することを特徴とする固体撮
像素子の製造方法。3. A light-receiving region comprising a charge transfer element and a photoelectric conversion element on which a metallic light-shielding layer is formed, and a protective film and a first antireflection film are formed on a predetermined region of the surface thereof. And a method for manufacturing a solid-state imaging device in which a protective film is formed in a predetermined region on a semiconductor substrate composed of a peripheral region including a peripheral circuit and a bonding pad. A first step of applying a solution to form an organic compound film; and a step of patterning the organic compound film by photolithography and etching using a mask having a pattern in which the peripheral circuit and bonding pad regions are opened. 2. A method for manufacturing a solid-state imaging device, comprising: the step 2; and a third step of immersing the patterned organic compound film in a dyeing solution for dyeing.
を特徴とする固体撮像素子。4. The solid-state imaging device according to claim 1, wherein a transparent resin film is inserted under the second antireflection film.
製造する方法において、 上記第1の工程の前に、上記周辺領域の素子表面上に透
明樹脂膜を形成し、 上記第2の工程中、上記有機化合物膜とともに上記透明
樹脂膜のパターニングを行うことを特徴とする固体撮像
素子の製造方法。5. The method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 2, wherein before the first step, a transparent resin film is formed on the element surface of the peripheral region, and the second step is performed. Among them, the method for manufacturing a solid-state imaging device, characterized in that the transparent resin film is patterned together with the organic compound film.
脂膜内に染料が分散されていることを特徴とする固体撮
像素子。6. The solid-state image pickup device according to claim 4, wherein the second antireflection film is not dyed, and a dye is dispersed in the transparent resin film.
転送素子と光電変換素子とからなり、その表面の所定の
領域に保護膜および第1の反射防止膜が形成されている
受光領域と、周辺回路とボンディングパッドとからなる
周辺領域とで構成される半導体基板上の所定の領域に保
護膜が形成された固体撮像素子を製造する方法におい
て、 上記周辺領域の素子表面上にその中に染料を分散させた
感光性の透明樹脂膜を形成した後、該透明樹脂膜上に感
光性の有機化合物溶液を塗布して感光性の有機化合物膜
を形成する第1の工程と、 上記周辺回路とボンディングパッドの領域が開孔するよ
うなパターンのマスクを用いて上記透明樹脂膜および有
機化合物膜をパターニングする第2の工程とを有するこ
とを特徴とする固体撮像素子の製造方法。7. A light-receiving region comprising a charge transfer element and a photoelectric conversion element on which a metallic light-shielding layer is formed, and a protective film and a first antireflection film formed on a predetermined region of the surface thereof. And a peripheral region including a peripheral circuit and a bonding pad, a method for manufacturing a solid-state imaging device in which a protective film is formed in a predetermined region on a semiconductor substrate. Forming a photosensitive transparent resin film having a dye dispersed therein, and then applying a photosensitive organic compound solution on the transparent resin film to form a photosensitive organic compound film; And a second step of patterning the transparent resin film and the organic compound film by using a mask having a pattern in which a circuit and a region of a bonding pad are opened.
転送素子と光電変換素子とからなり、その表面の所定の
領域に保護膜および第1の反射防止膜が形成されている
受光領域と、周辺回路とボンディングパッドとからなる
周辺領域とで構成される半導体基板上の所定の領域に保
護膜が形成された固体撮像素子を製造する方法におい
て、 上記周辺領域の素子表面上にその中に染料を分散させた
透明樹脂膜を形成した後、該透明樹脂膜上に有機化合物
溶液を塗布して有機化合物膜を形成する第1の工程と、 上記周辺回路とボンディングパッドの領域が開孔するよ
うなパターンのマスクを用いて上記透明樹脂膜および有
機化合物膜を写真製版およびエッチングによりパターニ
ングする第2の工程とを有することを特徴とする固体撮
像素子の製造方法。8. A light-receiving region comprising a charge transfer element and a photoelectric conversion element on which a metallic light-shielding layer is formed, and a protective film and a first antireflection film formed on a predetermined region of the surface thereof. And a peripheral region including a peripheral circuit and a bonding pad, a method for manufacturing a solid-state imaging device in which a protective film is formed in a predetermined region on a semiconductor substrate. After forming a transparent resin film in which a dye is dispersed in, a first step of forming an organic compound film by applying an organic compound solution on the transparent resin film, and opening the peripheral circuit and bonding pad regions. And a second step of patterning the transparent resin film and the organic compound film by photolithography and etching using a mask having such a pattern as described above. .
体撮像素子において、 上記第2の反射防止膜はカゼイン,ポリビニルアルコー
ル,ゼラチンのいずれかであることを特徴とする固体撮
像素子。9. The solid-state image sensor according to claim 1, wherein the second antireflection film is any one of casein, polyvinyl alcohol, and gelatin. ..
に記載の固体撮像素子を製造する方法において、 上記第2の反射防止膜はカゼイン,ポリビニルアルコー
ル,ゼラチンのいずれかであることを特徴とする固体撮
像素子の製造方法。10. The method for manufacturing a solid-state imaging device according to claim 2, wherein the second antireflection film is casein, polyvinyl alcohol, or gelatin. A method of manufacturing a solid-state image sensor, comprising:
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4129467A JPH05299625A (en) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | Solid-state image sensing element and manufacture thereof |
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4129467A JPH05299625A (en) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | Solid-state image sensing element and manufacture thereof |
Publications (1)
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Country Status (1)
Country | Link |
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JP (1) | JPH05299625A (en) |
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