JPH05299327A - Electron beam writing equipment - Google Patents
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- JPH05299327A JPH05299327A JP10087192A JP10087192A JPH05299327A JP H05299327 A JPH05299327 A JP H05299327A JP 10087192 A JP10087192 A JP 10087192A JP 10087192 A JP10087192 A JP 10087192A JP H05299327 A JPH05299327 A JP H05299327A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は電子線描画装置に係り、
とくにＩＣ，ＬＳＩ等の精緻なパタ−ン図形の描画精度
を向上した電子線描画装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electron beam drawing apparatus,
In particular, the present invention relates to an electron beam drawing apparatus with improved drawing accuracy of fine pattern figures such as IC and LSI.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来の電子線描画装置においては、半導
体ウエハ面を図２に示すように区分して各区分内を順次
描画していくようにしていた。すなわち、ウエハ面をま
ず同図（ａ）のように電子線描画装置の電磁偏向器で偏
向可能な範囲であるフィ−ルド〔１、１〕〜〔３、３〕
等に区分し、さらに、各フィ−ルド内を電子光学系の静
電偏向器の最大偏向範囲に対応する複数のサブフィ−ル
ド（１，１）〜（５，５）等に区分し、一つのフィ−ル
ド内のサブフィ−ルドを順次描画してから次ぎのフィ−
ルドの描画に移るようにしていた。各サブフィ−ルド内
は静電偏向器により描画され、サブフィ−ルド間の移動
には電磁偏向器が用いられ、フィ−ルド間の移動にはス
テ−ジが用いられる。2. Description of the Related Art In a conventional electron beam drawing apparatus, the surface of a semiconductor wafer is divided as shown in FIG. That is, first, as shown in FIG. 3A, the wafer surface is a field [1, 1] to [3, 3] which is a range in which it can be deflected by the electromagnetic deflector of the electron beam drawing apparatus.
Etc., and further, each field is divided into a plurality of subfields (1, 1) to (5, 5) corresponding to the maximum deflection range of the electrostatic deflector of the electron optical system. Subfields in one field are drawn in sequence, and then the next field is drawn.
I was going to move on to draw Ludo. The inside of each subfield is drawn by an electrostatic deflector, an electromagnetic deflector is used to move between the subfields, and a stage is used to move between the fields.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
描画順序では一つのフィ−ルドから隣接するフィ−ルド
に移るまでに時間がかかるので、その間にビ−ムドリフ
トが発生し、フィ−ルド間に跨るパタ−ンに段差が発生
するという問題があった。However, in the drawing order as described above, it takes time to move from one field to an adjacent field, so a beam drift occurs during that time, and a field is generated. There was a problem that a step was generated in the pattern spanning between them.
【０００４】上記ビ−ムドリフトは例えば図３のように
時間変化し、描画開始時点６から時間８が経過するとビ
−ムドリフトは９の大きさに達する。そこで、従来の電
子線描画装置ではビ−ムドリフト量を予測して定期的あ
るいはフィ−ルド移行時に補正するようにしていたが、
必ずしも十分に補償できないという問題があった。とく
にフィ−ルド間に跨る幅の小さいパタ−ンではわずかな
ドリフト補償誤差によりパタ−ンの段差が顕在化し、最
悪の場合にはパタ−ンが切れることがあった。The beam drift changes with time, for example, as shown in FIG. 3, and the beam drift reaches a magnitude of 9 when time 8 elapses from the drawing start time point 6. Therefore, in the conventional electron beam drawing apparatus, the beam drift amount is predicted and corrected regularly or at the time of field shift.
There was a problem that it was not always possible to fully compensate. In particular, in the case of a pattern having a small width across the fields, a slight drift compensation error may cause a step difference in the pattern, and in the worst case, the pattern may be broken.
【０００５】図４は上記ドリフトの影響を示すパタ−ン
図である。図４では、フィ−ルド〔２，１〕内のサブフ
ィ−ルド（５，５）とフィ−ルド〔３，１〕内のサブフ
ィ−ルド（１，５）間には太いパタ−ン１４と細いパタ
−ン１５が存在するが、上記ドリフト補償誤差によりパ
タ−ンの段差ｅが発生している。太いパタ−ン１４では
パタ−ン幅に対する段差ｅの比率が小さいので問題は少
ないが、細いパタ−ン１５の場合には段差ｅの比率が大
きく、このためこの段差部でパタ−ンがやせ、場合によ
っては断線が生じることになる。本発明の目的は、上記
フィ−ルド間に跨る幅の小さいパタ−ンに生じる段差を
減少して、ビ−ムドリフトの影響を受けることのない電
子線描画装置を提供することにある。FIG. 4 is a pattern diagram showing the influence of the drift. In FIG. 4, a thick pattern 14 is provided between the subfields (5, 5) in the field [2, 1] and the subfields (1, 5) in the field [3, 1]. Although the thin pattern 15 exists, a step e of the pattern is generated due to the drift compensation error. In the thick pattern 14, the ratio of the step e to the pattern width is small, so there is little problem, but in the case of the thin pattern 15, the ratio of the step e is large, and therefore the pattern is thin at this step portion. In some cases, wire breakage will occur. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide an electron beam drawing apparatus which is free from the influence of the beam drift by reducing the step difference which occurs in the pattern having a small width extending over the fields.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、フィ−ルド間に跨って存在するクロスパタ−ンを検
索してフィ−ルドの描画順序を再設定するようにする。
さらに、上記クロスパタ−ンの幅を予め定めた基準幅と
比較してその大小関係に基づき、少なくともクロスパタ
−ン幅が上記基準幅より小さい場合に上記フィ−ルドの
描画順序を再設定するようにする。In order to solve the above problem, a cross pattern existing between fields is searched to reset the drawing order of the fields.
Further, the width of the cross pattern is compared with a predetermined reference width, and the drawing order of the fields is reset based on the magnitude relation at least when the width of the cross pattern is smaller than the reference width. To do.
【０００７】さらに具体的には、上記クロスパタ−ンが
当該フィ−ルドの前に描画されるフィ−ルドに跨る場合
にはフィ−ルド内サブフィ−ルドの描画順序を規定する
サブフィ−ルド番地表に前段部デ−タを付加し、上記ク
ロスパタ−ンが当該フィ−ルドの後に描画されるフィ−
ルドに跨る場合には上記サブフィ−ルド番地表に後段部
デ−タを付加した新サブフィ−ルド番地表を作成し、こ
れに基づいて上記フィ−ルドの描画順序を再設定するよ
うにする。さらに、上記前段部デ−タと後段部デ−タ
に、上記クロスパタ−ンが跨るフィ−ルドの境界部のサ
ブフィ−ルド番号列を用いるようにする。また、上記ク
ロスパタ−ンの幅の細いものを優先して描画するように
する。More specifically, when the cross pattern extends over a field drawn in front of the field, a subfield address table that defines the drawing order of subfields in the field. Is added to the front stage data, and the cross pattern is drawn after the field.
In the case of straddling a field, a new subfield address table is created by adding post-stage data to the subfield address table, and the drawing order of the fields is reset based on this. Further, the subfield number sequence at the boundary of the field spanned by the cross pattern is used for the front stage data and the rear stage data. The narrow cross pattern is preferentially drawn.
【０００８】[0008]
【作用】上記フィ−ルドの描画順序の再設定により、ク
ロスパタ−ンが跨るフィ−ルド間の描画順序が繰り上げ
られる。とくに、クロスパタ−ンの幅が基準幅より小さ
い場合に上記描画順序の繰り上げが優先的に行なわれ
る。また、上記繰り上げるべきフィ−ルドは上記新サブ
フィ−ルド番地表内の前段部デ−タと後段部デ−タによ
り指定される。By resetting the drawing order of the fields, the drawing order between the fields straddled by the cross pattern is advanced. In particular, when the width of the cross pattern is smaller than the reference width, the drawing order is moved up preferentially. The field to be advanced is designated by the front stage data and the rear stage data in the new subfield address table.
【０００９】[0009]
【実施例】図２（ａ）において各フィ−ルドの描画順序
が例えば、 〔１，１〕→〔１，２〕→〔１，３〕→ 〔２，３〕→〔２，２〕→〔２，１〕→ 〔３，１〕→〔３，２〕→〔３，３〕 （１） のように決められていたとすると、図４に示したパタ−
ン１４、１５を従来装置により描画する場合には、ま
ず、フィ−ルド〔２，１〕内のパタ−ン１４、１５の部
分を描画してからフィ−ルド〔２，２〕、〔２，３〕、
〔３，３〕、〔３，２〕の描画を経由後にフィ−ルド
〔３，１〕内のパタ−ン１４、１５の残りの部分を描画
することになり、この間のドリフトによる段差ｅが発生
するという問題があった。なお、各フィ−ルド内はサブ
フィ−ルドの描画順序にしたがって描画される。EXAMPLE In FIG. 2A, the drawing order of each field is, for example, [1,1] → [1,2] → [1,3] → [2,3] → [2,2] → If [2,1] → [3,1] → [3,2] → [3,3] (1) is determined, the pattern shown in FIG.
When the patterns 14 and 15 are drawn by the conventional apparatus, first, the parts of the patterns 14 and 15 in the field [2, 1] are drawn, and then the fields [2, 2] and [2 , 3],
After the drawing of [3,3] and [3,2], the remaining parts of the patterns 14 and 15 in the field [3,1] will be drawn. There was a problem that it occurred. It should be noted that each field is drawn according to the drawing order of the subfields.
【００１０】上記段差ｅを抑えるためには、フィ−ルド
間に跨る細いパタ−ンはできるだけ時間をおかずに描画
する必要がある。そこで本発明においては、（１）フィ
−ルド間に跨る細いパタ−ンの存在を予め検索して登録
し、（２）上記細いパタ−ンの存在する両フィ−ルド内
のサブフィ−ルドの描画順序を変更して、この細いパタ
−ンをできるだけ時間をおかずに描画するようにする。
以下、上記（１）と（２）の詳細について逐次説明す
る。In order to suppress the step e, it is necessary to draw a thin pattern extending over the fields in as little time as possible. Therefore, in the present invention, (1) the presence of a thin pattern extending over the fields is searched and registered in advance, and (2) the subfields in both fields in which the thin pattern exists are registered. Change the drawing order so that this thin pattern can be drawn in as little time as possible.
Hereinafter, details of the above (1) and (2) will be sequentially described.
【００１１】図５はフィ−ルド内の描画パタ−ンデ−タ
の一例である。先頭にそのフィ−ルドの番地を格納し、
次いでそのフィ−ルド内のサブフィ−ルド番地表、サブ
フィ−ルド単位の描画パタ−ンデ−タが描画順に格納さ
れる。サブフィ−ルドの描画順序はサブフィ−ルド番地
表順に従い、サブフィ−ルド内の描画順序は上記描画パ
タ−ンデ−タの順序に従う。FIG. 5 shows an example of the drawing pattern data in the field. Store the address of the field at the beginning,
Then, the subfield address table in the field and the drawing pattern data in subfield units are stored in the drawing order. The drawing order of the subfields follows the subfield address table order, and the drawing order within the subfields follows the order of the drawing pattern data.
【００１２】図６は上記各サブフィ−ルド内の描画パタ
−ンデ−タの構造を示す図である。上記描画パタ−ンデ
−タ構造には、描画パタ−ンの図種と、その座標値（Ｘ
0，Ｙ0）と、幅Ｗ、高さＨと、照射量テ−ブル番号等を
格納する。また、電子線の照射量は照射量テ−ブル番号
を用いて照射量テ−ブルを索引して決定する。FIG. 6 is a diagram showing the structure of the drawing pattern data in each of the subfields. In the drawing pattern data structure, the drawing pattern type and its coordinate value (X
0 , Y 0 ), width W, height H, dose table number, etc. are stored. The dose of electron beam is determined by indexing the dose table using the dose table number.
【００１３】また、上記図種欄には図種の他に、図４の
１４、１５に示したように隣接フィ−ルドの境界を越え
て当該サブフィ−ルド内にはみ出しているパタ−ンの幅
ｗｉを分類するインデックスｉｄを設定する。パタ−ン
幅ｗｉを予め定めた基準幅ｗとを比較し、ｗｉがｗより
小さい場合にはインデックスｉｄを１に設定し、大きい
場合には０に設定する。 ｗｉ＞ｗ → ｉｄ＝１ ｗｉ≦ｗ → ｉｄ＝０ （２）In the figure type column, in addition to the type of pattern, as shown in 14 and 15 of FIG. 4, the pattern of the pattern protruding into the subfield beyond the boundary of the adjacent fields is displayed. The index id for classifying the width wi is set. The pattern width wi is compared with a predetermined reference width w, and when wi is smaller than w, the index id is set to 1 and when it is larger than 0, it is set to 0. wi> w → id = 1 wi <w → id = 0 (2)
【００１４】ｉｄ＝１の場合にはパタ−ン幅ｗｉがドリ
フトによってやせたり断線したりする危険があるので、
描画順序を変更して二つの当該サブフィ−ルドの描画間
隔を短縮するようにする。また、ｉｄ＝０の場合には描
画順序の変更は行なわない。図１は上記処理のアルゴリ
ズムを説明するフロ−チャ−トである。When id = 1, there is a risk that the pattern width wi will be thinned or broken due to drift.
The drawing order is changed to shorten the drawing interval between the two relevant subfields. When id = 0, the drawing order is not changed. FIG. 1 is a flowchart for explaining the algorithm of the above processing.
【００１５】図１において、処理１では変換済みの描画
パタ−ンデ−タを磁気ディスク等のメモリから呼出して
フィ−ルド境界に接する全サブフィ−ルドを抽出し、そ
の個数（ｋ）をカウントする。次いで上記個数（ｋ）の
カウンタの値ｉに１をセットし、処理２にてｉ＝１番目
のサブフィ−ルド内の全描画パタ−ンを抽出する。次い
で処理３にて、処理２にて抽出した各描画パタ−ンがフ
ィ−ルド境界線で切断されるか否かを判別し、切断され
る場合にはそのはみ出したパタ−ンの幅ｗｉをセットす
る。In FIG. 1, in process 1, the converted drawing pattern data is called from a memory such as a magnetic disk to extract all subfields in contact with a field boundary and count the number (k). To do. Next, 1 is set to the value i of the above-mentioned number (k) of counters, and in process 2, all the drawing patterns in the i = 1st subfield are extracted. Next, in process 3, it is determined whether or not each drawing pattern extracted in process 2 is cut at the field boundary line. If cut, the width wi of the protruding pattern is determined. set.
【００１６】処理４では上記各パタ−ン幅ｗｉと基準幅
ｗとを比較し、その比較結果により図７のインデックス
ｉｄを式（２）のようにして設定する。上記処理３と同
４をサブフィ−ルドｉ内の全描画パタ−ンについて実施
する。次いでサブフィ−ルド番号ｉが全サブフィ−ルド
数ｋより小さければｉ＝ｉ＋１にして処理２に戻り、同
様の処理を繰り返す。上記ｉがｋに達したならば、処理
５にて得られた結果にもとづいてフィ−ルド内サブフィ
−ルドの並べ替えを行う。In process 4, each pattern width wi is compared with the reference width w, and the index id shown in FIG. 7 is set according to the equation (2) based on the comparison result. The above processings 3 and 4 are executed for all the drawing patterns in the subfield i. Next, if the subfield number i is smaller than the total number k of subfields, i = i + 1 is set and the process returns to the process 2 to repeat the same process. When i reaches k, the subfields within the field are rearranged based on the result obtained in the process 5.
【００１７】図７は上記サブフィ−ルドの並べ替え処理
のアルゴリズムである。まず、処理５．１にてフィ−ル
ド内のサブフィ−ルド番地表を取り出し、図１の処理１
にて求めておいたフィ−ルド境界に接する全サブフィ−
ルドの番地を検索する。次いで処理５．２にて、上記フ
ィ−ルド境界に接する全サブフィ−ルド内の描画パタ−
ンの中でｉｄ＝１のものを描画パタ−ンデ−タの中から
外して別途、登録する。このとき当該サブフィ−ルド番
地も同時に別途、登録しておく。FIG. 7 shows an algorithm of the subfield rearrangement process. First, in process 5.1, the subfield address table in the field is taken out, and process 1 in FIG.
All subfields that touch the field boundaries that we asked for
Search the street address of Ludo. Then, in process 5.2, the drawing patterns in all the subfields that are in contact with the above field boundaries.
Of the patterns, id = 1 is removed from the drawing pattern data and registered separately. At this time, the subfield address is also registered separately at the same time.
【００１８】次いで処理５．３にて、元のサブフィ−ル
ド番地表に前述の別途登録したサブフィ−ルド番地を付
加して新たなサブフィ−ルド番地表を作成する。次いで
処理５．４にて、上記新たに作成したサブフィ−ルド番
地表に対応する描画パタ−ンを格納する。上記処理５．
３と処理５．４により新しいサブフィ−ルド番地表がえ
られる。Then, in process 5.3, the above-mentioned separately registered subfield address is added to the original subfield address table to create a new subfield address table. Next, in process 5.4, the drawing pattern corresponding to the newly created subfield address table is stored. Processing 5.
A new subfield address table is obtained by step 3 and step 5.4.
【００１９】上記新しいサブフィ−ルド番地表では、予
め定められ各フィ−ルド内のサブフィ−ルドを予め定め
られた順序で描画することにし、そのフィ−ルドと隣接
フィ−ルド間に跨ってｉｄ＝１の細いパタ−ンが存在す
る場合には上記サブフィ−ルド番地表の前段または後段
に当該隣接フィ−ルドの存在を示す前段部または後段部
を付加する。また、上記隣接フィ−ルドがそのフィ−ル
ドの前に描画される場合には上記前段部を付加し、後に
描画される場合には上記後段部を付加する。In the above new subfield address table, the subfields within each predetermined field are drawn in a predetermined order, and the ids are extended between the field and the adjacent field. When a thin pattern of = 1 exists, a front part or a rear part indicating the existence of the adjacent field is added to the front part or the rear part of the subfield address table. Further, when the adjacent field is drawn before the field, the front stage part is added, and when it is drawn later, the rear stage part is added.
【００２０】上記前段部と後段部の内容は当該隣接フィ
−ルドが上下左右の何れの側に存在するかを識別できる
ものであればよいから、例えば隣接フィ−ルドの隣接サ
ブフィ−ルド列を記入したり、あるいはそのフィ−ルド
の隣接フィ−ルド側のサブフィ−ルド列を記入するよう
にする。一例として上記フィ−ルド内の予め定められた
サブフィ−ルド描画順序を下記のように定める（図２参
照）。 （１，１）→（１，２）→（１，３）→（１，４）→（１，５）→ （２，５）→（２，４）→（２，３）→（２，２）→（２，１）→ （３，１）→（３，２）→（３，３）→（３，４）→（３，５）→ （４，５）→（４，４）→（４，３）→（４，２）→（４，１）→ （５，１）→（５，２）→（５，３）→（５，４）→（５，５） （３）The contents of the front part and the rear part may be any as long as it can identify which side of the adjacent field is above, below, left or right. Therefore, for example, the adjacent subfield sequence of the adjacent field is Fill in or fill in the subfield sequence on the adjacent field side of the field. As an example, a predetermined subfield drawing order in the above field is defined as follows (see FIG. 2). (1,1) → (1,2) → (1,3) → (1,4) → (1,5) → (2,5) → (2,4) → (2,3) → (2 , 2) → (2,1) → (3,1) → (3,2) → (3,3) → (3,4) → (3,5) → (4,5) → (4,4 ) → (4,3) → (4,2) → (4,1) → (5,1) → (5,2) → (5,3) → (5,4) → (5,5) ( 3)
【００２１】図４の場合は、フィ−ルド〔２，１〕と同
〔３，１〕間にｉｄ＝１の細いパタ−ン１５が存在し、
式（１）に示したように、フィ−ルド〔３，１〕は同
〔２．１〕の後に描画されるので、式（３）の後に式
（４）または式（５）のような後段部が付加される。 （１，５）→（１，４）→（１，３）→（１，２）→（１，１） （４） （５，５）→（５，４）→（５，３）→（５，２）→（５，１） （５） 式（４）はフィ−ルド〔２，１〕のフィ−ルド〔３，
１〕側のサブフィ−ルド列である。また、式（５）はフ
ィ−ルド〔３，１〕のフィ−ルド〔２，１〕側のサブフ
ィ−ルド列である。In the case of FIG. 4, there is a thin pattern 15 with id = 1 between the fields [2,1] and [3,1],
As shown in the equation (1), the field [3, 1] is drawn after the equation [2.1], so that the expression (4) or the equation (5) is given after the expression (3). The latter part is added. (1,5) → (1,4) → (1,3) → (1,2) → (1,1) (4) (5,5) → (5,4) → (5,3) → (5,2) → (5,1) (5) Expression (4) is the field [3,2] of the field [2,1].
1] side subfield sequence. Expression (5) is a subfield sequence on the field [2,1] side of field [3,1].
【００２２】また図８のように、フィ−ルド〔２．１〕
とその上部のフィ−ルド〔２，２〕間にもｉｄ＝１の細
いパタ−ン１６が存在する場合には、前段部として式
（６）または式（７）が付加される。 （１，１）→（２，１）→（３，１）→（４，１）→（５，１） （６） （１，５）→（２，５）→（３，５）→（４，５）→（５，５） （７）Further, as shown in FIG. 8, a field [2.1]
If there is a thin pattern 16 with id = 1 between the field [2, 2] and the field [2, 2] above it, equation (6) or equation (7) is added as the pre-stage portion. (1,1) → (2,1) → (3,1) → (4,1) → (5,1) (6) (1,5) → (2,5) → (3,5) → (4,5) → (5,5) (7)
【００２３】以上より、図７の処理５．３で生成される
図８のフィ−ルド〔２，１〕に対する新しいサブフィ−
ルド番地表は例えば式（６）と式（５）を用いると式
（８）のようになる。 （１，１）→（２，１）→（３，１）→（４，１）→（５，１） （１，１）→（１，２）→（１，３）→（１，４）→（１，５）→ （２，５）→（２，４）→（２，３）→（２，２）→（２，１）→ （３，１）→（３，２）→（３，３）→（３，４）→（３，５）→ （４，５）→（４，４）→（４，３）→（４，２）→（４，１）→ （５，１）→（５，２）→（５，３）→（５，４）→（５，５）→ （５，５）→（５，４）→（５，３）→（５，２）→（５，１） （８）From the above, a new subfield for the field [2,1] of FIG. 8 generated in the processing 5.3 of FIG. 7 is obtained.
For example, if the formula (6) and the formula (5) are used, the address table will be as shown in the formula (8). (1,1) → (2,1) → (3,1) → (4,1) → (5,1) (1,1) → (1,2) → (1,3) → (1, 4) → (1,5) → (2,5) → (2,4) → (2,3) → (2,2) → (2,1) → (3,1) → (3,2) → (3,3) → (3,4) → (3,5) → (4,5) → (4,4) → (4,3) → (4,2) → (4,1) → ( (5,1) → (5,2) → (5,3) → (5,4) → (5,5) → (5,5) → (5,4) → (5,3) → (5 2) → (5, 1) (8)
【００２４】なお、上記の処理は図９に示すようにサブ
フィ−ルド内をパタ−ンが貫通する場合にも同様に適用
することができる。また、隣接フィ−ルド境界部にｉｄ
＝１に該当する複数のクロスパタ−ンが存在する場合に
は、幅の細いクロスパタ−ンを優先的に描画するように
することもできる。この場合には複数のｉｄを設定して
上記幅の大きさを順序づける必要がある。また、とくに
幅の細いクロスパタ−ンが存在する場合には、そのクロ
スパタ−ンが跨るフィ−ルドをとくに優先して描画する
ようにしてもよい。The above processing can be similarly applied to the case where the pattern penetrates the subfield as shown in FIG. Also, id at the border of the adjacent field.
When there are a plurality of cross patterns corresponding to = 1, it is possible to preferentially draw the narrow cross pattern. In this case, it is necessary to set a plurality of ids and order the widths. If a cross pattern having a particularly narrow width is present, the field spanned by the cross pattern may be drawn with particular priority.
【００２５】図１０は上記本発明による処理を実行する
電子線描画装置のブロック図である。描画パタ−ンデ−
タ変換システム１は描画パタ−ンデ−タを作成して描画
パタ−ンデ−タファイル２に格納する。制御用計算機４
７はＣＰＵバス４８を介してデ−タファイル２の描画パ
タ−ンデ−タを図形デ−タ用メモリ４９に送り、描画シ
−ケンス命令に従ってステ−ジ制御系５０、ロ−ダ制御
系５１、真空排気系５２等を制御して描画する。同時に
制御用計算機４７は、ステ−ジ制御系５０、ロ−ダ制御
系５１、真空排気系５２、電源制御系５３等にも各描画
シ−ケンスに応じた制御指令を送る。FIG. 10 is a block diagram of an electron beam drawing apparatus that executes the processing according to the present invention. Drawing pattern
The data conversion system 1 creates drawing pattern data and stores it in the drawing pattern data file 2. Control computer 4
Reference numeral 7 sends the drawing pattern data of the data file 2 to the graphic data memory 49 via the CPU bus 48, and the stage control system 50 and the loader control system 51 according to the drawing sequence command. , The vacuum exhaust system 52 and the like are controlled to perform drawing. At the same time, the control computer 47 also sends a control command corresponding to each drawing sequence to the stage control system 50, the loader control system 51, the vacuum exhaust system 52, the power supply control system 53 and the like.
【００２６】描画パタ−ンデ−タファイル２の描画パタ
−ンデ−タはデ−タ制御系／信号処理系３に信号を送ら
れ、上記した本発明の各処理が施されて、各フィ−ルド
毎の上記新サブフィ−ルド番地表が作成される。制御用
計算機４７は上記新サブフィ−ルド番地表に基づいて各
フィ−ルドの描画順序を決定する。The drawing pattern data of the drawing pattern data file 2 is sent a signal to the data control system / signal processing system 3 and subjected to the above-mentioned respective processes of the present invention to obtain each file. -The above new subfield address table is created for each field. The control computer 47 determines the drawing order of each field based on the new subfield address table.
【００２７】また、本体５内の反射電子センサ５５によ
りステ−ジ５の位置や半導体デバイス、マスク、レティ
クル等の試料に照射される電子線の状態を検知してデ−
タ制御系／信号処理系３に信号を送り描画補正を行な
う。また、反射電子センサ５５によ９り電子線描画装置
の本体５内の電子光学系やステ−ジ５４の移動方向、移
動量、移動時間等によって発生するビ−ムドリフトが検
出される。Further, the backscattered electron sensor 55 in the main body 5 detects the position of the stage 5 and the state of an electron beam applied to a sample such as a semiconductor device, a mask, a reticle, and the like.
A signal is sent to the computer control system / signal processing system 3 to perform drawing correction. The backscattered electron sensor 55 detects the beam drift caused by the moving direction, moving amount, moving time, etc. of the electron optical system and the stage 54 in the main body 5 of the electron beam drawing apparatus.
【００２８】[0028]
【発明の効果】本発明によりクロスパタ−ンが跨るフィ
−ルド間の描画順序が繰り上げられ、とくに細い幅のク
ロスパタ−ンの描画順序が優先的に繰り上げられるの
で、ビ−ムドリフトにより上記クロスパタ−ンがフィ−
ルド境界にてやせたり、断線したりすることを防止する
ことができ、フィ−ルド接続精度を向上した電子線描画
装置を提供することができる。According to the present invention, the drawing order between the fields which the cross patterns straddle is moved forward, and the drawing order of the cross patterns having a particularly narrow width is preferentially moved up. Is
It is possible to prevent thinning and disconnection at the field boundary, and it is possible to provide an electron beam drawing apparatus with improved field connection accuracy.
【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]
【図１】本発明による描画デ−タ処理のフロ−チャ−ト
である。FIG. 1 is a flowchart of a drawing data process according to the present invention.
【図２】ウエハ上のフィ−ルドとサブフィ−ルドの配列
図である。FIG. 2 is an array diagram of fields and subfields on a wafer.
【図３】ビ−ムドリフト量の時間変化例を示す図であ
る。FIG. 3 is a diagram showing an example of a temporal change in a beam drift amount.
【図４】フィ−ルド間に跨るクロスパタ−ンの描画例で
ある。FIG. 4 is an example of drawing a cross pattern extending over fields.
【図５】本発明によるフィ−ルド内の描画デ−タファイ
ルである。FIG. 5 is a drawing data file in a field according to the present invention.
【図６】本発明によるサブフィ−ルド内の描画デ−タフ
ァイルである。FIG. 6 is a drawing data file in a subfield according to the present invention.
【図７】本発明による新サブフィ−ルド番地表の作成過
程を示すフロ−チャ−トである。FIG. 7 is a flowchart showing a process of creating a new subfield address table according to the present invention.
【図８】フィ−ルド間に跨るクロスパタ−ンの描画例で
ある。FIG. 8 is an example of drawing a cross pattern extending over fields.
【図９】フィ−ルド間に跨るクロスパタ−ンの描画例で
ある。FIG. 9 is an example of drawing a cross pattern extending over fields.
【図１０】本発明による電子線描画装置のブロック図で
ある。FIG. 10 is a block diagram of an electron beam drawing apparatus according to the present invention.
１…描画パタ−ンデ−タ変換システム、２…描画パタ−
ンデ−タファイル、３…描画デ−タ制御系／信号処理
系、４…ビ−ムドリフト補正処理系、５…本体、１４…
太いパタ−ン、１５、１６、１７…細いパタ−ン、４７
…制御用計算機、４８…ＣＰＵバス、４９…図形デ−タ
用メモリ、５０…ステ−ジ制御系、５１…ロ−ダ制御
系、５２…真空排気系、５３…電源制御系、５４…ステ
−ジ、５５…反射電子センサ。1 ... Drawing pattern data conversion system, 2 ... Drawing pattern
Data file, 3 ... Drawing data control system / signal processing system, 4 ... Beam drift correction processing system, 5 ... Main body, 14 ...
Thick patterns, 15, 16, 17 ... Thin patterns, 47
... control computer, 48 ... CPU bus, 49 ... graphic data memory, 50 ... stage control system, 51 ... loader control system, 52 ... vacuum exhaust system, 53 ... power supply control system, 54 ... -Di, 55 ... Reflective electronic sensor.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河野 利彦 東京都小平市上水本町五丁目20番１号 株 式会社日立製作所半導体設計開発センタ内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Toshihiko Kono 5-20-1 Kamimizumoto-cho, Kodaira-shi, Tokyo Inside the semiconductor design and development center, Hitachi, Ltd.
Claims (6)
ィ−ルドに分割し、さらに各フィ−ルド内を複数のサブ
フィ−ルドに分割して、上記フィ−ルドの描画順序に従
って当該フィ−ルド内のサブフィ−ルドを順次描画する
電子線描画装置において、上記フィ−ルド間に跨って存
在する描画パタ−ン（クロスパタ−ン）を検索する手段
と、上記クロスパタ−ンの検索結果に基づいて上記フィ
−ルドの描画順序を再設定する手段を備えたことを特徴
とする電子線描画装置。1. A drawing sample surface of a semiconductor wafer or the like is divided into a plurality of fields, and each field is further divided into a plurality of subfields, and the fields are drawn according to the drawing order of the fields. In an electron beam drawing apparatus for sequentially drawing subfields in a field, a means for searching a drawing pattern (cross pattern) existing over the fields and a search result of the cross pattern are used. An electron beam drawing apparatus comprising means for resetting the drawing order of the fields.
の幅を予め定めた基準幅と比較してその大小関係を記憶
する手段を備え、上記大小関係に基づいて上記フィ−ル
ドの描画順序を再設定するようにしたことを特徴とする
電子線描画装置。2. The method according to claim 1, further comprising means for comparing the width of the cross pattern with a predetermined reference width and storing the size relationship, and the drawing order of the fields is based on the size relationship. An electron beam drawing apparatus characterized by being reset.
フィ−ルドを順次描画上記クロスパタ−ン幅が予め定め
た基準幅より小さい場合に、上記フィ−ルドの描画順序
を再設定するようにしたことを特徴とする電子線描画装
置。3. A subfield within a field is sequentially drawn according to claim 2, wherein when the cross pattern width is smaller than a predetermined reference width, the drawing order of the field is reset. An electron beam drawing apparatus characterized in that
フィ−ルド内サブフィ−ルドの描画順序を規定するサブ
フィ−ルド番地表を備え、上記クロスパタ−ンが当該フ
ィ−ルドの前に描画されるフィ−ルドに跨る場合には上
記サブフィ−ルド番地表に前段部デ−タを付加し、上記
クロスパタ−ンが当該フィ−ルドの後に描画されるフィ
−ルドに跨る場合には上記サブフィ−ルド番地表に後段
部デ−タを付加する手段を備え、上記前段部デ−タと後
段部デ−タを付加た新サブフィ−ルド番地表に基づいて
上記フィ−ルドの描画順序を再設定するようにしたこと
を特徴とする電子線描画装置。4. The method according to any one of claims 1 to 3,
The subfield address table that defines the drawing order of the subfields in the field is provided, and when the cross pattern extends over the field drawn in front of the field, the subfield address table is provided. Means for adding rear stage data to the subfield address table when the cross pattern extends over the field drawn after the field. An electron beam drawing apparatus characterized in that the drawing order of the fields is reset based on a new subfield address table to which the preceding stage data and the latter stage data are added.
後段部デ−タを、上記クロスパタ−ンが跨るフィ−ルド
の境界部のサブフィ−ルド番号列としたことを特徴とす
る電子線描画装置。5. The electronic device according to claim 4, wherein the front stage data and the rear stage data are subfield number strings at a boundary portion of a field spanned by the cross pattern. Line drawing device.
上記クロスパタ−ンの幅の細いものを優先して描画する
ようにしたことを特徴とする電子線描画装置。6. The method according to any one of claims 1 to 5,
An electron beam drawing apparatus characterized in that the cross pattern having a narrow width is preferentially drawn.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP04100871A JP3133139B2 (en) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | Electron beam drawing equipment |
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP04100871A JP3133139B2 (en) | 1992-04-21 | 1992-04-21 | Electron beam drawing equipment |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05299327A true JPH05299327A (en) | 1993-11-12 |
| JP3133139B2 JP3133139B2 (en) | 2001-02-05 |
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ID=14285383
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3133139B2 (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6066854A (en) * | 1997-08-22 | 2000-05-23 | Nec Corporation | Method of writing cross pattern in adjacent areas of layer sensitive to charged particle beam for improving stitching accuracy without sacrifice of throughput |
| US11901156B2 (en) | 2021-09-14 | 2024-02-13 | Nuflare Technology, Inc. | Multi-charged-particle-beam writing apparatus and multi-charged-particle-beam writing method |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102016103983B4 (en) | 2016-03-04 | 2019-03-14 | Stefan Konrad | brush cap |
-
1992
- 1992-04-21 JP JP04100871A patent/JP3133139B2/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
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| JP3133139B2 (en) | 2001-02-05 |
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