JPH0528766Y2 - - Google Patents
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- JPH0528766Y2 JPH0528766Y2 JP1988112708U JP11270888U JPH0528766Y2 JP H0528766 Y2 JPH0528766 Y2 JP H0528766Y2 JP 1988112708 U JP1988112708 U JP 1988112708U JP 11270888 U JP11270888 U JP 11270888U JP H0528766 Y2 JPH0528766 Y2 JP H0528766Y2
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- bonding
- polishing
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Landscapes
- Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本考案は、フイルムキヤリアのインナーリード
と半導体チツプの電極とを熱圧着するボンデイン
グ装置の改良に関するものである。[Detailed Description of the Invention] [Industrial Application Field] The present invention relates to an improvement of a bonding device for thermocompression bonding the inner leads of a film carrier and the electrodes of a semiconductor chip.
［従来の技術］
フイルムキヤリアのインナーリードと半導体チ
ツプの電極とを熱圧着することは従来、広く実施
されており、その為の装置（ボンデイング装置）
も各種型式のものが実用に供されている。[Prior art] Thermocompression bonding of the inner leads of a film carrier and the electrodes of a semiconductor chip has been widely practiced in the past, and there is a device (bonding device) for this purpose.
Various types are also in practical use.
しかし、この装置は、例えば、特開昭62−
296433号公報等において開示されているように、
ボンデイングヘツドを下方のボンデイングステー
ジに向つて移動させ、フイルムキヤリアのインナ
ーリードと半導体チツプの電極とを熱圧着するも
のであるから、かかる圧着を行う毎に、ボンデイ
ングヘツドの加圧面にSn等の融着用合金が付着
し、次々と熱圧着を行う間に、次第に融着用合金
の付着が堆積されて熱伝導が悪くなると共に、ボ
ンデイング部の均一加圧が困難になるという欠点
があつた。 However, this device, for example,
As disclosed in Publication No. 296433, etc.
Since the bonding head is moved downward toward the bonding stage and the inner leads of the film carrier and the electrodes of the semiconductor chip are bonded by thermocompression, each time such crimping is performed, a molten metal such as Sn is applied to the pressurizing surface of the bonding head. While the welding alloy is adhered and thermocompression bonding is performed one after another, the adhesion of the welding alloy gradually accumulates, resulting in poor heat conduction and difficulty in applying uniform pressure to the bonding area.
そこで、ボンデイングヘツドの加圧面を研磨
し、付着した融着用合金を除去することが行われ
ていたが、その手段として例えば、特開昭56−
153743号公報において開示されているように、ボ
ンデイングヘツドの待機位置、すなわち、熱圧着
に際してボンデイングヘツドを下方のボンデイン
グステージに向つて移動させる位置（ボンデイン
グ位置）と異なる位置に、駆動回転し得るように
砥石を設置し、ボンデイング位置から待機位置に
移動されたボンデイングヘツドを降下させて駆動
回転されている砥石に当接させて研磨するものが
公知であつた。 Therefore, the pressurizing surface of the bonding head was polished to remove the adhered fusion alloy.
As disclosed in Japanese Patent No. 153743, the bonding head can be driven and rotated to a standby position, that is, a position different from the position where the bonding head is moved toward the bonding stage below during thermocompression bonding (bonding position). It is known that a grindstone is installed, and the bonding head, which has been moved from the bonding position to the standby position, is lowered and brought into contact with the driven and rotated grindstone to perform polishing.
［考案が解決しようとする課題］
しかし、かかる砥石が、待機位置に移動された
ボンデイングヘツドの下方に接近されて装着され
ているので、砥石が過度に摩耗したり、あるいは
破損したりした場合等において、その交換作業が
煩わしいと共に、研磨に際し、駆動回転されてい
る砥石の上面に対してボンデイングヘツドの加圧
面を当接させるから、砥石の回転中心側と外径側
とに速度差が生じ、これに起因して研磨斑が発生
してしまうという欠点を有していた。[Problems to be solved by the invention] However, since the grinding wheel is mounted close to the bottom of the bonding head that has been moved to the standby position, the grinding wheel may become excessively worn or damaged. In addition, the replacement work is troublesome, and because the pressure surface of the bonding head is brought into contact with the upper surface of the whetstone that is being driven and rotated during polishing, a speed difference occurs between the center of rotation and the outer diameter side of the whetstone. This has resulted in the drawback that polishing spots occur.
本考案は、このようなことに着目し、これを解
決すべく鋭意検討の結果、ボンデイングヘツドの
加圧面を研磨する研磨手段を、平形砥石及び駆動
回転し得る円形砥石を備え、しかも、両砥石を退
避位置から研磨位置へ移動させると共にそこで微
小往復動させ得るように装着すればよいことを見
出したのである。 The present invention has focused on the above-mentioned problems, and as a result of intensive studies to solve this problem, the polishing means for polishing the pressure surface of the bonding head is equipped with a flat grindstone and a circular grindstone that can be driven and rotated. They discovered that it is sufficient to move the tool from the retracted position to the polishing position and to attach it so that it can be moved slightly back and forth there.
［課題を解決するための手段］
すなわち、本考案に係るボンデイング装置は、
待機位置からボンデイング位置へ移動されたボン
デイングヘツドを下方のボンデイングステージに
向つて移動させ、フイルムキヤリアのインナーリ
ードと半導体チツプの電極とを熱圧着するボンデ
イング装置において、前記待機位置へ移動されて
いる前記ボンデイングヘツドの加圧面を研磨する
研磨手段を装着し、かつ前記研磨手段を、一方向
に延設されたガイドに摺動し得るように係合され
た移動体と、前記移動体に装着された平形砥石
と、前記移動体に駆動回転し得るように装着され
た円形砥石と、前記両砥石を退避位置から研磨位
置へ移動させると共にそこで微小往復動させるよ
うに前記移動体を移動制御する駆動機構とで構成
したことを特徴とするものである。[Means for solving the problem] That is, the bonding device according to the present invention has the following features:
In the bonding apparatus, the bonding head, which has been moved from the standby position to the bonding position, is moved toward the bonding stage below, and the inner leads of the film carrier and the electrodes of the semiconductor chip are bonded by thermocompression. a movable body equipped with a polishing means for polishing the pressurizing surface of the bonding head, and the polishing means is slidably engaged with a guide extending in one direction; a flat grindstone, a circular grindstone mounted on the movable body so that it can be driven and rotated, and a drive mechanism that controls the movement of the movable body so that both of the whetstones are moved from a retracted position to a polishing position and are slightly reciprocated there. It is characterized by consisting of the following.
［実施例］
以下、本考案に係る一実施例について述べる
と、図面において、機台１上に、移動テーブル２
と、研磨手段１０と、ボンデイングステージ１７
とが装着されているが、かかるテーブル２は、パ
ルスモータ５を介してＸ−Ｘ方向へ移動し得るよ
うに装着されている第１摺動体３と、パルスモー
タ６を介してＹ−Ｙ方向へ摺動し得るように装着
されている第２摺動体４とで構成され、これらを
所定に移動制御することにより、ボンデイングヘ
ツド９を、待機位置からボンデイング位置に移動
させることができると共にボンデイング位置から
待機位置へ移動させることができる。[Embodiment] Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described. In the drawing, a moving table 2 is mounted on a machine 1.
, polishing means 10 , and bonding stage 17
The table 2 is equipped with a first sliding member 3 which is mounted so as to be movable in the X-X direction via a pulse motor 5, and a first sliding member 3 which is mounted so as to be movable in the X-X direction via a pulse motor 6. By controlling the movement of these members in a predetermined manner, the bonding head 9 can be moved from the standby position to the bonding position. It can be moved from to the standby position.
なお、ボンデイング位置とは、熱圧着に際して
ボンデイングヘツド９が下方のボンデイングステ
ージ１７に向つて移動を開始する位置を、また、
待機位置とは、ボンデイングヘツド９がボンデイ
ング位置から図において右側へ移動された位置を
いうが、かかるヘツド９は、ヒータを内蔵してお
り、このヒータで加圧面９ａを所定温度に加熱制
御し得るように構成されていると共に第２摺動体
４上に固着されている枠体７に、昇降機構８を介
して垂直方向に上下動し得るように装着されてい
る。 Note that the bonding position refers to the position where the bonding head 9 starts moving toward the bonding stage 17 below during thermocompression bonding.
The standby position refers to a position where the bonding head 9 is moved from the bonding position to the right side in the figure, and the head 9 has a built-in heater that can control the heating of the pressurizing surface 9a to a predetermined temperature. It is attached to a frame 7 which is configured as shown in FIG.
一方、ボンデイングヘツド９の加圧面９ａに付
着した融着用合金を研磨する研磨手段１０は、図
示の如く、移動テーブル２とボンデイングステー
ジ１７間に位置して配置されているが、この手段
１０は、機台１に固着されている帯板状のガイド
１１と、一方向に延設されたガイド１１に摺動し
得るように係合された移動体１２と、この移動体
１２の上面に所定間隔に着脱し得るように装着さ
れた一対の平形砥石１４と、移動体１２の側面に
固着された適当なブラケツトを介して回転し得る
ように装着された円形砥石１５と、両砥石１４，
１５を退避位置から研磨位置へ移動させ、かつそ
こで微小往復動させるように移動体１２を移動制
御する駆動機構とで構成されている。 On the other hand, a polishing means 10 for polishing the fusion alloy adhering to the pressure surface 9a of the bonding head 9 is disposed between the movable table 2 and the bonding stage 17 as shown in the figure. A band-like guide 11 fixed to the machine base 1, a movable body 12 slidably engaged with the guide 11 extending in one direction, and a movable body 12 arranged at a predetermined interval on the upper surface of the movable body 12. A pair of flat whetstones 14 that are detachably attached to the movable body 12, a circular whetstone 15 that is rotatably attached to the side surface of the movable body 12, and both whetstones 14,
15 from the retracted position to the polishing position, and a drive mechanism that controls the movement of the moving body 12 so as to move the movable body 15 from the retracted position to the polishing position, and to make a minute reciprocating motion there.
なお、研磨位置とは、待機位置に移動されてい
るボンデイングヘツド９の下方位置を、また、退
避位置とは、研磨位置から図においてＹ−Ｙ方向
へ遠ざけられた位置をいうが、円形砥石１５は、
モータ１６で駆動回転され得るように装着されて
いると共に、移動体１２を移動制御する駆動機構
は、シリンダー１３等で構成されている。この駆
動機構は、他の例えば、パルスモータと螺子機
構、あるいはパルスモータとクランク機構等で構
成してもよい。 Note that the polishing position refers to the position below the bonding head 9 that has been moved to the standby position, and the retracted position refers to a position farther away from the polishing position in the Y-Y direction in the figure. teeth,
A drive mechanism that is mounted so as to be driven and rotated by a motor 16 and controls the movement of the moving body 12 is composed of a cylinder 13 and the like. This drive mechanism may be composed of other components, such as a pulse motor and a screw mechanism, or a pulse motor and a crank mechanism.
而して、図示されていないが、ボンデイング位
置に配設されているボンデイングステージ１７の
僅かに上方であつて、このステージ１７をＹ−Ｙ
方向に横断するように、回路パターンを形成した
合成樹脂テープ体であるフイルムキヤリアが一
方々向に間歇的に移送され、そして、ボンデイン
グステージ１７の中央部に載置されている半導体
チツプ（図示されていない）に対してフイルムキ
ヤリアが所定に位置決めされると、待機位置から
ボンデイング位置へボンデイングヘツド９が移動
し、続いて、ボンデイングヘツド９が降下して、
かかるテープのインナーリードを半導体チツプの
電極に押し付けて熱圧着する。 Although not shown, the stage 17 is located slightly above the bonding stage 17 disposed at the bonding position, and this stage 17 is moved from Y to Y.
A film carrier, which is a synthetic resin tape with a circuit pattern formed thereon, is intermittently transferred in one direction so as to cross the direction of the bonding stage 17. When the film carrier is positioned in a predetermined position relative to the bonding position (not shown), the bonding head 9 is moved from the standby position to the bonding position, and then the bonding head 9 is lowered.
The inner leads of the tape are pressed against the electrodes of the semiconductor chip and bonded under heat.
以下、熱圧着を終えると、ボンデイングヘツド
９が上昇すると共にフイルムキヤリアの間歇移送
が行われ、引き続いて、同工程を経て次々と熱圧
着することができる。なお、ボンデイングステー
ジ１７の中央部への半導体チツプの供給は、ボン
デイングステージ１７が図において左側へ移動さ
れた状態で行われる。すなわち、熱圧着を終える
と、ボンデイングステージ１７が、少し下方へ移
動されると共に図において左側へ移動され、半導
体チツプを載置する箇所がフイルムキヤリアの下
方に位置されない状態にされ、次いで、図示され
ていない適当なチツプ供給装置を介して中央部へ
の半導体チツプの供給が行われる。そして、この
ようにして半導体チツプが載置されたボンデイン
グステージ１７は元の位置（熱圧着するに適した
位置）にリターンされる。 Thereafter, when the thermocompression bonding is completed, the bonding head 9 is raised and the film carriers are transferred intermittently, and subsequently, thermocompression bonding can be carried out one after another through the same process. The semiconductor chips are supplied to the center of the bonding stage 17 with the bonding stage 17 moved to the left in the figure. That is, when the thermocompression bonding is finished, the bonding stage 17 is moved slightly downward and to the left in the figure, so that the place where the semiconductor chip is placed is not located below the film carrier, and then Semiconductor chips are supplied to the center via a suitable chip supply device which does not have a chip supply system. The bonding stage 17 on which the semiconductor chip is thus placed is returned to its original position (a position suitable for thermocompression bonding).
また、必要に応じて、ボンデイングヘツド９の
加圧面９ａの研磨が行われる。これは、ボンデイ
ングヘツド９が、ボンデイング位置から待機位置
へ移動されて行われる。 Further, the pressurizing surface 9a of the bonding head 9 is polished as required. This is done by moving the bonding head 9 from the bonding position to the standby position.
すなわち、ボンデイングヘツド９が待機位置へ
移動されると、研磨手段１０のシリンダー１３が
作動し、ピストンロツドが突出されて移動体１２
と一緒に、平形砥石１４及び円形砥石１５が研磨
位置に移動される。 That is, when the bonding head 9 is moved to the standby position, the cylinder 13 of the polishing means 10 is activated, the piston rod is projected, and the movable body 12
At the same time, the flat grindstone 14 and the circular grindstone 15 are moved to the polishing position.
その際、平形砥石１４で研磨する場合には、先
頭の平形砥石１４が、待機位置へ移動されている
ボンデイングヘツド９の加圧面９ａの下方に位置
され、続いて、シリンダー１３により移動体１２
が微小往復動される。 At this time, when polishing is performed using the flat grindstone 14, the leading flat grindstone 14 is positioned below the pressure surface 9a of the bonding head 9 that has been moved to the standby position, and then the cylinder 13
is subjected to minute reciprocating motion.
なお、先頭の平形砥石１４が過度に摩耗した
り、あるいは破損したりした場合等においては、
他の平形砥石１４で研磨するが、この場合におい
ては、かかる平形砥石１４が、待機位置へ移動さ
れているボンデイングヘツド９の加圧面９ａの下
方に位置される。 In addition, if the leading flat grindstone 14 is excessively worn or damaged,
Grinding is performed using another flat grindstone 14, but in this case, this flat grindstone 14 is positioned below the pressure surface 9a of the bonding head 9 which has been moved to the standby position.
一方、円形砥石１５で研磨する場合には、この
砥石１５が、待機位置へ移動されているボンデイ
ングヘツド９の加圧面９ａの下方に位置され、続
いて、シリンダー１３により移動体１２が微小往
復動される。その際、ボンデイングヘツド９が、
平形砥石１４で研磨する場合の待機位置より図に
おいて少し左側へ移動されると共にモータ１６に
より円形砥石１５が駆動回転される。 On the other hand, when polishing with the circular grindstone 15, the grindstone 15 is positioned below the pressure surface 9a of the bonding head 9 which has been moved to the standby position, and then the cylinder 13 moves the movable body 12 in a minute reciprocating motion. be done. At that time, the bonding head 9
The circular grindstone 15 is moved slightly to the left in the figure from the standby position when polishing with the flat grindstone 14, and the circular grindstone 15 is driven and rotated by the motor 16.
このようにして、待機位置のボンデイングヘツ
ド９に対する平形砥石１４若しくは円形砥石１５
の位置決めが行われると、続いて、ボンデイング
ヘツド９が降下されて、その加圧面９ａが平形砥
石１４若しくは円形砥石１５に当接され、従つ
て、加圧面９ａに付着した融着用合金を研磨除去
することができる。なお、平形砥石１４による研
磨及び円形砥石１５による研磨の夫々一つのみな
らず、必要に応じて、両研磨を交互に行う等、各
種態様に研磨することができる。 In this way, the flat grindstone 14 or the circular grindstone 15 is attached to the bonding head 9 in the standby position.
Once the bonding head 9 is positioned, the bonding head 9 is lowered and its pressurizing surface 9a is brought into contact with the flat grindstone 14 or the circular grindstone 15, thereby polishing off the fusion alloy adhering to the pressurizing surface 9a. can do. Incidentally, the polishing can be performed in various manners, such as not only one polishing using the flat grindstone 14 and one polishing using the circular grindstone 15, but also alternately performing both polishing as needed.
よつて、本研磨手段１０によると、付着合金を
有効に除去することができ、特に、円形砥石１５
を駆動回転、かつ微小往復動させて研磨し得るよ
うに装着しているので、ボンデイングヘツド９の
加圧面９ａの平面度を高精度に再生するように強
固な付着合金を有効に除去することができる。ま
た、両砥石１４，１５を、研磨位置から図におい
てＹ−Ｙ方向へ遠ざけられた位置、すなわち、作
業の邪魔になる物が存在しない退避位置へ移動さ
せることができるから、両砥石１４，１５の両方
に過度に摩耗したり、あるいは破損したりした場
合等において、両砥石を同時に、かつ容易に交換
することができる。更に、同一方向において、両
砥石１４，１５の微小往復動と、退避位置と研磨
位置間の往復動との両方をなし得るから、装置構
成を単純化し得て装置コストの低減化を図ること
ができる。 Therefore, according to the present polishing means 10, the adhering alloy can be effectively removed, and in particular, the circular grinding wheel 15
Since the bonding head 9 is mounted in such a manner that it can be polished by driving rotation and minute reciprocating motion, it is possible to effectively remove the strong adhering alloy so as to reproduce the flatness of the pressurizing surface 9a of the bonding head 9 with high precision. can. Furthermore, since both the grinding wheels 14 and 15 can be moved to a position farther away from the polishing position in the Y-Y direction in the figure, that is, to a retracted position where there are no objects that will get in the way of the work, both the grinding wheels 14 and 15 If both grinding wheels become excessively worn or damaged, both grinding wheels can be easily replaced at the same time. Furthermore, since both the grindstones 14 and 15 can perform both minute reciprocating motion and reciprocating motion between the retracted position and the polishing position in the same direction, the device configuration can be simplified and the device cost can be reduced. can.
以下、かかる付着合金の研磨除去を終えると、
ボンデイングヘツド９が上昇されて次の熱圧着に
そなえる。そして、ボンデイングステージ１７に
載置されている半導体チツプに対するフイルムキ
ヤリア（回路パターンを形成した合成樹脂テープ
体）の位置決めが行われると、ボンデイングヘツ
ド９が待機位置からボンデイング位置へ移動さ
れ、上述と同様に熱圧着を行う。 After polishing and removing the adhering alloy,
The bonding head 9 is raised to prepare for the next thermocompression bonding. Then, when the film carrier (synthetic resin tape with a circuit pattern formed thereon) is positioned with respect to the semiconductor chip placed on the bonding stage 17, the bonding head 9 is moved from the standby position to the bonding position, and as described above. Perform thermocompression bonding.
なお、本考案においては、研磨手段１０による
ボンデイングヘツド９の加圧面９ａの研磨は、溶
融用金属の付着量を適当な手段で検知してそれに
基いて行うようにしてもよい。また、かかる研磨
に際し、ボンデイングヘツド９の加圧面９ａの高
さ位置は、必要に応じて研磨に適した高さに調整
される。 In the present invention, the polishing of the pressurizing surface 9a of the bonding head 9 by the polishing means 10 may be performed based on the amount of deposited metal detected by an appropriate means. Further, during such polishing, the height position of the pressurizing surface 9a of the bonding head 9 is adjusted to a height suitable for polishing as necessary.
［考案の効果］
以上述べたように、本考案によると、待機位置
からボンデイング位置へ移動されたボンデイング
ヘツドを下方のボンデイングステージに向つて移
動させ、フイルムキヤリアのインナーリードと半
導体チツプの電極とを熱圧着するボンデイング装
置に関し、ボンデイングヘツドの加圧面の付着合
金を有効に除去することができ、特に、円形砥石
を駆動回転、かつ微小往復動させて研磨し得るよ
うに装着しているので、ボンデイングヘツドの加
圧面の平面度を高精度に再生するように強固な付
着合金を有効に除去することができ、しかも、平
形砥石及び円形砥石を、研磨位置から作業の邪魔
になる物が存在しない退避位置へ移動させること
ができるから、両砥石のどちらか一方又は両方が
過度に摩耗したり、あるいは破損したりした場合
等において、その交換作業を容易に行うことがで
きるボンデイング装置を得ることができる。更
に、同一方向において、両砥石の微小往復動と、
退避位置と研磨位置間の往復動との両方をなし得
るから、装置構成を単純化し得て装置コストの低
減化を図ることができる。[Effects of the invention] As described above, according to the invention, the bonding head that has been moved from the standby position to the bonding position is moved toward the bonding stage below, and the inner leads of the film carrier and the electrodes of the semiconductor chip are connected. Regarding the bonding device that performs thermocompression bonding, it is possible to effectively remove the adhering alloy on the pressurizing surface of the bonding head, and in particular, the circular grindstone is installed so that it can be polished by driving rotation and minute reciprocating motion, so that the bonding It is possible to effectively remove strong adhering alloys so as to restore the flatness of the pressurized surface of the head with high precision.Furthermore, the flat grindstone and circular grindstone can be moved away from the polishing position without any obstacles that may interfere with the work. Since the bonding device can be moved to a different position, it is possible to obtain a bonding device that can be easily replaced in the event that one or both of the grinding wheels becomes excessively worn or damaged. . Furthermore, in the same direction, the minute reciprocating motion of both grinding wheels,
Since both the reciprocating movement between the retracted position and the polishing position can be performed, the apparatus configuration can be simplified and the apparatus cost can be reduced.
図は本考案に係るボンデイング装置の一実施例
を示す斜視図である。
１……機台、２……移動テーブル、３……第１
摺動体、４……第２摺動体、５……パルスモー
タ、６……パルスモータ、７……枠体、８……昇
降機構、９……ボンデイングヘツド、１０……研
磨手段、１１……ガイド、１２……移動体、１３
……シリンダー、１４……平形砥石、１５……円
形砥石、１６……モータ、１７……ボンデイング
ステージ。
The figure is a perspective view showing an embodiment of the bonding device according to the present invention. 1... Machine base, 2... Moving table, 3... First
Sliding body, 4... Second sliding body, 5... Pulse motor, 6... Pulse motor, 7... Frame, 8... Lifting mechanism, 9... Bonding head, 10... Polishing means, 11... Guide, 12...Moving object, 13
... cylinder, 14 ... flat grindstone, 15 ... circular grindstone, 16 ... motor, 17 ... bonding stage.
Claims (1)
ンデイングヘツドを下方のボンデイングステージ
に向つて移動させ、フイルムキヤリアのインナー
リードと半導体チツプの電極とを熱圧着するボン
デイング装置において、前記待機位置へ移動され
ている前記ボンデイングヘツドの加圧面を研磨す
る研磨手段を装着し、かつ前記研磨手段を、一方
向に延設されたガイドに摺動し得るように係合さ
れた移動体と、前記移動体に装着された平形砥石
と、前記移動体に駆動回転し得るように装着され
た円形砥石と、前記両砥石を退避位置から研磨位
置へ移動させると共にそこで微小往復動させるよ
うに前記移動体を移動制御する駆動機構とで構成
したことを特徴とするボンデイング装置。 In the bonding apparatus, the bonding head, which has been moved from the standby position to the bonding position, is moved toward the bonding stage below, and the inner leads of the film carrier and the electrodes of the semiconductor chip are bonded by thermocompression. a movable body equipped with a polishing means for polishing the pressurizing surface of the bonding head, and the polishing means is slidably engaged with a guide extending in one direction; a flat grindstone, a circular grindstone mounted on the movable body so that it can be driven and rotated, and a drive mechanism that controls the movement of the movable body so that both of the whetstones are moved from a retracted position to a polishing position and are slightly reciprocated there. A bonding device characterized by comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988112708U JPH0528766Y2 (en) | 1988-08-26 | 1988-08-26 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1988112708U JPH0528766Y2 (en) | 1988-08-26 | 1988-08-26 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0233436U JPH0233436U (en) | 1990-03-02 |
| JPH0528766Y2 true JPH0528766Y2 (en) | 1993-07-23 |
Family
ID=31351892
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1988112708U Expired - Lifetime JPH0528766Y2 (en) | 1988-08-26 | 1988-08-26 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0528766Y2 (en) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60246643A (en) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Shinkawa Ltd | Tape bonder |
-
1988
- 1988-08-26 JP JP1988112708U patent/JPH0528766Y2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60246643A (en) * | 1984-05-22 | 1985-12-06 | Shinkawa Ltd | Tape bonder |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0233436U (en) | 1990-03-02 |
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