JPH05279007A - Production of silicon carbide powder - Google Patents
Production of silicon carbide powderInfo
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- JPH05279007A JPH05279007A JP4076736A JP7673692A JPH05279007A JP H05279007 A JPH05279007 A JP H05279007A JP 4076736 A JP4076736 A JP 4076736A JP 7673692 A JP7673692 A JP 7673692A JP H05279007 A JPH05279007 A JP H05279007A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、機械部品や電子部品製
造のための焼結用原料や、研磨、研削材料などとして有
用な、焼結性の優れた微細な炭化ケイ素粉末の製造に関
する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to the production of fine silicon carbide powder having excellent sinterability, which is useful as a raw material for sintering for producing mechanical parts and electronic parts, and as a polishing and grinding material.
【0002】[0002]
【従来の技術】炭化ケイ素粉末の製造方法としては、以
下の方法などが知られている。 (1)シリカと炭素の還元炭化法 (2)金属シリコンと炭素の直接反応法 (3)有機ケイ素化合物の熱分解法 (4)気相反応法The following methods are known as methods for producing silicon carbide powder. (1) Reductive carbonization method of silica and carbon (2) Direct reaction method of metallic silicon and carbon (3) Thermal decomposition method of organosilicon compound (4) Gas phase reaction method
【0003】(1)のシリカと炭素の還元炭化法(矢島
一治男ら、「シリカ還元法による高純度ベーターSiC
粉末の合成と焼結性」、炭化ケイ素セラミックス、宗宮
重行ら編、内田老鶴圃、1988.、特公昭55-42927号な
ど)は、炭化ケイ素の工業的製法として古くから行われ
ており、比較的簡単な製法であるが、生成した炭化ケイ
素が粗大なものであるため、これを焼結用原料として用
いる場合、粉砕や、分級に多大な労力を要し、得られた
粉末も焼結用原料として必ずしも適したものではない。(1) Method for reducing carbonization of silica and carbon (Kazuo Yajima et al., "High-purity beta SiC by silica reduction method"
Powder Synthesis and Sinterability ", Silicon Carbide Ceramics, edited by Shigeyuki Soumiya et al., Uchida Lao Tsuruga, 1988. Although it is a relatively simple manufacturing method, the silicon carbide produced is coarse, so when using this as a raw material for sintering, a great deal of labor is required for crushing and classification, and the obtained powder is also sintered. It is not always suitable as a raw material.
【0004】(2)の金属シリコンと炭素の直接反応法
は粉末の金属ケイ素と、炭素を反応させるなどの方法で
行われるが、生成する炭化ケイ素は(1)と同様粗大で
あり、粉砕や分級に多大な労力を要する。The direct reaction method of metallic silicon and carbon of (2) is carried out by a method of reacting powdery metallic silicon with carbon, but the silicon carbide produced is coarse as in (1) and crushed or crushed. A great deal of effort is required for classification.
【0005】(3)の有機ケイ素化合物の熱分解法(
J. Less-Common Met., 68, 29-41(1979).、あるいはサ
イエンス、11(12)79(1981).など)では、低分子化合物
を分解する場合と、高分子化合物を分解する場合とが有
るが、いずれの場合でも原料の有機ケイ素化合物が高価
であり、工業的生産に適していない。(3) Pyrolysis method for organosilicon compounds (
J. Less-Common Met., 68, 29-41 (1979)., Or Science, 11 (12) 79 (1981).), When decomposing low molecular compounds and when decomposing high molecular compounds. However, in either case, the raw material organosilicon compound is expensive and is not suitable for industrial production.
【0006】(4)の気相反応法(High Tech Ceramic
s, 501-509(1987). Elsevier Science Publishers, )
は、比較的微細な粉末を得ることが出来るが、原料コス
トが高いこと、原料ガス、特にケイ素化合物ガスが毒性
が強く、爆発性を有しているなど取扱いが難しいこと、
大量生産に適していないなどの欠点を有する。(4) Gas phase reaction method (High Tech Ceramic
s, 501-509 (1987). Elsevier Science Publishers,).
Is a relatively fine powder can be obtained, but the raw material cost is high, the raw material gas, particularly silicon compound gas is highly toxic, explosive and difficult to handle,
It has drawbacks such as not being suitable for mass production.
【0007】また、米の籾殻がシリカを含むことを利用
して、これを焼成することにより炭化ケイ素を得る方法
も知られているが、(特開昭64-28210号、同60-5072
号、米国特許第4,248,844号、同3,754,076号など)これ
らの方法による炭化ケイ素も(1)と同様な問題点を有
する。以上のいずれの方法においても、低コストで焼結
性の良い粉体を製造するには問題が在った。There is also known a method for obtaining silicon carbide by firing rice husk containing silica by firing it (Japanese Patent Laid-Open Nos. 64-28210 and 60-5072).
Nos. 4,248,844, 3,754,076, etc.) Silicon carbide produced by these methods also has the same problems as (1). In any of the above methods, there is a problem in producing a powder having good sinterability at low cost.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来技術に
おいて成し得なかった、焼結性の良い、微細な、炭化ケ
イ素粉末を、低コストで製造する方法を提供するもので
ある。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention provides a method for producing a fine silicon carbide powder having good sinterability, which could not be achieved in the prior art, at low cost.
【0009】[0009]
【課題を解決するための手段】本発明の炭化ケイ素は、
シリカを担持させたセルロース材料を、実質的に真空、
もしくは不活性ガス雰囲気中で1100〜2300℃で
焼成し、これを粉砕することにより得られる。また、本
発明の炭化ケイ素の製造方法は、実質的に真空もしくは
不活性雰囲気中で焼成する際の温度の最高温度が110
0〜1500℃であることが好適である。The silicon carbide of the present invention comprises:
A silica material-supported cellulosic material is substantially vacuumed,
Alternatively, it can be obtained by firing at 1100 to 2300 ° C. in an inert gas atmosphere and crushing this. Further, in the method for producing silicon carbide of the present invention, the maximum temperature when firing in a substantially vacuum or inert atmosphere is 110.
It is preferably 0 to 1500 ° C.
【0010】本発明に用いるセルロース材料には、その
種類に特に制限はなく、様々な原料を用いることができ
る。即ち、木材および木材繊維(パルプ)、草類および
その繊維、綿類などの天然リグノセルロース材料や、再
生セルロース、セロファンなどを用いることができる。There are no particular restrictions on the type of cellulose material used in the present invention, and various raw materials can be used. That is, natural lignocellulosic materials such as wood and wood fibers (pulp), grasses and their fibers, cotton, regenerated cellulose, cellophane and the like can be used.
【0011】本発明方法において、シリカをセルロース
材料に担持させる方法としては、例えば、特願平2−1
11785号、および特願平2−162946号などに
開示された方法を用いることができる。これらの方法で
は、ケイ酸ナトリウムなどの水溶性ケイ酸化合物の水溶
液にセルロース材料を浸漬し、脱液後に炭酸ガスや、酸
の水溶液を用いてセルロース材料中に含浸された水溶性
ケイ酸化合物を中和し、シリカ(二酸化ケイ素)を材料
内部に担持させる。In the method of the present invention, as a method for supporting silica on the cellulose material, for example, Japanese Patent Application No. 2-1
The methods disclosed in No. 11785 and Japanese Patent Application No. 2-162946 can be used. In these methods, the cellulosic material is immersed in an aqueous solution of a water-soluble silicic acid compound such as sodium silicate, carbon dioxide gas after deliquoring, or a water-soluble silicic acid compound impregnated in the cellulosic material using an aqueous solution of an acid. It is neutralized and silica (silicon dioxide) is supported inside the material.
【0012】ケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)は、
通常工業的に用いられている物を用いることができる。
工業用水ガラスの中でも3号ケイ酸ナトリウム溶液は取
扱いが容易であり、本発明の目的に特に好適である。水
ガラスをセルロース材料に含浸させる際の、水ガラスの
濃度は工業用溶液をそのまま用いても差し支えないし、
必要に応じて希釈して用いることもできる。水ガラス中
のシリカの含有量は、セルロース材料に担持させるシリ
カの担持率(シリカの重量/シリカ担持セルロース材料
の重量の割合%)に影響を及ぼす。即ち、水ガラス中の
シリカ含有量が高ければ、シリカの担持率も高くなる。
水ガラス中のシリカの含有量としては、5〜40%が好
適である。The sodium silicate aqueous solution (water glass) is
The thing normally used industrially can be used.
Among industrial water glasses, the No. 3 sodium silicate solution is easy to handle and is particularly suitable for the purpose of the present invention. When impregnating water glass into a cellulosic material, the concentration of water glass may be an industrial solution as it is,
It can also be used after diluting it if necessary. The content of silica in the water glass affects the loading ratio of silica to be loaded on the cellulosic material (weight of silica / ratio% by weight of silica-supporting cellulosic material). That is, the higher the silica content in the water glass, the higher the silica loading rate.
The content of silica in the water glass is preferably 5 to 40%.
【0013】水ガラスをセルロース材料に含浸させる方
法は、浸漬、噴霧、混合など何れの方法でも用いること
ができる。この際、浸漬方法をとった場合、浸漬後、過
剰の水ガラスを脱液によって除去する必要がある。脱液
の方法には特に制限はなく、遠心分離、プレスなどの通
常行われている方法を用いることができる。水ガラスを
セルロース材料に含浸させる時間には特に制限はない
が、水ガラスがセルロース材料中に十分に浸透するのに
必要な時間をとる必要がある。この時間は、浸漬するセ
ルロース材料によって異なる。例えば、3号水ガラスに
1〜10デニールのレーヨンを浸漬した場合、好適な浸
漬時間は約6時間である。水ガラスをセルロース材料に
含浸させる際の温度には特に制限はないが、一般に室温
で行うことが適当である。含浸中に、撹拌などの外力を
加えたり、浸漬中の液に圧力を加えたりすることは、含
浸を速やかにかつ均一に行う上で、効果がある場合があ
る。As a method of impregnating the water glass into the cellulose material, any method such as dipping, spraying or mixing can be used. In this case, when the dipping method is used, it is necessary to remove excess water glass by deliquoring after dipping. The method of removing liquid is not particularly limited, and a commonly used method such as centrifugation or pressing can be used. The time for impregnating the water glass into the cellulosic material is not particularly limited, but it is necessary to take the time necessary for the water glass to sufficiently penetrate into the cellulosic material. This time depends on the cellulosic material to be soaked. For example, when 1 to 10 denier rayon is immersed in No. 3 water glass, a suitable immersion time is about 6 hours. The temperature for impregnating the cellulosic material with water glass is not particularly limited, but generally room temperature is suitable. Applying an external force such as stirring during the impregnation or applying a pressure to the liquid during the immersion may be effective for prompt and uniform impregnation.
【0014】水ガラスを含浸したセルロース材料中の水
ガラスのアルカリを中和するには、酸性物質と接触させ
る。酸性物質としては、硫酸、塩酸などの鉱酸の溶液に
浸漬する、あるいはこれらの液を噴霧するなどの方法
や、炭酸ガスなどの酸性ガスに暴露する方法などを用い
ることができる。鉱酸を用いる場合、セルロース材料が
過度に損傷しないような濃度を選ぶ必要がある。酸性ガ
スとして塩化水素などのセルロースを損傷する力の強い
ガスを用いる場合も同様の注意が必要である。中和に鉱
酸を用いる場合、酸の濃度が薄すぎると水ガラスが中和
されずに、セルロース材料から溶出する場合がある。硫
酸の場合、好適な濃度は0.05〜2規定程度である。
中和が終わったセルロース材料は、シリカと同時に生成
したナトリウム塩を洗い落とすために、水で洗浄され
る。To neutralize the alkali of the water glass in the cellulosic material impregnated with water glass, it is contacted with an acidic substance. As the acidic substance, a method of immersing in a solution of a mineral acid such as sulfuric acid or hydrochloric acid, spraying these solutions, or a method of exposing to an acidic gas such as carbon dioxide can be used. When using mineral acids, it is necessary to choose a concentration such that the cellulosic material is not damaged excessively. The same caution is required when using a gas such as hydrogen chloride, which has a strong power to damage cellulose, as the acidic gas. When a mineral acid is used for neutralization, if the acid concentration is too low, the water glass may not be neutralized and may be eluted from the cellulosic material. In the case of sulfuric acid, a suitable concentration is about 0.05 to 2 N.
The neutralized cellulosic material is washed with water in order to wash away the sodium salts produced simultaneously with the silica.
【0015】以上の工程でセルロース材料にシリカが担
持される。シリカの担持率は、焼成後の炭化ケイ素の生
成量に関係する。本発明の目的に好適なシリカ担持率の
範囲は5〜50%であり、特に好適な範囲は10〜40
%である。シリカ担持率が低すぎると焼成によって炭化
ケイ素が十分生成せず、また、高すぎると焼成後もシリ
カ分が未反応で残るため、好ましくない。Through the above steps, silica is supported on the cellulosic material. The loading rate of silica is related to the amount of silicon carbide produced after firing. The silica support rate suitable for the purpose of the present invention is 5 to 50%, and the particularly preferred range is 10 to 40.
%. If the supporting rate of silica is too low, silicon carbide will not be sufficiently generated by firing, and if it is too high, the silica content will remain unreacted after firing, which is not preferable.
【0016】本発明の方法でシリカが担持されたセルロ
ース材料は、シリカと炭素源である有機物が極めて微細
な状態で混ざりあったもので、炭化ケイ素の製造原料と
しては理想的なものである。即ち、この材料を原料に炭
化ケイ素を製造する場合、従来の方法より低温で、炭化
ケイ素を製造することが出来る。また、そのために結晶
の成長を抑えることが可能になり、焼結用原料として優
れた性質を持った粉体の製造が可能になる。The cellulosic material on which silica is supported by the method of the present invention is a mixture of silica and an organic substance as a carbon source in an extremely fine state, and is ideal as a raw material for producing silicon carbide. That is, when silicon carbide is produced using this material as a raw material, silicon carbide can be produced at a lower temperature than conventional methods. Further, because of this, it becomes possible to suppress the growth of crystals, and it becomes possible to produce powder having excellent properties as a raw material for sintering.
【0017】洗浄が終わったセルロース材料は、乾燥さ
れ、真空もしくは不活性雰囲気中で焼成される。焼成を
行う場合、一回の焼成で最高温度まで昇温しても差し支
えないが、セルロース材料からは、相当量のタール状物
質が発生するので1000℃程度までの予備焼成を行う
のが通例である。The washed cellulosic material is dried and calcined in a vacuum or an inert atmosphere. When firing is performed, it is possible to raise the temperature to the maximum temperature in one firing, but since a considerable amount of tar-like substances are generated from the cellulosic material, it is customary to perform preliminary firing up to about 1000 ° C. is there.
【0018】予備焼成の雰囲気としては窒素気流中が好
適である。昇温速度は、室温から500℃までは10〜
50℃/hrで、500〜1000℃までは50〜20
0℃/hrで昇温することがセルロース材料の炭化収率
を上げる上で望ましい。最高温度は、800〜1000
℃が好適であり、最高温度を適当な時間保持することも
差し支えないが、保持時間を設けなくても差し支えな
い。A nitrogen stream is suitable as the atmosphere for the preliminary firing. The rate of temperature rise is from room temperature to 500 ° C.
50 to 20 ° C at 50 ° C / hr up to 500 to 1000 ° C
It is desirable to raise the temperature at 0 ° C./hr in order to increase the carbonization yield of the cellulosic material. Maximum temperature is 800-1000
C. is suitable, and the maximum temperature may be maintained for an appropriate time, but the retention time may be omitted.
【0019】本焼成は、真空中もしくは不活性雰囲気中
で行われる。不活性雰囲気としては、アルゴン、ヘリウ
ムなどが好適である。本焼成の際の昇温速度は、100
〜2000℃/hrが好適である。最高温度は1000
〜2000℃が好適であり、1100〜1500℃が特
に好適である。最高温度保持時間は必ずしも設けなくて
よいが、0.1〜64hrの保持時間を設けることも差
し支えなく、0.5〜5hrの保持時間をおくことが好
適である。冷却速度には特に制限はない。The main firing is carried out in vacuum or in an inert atmosphere. Argon, helium and the like are suitable as the inert atmosphere. The temperature rising rate during the main firing is 100
~ 2000 ° C / hr is preferred. Maximum temperature is 1000
~ 2000 ° C is preferred, and 1100-1500 ° C is particularly preferred. The maximum temperature holding time is not necessarily provided, but a holding time of 0.1 to 64 hr may be provided, and a holding time of 0.5 to 5 hr is preferably set. There is no particular limitation on the cooling rate.
【0020】焼成が終了した材料は、粉砕される。粉砕
の方法は、ボールミルなど通常のセラミックス粉体の製
造に用いられる方法を用いることができる。本発明の方
法によれば、従来より著しく短い時間と、少ないエネル
ギーで焼結特性に優れた微細な粉体に粉砕することがで
きる。The material that has been fired is crushed. As a pulverization method, a method used for producing ordinary ceramic powder such as a ball mill can be used. According to the method of the present invention, it is possible to pulverize into a fine powder having excellent sintering characteristics with a remarkably shorter time than before and less energy.
【0021】焼成後の材料に炭素が残っている場合、粉
砕の前、あるいは後でこれを空気中で焼成し、炭素を除
去する工程を設けてもよい。また、後の焼結工程で、助
剤として炭素の添加が必要な場合、原料のセルロース材
料に担持するシリカの量を調節することにより適当量の
炭素を故意に残して焼成することも可能である。焼成後
の材料に、金属類や、シリカなどの不純物が残っていて
これを除去したい場合、通常行われているように、粉砕
前あるいは後でフッ酸などの酸や、アルカリ水溶液など
で洗浄することも行われる。When carbon remains in the material after firing, a step of firing carbon in the air before or after pulverization to remove carbon may be provided. Further, in the later sintering step, when it is necessary to add carbon as an auxiliary agent, it is also possible to intentionally leave a proper amount of carbon and perform firing by adjusting the amount of silica supported on the raw material cellulose material. is there. If you want to remove impurities such as metals and silica that remain in the material after firing, wash with an acid such as hydrofluoric acid or an alkaline aqueous solution before or after crushing as usual. Things are also done.
【0022】[0022]
【実施例】以下、実施例により本発明をさらに詳しく解
説する。EXAMPLES The present invention will be described in more detail below with reference to examples.
【0023】実施例1 1.5デニール、3mm長のレーヨン100gを、3号
ケイ酸ナトリウム水溶液(水ガラス)2リットルに3時
間浸漬した。浸漬後のレーヨンを、ブフナー漏斗上で吸
引濾過し、さらに1500G(重力加速度)で遠心脱液
して過剰の水ガラスを除去した。水ガラスを含浸したレ
ーヨンを、5リットル容の耐圧容器中に入れ、炭酸ガス
を供給して容器内の圧力を1kg/cm2(ゲージ)に
保ち、そのまま1時間静置した。これを容器から取り出
し、ミキサーを用いて水中で解繊し、大量の水で洗浄し
た。シリカを担持したレーヨンのシリカ担持率(900
℃焼成灰分重量/担持繊維重量x100%)は、20%
であった。Example 1 100 g of rayon having 1.5 denier and 3 mm length was immersed in 2 liter of No. 3 sodium silicate aqueous solution (water glass) for 3 hours. The rayon after the immersion was suction-filtered on a Buchner funnel and centrifugally drained at 1500 G (gravitational acceleration) to remove excess water glass. The rayon impregnated with water glass was placed in a pressure-resistant container having a volume of 5 liters, carbon dioxide gas was supplied to maintain the pressure in the container at 1 kg / cm 2 (gauge), and the container was left standing for 1 hour. This was taken out of the container, defibrated in water using a mixer, and washed with a large amount of water. The silica loading rate of the silica-supported rayon (900
℃ calcined ash content / supported fiber weight x 100%) is 20%
Met.
【0024】シリカを担持したレーヨンを乾燥し、窒素
気流中、電気炉で予備焼成した。昇温は室温〜500℃
までは20℃/hrで、500〜1000℃までは、1
00℃/hrで行った。1000℃では保持は行わず、
直ちに自然放冷させた。予備焼成の焼成収率は45%で
あった。予備焼成した試料を、アルゴン気流中、電気炉
で本焼成した。焼成は室温から1200℃まで1000
℃/hrで昇温し、1200℃を1時間保持し、室温ま
で1000℃/hrで冷却した。本焼成の焼成収率は、
73%であった。The rayon supporting silica was dried and prebaked in an electric furnace in a nitrogen stream. Room temperature to 500 ° C
Up to 20 ° C / hr, up to 500-1000 ° C is 1
It was carried out at 00 ° C / hr. No holding at 1000 ° C,
Immediately, it was naturally cooled. The firing yield of the preliminary firing was 45%. The pre-fired sample was main-fired in an electric furnace in an argon stream. Firing from room temperature to 1200 ° C 1000
The temperature was raised at 1,000 ° C./hr, the temperature was kept at 1,200 ° C. for 1 hour, and then cooled to room temperature at 1,000 ° C./hr. The firing yield of the main firing is
It was 73%.
【0025】焼成した試料を、空気中800℃で40分
間焼いて炭素を除去し、窒化ケイ素製の乳鉢で磨砕し
た。この試料のB.E.T.法による比表面積は、25
m2/gであった。この試料をX線回折法および赤外線
吸収スペクトル法で分析した結果、ベーター型炭化ケイ
素が生成していることが確認された。シリカは検出され
なかった。透過型電子顕微鏡による観察で、この粉末の
粒子径は40〜100ナノメーターであることが分かっ
た。The calcined sample was calcined in air at 800 ° C. for 40 minutes to remove carbon and ground in a mortar made of silicon nitride. B. of this sample E. T. The specific surface area by the method is 25
It was m 2 / g. As a result of analyzing this sample by X-ray diffraction and infrared absorption spectroscopy, it was confirmed that beta-type silicon carbide was produced. No silica was detected. Observation with a transmission electron microscope revealed that the particle size of this powder was 40 to 100 nanometers.
【0026】この試料98部に、1部づつのホウ素(無
定型)と炭素(カーボンブラック)を添加し、アセトン
を加えて、ナイロン製ボールミルで5時間湿式混合し
た。この試料を金型に入れ、静水圧で直径13.2m
m、高さ5.00mmの円柱に成形した。成形体の密度
は、2.11g/cm3であった。この成形体をアルゴ
ン気流中、2050℃で30分焼成した結果、密度が
2.97g/cm3となった。焼結体の破断面を走査型
電子顕微鏡(SEM)で観察した結果、焼結体には気孔
が殆ど認められず、焼結が高度に進んでいることが観察
された。To 98 parts of this sample, one part each of boron (amorphous type) and carbon (carbon black) were added, acetone was added, and the mixture was wet-mixed for 5 hours with a nylon ball mill. This sample was put into a mold and the diameter was 13.2 m under hydrostatic pressure.
It was molded into a cylinder having a height of m and a height of 5.00 mm. The density of the molded body was 2.11 g / cm 3 . The compact was calcined in an argon stream at 2050 ° C. for 30 minutes, resulting in a density of 2.97 g / cm 3 . As a result of observing the fracture surface of the sintered body with a scanning electron microscope (SEM), it was observed that the sintered body had almost no pores and that the sintering proceeded to a high degree.
【0027】実施例2 リグノセルロース材料として、針葉樹晒クラフトパルプ
を用い、実施例1と同様に炭化ケイ素粉末および焼結体
の調製を行った。粉末の比表面積は、19.6m2/
g、焼結体の密度は2.83g/cm3であった。Example 2 Softwood bleached kraft pulp was used as a lignocellulosic material, and a silicon carbide powder and a sintered body were prepared in the same manner as in Example 1. The specific surface area of the powder is 19.6 m 2 /
g, the density of the sintered body was 2.83 g / cm 3 .
【0028】比較例1 シリカ粉末(和光純薬製、200メッシュ)と、炭素粉
末(コークス、200メッシュ)とをボールミルで乾式
混合し、炭素るつぼに入れて実施例1同様にアルゴン気
流中、1200℃で1時間焼成した。焼成した試料をX
線回折で分析した結果、シリカが存在していただけで、
炭化ケイ素は生成していなかった。Comparative Example 1 Silica powder (manufactured by Wako Pure Chemical Industries, 200 mesh) and carbon powder (coke, 200 mesh) were dry-mixed in a ball mill and placed in a carbon crucible in the same manner as in Example 1 in an argon stream 1200. Baking for 1 hour at ℃. The fired sample is X
As a result of line diffraction analysis, only silica was present,
Silicon carbide was not formed.
【0029】比較例2 比較例1と同様に調製したシリカと炭素の混合粉末を、
アルゴン気流中、1700℃で1時間焼成した。X線回
折による分析では、炭化ケイ素の生成が認められた。こ
の試料を、実施例1と同様に窒化ケイ素製乳鉢で磨砕
し、比表面積を測定したところ、0.05m2/gであ
った。この試料を、実施例1と同様にして成形、焼結し
たところ、焼結後の密度は1.69g/cm3であっ
た。SEMによる観察では、焼結が殆ど進んでいないこ
とが認められた。Comparative Example 2 A mixed powder of silica and carbon prepared in the same manner as in Comparative Example 1 was used.
Firing was performed at 1700 ° C. for 1 hour in an argon stream. Analysis by X-ray diffraction confirmed the formation of silicon carbide. This sample was ground in a silicon nitride mortar in the same manner as in Example 1 and the specific surface area was measured. As a result, it was 0.05 m 2 / g. When this sample was molded and sintered in the same manner as in Example 1, the density after sintering was 1.69 g / cm 3 . It was confirmed by SEM observation that the sintering had hardly progressed.
【0030】比較例3 市販焼結用炭化ケイ素粉末(ベーター型、平均粒子径
0.4ミクロン)を実施例1と同様にして成形、焼結し
た。焼結体の密度は、2.74g/cm3であった。Comparative Example 3 Commercially available silicon carbide powder for sintering (beta type, average particle size 0.4 micron) was molded and sintered in the same manner as in Example 1. The density of the sintered body was 2.74 g / cm 3 .
【0031】[0031]
【発明の効果】本発明の方法によれば、従来の方法より
も簡単な製造プロセスで、安価に、焼結性のよい炭化ケ
イ素粉末を製造することが出来た。According to the method of the present invention, a silicon carbide powder having good sinterability can be manufactured at a low cost with a simpler manufacturing process than the conventional method.
Claims (1)
実質的に真空、もしくは不活性ガス雰囲気中で1100
〜2300℃で焼成し、これを粉砕することを特徴とす
る、炭化ケイ素粉末の製造方法。1. A cellulosic material supporting silica,
1100 in a substantially vacuum or inert gas atmosphere
A method for producing a silicon carbide powder, which comprises calcination at ˜2300 ° C. and crushing this.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4076736A JPH05279007A (en) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | Production of silicon carbide powder |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4076736A JPH05279007A (en) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | Production of silicon carbide powder |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05279007A true JPH05279007A (en) | 1993-10-26 |
Family
ID=13613881
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4076736A Pending JPH05279007A (en) | 1992-03-31 | 1992-03-31 | Production of silicon carbide powder |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05279007A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003010114A1 (en) * | 2001-07-25 | 2003-02-06 | Zhongshan University | A method of producing nanometer silicon carbide material |
JP2008050201A (en) * | 2006-08-24 | 2008-03-06 | Sumitomo Osaka Cement Co Ltd | Method for producing silicon carbide powder, and silicon carbide powder |
JP2009179726A (en) * | 2008-01-31 | 2009-08-13 | Tkx:Kk | Manufacturing method of silicon carbide powder for grinding/polishing, and silicon carbide powder for grinding/polishing, and slurry for grinding/polishing |
US7807123B2 (en) | 2005-01-28 | 2010-10-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Method of manufacturing silicon carbide |
CN101850972A (en) * | 2010-06-21 | 2010-10-06 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | Method for preparing silicon carbide nano wires |
-
1992
- 1992-03-31 JP JP4076736A patent/JPH05279007A/en active Pending
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CN101850972A (en) * | 2010-06-21 | 2010-10-06 | 中国科学院山西煤炭化学研究所 | Method for preparing silicon carbide nano wires |
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