JPH05275273A - Manufacture of multilayer ceramic electronic component - Google Patents
Manufacture of multilayer ceramic electronic componentInfo
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- JPH05275273A JPH05275273A JP4066766A JP6676692A JPH05275273A JP H05275273 A JPH05275273 A JP H05275273A JP 4066766 A JP4066766 A JP 4066766A JP 6676692 A JP6676692 A JP 6676692A JP H05275273 A JPH05275273 A JP H05275273A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、異常電圧から半導体や
電子回路を保護するために使用されるバリスタ機能を併
せもつ積層型セラミックコンデンサ等の積層型セラミッ
ク電子部品の製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for manufacturing a laminated ceramic electronic component such as a laminated ceramic capacitor having a varistor function which is used for protecting semiconductors and electronic circuits from abnormal voltage.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、ビデオテープレコーダ等各種電子
機器の小型化に伴い、チップタイプの積層型セラミック
電子部品が多用されてきている。このような積層型セラ
ミック電子部品の代表的な一例に積層型セラミックコン
デンサがあり、以下、これでもって従来の技術を説明す
る。2. Description of the Related Art In recent years, chip type multi-layer ceramic electronic parts have been widely used with the miniaturization of various electronic devices such as video tape recorders. A typical example of such a monolithic ceramic electronic component is a monolithic ceramic capacitor, and the conventional technique will be described below with reference to this.
【0003】図2は従来の積層型セラミックコンデンサ
の一部切欠斜視図、図3はその製造工程図である。図2
において、1は焼結された誘電体からなるセラミック
ス、2はセラミックス1と交互に積層されたNi等の導
電材料からなる内部電極で、この内部電極2は一層毎に
セラミックス1の異なる端面まで引き出されている。3
は内部電極2と接続するようにセラミックス1の端面に
形成したNi等の内側外部電極、4は内側外部電極3を
覆うように形成したAg等の外側外部電極である。FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of a conventional multilayer ceramic capacitor, and FIG. 3 is a manufacturing process diagram thereof. Figure 2
In FIG. 1, 1 is a ceramic made of a sintered dielectric, 2 is an internal electrode made of a conductive material such as Ni, which is alternately laminated with the ceramic 1, and the internal electrode 2 is drawn out to different end faces of the ceramic 1 layer by layer. Has been. Three
Is an inner external electrode such as Ni formed on the end surface of the ceramic 1 so as to be connected to the internal electrode 2, and 4 is an outer external electrode such as Ag formed so as to cover the inner external electrode 3.
【0004】次に、このような積層型セラミックコンデ
ンサの製造方法について図3を参照しながら説明する。
まず、各種原材料を所定量秤量した後、これらを混合し
粉砕する。この粉体を仮焼した後粉砕し、これにバイン
ダ等を加えてスラリーを作成する。このスラリーを用い
てドクターブレード法等によりシートに成形し、所定の
大きさに切断してグリーンシートを作製する。そして、
このグリーンシートに内部電極用の導電材料を印刷した
後多数枚を積層し、この積層体をチップ状に切断してグ
リーンチップを得る。Next, a method of manufacturing such a multilayer ceramic capacitor will be described with reference to FIG.
First, after weighing various raw materials in predetermined amounts, they are mixed and crushed. This powder is calcined and then crushed, and a binder or the like is added to this to prepare a slurry. Using this slurry, a sheet is formed by a doctor blade method or the like, and cut into a predetermined size to produce a green sheet. And
After printing a conductive material for internal electrodes on this green sheet, a large number of sheets are stacked, and this stacked body is cut into chips to obtain green chips.
【0005】次に、得られたグリーンチップを電気炉内
に搬入して熱処理し、バインダーを除去する。このバイ
ンダーを除去するための熱処理は、通常大気中でバイン
ダーの燃焼温度まで5〜30℃/hのゆっくりした速度
で昇温する熱処理条件下で行われる。そして、この熱処
理後のグリーンチップを焼成して焼結した後、この焼結
体チップに面取りを施し、さらにその対向する端面に内
側外部電極用および外側外部電極用の導電材料を塗布し
焼き付けて外部電極を形成する。このようにして積層型
セラミックコンデンサは製造されている。Next, the obtained green chip is carried into an electric furnace and heat-treated to remove the binder. The heat treatment for removing the binder is usually carried out under the heat treatment condition of raising the temperature of the binder to a combustion temperature at a slow rate of 5 to 30 ° C./h in the atmosphere. Then, after the green chip after the heat treatment is fired and sintered, the sintered chip is chamfered, and the opposite end faces are coated with a conductive material for the inner external electrode and the outer external electrode and baked. Form external electrodes. In this way, the multilayer ceramic capacitor is manufactured.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら従来の積
層型セラミック電子部品においては、その構造あるいは
材料によっては従来のような大気中での熱処理によるバ
インダー除去では完全にバインダーが除去できず、グリ
ーンチップの中央部分に残存することがある。バインダ
ーが残存すると不完全燃焼のため炭素が残存し、その炭
素がセラミックスの還元を促進して再酸化を阻害するた
め焼結性が変化して目的とする電気特性が発現しないと
いう課題があった。また、バインダーが残存すると焼成
後の焼結体チップが不均一になってクラックが発生する
という課題もあった。However, in the conventional multilayer ceramic electronic component, the binder cannot be completely removed by the conventional binder removal by heat treatment in the air depending on the structure or material thereof, and the green chip May remain in the center. When the binder remains, carbon remains due to incomplete combustion, and the carbon promotes reduction of the ceramics and hinders reoxidation, so the sinterability changes and the desired electrical properties are not expressed. .. Further, if the binder remains, the sintered chip after firing becomes non-uniform and cracks occur.
【0007】本発明は上記課題を解決するもので、クラ
ックの発生がなく、また安定した電気特性を発現する積
層型セラミック電子部品の製造方法を提供することを目
的とする。The present invention is intended to solve the above problems, and an object of the present invention is to provide a method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component which does not generate cracks and exhibits stable electrical characteristics.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明は、積層型セラミック電子部品の製造工程にお
いて、グリーンチップからバインダーを除去する熱処理
を減圧下で行うものである。In order to achieve this object, the present invention is to carry out a heat treatment for removing a binder from a green chip under reduced pressure in a manufacturing process of a multilayer ceramic electronic component.
【0009】[0009]
【作用】上記熱処理を用いることにより、減圧下である
ためにバインダーの分解により発生した低分子の粒子が
グリーンチップ内部から吸い出され、バインダーの残存
がなくなる。By using the above heat treatment, the low-molecular particles generated by the decomposition of the binder due to the reduced pressure are sucked out from the inside of the green chip, and the binder does not remain.
【0010】[0010]
【実施例】以下、本発明の一実施例におけるバリスタ機
能を有する積層型セラミックコンデンサの製造方法につ
いて、図1のその製造工程図を参照しながら説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A method of manufacturing a multilayer ceramic capacitor having a varistor function according to an embodiment of the present invention will be described below with reference to the manufacturing process chart of FIG.
【0011】まず主成分であるSrTiO3に、半導体
化物質であるNb2O5、Ta2O5、焼結助剤MnO2、
SiO2、酸化促進剤Na2SiO3をそれぞれ添加し、
混合粉砕後1000〜1200℃で仮焼し、再び粉砕を
行う。このようにして得られた粉体に酢酸ブチル、トリ
クロルエタンからなる有機溶剤とブチラール樹脂と可塑
剤からなるバインダーおよび分散剤を混合し、スラリー
を作成する。このスラリーを用いてドクターブレード法
でシート成形を行ってグリーンシートを作製し、所定の
大きさに切断する。切断したグリーンシートの表面にN
iOからなる内部電極用材料を印刷し、所定の枚数を積
層する。そして、その積層体をチップ状に切断してグリ
ーンチップを作製する。First, SrTiO 3 which is a main component is added to Nb 2 O 5 , Ta 2 O 5 which is a semiconducting substance, a sintering aid MnO 2 ,
Add SiO 2 and oxidation promoter Na 2 SiO 3 , respectively,
After mixed and pulverized, it is calcined at 1000 to 1200 ° C. and pulverized again. The powder thus obtained is mixed with an organic solvent composed of butyl acetate and trichloroethane, a binder composed of butyral resin and a plasticizer, and a dispersant to prepare a slurry. A sheet is formed by a doctor blade method using this slurry to produce a green sheet, which is cut into a predetermined size. N on the surface of the cut green sheet
The internal electrode material made of iO is printed, and a predetermined number of layers are stacked. Then, the laminate is cut into chips to produce green chips.
【0012】次に、バインダーを除去する熱処理を行
う。この熱処理工程では気密度の保てる真空炉中にグリ
ーンチップを投入し、吸引ポンプで炉内の酸素を除去
し、炉内圧力を10-2Torr以下に保つ。炉内圧力が
10-2Torr以下になったら、低沸点の溶剤を除去す
るために常温で1時間引き続ける。その後使用している
バインダーの分解温度に応じて熱処理温度を設定し昇温
する。バインダー分解中にはガスが発生するが、その時
の真空炉内の最大圧力は50Torr以下であることが
望ましい。設定温度はバインダー中で最も分解温度の高
いものが700℃なので700℃まで所定の昇温速度で
昇温し、所定時間の温度保持を行った。この条件は積層
数や形状によっても変わるが、バインダーが除去しにく
いものなら昇温速度を遅くしたり、バインダーの他の分
解温度で1〜2時間温度を保持しても良い。Next, a heat treatment for removing the binder is performed. In this heat treatment step, green chips are put into a vacuum furnace capable of maintaining airtightness, oxygen in the furnace is removed by a suction pump, and the furnace pressure is kept at 10 -2 Torr or less. When the pressure in the furnace falls below 10 -2 Torr, continue to draw at room temperature for 1 hour to remove the low boiling point solvent. After that, the heat treatment temperature is set and raised according to the decomposition temperature of the binder used. Gas is generated during the decomposition of the binder, and the maximum pressure in the vacuum furnace at that time is preferably 50 Torr or less. The set temperature is 700 ° C., which has the highest decomposition temperature in the binder, so the temperature was raised to 700 ° C. at a predetermined heating rate, and the temperature was maintained for a predetermined time. Although this condition varies depending on the number of layers and the shape, if the binder is difficult to remove, the temperature rising rate may be slowed down or the temperature may be maintained at another decomposition temperature of the binder for 1 to 2 hours.
【0013】このようなバインダー除去の熱処理を施さ
れたグリーンチップは減圧下の熱処理で不均一に還元さ
れている。したがって、このまま還元焼成を行った場
合、還元が均一に行われず、再酸化後の電気特性にばら
つきが発生し易い。このため、熱処理後に空気中で11
00〜1200℃で酸化処理を行い、グリーンチップを
酸化させることが望ましい。また、酸化処理はグリーン
チップの強度を持たせることにも役立つ。この酸化処理
は、上記熱処理に引き続き真空炉内に空気を入れてさら
に昇温しても良いが、炉の構造に応じて一度冷却してか
ら空気中で酸化処理を行っても電気特性に変わりはな
い。今回の場合比較のため、種々の熱処理条件でバイン
ダー除去後、一度冷却してから酸化処理を行った。The green chip subjected to the heat treatment for removing the binder is non-uniformly reduced by the heat treatment under reduced pressure. Therefore, if reduction firing is performed as it is, reduction is not performed uniformly, and variations in electrical characteristics after reoxidation are likely to occur. Therefore, after heat treatment,
It is desirable to oxidize the green chip by performing an oxidation treatment at 00 to 1200 ° C. In addition, the oxidation treatment also helps to give the green chip strength. This oxidation treatment may be carried out by introducing air into the vacuum furnace to further raise the temperature after the above heat treatment, but depending on the structure of the furnace, even if it is cooled once and then subjected to oxidation treatment in air, the electrical characteristics will change. There is no. In this case, for comparison, the binder was removed under various heat treatment conditions, followed by once cooling and then oxidizing treatment.
【0014】次に酸化処理後のグリーンチップの面取り
を行い、内部電極と同じペーストで内側外部電極を形成
し、還元焼成を行う。還元焼成は1100〜1300℃
でN 2とH2の混合ガス中で焼成を行う。このとき内部電
極および内側外部電極のNiOが還元されてNiとな
り、導電性を示すようになる。その後、空気中で800
〜1000℃で再酸化を行い、Ag外部電極を内側外部
電極上に塗布した後焼き付けを行う。Next, chamfering of the green chip after the oxidation treatment
And form the inner and outer electrodes with the same paste as the inner electrodes.
Then, reduction firing is performed. Reduction firing is 1100 to 1300 ° C
And N 2And H2Firing is performed in the mixed gas of. At this time the internal power
NiO of the electrode and the inner external electrode is reduced to Ni.
And becomes conductive. Then 800 in the air
Re-oxidize at ~ 1000 ℃, Ag external electrode inside outside
After applying on the electrode, baking is performed.
【0015】以上のようにして得られたバリスタ機能を
有する積層型セラミックコンデンサの試料について、
0.1mAにおけるバリスタ電圧(V0.1mA)と1kHz
における静電容量(C1kHz)を測定した。その測定結果
を(表1)および(表2)に示す。Regarding the sample of the multilayer ceramic capacitor having the varistor function obtained as described above,
Varistor voltage (V 0.1mA ) at 0.1mA and 1kHz
The electrostatic capacitance (C 1kHz ) was measured. The measurement results are shown in (Table 1) and (Table 2).
【0016】[0016]
【表1】 [Table 1]
【0017】[0017]
【表2】 [Table 2]
【0018】ただし、(表1)はグリーンシートの積層
数が30層および50層のグリーンチップを熱処理条件
を種々変えて熱処理した試料の電気特性を示す。また、
(表2)は積層数が30層のグリーンチップを酸化処理
における処理温度を種々変えた試料の電気特性を示すと
ともに、さらに試料内部を観察して評価したクラックの
発生率も併せて示す。However, (Table 1) shows the electrical characteristics of the samples obtained by heat-treating the green chips having the number of laminated green sheets of 30 layers and 50 layers under various heat treatment conditions. Also,
Table 2 shows the electrical characteristics of samples in which the number of stacked green chips was changed at various processing temperatures in the oxidation process, and also the crack occurrence rate evaluated by observing the inside of the sample.
【0019】この(表1)から明らかなように、バイン
ダー除去中の最大圧力が50Torrより大きい場合、
バインダーが残存し内部が半導体のままで特性が発現し
ない。しかし最大圧力を50Torr以下にするとバイ
ンダーが完全に除去でき、目標とする電気特性を得るこ
とができた。さらに圧力を小さくしていくと、電気特性
がより大きくなり、その効果が顕著になってくる。また
積層数が増えることによって、バインダーが抜けにくく
なったものについても昇温速度をおとすことによりバイ
ンダーの除去が可能になった。バインダーのような有機
物は空気中では分解、燃焼するが、グリーンチップの内
部のように燃焼に充分な酸素が供給できない場合、炭素
として残存してしまい、特性に悪影響を及ぼしてしま
う。しかし減圧下でバインダーの除去を行うと低分子に
分解したものがグリーンチップ内部から吸引され昇華し
てしまうものと考えられる。As is clear from this (Table 1), when the maximum pressure during binder removal is greater than 50 Torr,
The binder remains and the inside remains as a semiconductor, and the characteristics do not appear. However, when the maximum pressure was set to 50 Torr or less, the binder could be completely removed, and the target electric characteristics could be obtained. When the pressure is further reduced, the electric characteristics become larger, and the effect becomes remarkable. Further, by increasing the number of laminated layers, it becomes possible to remove the binder even if the binder is hard to come off by lowering the heating rate. Organic substances such as binders decompose and burn in the air, but when sufficient oxygen for combustion cannot be supplied as in the inside of the green chips, they remain as carbon and adversely affect the characteristics. However, when the binder is removed under reduced pressure, it is considered that the decomposed low molecular weight compounds are sucked from the inside of the green chip and sublimate.
【0020】また、(表2)から明らかなように、バイ
ンダー除去の熱処理後、直接還元焼成を行ったり、11
00℃より低い温度で酸化処理後、還元焼成を行うと焼
結体が割れたり、バリスタ電圧のばらつきが大きくなっ
ている。しかし1100〜1200℃で酸化処理すると
焼結体の強度も強くなってクラック発生もなくなり、バ
リスタ電圧のばらつきも低減している。しかし1200
℃を越えると内部電極とグリーンチップとが反応して静
電容量の著しい低下が見られる。As is clear from (Table 2), after the heat treatment for removing the binder, direct reduction firing is performed, or
When the reduction firing is performed after the oxidation treatment at a temperature lower than 00 ° C., the sintered body is cracked or the varistor voltage varies greatly. However, when the oxidation treatment is performed at 1100 to 1200 ° C., the strength of the sintered body is increased, cracks are eliminated, and variations in varistor voltage are reduced. But 1200
When the temperature exceeds ℃, the internal electrode reacts with the green chip, and the capacitance is remarkably reduced.
【0021】なお、本実施例ではセラミックスにSrT
iO3を主成分とするものの例を示したが、SrTiO3
のSrの一部をCaまたはBaまたはその両方で置換し
たものを用いても本実施例と同様の効果が得られる。ま
た、本実施例では内部電極および内側外部電極にNi
を、外側外部電極にAgを用いた例を示したが、これら
の電極材料としてはAg,Pd,Ni,CuおよびZn
のうち一種以上の単体金属またはこれらを主成分とする
合金であってもよく、またNa,KおよびLiのうち一
種以上を主成分とする合金であっても良い。In this embodiment, SrT is used as the ceramic material.
An example of a material containing iO 3 as a main component is shown, but SrTiO 3
Even if a part of Sr in (1) is replaced with Ca or Ba or both, the same effect as in the present embodiment can be obtained. Further, in this embodiment, Ni is used for the inner electrode and the inner outer electrode.
Although an example in which Ag is used for the outer external electrode has been shown, examples of these electrode materials include Ag, Pd, Ni, Cu and Zn.
Among these, one or more elemental metals or alloys containing these as the main components may be used, or alloys containing one or more of Na, K and Li as their main components may be used.
【0022】さらに、本実施例ではバリスタ機能を有す
る積層型セラミックコンデンサの製造方法の例を示した
が、減圧下で熱処理する製造方法は誘電体セラミックス
を用いた積層型セラミックコンデンサなど、他の積層型
セラミック電子部品にも適用できるものである。Further, in the present embodiment, an example of a method of manufacturing a laminated ceramic capacitor having a varistor function is shown. However, the manufacturing method of heat treatment under reduced pressure may be another laminated ceramic capacitor such as a laminated ceramic capacitor using dielectric ceramics. It is also applicable to type ceramic electronic parts.
【0023】[0023]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
の積層型セラミック電子部品の製造方法は、バインダー
除去の熱処理を減圧下で行うことにより、グリーンチッ
プの中央部分のバインダー残存がなくなってクラックの
発生がない安定した電気特性を得ることができるもので
ある。As is apparent from the above description, in the method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component of the present invention, the heat treatment for removing the binder is performed under reduced pressure, so that the binder does not remain in the central portion of the green chip. It is possible to obtain stable electric characteristics without the occurrence of cracks.
【図1】本発明の一実施例におけるバリスタ機能を有す
る積層型セラミックコンデンサの製造工程図FIG. 1 is a manufacturing process diagram of a multilayer ceramic capacitor having a varistor function according to an embodiment of the present invention.
【図2】従来の積層型セラミックコンデンサの一部切欠
斜視図FIG. 2 is a partially cutaway perspective view of a conventional multilayer ceramic capacitor.
【図3】従来の積層型セラミックコンデンサの製造工程
図FIG. 3 is a manufacturing process diagram of a conventional multilayer ceramic capacitor
1 セラミックス 2 内部電極 3 内側外部電極 4 外側外部電極 1 Ceramics 2 Internal Electrode 3 Inner External Electrode 4 Outer External Electrode
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 若畑 康男 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 上野 巌 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Yasuo Wakabata 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (72) Iwa Ueno, 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Matsushita Electric Industrial Co., Ltd.
Claims (3)
主成分とするグリーンシートを複数枚積層する工程と、
この積層体を切断してグリーンチップを作製する工程
と、このグリーンチップを熱処理してバインダーを除去
する工程と、前記熱処理後焼成および外部電極形成を行
う工程とを備え、前記熱処理を減圧下で行う積層型セラ
ミック電子部品の製造方法。1. A step of laminating a plurality of green sheets containing ceramics as a main component and having internal electrodes formed on the surface thereof,
This laminate is provided with a step of cutting the laminated body to produce a green chip, a step of heat-treating the green chip to remove the binder, and a step of performing firing and external electrode formation after the heat treatment, wherein the heat treatment is performed under reduced pressure. A method of manufacturing a laminated ceramic electronic component.
請求項1記載の積層型セラミック電子部品の製造方法。2. The method for producing a multilayer ceramic electronic component according to claim 1, wherein the heat treatment is performed under a reduced pressure of 50 Torr or less.
℃の大気中で酸化処理を行う請求項1記載の積層型セラ
ミック電子部品の製造方法。3. After heat treatment, 1100 to 1200 are continued.
The method for manufacturing a multilayer ceramic electronic component according to claim 1, wherein the oxidation treatment is performed in the atmosphere of ° C.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4066766A JPH05275273A (en) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | Manufacture of multilayer ceramic electronic component |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4066766A JPH05275273A (en) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | Manufacture of multilayer ceramic electronic component |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05275273A true JPH05275273A (en) | 1993-10-22 |
Family
ID=13325334
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4066766A Pending JPH05275273A (en) | 1992-03-25 | 1992-03-25 | Manufacture of multilayer ceramic electronic component |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05275273A (en) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN100378872C (en) * | 2002-02-28 | 2008-04-02 | 株式会社村田制作所 | Method for manufacturing multilayer ceramic electronic component |
JP2014187102A (en) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Tdk Corp | Laminated semiconductor ceramic capacitor with varistor function |
-
1992
- 1992-03-25 JP JP4066766A patent/JPH05275273A/en active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN100378872C (en) * | 2002-02-28 | 2008-04-02 | 株式会社村田制作所 | Method for manufacturing multilayer ceramic electronic component |
US7776252B2 (en) | 2002-02-28 | 2010-08-17 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Method for manufacturing multilayer ceramic electronic component |
JP2014187102A (en) * | 2013-03-22 | 2014-10-02 | Tdk Corp | Laminated semiconductor ceramic capacitor with varistor function |
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