JPH05273174A - イオン選択性電極用高分子膜および陽イオン界面活性剤濃度の測定方法 - Google Patents
イオン選択性電極用高分子膜および陽イオン界面活性剤濃度の測定方法Info
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- JPH05273174A JPH05273174A JP4100207A JP10020792A JPH05273174A JP H05273174 A JPH05273174 A JP H05273174A JP 4100207 A JP4100207 A JP 4100207A JP 10020792 A JP10020792 A JP 10020792A JP H05273174 A JPH05273174 A JP H05273174A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 陽イオン界面活性剤濃度を簡単に高精度で選
択的に測定することができ、長期間の使用にも耐えるイ
オン選択性電極用高分子膜の提供、およびこれを用いた
陽イオン界面活性剤濃度の測定方法の開発。 【構成】 (a)ポリ塩化ビニル、(b)可塑剤(c)テトラフ
ェニルホウ素誘導体、ケイタングステン酸または、
リンモリブデン酸の第四級アンモニウム塩からなるイオ
ン選択性電極用高分子膜、およびこのイオン選択性電極
用高分子膜を装着したイオン選択性電極を用い、膜電位
を測定することによる陽イオン界面活性剤濃度の測定方
法。
択的に測定することができ、長期間の使用にも耐えるイ
オン選択性電極用高分子膜の提供、およびこれを用いた
陽イオン界面活性剤濃度の測定方法の開発。 【構成】 (a)ポリ塩化ビニル、(b)可塑剤(c)テトラフ
ェニルホウ素誘導体、ケイタングステン酸または、
リンモリブデン酸の第四級アンモニウム塩からなるイオ
ン選択性電極用高分子膜、およびこのイオン選択性電極
用高分子膜を装着したイオン選択性電極を用い、膜電位
を測定することによる陽イオン界面活性剤濃度の測定方
法。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、イオン選択性電極用高
分子膜およびこれを用いた陽イオン界面活性剤濃度の測
定方法に関する。
分子膜およびこれを用いた陽イオン界面活性剤濃度の測
定方法に関する。
【0002】更に詳しくは、本発明はポリ塩化ビニル,
可塑剤および特定のテトラフェニルホウ素塩あるいはヘ
テロポリ酸塩からなる感応膜を用いた簡単でかつ高精度
で陽イオン界面活性剤濃度を選択的に測定することがで
き、長期間の使用にも耐えるイオン選択性電極用高分子
膜およびこれを用いた陽イオン界面活性剤濃度の測定方
法に関する。
可塑剤および特定のテトラフェニルホウ素塩あるいはヘ
テロポリ酸塩からなる感応膜を用いた簡単でかつ高精度
で陽イオン界面活性剤濃度を選択的に測定することがで
き、長期間の使用にも耐えるイオン選択性電極用高分子
膜およびこれを用いた陽イオン界面活性剤濃度の測定方
法に関する。
【0003】
【従来の技術】陽イオン界面活性剤溶液の濃度を測定す
る方法としては、リンタングステン酸でコンゴーレッド
を指示薬として直接滴定する方法[工業化学雑誌,7
4,668(1971)],クロロホルムを抽出溶媒お
よびメチレンブルーを指示薬として標準陰イオン界面活
性剤溶液で分相滴定する方法(JISK3362-1978
「合成洗剤試験方法」p.10)やその改良法であるジ
クロロエタンを抽出溶媒とし、ブロモフェノールブルー
を指示薬とする方法[油化学,11,309(196
2)]が用いられている。また陽イオン界面活性剤の希
薄溶液の濃度を測定する方法としては、オレンジIIとの
錯塩をクロロホルムで抽出し、485nmにおける吸光
度を測定し定量する方法[Anal.Chem.,4
0,769(1968)]および陽イオン界面活性剤に
感応する液膜型イオン電極を指示電極として用い、電位
差滴定法で陽イオン界面活性剤濃度を定量する方法[A
nal Chem.,60,2399(1988)]な
どがある。
る方法としては、リンタングステン酸でコンゴーレッド
を指示薬として直接滴定する方法[工業化学雑誌,7
4,668(1971)],クロロホルムを抽出溶媒お
よびメチレンブルーを指示薬として標準陰イオン界面活
性剤溶液で分相滴定する方法(JISK3362-1978
「合成洗剤試験方法」p.10)やその改良法であるジ
クロロエタンを抽出溶媒とし、ブロモフェノールブルー
を指示薬とする方法[油化学,11,309(196
2)]が用いられている。また陽イオン界面活性剤の希
薄溶液の濃度を測定する方法としては、オレンジIIとの
錯塩をクロロホルムで抽出し、485nmにおける吸光
度を測定し定量する方法[Anal.Chem.,4
0,769(1968)]および陽イオン界面活性剤に
感応する液膜型イオン電極を指示電極として用い、電位
差滴定法で陽イオン界面活性剤濃度を定量する方法[A
nal Chem.,60,2399(1988)]な
どがある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】前記分相滴定法や吸光
光度法は、いずれも手動的な方法であるため操作に熟練
を要し、また分析に長時間を要する欠点があった。
光度法は、いずれも手動的な方法であるため操作に熟練
を要し、また分析に長時間を要する欠点があった。
【0005】また前記液膜型イオン電極を指示電極とし
て用い、電位差滴定法で陽イオン界面活性剤濃度を定量
する方法は、陽イオン界面活性剤が電極の感応物質を溶
かすため、長時間使用すると電位が不安定となり、測定
の際、大きな誤差を生じるという問題点があった。イオ
ン選択性電極は、フッ素イオン電極のように既に安定な
ものも開発され、JIS法にも採用されるなど一部実用
の域に達したものもあるが、陽イオン殊に有機陽イオン
に対するものは未だ安定なものはない。
て用い、電位差滴定法で陽イオン界面活性剤濃度を定量
する方法は、陽イオン界面活性剤が電極の感応物質を溶
かすため、長時間使用すると電位が不安定となり、測定
の際、大きな誤差を生じるという問題点があった。イオ
ン選択性電極は、フッ素イオン電極のように既に安定な
ものも開発され、JIS法にも採用されるなど一部実用
の域に達したものもあるが、陽イオン殊に有機陽イオン
に対するものは未だ安定なものはない。
【0006】本発明の発明者らはポリ塩化ビニル,可塑
剤および特定のテトラフェニルホウ素誘導体やヘテロポ
リ酸塩からなる塩化ビニル組成物をイオン選択性膜とし
て用いることにより、上記の問題点が解決されることを
見出した。
剤および特定のテトラフェニルホウ素誘導体やヘテロポ
リ酸塩からなる塩化ビニル組成物をイオン選択性膜とし
て用いることにより、上記の問題点が解決されることを
見出した。
【0007】従って本発明の目的は、陽イオン界面活性
剤の濃度を短時間に高精度で定量でき、しかも長時間使
用しても安定なイオン選択性電極用高分子膜およびそれ
を用いた陽イオン界面活性剤濃度の測定方法を提供する
ことにある。
剤の濃度を短時間に高精度で定量でき、しかも長時間使
用しても安定なイオン選択性電極用高分子膜およびそれ
を用いた陽イオン界面活性剤濃度の測定方法を提供する
ことにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、 (a)ポリ塩化ビニル24ないし30重量% (b)可塑剤75ないし60重量%および (c)下記一般式
【化3】 (式中A- は
【化4】 1/4[(SiO4 W12O36)4-]または 1/3[(PO4 Mo12O36)3-]であり、R1 〜R
4 はそれぞれ独立してC1 〜C18のアルキル基又はベン
ジル基、Y1 〜Y4 はそれぞれ独立して、H,F,Cl
又はCF3 を示す。)で表わされる第4級アンモニウム
塩が1ないし10重量%からなることを特徴とするイオ
ン選択性電極用高分子膜、および前記イオン選択性電極
用高分子膜を用いた陽イオン界面活性剤濃度の測定方法
である。
4 はそれぞれ独立してC1 〜C18のアルキル基又はベン
ジル基、Y1 〜Y4 はそれぞれ独立して、H,F,Cl
又はCF3 を示す。)で表わされる第4級アンモニウム
塩が1ないし10重量%からなることを特徴とするイオ
ン選択性電極用高分子膜、および前記イオン選択性電極
用高分子膜を用いた陽イオン界面活性剤濃度の測定方法
である。
【0009】本発明で用いることのできるポリ塩化ビニ
ル(a)は、市販のポリ塩化ビニルのいずれをも用いる
ことができるが、数平均重合度300〜3000のもの
が好ましく、さらに好ましくは数平均重合度1000〜
2000のものである。数平均重合度が300未満の時
は膜の機械的強度が弱く、3000を超えるとイオン選
択性が低下するので好ましくない。ポリ塩化ビニルの数
平均重合度は、粘度測定法による分子量の測定によって
求めることができる。
ル(a)は、市販のポリ塩化ビニルのいずれをも用いる
ことができるが、数平均重合度300〜3000のもの
が好ましく、さらに好ましくは数平均重合度1000〜
2000のものである。数平均重合度が300未満の時
は膜の機械的強度が弱く、3000を超えるとイオン選
択性が低下するので好ましくない。ポリ塩化ビニルの数
平均重合度は、粘度測定法による分子量の測定によって
求めることができる。
【0010】本発明で用いることのできる可塑剤(b)
は、O−ニトロフェニルオクチルエーテル,O−ニトロ
フェニルフェニルエーテル,2−フルオロ−2′−ニト
ロジフェニルエーテル,ジ−n−オクチルフェニルホス
ホネート,フタル酸ジ−n−オクチル,フタル酸ジ−2
−エチルヘキシル,アジピン酸ジ−オクチル,アジピン
酸ジ−2−エチルヘキシルなどを例示することができ
る。
は、O−ニトロフェニルオクチルエーテル,O−ニトロ
フェニルフェニルエーテル,2−フルオロ−2′−ニト
ロジフェニルエーテル,ジ−n−オクチルフェニルホス
ホネート,フタル酸ジ−n−オクチル,フタル酸ジ−2
−エチルヘキシル,アジピン酸ジ−オクチル,アジピン
酸ジ−2−エチルヘキシルなどを例示することができ
る。
【0011】本発明で用いることのできる第4級アンモ
ニウム塩(c)は下記一般式
ニウム塩(c)は下記一般式
【化5】 (ここにA- は
【化6】 1/4[(SiO4 W12O36)4-]または 1/3[(PO4 Mo12O36)3-]であり、R1 〜R
4 はそれぞれ独立してC1 〜C18のアルキル基又はベン
ジル基、Y1 〜Y4 はそれぞれ独立して、H,F,Cl
又はCF3 を示す。)で表わされる第4級アンモニウム
塩である。
4 はそれぞれ独立してC1 〜C18のアルキル基又はベン
ジル基、Y1 〜Y4 はそれぞれ独立して、H,F,Cl
又はCF3 を示す。)で表わされる第4級アンモニウム
塩である。
【0012】これらの中、陽イオン界面活性剤選択性電
極の感応物質として用いた場合の性能等を考慮するとY
がトリフルオロメチル基であるものが好適である。
極の感応物質として用いた場合の性能等を考慮するとY
がトリフルオロメチル基であるものが好適である。
【0013】このようなテトラフェニルホウ素誘導体の
中、テトラフェニルホウ素テトラデシルジメチルベンジ
ルアンモニウム塩系ではテトラキス(p−クロロフェニ
ル)ホウ素テトラデシルジメチルベンジルアンモニウム
塩,テトラキス(p−フルオロフェニル)ホウ素テトラ
デシルジメチルベンジルアンモニウム塩,テトラキス
(p−トリフルオロメチルフェニル)ホウ素テトラデシ
ルジメチルアンモニウム塩,テトラキス[3,5−ビス
(トリフルオロメチル)フェニル]ホウ素テトラデシル
ジメチルベンジルアンモニウム塩などがある。また、テ
トラフェニルホウ素ドデシルトリメチルアンモニウム塩
系では、テトラキス(p−クロロフェニル)ホウ素ドデ
シルトリメチルアンモニウム塩,テトラキス(p−フル
オロフェニル)ホウ素ドデシルトリメチルアンモニウム
塩,テトラキス(p−トリフルオロメチルフェニル)ホ
ウ素ドデシルトリメチルアンモニウム塩,テトラキス
[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ホウ
素ドデシルトリメチルアンモニウム塩などを例示するこ
とができる。
中、テトラフェニルホウ素テトラデシルジメチルベンジ
ルアンモニウム塩系ではテトラキス(p−クロロフェニ
ル)ホウ素テトラデシルジメチルベンジルアンモニウム
塩,テトラキス(p−フルオロフェニル)ホウ素テトラ
デシルジメチルベンジルアンモニウム塩,テトラキス
(p−トリフルオロメチルフェニル)ホウ素テトラデシ
ルジメチルアンモニウム塩,テトラキス[3,5−ビス
(トリフルオロメチル)フェニル]ホウ素テトラデシル
ジメチルベンジルアンモニウム塩などがある。また、テ
トラフェニルホウ素ドデシルトリメチルアンモニウム塩
系では、テトラキス(p−クロロフェニル)ホウ素ドデ
シルトリメチルアンモニウム塩,テトラキス(p−フル
オロフェニル)ホウ素ドデシルトリメチルアンモニウム
塩,テトラキス(p−トリフルオロメチルフェニル)ホ
ウ素ドデシルトリメチルアンモニウム塩,テトラキス
[3,5−ビス(トリフルオロメチル)フェニル]ホウ
素ドデシルトリメチルアンモニウム塩などを例示するこ
とができる。
【0014】さらにA- として上記一般式で示されるテ
トラフェニルホウ素塩()以外にケイタングステン
酸[H4 (SiO4 W12O36)]およびリンモリブデ
ン酸の第四級アンモニウム塩を用いることができる。こ
のような第四級アンモニウム塩としては、たとえばケイ
タングステン酸テトラデシルジメチルベンジルアンモニ
ウム塩,リンモリブデン酸テトラデシルジメチルベンジ
ルアンモニウム塩,ケイタングステン酸ドデシルトリメ
チルアンモニウム塩,リンモリブデン酸ドデシルトリメ
チルアンモニウム塩などを例示することができる。
トラフェニルホウ素塩()以外にケイタングステン
酸[H4 (SiO4 W12O36)]およびリンモリブデ
ン酸の第四級アンモニウム塩を用いることができる。こ
のような第四級アンモニウム塩としては、たとえばケイ
タングステン酸テトラデシルジメチルベンジルアンモニ
ウム塩,リンモリブデン酸テトラデシルジメチルベンジ
ルアンモニウム塩,ケイタングステン酸ドデシルトリメ
チルアンモニウム塩,リンモリブデン酸ドデシルトリメ
チルアンモニウム塩などを例示することができる。
【0015】上記一般式で示される本発明のテトラフェ
ニルホウ素誘導体塩あるいはヘテロポリ酸を用いること
により、長時間使用しても安定で、寿命の長い高分子膜
を得ることができる。
ニルホウ素誘導体塩あるいはヘテロポリ酸を用いること
により、長時間使用しても安定で、寿命の長い高分子膜
を得ることができる。
【0016】イオン選択性電極用高分子膜は、以下の方
法で作製することができる。ポリ塩化ビニル24ないし
30重量%,可塑剤75ないし60重量%およびテトラ
フェニルホウ素誘導体あるいはヘテロポリ酸塩1ないし
10重量%からなる混合物を20〜100倍量(重量基
準)の有機溶媒に溶解する。この溶液をガラス板上にお
いた内径20〜40mmのガラスリング中に入れ、溶媒
を蒸発し、イオン選択性電極用高分子膜を得る。イオン
選択性電極用高分子膜製造の際の有機溶媒としては、テ
トラヒドロフランなどを使用することができる。
法で作製することができる。ポリ塩化ビニル24ないし
30重量%,可塑剤75ないし60重量%およびテトラ
フェニルホウ素誘導体あるいはヘテロポリ酸塩1ないし
10重量%からなる混合物を20〜100倍量(重量基
準)の有機溶媒に溶解する。この溶液をガラス板上にお
いた内径20〜40mmのガラスリング中に入れ、溶媒
を蒸発し、イオン選択性電極用高分子膜を得る。イオン
選択性電極用高分子膜製造の際の有機溶媒としては、テ
トラヒドロフランなどを使用することができる。
【0017】高分子膜を構成する組成物中のポリ塩化ビ
ニルが24重量%未満では、得られた高分子膜が柔らか
く、30重量%を超えると得られた高分子膜が硬くなる
ので好ましくない。可塑剤が75重量%を超えるかまた
は60重量%未満では高分子膜の形成が困難となり好ま
しくない。第四級アンモニウム塩が1重量%未満では、
高分子膜を電極に取り付けた時、陽イオン界面活性剤に
対する安定性が悪く、10重量%を超えて添加しても感
度は向上しない。
ニルが24重量%未満では、得られた高分子膜が柔らか
く、30重量%を超えると得られた高分子膜が硬くなる
ので好ましくない。可塑剤が75重量%を超えるかまた
は60重量%未満では高分子膜の形成が困難となり好ま
しくない。第四級アンモニウム塩が1重量%未満では、
高分子膜を電極に取り付けた時、陽イオン界面活性剤に
対する安定性が悪く、10重量%を超えて添加しても感
度は向上しない。
【0018】本発明のイオン選択性電極用高分子膜は、
市販の液膜型電極の先端に取り付けて使用することがで
きる。電極は適当な参照電極、内部液との組み合わせに
よって電池を構成し、エレクトロメータを用いて膜電位
の測定を行う。例えば内部参照電極として|Ag|Ag
Cl|系,外部参照電極としてカロメル電極を用い、下
記のような電池系を構成して膜電位を測定する。
市販の液膜型電極の先端に取り付けて使用することがで
きる。電極は適当な参照電極、内部液との組み合わせに
よって電池を構成し、エレクトロメータを用いて膜電位
の測定を行う。例えば内部参照電極として|Ag|Ag
Cl|系,外部参照電極としてカロメル電極を用い、下
記のような電池系を構成して膜電位を測定する。
【0019】 また、前記イオン選択性電極の内部液には0.05〜
1.0mmol/lのテトラデシルジメチルベンジルア
ンモニウムクロライド水溶液と0.05〜1.0mmo
l/lの塩化カリウム水溶液との混合物などを用いるこ
とができる。
1.0mmol/lのテトラデシルジメチルベンジルア
ンモニウムクロライド水溶液と0.05〜1.0mmo
l/lの塩化カリウム水溶液との混合物などを用いるこ
とができる。
【0020】本発明による陽イオン界面活性剤の濃度の
測定は、直接検量線法および電位差滴定法により行うこ
とができる。
測定は、直接検量線法および電位差滴定法により行うこ
とができる。
【0021】直接検量線法は、あらかじめ10-6〜10
-3mol/lの既知濃度の陽イオン界面活性剤溶液を前
記の電極で測定し、陽イオン界面活性剤の濃度と起電力
との関係から検量線を作成しておき、その検量線から未
知濃度の陽イオン界面活性剤溶液の濃度を求めることが
できる。
-3mol/lの既知濃度の陽イオン界面活性剤溶液を前
記の電極で測定し、陽イオン界面活性剤の濃度と起電力
との関係から検量線を作成しておき、その検量線から未
知濃度の陽イオン界面活性剤溶液の濃度を求めることが
できる。
【0022】電位差滴定法は、未知濃度の陽イオン界面
活性剤溶液に、前記電極を指示電極として用い、既知濃
度の第四級アンモニウム塩溶液で電位差滴定を行って求
めることができる。
活性剤溶液に、前記電極を指示電極として用い、既知濃
度の第四級アンモニウム塩溶液で電位差滴定を行って求
めることができる。
【0023】
【実施例】参考例および実施例により本発明を説明す
る。まず、参考例によりテトラフェニルホウ素誘導体塩
の製造法を説明する。
る。まず、参考例によりテトラフェニルホウ素誘導体塩
の製造法を説明する。
【0024】参考例1 テトラフェニルホウ素ナトリウム(20mmol)を2
5mlの水に溶かし、この溶液に別に20mmolのテ
トラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライドを
20mlの水に溶かした溶液を加えて沈殿を生成させ
た。沈殿をG4ガラスフィルターでろ過した。水で2回
洗浄し、60℃で真空乾燥してテトラフェニルホウ素テ
トラデシルジメチルベンジルアンモニウム塩を得た。
5mlの水に溶かし、この溶液に別に20mmolのテ
トラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライドを
20mlの水に溶かした溶液を加えて沈殿を生成させ
た。沈殿をG4ガラスフィルターでろ過した。水で2回
洗浄し、60℃で真空乾燥してテトラフェニルホウ素テ
トラデシルジメチルベンジルアンモニウム塩を得た。
【0025】参考例2 テトラキス(p−クロロフェニル)ホウ素カリウム(2
0mmol)のエチルエーテル溶液50mlとテトラデ
シルジメチルベンジルアンモニウムクロライド(20m
mol)の水溶液50mlを分液ロートに入れ、十分に
振とうした。分液後、エーテル相を水で2回洗浄し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥後、エーテルを留去してテトラ
キス(p−クロロフェニル)ホウ素テトラデシルジメチ
ルベンジルアンモニウム塩を得た。
0mmol)のエチルエーテル溶液50mlとテトラデ
シルジメチルベンジルアンモニウムクロライド(20m
mol)の水溶液50mlを分液ロートに入れ、十分に
振とうした。分液後、エーテル相を水で2回洗浄し、無
水硫酸ナトリウムで乾燥後、エーテルを留去してテトラ
キス(p−クロロフェニル)ホウ素テトラデシルジメチ
ルベンジルアンモニウム塩を得た。
【0026】参考例3 参考例2のテトラキス(p−クロロフェニル)ホウ素カ
リウムをテトラキス(p−フルオロフェニル)ホウ素ナ
トリウムに代えた以外は参考例2に準じて操作を行い、
テトラキス(p−フルオロフェニル)ホウ素テトラデシ
ルジメチルベンジルアンモニウム塩を作製した。
リウムをテトラキス(p−フルオロフェニル)ホウ素ナ
トリウムに代えた以外は参考例2に準じて操作を行い、
テトラキス(p−フルオロフェニル)ホウ素テトラデシ
ルジメチルベンジルアンモニウム塩を作製した。
【0027】参考例4 参考例2のテトラキス(p−クロロフェニル)ホウ素カ
リウムをナトリウムテトラキス[3,5−ビス(トリフ
ルオロメチル)フェニル]ホウ素に代えた以外は参考例
2に準じて操作を行い、テトラキス[3,5−ビス(ト
リフルオロメチル)フェニル]ホウ素テトラデシルジメ
チルベンジルアンモニウム塩を作製した。
リウムをナトリウムテトラキス[3,5−ビス(トリフ
ルオロメチル)フェニル]ホウ素に代えた以外は参考例
2に準じて操作を行い、テトラキス[3,5−ビス(ト
リフルオロメチル)フェニル]ホウ素テトラデシルジメ
チルベンジルアンモニウム塩を作製した。
【0028】次に参考例によりヘテロポリ酸塩の作製法
を説明する。
を説明する。
【0029】参考例5 ケイタングステン酸(20mmol)を25mlの水に
溶かし、この溶液に別にテトラデシルジメチルベンジル
アンモニウムクロライド(30mmol)を25mlの
水に溶かした溶液を加えて沈殿を生成させ、一度沸と
う、冷却後沈殿をG4ガラスフィルターでろ過した。沈
殿を水で2回洗浄し、110℃で乾燥してケイタングス
テン酸テトラデシルジメチルベンジルアンモニウム塩を
得た。
溶かし、この溶液に別にテトラデシルジメチルベンジル
アンモニウムクロライド(30mmol)を25mlの
水に溶かした溶液を加えて沈殿を生成させ、一度沸と
う、冷却後沈殿をG4ガラスフィルターでろ過した。沈
殿を水で2回洗浄し、110℃で乾燥してケイタングス
テン酸テトラデシルジメチルベンジルアンモニウム塩を
得た。
【0030】参考例6 参考例5のケイタングステン酸をリンモリブデン酸に代
えた以外は参考例5に準じて操作を行い、リンモリブデ
ン酸テトラデシルジメチルベンジルアンモニウム塩を得
た。
えた以外は参考例5に準じて操作を行い、リンモリブデ
ン酸テトラデシルジメチルベンジルアンモニウム塩を得
た。
【0031】実施例1(イオン選択性電極用高分子膜の
作成) 次に上記参考例1〜6で得られた各種の第四級アンモニ
ウム塩(イオン会合体)を表1に示す重合度の異なる各
種ポリ塩化ビニルおよび各種可塑剤を表1に示す配合量
で配合し、各種イオン選択性電極用高分子膜を作成し
た。
作成) 次に上記参考例1〜6で得られた各種の第四級アンモニ
ウム塩(イオン会合体)を表1に示す重合度の異なる各
種ポリ塩化ビニルおよび各種可塑剤を表1に示す配合量
で配合し、各種イオン選択性電極用高分子膜を作成し
た。
【0032】
【表1】
【0033】但し表1に示した可塑剤および感応物質の
記号は下記の化合物を表わす。 o−NPOE:o−ニトロフェニルオクチルエーテル DOP:ジオクチルフタレート TPB・C:テトラフェニルホウ素テトラデシルジメチ
ルベンジルアンモニウム塩 ClTPB・C:テトラキス(p−クロロフェニル)ホ
ウ素テトラデシルジメチルベンジルアンモニウム塩 FTPB・C:テトラキス(p−フルオロフェニル)ホ
ウ素テトラデシルジメチルベンジルアンモニウム塩 (CF3 )2 TPB・C:テトラキス[3,5−ビス
(トリフルオロメチル)フェニル]ホウ素テトラデシル
ジメチルベンジルアンモニウム塩 SiW・C:ケイタングステン酸テトラデシルジメチル
ベンジルアンモニウム塩 PMo・C:リンモリブデン酸テトラデシルジメチルベ
ンジルアンモニウム塩
記号は下記の化合物を表わす。 o−NPOE:o−ニトロフェニルオクチルエーテル DOP:ジオクチルフタレート TPB・C:テトラフェニルホウ素テトラデシルジメチ
ルベンジルアンモニウム塩 ClTPB・C:テトラキス(p−クロロフェニル)ホ
ウ素テトラデシルジメチルベンジルアンモニウム塩 FTPB・C:テトラキス(p−フルオロフェニル)ホ
ウ素テトラデシルジメチルベンジルアンモニウム塩 (CF3 )2 TPB・C:テトラキス[3,5−ビス
(トリフルオロメチル)フェニル]ホウ素テトラデシル
ジメチルベンジルアンモニウム塩 SiW・C:ケイタングステン酸テトラデシルジメチル
ベンジルアンモニウム塩 PMo・C:リンモリブデン酸テトラデシルジメチルベ
ンジルアンモニウム塩
【0034】実施例1−(1) ポリ塩化ビニル(数平均重合度1300)52.2mg
とO−ニトロフェニルオクチルエーテル120.6mg
と参考例1で得られたテトラフェニルホウ素テトラデシ
ルジメチルベンジルアンモニウム塩7.2mgとを4m
lのテトラヒドロフランに溶解した。この溶液をガラス
板上においた内径30mmのガラスリング中に入れて溶
媒を蒸発し、イオン選択性電極用高分子膜を得た。
とO−ニトロフェニルオクチルエーテル120.6mg
と参考例1で得られたテトラフェニルホウ素テトラデシ
ルジメチルベンジルアンモニウム塩7.2mgとを4m
lのテトラヒドロフランに溶解した。この溶液をガラス
板上においた内径30mmのガラスリング中に入れて溶
媒を蒸発し、イオン選択性電極用高分子膜を得た。
【0035】実施例1−(2)〜(6) 実施例1〜(1)においてテトラフェニルホウ素テトラ
デシルジメチルベンジルアンモニウム塩の代わりに第1
表記載の参考例2〜6で得られた各種テトラフェニルホ
ウ素誘導体塩あるいはヘテロポリ酸塩を用いてイオン選
択性電極用高分子膜を作成した。
デシルジメチルベンジルアンモニウム塩の代わりに第1
表記載の参考例2〜6で得られた各種テトラフェニルホ
ウ素誘導体塩あるいはヘテロポリ酸塩を用いてイオン選
択性電極用高分子膜を作成した。
【0036】実施例1−(7) ポリ塩化ビニル(平均重合度1200)52.2mgと
O−ニトロフェニルオクチルエーテル124.2mgと
参考例4で得られたテトラキス[3,5−ビス(トリフ
ルオロメチル)フェニル]ホウ素テトラデシルジメチル
ベンジルアンモニウム塩3.6mgとを4mlのテトラ
ヒドロフランに溶解した。この溶液から実施例1−
(1)と同じ方法でイオン選択性電極用高分子膜を得
た。
O−ニトロフェニルオクチルエーテル124.2mgと
参考例4で得られたテトラキス[3,5−ビス(トリフ
ルオロメチル)フェニル]ホウ素テトラデシルジメチル
ベンジルアンモニウム塩3.6mgとを4mlのテトラ
ヒドロフランに溶解した。この溶液から実施例1−
(1)と同じ方法でイオン選択性電極用高分子膜を得
た。
【0037】実施例1−(8) ポリ塩化ビニル(平均重合度15000)52.2mg
とO−ニトロフェニルオクチルエーテル117.0mg
と参考例4で得られたテトラキス[3,5−ビス(トリ
フルオロメチル)フェニル]ホウ素テトラデシルジメチ
ルベンジルアンモニウム塩10.8mgとを4mlのテ
トラヒドロフランに溶解した。この溶液から実施例1−
(1)と同じ方法でイオン選択性電極用高分子膜を得
た。
とO−ニトロフェニルオクチルエーテル117.0mg
と参考例4で得られたテトラキス[3,5−ビス(トリ
フルオロメチル)フェニル]ホウ素テトラデシルジメチ
ルベンジルアンモニウム塩10.8mgとを4mlのテ
トラヒドロフランに溶解した。この溶液から実施例1−
(1)と同じ方法でイオン選択性電極用高分子膜を得
た。
【0038】実施例1−(9) ポリ塩化ビニル(平均重合度1300)52.2mgと
ジオクチルフタレート117.0mgと参考例6で得ら
れたリンモリブデン酸テトラデシルジメチルベンジルア
ンモニウム塩10.8mgとを4mlのテトラヒドロフ
ランに溶解した。この溶液から実施例1−(1)と同じ
方法でイオン選択性電極用高分子膜を得た。
ジオクチルフタレート117.0mgと参考例6で得ら
れたリンモリブデン酸テトラデシルジメチルベンジルア
ンモニウム塩10.8mgとを4mlのテトラヒドロフ
ランに溶解した。この溶液から実施例1−(1)と同じ
方法でイオン選択性電極用高分子膜を得た。
【0039】実施例2(イオン選択性電極の作成) 実施例2−(1) フィリップス社製IS−561型の電極ボデーに実施例
1−(1)で作成したイオン選択性電極用高分子膜をそ
れぞれ取り付け、また、内部液に0.1mmol/lの
テトラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド
水溶液と0.1mmol/lの塩化カリウム水溶液を用
い、イオン選択性電極を作成した。
1−(1)で作成したイオン選択性電極用高分子膜をそ
れぞれ取り付け、また、内部液に0.1mmol/lの
テトラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド
水溶液と0.1mmol/lの塩化カリウム水溶液を用
い、イオン選択性電極を作成した。
【0040】実施例2−(2) 実施例2−(1)において、イオン選択性電極用高分子
膜を実施例1−(2)で得たイオン選択性高分子膜に代
えてイオン選択性電極を作成した。
膜を実施例1−(2)で得たイオン選択性高分子膜に代
えてイオン選択性電極を作成した。
【0041】実施例2−(3) 実施例2−(1)において、イオン選択性電極用高分子
膜を実施例1−(3)で得たイオン選択性高分子膜に代
えてイオン選択性電極を作成した。
膜を実施例1−(3)で得たイオン選択性高分子膜に代
えてイオン選択性電極を作成した。
【0042】実施例2−(4) 実施例2−(1)において、イオン選択性電極用高分子
膜を実施例1−(4)で得たイオン選択性高分子膜に代
えてイオン選択性電極を作成した。
膜を実施例1−(4)で得たイオン選択性高分子膜に代
えてイオン選択性電極を作成した。
【0043】実施例2−(5) 実施例2−(1)において、イオン選択性電極用高分子
膜を実施例1−(5)で得たイオン選択性高分子膜に代
えてイオン選択性電極を作成した。
膜を実施例1−(5)で得たイオン選択性高分子膜に代
えてイオン選択性電極を作成した。
【0044】実施例2−(6) 実施例2−(1)において、イオン選択性電極用高分子
膜を実施例1−(6)で得たイオン選択性高分子膜に代
えてイオン選択性電極を作成した。
膜を実施例1−(6)で得たイオン選択性高分子膜に代
えてイオン選択性電極を作成した。
【0045】実施例2−(7) 実施例2−(1)においてイオン選択性電極用高分子膜
を実施例1−(7)で得たイオン選択性高分子膜に代え
てイオン選択性電極を作成した。
を実施例1−(7)で得たイオン選択性高分子膜に代え
てイオン選択性電極を作成した。
【0046】実施例3(イオン選択性の測定) 実施例2−(4),(6)および(7)で作成した3種
類のイオン選択性電極でドデシルトリメチルアンモニ
ウムブロマイドテトラデシルトリメチルアンモニウム
ブロマイドヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロ
マイドオクタデシルトリメチルクロライドヘキサデ
シルジメチルベンジルアンモニウムクロライドヘキサ
デシルピリジニウムクロライドドデシルアミン塩酸塩
ドデシルジメチルアミン塩酸塩の選択係数を求めた。
選択係数は、JISK0122「イオン電極方法通則」
に従って求めた。すなわち、前記3種類の電極を用いて
10-3mol/lのテトラデシルジメチルベンジルアン
モニウムクロライド溶液の電位差(ETBA )と10-3m
ol/lの前記8種類の陽イオン界面活性剤の電位差
(EX )をそれぞれ20℃で測定した。次に得られた電
位差から次式によって選択係数を算出した。結果を表2
に示した。
類のイオン選択性電極でドデシルトリメチルアンモニ
ウムブロマイドテトラデシルトリメチルアンモニウム
ブロマイドヘキサデシルトリメチルアンモニウムブロ
マイドオクタデシルトリメチルクロライドヘキサデ
シルジメチルベンジルアンモニウムクロライドヘキサ
デシルピリジニウムクロライドドデシルアミン塩酸塩
ドデシルジメチルアミン塩酸塩の選択係数を求めた。
選択係数は、JISK0122「イオン電極方法通則」
に従って求めた。すなわち、前記3種類の電極を用いて
10-3mol/lのテトラデシルジメチルベンジルアン
モニウムクロライド溶液の電位差(ETBA )と10-3m
ol/lの前記8種類の陽イオン界面活性剤の電位差
(EX )をそれぞれ20℃で測定した。次に得られた電
位差から次式によって選択係数を算出した。結果を表2
に示した。
【0047】
【数1】
【0048】ここに、 K :選択係数 EX :測定した陽イオン界面活性剤溶液による電位差 ETBA :テトラデシルジメチルベンジルアンモニウムク
ロライド溶液による電位差 CTBA :テトラデシルジメチルベンジルアンモニウムの
濃度(mol/l) ZX :測定した陽イオン界面活性剤のイオン価 ZTBA :テトラデシルジメチルベンジルアンモニウムの
イオン価 R :気体定数(8.314J・K-1・mol-1) T :測定溶液の絶対温度(K) F :ファラデー定数[96485(C:クーロ
ン)] である。
ロライド溶液による電位差 CTBA :テトラデシルジメチルベンジルアンモニウムの
濃度(mol/l) ZX :測定した陽イオン界面活性剤のイオン価 ZTBA :テトラデシルジメチルベンジルアンモニウムの
イオン価 R :気体定数(8.314J・K-1・mol-1) T :測定溶液の絶対温度(K) F :ファラデー定数[96485(C:クーロ
ン)] である。
【0049】実施例4 実施例2−(4),(6)および(7)で作成した3種
類のイオン選択性電極でカリウムイオンナトリウム
イオンアンモニウムイオンカルシウムイオン第二
鉄イオンメチルアミン塩酸塩トリメチルアミン塩酸
塩アニリン塩酸塩のテトラデシルジメチルベンジルア
ンモニウムクロライドに対する選択係数を求めた。選択
係数の求め方は、実施例3と同様に行った。結果を表3
に示した。
類のイオン選択性電極でカリウムイオンナトリウム
イオンアンモニウムイオンカルシウムイオン第二
鉄イオンメチルアミン塩酸塩トリメチルアミン塩酸
塩アニリン塩酸塩のテトラデシルジメチルベンジルア
ンモニウムクロライドに対する選択係数を求めた。選択
係数の求め方は、実施例3と同様に行った。結果を表3
に示した。
【0050】表2および表3から明らかなように、本発
明のイオン選択性電極用高分子膜は、無機イオンその他
第3表に示した各種の陽イオン類に比べ、表3記載の陽
イオン界面活性剤に対して、はるかに大きい選択特性を
有する。このことから本発明の高分子膜は、陽イオン界
面活性剤の濃度を選択的に定量できる優れたイオン選択
性電極用高分子膜であることがわかる。
明のイオン選択性電極用高分子膜は、無機イオンその他
第3表に示した各種の陽イオン類に比べ、表3記載の陽
イオン界面活性剤に対して、はるかに大きい選択特性を
有する。このことから本発明の高分子膜は、陽イオン界
面活性剤の濃度を選択的に定量できる優れたイオン選択
性電極用高分子膜であることがわかる。
【0051】
【表2】
【0052】
【表3】
【0053】実施例5(濃度−起電力の検量線の作成) 実施例2−(4),(6)および(7)の3種類のイオ
ン選択性電極を用いて10-7〜10-3mol/lのテト
ラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド水溶
液の起電力を測定した。結果を図1に示す。
ン選択性電極を用いて10-7〜10-3mol/lのテト
ラデシルジメチルベンジルアンモニウムクロライド水溶
液の起電力を測定した。結果を図1に示す。
【0054】図1から明らかなように、この電極は10
-3〜5×10-6mol/lの濃度範囲のテトラデシルジ
メチルベンジルアンモニウムクロライドにNernst
応答(濃度の対数と起電力が比例)することが判明し
た。ここに得られた濃度の対数−起電力の検量線から直
接検量線法により陽イオン界面活性剤の濃度を測定する
ことができる。
-3〜5×10-6mol/lの濃度範囲のテトラデシルジ
メチルベンジルアンモニウムクロライドにNernst
応答(濃度の対数と起電力が比例)することが判明し
た。ここに得られた濃度の対数−起電力の検量線から直
接検量線法により陽イオン界面活性剤の濃度を測定する
ことができる。
【0055】実施例6(直接検量線法による陽イオン界
面活性剤濃度の測定) 実施例2−(4)で作成したイオン選択性電極を用い
て、実施例5で作成した検量線から各種陽イオン界面活
性剤の濃度を測定した。結果を表4に示した。
面活性剤濃度の測定) 実施例2−(4)で作成したイオン選択性電極を用い
て、実施例5で作成した検量線から各種陽イオン界面活
性剤の濃度を測定した。結果を表4に示した。
【0056】
【表4】
【0057】実施例7(電位差滴定法による陽イオン界
面活性剤濃度の測定) 実施例2−(4)で作成したイオン選択性電極を用い、
各種陽イオン界面活性剤を1mmolドデシル硫酸ナト
リウムで電位差滴定を行って陽イオン界面活性剤の濃度
を測定した。結果を表4に示した。
面活性剤濃度の測定) 実施例2−(4)で作成したイオン選択性電極を用い、
各種陽イオン界面活性剤を1mmolドデシル硫酸ナト
リウムで電位差滴定を行って陽イオン界面活性剤の濃度
を測定した。結果を表4に示した。
【0058】比較例1(滴定法による陽イオン界面活性
剤濃度の測定) 実施例6および7で示したと同じ各種陽イオン界面活性
剤水溶液10mlを三角フラスコにとり、これにコンゴ
ーレッド1〜2滴、0.1N塩酸2〜3滴およびニトロ
ベンゼン2〜3滴を加え、N/100リンタングステン
酸で液が青色を示すところを終点として滴定した。結果
を表4にあわせて示した。
剤濃度の測定) 実施例6および7で示したと同じ各種陽イオン界面活性
剤水溶液10mlを三角フラスコにとり、これにコンゴ
ーレッド1〜2滴、0.1N塩酸2〜3滴およびニトロ
ベンゼン2〜3滴を加え、N/100リンタングステン
酸で液が青色を示すところを終点として滴定した。結果
を表4にあわせて示した。
【0059】比較例2(従来の電位差滴定法による陽イ
オン界面活性剤濃度の測定) 実施例6および7で示したと同じ各種陽イオン界面活性
剤の濃度を従来の電位差滴定法で測定した。結果を表4
にあわせて示した。
オン界面活性剤濃度の測定) 実施例6および7で示したと同じ各種陽イオン界面活性
剤の濃度を従来の電位差滴定法で測定した。結果を表4
にあわせて示した。
【0060】表4に示されたとおり、本発明によるイオ
ン選択性電極用高分子膜を用いた陽イオン界面活性剤濃
度の測定方法は、直接検量線法,電位差滴定法のいずれ
を用いても従来法と同等の精度で分析結果が得られ、し
かも従来法よりはるかに簡便,迅速に行うことができ
る。
ン選択性電極用高分子膜を用いた陽イオン界面活性剤濃
度の測定方法は、直接検量線法,電位差滴定法のいずれ
を用いても従来法と同等の精度で分析結果が得られ、し
かも従来法よりはるかに簡便,迅速に行うことができ
る。
【0061】実施例8(イオン選択性電極の寿命) 実施例2−(4),(6)および(7)で作成した3種
類のイオン選択性電極を10-5mol/lテトラデシル
ジメチルベンジルアンモニウムクロライド溶液に入れて
長時間放置し、その間、1日,10日,1カ月,3カ月
および6カ月目に10-7〜10-3mol/lのテトラデ
シルジメチルベンジルアンモニウムクロライド溶液の起
電力を測定し、濃度と起電力との関係すなわち電位勾配
を求めた。その結果は第5表に示した。
類のイオン選択性電極を10-5mol/lテトラデシル
ジメチルベンジルアンモニウムクロライド溶液に入れて
長時間放置し、その間、1日,10日,1カ月,3カ月
および6カ月目に10-7〜10-3mol/lのテトラデ
シルジメチルベンジルアンモニウムクロライド溶液の起
電力を測定し、濃度と起電力との関係すなわち電位勾配
を求めた。その結果は第5表に示した。
【0062】
【表5】
【0063】比較例3 陽イオン界面活性剤選択性電極において、感応物質とし
てテトラブチルアンモニウムとトデシルサルフェートの
イオン対(0.10wt%)を、また可塑剤としてはト
リトリルホスフェート(59.95%)を用い、これを
分子量100,000のポリ塩化ビニル(39.95
%)に含浸させて用いた。実施例2−(4)の電極の高
分子膜をこの膜に変えて、実施例8と同様に10-5mo
l/lのテトラデシルジメチルベンジルアンモニウムク
ロライド溶液に入れて長時間放置し、その間1日,10
日,1カ月,3カ月および6カ月目に10-7〜10-3m
ol/lのテトラデシルジメチルベンジルアンモニウム
クロライド溶液の起電力を測定し、濃度と起電力から電
位勾配を求めた。その結果は表5にあわせて示した。
てテトラブチルアンモニウムとトデシルサルフェートの
イオン対(0.10wt%)を、また可塑剤としてはト
リトリルホスフェート(59.95%)を用い、これを
分子量100,000のポリ塩化ビニル(39.95
%)に含浸させて用いた。実施例2−(4)の電極の高
分子膜をこの膜に変えて、実施例8と同様に10-5mo
l/lのテトラデシルジメチルベンジルアンモニウムク
ロライド溶液に入れて長時間放置し、その間1日,10
日,1カ月,3カ月および6カ月目に10-7〜10-3m
ol/lのテトラデシルジメチルベンジルアンモニウム
クロライド溶液の起電力を測定し、濃度と起電力から電
位勾配を求めた。その結果は表5にあわせて示した。
【0064】表5から明らかなように、ミリポア膜に感
応物質を含浸させた膜を使用した比較例3のイオン選択
性電極は1カ月経過後、電位勾配が大きく低下している
のに対し、上記のテトラフェニルホウ素ハロゲン誘導体
やヘテロポリ酸(たとえばリンモリブデン酸)を用いた
本発明の高分子膜を使用した電極は、6カ月経過後でも
電位勾配の低下は僅かであり、長時間の使用に耐えるイ
オン選択性高分子膜であることが認められる。
応物質を含浸させた膜を使用した比較例3のイオン選択
性電極は1カ月経過後、電位勾配が大きく低下している
のに対し、上記のテトラフェニルホウ素ハロゲン誘導体
やヘテロポリ酸(たとえばリンモリブデン酸)を用いた
本発明の高分子膜を使用した電極は、6カ月経過後でも
電位勾配の低下は僅かであり、長時間の使用に耐えるイ
オン選択性高分子膜であることが認められる。
【0065】実施例9(陽イオン界面活性剤濃度の連続
測定) 電気化学計測社製7401型の電極ボデーに実施例2−
(4)で作成したイオン選択性電極用高分子膜を取り付
け、また内部液に0.1mmol/lのテトラデシルジ
メチルベンジルアンモニウムクロライド水溶液と0.1
mmol/lの塩化カリウム水溶液を用い、イオン選択
性電極を作成した。この電極と電気化学計測社製440
1型比較電極を同社製のフローセルに組み込み、さらに
これを図2に示すようなポンプ,電位差計および記録計
からなる連続測定のためのシステムを構成した。このシ
ステムによって10-5mol/lのテトラデシルジメチ
ルベンジルアンモニウムクロライドを連続的に1時間測
定した。その起電力の変化を図3に示す。ここで測定し
た起電力から図1で示した濃度と起電力の関係を検量線
としてテトラデシルジメチルアンモニウムクロライドの
濃度を求めることがで、その誤差は±2%の範囲であっ
た。また、10-5mol/lと10-4mol/lのテト
ラデシルジメチルアンモニウムクロライドを10分間隔
で取り替えて連続的に測定した結果を図4に示した。1
0-5mol/lおよび10-4mol/lの溶液いずれに
ついても±2%の誤差範囲で測定できること、また溶液
の濃度が変化した場合も1分以内に起電力が所定の値を
示すことが認められる。このように本発明のイオン選択
性高分子膜を用いた電極によって種々の流れのなかの陽
イオン界面活性剤の濃度を連続的に測定することが可能
である。
測定) 電気化学計測社製7401型の電極ボデーに実施例2−
(4)で作成したイオン選択性電極用高分子膜を取り付
け、また内部液に0.1mmol/lのテトラデシルジ
メチルベンジルアンモニウムクロライド水溶液と0.1
mmol/lの塩化カリウム水溶液を用い、イオン選択
性電極を作成した。この電極と電気化学計測社製440
1型比較電極を同社製のフローセルに組み込み、さらに
これを図2に示すようなポンプ,電位差計および記録計
からなる連続測定のためのシステムを構成した。このシ
ステムによって10-5mol/lのテトラデシルジメチ
ルベンジルアンモニウムクロライドを連続的に1時間測
定した。その起電力の変化を図3に示す。ここで測定し
た起電力から図1で示した濃度と起電力の関係を検量線
としてテトラデシルジメチルアンモニウムクロライドの
濃度を求めることがで、その誤差は±2%の範囲であっ
た。また、10-5mol/lと10-4mol/lのテト
ラデシルジメチルアンモニウムクロライドを10分間隔
で取り替えて連続的に測定した結果を図4に示した。1
0-5mol/lおよび10-4mol/lの溶液いずれに
ついても±2%の誤差範囲で測定できること、また溶液
の濃度が変化した場合も1分以内に起電力が所定の値を
示すことが認められる。このように本発明のイオン選択
性高分子膜を用いた電極によって種々の流れのなかの陽
イオン界面活性剤の濃度を連続的に測定することが可能
である。
【0066】
【発明の効果】本発明のイオン選択性電極用高分子膜は
陽イオン界面活性剤の濃度を短時間に高精度で定量で
き、長時間使用しても安定である。
陽イオン界面活性剤の濃度を短時間に高精度で定量で
き、長時間使用しても安定である。
【図1】本発明のイオン選択性電極用高分子膜を用いた
時の陽イオン界面活性剤の濃度と起電力の関係を示すグ
ラフである。
時の陽イオン界面活性剤の濃度と起電力の関係を示すグ
ラフである。
【図2】本発明によるイオン選択性電極を用いて、膜電
位を連続的に測定するためのシステムである。
位を連続的に測定するためのシステムである。
【図3】膜電位を連続測定した時の時間の経過による起
電力の変化を示す図である。
電力の変化を示す図である。
【図4】図3において濃度の異なる試料を一定間隔で取
り替え運転した時の時間の経過による起電力の変化を示
す図である。
り替え運転した時の時間の経過による起電力の変化を示
す図である。
1 ポンプ 2 フローセル 3 試料溶液貯槽 4 記録計
Claims (2)
- 【請求項1】(a)ポリ塩化ビニル24ないし30重量
% (b)可塑剤75ないし60重量%および (c)下記一般式 【化1】 (式中A- は 【化2】 1/4[(SiO4 W12O36)4-]または 1/3[(PO4 Mo12O36)3-]であり、R1 〜R
4 はそれぞれ独立してC1 〜C18のアルキル基又はベン
ジル基、Y1 〜Y4 はそれぞれ独立して、H,F,Cl
又はCF3 を示す。)で表わされる第4級アンモニウム
塩が1ないし10重量%からなることを特徴とするイオ
ン選択性電極用高分子膜。 - 【請求項2】 請求項1記載のイオン選択性電極用高分
子膜を装着したイオン選択性電極を用い、膜電位を測定
することを特徴とする陽イオン界面活性剤濃度の測定方
法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4100207A JPH05273174A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | イオン選択性電極用高分子膜および陽イオン界面活性剤濃度の測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4100207A JPH05273174A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | イオン選択性電極用高分子膜および陽イオン界面活性剤濃度の測定方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05273174A true JPH05273174A (ja) | 1993-10-22 |
Family
ID=14267864
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4100207A Pending JPH05273174A (ja) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | イオン選択性電極用高分子膜および陽イオン界面活性剤濃度の測定方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05273174A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009063538A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Univ Soka | 界面活性剤濃度測定装置及び界面活性剤濃度測定方法 |
ES2362078A1 (es) * | 2009-12-11 | 2011-06-28 | Consejo Superior De Investigaciones Cientificas (Csic) | Complejo tripolifosfato-tensioactivo catiónico como ionóforo en electrodos selectivos y sus aplicaciones. |
CN108469462A (zh) * | 2018-01-22 | 2018-08-31 | 中国农业大学 | 一种离子流速和细胞膜电位同步获取装置与方法 |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP4100207A patent/JPH05273174A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009063538A (ja) * | 2007-09-10 | 2009-03-26 | Univ Soka | 界面活性剤濃度測定装置及び界面活性剤濃度測定方法 |
ES2362078A1 (es) * | 2009-12-11 | 2011-06-28 | Consejo Superior De Investigaciones Cientificas (Csic) | Complejo tripolifosfato-tensioactivo catiónico como ionóforo en electrodos selectivos y sus aplicaciones. |
CN108469462A (zh) * | 2018-01-22 | 2018-08-31 | 中国农业大学 | 一种离子流速和细胞膜电位同步获取装置与方法 |
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