JPH0527191A - Production of vibrator plate - Google Patents

Production of vibrator plate

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JPH0527191A
JPH0527191A JP3206481A JP20648191A JPH0527191A JP H0527191 A JPH0527191 A JP H0527191A JP 3206481 A JP3206481 A JP 3206481A JP 20648191 A JP20648191 A JP 20648191A JP H0527191 A JPH0527191 A JP H0527191A
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JP
Japan
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vibrator plate
plate
vibrator
single crystal
elastic deformation
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Application number
JP3206481A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroki Kamota
裕樹 加守田
Hiroshi Goto
博史 後藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Omron Corp
Original Assignee
Omron Corp
Omron Tateisi Electronics Co
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Publication date
Application filed by Omron Corp, Omron Tateisi Electronics Co filed Critical Omron Corp
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Publication of JPH0527191A publication Critical patent/JPH0527191A/en
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Abstract

PURPOSE:To allow the production of the vibrator plate used for a miniature optical scanner, etc., by simple stages without generating work strains, etc., by machining, etc. CONSTITUTION:After a film 22 consisting of silicon nitride, etc., is formed on the surface of a single crystal silicon substrate 21, this film 22 is patterned to form an etching protective film 23 having the shape of the vibrator plate 2. The single crystal silicon substrate 21 is then etched from both the side of the etching protective film 23 and the surface on the side opposite therefrom, by which the vibrator plate 2 is obtd.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は振動子プレートの製造方
法に関する。具体的には、光スキャナ等に用いられる振
動子プレートの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method of manufacturing a vibrator plate. Specifically, it relates to a method for manufacturing a vibrator plate used for an optical scanner or the like.

【0002】[0002]

【背景技術】[Background technology]

(従来の技術)レーザビームプリンタやバーコードリー
ダ等の光応用機器の小型軽量化が進むなか、各種光学部
品の軽量短小化が要求されている。
(Prior Art) As optical devices such as laser beam printers and bar code readers are becoming smaller and lighter, various optical parts are required to be lighter and shorter.

【0003】それらの光学部品のうちでも、光スキャナ
は正多角形のポリゴンミラーを直流サーボモータで駆動
する構造のものが用いられており、小型化が困難で、レ
ーザビームプリンタ等を小型化するネックとなってい
た。
Among these optical components, the optical scanner has a structure in which a regular polygonal polygon mirror is driven by a DC servo motor, and it is difficult to miniaturize the laser beam printer. It was a neck.

【0004】(振動子プレートの説明)そこで、本発明
の出願人は、本発明に先立ち、振動子プレートの弾性を
利用した超小型光スキャナについて提案した(特許願平
成2年209804号)。
(Explanation of Transducer Plate) Therefore, prior to the present invention, the applicant of the present invention has proposed a microminiature optical scanner utilizing the elasticity of the oscillator plate (Japanese Patent Application No. 209804).

【0005】この超小型光スキャナの一例を図2に示
す。この光スキャナ1は、薄板状の振動子プレート2と
圧電振動子や磁歪振動子等の微小振動を発生する駆動源
3とから構成されている。振動子プレート2は、細幅状
ないし軸状をした弾性変形部4の下端に駆動源3からの
振動を印加させるための振動入力部5が一体に設けら
れ、弾性変形部4の上端部にはレーザビームαを反射さ
せるよう鏡面加工されたスキャン部6が一体に設けられ
ている。ここで、弾性変形部4は、軸心Pの回りにねじ
れ変形するねじれ変形モードと、軸心Pに沿って曲げ変
形する曲げ変形モードが可能になっている。スキャン部
6は、弾性変形部4の軸心Pに関してアンバランスな形
状に形成されており、弾性変形部4の軸心Pから離れた
部分にウエイト部7が形成されている。
An example of this ultra-compact optical scanner is shown in FIG. This optical scanner 1 is composed of a thin plate-shaped vibrator plate 2 and a drive source 3 that generates a minute vibration such as a piezoelectric vibrator or a magnetostrictive vibrator. The vibrator plate 2 is integrally provided with a vibration input unit 5 for applying a vibration from the driving source 3 to a lower end of an elastically deforming portion 4 having a narrow width or a shaft shape, and an upper end of the elastically deforming portion 4 is integrally provided. Is integrally provided with a scanning unit 6 which is mirror-finished so as to reflect the laser beam α. Here, the elastically deformable portion 4 is capable of a torsional deformation mode in which it is torsionally deformed around the axis P and a bending deformation mode in which it is bent and deformed along the axis P. The scanning portion 6 is formed in an unbalanced shape with respect to the axis P of the elastically deforming portion 4, and the weight portion 7 is formed at a portion distant from the axis P of the elastically deforming portion 4.

【0006】しかして、駆動源3から振動子プレート2
に弾性変形部4のねじれ変形モードの共振周波数と等し
い駆動周波数の微小振動を印加すると、この微小振動が
増幅されて弾性変形部4がねじれ変形モードで振動し、
スキャン部6が軸心Pの回りに回動する。
Therefore, the drive source 3 is changed to the vibrator plate 2
When a minute vibration having a drive frequency equal to the resonance frequency of the elastic deformation portion 4 in the torsional deformation mode is applied, the minute vibration is amplified and the elastic deformation portion 4 vibrates in the torsional deformation mode.
The scanning unit 6 rotates about the axis P.

【0007】一方、駆動源3から振動子プレート2に弾
性変形部4の曲げ変形モードの共振周波数と等しい駆動
周波数の微小振動を印加すると、この微小振動が増幅さ
れて弾性変形部4が曲げ変形モードで振動し、スキャン
部6が軸心Pと直交する軸Qの回りに回動する。
On the other hand, when a minute vibration having a drive frequency equal to the resonance frequency of the bending deformation mode of the elastic deformation portion 4 is applied from the driving source 3 to the vibrator plate 2, the minute vibration is amplified and the elastic deformation portion 4 is bent and deformed. The scanning unit 6 vibrates in the mode, and the scanning unit 6 rotates about an axis Q orthogonal to the axis P.

【0008】したがって、スキャン部6を軸Pまたは軸
Qの回りに回動させながら、鏡面加工されたスキャン部
6に半導体レーザ素子から出射されたレーザビームαを
照射すると、レーザビームαがスキャン部6で反射され
てスキャン部6の回動角θTまたはθBの2倍のスキャン
角で走査されるのである。また、両方向において同時に
スキャン部6を回動させることにより、レーザビームα
を2次元(面状)に走査させることができる。
Therefore, when the scanning unit 6 which is mirror-finished is irradiated with the laser beam α emitted from the semiconductor laser element while rotating the scanning unit 6 around the axis P or the axis Q, the laser beam α is scanned. The light is reflected by the scanning unit 6 and is scanned at a scan angle twice the rotation angle θ T or θ B of the scanning unit 6. Further, by simultaneously rotating the scanning unit 6 in both directions, the laser beam α
Can be scanned two-dimensionally (planar).

【0009】(開発当初における振動子プレートの製造
方法について)上記光スキャナの性能は、振動子プレー
トの材質及び弾性変形部の加工精度によって決定され
る。
(Regarding the method of manufacturing the vibrator plate at the beginning of development) The performance of the optical scanner is determined by the material of the vibrator plate and the processing accuracy of the elastically deforming portion.

【0010】このため、当初はステンレスの薄板に機械
加工を施すことによって振動子プレートを製作しようと
したが、弾性変形部の加工歪みのために十分な特性を得
ることができなかった。
Therefore, at first, it was attempted to manufacture the vibrator plate by machining a thin stainless plate, but it was not possible to obtain sufficient characteristics due to the processing strain of the elastically deformed portion.

【0011】つぎに、単結晶シリコン(Si)基板等の
半導体基板に半導体製造プロセスを適用して振動子プレ
ート2を製作することを考えた。この方法によれば、弾
性変形部に加工歪みを生じさせることなく、振動子プレ
ート2を精度良く製作することができた。
Next, it was considered to manufacture the vibrator plate 2 by applying a semiconductor manufacturing process to a semiconductor substrate such as a single crystal silicon (Si) substrate. According to this method, the vibrator plate 2 could be accurately manufactured without causing processing strain in the elastically deformable portion.

【0012】図3(a)〜(d)は単結晶シリコン基板
11を用いて振動子プレート2を製作する工程を示す。
これは、単結晶シリコン基板11を下面からエッチング
または研磨し、単結晶シリコン基板11を振動子プレー
ト2の厚みと等しくなるまで薄くする工程(図3
(a);単結晶シリコン基板1の裏面の削られた部分は
破線で表わされている。)と、単結晶シリコン基板11
の表面に窒化シリコン等の被膜12を形成する工程(図
3(b))と、フォトリソグラフィ等により被膜12を
パターニングして振動子プレート2と略等しい形状のエ
ッチング保護膜13を形成する工程と、エッチング保護
膜13をマスクとして単結晶シリコン基板11をKOH
等により上面側から選択的エッチングし、エッチング保
護膜13から露出した領域の単結晶シリコン基板11を
除去する工程(図3(c))と、エッチング保護膜13
を剥離し、振動子プレート2を得る工程(図3(d))
とからなっている。
3A to 3D show a process of manufacturing the vibrator plate 2 using the single crystal silicon substrate 11.
This is a process of etching or polishing the single crystal silicon substrate 11 from the lower surface and thinning the single crystal silicon substrate 11 until it becomes equal to the thickness of the vibrator plate 2 (FIG. 3).
(A); The scraped portion of the back surface of the single crystal silicon substrate 1 is represented by a broken line. ) And a single crystal silicon substrate 11
A step of forming a coating film 12 of silicon nitride or the like on the surface of the substrate (FIG. 3B), and a step of patterning the coating film 12 by photolithography or the like to form an etching protection film 13 having substantially the same shape as the vibrator plate 2. , The single-crystal silicon substrate 11 is KOH with the etching protection film 13 as a mask.
A step of selectively etching the upper surface side of the single crystal silicon substrate 11 from the etching protection film 13 (FIG. 3C), and the etching protection film 13
Of peeling off the substrate to obtain the vibrator plate 2 (FIG. 3D)
It consists of

【0013】しかしながら、振動子プレートのこのよう
な製造方法によれば、複雑な製造工程を要し、そのため
半導体基板から振動子プレートを製作するのに時間がか
かり、量産性及び低コスト化の点で問題があった。
However, according to such a method of manufacturing the vibrator plate, a complicated manufacturing process is required, so that it takes time to manufacture the vibrator plate from the semiconductor substrate, and mass production and cost reduction are required. I had a problem with.

【0014】また、半導体基板を裏面側からエッチング
または研磨することにより振動子プレートの厚みを出し
ているので、エッチング速度の制御が複雑であったり、
板厚の検査と研磨を交互に行なう必要があったりし、振
動子プレートの厚みのバラツキが大きく、振動子プレー
トの再現性が低かった。
Further, since the thickness of the vibrator plate is made by etching or polishing the semiconductor substrate from the back surface side, the control of the etching rate is complicated,
Since it was necessary to alternately perform plate thickness inspection and polishing, there was a large variation in the thickness of the vibrator plate, and the reproducibility of the vibrator plate was low.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、叙上の技術
的背景に鑑みてなされたものであり、その目的とすると
ころは、精度の良好な振動子プレートを半導体基板から
短時間で製作する方法を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above technical background, and an object thereof is to manufacture a vibrator plate having good accuracy from a semiconductor substrate in a short time. To provide a way to do.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明による振動子プレ
ートの製造方法は、少なくとも1つの弾性変形モードを
有する弾性変形部と、弾性変形部の一端に設けられた振
動入力部と、弾性変形部の他端に設けられた駆動部とを
有し、振動入力部に印加された微小振動を弾性変形部で
所定の弾性変形モードに変換して駆動部を回動させるよ
うにした振動子プレートの製造方法であって、半導体基
板の表面に前記振動子プレートの形状と略一致したパタ
ーンのエッチング保護膜を形成し、半導体基板のエッチ
ング保護膜を形成された面と反対側の面との両面を同時
にエッチングすることにより振動子プレートを得ること
を特徴としている。
According to the method of manufacturing a vibrator plate of the present invention, an elastic deformation portion having at least one elastic deformation mode, a vibration input portion provided at one end of the elastic deformation portion, and an elastic deformation portion. Of the vibrator plate having a drive unit provided at the other end of the vibrator plate, and converting the minute vibration applied to the vibration input unit into a predetermined elastic deformation mode by the elastic deformation unit to rotate the drive unit. In the manufacturing method, an etching protection film having a pattern substantially matching the shape of the vibrator plate is formed on the surface of the semiconductor substrate, and both surfaces of the surface of the semiconductor substrate opposite to the surface on which the etching protection film is formed are formed. The feature is that the vibrator plate is obtained by simultaneously etching.

【0017】また、振動子プレートを得るための半導体
基板は、振動子プレートの板厚の略2倍の厚みを有して
いることが好ましい。
Further, it is preferable that the semiconductor substrate for obtaining the vibrator plate has a thickness approximately twice the plate thickness of the vibrator plate.

【0018】[0018]

【作用】本発明にあっては、半導体基板の表面にエッチ
ング保護膜を形成した後、半導体基板のエッチング保護
膜を形成された面と反対側の面との両面から同時にエッ
チングを行なっているので、選択的エッチングにより振
動子プレートの形状を得る工程と振動子プレートの板厚
を得る工程を同時に実施することができ、振動子プレー
トの製作工程を減少させることができる。従って、振動
子プレートの製造工程が簡略になり、短時間で振動子プ
レートを製造できるようになって量産性が向上すると共
に製造コストも安価になる。
In the present invention, after the etching protection film is formed on the surface of the semiconductor substrate, the etching is simultaneously performed from both the surface of the semiconductor substrate on which the etching protection film is formed and the opposite surface. The step of obtaining the shape of the vibrator plate by selective etching and the step of obtaining the plate thickness of the vibrator plate can be performed at the same time, and the number of steps for manufacturing the vibrator plate can be reduced. Therefore, the manufacturing process of the vibrator plate is simplified, the vibrator plate can be manufactured in a short time, mass productivity is improved, and the manufacturing cost is reduced.

【0019】また、半導体基板のエッチング加工等によ
って振動子プレートを製作しているので、機械加工によ
る場合のように弾性変形部に加工歪みを生じさせること
がなく、振動特性及び信頼性にすぐれ、精度の良好な振
動子プレートを製作することができる。
Further, since the vibrator plate is manufactured by etching the semiconductor substrate or the like, it does not cause processing strain in the elastically deformed portion as in the case of mechanical processing, and has excellent vibration characteristics and reliability. It is possible to manufacture a vibrator plate with good accuracy.

【0020】さらに、振動子プレートの特性を左右する
振動子プレートの厚みは、振動子プレートの略2倍の厚
みの半導体基板を用いることにより精度良く得ることが
でき、面倒な制御を要することなく目的とする振動子プ
レートの厚みを得ることができる。
Further, the thickness of the vibrator plate, which influences the characteristics of the vibrator plate, can be accurately obtained by using a semiconductor substrate having a thickness approximately twice as large as that of the vibrator plate, without requiring troublesome control. The desired thickness of the vibrator plate can be obtained.

【0021】[0021]

【実施例】図1(a)(b)(c)(d)は本発明の一
実施例による振動子プレート2の製造工程を示す。図1
に従って振動子プレート2の製造方法を説明する。まず
単結晶シリコン基板21に脱脂及び洗浄等の表面処理を
施した後、単結晶シリコン基板21の上面(鏡面)に化
学蒸着(CVD)法またはスパッタ法等により窒化シリ
コン等の被膜22を形成する(図1(a))。このと
き、単結晶シリコン基板21は、振動子プレート2に要
求される板厚の2倍に等しい厚みのものを用いると、振
動子プレート2の厚み制御を容易に行なえる。例えば、
振動子プレート2の厚みを150μmにする場合には、
単結晶シリコン基板21の厚みは300μmとすればよ
い。
1 (a), 1 (b), 1 (c) and 1 (d) show manufacturing steps of a vibrator plate 2 according to an embodiment of the present invention. Figure 1
A method of manufacturing the vibrator plate 2 will be described below. First, the single crystal silicon substrate 21 is subjected to surface treatment such as degreasing and cleaning, and then a coating film 22 of silicon nitride or the like is formed on the upper surface (mirror surface) of the single crystal silicon substrate 21 by a chemical vapor deposition (CVD) method or a sputtering method. (FIG. 1 (a)). At this time, if the single crystal silicon substrate 21 having a thickness equal to twice the plate thickness required for the vibrator plate 2 is used, the thickness control of the vibrator plate 2 can be easily performed. For example,
When the thickness of the vibrator plate 2 is 150 μm,
The thickness of the single crystal silicon substrate 21 may be 300 μm.

【0022】ついで、フォトリソグラフィ及び反応性イ
オンエッチング(RIE)により窒化シリコン等の被膜
22をパターニングし、振動子プレート2の形状と同じ
形状のパターンを有するエッチング保護膜23を単結晶
シリコン基板21の上面に設ける(図1(b))。
Then, the coating film 22 of silicon nitride or the like is patterned by photolithography and reactive ion etching (RIE), and an etching protection film 23 having a pattern of the same shape as that of the vibrator plate 2 is formed on the single crystal silicon substrate 21. It is provided on the upper surface (FIG. 1 (b)).

【0023】エッチング保護膜23のパターンニング
後、単結晶シリコン基板21は例えば濃度25%のKO
H溶液に浸漬され、エッチングされる。この時、単結晶
シリコン基板21は、図1(c)に示すように、エッチ
ング保護膜23のマスクを通して上面側から選択的エッ
チングされると同時に下面側からもエッチングされる。
そして、上面側からのエッチングによって振動子プレー
ト2の形状が得られ、下面側からのエッチングによって
振動子プレート2の板厚となるように単結晶シリコン基
板21の下面が削られる。こうして、エッチング保護膜
23によって覆われている領域以外の単結晶シリコン基
板21が完全にエッチングされると、単結晶シリコン基
板21から振動子プレート2の形状が取り出され(エッ
チングによって除去された部分を図1(c)で破線によ
って表わす。)、この時上面側からのエッチング深さと
下面側からのエッチング深さとは等しいから、振動子プ
レート2の板厚は、単結晶シリコン基板21の当初の厚
みの1/2となる。
After patterning the etching protection film 23, the single crystal silicon substrate 21 is, for example, KO having a concentration of 25%.
It is immersed in the H solution and etched. At this time, as shown in FIG. 1C, the single crystal silicon substrate 21 is selectively etched from the upper surface side through the mask of the etching protection film 23 and simultaneously etched from the lower surface side.
Then, the shape of the oscillator plate 2 is obtained by etching from the upper surface side, and the lower surface of the single crystal silicon substrate 21 is ground so as to have the thickness of the oscillator plate 2 by etching from the lower surface side. Thus, when the single crystal silicon substrate 21 other than the region covered by the etching protection film 23 is completely etched, the shape of the vibrator plate 2 is taken out from the single crystal silicon substrate 21 (the portion removed by etching is 1C, which is indicated by a broken line.) At this time, since the etching depth from the upper surface side and the etching depth from the lower surface side are equal, the plate thickness of the vibrator plate 2 is the original thickness of the single crystal silicon substrate 21. It becomes 1/2 of.

【0024】こうしてエッチング保護膜23によって覆
われている領域以外の単結晶シリコン基板21が完全に
エッチングされたことを確認した後、この単結晶シリコ
ン基板21を充分に水洗及び乾燥させ、続いて、表面の
エッチング保護膜23を除去し、図1(d)に示すよう
な所望の板厚及び形状の振動子プレート2を得る。
After confirming that the single crystal silicon substrate 21 other than the region covered with the etching protection film 23 is completely etched, the single crystal silicon substrate 21 is thoroughly washed with water and dried, and then, The etching protection film 23 on the surface is removed to obtain a vibrator plate 2 having a desired plate thickness and shape as shown in FIG.

【0025】このような製造工程によれば、図1(c)
の工程において単結晶シリコン基板21を選択的エッチ
ングして振動子プレート2の形状を得る工程と、単結晶
シリコン基板21の下面全体をエッチングして、所望と
する板厚に調整する工程と同時に実施することができ、
振動子プレート2の製作工程を簡略化することができ
る。同時に振動子プレート2の板厚の制御も容易にな
る。
According to such a manufacturing process, as shown in FIG.
In the step of (1), the step of selectively etching the single crystal silicon substrate 21 to obtain the shape of the oscillator plate 2 and the step of etching the entire lower surface of the single crystal silicon substrate 21 to adjust the plate thickness to a desired value are performed. You can
The manufacturing process of the vibrator plate 2 can be simplified. At the same time, it becomes easy to control the plate thickness of the vibrator plate 2.

【0026】したがって、振動子プレート2を短時間で
製作可能になり、量産性及び再現性にすぐれ、振動子プ
レート2の精度も良好になる。また、加工歪みが生じな
いので、信頼性も向上する。特に、振動子プレート2の
厚み方向の加工精度については±10μm以内であるこ
とが確認されており、厚さ制御性においても優れた加工
方法となっている。
Therefore, the vibrator plate 2 can be manufactured in a short time, the mass productivity and the reproducibility are excellent, and the accuracy of the vibrator plate 2 is good. Further, since processing distortion does not occur, reliability is also improved. In particular, it has been confirmed that the processing accuracy in the thickness direction of the vibrator plate 2 is within ± 10 μm, and the processing method is also excellent in thickness controllability.

【0027】なお、上記実施例では振動子プレートを製
作するための材料(ウエハ)として単結晶シリコン基板
を用いたが、半導体製造プロセスによって加工できる材
料であればよく、例えばGaAs等の化合物半導体基板
を用いてもよい。また、振動子プレートは2軸方向に弾
性振動モードを有するものに限らず、1軸方向にのみ弾
性振動モードを有し、1方向にだけスキャン部が回動す
るものでもよい。さらに、この振動子プレートは図2の
ような光スキャナとして用いられるだけでなく、スキャ
ン部に発光ダイオード等の発光素子やフォトダイオード
等の受光素子を取り付けることにより走査性を有する投
光部または光検出器等としても用いることができるな
ど、種々の応用を有するものである。
In the above embodiment, the single crystal silicon substrate is used as the material (wafer) for manufacturing the vibrator plate, but any material that can be processed by the semiconductor manufacturing process may be used, for example, a compound semiconductor substrate such as GaAs. May be used. Further, the vibrator plate is not limited to the one having the elastic vibration mode in the two-axis directions, and may be the one having the elastic vibration mode only in the one-axis direction and the scanning unit rotating only in the one direction. Further, this vibrator plate is used not only as an optical scanner as shown in FIG. 2, but also by attaching a light emitting element such as a light emitting diode or a light receiving element such as a photodiode to the scanning section, a light projecting section or an optical element having a scanning property. It has various applications such that it can also be used as a detector or the like.

【0028】[0028]

【発明の効果】本発明によれば、振動子プレートの形状
を形成する工程と振動子プレートの厚みを得る工程とを
同時に実施することができるので、振動子プレートの製
作工程を簡略化することができ、半導体基板から振動子
プレートを短時間で形成することができ、量産性が向上
し、振動子プレートの製造コストを安価にすることがで
きる。
According to the present invention, since the step of forming the shape of the vibrator plate and the step of obtaining the thickness of the vibrator plate can be carried out at the same time, the manufacturing step of the vibrator plate can be simplified. Therefore, the vibrator plate can be formed from the semiconductor substrate in a short time, mass productivity is improved, and the manufacturing cost of the vibrator plate can be reduced.

【0029】また、振動子プレートに機械加工による加
工歪みが生じることがないので、振動子プレートの特性
及び信頼性が向上し、精度の良好な振動子プレートを制
作することができる。
Further, since there is no machining strain in the vibrator plate due to mechanical processing, the characteristics and reliability of the vibrator plate are improved, and the vibrator plate with good accuracy can be manufactured.

【0030】さらに、振動子プレートの厚みも元の半導
体基板の厚みによって容易に制御することができ、面倒
な制御を行なうことなく精度よく目的とする振動子プレ
ートの厚み得ることができる。
Furthermore, the thickness of the vibrator plate can be easily controlled by the thickness of the original semiconductor substrate, and the desired vibrator plate thickness can be obtained with high precision without complicated control.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】(a)(b)(c)(d)は本発明の一実施例
による振動子プレートの製造方法を示す斜視図である。
1A, 1B, 1C and 1D are perspective views showing a method of manufacturing a vibrator plate according to an embodiment of the present invention.

【図2】振動子プレートを用いた光スキャナを示す斜視
図である。
FIG. 2 is a perspective view showing an optical scanner using a vibrator plate.

【図3】(a)(b)(c)(d)は本発明の着想以前
に実施された振動子プレートの製造方法を示す斜視図で
ある。
3 (a), (b), (c) and (d) are perspective views showing a method of manufacturing a vibrator plate, which was carried out before the idea of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 振動子プレート 4 弾性変形部 5 振動入力部 6 スキャン部 21 単結晶シリコン基板 23 エッチング保護膜 2 oscillator plate 4 Elastic deformation part 5 Vibration input section 6 Scan section 21 Single crystal silicon substrate 23 Etching protection film

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 少なくとも1つの弾性変形モードを有す
る弾性変形部と、弾性変形部の一端に設けられた振動入
力部と、弾性変形部の他端に設けられた駆動部とを有
し、振動入力部に印加された微小振動を弾性変形部で所
定の弾性変形モードに変換して駆動部を回動させるよう
にした振動子プレートの製造方法であって、 半導体基板の表面に前記振動子プレートの形状と略一致
したパターンのエッチング保護膜を形成し、半導体基板
のエッチング保護膜を形成された面と反対側の面との両
面を同時にエッチングすることにより振動子プレートを
得ることを特徴とする振動子プレートの製造方法。
1. An elastic deformation part having at least one elastic deformation mode; a vibration input part provided at one end of the elastic deformation part; and a drive part provided at the other end of the elastic deformation part. A method of manufacturing a vibrator plate, wherein microvibration applied to an input part is converted into a predetermined elastic deformation mode by an elastic deformation part to rotate a drive part, wherein the vibrator plate is formed on a surface of a semiconductor substrate. Is formed by forming an etching protection film having a pattern substantially corresponding to the shape of (1) and simultaneously etching both the surface of the semiconductor substrate on which the etching protection film is formed and the surface on the opposite side to obtain an oscillator plate. Method for manufacturing vibrator plate.
【請求項2】 目的とする振動子プレートの板厚の略2
倍の厚みを有する半導体基板を用いることを特徴とする
請求項1に記載の振動子プレートの製造方法。
2. The plate thickness of the target vibrator plate is approximately 2
The method of manufacturing a vibrator plate according to claim 1, wherein a semiconductor substrate having a double thickness is used.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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