JPH05270033A - Thermal head and production thereof - Google Patents
Thermal head and production thereofInfo
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- JPH05270033A JPH05270033A JP6890592A JP6890592A JPH05270033A JP H05270033 A JPH05270033 A JP H05270033A JP 6890592 A JP6890592 A JP 6890592A JP 6890592 A JP6890592 A JP 6890592A JP H05270033 A JPH05270033 A JP H05270033A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、発熱抵抗体に電流を流
して発熱させこれを利用して印字するサーマルヘッドお
よびその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thermal head for producing electric current by passing a current through a heating resistor to generate heat and a method for manufacturing the thermal head.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来のサーマルヘッドは、セラミック基
板の上にグレーズ層を設け、このグレーズ層の上に発熱
抵抗体膜を形成する。そして発熱抵抗体膜の上に複数の
個別電極や共通電極の膜、さらにはその上に保護層の膜
を形成している。2. Description of the Related Art In a conventional thermal head, a glaze layer is provided on a ceramic substrate, and a heating resistor film is formed on this glaze layer. A plurality of individual electrodes and a common electrode film are formed on the heating resistor film, and a protective layer film is formed thereon.
【０００３】これらサーマルヘッドを構成する膜は、通
常、厚膜法や薄膜法で作られる。またグレーズ層は厚く
ても１００μｍ程度で、その機能は表面を平坦にするこ
とと畜熱作用である。The films constituting these thermal heads are usually made by a thick film method or a thin film method. The glaze layer has a thickness of about 100 μm, and its functions are to flatten the surface and to store heat.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしセラミック基板
を含めたグレーズ層の畜熱性のため、例えばサーマルヘ
ッドを長い時間動作させて発熱を繰り返すと、次第に印
字する熱エネルギーが少なくて済むようになる。これは
セラミック基板や発熱抵抗体の温度がグレーズ層の畜熱
によって高くなるためである。セラミック基板や発熱抵
抗体の温度が上昇する度合いは、個々の発熱抵抗体に流
れる電流によって相違する。However, due to the heat storage property of the glaze layer including the ceramic substrate, when the thermal head is operated for a long time and heat generation is repeated, the thermal energy for printing is gradually reduced. This is because the temperatures of the ceramic substrate and the heating resistor are increased by the heat storage of the glaze layer. The degree to which the temperature of the ceramic substrate or the heating resistor rises depends on the current flowing through each heating resistor.
【０００５】したがってサーマルヘッドで印字される画
像の種類などによって個々の発熱抵抗体に流れる電流が
違い、個々の発熱抵抗体ごとに印字する品位が異なった
ものになる。Therefore, the current flowing through each heating resistor differs depending on the type of image printed by the thermal head, and the printing quality differs for each heating resistor.
【０００６】また全面に黒い画像が続いた場合、個々の
発熱抵抗体に電流が長い時間流れるため、その後に信号
がなくてもグレーズ層の畜熱の影響で印字する紙面が黒
ずんでしまったりする。Further, when a black image continues on the entire surface, a current flows through each heating resistor for a long time, so that the printed surface becomes dark due to the heat of the glaze layer even if there is no signal thereafter. ..
【０００７】これらの現象を防ぐためにサーマルヘッド
を用いた印字装置では、熱履歴制御という方法を用いて
サーマルヘッドの熱を制御することが考えられている。In a printing apparatus using a thermal head in order to prevent these phenomena, it is considered to control the heat of the thermal head by using a method called thermal history control.
【０００８】しかし熱履歴制御を採用するとその分コス
トが上昇しまた装置全体の構造も複雑になる。However, if the heat history control is adopted, the cost will increase correspondingly and the structure of the entire apparatus will be complicated.
【０００９】上記した問題に対して、支持基板として金
属を使用し、またグレーズ層に代えて有機物、例えばポ
リイミドを支持基板の上に厚くコ−ティングする方法が
提案されている。In order to solve the above problems, a method has been proposed in which a metal is used as a supporting substrate and an organic material such as polyimide is coated thickly on the supporting substrate instead of the glaze layer.
【００１０】ここで支持基板として金属を使用し、また
支持基板の上に有機膜、例えばポリイミドをコ−ティン
グしたサーマルヘッドの例を図４を参照して説明する。An example of a thermal head in which a metal is used as the supporting substrate and an organic film such as polyimide is coated on the supporting substrate will be described with reference to FIG.
【００１１】支持基板４１の上に、コ−ティングでポリ
イミド層４２を厚く形成する。そしてポリイミド層４２
の上に、順に絶縁層４３、発熱抵抗体膜４４、複数の個
別電極４５や共通電極（図示せず）、さらに保護層４６
を形成する。A polyimide layer 42 is formed thick on the support substrate 41 by coating. And the polyimide layer 42
An insulating layer 43, a heating resistor film 44, a plurality of individual electrodes 45 and a common electrode (not shown), and a protective layer 46 in this order.
To form.
【００１２】ところでポリイミド層４２は有機物である
ため、無機物のグレーズ層に比較して耐熱温度が低い。
したがってポリイミドの良い特性を十分に生かすことが
できなかった。また寿命を延ばすこともできなかった。By the way, since the polyimide layer 42 is an organic material, it has a lower heat resistance temperature than an inorganic glaze layer.
Therefore, the good characteristics of polyimide could not be fully utilized. Moreover, the life could not be extended.
【００１３】特に発熱抵抗体膜４４が発熱すると、その
熱の分布はサーマルヘッドの構造から発熱抵抗体膜４４
の中心をピークにして発熱抵抗体膜４４の上でガウス分
布のような形になる。この熱は絶縁層４３からポリイミ
ド層４２を通して伝導および一部輻射で伝わる。Particularly, when the heating resistor film 44 generates heat, the distribution of the heat is determined by the structure of the thermal head.
The peak is formed at the center of, and the shape becomes like a Gaussian distribution on the heating resistor film 44. This heat is conducted from the insulating layer 43 through the polyimide layer 42 by conduction and partial radiation.
【００１４】ところで絶縁層４３は、無機物で、通常ス
パッタリング法で形成している。したがって絶縁層４３
の形成に時間がかかるためコストを下げるという面から
絶縁層はどうしても薄くなる。この意味からもポリイミ
ド層４２の熱に対する要求は厳しいものとなる。By the way, the insulating layer 43 is an inorganic material and is usually formed by a sputtering method. Therefore, the insulating layer 43
Since it takes time to form the insulating layer, the insulating layer is inevitably thin in terms of cost reduction. From this point of view, the requirement for heat of the polyimide layer 42 is severe.
【００１５】本発明は支持基板の上に有機物、例えばポ
リイミドをコ−ティングしたサーマルヘッドにおいて、
有機物の熱による障害を軽減するサーマルヘッドおよび
その製造方法を提供することを目的とする。The present invention provides a thermal head in which an organic material such as polyimide is coated on a supporting substrate,
It is an object of the present invention to provide a thermal head that reduces damage due to heat of organic substances and a method for manufacturing the thermal head.
【００１６】[0016]
【課題を解決するための手段】本発明は、支持基板と、
この支持基板に形成した有機膜と、この有機膜の上に位
置する無機物の絶縁層と、この絶縁層の上に位置する発
熱抵抗体と、この発熱抵抗体に電流を供給する電極と、
前記発熱抵抗体の面を保護する保護層とからなるサーマ
ルヘッドにおいて、前記有機膜と前記無機物の絶縁層と
の間に、光反射係数が有機膜より大きいか、または熱伝
導率が有機膜より高いか、または６００ｎｍ以上の波長
の光に対する屈折率が無機物の絶縁層より小さい薄膜層
の少なくとも一層を形成する。The present invention comprises a support substrate,
An organic film formed on the supporting substrate, an inorganic insulating layer located on the organic film, a heating resistor located on the insulating layer, and an electrode supplying a current to the heating resistor,
In a thermal head comprising a protective layer for protecting the surface of the heating resistor, between the organic film and the insulating layer of the inorganic material, the light reflection coefficient is larger than the organic film, or the thermal conductivity is higher than the organic film. At least one thin film layer having a refractive index higher than or higher than the wavelength of 600 nm and smaller than the inorganic insulating layer is formed.
【００１７】また支持基板の上に、有機膜をコーティン
グし、さらに無機物の絶縁層や発熱抵抗体、電極、保護
層を形成するサーマルヘッドの製造方法において、有機
膜をコーティングし熱処理した後、真空中で、この有機
膜にスパッタリングで金属膜を形成するか、または金属
を反応性スパッタリングして熱の良導伝性膜を形成す
る。In a method of manufacturing a thermal head in which an organic film is coated on a supporting substrate and further an inorganic insulating layer, a heating resistor, an electrode, and a protective layer are formed, the organic film is coated and heat-treated, and then a vacuum is applied. In this, a metal film is formed on this organic film by sputtering, or a metal is reactively sputtered to form a heat conductive layer.
【００１８】また支持基板に形成する有機膜がポリイミ
ドで、かつ少なくとも２層を持ち、１層目のコーティン
グ後にそのイミド化温度以下で熱処理し、最上層は金属
または金属光沢を持つ材料を混入したポリイミドをコー
ティングして形成する。The organic film formed on the supporting substrate is polyimide and has at least two layers. After coating the first layer, heat treatment is performed at a temperature not higher than the imidization temperature, and the uppermost layer is mixed with a metal or a material having a metallic luster. Formed by coating with polyimide.
【００１９】[0019]
【作用】支持基板の上に形成する有機膜と無機物の絶縁
層との間に、光反射係数が有機膜より大きいか、または
熱伝導率が有機膜より高いか、または６００ｎｍ以上の
波長の光に対する屈折率が無機物の絶縁層より小さい薄
膜層や金属膜、熱の良導伝性膜などを形成してあるの
で、この薄膜層などが、発熱抵抗体１５から熱輻射する
光を反射し、また発熱抵抗体１５からの熱を基板面内方
向に分散して有機膜の方向に伝わらないようにする。こ
のため有機膜の熱による障害を防止できる。[Function] Between the organic film formed on the support substrate and the inorganic insulating layer, the light reflection coefficient is larger than that of the organic film, the thermal conductivity is higher than that of the organic film, or the light having a wavelength of 600 nm or more is used. Since a thin film layer having a refractive index smaller than that of an inorganic insulating layer, a metal film, a heat conductive layer, or the like is formed, this thin film layer reflects light radiated by heat from the heating resistor 15, Further, the heat from the heating resistor 15 is dispersed in the in-plane direction of the substrate so as not to be transmitted to the organic film. Therefore, it is possible to prevent the heat damage to the organic film.
【００２０】[0020]
【実施例】以下、本発明の第一の実施例を、図１を参照
して説明する。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A first embodiment of the present invention will be described below with reference to FIG.
【００２１】支持基板１１としてステンレス綱などの金
属を使用し、有機物、例えばポリイミドとの付着強度が
強くなるように支持基板１１を表面処理する。A metal such as stainless steel is used as the supporting substrate 11, and the supporting substrate 11 is surface-treated so that the adhesion strength with an organic substance such as polyimide is increased.
【００２２】次に支持基板１１の上にポリイミドをコー
ティングして有機膜１２を形成する。Next, the support substrate 11 is coated with polyimide to form an organic film 12.
【００２３】なおこの実施例では支持基板１１に金属を
使用しているが、従来使用されているセラミックを使用
することもできる。また支持基板１１にコーティングす
る有機物としてポリイミドを用いているが、耐熱性があ
り、支持基板１１との接着性がよいものであれば他の高
分子材料を使用することもできる。Although metal is used for the support substrate 11 in this embodiment, it is also possible to use conventionally used ceramics. Although polyimide is used as the organic substance with which the support substrate 11 is coated, other polymer materials can be used as long as they have heat resistance and good adhesion to the support substrate 11.
【００２４】支持基板１１にポリイミドをコーティング
した後、これを真空槽（図示せず）に入れ表面をドライ
エッチングする。続いて同じ真空槽の中でスパッタリン
グによって金属膜１３を、例えばＡｌで形成する。この
金属膜１３の厚さは１０００オングストローム前後にす
る。After the supporting substrate 11 is coated with polyimide, it is placed in a vacuum chamber (not shown) and the surface is dry-etched. Subsequently, the metal film 13 is formed of Al, for example, by sputtering in the same vacuum chamber. The thickness of this metal film 13 is set to about 1000 angstroms.
【００２５】なお、金属膜１３はＡｌ以外に、ＣｒやＴ
ｉ、Ｎｉ、Ａｕ、Ａｇなどほとんどの金属を単体で、ま
たはこれらを混合したものが使用できる。In addition to Al, the metal film 13 is not limited to Cr or T.
Most metals such as i, Ni, Au, and Ag can be used alone or as a mixture thereof.
【００２６】またＡｌをスパッタリングするときに、Ａ
ｒやＮ2 のガスを導入して、金属膜１３を熱伝導性がよ
いＡｌＮ膜とすることもできる。When Al is sputtered, A
The metal film 13 may be an AlN film having good thermal conductivity by introducing a gas of r or N 2 .
【００２７】金属膜１３を形成した後、その上に剛性の
高い無機物の絶縁膜１４をコーティングする。このコー
ティングは、例えばＳｉＯ2 、Ｓｉ3 Ｎ4 、Ｚｒ
2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 の粉末を混合したターゲットをスパッ
タリングして形成し、厚さは３μｍにしてある。After forming the metal film 13, an inorganic insulating film 14 having high rigidity is coated on the metal film 13. This coating may be, for example, SiO 2 , Si 3 N 4 , Zr.
It is formed by sputtering a target in which 2 O 3 and Y 2 O 3 powders are mixed, and has a thickness of 3 μm.
【００２８】絶縁膜１４を形成した後、その上に発熱抵
抗体１５、Ａｌ電極１６、Ａｌ共通電極（図示せず）、
保護層１７を形成してサーマルヘッドを構成する。After forming the insulating film 14, a heating resistor 15, an Al electrode 16, an Al common electrode (not shown), and
The protective layer 17 is formed to form a thermal head.
【００２９】ところで金属膜１３としては、発熱抵抗体
１５からの熱輻射に関係する光を良好に反射するものが
有効であるが、良好な反射が得られないものでも熱伝導
がよければ有効である。しかし熱輻射に対する反射が良
好で、また熱伝導も良ければ、効果がより一層向上す
る。By the way, as the metal film 13, one that effectively reflects the light related to the heat radiation from the heating resistor 15 is effective, but one that does not give good reflection is effective if the heat conduction is good. is there. However, if the reflection of heat radiation is good and the heat conduction is good, the effect is further improved.
【００３０】次に本発明の第二の実施例について説明す
る。Next, a second embodiment of the present invention will be described.
【００３１】本発明の第一の実施例では、支持基板の上
に有機膜をコーティングし、その上に金属膜を形成して
いる。本発明の第二の実施例では有機膜の上に形成する
膜、即ち図１で金属膜１３に相当する部分の形成が第一
の実施例と相違しているので、図１の１３に相当する部
分の形成方法について説明する。支持基板にポリイミド
をコーティングして有機膜を形成した後、これを真空槽
に入れ表面をドライエッチングし、同じ真空槽の中でス
パッタリングによりＳｉＯ2 膜を形成する。このＳｉＯ
2 膜の厚さは１０００オングストローム前後にする。In the first embodiment of the present invention, an organic film is coated on a supporting substrate and a metal film is formed thereon. In the second embodiment of the present invention, the film formed on the organic film, that is, the portion corresponding to the metal film 13 in FIG. 1 is different from the first embodiment, and therefore corresponds to 13 in FIG. A method of forming a portion to be formed will be described. After a support substrate is coated with polyimide to form an organic film, the organic film is placed in a vacuum chamber to dry-etch the surface, and a SiO 2 film is formed by sputtering in the same vacuum chamber. This SiO
2 The thickness of the film is about 1000 Å.
【００３２】ＳｉＯ2 膜は、この上にコーティングされ
る無機物の絶縁膜（層）に比し、発熱抵抗体からの熱輻
射に関係する光の波長６００オングストロームより長い
波長に対して屈折率が低い。The SiO 2 film has a lower refractive index than the inorganic insulating film (layer) coated on the SiO 2 film, which has a wavelength longer than 600 angstroms of light related to heat radiation from the heating resistor. ..
【００３３】またこの膜はＳｉＯ2 に限らず、この上に
コーティングされる無機物の絶縁膜の種類との兼ね合い
で、発熱抵抗体からの熱輻射に関係する光の波長６００
オングストロームより長い波長に対して低い屈折率をも
つ材料であれば使用できる。次に本発明の第三の実施例
について、図２を参照して説明する。This film is not limited to SiO 2 , but the wavelength of the light 600 related to the heat radiation from the heat-generating resistor depends on the kind of the inorganic insulating film coated on the film.
Any material having a low refractive index for wavelengths longer than angstrom can be used. Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【００３４】本発明の第三の実施例でも、有機膜の上に
形成する膜、即ち図１で金属膜１３に相当する部分の形
成が第一の実施例と相違するので、図１の１３に相当す
る部分の形成方法について説明する。その他の部分につ
いては図１と同一部分に同一番号を付し説明を省略す
る。Also in the third embodiment of the present invention, the formation of the film formed on the organic film, that is, the portion corresponding to the metal film 13 in FIG. 1, is different from that in the first embodiment. A method of forming a portion corresponding to will be described. With respect to other parts, the same parts as those in FIG.
【００３５】支持基板１１にポリイミドをコーティング
して有機層１２を形成した後、これを真空槽に入れ表面
をドライエッチングし、同じ真空槽の中でＡｒにＮ2 を
加えた混合ガスの中でＡｌをスパッタリングし、ＡｌＮ
膜２１ａを形成する。After forming the organic layer 12 by coating the supporting substrate 11 with polyimide, the organic layer 12 is placed in a vacuum chamber to dry-etch the surface, and in the same vacuum chamber in a mixed gas of Ar and N 2 added. Sputtering Al, AlN
The film 21a is formed.
【００３６】続いてＡｌターゲットをＡｒ中でスパッタ
リングしてＡｌ膜２１ｂを、ＡｌＮ膜２１ａの上に形成
する。Subsequently, an Al target is sputtered in Ar to form an Al film 21b on the AlN film 21a.
【００３７】上記したように支持基板上の有機膜の上
に、ＡｌＮ膜２１ａとＡｌ膜２１ｂとの二つの層を形成
している。そして発熱抵抗体からの熱輻射はＡｌ膜２１
ｂで反射し、ＡｌＮ膜２１ａではそこに伝わった熱を横
方向に拡散するように機能する。 次に本発明の第四の
実施例について、図３を参照して説明する。As described above, the two layers of the AlN film 21a and the Al film 21b are formed on the organic film on the supporting substrate. Then, the heat radiation from the heating resistor causes Al film 21
The AlN film 21a reflects at b, and the heat transmitted to the AlN film 21a functions to diffuse laterally. Next, a fourth embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.
【００３８】支持基板３１として例えばステンレス綱か
らなる金属を使用し、有機物、例えばポリイミドとの付
着強度が強くなるように支持基板を表面処理する。A metal such as stainless steel is used as the supporting substrate 31, and the supporting substrate is surface-treated so that the adhesion strength with an organic substance such as polyimide is increased.
【００３９】そして支持基板３１にポリイミド層３２を
コーティングする。この場合ポリイミド層３２が少なく
とも二つの層になるようにする。Then, the supporting substrate 31 is coated with a polyimide layer 32. In this case, the polyimide layer 32 should be at least two layers.
【００４０】例えばその上方に形成する無機の絶縁膜
（層）３３と接しない下側の部分は、通常の方法でポリ
イミド層３２を形成する。そして無機物の絶縁膜３３に
近い上側の部分３２ａは、僅かのＡｌ金属粉を予めポリ
イミドに混入したものでコーティングする。次に支持基
板１１にポリイミドをコーティングした後、これを真空
槽（図示せず）に入れ表面をドライエッチングし、同じ
真空槽の中で剛性の高い無機性の絶縁膜３３をコーティ
ングする。このコーティングは、例えばＳｉＯ2、Ｓｉ
3 Ｎ4 、Ｚｒ2 Ｏ3 、Ｙ2 Ｏ3 の粉末を混合したターゲ
ットをスパッタリングして形成し、厚さは３μｍにして
ある。For example, a polyimide layer 32 is formed by a usual method on the lower portion which is not in contact with the inorganic insulating film (layer) 33 formed above the lower insulating film. The upper portion 32a near the inorganic insulating film 33 is coated with a mixture of a slight amount of Al metal powder in advance in polyimide. Next, after the supporting substrate 11 is coated with polyimide, it is placed in a vacuum chamber (not shown) and the surface is dry-etched to coat the inorganic insulating film 33 having high rigidity in the same vacuum chamber. This coating may be, for example, SiO 2 , Si
It is formed by sputtering a target in which powders of 3 N 4 , Zr 2 O 3 and Y 2 O 3 are mixed, and has a thickness of 3 μm.
【００４１】絶縁膜３３を形成した後、その上に発熱抵
抗体３４、Ａｌ電極３５、Ａｌ共通電極（図示せず）、
保護層３６を形成してサーマルヘッドを構成する。After forming the insulating film 33, a heating resistor 34, an Al electrode 35, an Al common electrode (not shown), and
The protective layer 36 is formed to form a thermal head.
【００４２】上記した構成によれば、ポリイミド層３２
の金属粉を混入した部分、即ち無機物の絶縁膜３３に近
い部分３２ａで発熱抵抗体３４からの熱輻射の光を反射
できる。またポリイミドは黒褐色で光吸収が大きいが、
Ａｌを混入したことにより光の反射が大きくなり、また
熱の伝導性もよくなる。According to the above configuration, the polyimide layer 32
The heat radiation light from the heating resistor 34 can be reflected by the portion 32a in which the metal powder is mixed, that is, the portion 32a near the inorganic insulating film 33. Also, polyimide is dark brown and has high light absorption,
By mixing Al, the reflection of light is increased and the heat conductivity is also improved.
【００４３】なおこの実施例では支持基板１１に金属を
使用しているが、従来使用されているセラミックを使用
することもできる。また支持基板にコーティングする有
機物としてポリイミドを用いているが、耐熱性があり、
支持基板との接着性がよいものであれば他の高分子材料
を使用することもできる。In this embodiment, the support substrate 11 is made of metal, but it is also possible to use a conventionally used ceramic. Polyimide is used as an organic substance to coat the supporting substrate, but it has heat resistance,
Other polymer materials may be used as long as they have good adhesiveness to the supporting substrate.
【００４４】またポリイミドに混入する材料として、Ａ
ｌを用いたが、例えばカーボンフィラーを用いることも
できる。カーボンフィラーの場合、光を反射する効果は
無いが、熱の伝導性が高く有機物層の局部的な温度上昇
を抑える効果がある。As a material mixed in the polyimide, A
Although 1 is used, a carbon filler can also be used, for example. The carbon filler has no effect of reflecting light, but has high heat conductivity and an effect of suppressing a local temperature rise of the organic material layer.
【００４５】[0045]
【発明の効果】本発明によれば、サーマルヘッドの耐熱
性や印字品位を向上でき、その結果印字効率が高くな
り、電源容量が軽減でき、またコストが安くなる。According to the present invention, the heat resistance of the thermal head and the printing quality can be improved, and as a result, the printing efficiency is increased, the power source capacity can be reduced, and the cost can be reduced.
【００４６】また有機絶縁膜を一部材として用いたサー
マルヘッドの発熱温度を上げることができ、より広範囲
の動作特性を有し、かつ寿命の長いサーマルヘッドを提
供することができる。Further, it is possible to raise the heat generation temperature of the thermal head using the organic insulating film as one member, and it is possible to provide a thermal head having a wider range of operating characteristics and a long life.
【図１】本発明の一実施例を説明する図面である。FIG. 1 is a diagram illustrating an embodiment of the present invention.
【図２】本発明の他の実施例を説明する図面である。FIG. 2 is a diagram illustrating another embodiment of the present invention.
【図３】本発明の他の実施例を説明する図面である。FIG. 3 is a diagram illustrating another embodiment of the present invention.
【図４】従来のサーマルヘッドを説明する図面である。FIG. 4 is a diagram illustrating a conventional thermal head.
１１、３１、４１…支持基板 １２、３２、４２…有機膜 １３…金属膜 １４、３３、４３…絶縁層 １５、３４、４４…発熱抵抗体 １６、３５、４５…電極 １７、３６、４６…保護層 ２１ａ…ＡｌＮ膜 ２１ｂ…Ａｌ膜 11, 31, 41 ... Supporting substrate 12, 32, 42 ... Organic film 13 ... Metal film 14, 33, 43 ... Insulating layer 15, 34, 44 ... Heating resistor 16, 35, 45 ... Electrode 17, 36, 46 ... Protective layer 21a ... AlN film 21b ... Al film
Claims (3)
機膜と、この有機膜の上に位置する無機物の絶縁層と、
この絶縁層の上に位置する発熱抵抗体と、この発熱抵抗
体に電流を供給する電極と、前記発熱抵抗体を保護する
保護層とを少なくとも具備するサーマルヘッドにおい
て、前記有機膜と前記無機物の絶縁層との間に、光反射
係数が有機膜より大きいか、または熱伝導率が有機膜よ
り高いか、または６００ｎｍ以上の波長の光に対する屈
折率が無機物の絶縁層より小さい薄膜層の少なくとも一
層を形成したことを特徴とするサーマルヘッド。1. A support substrate, an organic film formed on the support substrate, and an inorganic insulating layer located on the organic film,
A thermal head comprising at least a heating resistor located on the insulating layer, an electrode for supplying a current to the heating resistor, and a protective layer for protecting the heating resistor. At least one thin film layer having a light reflection coefficient larger than that of the organic film, a thermal conductivity higher than that of the organic film, or a refractive index smaller than that of the inorganic insulating layer having a wavelength of 600 nm or more between the insulating layer and the insulating layer The thermal head is characterized by being formed.
に無機物の絶縁層や発熱抵抗体、電極、保護層を形成す
るサーマルヘッドの製造方法において、有機膜を形成し
熱処理した後に、真空中で、この有機膜にスパッタリン
グで金属膜を形成するか、または金属を反応性スパッタ
リングして熱の良導伝性膜を形成することを特徴とする
サーマルヘッドの製造方法。2. In a method of manufacturing a thermal head, in which an organic film is formed on a supporting substrate, and an inorganic insulating layer, a heating resistor, an electrode, and a protective layer are further formed, after the organic film is formed and heat-treated, A method of manufacturing a thermal head, which comprises forming a metal film by sputtering on the organic film in a vacuum or reactively sputtering a metal to form a highly heat conductive film.
に無機物の絶縁層や発熱抵抗体、電極、保護層を形成す
るサーマルヘッドの製造方法において、有機膜がポリイ
ミドで、かつその有機膜が少なくとも２層からなり、そ
の１層目を形成した後にイミド化温度以下で熱処理し、
最上層は金属または金属光沢を持つ材料を混入したポリ
イミドをコーティングで形成することを特徴とするサー
マルヘッドの製造方法。3. A method of manufacturing a thermal head in which an organic film is formed on a supporting substrate and further an insulating layer of inorganic material, a heating resistor, an electrode, and a protective layer are formed. The film consists of at least two layers, and after forming the first layer, heat treatment is performed at a temperature below the imidization temperature,
A method for manufacturing a thermal head, wherein the uppermost layer is formed by coating a polyimide mixed with a metal or a material having a metallic luster.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6890592A JPH05270033A (en) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | Thermal head and production thereof |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6890592A JPH05270033A (en) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | Thermal head and production thereof |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH05270033A true JPH05270033A (en) | 1993-10-19 |
Family
ID=13387138
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6890592A Pending JPH05270033A (en) | 1992-03-27 | 1992-03-27 | Thermal head and production thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH05270033A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019166824A (en) * | 2018-02-26 | 2019-10-03 | ローム株式会社 | Thermal print head |
| JP2020203389A (en) * | 2019-06-14 | 2020-12-24 | ローム株式会社 | Thermal print head and thermal print head manufacturing method |
-
1992
- 1992-03-27 JP JP6890592A patent/JPH05270033A/en active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2019166824A (en) * | 2018-02-26 | 2019-10-03 | ローム株式会社 | Thermal print head |
| JP2020203389A (en) * | 2019-06-14 | 2020-12-24 | ローム株式会社 | Thermal print head and thermal print head manufacturing method |
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