JPH05267794A - Chip carrier fixing structure of semiconductor laser module - Google Patents

Chip carrier fixing structure of semiconductor laser module

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Publication number
JPH05267794A
JPH05267794A JP9361792A JP9361792A JPH05267794A JP H05267794 A JPH05267794 A JP H05267794A JP 9361792 A JP9361792 A JP 9361792A JP 9361792 A JP9361792 A JP 9361792A JP H05267794 A JPH05267794 A JP H05267794A
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JP
Japan
Prior art keywords
chip carrier
semiconductor laser
base
piece
welding
Prior art date
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Pending
Application number
JP9361792A
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Japanese (ja)
Inventor
Toshiyuki Yagi
敏之 八木
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Ando Electric Co Ltd
Original Assignee
Ando Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Ando Electric Co Ltd filed Critical Ando Electric Co Ltd
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Publication of JPH05267794A publication Critical patent/JPH05267794A/en
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Abstract

PURPOSE:To enable an optical system to be kept high in long-term stability without impeding a semiconductor laser in heat dissipation. CONSTITUTION:A semiconductor laser 1 is mounted on a heat sink 2, and a chip carrier 3 is placed on the heat sink 2. The chip carrier 3 is mounted on a base 4. The chip carrier 3 is composed of a heat dissipating piece 3A high in thermal conductivity, a ceramic electrode 3B brazed to the heat dissipating piece 3A, and a welded piece 3C provided to both the sides of the heat dissipating piece 3A each. The base 4 is composed of a heat dissipating plate 4A and a welded plate 4B brazed to both the sides of the heat dissipating plate 4A each. The welded piece 3C and the welded plate 4B are welded.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、半導体レーザモジュ
ールのチップキャリア固定構造についてのものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chip carrier fixing structure for a semiconductor laser module.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体レーザモジュールは、ケース内に
半導体レーザ、集光レンズ、モニタ用フォトダイオード
などを収納し、ケース側面に光ファイバを固定する。ま
た、半導体レーザは、熱により出力光が変動するので、
半導体レーザの温度を一定にする目的で電子冷却素子を
使用する。
2. Description of the Related Art In a semiconductor laser module, a semiconductor laser, a condenser lens, a monitor photodiode, etc. are housed in a case, and an optical fiber is fixed to the side surface of the case. Also, since the output light of the semiconductor laser fluctuates due to heat,
An electronic cooling element is used for the purpose of keeping the temperature of the semiconductor laser constant.

【0003】次に、従来技術による半導体レーザモジュ
ールの構成を図2により説明する。図2の1は半導体レ
ーザ、2はヒートシンク、5はチップキャリア、6はベ
ース、7Aは集光レンズ、7Bはモニタ用フォトダイオ
ード、7Cは電子冷却素子、7Dはケース、7Eは蓋、
8Aは光ファイバリング、8Bはフェルール、8Cは光
ファイバである。
Next, the structure of a conventional semiconductor laser module will be described with reference to FIG. 2, 1 is a semiconductor laser, 2 is a heat sink, 5 is a chip carrier, 6 is a base, 7A is a condenser lens, 7B is a monitor photodiode, 7C is an electronic cooling element, 7D is a case, 7E is a lid,
8A is an optical fiber ring, 8B is a ferrule, and 8C is an optical fiber.

【0004】半導体レーザ1はヒートシンク2に載せら
れ、ヒートシンク2はチップキャリア5に載せられる。
チップキャリア5はベース6に固定され、ベース6には
集光レンズ7Aが取り付けられる。モニタ用フォトダイ
オード7Bはベース6に取り付けられ、ベース6の底面
とケース7Dの間には電子冷却素子7Cが取り付けられ
る。ケース7Dは、蓋7Eで密閉される。フェルール8
Bで保護される光ファイバ8Cは光ファイバリング8A
を介してケース7Dの側面にYAGレーザ溶接などで固
定される。
The semiconductor laser 1 is mounted on a heat sink 2, and the heat sink 2 is mounted on a chip carrier 5.
The chip carrier 5 is fixed to a base 6, and a condenser lens 7A is attached to the base 6. The monitor photodiode 7B is attached to the base 6, and the electronic cooling element 7C is attached between the bottom surface of the base 6 and the case 7D. The case 7D is sealed with a lid 7E. Ferrule 8
The optical fiber 8C protected by B is an optical fiber ring 8A.
It is fixed to the side surface of the case 7D via YAG laser welding or the like.

【0005】次に、図2のチップキャリア5付近の詳細
構造を図3により説明する。図3のチップキャリア5は
放熱片5Aとセラミック電極5Bで構成される。セラミ
ック電極5Bは放熱片5A上にろう付けされ、チップキ
ャリア5はベース6に半田6Aにより固定される。半導
体レーザ1はボンディングワイヤ5Cによりセラミック
電極5Bに接続され、ヒートシンク2はボンディングワ
イヤ5Cにより放熱片5Aに電気的に接続される。
Next, a detailed structure near the chip carrier 5 shown in FIG. 2 will be described with reference to FIG. The chip carrier 5 shown in FIG. 3 includes a heat dissipation piece 5A and a ceramic electrode 5B. The ceramic electrode 5B is brazed onto the heat dissipation piece 5A, and the chip carrier 5 is fixed to the base 6 with solder 6A. The semiconductor laser 1 is connected to the ceramic electrode 5B by the bonding wire 5C, and the heat sink 2 is electrically connected to the heat dissipation piece 5A by the bonding wire 5C.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】図3の半導体レーザ1
と電子冷却素子7Cの間の熱抵抗を小さくするため、チ
ップキャリア5の放熱片5Aとベース6には、熱伝導率
の高い金属製のものを使用する。このため、チップキャ
リア5とベース6を溶接で固定することができないの
で、チップキャリア5とベース6を半田6Aで固定し、
半田6Aの熱が半導体レーザ1に伝導しないように、半
田6Aには融点の低いものを使用する。しかし、半田に
は時間と共にひずむクリープ現象がおきやすい。このた
め半導体レーザ1の位置が時間と共に変化することにな
り、長期にわたって光学系の安定性を確保できないとい
う問題がある。
The semiconductor laser 1 shown in FIG.
In order to reduce the thermal resistance between the electronic cooling element 7C and the electronic cooling element 7C, the heat dissipation piece 5A of the chip carrier 5 and the base 6 are made of metal having high thermal conductivity. Therefore, since the chip carrier 5 and the base 6 cannot be fixed by welding, the chip carrier 5 and the base 6 are fixed by the solder 6A,
The solder 6A has a low melting point so that the heat of the solder 6A is not conducted to the semiconductor laser 1. However, the solder tends to undergo a creep phenomenon which is distorted over time. Therefore, the position of the semiconductor laser 1 changes with time, and there is a problem that the stability of the optical system cannot be ensured for a long period of time.

【0007】この発明は、チップキャリアを熱伝導率の
高い放熱片と、放熱片上にろう付けされるセラミック電
極と、放熱片の両側面にろう付けされる溶接片により構
成し、ベースを熱伝導率の高い放熱板と、放熱板の両側
面にろう付けされる溶接板により構成し、チップキャリ
アの溶接片とベースの溶接板を溶接することにより、半
導体レーザの放熱を妨げることなく長期にわたる光学系
の安定性を確保するチップキャリア固定構造の提供を目
的とする。
According to the present invention, a chip carrier is constituted by a heat dissipation piece having a high thermal conductivity, a ceramic electrode brazed on the heat dissipation piece, and welding pieces brazed on both side surfaces of the heat dissipation piece, and the base is made of heat conductive material. It consists of a high heat dissipation plate and welding plates that are brazed to both sides of the heat dissipation plate, and by welding the chip carrier welding piece and the base welding plate, long-term optics can be achieved without hindering the heat dissipation of the semiconductor laser. An object is to provide a chip carrier fixing structure that secures system stability.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、この発明では、半導体レーザ1を載せるヒートシン
ク2と、ヒートシンク2を載せるチップキャリア3と、
チップキャリア3を載せるベース4とを備え、チップキ
ャリア3は熱伝導率の高い放熱片3Aと、放熱片3A上
にろう付けされるセラミック電極3Bと、放熱片3Aの
両側面にろう付けされる溶接片3Cにより構成され、ベ
ース4は熱伝導率の高い放熱板4Aと、放熱板4Aの両
側面にろう付けされる溶接板4Bにより構成され、チッ
プキャリア3の溶接片3Cとベース4の溶接板4Bを溶
接する。
In order to achieve this object, according to the present invention, a heat sink 2 on which the semiconductor laser 1 is mounted, a chip carrier 3 on which the heat sink 2 is mounted,
The chip carrier 3 is provided with a base 4 on which the chip carrier 3 is placed, and the chip carrier 3 has a high heat conductivity, a heat dissipation piece 3A, a ceramic electrode 3B brazed on the heat dissipation piece 3A, and both side surfaces of the heat dissipation piece 3A. The base 4 is composed of a welding piece 3C, and the base 4 is composed of a heat radiating plate 4A having a high thermal conductivity and welding plates 4B brazed to both side surfaces of the heat radiating plate 4A. Weld plate 4B.

【0009】[0009]

【作用】次に、この発明によるチップキャリア固定構造
を図1により説明する。図1の3はチップキャリア、4
はベースである。チップキャリア3は熱伝導率の高い放
熱片3Aと、放熱片3A上にろう付けされるセラミック
電極3Bと、放熱片3Aの両側面にろう付けされる溶接
片3Cにより構成される。ベース4は熱伝導率の高い放
熱板4Aと、放熱板4Aの両側面にろう付けされる溶接
板4Bにより構成される。
Next, the chip carrier fixing structure according to the present invention will be described with reference to FIG. 3 in FIG. 1 is a chip carrier, 4
Is the base. The chip carrier 3 is composed of a heat dissipation piece 3A having a high heat conductivity, a ceramic electrode 3B brazed on the heat dissipation piece 3A, and welding pieces 3C brazed on both side surfaces of the heat dissipation piece 3A. The base 4 is composed of a heat dissipation plate 4A having a high heat conductivity and welding plates 4B brazed to both side surfaces of the heat dissipation plate 4A.

【0010】半導体レーザ1はボンディングワイヤ3D
によりセラミック電極3Bに電気的に接続され、ヒート
シンク2はボンディングワイヤ5Cにより放熱片5Aに
電気的に接続される。チップキャリア3の溶接片3Cと
ベース4の溶接板4BはYAGレーザなどによる溶接部
4Cにより溶接される。ベース4の底面には、図2と同
じように電子冷却素子7Cが取り付けられる。放熱片3
Aと放熱板4Aには熱伝導率の高い金属を使用し、溶接
片3Cと溶接板4BにはSUS304などの溶接性のよ
いものを使用する。
The semiconductor laser 1 has a bonding wire 3D.
Is electrically connected to the ceramic electrode 3B, and the heat sink 2 is electrically connected to the heat dissipation piece 5A by the bonding wire 5C. The welding piece 3C of the chip carrier 3 and the welding plate 4B of the base 4 are welded by the welding portion 4C by YAG laser or the like. The electronic cooling element 7C is attached to the bottom surface of the base 4 as in FIG. Heat dissipation piece 3
A having a high heat conductivity is used for A and the heat dissipation plate 4A, and a good weldability such as SUS304 is used for the welding piece 3C and the welding plate 4B.

【0011】[0011]

【発明の効果】この発明によれば、チップキャリアを熱
伝導率の高い放熱片と、放熱片上にろう付けされるセラ
ミック電極と、放熱片の両側面にろう付けされる溶接片
により構成し、ベースを熱伝導率の高い放熱板と、放熱
板の両側面にろう付けされる溶接板により構成し、溶接
片と溶接板を溶接することで、半導体レーザと電子冷却
素子の間の熱抵抗を小さくすることができ、チップキャ
リアとベースを溶接により固定することができるので、
半導体レーザの放熱を妨げることなく長期にわたる光学
系の安定性を確保することができる。
According to the present invention, the chip carrier is constituted by a heat dissipation piece having a high thermal conductivity, a ceramic electrode brazed on the heat dissipation piece, and welding pieces brazed on both sides of the heat dissipation piece. The base consists of a heat dissipation plate with high thermal conductivity and welding plates that are brazed to both sides of the heat dissipation plate, and by welding the welding piece and the welding plate, the thermal resistance between the semiconductor laser and the electronic cooling element is improved. Since it can be made smaller and the chip carrier and base can be fixed by welding,
It is possible to secure the stability of the optical system for a long time without hindering the heat radiation of the semiconductor laser.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明によるチップキャリア固定構造であ
る。
FIG. 1 is a chip carrier fixing structure according to the present invention.

【図2】従来技術による半導体レーザモジュールの構成
図である。
FIG. 2 is a configuration diagram of a semiconductor laser module according to a conventional technique.

【図3】図2のチップキャリア5付近の詳細構造図であ
る。
FIG. 3 is a detailed structural diagram around the chip carrier 5 of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザ 2 ヒートシンク 3 チップキャリア 3A 放熱片 3B セラミック電極 3C 溶接片 4 ベース 4A 放熱板 4B 溶接板 1 Semiconductor Laser 2 Heat Sink 3 Chip Carrier 3A Heat Dissipation Piece 3B Ceramic Electrode 3C Welding Piece 4 Base 4A Heat Sink 4B Welding Plate

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体レーザ(1) を載せるヒートシンク
(2) と、 ヒートシンク(2) を載せるチップキャリア(3) と、 チップキャリア(3) を載せるベース(4) とを備え、 チップキャリア(3) は熱伝導率の高い放熱片(3A)と、放
熱片(3A)上にろう付けされるセラミック電極(3B)と、放
熱片(3A)の両側面にろう付けされる溶接片(3C)により構
成され、 ベース(4) は熱伝導率の高い放熱板(4A)と、放熱板(4A)
の両側面にろう付けされる溶接板(4B)により構成され、 チップキャリア(3) の溶接片(3C)とベース(4) の溶接板
(4B)を溶接することを特徴とする半導体レーザモジュー
ルのチップキャリア固定構造。
1. A heat sink on which a semiconductor laser (1) is mounted.
(2), a chip carrier (3) on which the heat sink (2) is placed, and a base (4) on which the chip carrier (3) is placed, and the chip carrier (3) is a heat sink (3A) with high thermal conductivity. , A ceramic electrode (3B) brazed on the heat sink (3A) and welding pieces (3C) brazed on both sides of the heat sink (3A). High heat sink (4A) and heat sink (4A)
It consists of the welding plate (4B) brazed to both sides of the chip, the welding piece (3C) of the chip carrier (3) and the welding plate of the base (4).
(4B) is welded to a semiconductor laser module chip carrier fixing structure.
JP9361792A 1992-03-19 1992-03-19 Chip carrier fixing structure of semiconductor laser module Pending JPH05267794A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011081343A (en) * 2009-07-07 2011-04-21 Avago Technologies Fiber Ip (Singapore) Pte Ltd Parallel optical communication device having weldable insert
WO2021131171A1 (en) * 2019-12-26 2021-07-01 日亜化学工業株式会社 Laser light source
CN115769123A (en) * 2021-03-25 2023-03-07 华为技术有限公司 Driving motor, camera module and electronic equipment

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