JPH05252409A - High voltage generating circuit - Google Patents

High voltage generating circuit

Info

Publication number
JPH05252409A
JPH05252409A JP4137951A JP13795192A JPH05252409A JP H05252409 A JPH05252409 A JP H05252409A JP 4137951 A JP4137951 A JP 4137951A JP 13795192 A JP13795192 A JP 13795192A JP H05252409 A JPH05252409 A JP H05252409A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
voltage
capacitor
low voltage
high voltage
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP4137951A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP2650569B2 (en
Inventor
Masahiko Matsumoto
匡彦 松本
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to US07/925,751 priority Critical patent/US5278746A/en
Priority to DE69209744T priority patent/DE69209744T2/en
Priority to EP92113674A priority patent/EP0527471B1/en
Priority to KR1019920014577A priority patent/KR970007350B1/en
Publication of JPH05252409A publication Critical patent/JPH05252409A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP2650569B2 publication Critical patent/JP2650569B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • Y02B70/1433

Landscapes

  • Details Of Television Scanning (AREA)
  • Dc-Dc Converters (AREA)

Abstract

PURPOSE:To enhance the circuit efficiency and to prevent an undesirable influence exerted on a screen due to a turn-on switch operation of a MOSFET by executing a stabilizing operation of a high voltage output voltage by controlling a turn-off time point of the MOSFET in a period in which a reverse current is flowing to a driving power source through a low voltage coil from a resonance capacitor or a damper diode side. CONSTITUTION:To one end side of a low voltage coil of a fly-back transformer 11, a MOSFET17 and a driving power source 18 are connected in series, and to the MOSFET17, a diode 20 and a charge capacitor 21 are connected in parallel. Between the other end side of the low voltage coil 12 and a ground line, a parallel circuit of a transistor 13, a damper diode 14 and a resonance capacitor 15 are connected. To a gate of the MOSFET17, a driving pulse signal whose pulse width becomes narrow as a drop amount of a high voltage output voltage becomes large, is applied.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、コレクタパルスを昇圧
してその昇圧出力を陰極線管のアノードへ加える高電圧
発生回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a high voltage generating circuit for boosting a collector pulse and applying the boosted output to the anode of a cathode ray tube.

【0002】[0002]

【従来の技術】テレビジョン受像機やディスプレイ装置
の陰極線管には高電圧発生回路から数10KVという高い
電圧が加えられている。この高電圧発生回路として、水
平出力回路で作り出されたフライバックパルスをフライ
バックトランスで昇圧し、これを整流して陰極線管のア
ノードへ加えるようにするとともに、フライバックトラ
ンスの低圧コイル側には偏向ヨークを接続し、フライバ
ックパルスを利用して鋸歯状波の偏向電流を作り出し、
これを偏向ヨークに加える方式のものが知られている
が、この方式の回路は、高圧出力電圧の安定化を行うた
めに、高圧出力電圧の降下量に見合う補正電圧を加える
ときに、この補正動作が偏向ヨーク側の回路動作に干渉
して悪影響を及ぼすという問題があり、最近において
は、高圧発生側の回路と偏向ヨーク側の回路との干渉を
避けるために、高圧側の回路と偏向ヨーク側の回路とを
別個独立に構成したものが提案されている。この種の高
電圧発生回路は、水平出力回路と同期させてコレクタパ
ルス(フライバックパルス)を発生させ、このコレクタ
パルスをフライバックトランスで昇圧し、これを整流し
て陰極線管のアノードに加えるものである。
2. Description of the Related Art A high voltage of several tens KV is applied to a cathode ray tube of a television receiver or a display device from a high voltage generating circuit. As this high voltage generation circuit, the flyback pulse generated by the horizontal output circuit is boosted by the flyback transformer, rectified and added to the anode of the cathode ray tube, and the flyback transformer has a low voltage coil side. Deflection current of sawtooth wave is generated by connecting deflection yoke and using flyback pulse.
A method of adding this to the deflection yoke is known, but this method of circuit corrects the high-voltage output voltage in order to stabilize the high-voltage output voltage by applying a correction voltage that corresponds to the drop amount of the high-voltage output voltage. There is a problem in that the operation interferes with the circuit operation on the deflection yoke side and adversely affects it. In recent years, in order to avoid interference between the circuit on the high voltage generation side and the circuit on the deflection yoke side, the circuit on the high voltage side and the deflection yoke side have a problem. It has been proposed that the circuit on the side is configured separately and independently. This kind of high voltage generation circuit generates a collector pulse (flyback pulse) in synchronization with the horizontal output circuit, boosts this collector pulse with a flyback transformer, rectifies this and adds it to the anode of the cathode ray tube. Is.

【0003】図12には偏向ヨーク側の回路と分離された
従来の高電圧発生回路(特開平2-222374号)が示されて
いる。この回路は、水平ドライブ回路側から加えられる
信号と、高圧出力電圧の検出信号との信号処理によりト
ランジスタ1のオン期間を高圧出力電圧の降下量に対応
させて制御するもので、高圧出力電圧の降下量が大きい
ほどトランジスタ1のベースに加えるパルス制御信号の
パルス幅を大きくして(図13の(b))、コレクタ電流
の大きさも増大させ(図13の(c))、トランジスタ1
のオフ動作によって発生するコレクタパルスの波高値を
高くしようとするものである(図13の(a))。つま
り、トランジスタ1のオン期間のパルス幅が広くなる
と、トランジスタ1がオフしたときにダイオード2,低
圧コイル3,出力トランジスタ4を順に経てダイオード
2に戻る閉ループを回るコレクタ電流の大きさが大きく
なり、必然的にコレクタパルスの波高値が大きくなる。
このように、トランジスタ1のオン期間の幅、つまり、
トランジスタ1のオフの時期をコントロールすることに
より、コレクタパルスの波高値を変え、高圧出力電圧の
安定化を行うものである。
FIG. 12 shows a conventional high voltage generating circuit (Japanese Patent Laid-Open No. 222222/1990) which is separated from the circuit on the deflection yoke side. This circuit controls the ON period of the transistor 1 in accordance with the drop amount of the high voltage output voltage by signal processing of the signal applied from the horizontal drive circuit side and the detection signal of the high voltage output voltage. The larger the amount of drop, the larger the pulse width of the pulse control signal applied to the base of the transistor 1 ((b) of FIG. 13) and the magnitude of the collector current ((c) of FIG. 13).
It is intended to increase the peak value of the collector pulse generated by the OFF operation of (1) in FIG. That is, when the pulse width of the ON period of the transistor 1 becomes wider, the magnitude of the collector current that goes around the closed loop that returns to the diode 2, the diode 2, the low-voltage coil 3, and the output transistor 4 in order when the transistor 1 is turned OFF increases. Inevitably, the peak value of the collector pulse becomes large.
Thus, the width of the ON period of the transistor 1, that is,
By controlling the off time of the transistor 1, the peak value of the collector pulse is changed to stabilize the high voltage output voltage.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この種
の高電圧発生回路では、トランジスタ1がオフした区間
で、ダイオード2から低圧コイル3および出力トランジ
スタ4を経てダイオード2に戻る閉ループに流れるコレ
クタ電流はフライバック動作のために大きなエネルギを
必要とし、このため、大きな電流が閉ループを回るの
で、その電流の循環によって各回路素子を通るときに損
失を生じ、回路効率が悪くなるという問題が生じる。
However, in this type of high voltage generating circuit, the collector current flowing from the diode 2 to the diode 2 through the low voltage coil 3 and the output transistor 4 to the diode 2 in the section in which the transistor 1 is off is Flyback operation requires a large amount of energy, which causes a large current to circulate in a closed loop. Therefore, the circulation of the current causes a loss when passing through each circuit element, resulting in a problem of poor circuit efficiency.

【0005】また、前記従来の回路ではトランジスタ1
のオフ動作を必ずテレビジョン受像機やディスプレイ装
置の走査期間中に行うようにしているので、そのトラン
ジスタ1のオフ動作時にスイッチングノイズが現れ、こ
れが画面に悪影響を与えるという虞が生じる。
In the conventional circuit, the transistor 1
Since the off operation is always performed during the scanning period of the television receiver or the display device, switching noise appears when the transistor 1 is off, which may adversely affect the screen.

【0006】さらに、前記従来回路では補正をかけるこ
とで、無補正状態よりも出力電圧を下げるように回路が
動作するので、その分+B側の駆動電源の入力電圧やフ
ライバックトランスの昇圧比を大きくする必要があり、
使用される電子部品の負担が大きくなるという問題点が
ある。
Further, in the conventional circuit, the circuit operates so as to lower the output voltage as compared with the non-corrected state by applying the correction, and accordingly, the input voltage of the + B side drive power supply and the step-up ratio of the flyback transformer are increased. Need to be bigger,
There is a problem that the burden on the electronic components used increases.

【0007】本発明は上記従来の課題を解決するために
なされたものであり、その目的は、トランジスタ1のオ
フ時以降に大電流を還流させることによる損失をなくし
て回路効率を高め、また、コレクタパルスを発生させる
トランジスタ等のスイッチ素子のオフ動作をゼロ電圧ス
イッチングで行い、走査期間中のノイズ発生を極めて少
なくし、さらに、無補正状態よりも出力電圧を上げる方
向に補正してフライバックトランスの昇圧比をより小さ
くできるようにし、使用される電子部品の負担を小さく
することができる高電圧発生回路を提供することにあ
る。
The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object thereof is to improve the circuit efficiency by eliminating the loss caused by circulating a large current after the transistor 1 is turned off, and The flyback transformer is operated by zero-voltage switching to turn off the switching elements such as transistors that generate collector pulses, to minimize noise generation during the scanning period, and to correct the output voltage higher than in the uncorrected state. It is an object of the present invention to provide a high-voltage generation circuit that can reduce the boosting ratio of the above and can reduce the burden on the electronic components used.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するために、次のように構成されている。すなわち、本
発明の高電圧発生回路は、フライバックトランスの低圧
コイルの一端はグランド側に、他端は駆動電源側に接続
されるとともに、この低圧コイルには第1のスイッチ素
子と共振コンデンサが接続されている高電圧発生回路に
おいて、前記駆動電源から低圧コイルを経てグランドに
至る経路には第2のスイッチ素子と、この第2のスイッ
チ素子のオフ期間に低圧コイル側から駆動電源に流れる
逆電流によってチャージされるチャージコンデンサとが
設けられていることを特徴として構成されており、ま
た、前記逆電流によってチャージされるチャージコンデ
ンサの一部又は全部を第1のスイッチ素子に接続されて
いる共振コンデンサで兼用させたこと、前記フライバッ
クトランスの低圧コイルと並列にインダクタンス素子が
接続されていること、および、前記第1のスイッチ素子
と並列にインダクタンス素子としての偏向ヨークとコン
デンサとの直列回路が接続されていることもそれぞれ本
発明の特徴的な構成とされている。
In order to achieve the above object, the present invention is configured as follows. That is, in the high voltage generating circuit of the present invention, one end of the low voltage coil of the flyback transformer is connected to the ground side and the other end is connected to the driving power source side, and the low voltage coil has the first switch element and the resonance capacitor. In the connected high voltage generating circuit, a second switch element is provided on a path from the drive power source through the low voltage coil to the ground, and a reverse current flowing from the low voltage coil side to the drive power source during an off period of the second switch element. A resonance circuit in which a charge capacitor charged by a current is provided, and a part or all of the charge capacitor charged by the reverse current is connected to the first switch element. The capacitor is also used, and the inductance element is connected in parallel with the low-voltage coil of the flyback transformer. And that it, and it has also been a characteristic structure of the present invention, respectively the series circuit of the deflection yoke and the capacitor as an inductance element in parallel with the first switching element is connected.

【0009】[0009]

【作用】上記構成の本発明において、第1のスイッチ素
子のオン期間では駆動電源側の電流は例えば低圧コイル
から第1のスイッチ素子を通って流れ、低圧コイルにエ
ネルギが蓄積される。この状態で、第1のスイッチ素子
がオフし、第2のスイッチ素子がオンすると、駆動電源
側の電流は低圧コイルから共振コンデンサに流れ、低圧
コイルのエネルギが共振コンデンサに移って蓄積され
る。低圧コイルのエネルギが完全に共振コンデンサに移
ると、今度は共振コンデンサ側から低圧コイルを通って
駆動電源側へ逆電流が流れる。この逆電流が流れている
ときに第2のスイッチ素子をオフすると、逆電流はチャ
ージコンデンサを通って流れることとなるので、チャー
ジコンデンサがチャージされ、低圧コイルには駆動電源
の電圧とチャージコンデンサにチャージされた電圧との
加算電圧が印加される。このチャージコンデンサにチャ
ージされる電圧は、第2のスイッチ素子のオン期間が短
いほど逆電流がチャージコンデンサ側に流れる期間が長
くなるので大きくなり、低圧コイルと共振コンデンサの
共振動作によって発生するコレクタパルスのパルス電圧
の波高値が大きくなる。これとは逆に、第2のスイッチ
素子のオン期間が長くなるとチャージコンデンサにチャ
ージされる電圧が小さくなるのでコレクタパルスのパル
ス電圧の波高値は小さくなる。このように、高圧出力電
圧の降下量に対応させて第2のスイッチ素子のオン期
間、つまりオフのタイミングを制御することにより高圧
出力電圧の安定化が行われる。
In the present invention having the above-described structure, during the ON period of the first switch element, the current on the drive power source side flows from, for example, the low voltage coil through the first switch element, and energy is accumulated in the low voltage coil. In this state, when the first switch element is turned off and the second switch element is turned on, the current on the drive power source side flows from the low voltage coil to the resonance capacitor, and the energy of the low voltage coil is transferred to and accumulated in the resonance capacitor. When the energy of the low voltage coil is completely transferred to the resonance capacitor, a reverse current flows from the resonance capacitor side through the low voltage coil to the driving power supply side. If the second switch element is turned off while this reverse current is flowing, the reverse current will flow through the charge capacitor, so the charge capacitor is charged and the voltage of the drive power supply and the charge capacitor are charged in the low voltage coil. The added voltage with the charged voltage is applied. The voltage charged in the charge capacitor becomes larger as the ON period of the second switch element becomes shorter and the period in which the reverse current flows to the charge capacitor becomes longer, so that the collector pulse generated by the resonance operation of the low voltage coil and the resonance capacitor becomes larger. The peak value of the pulse voltage of becomes large. On the contrary, when the ON period of the second switch element becomes long, the voltage charged in the charge capacitor becomes small, and the peak value of the pulse voltage of the collector pulse becomes small. In this way, the high output voltage is stabilized by controlling the ON period of the second switch element, that is, the OFF timing in accordance with the drop amount of the high output voltage.

【0010】[0010]

【実施例】以下、本発明の実施例を図面に基づいて説明
する。図1には本発明に係る高電圧発生回路の基本回路
が示され、また、図2にはこの基本回路をより具体化し
た本発明に係る高電圧発生回路の第1の実施例の回路構
成が示されている。図2において、フライバックトラン
ス11の低圧コイル12の一端側(この図では巻き始め側)
に第1のスイッチ素子としてのトランジスタ13が直列に
接続されており、このトランジスタ13にダンパーダイオ
ード14と共振コンデンサ15がそれぞれ並列に接続されて
いる。トランジスタ13のエミッタはグランド(この図で
はアースライン)に接続されている。トランジスタ13の
ベースには水平ドライブ回路16から図4の(a)に示す
ような水平出力回路(図示せず)に同期した水平ドライ
ブ信号が加えられている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a basic circuit of a high voltage generating circuit according to the present invention, and FIG. 2 shows a circuit configuration of a first embodiment of the high voltage generating circuit according to the present invention which is a more specific form of this basic circuit. It is shown. In FIG. 2, one end side of the low-voltage coil 12 of the flyback transformer 11 (the winding start side in this figure)
A transistor 13 as a first switch element is connected in series with the transistor 13, and a damper diode 14 and a resonance capacitor 15 are connected in parallel with the transistor 13. The emitter of the transistor 13 is connected to the ground (ground line in this figure). A horizontal drive signal synchronized with a horizontal output circuit (not shown) as shown in FIG. 4A is applied to the base of the transistor 13 from the horizontal drive circuit 16.

【0011】低圧コイル12の他端側(この図では巻き終
わり側)には第2のスイッチ素子として機能するMOS
FET17のドレイン側が接続されている。そして、M
OSFET17のソース側には駆動電源18が接続されてい
る。そして、MOS FET17のドレイン・ソース間に
はダイオード20とチャージコンデンサ21がそれぞれ並列
に接続されている。このダイオード20はMOS FET
17に外付けによって接続してもよいが、MOS FET
17にはもともと等価回路的にはダイオードが内蔵されて
いるので、ダイオード20を外付けにせずに内蔵ダイオー
ドを利用したものでもよい。MOS FET17のソース
とグランドライン間にはチャージコンデンサ21よりも容
量が遙かに大きいコンデンサ22が接続されている。
A MOS functioning as a second switch element is provided on the other end side (winding end side in this figure) of the low voltage coil 12.
The drain side of the FET 17 is connected. And M
The drive power source 18 is connected to the source side of the OSFET 17. A diode 20 and a charge capacitor 21 are connected in parallel between the drain and source of the MOS FET 17, respectively. This diode 20 is a MOS FET
17 may be connected externally, but it is a MOS FET
Since 17 has a built-in diode as an equivalent circuit from the beginning, the built-in diode may be used without externally mounting the diode 20. A capacitor 22 having a capacity much larger than that of the charge capacitor 21 is connected between the source of the MOS FET 17 and the ground line.

【0012】フライバックトランス11の高圧コイル24の
高圧端側は高圧整流ダイオード25を介して図示されてい
ない陰極線管のアノードに接続されている。また、高圧
コイル24の高圧端側にはブリーダ抵抗器26が接続されて
おり、このブリーダ抵抗器26を通して高圧出力電圧が検
出されている。この実施例では、高圧出力電圧の検出信
号と、前記水平ドライブ回路16の水平ドライブ信号を利
用してMOS FET17の駆動パルス信号が作り出され
ている。
The high voltage end of the high voltage coil 24 of the flyback transformer 11 is connected to the anode of a cathode ray tube (not shown) via a high voltage rectifying diode 25. A bleeder resistor 26 is connected to the high voltage end side of the high voltage coil 24, and the high voltage output voltage is detected through the bleeder resistor 26. In this embodiment, the drive pulse signal of the MOS FET 17 is generated by using the detection signal of the high voltage output voltage and the horizontal drive signal of the horizontal drive circuit 16.

【0013】この駆動パルス信号を作り出す回路は、イ
ンバータ回路27と、積分回路28と、コンパレータ30と、
バッファアンプ31と、エラーアンプ32と、ドライブ増幅
回路33と、ドライブトランス34とを有して構成されてい
る。インバータ回路27は図3の(b)に示す水平ドライ
ブ信号を同図の(c)に示すように反転する。積分回路
28はインバータ回路27の出力を積分して図3の(d)に
示す積分波形の信号をインバータ付のコンパレータ30の
マイナス側端子に加える。
The circuit that produces this drive pulse signal is an inverter circuit 27, an integrating circuit 28, a comparator 30, and
It has a buffer amplifier 31, an error amplifier 32, a drive amplifier circuit 33, and a drive transformer 34. The inverter circuit 27 inverts the horizontal drive signal shown in FIG. 3B as shown in FIG. Integrator circuit
Reference numeral 28 integrates the output of the inverter circuit 27 and adds the signal having the integrated waveform shown in FIG. 3D to the negative terminal of the comparator 30 with an inverter.

【0014】一方、バッファアンプ31は高圧出力電圧の
検出信号を増幅してエラーアンプ32に加える。エラーア
ンプ32は定電圧電源35の基準電圧とバッファアンプ31の
出力とを比較し、例えば図3の(a)に示すように、高
圧出力電圧が時間とともに降下したときには、図3の
(d)の破線で示すように、高圧出力電圧の降下量が大
きくなるにつれて増加するエラーアンプ信号を前記コン
パレータ30のプラス側端子に加える。
On the other hand, the buffer amplifier 31 amplifies the detection signal of the high voltage output voltage and applies it to the error amplifier 32. The error amplifier 32 compares the reference voltage of the constant voltage power supply 35 with the output of the buffer amplifier 31, and when the high voltage output voltage drops with time as shown in FIG. 3A, for example, FIG. As indicated by the broken line, an error amplifier signal that increases as the amount of drop in the high voltage output voltage increases is applied to the positive terminal of the comparator 30.

【0015】コンパレータ30は積分回路28から加えられ
る積分出力と、エラーアンプ32から加えられるエラーア
ンプ信号とを比較し、図3の(d)および(e)に示す
ように積分波形の立ち上がりで立ち上がり、積分波形と
エラーアンプ信号の交点位置で立ち下がるパルスドライ
ブ信号を出力する。つまり、コンパレータ30は高圧出力
電圧の降下量が大きくなるにつれてパルス幅を狭くした
パルスドライブ信号を作り出し、これをドライブ増幅回
路33に加えるのである。
The comparator 30 compares the integrated output applied from the integrating circuit 28 with the error amplifier signal applied from the error amplifier 32, and rises at the rising edge of the integrated waveform as shown in (d) and (e) of FIG. , Output the pulse drive signal that falls at the intersection of the integrated waveform and the error amplifier signal. That is, the comparator 30 produces a pulse drive signal having a narrow pulse width as the amount of drop of the high voltage output voltage increases, and adds this to the drive amplifier circuit 33.

【0016】ドライブ増幅回路33はパルスドライブ信号
を増幅してドライブトランス34の一次側のコイル36に加
える結果、ドライブトランス34の二次側のコイル37から
MOS FET17のゲートに図3の(e)に示すパルス
ドライブ信号を増幅した駆動パルス信号、つまり、高圧
出力電圧の降下量が大きくなるにつれてパルス幅が狭く
なり、高圧出力電圧の降下量が小さくなるにつれてパル
ス幅が広くなる図4の(b)に示す駆動パルス信号がM
OS FET17に加えられるのである。
The drive amplifier circuit 33 amplifies the pulse drive signal and applies it to the coil 36 on the primary side of the drive transformer 34. As a result, the coil 37 on the secondary side of the drive transformer 34 is connected to the gate of the MOS FET 17 as shown in FIG. (B) of the drive pulse signal obtained by amplifying the pulse drive signal shown in FIG. 4, that is, the pulse width becomes narrower as the drop amount of the high voltage output voltage becomes larger, and becomes wider as the drop amount of the high voltage output voltage becomes smaller. The drive pulse signal shown in) is M
It is added to OS FET17.

【0017】第1の実施例は上記のように構成されてお
り、次に、図2の回路と図4のタイムチャートに基づき
高圧出力電圧の安定化動作を説明する。まず、チャージ
コンデンサ21に電荷が蓄えられていない状態で、トラン
ジスタ13がオンしたとき、MOS FET17はオフして
いるので、駆動電源18から順方向のダイオード20を通
り、さらに低圧コイル12からトランジスタ13を通ってト
ランジスタ13のコレクタ電流ic がグランドラインに流
れる。このとき、駆動電源18の電圧をEB ,低圧コイル
12のインダクタンスをL1 とすると、ic はEB /L1
で決まる直線的な傾きで増加していく。
The first embodiment is configured as described above. Next, the stabilizing operation of the high voltage output voltage will be described based on the circuit of FIG. 2 and the time chart of FIG. First, since the MOS FET 17 is off when the transistor 13 is turned on in the state where the charge is not stored in the charge capacitor 21, the drive power source 18 passes through the diode 20 in the forward direction, and further the low voltage coil 12 causes the transistor 13 to pass. Through which the collector current i c of the transistor 13 flows to the ground line. At this time, the voltage of the driving power source 18 E B, the low pressure coil
If the inductance of 12 is L 1 , then i c is E B / L 1
It increases with a linear slope determined by.

【0018】この状態で、トランジスタ13がオフする
と、低圧コイル12のインダクタンスL1 に蓄えられた電
流エネルギによって、低圧コイル12から共振コンデンサ
15に電流が流れ込み、図4の(c)に示すようなコレク
タパルス電圧が発生する。このトランジスタ13がオフし
て駆動電源18からダイオード20を通って順方向の電流が
流れている期間でMOS FET17がオンすると、駆動
電源18から供給される電流はMOS FET17及びダイ
オード20を通り、低圧コイル12,共振コンデンサ15を通
ってグランドライン側に流れ、低圧コイル12側に蓄積さ
れた電流エネルギは共振コンデンサ15に引き続き蓄積さ
れるが、低圧コイル12側の電流エネルギは徐々に減少し
てt1 で0に至る。このとき、コレクタパルス電圧はピ
ークに達する。
When the transistor 13 is turned off in this state, the current energy stored in the inductance L 1 of the low voltage coil 12 causes the resonance capacitor to move from the low voltage coil 12.
A current flows into 15 and a collector pulse voltage as shown in FIG. 4 (c) is generated. When the MOS FET 17 is turned on while the transistor 13 is off and a forward current is flowing from the drive power supply 18 through the diode 20, the current supplied from the drive power supply 18 passes through the MOS FET 17 and the diode 20 and is low voltage. The current energy flowing through the coil 12 and the resonance capacitor 15 to the ground line side and accumulated on the low voltage coil 12 side is continuously accumulated on the resonance capacitor 15, but the current energy on the low voltage coil 12 side gradually decreases and t 1 reaches 0. At this time, the collector pulse voltage reaches a peak.

【0019】低圧コイル12の電流エネルギが全て共振コ
ンデンサ15側に移ると、今度は共振コンデンサ15に蓄え
られた電圧エネルギによって、グランドラインから共振
コンデンサ15,低圧コイル12,MOS FET17を順に
通って駆動電源18に逆電流が流れる。そして、低圧コイ
ル12のインダクタンスL1 と共振コンデンサ15の共振が
進んで、コレクタ電圧がt2 で0V以下になると、ダン
パーダイオード14がオンしてダンパーダイオード14から
低圧コイル12を経てMOS FET17を通って駆動電源
18に至る逆電流が流れる。このように、共振コンデンサ
15から、あるいはダンパーダイオード14からMOS F
ET17を通って駆動電源18に逆電流が流れている期間の
途中でMOS FET17がオフされると、その逆電流は
チャージコンデンサ21に流れ込み、チャージコンデンサ
21の両端電圧VC は、チャージコンデンサ21の静電容量
と低圧コイル12のインダクタンスによる直列共振波形に
したがって、図4の(f)のように、緩やかな傾斜で上
昇し始める。このチャージ電圧VC が上昇すると、グラ
ンドラインに対するMOS FET17の出力側、つま
り、低圧コイル12の巻き終わり側のA部の電圧VA は図
4の(f)に示すように、駆動電源18の電圧EB にチャ
ージ電圧VC を加算した電圧となる。つまり、VA =E
B +VC となり、チャージ電圧VC の発生により、駆動
電源の電圧EBがVC だけ上昇した状態、つまり、低圧
コイル12のA部の電圧がVC だけ上昇したのと同じ状態
となり、低圧コイル12からチャージコンデンサ21を通っ
て駆動電源18に至る逆電流は急激に減少する。
When all the current energy of the low voltage coil 12 is transferred to the resonance capacitor 15 side, the voltage energy stored in the resonance capacitor 15 causes the resonance capacitor 15, low voltage coil 12 and MOS FET 17 to be sequentially driven from the ground line. Reverse current flows through the power supply 18. When the resonance of the inductance L 1 of the low voltage coil 12 and the resonance capacitor 15 progresses and the collector voltage becomes 0 V or less at t 2 , the damper diode 14 is turned on and passes from the damper diode 14 through the low voltage coil 12 to the MOS FET 17. Drive power
Reverse current up to 18 flows. Thus, the resonant capacitor
From 15 or from damper diode 14 to MOS F
If the MOS FET 17 is turned off during the period in which the reverse current flows through the ET 17 to the drive power supply 18, the reverse current flows into the charge capacitor 21 and the charge capacitor
The voltage V C across 21 starts to rise at a gentle slope as shown in (f) of FIG. 4 according to the series resonance waveform due to the capacitance of the charge capacitor 21 and the inductance of the low-voltage coil 12. When this charge voltage V C rises, the voltage V A of the output side of the MOS FET 17 with respect to the ground line, that is, the voltage A at the end of the winding of the low voltage coil 12 at the end A of the drive power source 18 is as shown in FIG. 4 (f). It becomes a voltage obtained by adding the charge voltage V C to the voltage E B. That is, V A = E
B + V C , and the charge voltage V C is generated, so that the voltage E B of the driving power supply rises by V C , that is, the same state as the voltage of the A portion of the low voltage coil 12 rises by V C , and the low voltage The reverse current from the coil 12 through the charge capacitor 21 to the driving power supply 18 sharply decreases.

【0020】このダンパーダイオード14側から逆電流が
流れているときにトランジスタ13がオンされ、逆電流が
減少してt3 で0になると、チャージコンデンサ21のチ
ャージ電圧VC はピークに達する。そして、駆動電源18
の電圧とチャージ電圧VC の電圧とが加わった電圧VA
が低圧コイル12に加わるので、トランジスタ13にコレク
タ電流が徐々に流れ始め、同時に、チャージ電圧VC
減少し始める。そして、チャージ電圧が減少して0にな
ると、最初の動作状態に戻り、前記の動作が繰り返し続
けられるのである。
When the reverse current flows from the damper diode 14 side, the transistor 13 is turned on, and when the reverse current decreases and becomes 0 at t 3 , the charge voltage V C of the charge capacitor 21 reaches a peak. And the drive power supply 18
Voltage V A that is the sum of the charge voltage V C and the charge voltage V C
Is applied to the low voltage coil 12, the collector current gradually starts to flow in the transistor 13, and at the same time, the charge voltage V C starts to decrease. Then, when the charge voltage decreases to 0, the operation state returns to the initial one, and the above operation is repeated.

【0021】この実施例によれば、MOS FET17の
ゲートに加えられる駆動パルス信号のパルス幅は高圧出
力電圧の降下量が大きくなるほど狭くなるように制御さ
れており、このパルス幅が狭くなると、MOS FET
17のオン期間が短くなるので、その分、低圧コイル12側
から駆動電源18側に流れる逆電流がチャージコンデンサ
21を通る時間が長くなり、これに伴い、チャージコンデ
ンサ21のチャージ電圧VC が大きくなり、低圧コイル12
のA部に印加される電圧VA が大きくなるので、次にト
ランジスタ13側に電流が流れるとき、そのコレクタ電流
c のピーク値が大きくなってコレクタ電圧の波高値が
高くなる。つまり、高圧出力電圧の降下量が大きくなる
につれてコレクタパルス電圧の波高値が大きくなり、高
圧出力電圧の安定化が達成されることになる。
According to this embodiment, the pulse width of the drive pulse signal applied to the gate of the MOS FET 17 is controlled to become narrower as the drop amount of the high voltage output voltage becomes larger. FET
Since the ON period of 17 becomes shorter, the reverse current flowing from the low voltage coil 12 side to the drive power supply 18 side is correspondingly increased by the charge capacitor.
The time for passing through 21 becomes long, and accordingly, the charge voltage V C of the charge capacitor 21 becomes large, and the low voltage coil 12
Since the voltage V A applied to the A portion of the above becomes large, when the current next flows to the transistor 13 side, the peak value of the collector current i c becomes large and the peak value of the collector voltage becomes high. That is, the peak value of the collector pulse voltage increases as the drop amount of the high voltage output voltage increases, and the high voltage output voltage is stabilized.

【0022】また、MOS FET17はダイオード20に
順方向の電流が流れているときに、つまり、図4の
(f)のt5 におけるように、MOS FET17のドレ
イン・ソース間の電流および電圧が零のときにオンする
ので、零電流・零電圧のスイッチング動作が達成され、
同様に、MOS FET17は低圧コイル12側からMOS
FET17を通って駆動電源18側に逆電流が流れていると
きにオフされるので、図4の(f)のt4 のように、M
OS FET17のドレイン・ソース間電圧が零の状態で
スイッチ動作を行わせることができ、これによりスイッ
チ動作時の電力損失の発生がほとんどなく、効率のよい
スイッチング動作を行わせることができる。
Further, in the MOS FET 17, when the forward current flows through the diode 20, that is, as at t 5 in FIG. 4F, the current and voltage between the drain and source of the MOS FET 17 are zero. Since it turns on at the time, switching operation of zero current and zero voltage is achieved,
Similarly, the MOS FET 17 is a MOS from the low voltage coil 12 side.
Since it is turned off when a reverse current flows through the FET 17 to the drive power supply 18 side, as shown by t 4 in FIG.
The switching operation can be performed in a state where the drain-source voltage of the OS FET 17 is zero, and thus, the switching operation can be performed efficiently with almost no power loss during the switching operation.

【0023】さらに、本実施例では、前記の如く、MO
S FET17のオンの期間、つまり、オフのタイミング
を制御することによりコレクタパルスの波高値を制御す
るが、このとき、従来例のように大電流が閉ループを還
流するということがなく、この大電流の還流による電力
損失も生じることがないので、回路効率を大幅に高める
ことができる。なお、MOS FET17のオン期間の立
上りは、図3のように、水平ドライブ信号の立下りと一
致するが、遅延素子を用いて図4の(b)のように若干
遅らせてもよい。
Further, in this embodiment, as described above, the MO
The peak value of the collector pulse is controlled by controlling the ON period of the S FET 17, that is, the OFF timing. At this time, the large current does not flow back through the closed loop as in the conventional example, and this large current is controlled. Since there is no power loss due to the recirculation, the circuit efficiency can be significantly increased. The rising edge of the ON period of the MOS FET 17 coincides with the falling edge of the horizontal drive signal as shown in FIG. 3, but may be slightly delayed as shown in FIG. 4B using a delay element.

【0024】さらに、MOS FET17のオフの時点を
低圧コイル12側から駆動電源18側に逆電流が流れている
期間内で任意に設定できるので、MOS FET17のオ
フの制御期間を広くすることができ(この実施例ではt
1 〜t3 の期間でオフのタイミングを可変できる)、し
たがって、高圧出力電圧に対する広い補正範囲を持たせ
ることができ、現状の如何なるマルチスキャンタイプの
テレビジョン受像機やディスプレイ装置にも対応させる
ことが可能となる。
Further, since the time of turning off the MOS FET 17 can be arbitrarily set within the period in which the reverse current flows from the low voltage coil 12 side to the driving power supply 18 side, the control period of turning off the MOS FET 17 can be widened. (In this embodiment, t
1 ~t can vary the timing of the off period of 3), therefore, a wide correction range can have a relative high output voltage, also correspond to any multi-scan type television receiver or a display device the current Is possible.

【0025】しかも、MOS FET17のオフ動作は零
電圧でのスイッチング動作となるので、スイッチングノ
イズを最小限に抑えることができ、このスイッチングノ
イズによって画面が影響されることはほとんどない。
Moreover, since the OFF operation of the MOS FET 17 is a switching operation at zero voltage, the switching noise can be minimized, and the switching noise hardly affects the screen.

【0026】さらに、高圧出力電圧が降下したときには
無補正状態の場合よりもコレクタパルスの波高値を高く
する方向に制御するものであるから、その分駆動電源の
電圧やフライバックトランスの昇圧比を小さくすること
ができ、回路に使用されている電子部品の負担を小さく
することができるとともに、フライバックトランスの発
熱も小さくすることができる。
Further, when the high-voltage output voltage drops, the crest value of the collector pulse is controlled to be higher than that in the uncorrected state. Therefore, the voltage of the driving power supply and the step-up ratio of the flyback transformer are correspondingly increased. The size of the flyback transformer can be reduced, the load on the electronic components used in the circuit can be reduced, and the heat generation of the flyback transformer can be reduced.

【0027】図5には本発明の第2の実施例の回路構成
が示されている。この実施例も、第1の実施例と同様に
MOS FET17に高圧出力電圧の降下量に応じてパル
ス幅を異にした駆動パルス信号が加えられるが、この駆
動パルス信号を作り出す回路は前記第1の実施例と同様
なので省略されている。この実施例では、MOS FE
T17のドレイン側にチャージコンデンサ21よりも遙かに
容量の大きい、例えば30〜40倍大きい容量の直流カット
コンデンサ38を直列に接続し、このMOS FET17と
コンデンサ38の直列回路にダイオード20とチャージコン
デンサ21をそれぞれ並列に接続し、さらに、MOS F
ET17に並列にダイオード19を接続したものである。
FIG. 5 shows the circuit configuration of the second embodiment of the present invention. Also in this embodiment, similarly to the first embodiment, a drive pulse signal having a different pulse width is applied to the MOS FET 17 according to the amount of drop of the high voltage output voltage. The circuit for generating this drive pulse signal is the first one. It is omitted because it is similar to the embodiment. In this embodiment, MOS FE
A DC cut capacitor 38 having a capacity much larger than that of the charge capacitor 21, for example, 30 to 40 times larger than that of the charge capacitor 21, is connected in series on the drain side of T17, and the diode 20 and the charge capacitor are connected to the series circuit of the MOS FET 17 and the capacitor 38. 21 are connected in parallel, and MOS F
A diode 19 is connected in parallel with the ET17.

【0028】この第2の実施例では、駆動電源18から低
圧コイル12に順方向の電流が流れるとき、MOS FE
T17がオフしているときには、駆動電源18側からダイオ
ード20を通って流れ、MOS FET17がオンしている
ときにはMOS FET17から直流カットコンデンサ38
を通って流れる。また、低圧コイル12側から逆電流が駆
動電源18に流れるときには、MOS FET17がオンし
ているときにはコンデンサ38とMOS FET17を通っ
て流れ、MOS FET17がオフしているときにはチャ
ージコンデンサ21を通って流れ、このとき、チャージコ
ンデンサ21にチャージ電圧VC が蓄えられ、前記第1の
実施例と同様に高圧出力電圧の補正動作が行われるので
ある。なお、図5の回路では共振コンデンサ15に並列に
ダミーヨーク40とS字補正コンデンサ41との直列回路が
接続されているが、この回路は低圧コイル12に流れる電
流の負担を軽減してフライバックトランス11の発熱を抑
え、フライバックトランス11のレギュレーション特性を
良くするために設けられるもので、特に必要ない場合は
省略することができる。
In the second embodiment, when a forward current flows from the driving power source 18 to the low voltage coil 12, the MOS FE is
When T17 is off, it flows from the drive power supply 18 side through the diode 20, and when MOS FET17 is on, it is from the MOS FET17 to the DC cut capacitor 38.
Flowing through. When the reverse current flows from the low-voltage coil 12 side to the drive power supply 18, it flows through the capacitor 38 and the MOS FET 17 when the MOS FET 17 is on, and flows through the charge capacitor 21 when the MOS FET 17 is off. At this time, the charge voltage V C is stored in the charge capacitor 21 and the high voltage output voltage correction operation is performed as in the first embodiment. In the circuit of FIG. 5, a series circuit of a dummy yoke 40 and an S-shaped correction capacitor 41 is connected in parallel with the resonance capacitor 15, but this circuit reduces the load of the current flowing through the low voltage coil 12 and the flyback. It is provided in order to suppress heat generation of the transformer 11 and improve the regulation characteristic of the flyback transformer 11, and can be omitted if not particularly necessary.

【0029】図6には本発明の第3の実施例が示されて
いる。この実施例の回路も、第1の実施例と同様に高圧
出力電圧の降下量に応じたパルス幅の駆動パルス信号が
MOS FET17のゲートに加えられるようになってお
り、この駆動パルス信号を作り出す回路は第1の実施例
と同様であるので省略してある。この実施例は、MOS
FET17とダイオード42とチャージコンデンサ21とを
それぞれ並列に接続し、この並列接続体にチャージコン
デンサ21よりも遙かに容量の大きい、例えば30〜40倍大
きい容量のコンデンサ38を直列に接続し、さらに、チャ
ージコンデンサ21とコンデンサ38の直列接続体にダイオ
ード20を並列に接続したものである。
FIG. 6 shows a third embodiment of the present invention. In the circuit of this embodiment as well, as in the first embodiment, a drive pulse signal having a pulse width corresponding to the amount of drop of the high voltage output voltage is applied to the gate of the MOS FET 17, and this drive pulse signal is produced. The circuit is the same as that of the first embodiment and is omitted. This embodiment is a MOS
The FET 17, the diode 42, and the charge capacitor 21 are connected in parallel, and a capacitor 38 having a capacity much larger than that of the charge capacitor 21, for example, a capacity of 30 to 40 times larger is connected in series to the parallel connection body. The diode 20 is connected in parallel to the series connection body of the charge capacitor 21 and the capacitor 38.

【0030】この回路では、駆動電源18側から低圧コイ
ル12側に順方向の電流が流れるときに、MOS FET
17がオフしているときにはダイオード20を通って流れ、
MOS FET17がオンしているときにはMOS FE
T17から直流カットコンデンサ38を通るルートで流れ、
また、低圧コイル12側から駆動電源18側に流れる逆電流
はMOS FET17がオンしているときにはコンデンサ
38からMOS FET17を通るルートで流れ、MOS
FET17がオフしているときにはコンデンサ38とチャー
ジコンデンサ21を通るルートで流れ、このとき、コンデ
ンサ38とチャージコンデンサ21にチャージ電圧が蓄えら
れ(実際にはコンデンサ38の容量はチャージコンデンサ
21よりも遙かに大きいのでチャージ電圧がほとんど発生
せず、チャージコンデンサ21側に大きなチャージ電圧が
発生する)、前記第1の実施例と同様な動作により高圧
出力電圧の安定化が行われるのである。なお、この実施
例でも、前記第2の実施例と同様にダミーヨーク40とS
字補正コンデンサ41が設けられているが、特に必要のな
い場合はこれを省略することができる。
In this circuit, when a forward current flows from the drive power source 18 side to the low voltage coil 12 side, the MOS FET
Flows through diode 20 when 17 is off,
When MOS FET17 is on, MOS FE
Flow from T17 through the DC cut capacitor 38,
Also, the reverse current flowing from the low voltage coil 12 side to the drive power source 18 side is a capacitor when the MOS FET 17 is on.
Flow from 38 through MOS FET17, MOS
When the FET 17 is off, it flows through the route passing through the capacitor 38 and the charge capacitor 21, and at this time, the charge voltage is stored in the capacitor 38 and the charge capacitor 21 (actually, the capacitance of the capacitor 38 is the charge capacitor).
Since the charging voltage is much larger than that of 21, the charging voltage is hardly generated and a large charging voltage is generated on the side of the charging capacitor 21), and the high output voltage is stabilized by the same operation as in the first embodiment. is there. In this embodiment as well, as in the second embodiment, the dummy yoke 40 and the S
Although the character correction capacitor 41 is provided, it can be omitted if not particularly required.

【0031】図7には本発明の第4の実施例の回路が、
図8には第5の実施例の回路がそれぞれ示されている。
これらの実施例は、MOS FET等からなる第2のス
イッチ素子8を低圧コイル12とグランド間に配置し、チ
ャージコンデンサ21とダイオード20と第2のスイッチ素
子8との並列回路を第2の回路ブロック10と成し、同様
に、共振コンデンサ15とダンパーダイオード14とトラン
ジスタ等からなる第1のスイッチ素子7との並列回路を
第1の回路ブロック9と成し、この第1の回路ブロック
9と第2の回路ブロック10とを直列に接続して低圧コイ
ル12とグランド間に配置したものであり、それ以外の構
成は前記各実施例と同様である。第4の実施例は、第2
の回路ブロック10を低圧コイル12側とし、第1の回路ブ
ロック9をグランド側にして直列接続されており、第2
のスイッチ素子8は前記各実施例と同様にドライブトラ
ンス34によって駆動される。
FIG. 7 shows the circuit of the fourth embodiment of the present invention.
FIG. 8 shows the circuits of the fifth embodiment.
In these embodiments, the second switch element 8 composed of a MOS FET or the like is arranged between the low voltage coil 12 and the ground, and the parallel circuit of the charge capacitor 21, the diode 20 and the second switch element 8 is the second circuit. Similarly, a parallel circuit of the resonance capacitor 15, the damper diode 14, and the first switch element 7 formed of a transistor or the like is formed as a block 10, and the first circuit block 9 is formed. The second circuit block 10 is connected in series and is arranged between the low voltage coil 12 and the ground, and the other configurations are the same as those in the above-described respective embodiments. The fourth embodiment is the second
Is connected in series with the first circuit block 9 on the low voltage coil 12 side and the first circuit block 9 on the ground side.
The switch element 8 is driven by the drive transformer 34 as in the above embodiments.

【0032】また、第5の実施例は、第1の回路ブロッ
ク9を低圧コイル12側にし、第2の回路ブロック10をグ
ランド側にして直列に接続されており、第1のスイッチ
素子7のオン・オフ駆動は、通常、ドライブトランスに
より行われることになる。
Further, in the fifth embodiment, the first circuit block 9 is connected to the low-voltage coil 12 side and the second circuit block 10 is connected to the ground side to be connected in series. On / off driving is usually performed by a drive transformer.

【0033】これら第4および第5の各実施例も、前記
第1〜第3の各実施例と同様な回路動作により、高圧出
力電圧の安定化が行われることになる。
In each of the fourth and fifth embodiments, the high voltage output voltage is stabilized by the same circuit operation as in the first to third embodiments.

【0034】図9には本発明の第6の実施例が示されて
いる。この実施例は、低圧コイル12と並列にインダクタ
ンス素子40を並列に接続し、さらに、低圧コイル12の巻
き始め端側に第1のスイッチ素子として機能するトラン
ジスタ13とダンパーダイオード14の並列回路からなる第
1の回路ブロックを直列に接続し、この第1の回路ブロ
ックに第2のスイッチング素子として機能するトランジ
スタ43と、ダイオード20と、チャージコンデンサ21との
並列回路からなる第2の回路ブロックを直列に接続する
とともに、前記第1の回路ブロックと第2の回路ブロッ
クとの直列回路に共振コンデンサ15を並列に接続したも
のであり、それ以外の構成は前記第1の実施例と同様で
ある。
FIG. 9 shows a sixth embodiment of the present invention. In this embodiment, an inductance element 40 is connected in parallel with the low voltage coil 12, and a parallel circuit of a transistor 13 and a damper diode 14 that functions as a first switch element is provided on the winding start end side of the low voltage coil 12. A first circuit block is connected in series, and a second circuit block including a parallel circuit of a transistor 43 functioning as a second switching element, a diode 20, and a charge capacitor 21 is connected in series to the first circuit block. And the resonance capacitor 15 is connected in parallel to the series circuit of the first circuit block and the second circuit block, and the other configuration is the same as that of the first embodiment.

【0035】この実施例では、低圧コイル12にインダク
タンス素子としてのダミーヨーク40を接続しているの
で、フライバックトランス11のリーケージフラックスを
少なく抑えながら、フライバックトランス11の低圧コイ
ル12の発熱を抑制することができる。
In this embodiment, since the dummy yoke 40 as an inductance element is connected to the low voltage coil 12, while suppressing the leakage flux of the flyback transformer 11, the heat generation of the low voltage coil 12 of the flyback transformer 11 is suppressed. can do.

【0036】また、この実施例も、グランド側から駆動
電源18側に逆電流が流れるとき、この逆電流はチャージ
コンデンサ21を通る経路と、共振コンデンサ15を通る経
路で流れることとなり、したがって、共振コンデンサ15
も逆電流の電荷をチャージする作用を行い、チャージコ
ンデンサ21の一部として機能することになる。
Also in this embodiment, when a reverse current flows from the ground side to the drive power supply 18 side, this reverse current flows through the path passing through the charge capacitor 21 and the path passing through the resonance capacitor 15, and therefore the resonance. Capacitor 15
Also acts to charge the electric charge of the reverse current, and functions as a part of the charge capacitor 21.

【0037】さらに、前記図8の回路と図9の回路とを
比較した場合、図8の共振コンデンサ15の静電容量をC
1 ′とし、チャージコンデンサ21の静電容量をC2 ′と
し、図9の共振コンデンサ15の静電容量をC1 、チャー
ジコンデンサ21の静電容量をC2 としたとき、C1 =C
1 ′、かつ、C1 +C2 =C2 ′のとき、図8と図9の
両者の回路動作は全く等しくなることが分かる。このこ
とは、図9の回路で、第1の回路ブロックと第2の回路
ブロックの接続順序が変わったときにも同様な回路動作
を行うことができることとなり、取り扱い上、便利であ
る。
Further, when comparing the circuit of FIG. 8 with the circuit of FIG. 9, the capacitance of the resonance capacitor 15 of FIG.
1 ′, the capacitance of the charge capacitor 21 is C 2 ′, the capacitance of the resonance capacitor 15 in FIG. 9 is C 1 , and the capacitance of the charge capacitor 21 is C 2 , then C 1 = C
It can be seen that when 1 ′ and C 1 + C 2 = C 2 ′, the circuit operations of both FIG. 8 and FIG. 9 are completely equal. This means that the circuit of FIG. 9 can perform the same circuit operation even when the connection order of the first circuit block and the second circuit block is changed, which is convenient in handling.

【0038】図10には本発明の第7の実施例が示されて
いる。この実施例は、第1のスイッチング素子として機
能するトランジスタ13とダイオード14を第1の回路ブロ
ックとして低圧コイル12の巻き始め側に直列に接続し、
第2のスイッチング素子としてのトランジスタ43とダイ
オード20の並列回路からなる第2の回路ブロックを前記
第1の回路ブロックと直列に接続し、フライバックトラ
ンス11の高圧側に倍圧回路44を設けたものであり、それ
以外の構成は前記第6の実施例と同様である。
FIG. 10 shows a seventh embodiment of the present invention. In this embodiment, a transistor 13 and a diode 14 which function as a first switching element are connected in series as a first circuit block to the winding start side of a low voltage coil 12,
A second circuit block consisting of a parallel circuit of a transistor 43 as a second switching element and a diode 20 is connected in series with the first circuit block, and a voltage doubler circuit 44 is provided on the high voltage side of the flyback transformer 11. The other structure is the same as that of the sixth embodiment.

【0039】この実施例では第1の回路ブロックと第2
の回路ブロックとの直列回路に並列に共振コンデンサ15
が接続されており、この共振コンデンサ15はグランド側
から駆動電源18側に逆電流が流れるときに、その逆電流
の電荷をチャージするチャージコンデンサ21としての機
能を有している。
In this embodiment, the first circuit block and the second circuit block
Resonant capacitor 15 in parallel with the series circuit of the circuit block
When the reverse current flows from the ground side to the drive power supply 18 side, the resonance capacitor 15 has a function as the charge capacitor 21 that charges the reverse current.

【0040】また、この実施例では共振コンデンサ15は
駆動電源18側からグランド側に順方向の電流が流れると
きと、グランド側から駆動電源18側に逆電流が流れると
きに、低圧コイル12のインダクタンスと共振コンデンサ
15の静電容量によって共振を行うが、このとき、順方向
の電流による共振周波数と逆電流が流れるときの共振周
波数とは同一になる。
In this embodiment, the resonance capacitor 15 has an inductance of the low voltage coil 12 when a forward current flows from the drive power source 18 side to the ground side and when a reverse current flows from the ground side to the drive power source 18 side. And resonant capacitor
Resonance is caused by the capacitance of 15. At this time, the resonance frequency due to the forward current and the resonance frequency when the reverse current flows are the same.

【0041】図11には本発明の第8の実施例が示されて
いる。この実施例は、第1のスイッチ素子7と並列にイ
ンダクタンス素子として機能する偏向ヨーク41とS字コ
ンデンサ42との直列回路を接続したものであり、それ以
外の構成は前記図7に示す第4の実施例と同様である。
FIG. 11 shows an eighth embodiment of the present invention. In this embodiment, a series circuit of a deflection yoke 41 functioning as an inductance element and an S-shaped capacitor 42 is connected in parallel with the first switch element 7, and other configurations are the same as those of the fourth switch shown in FIG. It is similar to the embodiment of.

【0042】このように、偏向ヨーク41とS字コンデン
サ42の直列回路を第1のスイッチ素子7と並列に接続す
ることにより、高圧発生側の回路と偏向側の回路とを一
体化した回路として構成することができる。また、偏向
ヨーク41とS字コンデンサ42の直列回路と第1のスイッ
チ素子7との接続線路上にアモルファスのビーズコアを
挿入することによって、第2のスイッチ素子8がオフす
るときに発生する僅かなノイズが偏向電流に重畳される
ことをほぼ完全に防止している。なお、ビーズコアに替
えて高周波フィルタを接続してもよい。このような構成
は、図7,図8の回路でも用いることができ、図9,図
10の回路においても第1のスイッチ素子13に同様に偏向
ヨークとS字コンデンサの直列回路を並列に接続するこ
とにより高圧発生側の回路と偏向側の回路とを一体化し
たタイプの回路として構成することができる。
In this way, by connecting the series circuit of the deflection yoke 41 and the S-shaped capacitor 42 in parallel with the first switch element 7, a circuit on the high voltage generation side and a circuit on the deflection side are integrated. Can be configured. In addition, by inserting an amorphous bead core on the connection line between the series circuit of the deflection yoke 41 and the S-shaped capacitor 42 and the first switch element 7, a slight amount of noise generated when the second switch element 8 is turned off. It almost completely prevents noise from being superimposed on the deflection current. A high frequency filter may be connected instead of the bead core. Such a configuration can be used in the circuits of FIGS. 7 and 8 as well.
In the circuit of 10, too, a circuit of the high voltage generating side and a circuit of the deflecting side are integrated into one by connecting a series circuit of a deflection yoke and an S-shaped capacitor in parallel to the first switch element 13 in the same manner. can do.

【0043】なお、本発明は上記各実施例に限定される
ことはなく、様々な実施の態様を採り得る。例えば、上
記各実施例では、第1のスイッチ素子をトランジスタ13
によって構成し、第2のスイッチ素子をMOS FET
17やトランジスタ43により構成したが、第1のスイッチ
素子をMOS FETにより構成してもよく、これらの
第1および第2のスイッチ素子は本実施例以外の様々な
スイッチ素子を用いて構成することができる。
The present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and various embodiments can be adopted. For example, in each of the above embodiments, the first switch element is the transistor 13
And the second switch element is a MOS FET
Although it is composed of 17 and the transistor 43, the first switch element may be composed of a MOS FET, and these first and second switch elements should be composed of various switch elements other than this embodiment. You can

【0044】また、上記各実施例では第2のスイッチ素
子、つまりMOS FET17に並列にダイオード20を接
続したが、このダイオード20は省略することもできる。
この場合には、このダイオード20を省略することによる
回路変更が必要となる。
Although the diode 20 is connected in parallel with the second switch element, that is, the MOS FET 17, in each of the above embodiments, the diode 20 may be omitted.
In this case, the circuit needs to be changed by omitting the diode 20.

【0045】さらに、第1のスイッチ素子の駆動パルス
信号を作り出す回路は必ずしも実施例の回路に限定され
ることはなく、高圧出力電圧の降下量が大きくなるにつ
れて第2のスイッチ素子のオフのタイミングを早くする
信号を作り出すことができる回路であれば本実施例以外
の回路でもよい。
Further, the circuit for generating the drive pulse signal of the first switch element is not necessarily limited to the circuit of the embodiment, and the off timing of the second switch element increases as the amount of drop of the high voltage output voltage increases. A circuit other than that of this embodiment may be used as long as it is a circuit that can generate a signal that speeds up.

【0046】[0046]

【発明の効果】本発明は、フライバックトランスの低圧
コイルと共振コンデンサの共振動作により低圧コイル側
から駆動電源側に逆電流が流れている期間で第2のスイ
ッチ素子のオフ時点を制御し、高圧出力電圧の降下量に
応じて第2のスイッチ素子のオン期間を制御し、これに
より、チャージコンデンサに逆電流が流れる期間を可変
してチャージ電圧の大きさを制御し、コレクタパルスの
波高値の調整によって高圧出力電圧の安定化を行うよう
に構成したものであるから、従来例のようにコレクタパ
ルスの波高値を制御する際に、大電流を閉ループで還流
することがないので、その大電流を還流させることによ
る電力損失も発生することがなくなり、これにより回路
効率を大幅に高めることができる。
According to the present invention, the off time of the second switch element is controlled during a period in which a reverse current flows from the low voltage coil side to the drive power source side by the resonance operation of the low voltage coil of the flyback transformer and the resonance capacitor. The ON period of the second switch element is controlled according to the amount of drop of the high voltage output voltage, thereby varying the period during which the reverse current flows through the charge capacitor to control the magnitude of the charge voltage and the peak value of the collector pulse. Since it is configured to stabilize the high voltage output voltage by adjusting, the large current does not flow in a closed loop when controlling the peak value of the collector pulse as in the conventional example. Power loss due to the return of current does not occur, and the circuit efficiency can be significantly increased.

【0047】また、逆電流が第2のスイッチ素子を通っ
て駆動電源側に流れているときに第2のスイッチ素子を
オフするものであるから、第2のスイッチ素子の零電圧
スイッチ動作を達成することができ、このスイッチ動作
に伴う電力損失を抑えることができるとともに、スイッ
チノイズの発生もほとんどなく、このスイッチノイズに
よる画面への悪影響を最小限に抑えることができる。し
かも、本発明では、第2のスイッチ素子のオフ時点を低
圧コイル側から駆動電源側に逆電流が流れている期間の
範囲内で任意に設定できるので、高圧出力電圧の降下量
に対する補正範囲が非常に広くなり、現状の様々なマル
チスキャンタイプのテレビジョン受像機やディスプレイ
装置に対応することができる。しかも、シングルスキャ
ンタイプのテレビジョン受像機やディスプレイ装置のよ
うに高圧出力電圧の降下量の補正幅をあまり必要としな
いタイプの場合には第2のスイッチ素子のオフ時点を帰
線期間内で変化させることが可能となり、この場合には
スイッチノイズに起因する画面への悪影響を完全に解消
することが可能となる。
Further, since the second switch element is turned off when the reverse current is flowing through the second switch element to the drive power source side, the zero voltage switch operation of the second switch element is achieved. Therefore, it is possible to suppress the power loss accompanying the switch operation, and the switch noise is hardly generated, so that the adverse effect of the switch noise on the screen can be minimized. Moreover, in the present invention, the OFF time of the second switch element can be arbitrarily set within the range of the period in which the reverse current flows from the low voltage coil side to the drive power source side, so that the correction range for the drop amount of the high voltage output voltage can be set. It is very wide, and can be applied to various current multi-scan type television receivers and display devices. Moreover, in the case of a type such as a single scan type television receiver or a display device which does not require much correction width of the high voltage output voltage drop, the off time of the second switch element is changed within the blanking period. In this case, it is possible to completely eliminate the adverse effect on the screen due to the switch noise.

【0048】さらに、本発明は、高圧出力電圧が降下し
たときに、コレクタパルスの波高値を無補正の状態より
も高める方向に高圧出力電圧の補正を行うので、波高値
が高められる分だけ、フライバックトランスの一次側の
印加電圧が高められることとなり、したがって、その
分、駆動電源の電圧やフライバックトランスの昇圧比を
小さくすることができる結果、フライバックトランスの
発熱を小さくすることができるとともに、回路に使用さ
れている電子部品の負担を小さくすることが可能とな
る。
Further, according to the present invention, when the high-voltage output voltage drops, the high-voltage output voltage is corrected in such a direction as to increase the peak value of the collector pulse as compared with the uncorrected state. Since the applied voltage on the primary side of the flyback transformer is increased, the voltage of the drive power supply and the step-up ratio of the flyback transformer can be reduced accordingly, and as a result, the heat generation of the flyback transformer can be reduced. At the same time, it is possible to reduce the load on the electronic components used in the circuit.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明に係る高電圧発生回路の基本回路図であ
る。
FIG. 1 is a basic circuit diagram of a high voltage generating circuit according to the present invention.

【図2】本発明に係る高電圧発生回路の第1の実施例を
示す回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a first embodiment of a high voltage generating circuit according to the present invention.

【図3】同実施例における第2のスイッチ素子に加える
駆動パルス信号を作り出す回路の各部の波形を示すタイ
ムチャートである。
FIG. 3 is a time chart showing a waveform of each part of a circuit that produces a drive pulse signal to be applied to the second switch element in the example.

【図4】同実施例における高圧出力電圧の安定化動作の
タイムチャートである。
FIG. 4 is a time chart of a high voltage output voltage stabilizing operation in the embodiment.

【図5】本発明の第2の実施例を示す回路図である。FIG. 5 is a circuit diagram showing a second embodiment of the present invention.

【図6】本発明の第3の実施例を示す回路図である。FIG. 6 is a circuit diagram showing a third embodiment of the present invention.

【図7】本発明の第4の実施例を示す回路図である。FIG. 7 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the present invention.

【図8】本発明の第5の実施例を示す回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第6の実施例を示す回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram showing a sixth embodiment of the present invention.

【図10】本発明の第7の実施例を示す回路図である。FIG. 10 is a circuit diagram showing a seventh embodiment of the present invention.

【図11】本発明の第8の実施例を示す回路図である。FIG. 11 is a circuit diagram showing an eighth embodiment of the present invention.

【図12】従来の高電圧発生回路を示す回路図である。FIG. 12 is a circuit diagram showing a conventional high voltage generation circuit.

【図13】従来の高電圧発生回路による高圧出力電圧の安
定化動作の説明図である。
FIG. 13 is an explanatory diagram of a stabilizing operation of a high output voltage by a conventional high voltage generating circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11 フライバックトランス 12 低圧コイル 13 トランジスタ 14 ダンパーダイオード 15 共振コンデンサ 17 MOS FET 18 駆動電源 20 ダイオード 21 チャージコンデンサ 11 Flyback transformer 12 Low voltage coil 13 Transistor 14 Damper diode 15 Resonance capacitor 17 MOS FET 18 Drive power supply 20 Diode 21 Charge capacitor

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 フライバックトランスの低圧コイルの一
端はグランド側に、他端は駆動電源側に接続されるとと
もに、この低圧コイルには第1のスイッチ素子と共振コ
ンデンサが接続されている高電圧発生回路において、前
記駆動電源から低圧コイルを経てグランドに至る経路に
は第2のスイッチ素子と、この第2のスイッチ素子のオ
フ期間に低圧コイル側から駆動電源に流れる逆電流によ
ってチャージされるチャージコンデンサとが設けられて
いることを特徴とする高電圧発生回路。
1. A high voltage in which one end of a low voltage coil of a flyback transformer is connected to the ground side and the other end is connected to a drive power source side, and the low voltage coil is connected to a first switch element and a resonance capacitor. In the generation circuit, a second switch element is provided on a path from the drive power source through the low voltage coil to the ground, and a charge charged by a reverse current flowing from the low voltage coil side to the drive power source during an off period of the second switch element. A high-voltage generation circuit, which is provided with a capacitor.
【請求項2】 逆電流によってチャージされるチャージ
コンデンサの一部又は全部を第1のスイッチ素子に接続
されている共振コンデンサで兼用させた請求項1記載の
高電圧発生回路。
2. The high voltage generating circuit according to claim 1, wherein a part or all of the charge capacitor charged by the reverse current is also used as the resonance capacitor connected to the first switch element.
【請求項3】 フライバックトランスの低圧コイルと並
列にインダクタンス素子が接続されている請求項1又は
請求項2記載の高電圧発生回路。
3. The high voltage generating circuit according to claim 1, wherein an inductance element is connected in parallel with the low voltage coil of the flyback transformer.
【請求項4】 第1のスイッチ素子と並列にインダクタ
ンス素子としての偏向ヨークとコンデンサとの直列回路
が接続されている請求項1又は請求項2記載の高電圧発
生回路。
4. The high voltage generating circuit according to claim 1, wherein a series circuit of a deflection yoke as an inductance element and a capacitor is connected in parallel with the first switch element.
JP4137951A 1991-08-12 1992-04-30 High voltage generation circuit Expired - Fee Related JP2650569B2 (en)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US07/925,751 US5278746A (en) 1991-08-12 1992-08-07 High voltage generator
DE69209744T DE69209744T2 (en) 1991-08-12 1992-08-11 High voltage generator
EP92113674A EP0527471B1 (en) 1991-08-12 1992-08-11 High voltage generator
KR1019920014577A KR970007350B1 (en) 1991-08-12 1992-08-12 High voltage generator

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP22654991 1991-08-12
JP1829192 1992-01-06
JP3-226549 1992-01-06
JP4-18291 1992-01-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH05252409A true JPH05252409A (en) 1993-09-28
JP2650569B2 JP2650569B2 (en) 1997-09-03

Family

ID=26354945

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP4137951A Expired - Fee Related JP2650569B2 (en) 1991-08-12 1992-04-30 High voltage generation circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2650569B2 (en)

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07254996A (en) * 1994-03-15 1995-10-03 Victor Co Of Japan Ltd Horizontal deflection circuit
JPH09233360A (en) * 1996-02-21 1997-09-05 Victor Co Of Japan Ltd Horizontal deflection high voltage generation circuit
JPH11308477A (en) * 1998-04-24 1999-11-05 Murata Mfg Co Ltd Deflection high voltage-integrated type power source
JP2004080985A (en) * 2002-06-17 2004-03-11 Hitachi Ltd Power supply device and hard disk device using it, integrated circuit
JP2017118751A (en) * 2015-12-25 2017-06-29 ダイハツ工業株式会社 Power supply device for plasma reactor
JP2017118750A (en) * 2015-12-25 2017-06-29 ダイハツ工業株式会社 Power supply device for plasma reactor
JP2018019562A (en) * 2016-07-29 2018-02-01 ダイハツ工業株式会社 Power supply device for plasma reactor
JP2018078734A (en) * 2016-11-10 2018-05-17 ダイハツ工業株式会社 Power supply for plasma reactor
JP2018196260A (en) * 2017-05-18 2018-12-06 キヤノン株式会社 Power supply device and image forming apparatus
JP2022012481A (en) * 2020-07-01 2022-01-17 日本特殊陶業株式会社 Power supply device for plasma reactor, and method of controlling the same
JP2022012480A (en) * 2020-07-01 2022-01-17 日本特殊陶業株式会社 Power supply device for plasma reactor

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07254996A (en) * 1994-03-15 1995-10-03 Victor Co Of Japan Ltd Horizontal deflection circuit
JPH09233360A (en) * 1996-02-21 1997-09-05 Victor Co Of Japan Ltd Horizontal deflection high voltage generation circuit
JPH11308477A (en) * 1998-04-24 1999-11-05 Murata Mfg Co Ltd Deflection high voltage-integrated type power source
JP2004080985A (en) * 2002-06-17 2004-03-11 Hitachi Ltd Power supply device and hard disk device using it, integrated circuit
JP2017118751A (en) * 2015-12-25 2017-06-29 ダイハツ工業株式会社 Power supply device for plasma reactor
JP2017118750A (en) * 2015-12-25 2017-06-29 ダイハツ工業株式会社 Power supply device for plasma reactor
JP2018019562A (en) * 2016-07-29 2018-02-01 ダイハツ工業株式会社 Power supply device for plasma reactor
JP2018078734A (en) * 2016-11-10 2018-05-17 ダイハツ工業株式会社 Power supply for plasma reactor
JP2018196260A (en) * 2017-05-18 2018-12-06 キヤノン株式会社 Power supply device and image forming apparatus
JP2022012481A (en) * 2020-07-01 2022-01-17 日本特殊陶業株式会社 Power supply device for plasma reactor, and method of controlling the same
JP2022012480A (en) * 2020-07-01 2022-01-17 日本特殊陶業株式会社 Power supply device for plasma reactor

Also Published As

Publication number Publication date
JP2650569B2 (en) 1997-09-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2650569B2 (en) High voltage generation circuit
US5010281A (en) High voltage stabilization circuit for video display apparatus
KR920005869B1 (en) Variable horizontal deflection circuit capable of providing east-west pincushion correction
EP0414184A2 (en) High voltage regulator circuit for picture tube
US4321514A (en) Commutated SCR regulator for a horizontal deflection circuit
US5278746A (en) High voltage generator
US5939844A (en) High-frequency horizontal deflection/high-voltage generation apparatus for cathode ray tube
JP3097315B2 (en) High voltage generation circuit
JPH02273073A (en) Switch mode source
EP0527471B1 (en) High voltage generator
JP2650568B2 (en) High voltage generation circuit
JP3082423B2 (en) Horizontal deflection current control circuit, horizontal deflection circuit including the same, high voltage / horizontal deflection integrated circuit, and pincushion distortion correction circuit
FI102865B (en) Switching power supply
US4169989A (en) Circuit arrangements for providing saw-tooth currents in coils
JP2650567B2 (en) High voltage generation circuit
JPH11127364A (en) Horizontal deflection circuit
KR970007350B1 (en) High voltage generator
JP2595532Y2 (en) High voltage generation circuit
JP2819977B2 (en) Power supply circuit of receiver
JP3230717B2 (en) Horizontal deflection high voltage generation circuit
JPH0630291A (en) High voltage generating circuit
JPH0698189A (en) High voltage generating circuit
JPH07177739A (en) High voltage generating circuit
JP2000341946A (en) Operating method of resonance type power supply circuit for high voltage generation
JPH0698190A (en) High voltage generating circuit

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees