JPH05251948A - 電力増巾器及びこの電力増巾器を熱過負荷による損傷から保護する方法 - Google Patents

電力増巾器及びこの電力増巾器を熱過負荷による損傷から保護する方法

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JPH05251948A
JPH05251948A JP28002792A JP28002792A JPH05251948A JP H05251948 A JPH05251948 A JP H05251948A JP 28002792 A JP28002792 A JP 28002792A JP 28002792 A JP28002792 A JP 28002792A JP H05251948 A JPH05251948 A JP H05251948A
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JP
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terminal
power amplifier
temperature
voltage
output signal
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JP28002792A
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Inventor
Edoardo Botti
エドアルド・ボッティ
Claudio Tavazzani
クラウディオ・タヴァザーニ
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SGS THOMSON MICROELECTRONICS
STMicroelectronics SRL
Original Assignee
SGS THOMSON MICROELECTRONICS
SGS Thomson Microelectronics SRL
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Publication date
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    • H03F1/52Circuit arrangements for protecting such amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F1/00Details of amplifiers with only discharge tubes, only semiconductor devices or only unspecified devices as amplifying elements
    • H03F1/30Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters
    • H03F1/302Modifications of amplifiers to reduce influence of variations of temperature or supply voltage or other physical parameters in bipolar transistor amplifiers
    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
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    • H03GCONTROL OF AMPLIFICATION
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    • H03G3/20Automatic control
    • H03G3/30Automatic control in amplifiers having semiconductor devices
    • H03G3/3005Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers
    • H03G3/3026Automatic control in amplifiers having semiconductor devices in amplifiers suitable for low-frequencies, e.g. audio amplifiers the gain being discontinuously variable, e.g. controlled by switching
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    • H03FAMPLIFIERS
    • H03F2200/00Indexing scheme relating to amplifiers
    • H03F2200/447Indexing scheme relating to amplifiers the amplifier being protected to temperature influence

Abstract

(57)【要約】 【目的】 周囲温度が高いかエネルギー消費体のサイズ
が小さい時でさえ、電力増巾器の出力信号をしゃ断した
りひずませたりするのを防止する。 【構成】 増巾段1の出力信号VOをレンジ・コンパレ
ータ7にて基準電圧VR1,VR2と比較し、出力電圧の方
が高ければ増巾段1の上流側に在る可変利得素子5の利
得を下げる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】この発明は、電力増巾器、特に音
声型の電力増巾器に関するものである。
【0002】
【従来の技術】音声増巾器に所要の増大する出力電力
は、発熱を放散させるための重大な問題を抱えている。
実際、エネルギーの消費がかなり多い場合には、周囲温
度が高いこと及びエネルギー消費体のサイズが小さいこ
とのせいで装置を重大な危険にさらすかもしれず、これ
を防止するために、増巾器の幾つかの構成部品をターン
オフし、従って信号を打ち消したり或は少なくともひず
ませたりする(これは音声用では許されない)熱カット
回路が設けられる。
【0003】上述した問題を解決するために工夫された
1つの解決策は、増巾器の最終段の温度を監視して、こ
の温度が所定の閾値を超えた時に最終段から上流側の素
子の利得を下げることである。図1はそのような解決策
を示すブロック図であり、図において1は周知の型式の
増巾段を概略図で示し、この増巾段1はその温度に依存
する電気信号を発生する温度センサ(図示せず)を有し
ている。この温度センサからの電気信号はライン2を通
してコンパレータ3に供給される。このコンパレータ3
には閾値信号VTHも供給される。コンパレータ3は比較
の結果次第でライン4を通して増巾段1よりも上流側の
可変利得素子5をドライブし且つその利得を下げる。可
変利得素子5は、その入力側に音声信号VINが供給され
且つその出力側が増巾段1の入力側に接続されており、
従って温度がVTHで定められた所定の閾値を超える時に
入力された音声信号VINひいては増巾段1の出力信号V
Oのレベルを下げる。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】上述した解消策の欠点
は、温度閾値を超えた時に音声信号のレベルがその振巾
とは無関係に下げられ、従って出力が既に低くなってい
ても(弱い音声信号)レベルを下げることになることで
ある。
【0005】別な周知の解決策は、温度に依存する所定
の最大値以上の出力電圧を制限するクリップ回路付き増
巾器に適用される。その結果、出力電圧は温度上昇につ
れて低下する。この場合には、クリップ時に可変利得素
子5の利得を下げ、その結果音声信号のレベルを下げる
クリップ・センサが設けられる。
【0006】上述した別な解決策の欠点は、可変利得素
子5の利得の低下がクリップされる出力電圧に依存する
ので、一方では必要な時に信号が必ずしも下げられず、
他方では信号が既に非直線的にひずんだ時に装置が少し
しか有効にならないことである。
【0007】この発明の目的は、周囲温度が高いかエネ
ルギー消費体のサイズが小さい時でさえ、熱カット回路
の干渉のせいで電力増巾器、特に音声型の電力増巾器が
出力信号をしゃ断したりひずませたりするのを防止する
ために設計された装置を提供することである。
【0008】
【課題を解決するための手段】この発明によれば、利得
制御端子(12)を有する可変利得素子(5)と、この可変利
得素子に縦続接続され且つ出力信号(VO)を供給する出力
端子を有する増巾段(1)と、この増巾段に接続された第
1の入力端子(8)及び前記可変利得素子の前記制御端子
に接続された出力端子を有する比較手段(7)とを備えた
電力増巾器において、前記比較手段は、前記増巾段の前
記出力端子に接続されて前記出力信号を受ける第2の入
力端子(6)を有し、前記電力増巾器は、温度と共に変わ
る振巾を有する第1の電気的基準量(VR1)を発生するた
めの可変発生手段(15)を更に備え、この可変発生手段が
前記比較手段の前記第1の入力端子に接続され、そして
前記第1の電気的基準量が前記出力信号の最大許容振巾
を表すことを特徴とする電力増巾器が提供される。
【0009】
【実施例】この発明の望ましい実施例(これだけに限定
されない)を、添付図面に示した例について説明する。
図1と同様に、図2にも周知の電力増巾段1及び可変利
得素子5を示す。一例として、増巾段1は本特許出願人
によって1987年1月4日に出願されたイタリア特許
願第20195A/87号に記載されたようなもので良
く、そして可変利得素子5はギルバート回路すなわちマ
イクロプロセッサ制御式ディスクリート・ステップ(di
screte-step)増巾器から成る。
【0010】図2の回路において、増巾段1の出力側
(こゝに出力信号VOが現れる)はレンジ・コンパレー
タ7の入力端子6に接続され、レンジ・コンパレータ7
の他の2つの入力端子8,9にはそれぞれ基準電圧
R1,VR2が供給される。これら基準電圧VR1及びVR2
の値は、増巾段1の温度と共に変わり且つ所定の温度に
おける出力電圧VOの最小許容値及び最大許容値を表
す。レンジ・コンパレータ7の出力端子は低域フィルタ
11に接続されており、この低域フィルタ11は過変干
渉を除去し且つその出力端子が可変利得素子5の制御端
子12に接続されている。
【0011】レンジ・コンパレータ7は、基準電圧VR1
とVR2によって定められたレンジ(範囲)内に出力信号
Oが入ることをチェックする。このレンジを超えた場
合には、レンジ・コンパレータ7が所定レベル(例えば
論理レベル0)の出力信号sを発生し、この出力信号s
は低域フィルタ11によってろ波され且つ積分された
後、可変利得素子5によって利得低下命令として解釈さ
れる。逆に、出力信号VOが上述したレンジ内に入るな
らば、レンジ・コンパレータ7は反対レベル(この場合
には論理レベル1)のデジタル出力信号sを発生し、こ
の出力信号sは可変利得素子5により設定された利得を
維持するための或は利得が既に下げられていたならば利
得を上げるための命令として解釈される。換言すれば、
入力信号のレベルと温度が高い時には出力信号を設定さ
れた基準値内に維持し且つ入力信号のレベルが低いか温
度が設定された閾値(130℃)よりも低い時には可変
利得素子5の設定された利得を回復するように、装置は
それ自体を動的に調整する。
【0012】上述したように、基準電圧VR1及びVR2
温度によって支配され、もっと詳しく説明すれば一定の
閾値について温度上昇と共に下がる。すなわち、温度が
一定の閾値(例えば130℃)より下に留る限り、基準
電圧VR1,VR2はそれぞれ給電電圧VCCより高い、給電
電圧−VCCより低いので、出力信号VOはレンジ・コン
パレータ7のレンジ内に留り、その出力論理レベルは可
変利得素子5の利得に影響を及ぼさないようなレベル
(図示の例ではレベル1)に留る。逆に温度が設定され
た閾値を超えると、基準電圧VR1及びVR2の絶対値はレ
ンジ・コンパレータ7のレンジを低減するように下が
り、出力信号の最大許容値は下げられ、そしてT<13
0℃の動作と比べると出力信号VOは温度上昇につれて
増加的に減衰させられる。これは図4に示されている。
すなわち、図4は同一の入力信号VINが存在する場合に
出力信号VOの動作グラフを示すが、3つの異なる温度
すなわち130℃の設定された閾値よりも低い温度、少
し高い温度及びかなり高い温度での出力信号VOの動作
グラフを示す。レンジ・コンパレータ7の出力信号sの
対応する動作状態も示す図4では、入力信号VINは3つ
の出力電圧グラフに関して案分比例ではなく且つ低域フ
ィルタ11によって導入される遅れを考慮していない。
【0013】図3は基準電圧VR1を発生する回路15
(これはVR2に適用される)の一実施例を示す。図3に
示すように、回路15は、増巾段1の温度に依存する電
圧Vdを発生する温度センサ16と、定電圧VREFを発
生する基準電圧源18と、VdとVREFを比較して電流
信号を発生するコンパレータ17と、基準レベルを形成
する電圧VR1を発生する電流/電圧変換回路19とを備
えている。
【0014】もっと詳しく説明すれば、温度センサ16
はNPNトランジスタ21を備え、そのコレクタ端子が
電流源22を介して給電ラインVCC(第1基準電位ライ
ン)に接続され、エミッタ端子が接地され(第2基準電
位ライン)且つベース端子が2個の直列接続された抵抗
23と24の接続点に接続されている。抵抗23は上述
したベース端子と大地の間に接続され、そして抵抗24
は上述したベース端子と別なNPNドライブ・トランジ
スタ25のエミッタ端子との間に接続されている。トラ
ンジスタ25のベース端子はトランジスタ21のコレク
タ端子に接続され、トランジスタ25のコレクタ端子は
給電ラインVCCに接続されている。トランジスタ25の
エミッタ端子は温度センサ16の出力端子26となり、
この出力端子26はコンパレータ17の一方の入力端子
に接続されている。コンパレータ17は2個のエミッタ
接続されたPNPトランジスタ28及び29から成る。
コンパレータ17の他方の入力端子は基準電圧源18に
接続されている。基準電圧源18は、温度と無関係に定
電圧VREFを発生するためのいわゆるバンドギャップ回
路すなわちツェナー回路から成って良い。
【0015】トランジスタ28は、そのベース端子が基
準電圧源18に接続され、コレクタ端子が接地され且つ
エミッタ端子が2個の直列接続された抵抗31及び32
を介してトランジスタ29のエミッタ端子に接続されて
いる。抵抗31と32の接続点は電流源33を介して給
電ラインVCCに接続されている。トランジスタ29は、
そのベース端子が温度センサ16の出力端子26に接続
され、コレクタ端子がダイオード34のアノードに接続
されている。なお、ダイオード34はカレント・ミラー
回路の一部をなし、このカレント・ミラー回路は変換回
路19の一部をなすNPNトランジスタ35から成る。
もう少し詳しく説明すれば、ダイオード34のカソード
は接地されるが、アノードはトランジスタ35のベース
端子にも接続されている。トランジスタ35のエミッタ
端子は接地され、コレクタ端子はレンジ・コンパレータ
7の入力端子になり且つ2個の抵抗37及び38並びに
ダイオード39から成る回路網を介して給電ラインVCC
に接続されている。抵抗値Rの抵抗37は給電ラインV
CCと入力端子8の間に接続され且つ抵抗38とダイオー
ド39の直列接続体から成る枝路と並列である。
【0016】図示の例では、レンジ・コンパレータ7
は、その入力端子6になるエミッタ端子、入力端子8に
接続されたベース端子及びNPNトランジスタ41のベ
ース端子に接続されたコレクタ端子を有する第1のPN
Pトランジスタ40を備えている。トランジスタ41の
エミッタ端子は接地され、コレクタ端子は抵抗42を介
して給電ラインVCCに接続されている。トランジスタ4
1のコレクタ端子はレンジ・コンパレータ7の出力端子
にもなり、トランジスタ41のベース端子と大地の間に
は抵抗44が設けられている。
【0017】図3の回路において、トランジスタ21
は、電流源22によって定電流にバイアスされると、温
度上昇と共に減少するベース・エミッタ電圧降下VBE
呈する。電流源33が電流I=VCC/R(たゞしRは抵
抗38の抵抗値)を供給すると仮定すれば、抵抗37は
抵抗値R1>>Rを呈する。R2,R3はそれぞれ抵抗2
3,24の抵抗値である。抵抗31及び32は同一の抵
抗値R4を呈する。出力端子26の、大地に対する電位
(電圧Vd)は従って下記の通りである。
【0018】Vd=VBE*(1+R3/R2
【0019】これは明らかに温度上昇につれて減少す
る。図3の回路は、温度が低い限り下記の不等式が成立
するサイズにされ得る。
【0020】Vd>VREF+R4*I
【0021】従って、トランジスタ29がターンオフさ
れるので、電流はカレント・ミラー回路34,35を循
環しない。レンジ・コンパレータ7の入力端子8は給電
電圧VCCを呈する。トランジスタ40は、そのベース端
子、エミッタ端子がそれぞれ基準電圧VR1=VCC、出力
電圧VO(VCCより低い)を供給するので、矢張りター
ンオフされる。よって、トランジスタ41のコレクタ端
子は給電電圧(高い論理レベル)を提供する。
【0022】温度が上昇してVdが下がると、下記の式
が成立する。
【0023】Vd=VREF+R4*I
【0024】トランジスタ29がターンオンされて、V
dの低下(すなわち温度上昇につれて)につれて増大す
る電流がカレント・ミラー回路34,35に流れる。も
う少し詳しく説明すれば、Vd=VREFの時に、トラン
ジスタ28と29は平衡されるので電流Iはこれらトラ
ンジスタに等しく分割される。その結果、ダイオード3
4に供給される電流I1はI/2すなわちVCC/2Rと
なる。これはトランジスタ35によって抵抗38(抵抗
37は無視できる)に反映され、VCC/2の電圧降下を
生じすなわち大地に対する入力端子8の電位(電圧
R1)に等しい。従って、出力信号VOがVCC/2を超
える(トランジスタ40のベース・エミッタ電圧降下を
無視する)時に、トランジスタ40は導通し始め、ひい
てはトランジスタ41をターンオンさせる。このトラン
ジスタ41が飽和するので、そのコレクタ端子は図4に
示したように非常に低い電圧(論理レベル0)に切り換
わる。
【0025】
【発明の効果】この発明に係る回路の利点は、下記の説
明から明らかになろう。特に、図1の回路と違って、ク
ランプされないことのために電力増巾器のピーク出力は
温度上昇と共に下がらないので、低い信号レベルはこれ
以上下げられず、音声信号は高い温度でも減衰されずに
現れる。加えて、この回路は信号を全くひずませず且つ
熱カット回路の介入を防ぐ。最後に、図示の実施例は極
めて簡単であるので、信頼性と経済性の両方が良く、コ
ンパクトでトラブルの無い調整を行える。
【0026】この発明の範囲から逸脱することなく、図
示して上述した電力増巾器に種々の変更を行えることは
当業者に明白である。特に、2つの基準電圧VR1及びV
R2が供給されるレンジ・コンパレータに代えて、単一の
基準電圧が供給される簡単なコンパレータを用いること
により装置性能に認め得る程度の差をつけずに図2の構
成を簡単化できる。温度センサ16及び基準電圧発生回
路15は、必ずしも図3に示したようなものでなくても
良く、種々変更できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】周知の解決策を示すブロック図である。
【図2】この発明に係る音声増巾器の一実施例を示すブ
ロック図である。
【図3】図2の音声増巾器の一部を示す簡単化された回
路図である。
【図4】図2の回路に関する多数の量の時間グラフであ
る。
【符号の説明】
1 増巾器 5 可変利得素子 7 レンジ・コンパレータ 6,8,9 レンジ・コンパレータの入力端子 10 レンジ・コンパレータの出力端子 12 可変利得素子の利得制御端子 15 可変発生手段としての回路 VR1,VR2 基準電圧 VO 出力信号

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 利得制御端子(12)を有する可変利得素子
    (5)と、この可変利得素子に縦続接続され且つ出力信号
    (VO)を供給する出力端子を有する増巾段(1)と、この増
    巾段に接続された第1の入力端子(8)及び前記可変利得
    素子の前記制御端子に接続された出力端子を有する比較
    手段(7)とを備えた電力増巾器において、 前記比較手段は、前記増巾段の前記出力端子に接続され
    て前記出力信号を受ける第2の入力端子(6)を有し、前
    記電力増巾器は、温度と共に変わる振巾を有する第1の
    電気的基準量(VR1)を発生するための可変発生手段(15)
    を更に備え、この可変発生手段が前記比較手段の前記第
    1の入力端子に接続され、そして前記第1の電気的基準
    量が前記出力信号の最大許容振巾を表すことを特徴とす
    る電力増巾器。
  2. 【請求項2】 前記比較手段(7)は、温度と共に変わる
    第2の電気的基準量(VR2)を受ける第3の入力端子(9)を
    有し、前記第1及び第2の電気的基準量が前記出力信号
    (VO)の最大及び最小の許容レベルを定めることを特徴と
    する請求項1の電力増巾器。
  3. 【請求項3】 前記比較手段(7)は、前記出力信号(VO)
    の最大振巾が前記第1及び第2の電気的基準量(VR1及び
    VR2)の定めるレンジ内に入る時に第1の論理レベル信号
    を発生し且つ前記出力信号が前記第1の電気的基準量よ
    りも高いか或は前記第2の電気的基準量よりも低い時に
    第2の反対の論理レベル信号を発生するためのレンジ・
    コンパレータであることを特徴とする請求項2の電力増
    巾器。
  4. 【請求項4】 前記比較手段(7)と前記可変利得素子(5)
    の前記制御端子(12)との間に低域フィルタ手段(11)を備
    えたことを特徴とする請求項1ないし3のいずれかの電
    力増巾器。
  5. 【請求項5】 前記可変発生手段(15)は可変電圧源を含
    み、この可変電圧は、前記電力増巾器の温度が所定の閾
    値よりも低く留るかぎり所定のレベルを呈し且つ前記電
    力増巾器の温度が前記所定の閾値を超える時に温度上昇
    につれて減少するレベルを呈することを特徴とする請求
    項1ないし4のいずれかの電力増巾器。
  6. 【請求項6】 前記可変発生手段(15)は、温度と共に変
    わる電圧(Vd)を発生するための温度センサ(16)と、温度
    とは無関係に基準電圧(VREF)を発生するための基準電圧
    源(18)と、これら温度センサ及び基準電圧源に接続さ
    れ、前記可変電圧と前記基準電圧の差の関数として差動
    出力信号(I1)を発生するためのコンパレータ(17)と、前
    記差動出力信号を受けて前記第1の電気的基準量(VR1)
    を発生する被制御電圧源(19)とを含むことを特徴とする
    請求項5の電力増巾器。
  7. 【請求項7】 前記温度センサ(16)は、定電流にバイア
    スされて温度上昇と共に減少するベース・エミッタ電圧
    降下(VBE)を生じる第1のバイポーラ・トランジスタ(2
    1)を含み、前記コンパレータ(17)は、エミッタ端子が相
    互に接続され且つベース端子がそれぞれ前記温度センサ
    (16)、前記基準電圧源(18)に接続された第2、第3のバ
    イポーラ・トランジスタ(29,28)を含み、前記第2のバ
    イポーラ・トランジスタ(29)のコレクタ端子が前記被制
    御電圧源(19)に接続され、前記基準電圧(VREF)は、温度
    が前記所定の閾値よりも低い時に前記第2のバイポーラ
    ・トランジスタがオフのまゝであるような値であること
    を特徴とする請求項6の電力増巾器。
  8. 【請求項8】 前記被制御電圧源(19)は、カレント・ミ
    ラー回路(34,35)を含み、その出力端子(8)が抵抗(38)に
    接続され、この抵抗が前記出力端子(8)と基準電位ライ
    ン(VCC)との間に接続されることを特徴とする請求項6
    または7の電力増巾器。
  9. 【請求項9】 前記比較手段(7)は、第1及び第2のバ
    イポーラ・トランジスタ(40及び41)を含み、前記第1の
    バイポーラ・トランジスタは、そのエミッタ端子、ベー
    ス端子がそれぞれ前記電力増巾器の前記出力端子、前記
    被制御電圧源(19)に接続され、コレクタ端子が前記第2
    のバイポーラ・トランジスタのベース端子に接続され、
    前記第2のバイポーラ・トランジスタは、そのコレクタ
    端子が抵抗(42)を介して第1の基準電位ライン(VCC)に
    接続され且つ前記比較手段の前記出力端子(10)になり、
    エミッタ端子が第2の基準電位ラインに接続されている
    請求項6ないし8のいずれかの電力増巾器。
  10. 【請求項10】 電力増巾器の温度を測定するステップ
    と、 測定された温度に応じて第1の基準電圧の振幅を調節す
    るステップと、 前記電力増巾器の出力電圧を前記第1の基準電圧と比較
    するステップと、 前記出力電圧の振巾が前記第1の基準電圧の振幅を超え
    ないように前記出力電圧の振巾を変えるステップと、 を含むことを特徴とする電力増巾器を熱過負荷による損
    傷から保護する方法。
JP28002792A 1991-10-18 1992-10-19 電力増巾器及びこの電力増巾器を熱過負荷による損傷から保護する方法 Pending JPH05251948A (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
IT91A000787 1991-03-22
ITTO910787A IT1249844B (it) 1991-10-18 1991-10-18 Amplificatore di potenza, in particolare di tipo audio.

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JPH05251948A true JPH05251948A (ja) 1993-09-28

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ID=11409651

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JP28002792A Pending JPH05251948A (ja) 1991-10-18 1992-10-19 電力増巾器及びこの電力増巾器を熱過負荷による損傷から保護する方法

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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19815923A1 (de) * 1998-04-09 1999-10-21 Grundig Ag Steuereinrichtung für einen Audioverstärker
DE19844741C1 (de) * 1998-09-29 2000-06-08 Siemens Ag Schaltungsanordnung zur Arbeitspunktstabilisierung eines Transistors
US6417730B1 (en) 2000-11-29 2002-07-09 Harris Corporation Automatic gain control system and related method
US6580318B2 (en) * 2001-03-08 2003-06-17 Maxim Integrated Products, Inc. Method and apparatus for protecting radio frequency power amplifiers
US7579958B2 (en) * 2003-06-03 2009-08-25 Wallace Henry B Audio power meter
US20040247136A1 (en) * 2003-06-03 2004-12-09 Wallace Henry B. True RMS audio power meter
US7054450B2 (en) * 2004-03-31 2006-05-30 Motorola, Inc. Method and system for ensuring audio safety
US20080273717A1 (en) * 2007-05-03 2008-11-06 Gerald Willis Audio amplifier thermal management using low frequency limiting
CN111901725B (zh) * 2020-07-22 2022-02-01 上海艾为电子技术股份有限公司 音频功放电路及其功率限制方法
CN116436418B (zh) * 2023-06-09 2023-09-08 尚睿微电子(上海)有限公司 一种保护电路及放大电路

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2637270C2 (de) * 1976-08-19 1978-05-03 Standard Elektrik Lorenz Ag, 7000 Stuttgart Überlastungsschutzeinrichtung
US4122400A (en) * 1976-11-08 1978-10-24 Rca Corporation Amplifier protection circuit
US4355341A (en) * 1980-06-30 1982-10-19 Rca Corporation Power protection circuit for transistors
US4564879A (en) * 1982-09-20 1986-01-14 International Standard Electric Corporation Electronic power overload protection circuit
US4581589A (en) * 1983-04-28 1986-04-08 Toa Electric Co., Ltd. Apparatus for avoiding clipping of amplifier
US4742312A (en) * 1987-05-22 1988-05-03 Delco Electronics Corporation Power limiting audio amplifier temperature protection circuit
IT1229777B (it) * 1989-05-22 1991-09-11 Sgs Thomson Microelectronics Circuito per la limitazione della temperatura senza distorsione per amplificatori audio di potenza.

Also Published As

Publication number Publication date
US5315268A (en) 1994-05-24
ITTO910787A1 (it) 1993-04-19
ITTO910787A0 (it) 1991-10-18
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EP0537792A1 (en) 1993-04-21

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